KR101151768B1 - 초경질 다이아몬드 및 이의 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은, 마이크로파 플라즈마 화학 증착에 의해 성장되고, 4.0 GPa를 초과하는 압력에서 어닐링되고 그리고 1500℃ 초과 온도로 가열된, 120 GPa를 초과하는 경도를 갖는, 단결정 다이아몬드에 관한 것이다. 경질 단결정 다이아몬드의 제조 방법은, 단결정 다이아몬드를 성장시키는 단계, 및 120GPa을 초과하는 경도를 갖도록 4.0GPa를 초과하는 압력 및 1500℃를 초과하는 온도에서 단결정 다이아몬드를 어닐링하는 단계를 포함한다.

Description

초경질 다이아몬드 및 이의 제조 방법{ULTRAHARD DIAMONDS AND METHOD OF MAKING THEREOF}
본 발명은, 본 명세서에 참조 병합되어 있는, 2003년 7월 14일자로 출원된 미국 가출원 제 60/486,435호의 이익을 주장한다.
정부 이익에 대한 진술
본 발명은 국립 과학 협회로부터 EAR-0135626호의 승인 번호로 미국 정부 지원을 받아 발명되었다. 미국 정부는 본 발명에 대한 특정한 권리를 갖는다.
본 발명은 다이아몬드, 및 보다 구체적으로는 증착 챔버 내에서 마이크로파 플라즈마 화학 증착(MPCVD)을 사용하여 제조된 초경질 다이아몬드에 관한 것이다.
합성 다이아몬드를 대규모로 제조하는 것은 오랫동안 연구 및 산업 모두의 목표가 되어 왔다. 다이아몬드는 보석의 특성 외에 가장 단단한 물질로 알려져 있으며, 열전도도가 가장 높은 것으로 알려져 있고, 광범위한 전자기 방사선에 대해 투과성이다. 따라서, 다이아몬드는 보석원석으로서의 가치 외에 이의 광범위한 적용예로 인해 다수의 산업에서 유용하다.
적어도 지난 20년동안, 화학 증착(CVD)으로 소량의 다이아몬드를 제조하는 방법이 이용가능하였다. 문헌(B.V.Spitsyn et al., "Vapor Growth of Diamond on Diamond and Other Surfaces," Journal of Crystal Growth, vol. 52, pp.219-226)에 보고된 바와 같이, 이 방법은 감압 및 800-1200℃의 온도에서, 메탄, 또는 다른 단체(simple) 탄화수소 가스, 및 수소 가스를 조합 사용하여, 기재 상에 다이아몬드를 CVD하는 것을 포함한다. 수소 가스를 포함시키면, 다이아몬드가 핵화(nucleate) 및 성장함에 따라 그래파이트의 형성이 방지된다. 이 기술로 1㎛/h 까지의 성장 속도가 보고되었다.
연이은 연구, 예를 들어 문헌("Diamond Synthesis from Gas Phase in Microwave Plasma," Journal of Crystal Growth, vol. 62, pp.642-644)에 보고된 바와 같은 Kamo 등의 연이은 연구에서, 1-8Kpa의 압력, 800-1000℃의 온도, 300-700 W의 마이크로파 출력, 2.45GHz의 주파수에서 다이아몬드를 제조하기 위하여 마이크로파 플라즈마 화학 증착(MPCVD)을 사용하는 것이 설명되었다. Kamo 등의 방법에서 1-3%의 메탄 가스 농도가 사용되었다. 이 MPCVD 방법을 사용하여 3㎛/h의 최대 성장 속도가 보고되었다.
천연 다이아몬드는 80-120GPa의 경도를 갖는다. 공정과 무관하게, 대부분의 성장 또는 제조된 다이아몬드는 110GPa 미만의 경도를 갖는다. 어닐링된 타입 IIa 천연 다이아몬드 외에, 120GPa 를 초과하는 경도를 갖는 것으로 보고된 다이아몬드는 없다.
따라서, 본 발명은 관련 분야의 한계 및 단점으로 인한 문제점들을 하나 이상 실질적으로 해결하는 다이아몬드의 제조 장치 및 방법에 관한 것이다.
본 발명의 목적은, 마이크로파 플라즈마 화학 증착 시스템 내에서 경도가 증가된 다이아몬드를 제조하는 장치 및 방법과 관련이 있다.
본발명의 또 다른 목적은 단결정 다이아몬드의 광학 특성을 향상시키는 것이다.
본 발명의 추가적인 특징 및 장점은, 이하 상세한 설명에서 설명하며, 부분적으로는 상세한 설명으로부터 명백하거나, 본 발명을 실행하여 알 수 있다. 본 발명의 목적 및 다른 장점은, 상세한 설명 및 특허청구범위에 특히 기재된 구성 및 첨부된 도면에 의해 실현 및 달성된다.
이들 및 다른 장점을 달성하기 위하여 그리고 본 발명의 목적에 따라, 구체화 및 광범위하게 기재된 바와 같이, 마이크로파 플라즈마 화학 증착으로 성장되고 4.0 GPa를 초과하는 압력에서 어닐링되고 그리고 1500℃를 초과하는 온도까지 가열된, 120GPa를 초과하는 경도를 갖는, 단결정 다이아몬드가 제공된다.
또다른 실시형태에서, 160-180 GPa의 경도를 갖는 단결정 다이아몬드가 제공된다.
본 발명의 다른 실시형태에 따르면, 경질 단결정 다이아몬드의 제조 방법은, 단결정 다이아몬드를 성장시키는 단계, 및 120GPa 를 초과하는 경도를 갖도록 4.0 GPa를 초과하는 압력 그리고 1500℃를 초과하는 온도에서 단결정 다이아몬드를 어닐링하는 단계를 포함한다.
상기 일반적인 설명 및 하기 상세한 설명은 모두 설명을 위한 것이며, 청구된 바와 같은 본 발명을 추가적으로 설명하기 위한 것으로 이해해야 한다.
이하에서는 본 발명의 바람직한 실시형태를 기재하며, 그 결과는 첨부 도면에서 설명한다.
본 출원의 마이크로파 플라즈마 CVD-성장 단결정 다이아몬드는, 본 명세서에 참조 병합되어 있는 2002년 11월 6일자로 출원된 미국 특허 출원 제 10/288,499호("다이아몬드의 제조 장치 및 방법")에 기재된 장치를 사용하여 성장시켰다. 일반적으로, 시드 다이아몬드는 시드 다이아몬드/다이아몬드가 성장됨에 따라 성장된 다이아몬드를 이동시키는 홀더 내에 위치시킨다. 본 출원의 발명자는 또한 미국 특허 출원 제 10/288,499호의 발명자이다.
1밀리미터 초과의 두께를 갖는 마이크로파 플라즈마 CVD-성장 단결정 다이아몬드를 타입 Ib {100} 합성 다이아몬드 상에 증착시켰다. 성장 속도(50-150㎛/h)를 증진시키고 매끄러운 {100} 면 성장을 촉진하기 위하여, CVD 챔버 내 마이크로파 유도된 플라즈마로부터 N2/CH4=0.2-5.0%, CH4/H2=12-20%, 120-220 torr 전체 압력, 및 900-1500℃의 대기 내에서 단결정 다이아몬드를 성장시켰다. 라만 스펙트럼에서, <950℃ 또는 >1400℃에서 갈색 다이아몬드를 생성시키는, 소량의 수소화된 비정질 탄소(a-C:H)4 및 질소-함유 a-C:H(N:a-C:H)4가 나타난다. 포토루미네선스(PL) 스펙트럼에서 질소-결여(vacancy)(N-V) 불순물이 나타난다. 두께 4.5mm까지의 단결정 다이아몬드를, 통상적인 다결정질 CVD 성장 방법보다 두 차수 크기만큼이나 큰 성장 속도로 가공하였다.
마이크로파 플라즈마 CVD-성장 단결정 다이아몬드를 5-7 GPa와 같은 4.0 GPa를 초과하는 압력에서 어닐링하고, 1800-2900℃와 같은 1500℃를 초과하는 온도로 1-60분동안 반응 용기 내에서 벨트-형 또는 앤빌(anvil)-형 장치를 사용하여 가열하였다. 반응 용기는, 본 명세서에 참조병합되어 있는 미국 특허 제 3,745,623호 또는 3,913,280호에 기재되어 있는 것과 같은 셀이 될 수 있다. 이러한 어닐링 처리는 마이크로파 플라즈마 CVD-성장 단결정 다이아몬드 결정의 색을 약하게 하거나 제거하고, 타입 Ib HPHT 합성 시드 결정의 색조(tint)를 밝게 한다. 또한, 어닐링된 마이크로파 플라즈마 CVD-성장 단결정 다이아몬드, 어닐링된 CVD 다이아몬드의 경도(적어도 ~140GPa)는, 어닐링 또는 비어닐링된 타입 Ib HPHT 합성 다이아몬드(~90GPa), 어닐링된 타입 Ia 천연 다이아몬드(~100 GPa), 타입 IIa 천연 다이아몬드(~110GPa), 및 어닐링된 타입 IIa 천연 다이아몬드(~140 GPa)와 소결된 다결정질 다이아몬드(120-140GPa)의 경도를 능가한다.
첨부 도면은, 본 발명을 추가적으로 이해시키기 위한 것으로, 본 명세서에 포함되고 이의 일부를 구성하며, 본 발명의 실시형태를 설명하고, 상세한 설명과 함께 본 발명의 원리를 설명한다.
도 1은 다이아몬드의 경도 시험용 인덴터(indenter)의 다이어그램이다.
도 2는 다이아몬드 상에 만들어진 인덴테이션(indentation) 사진이다.
도 3은 어닐링된 마이크로파 플라즈마 CVD-성장 단결정 다이아몬드의 경도 및 인성을, 타입 IIa 천연 다이아몬드, 어닐링된 타입 IIa 천연 다이아몬드, 어닐링된 타입 Ia 천연 다이아몬드 및 어닐링된 타입 Ib HPHT 합성 다이아몬드와 비교 하여 나타내는 그래프이다.
실시예 1
마이크로파 CVD 챔버 내에서, 황색 타입 Ib HPHT 합성 다이아몬드 상에 약 1500℃의 온도에서 5%의 N2/CH4 비율로 단결정 CVD 다이아몬드를 성장시켰다. 마이크로파 플라즈마 CVD-성장 단결정 다이아몬드의 크기는 1 제곱센티미터였고, 두께는 1 밀리미터보다 약간 두꺼웠다. 마이크로파 플라즈마 CVD-성장 단결정 다이아몬드의 색상은 갈색이었다. 이어서, 타입 Ib HPHT 합성 시드 다이아몬드 상의 갈색 마이크로파 플라즈마 CVD-성장 단결정 다이아몬드를 시료로서 반응 용기 내에 위치시켰다.
반응 용기를 통상적인 HPHT 장치 내에 위치시켰다. 우선, 압력을 5.0GPa 의 압력까지 증가시킨 후, 온도를 2200 ℃까지 변화시켰다. 시료는 이 어닐링 조건에서 5분동안 유지시킨 후, 압력 해제 전에 약 1분에 걸쳐 실온까지 온도를 낮추었다.
시료를 반응 용기로부터 옮겨 광학 현미경 하에서 조사하였다. 갈색 마이크로파 플라즈마 CVD-성장 단결정 다이아몬드는 밝은 녹색의 반투명한 색상으로 변하였고, 황색 타입 Ib HPHT 합성 다이아몬드에 단단히 결합되어 있었다. 타입 Ib HPHT 합성 다이아몬드의 황색은 더 밝은 황색 또는 더 반투명한 황색이 되었다. 경도는 약 160GPa 였다.
실시예 2
어닐링 조건을 1시간동안 유지한 것을 제외하고는, 상기 실시예 1과 동일하였다. 갈색 마이크로파 플라즈마 CVD-성장 단결정 다이아몬드가 밝은 녹색으로 변하였고, 이는 실시예 1에 얻어지는 밝은 녹색보다 더 반투명하였으며, 타입 Ib HPHT 합성 다이아몬드에 단단히 결합되어 있었다. 타입 Ib HPHT 합성 다이아몬드의 황색은 밝은 황색 또는 더 반투명한 황색이 되었다. 경도는 약 180GPa 였다.
실시예 3
마이크로파 CVD 챔버 내에서 황색 타입 Ib HPHT 합성 다이아몬드 상에 약 1450℃의 온도에서 5%의 N2/CH4 비율로 단결정 CVD 다이아몬드를 성장시켰다. 마이크로파 플라즈마 CVD-성장 단결정 다이아몬드의 크기는 1 제곱센티미터였고, 두께는 1 밀리미터보다 약간 두꺼웠다. 마이크로파 플라즈마 CVD-성장 단결정 다이아몬드의 색상은 밝은 갈색 또는 황색이었다. 다시 말해, 상기 실시예 1의 마이크로파 플라즈마 CVD-성장 단결정 다이아몬드의 갈색만큼 어둡지 않은 황색 또는 밝은 갈색이었다. 이어서, 타입 Ib HPHT 합성 다이아몬드 상의 황색 또는 밝은 갈색 마이크로파 플라즈마 CVD-성장 단결정 다이아몬드를 시료로서 반응 용기 내에 위치시켰다. 경도는 160GPa 를 초과하였다.
반응 용기를 통상적인 HPHT 장치 내에 위치시켰다. 압력을 약 5.0GPa의 압력까지 증가시킨 후, 온도를 약 2000 ℃까지 신속하게 변화시켰다. 시료는 이들 어닐링 조건에서 5분동안 유지한 후, 압력 해제 전에 약 1분에 걸쳐 실온까지 온도를 낮추었다.
시료를 반응 용기로부터 옮겨 광학 현미경 하에서 조사하였다. 밝은 갈색 마이크로파 플라즈마 CVD-성장 단결정 다이아몬드는 무색이 되었고, 황색 타입 Ib HPHT 합성 다이아몬드에 단단히 결합되어 있었다. 타입 Ib HPHT 합성 다이아몬드의 황색은 또한 더 밝은 황색 또는 더 반투명한 황색이 되었다.
실시예 4
~1200℃의 온도에서 N2/CH4=5%의 대기에서 무색 마이크로파 플라즈마 단결정 CVD-성장 다이아몬드를 어닐링한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하였다. 어닐링 후, 마이크로파 플라즈마 단결정 CVD-성장 다이아몬드는 청색이었다. 이 청색 마이크로파 플라즈마 단결정 CVD-성장 다이아몬드는 >20 MPa m1/2의 매우 높은 인성을 가졌다. 경도는 약 ~140 GPa 였다.
실시예 5
~1200℃의 온도에서 N2/CH4=.5%의 대기에서 무색 마이크로파 플라즈마 단결정 CVD-성장 다이아몬드를 어닐링한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하였다. 마이크로파 플라즈마 단결정 CVD-성장 다이아몬드는 계속 무색이었다. 이 무색 마이크로파 플라즈마 단결정 CVD-성장 다이아몬드는 ~160 GPa의 경도 및 ~10 MPa m1/2의 인성을 가졌다.
도 1은 다이아몬드의 경도 시험용 인덴터의 다이어그램이다. 비커스 경도 시험을 도 1의 인덴터(1)을 사용하여 어닐링된 마이크로파 플라즈마 CVD-성장 단결정 다이아몬드 상에 수행하였다. 도 1의 인덴터(1)는 마운트(3) 상에 위치된 임핀징(impinging) 물질(2)을 갖는다. 임핀징 물질(2)은 탄화 규소, 다이아몬드 또는 다소 다른 경질의 물질이 될 수 있다. 임핀징 물질은, 피라미드형 비커스 인덴터 형상을 갖는 면을 가지며, 이 피라미드형 비커스 인덴터 형상의 측면들은 136°의 각을 갖는다.
인덴터는, 시험 다이아몬드(2)에 인덴테이션 또는 크랙이 형성될 때까지 시험 다이아몬드(2)에 포인트 하중(point load)을 적용한다. 인덴터의 탄성 변형을 막기 위하여, 시험 다이아몬드의 <100> 방향으로 {100} 면 상에 1로부터 3kg까지 하중을 변화시켰다. 인덴테이션 및 인덴테이션과 관련있는 크랙의 크기는 광학 현미경으로 측정한다. 도 2는 마이크로파 플라즈마 CVD-성장 단결정 다이아몬드 상에 만들어진 인덴테이션의 사진이다.
주지된 바와 같이, 본 발명의 상기된 실시형태에서의 경도(즉, 비커스 경도) Hv는 하기 식으로부터 결정될 수 있다:
Hv=1.854×P/D2
여기서, P는 시험 다이아몬드 내에 인덴테이션을 형성하기 위하여 인덴터 상에 사용된 최대 하중이고 그리고 D2(또는 d2)는 인덴테이션의 면적이다(도 1 참조). 도 1의 "h"는 시험 다이아몬드 내 인덴테이션의 깊이이다.
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시험 다이아몬드의 파괴 인성 Kc는 하기 식 2에 식 1로부터의 경도 Hv를 사용하여 결정할 수 있다:
Kc=(0.016±0.004)(E/Hv)1/2 (P/c3/2)
E는 영율(Young' modulus)로, 1000 GPa인 것으로 가정된다. P는 시험 다이아몬드 내에 인덴테이션을 형성하기 위하여 인덴터 상에 사용되는 최대 하중이다. d는, d=(d1+d2)/2인 도 2에 도시된 바와 같은 시험 다이아몬드 내 인덴테이션 캐비티의 평균 길이이다. c는 c=(c1+c2)/2인 도 2에 도시된 바와 같은 시험 다이아몬드 내 방사상 크랙의 평균 길이이다.
경도 결정의 불확실성 때문에, 다른 다이아몬드 상에서도 동일한 측정을 실시하였다. 다른 다이아몬드 상의 측정을 통해, 다른 다이아몬드에 대해 공개된 데이터와 일치하는 것으로 밝혀졌다. 다양한 형태의 다이아몬드의 (100) 면 상에서 (100) 방향에서 비커스 경도 시험을 실시하였다.
광학 현미경으로 관찰된 바와 같은, 어닐링된 마이크로파 플라즈마 CVD-성장 단결정 다이아몬드의 만입(indented) 면은, 다른 (보다 연질인) 다이아몬드의 만입 면과 명백히 다르다. 피라미드형 비커스 인덴터에 의해, 어닐링된 마이크로파 플라즈마 CVD-성장 단결정 다이아몬드는, <110> 또는 <111>을 따라 정사각형 크랙 패턴을 보이며, <100>을 따라서는 십자-형 크랙 라인을 보이지 않고, 어닐링된 마이크로파 플라즈마 CVD-성장 단결정 다이아몬드의 표면에 워터-프린트-형(water-print-like) 변형 마크가 나타났다. 대조적으로, 어닐링된 타입 IIa 천연 다이아몬드는 (110) 및 (111)을 따라 정사각형 크랙 패턴이 더 적으며, 더 연질인 다이아몬드의 십자-형(100) 크랙을 여전히 나타낸다. 이러한 결과는, 어닐링된 마이크로파 플라즈마 CVD-성장 단결정 다이아몬드가 인덴터보다 경질이고, 인덴터의 소성 변형(plastic deformation)으로 인한 압력 때문에 보다 연질인 {111} 면의 미끄러짐(slippage)이 유발된다는 것을 나타낸다.
비커스 인덴터는 일반적으로 비어닐링된 마이크로파 플라즈마 CVD-성장 단결정 다이아몬드 및 타입 Ib 천연 다이아몬드 상에서 ~15회 측정 후에 크랙이 생겼다. 또한, 비커스 인덴터는 일반적으로 어닐링된 타입 IIa 천연 다이아몬드, 어닐링된 타입 Ia 천연 다이아몬드 및 어닐링된 타입 Ib HPHT 합성 다이아몬드 상에서 ~5회 측정 후에 크랙이 생겼다. 그러나, 비커스 인덴터는 어닐링된 마이크로파 플라즈마 CVD-성장 단결정 다이아몬드 상에서는 단지 1 또는 2회 측정 후에 크랙이 생겼다. 이러한 관찰결과는 또한, 어닐링된 마이크로파 플라즈마 CVD-성장 단결정 다이아몬드가, 측정된 값이 나타내는 것보다 더 경질임을 나타낸다. 실제로, 많은 어닐링된 마이크로파 플라즈마 CVD-성장 단결정 다이아몬드는 더 연질인 인덴터를쉽게 손상시켰다. 이러한 경우, 인덴터는 어닐링된 마이크로파 플라즈마 CVD-성장 단결정 다이아몬드의 표면에 자국을 전혀 남기지 않았다.
도 3은 어닐링된 마이크로파 플라즈마 CVD-성장 단결정 다이아몬드의 경도 및 인성을, 타입 IIa 천연 다이아몬드, 어닐링된 타입 IIa 천연 다이아몬드, 어닐 링된 타입 Ia 천연 다이아몬드 및 어닐링된 타입 Ib HPHT 합성 다이아몬드와 비교하여 도시한 그래프이다. 도 3에 도시된 바와 같이, 어닐링된 마이크로파 플라즈마 CVD-성장 단결정 다이아몬드는, 타입 IIa 천연 다이아몬드(도 3에 정사각형 점선(10)으로 나타냄)에 비해 훨씬 높은 경도를 갖는다. 모든 어닐링된 마이크로파 플라즈마 CVD-성장 단결정 다이아몬드는 또한, 보고된 범위, 다결정질 CVD 다이이몬드의 보고된 경도 범위(도 3에 정사각형 점선(20)으로 나타냄)보다 높은 경도를 갖는다. 도 3의 마이크로파 플라즈마 CVD-성장 단결정 다이아몬드는 6-10 MPa m1/2의 파괴 인성 및 140-180 GPa의 경도를 가져, 이들이 더 경질일 수 있음을 나타낸다.
본 발명은 이의 정신 또는 본질적인 특성에서 벗어나지 않고 수가지 형태로 구체화될 수 있으므로, 상기된 실시형태는, 달리 구체화되지 않는 한, 상기 상세한 설명의 어떤 세부내용에 의해 제한되는 것이 아니라, 첨부되는 특허청구범위에 정의된 바와 같은 정신 및 범위 내에서 광범위하게 해석되어야 하며, 따라서 특허청구범위의 경계 및 범위 내에 속하는 모든 변화 및 변경, 또는 이러한 경계 및 범위의 등가물은 첨부된 특허청구범위에 포함되는 것으로 또한 이해해야 한다.

Claims (15)

  1. 4.0 GPa를 초과하는 압력에서 어닐링되고 그리고 1500℃를 초과하는 온도로 가열되는, 마이크로파 플라즈마 화학 증착에 의하여 성장한 160-180 GPa의 비커스 경도(Vickers hardness)를 갖는 두께가 1 mm 이상인 3 차원의 단결정 다이아몬드.
  2. 제 1항에 있어서,
    파괴 인성이 6-10 MPa m1/2인 것을 특징으로 하는 3 차원의 단결정 다이아몬드.
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 삭제
  6. 160-180 GPa의 비커스 경도를 갖는 두께가 1 mm 이상인 3 차원의 단결정 다이아몬드.
  7. 제 6항에 있어서,
    6-10 MPa m1/2의 파괴 인성을 갖는 3 차원의 단결정 다이아몬드.
  8. 삭제
  9. 삭제
  10. 삭제
  11. 삭제
  12. 삭제
  13. 삭제
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  15. 삭제
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Families Citing this family (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4711677B2 (ja) * 2002-09-06 2011-06-29 エレメント シックス リミテッド 着色されたダイヤモンド
US7115241B2 (en) * 2003-07-14 2006-10-03 Carnegie Institution Of Washington Ultrahard diamonds and method of making thereof
GB2424903B (en) * 2003-12-12 2008-06-25 Element Six Ltd Method of incorporating a mark in cvd diamond
EP1807346A4 (en) * 2004-09-10 2010-04-28 Carnegie Inst Of Washington ULTRADUR VAPOR PHASE CHEMICAL DEPOSITED DIAMOND (CVD) AND THREE-DIMENSIONAL GROWTH OF THE SAME
JP5002982B2 (ja) * 2005-04-15 2012-08-15 住友電気工業株式会社 単結晶ダイヤモンドの製造方法
US8641999B2 (en) * 2005-07-11 2014-02-04 SCIO Diamond Technology Corporation Carbon grit
TWI410538B (zh) * 2005-11-15 2013-10-01 Carnegie Inst Of Washington 建基於以快速生長速率製造之單晶ｃｖｄ鑽石的新穎鑽石的用途／應用
JP5284575B2 (ja) * 2006-10-31 2013-09-11 住友電気工業株式会社 ダイヤモンド単結晶及びその製造方法
WO2009045445A1 (en) * 2007-10-02 2009-04-09 Carnegie Institution Of Washington Low pressure method annealing diamonds
WO2009114130A2 (en) * 2008-03-13 2009-09-17 Michigan State University Process and apparatus for diamond synthesis
EP2286459A4 (en) * 2008-05-05 2014-03-12 Carnegie Inst Of Washington ULTRA-RESISTANT BORDOTIC CRYSTAL DIAMOND
US20100028556A1 (en) * 2008-05-09 2010-02-04 Apollo Diamond Gemstone Corporation Chemical vapor deposition colored diamond
US20100126406A1 (en) * 2008-11-25 2010-05-27 Yan Chih-Shiue Production of Single Crystal CVD Diamond at Rapid Growth Rate
US20100192474A1 (en) 2009-01-30 2010-08-05 Lehigh University Ultrahard stishovite nanoparticles and methods of manufacture
SG177261A1 (en) * 2009-06-26 2012-02-28 Element Six Ltd Method for making fancy orange coloured single crystal cvd diamond and product obtained
US9255009B2 (en) * 2009-06-26 2016-02-09 Element Six Technologies Limited Diamond material
CN101705478B (zh) * 2009-12-04 2011-06-01 北京科技大学 一种提高自支撑金刚石膜强度的方法
TW201204863A (en) 2010-05-17 2012-02-01 Carnegie Inst Of Washington Production of large, high purity single crystal CVD diamond
SG179318A1 (en) * 2010-09-27 2012-04-27 Gemesis Company S Pte Ltd Method for growing white color diamonds by using diborane and nitrogen in combination in a microwave plasma chemical vapor deposition system
GB201121642D0 (en) 2011-12-16 2012-01-25 Element Six Ltd Single crtstal cvd synthetic diamond material
GB201205743D0 (en) * 2012-03-30 2012-05-16 Element Six Ltd Pressure cartridge
JP5527628B2 (ja) * 2012-04-09 2014-06-18 住友電気工業株式会社 ダイヤモンド単結晶
US9469918B2 (en) 2014-01-24 2016-10-18 Ii-Vi Incorporated Substrate including a diamond layer and a composite layer of diamond and silicon carbide, and, optionally, silicon
US11753740B2 (en) * 2019-11-18 2023-09-12 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Diamond substrate and method for manufacturing the same
CN111778553A (zh) * 2020-07-29 2020-10-16 哈尔滨工业大学 用于提升cvd单晶金刚石品质的籽晶连续减薄等离子体退火方法
CN113816737B (zh) * 2021-09-09 2022-10-11 四川大学 一种高效制备透明金刚石材料的方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07331441A (ja) * 1994-03-11 1995-12-19 General Electric Co <Ge> 強化された化学蒸着ダイヤモンド
US20030084839A1 (en) * 2001-11-07 2003-05-08 Hemley Russell J. Apparatus and method for diamond production

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3913280A (en) 1971-01-29 1975-10-21 Megadiamond Corp Polycrystalline diamond composites
US3745623A (en) 1971-12-27 1973-07-17 Gen Electric Diamond tools for machining
JP2620252B2 (ja) * 1987-09-17 1997-06-11 住友電気工業株式会社 窒素含有硬質炭素膜の製造方法
US4985226A (en) * 1988-06-20 1991-01-15 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Hole-burning material and production thereof
JP2921063B2 (ja) * 1990-08-22 1999-07-19 住友電気工業株式会社 高品質ダイヤモンドの気相合成方法
JP3077206B2 (ja) * 1991-01-10 2000-08-14 住友電気工業株式会社 ダイヤモンド膜及びその製造方法
US5397428A (en) * 1991-12-20 1995-03-14 The University Of North Carolina At Chapel Hill Nucleation enhancement for chemical vapor deposition of diamond
US5443032A (en) * 1992-06-08 1995-08-22 Air Products And Chemicals, Inc. Method for the manufacture of large single crystals
RU2006538C1 (ru) * 1992-07-14 1994-01-30 Акционерное общество "Компакт Лтд" Способ выращивания алмазов
JP3484749B2 (ja) * 1994-04-04 2004-01-06 住友電気工業株式会社 ダイヤモンドの合成法
US5451430A (en) * 1994-05-05 1995-09-19 General Electric Company Method for enhancing the toughness of CVD diamond
JP3728465B2 (ja) * 1994-11-25 2005-12-21 株式会社神戸製鋼所 単結晶ダイヤモンド膜の形成方法
US5653800A (en) * 1995-08-03 1997-08-05 Eneco, Inc. Method for producing N-type semiconducting diamond
JPH0948694A (ja) * 1995-08-04 1997-02-18 Kobe Steel Ltd 単結晶ダイヤモンド膜の形成方法
RU2099283C1 (ru) * 1996-06-05 1997-12-20 Закрытое акционерное общество "Техно-ТМ" Покрытие на основе алмазоподобного материала и способ его получения
JP3125046B2 (ja) * 1997-11-21 2001-01-15 工業技術院長 ダイヤモンド単結晶薄膜製造方法
US6582513B1 (en) 1998-05-15 2003-06-24 Apollo Diamond, Inc. System and method for producing synthetic diamond
US6183818B1 (en) * 1998-10-01 2001-02-06 Uab Research Foundation Process for ultra smooth diamond coating on metals and uses thereof
CZ302228B6 (cs) 2000-06-15 2011-01-05 Element Six (Pty) Ltd Monokrystalická diamantová vrstva pripravená chemickým vylucováním z plynné fáze
RU2202513C1 (ru) * 2001-10-03 2003-04-20 Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет Способ выращивания слоя твердого углерода
US6811610B2 (en) * 2002-06-03 2004-11-02 Diamond Innovations, Inc. Method of making enhanced CVD diamond
US7115241B2 (en) * 2003-07-14 2006-10-03 Carnegie Institution Of Washington Ultrahard diamonds and method of making thereof
JP4547493B2 (ja) * 2006-02-08 2010-09-22 独立行政法人産業技術総合研究所 ダイヤモンド単結晶の製造方法及びダイヤモンド単結晶

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07331441A (ja) * 1994-03-11 1995-12-19 General Electric Co <Ge> 強化された化学蒸着ダイヤモンド
US20030084839A1 (en) * 2001-11-07 2003-05-08 Hemley Russell J. Apparatus and method for diamond production

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Publication number Publication date
HK1095611A1 (en) 2007-05-11
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