KR101148857B1 - 금속막 및 그 제조법, 적층형 전자 부품의 제조법 및적층형 전자 부품 - Google Patents
금속막 및 그 제조법, 적층형 전자 부품의 제조법 및적층형 전자 부품 Download PDFInfo
- Publication number
- KR101148857B1 KR101148857B1 KR1020087004714A KR20087004714A KR101148857B1 KR 101148857 B1 KR101148857 B1 KR 101148857B1 KR 1020087004714 A KR1020087004714 A KR 1020087004714A KR 20087004714 A KR20087004714 A KR 20087004714A KR 101148857 B1 KR101148857 B1 KR 101148857B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- metal film
- sulfur
- boron
- phosphorus
- electronic component
- Prior art date
Links
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 142
- 239000002184 metal Substances 0.000 title claims abstract description 142
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 31
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 claims abstract description 61
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 55
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 claims abstract description 55
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 49
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 49
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims abstract description 49
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims abstract description 49
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 claims abstract description 49
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 47
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 29
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims abstract description 28
- 239000011572 manganese Substances 0.000 claims description 52
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 28
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 20
- 238000010304 firing Methods 0.000 claims description 14
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 abstract description 12
- 238000002844 melting Methods 0.000 abstract description 12
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 8
- 239000004033 plastic Substances 0.000 abstract description 5
- 239000010408 film Substances 0.000 description 119
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 37
- 239000003985 ceramic capacitor Substances 0.000 description 18
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 9
- 229910000765 intermetallic Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 8
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 8
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 230000032798 delamination Effects 0.000 description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 3
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- 230000007847 structural defect Effects 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 2
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 2
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 2
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- 229910018643 Mn—Si Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 1
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 1
- 239000008151 electrolyte solution Substances 0.000 description 1
- 229940021013 electrolyte solution Drugs 0.000 description 1
- 238000000635 electron micrograph Methods 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 229940099596 manganese sulfate Drugs 0.000 description 1
- 235000007079 manganese sulphate Nutrition 0.000 description 1
- 239000011702 manganese sulphate Substances 0.000 description 1
- SQQMAOCOWKFBNP-UHFFFAOYSA-L manganese(II) sulfate Chemical compound [Mn+2].[O-]S([O-])(=O)=O SQQMAOCOWKFBNP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000004949 mass spectrometry Methods 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229910052573 porcelain Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 238000004445 quantitative analysis Methods 0.000 description 1
- 238000004062 sedimentation Methods 0.000 description 1
- 238000005204 segregation Methods 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 1
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N sulfuric acid Substances OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- -1 sulfuric acid ions Chemical class 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C19/00—Alloys based on nickel or cobalt
- C22C19/03—Alloys based on nickel or cobalt based on nickel
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C13/00—Alloys based on tin
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D3/00—Electroplating: Baths therefor
- C25D3/02—Electroplating: Baths therefor from solutions
- C25D3/56—Electroplating: Baths therefor from solutions of alloys
- C25D3/562—Electroplating: Baths therefor from solutions of alloys containing more than 50% by weight of iron or nickel or cobalt
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
- C25D5/48—After-treatment of electroplated surfaces
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
- C25D5/48—After-treatment of electroplated surfaces
- C25D5/50—After-treatment of electroplated surfaces by heat-treatment
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D7/00—Electroplating characterised by the article coated
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/005—Electrodes
- H01G4/008—Selection of materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/005—Electrodes
- H01G4/008—Selection of materials
- H01G4/0085—Fried electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/30—Stacked capacitors
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
- Y10T428/24802—Discontinuous or differential coating, impregnation or bond [e.g., artwork, printing, retouched photograph, etc.]
- Y10T428/24917—Discontinuous or differential coating, impregnation or bond [e.g., artwork, printing, retouched photograph, etc.] including metal layer
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Electroplating And Plating Baths Therefor (AREA)
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
Abstract
금속막이 Mn과, 유황, 붕소 및 인 중에서 선택되는 원소를 함유함과 아울러, 상기 Mn과, 유황, 붕소 및 인 중에서 선택되는 원소가 상기 금속막의 중앙부보다 주변부에 고농도로 존재하고 있는 Ni를 주성분으로 하는 금속막을 도체층으로서 사용함으로써 금속막의 주변부의 융점이 높아지고, 그 때문에 가열에 의한 수축을 억제할 수 있다. 따라서, 상기 금속막을 전자 부품 등의 도체층으로서 사용하면 가열시의 소성 변형이나 수축을 억제할 수 있으므로 도체층으로서의 유효 면적을 높일 수 있고, 세라믹층과의 접착성을 높일 수 있다.
금속막, 적층형 전자 부품
Description
본 발명은 금속막 및 그 제조법, 적층형 전자 부품의 제조법 및 적층형 전자 부품에 관한 것으로서, 특히 Ni를 주성분으로 하는 금속막 및 그 제조법, 그 금속막을 도체층으로서 적용하는 적층형 전자 부품의 제조법 및 적층형 전자 부품에 관한 것이다.
최근, 적층형 전자 부품의 대표예인 적층 세라믹 콘덴서는 소형 고용량화의 요구에 대하여 세라믹층인 유전체층의 박층화와 함께 도체층인 내부 전극층의 박층화가 도모되고 있다. 예를 들면, 내부 전극층이 되는 도체 패턴을 스퍼터나 증착과 같은 물리적 박막 형성법, 또는 무전해 도금과 같은 화학적 박막 형성법에 의해 필름 상에 형성하는 방법(예를 들면 특허문헌1) 외에, 양산성에 적합한 방법으로서 니켈 등의 전해액을 사용한 전기 도금법(예를 들면 특허문헌2)에 의해 형성되는 방법이 제안되어 있다.
또한, 최근 본 발명자들은 Ni 도금 패턴 중에 유황 등의 첨가물을 첨가해서 세라믹층 상에 있어서의 도금막의 추종성을 높여 양 층 사이의 접착력을 높일 수 있는 것을 개시하고 있다(예를 들면 특허문헌3).
[특허문헌1] 일본 특허 공개 2000-243650호 공보
[특허문헌2] 일본 특허 공개 2002-329634호 공보
[특허문헌3] 일본 특허 공개 2003-309037호 공보
상기한 방법에 의하면 도체 패턴의 박층화는 용이하게 행할 수 있다. 그러나, 이들 박막 중 특히 전기 도금법에 의해 얻어지는 도금막에서는 이 도금막에 유황 등을 함유시킨 경우, 소성 후의 도체층 중에는 융점이 640℃이며 Ni에 거의 고용되지 않는 Ni3S2 등의 금속간 화합물이 편석되게 된다.
도 5는 종래의 금속막을 도체층으로서 사용한 적층형 전자 부품의 내부 구조를 나타내는 모식도이다. 이 도 5는 직육면체형상의 적층형 전자 부품의 대향하는 위치에 구비된 외부 전극의 방향에 대하여 수직으로 절단된 것이다. 이와 같이 Ni3S2 등의 금속간 화합물이 편석된 금속막을 도체 패턴으로서 사용하면, 도 5에 나타내는 바와 같이 적층 세라믹 콘덴서의 내부에 형성된 도체층(55)의 단부가 수축되어서, 그 단부와 세라믹층(57) 사이에 공극(59)이 형성되기 쉬워지므로 이 공극 때문에 내열 충격 시험에서의 신뢰성이 얻어지지 않는다는 문제가 있었다.
또한, 상기의 도체 패턴을 사용한 적층 세라믹 콘덴서의 제조에 있어서는, 온도 분포가 거의 없는 실험실 레벨의 소성로를 사용한 경우에는 박층화된 도체층으로도 상술과 같이 도체층의 끊어짐이나 구조 결함을 방지할 수 있다. 그러나, 터널형 연속로와 같은 공업용 대형 생산용 소성로를 이용하여 동시에 대량으로 소성하면, 이러한 연속로는 실험로에 비해 로 내의 온도차가 크기 때문에, 소성 온도가 낮은 영역에 있어서 소성된 시료에서는 소성 후의 도체층의 단부의 수축은 저감되지만, 소성 온도가 높은 영역에 있어서 소성된 시료는 소성 후의 도체층의 단부의 수축이 커짐과 아울러, 도체층의 끊어짐이나 공극 등의 구조 결함이 발생하기 쉬워진다. 이 때문에 도체층의 유효 면적이 감소되고, 결과적으로 양산된 적층 세라믹 콘덴서의 정전 용량의 저하를 초래한다는 문제가 있었다.
따라서, 본 발명은 대형 생산용 소성로를 사용한 경우에 있어서도 도체층 단부의 공극의 형성을 억제하면서, 또한 도체 패턴의 불연속 부분의 발생을 억제할 수 있는 금속막과 그 제조법, 및 이러한 금속막에 의해 형성되는 적층형 전자 부품과 그 제조법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명자들은 상기 과제를 해결하기 위해 예의 연구를 거듭한 결과, 이하의 구성으로 이루어지는 해결 수단을 발견하여 본 발명을 완성하기에 이르렀다.
즉, 본 발명의 금속막은 Ni를 주성분으로 하고, Mn과, 유황, 붕소 및 인 중에서 선택되는 원소를 함유함과 아울러, 상기 Mn과, 상기 유황, 붕소 및 인 중에서 선택되는 원소가 상기 금속막의 중앙부보다 주변부에 고농도로 존재하고 있다. 또한, 상기 금속막에서는 그 금속막에 있어서의 주변부의 Mn과, 유황, 붕소 및 인 중에서 선택되는 원소의 합계 농도가 상기 중앙부의 1.05~3배의 범위인 것이 좋다. 상기 금속막 중의 Mn의 함유량이 2×10-1~5질량%인 것이 좋다. 상기 금속막 중의 유황, 붕소 및 인 중에서 선택되는 원소의 함유량이 1×10-1~3×10-1질량%인 것이 좋다.
이러한 금속막의 제조법은 Mn과, 유황, 붕소 및 인 중에서 선택되는 원소를 함유하는 Ni 도금액을 이용하여, 기재 상에 전류 밀도 4.5~20A/d㎡의 조건에서 Ni와 함께 Mn과, 유황, 붕소 및 인 중에서 선택되는 원소를 석출시키는 도금 공정을 구비한다. 상기 금속막은 상기 Ni 도금액 속에 함유되는 전체 금속 성분 중에 Mn의 함유량이 2×10-1~5질량%, 유황, 붕소 및 인 중에서 선택되는 원소의 함유량이 1×10-1~3×10-1질량%인 것이 바람직하다.
그리고, 상기의 금속막을 이용하여 얻어지는 본 발명의 적층형 전자 부품의 제조법은 세라믹 그린 시트 상에 상기의 금속막을 전사해서 세라믹 그린 시트 상에 도체 패턴이 형성된 패턴 시트를 형성하는 공정과, 상기 패턴 시트를 복수 적층한 후 소성하는 공정을 구비한다. 이렇게 해서 얻어지는 본 발명의 적층형 전자 부품은 세라믹층 및 도체층이 교대로 적층되는 전자 부품 본체를 구비하는 적층형 전자 부품으로서, 상기 도체층이 상기의 금속막으로부터 얻어진 것이다.
<발명의 효과>
본 발명에 의하면, Ni를 주성분으로 하는 금속막의 주변부에 Mn과, 유황, 붕소 및 인 중에서 선택되는 원소를 공존시켜서 그 금속막의 중앙부보다 고농도로 편석시킴으로써 금속막의 주변부의 융점이 높아지고, 그 때문에 가열에 의한 수축을 억제할 수 있다.
또한, 금속막의 주변부에 편석된 Mn과, 유황, 붕소 및 인 중에서 선택되는 원소로부터 금속간 화합물이 형성되는 점에서, 전자 부품 등의 도체층으로서 사용하면 가열시의 소성 변형이나 수축을 억제할 수 있으므로 도체층으로서의 유효 면적을 높일 수 있고, 세라믹층과의 접착성을 높일 수 있다.
그리고, 이러한 금속막을 적층형 전자 부품의 도체층으로서 적용하면, 도체층 단부의 수축이 작아져 세라믹층과의 사이의 공극을 작게 할 수 있으므로 내열 충격 시험 등에 대한 신뢰성을 높일 수 있다.
또한 이러한 금속막을 사용한 적층형 전자 부품은, 온도가 불규칙적인 양산로에 있어서도 도체층의 소성 수축 편차를 억제할 수 있어 소성 후의 도체층의 끊어짐이나 공극 등의 구조 결함을 억제해서 고용량화할 수 있다.
또한, 본 발명의 금속막의 제조법에 의하면, Ni를 주성분으로 하는 금속막 중에 Mn과, 유황, 붕소 및 인 중에서 선택되는 원소를 함유시킬 경우에, 이들 원소를 Ni 도금액 속에 용해시켜서 전기 도금에 의해 석출시키는 방법이므로 이들 원소를 도금막의 중앙부보다 주변부에 용이하게 편석시킬 수 있다.
도 1은 본 발명의 금속막의 평면도이다.
도 2는 본 발명의 금속막을 제작하기 위한 Ni 도금욕을 나타내는 모식도이다.
도 3은 본 발명의 적층 세라믹 콘덴서를 제조하기 위한 공정도이다.
도 4는 본 발명의 적층형 전자 부품의 개략 단면도이다.
도 5는 종래의 금속막을 도체층으로서 사용한 적층형 전자 부품의 내부 구조를 나타내는 모식도이다.
(금속막)
본 발명의 금속막에 대하여 설명한다. 도 1은 본 발명의 금속막의 평면도이다. 본 발명의 금속막(1)은 Ni를 주성분으로 하고, Mn과, 유황, 붕소 및 인 중에서 선택되는 원소를 함유한다.
또한, 본 발명의 금속막(1)은 Mn과, 유황, 붕소 및 인 중에서 선택되는 원소가 상기 금속막(1)의 중앙부(3)보다 주변부(5)에 고농도로 편석되어 있는 것이 중요하다.
금속막(1)의 주변부에 상기 Mn과, 유황, 붕소 및 인 중에서 선택되는 원소가 편석되지 않는 금속막(1)에서는 그 주변부(5)의 융점을 높일 수 없으므로 가열에 의한 수축을 억제하는 것이 곤란해진다.
또한, 본 발명에 있어서 Mn과, 유황, 붕소 및 인 중에서 선택되는 원소가 상기 금속막(1)의 중앙부(3)보다 주변부(5)에 고농도로 편석되어 있다는 상태는, Mn과, 유황, 붕소 및 인 중에서 선택되는 원소의 원소수를 합친 농도(합계 농도)에 대해서 중앙부(3) 및 주변부(5)를 각 4개소 이상 평가하고, 주변부/중앙부의 관계에 있어서의 평균값의 비율이 1.05 이상일 경우에 상당한다. 여기서, 상기 주변부(5)란 금속막(1)의 크기에 따라 다르므로 특별히 한정되는 것은 아니지만, 예를 들면 장변 5㎜, 단변 1.5㎜의 금속막(1)에서는 그 끝 가장자리로부터 0.1~0.7㎜, 바람직하게는 0.1~0.4㎜까지의 범위를 가리키고, 또 상기 주변부(5)에 둘러싸여진 중심측을 중앙부(3)로 한다.
즉, 본 발명의 금속막(1)에서는 그 금속막(1)에 있어서의 주변부(5)의 Mn과 S 등의 첨가 원소를 합친 농도가 동일면에 있어서의 중앙부(3)의 1.05~3배의 범위인 것이 바람직하다. 주변부(5)의 Mn과 S 등의 첨가 원소를 합친 농도가 중앙부(3)의 1.05배 이상이면 Mn이나 S 등의 첨가 원소량이 적은 중앙부(3)와의 차를 형성할 수 있고, 이 때문에 소성 수축되어 단부에 공극을 형성하기 쉬워지게 되는 도금제의 금속막(1)의 주변부(5)의 변형을 억제할 수 있다.
한편, 주변부(5)의 Mn과 S 등의 첨가 원소를 합친 농도가 중앙부(3)의 3배 이하이면 Ni를 주성분으로 하는 금속막(1)의 강성에 가까운 것으로 할 수 있으므로, 이 금속막(1)이 접착되는 부재에 대한 추종성을 유지할 수 있고, 중앙부(3)와 주변부(5)의 금속막(1)으로서의 연속성을 유지할 수 있다.
또한, 본 발명의 금속막(1)에 있어서 상기 Mn과, 유황, 붕소 및 인 중에서 선택되는 원소가 중앙부(3)보다 고농도로 편석된 주변부(5)의 폭은 적어도 그 금속막(1)의 두께의 치수에 상당하는 폭보다 큰 것이 바람직하다. 금속막(1)의 주변부(5)의 폭을 적어도 그 금속막(1)의 두께의 치수에 상당하는 폭보다 크게 하면, 그 주변부(5)에 있어서의 첨가 원소의 고농도층에 의한 융점 상승의 효과를 높일 수 있다는 이점이 있다.
또한, 본 발명의 금속막(1)은 Mn과, 유황, 붕소 및 인 중에서 선택되는 원소의 고농도 영역이 중앙부(3)를 일부 남기고, 거의 전체면에 형성되어 있어도 된다. Mn과, 유황, 붕소 및 인 중에서 선택되는 원소의 고농도 영역이 금속막(1)의 거의 전체면에 형성되어 있으면 금속막(1)의 가열에 의한 수축을 전체면에 걸쳐 억제할 수 있다는 이점이 있다.
본 발명의 금속막(1)에 있어서의 Mn의 함유량은, 생성되는 금속간 화합물에 의한 금속막(1) 자체의 용융을 억제하여 원하는 유효 면적을 확보한다는 점에서 2×10-1~5질량%인 것이 바람직하다.
금속막(1) 중의 상기 Mn의 함유량이 2×10-1질량% 이상이면 Ni의 융점을 높이기 위한 Mn의 첨가 효과가 높아져 가열했을 때의 수축 억제에 이점이 있다.
한편, 금속막(1) 중의 Mn의 함유량이 5질량% 이하이면 Ni를 주성분으로 하는 금속막(1)의 도전성을 높게 할 수 있음과 아울러, Mn의 첨가에 의한 강성의 증가를 억제할 수 있고, 이것에 의해 접착되는 부재로의 추종성을 유지하는데 이점이 있다.
본 발명의 금속막(1)은 그 막 중에 유황, 붕소 및 인 중에서 선택되는 원소의 농도를 함유한다.
세라믹층으로의 고용에 의한 특성으로의 영향이 적다는 이유로부터 유황(S), 붕소(B), 인(P) 중 어느 1종인 것이 바람직하고, 특히 Ni를 함유하는 도금욕의 pH나 이온 농도의 변동을 억제한다는 이유로부터 유황(S)이 특히 바람직하다.
Ni를 주성분으로 하고, Mn을 첨가한 금속막(1)에 대하여 유황, 붕소 및 인 중에서 선택되는 원소를 더 첨가하면, Mn과, 유황, 붕소 및 인 중에서 선택되는 원소 사이에서 고융점의 금속간 화합물이 형성되므로 금속막(1)의 융점을 높일 수 있다.
그 금속막(1) 중의 유황, 붕소 및 인 중에서 선택되는 원소의 함유량은, 생성되는 금속간 화합물에 의한 금속막(1) 자체의 용융을 억제하여 원하는 유효 면적을 확보한다는 점에서 1×10-1~3×10-1질량%인 것이 바람직하다. 금속막(1) 중의 유황, 붕소 및 인 중에서 선택되는 원소의 함유량이 1×10-1질량% 이상이면 상기 원소 성분이 금속막(1) 전체에 분산되고, 합금이 형성되는 영역이 많아져 보다 강고한 접합부의 형성에 효과적이다.
한편, 유황, 붕소 및 인 중에서 선택되는 원소의 함유량이 3×10-1질량% 이하이면 이것도 Mn과 같이 Ni를 주성분으로 하는 금속막(1)의 도전성을 높일 수 있고, 강성의 증가가 억제되며, 이것에 의해 접착하는 부재로의 추종성을 유지한 것으로 된다.
본 발명의 금속막(1)은 세라믹층이나 유기 수지를 절연층으로 하는 전자 부품이나 배선 기판용 도체층으로서 유용하지만, 특히 상기와 같이 절연층과의 사이에서 공극의 생성을 억제할 수 있고, 또 가열 후의 접착성을 높일 수 있다는 이점을 갖는 것이다. 이 때문에 그 두께는 절연층 상에 있어서 단차를 저감시킬 수 있을 정도의 두께인 것이 바람직하고, 특히 수백층으로나 적층되는 적층 세라믹 콘덴서 등에 바람직한 두께로서 1㎛ 이하, 하한값으로서 도전성을 가짐과 아울러, 가열 후에 있어서도 소성 수축에 의한 불연속층을 억제할 수 있다는 이유에서 0.1㎛ 이 상이 바람직하다.
또한, 본 발명의 금속막(1)에 있어서의 금속 성분의 정량 분석은 이 금속막(1)을 산 등에 용해시킨 후에 ICP 질량 분광 분석(ICP-MS)에 의해 평가할 수 있다.
또한, 이 금속막(1)에 있어서의 Mn과, 유황, 붕소 및 인 중에서 선택되는 원소의 분포는 비행 시간형 2차 이온 질량 분석 장치(TOF-SIMS)에 의해 평가할 수 있다. 또, 금속막(1)의 두께는 그 금속막(1)의 단면의 전자 현미경 사진에 의해 평가할 수 있다.
(금속막의 제조법)
다음에 본 발명의 금속막(1)의 제조법에 대하여 설명한다. 도 2(a)는 본 발명의 금속막(1)을 제작하기 위한 Ni 도금욕을 나타내는 모식도이다. 본 발명의 제조법에서는, 우선 Mn(M1)과 유황, 붕소 및 인 중에서 선택되는 원소(M2)를 함유하는 Ni 도금액(11)을 준비한다.
다음에, 이 Ni 도금액(11)을 사용해서 도 2(b)에 나타내는 바와 같이, 레지스트 패턴(13)을 형성한 철로 도금한 것이나 스테인레스 등의 금속 부재(15) 상에, 전기 도금법에 의해 Ni와 함께 Mn과, 유황, 붕소 및 인 중에서 선택되는 원소를 석출시켜서, 인가하는 전압과 통전 시간을 조정함으로써 주변부(5)에 Mn이나 S 등의 첨가 원소를 고농도로 석출시킨 본 발명의 금속막(1)을 형성한다.
이 경우, 도금 조건은 전류 밀도가 4.5~20A/d㎡인 것이 중요하다. 전류 밀도가 상기 4.5~20A/d㎡의 범위 중 특히 5.5~15A/d㎡의 범위이면 Mn과, 유황, 붕소 및 인 중에서 선택되는 원소를 동시에 석출시킬 수 있고, Mn과, 유황, 붕소 및 인 중에서 선택되는 원소를 합친 농도에 대해서 금속막(1)의 중앙부(3)에 대한 주변부(5)의 농도비를 1.3~4배의 범위로 조정할 수 있다. 금속막(1)의 중앙부(3)에 대한 주변부(5)의 농도비가 1.3~4배의 범위이면 금속막(1)의 소성 후의 유효 면적을 높게 할 수 있어 정전 용량을 높은 것으로 할 수 있다.
또한, 본 발명의 제조법에서는 보다 고결정성 또한 고순도의 도금막을 형성한다는 이유로부터, 첨가하는 유황, 붕소 및 인 중에서 선택되는 원소에 따라 각각 적정한 범위가 있고, Ni 도금욕에 유황을 첨가한 것에서는 그 pH는 3.5~5의 범위 내인 것이 바람직하다.
다음에, 금속 부재(15) 상에 형성된 Ni를 주성분으로 하는 도금막을 필요에 따라 점착제가 도포된 폴리이미드나 폴리에스테르 등의 유기 수지 시트 등의 기재에 전사해도 된다. 본 발명의 금속막(1)은 이 상태로 보관하는 것이 바람직하다.
(적층형 전자 부품의 제조법)
다음에, 본 발명의 적층형 전자 부품의 제조법에 대하여 설명한다. 도 3은 본 발명의 적층형 전자 부품의 일례로서 적층 세라믹 콘덴서를 제조하기 위한 공정도이다.
(a) 우선, 상기의 제조법에 의해 제작된 금속막(21a)을 준비한다. (b) 이 금속막(21a)을 세라믹 그린 시트(21b) 상에 전사해서 패턴 시트(21)를 형성한다. 세라믹 그린 시트(21b)를 구성하는 유전체 재료는 고유전율이라는 점에서 티탄산바륨을 주성분으로 하는 것이 바람직하며, 이 유전체 재료는 유전 특성 및 소결성의 향상을 도모하기 위해 다양한 첨가제나 유리 성분을 함유시키는 것이 바람직하다. 세라믹 그린 시트(21b)의 두께는 고용량화라는 점에서 3㎛ 이하가 바람직하고, 소성 후의 유전체층의 두께로서는 2㎛ 이하가 바람직하다.
(c) 다음에, 패턴 시트(21)를 복수 적층해서 적층 성형체(25)를 형성하고, 이 후 (d) 적층 성형체(25)를 격자형상으로 절단해서(일부 절단 개소를 선(22)으로 나타낸다) 전자 부품 본체 성형체를 형성한다. 이 전자 부품 본체 성형체는 금속막(21a)이 1층마다 한쪽의 끝면에 노출되도록 적층되어 있다. 다음에, 이 전자 부품 본체 성형체를 소성해서 전자 부품 본체를 형성한다.
상술과 같이, 본 발명에 따른 금속막(21a)은 Ni를 주성분으로 하고, Mn과, 유황, 붕소 및 인 중에서 선택되는 원소를 함유하는 것이며, 특히 Mn과, 유황, 붕소 및 인 중에서 선택되는 원소가 상기 금속막(1)의 중앙부(3)보다 주변부(5)에 고농도로 편석되어 있다.
상술의 제조법과 같이, 이러한 금속막(21a)을 세라믹 그린 시트(21b)와 동시 소성하면 소성 전에도 상기 Mn이나 S 등의 원소가 금속막(21a)의 중앙부(3)보다 주변부(5)에 고농도로 편석되어 있었던 것이 소성에 의해 더욱 주변부(5)에 편석되게 되고, 이것으로 금속막(21a)의 주변부(5)의 고융점의 영역을 넓힐 수 있다. 또한 주변부(5) 뿐만 아니라 표면측으로 퍼져서 존재하게 되고, 이렇게 첨가 원소가 금속막(21a)의 주변부(5)나 표면측에 존재함으로써 인접하는 세라믹층과의 사이에서의 접착성을 더욱 높일 수 있다.
본 발명의 금속막(21a) 및 소성 후의 금속막(21a)(도체층) 중에 형성되는 금속간 화합물로서는, 예를 들면 Mn 및 유황(S)을 함유할 경우에는 도금막의 주성분인 Ni 금속과의 사이에서 모두 MnS 등의 금속간 화합물이 분산되어서 형성된다. 이 경우, 도체층과 세라믹층의 계면에 있어서 Ni 금속 재료 단체에 비교해서 상기의 금속간 화합물쪽이 세라믹층을 형성하는 자기와 화합하기 쉽기 때문에 도체층과 세 라믹층의 접합성을 높일 수 있다.
(적층형 전자 부품)
도 4(a)는 직육면체형상의 적층형 전자 부품의 양단에 설치된 외부 전극의 대향 방향에 대하여 수직 단면을 나타내는 횡단면의 모식도이며, 도 4(b)는 동 적층형 전자 부품에 있어서의 외부 전극의 대향 방향의 단면을 나타내는 종단면의 모식도이다. 본 발명에 따른 적층 세라믹 콘덴서는 도 4에 나타내는 바와 같이 직육면체형상의 전자 부품 본체(41)의 양 단부에 외부 전극(43)이 형성되고, 이 전자 부품 본체(41)는 도체층(45)과 세라믹층(47)이 교대로 적층되어 구성되어 있다.
도체층(45)은 전자 부품 본체(41)의 대향하는 양 단면에 있어서 교대로 노출되고, 외부 전극(43)과 교대로 전기적으로 접속되어 있다. 여기서, 본 발명의 적층형 전자 부품에 따른 도체층(45)은 Ni를 주성분으로 하고 Mn과, 유황, 붕소 및 인 중에서 선택되는 원소가 상기 금속막(1)의 중앙부(3)보다 주변부(5)에 고농도로 존재하고 있으므로, 이것에 의해 도체층(45) 단부의 공극의 형성을 억제하면서, 또한 도체 패턴의 불연속 부분의 발생을 억제할 수 있다. 그리고 대형 생산용 소성로를 사용한 경우에 있어서도 금속막(21a)의 수축의 편차가 저감되므로 도체층(45)의 유효 면적의 편차를 억제할 수 있다.
또한, 본 발명에 의하면 도체층(45)에 Mn을 함유하고, 또한 세라믹층(47)에 Si를 함유하는 것이면 도체층(45)과 세라믹층(47)의 계면에 Mn-Si의 복합 산화물이 형성되며, 이 복합 산화물에 의해 이들 양 층 사이의 접착성을 더욱 높일 수 있어 내열 충격성을 높일 수 있다.
<실시예1>
본 발명의 금속막(21a) 및 적층형 전자 부품에 대해서 적층 세라믹 콘덴서를 제작하여 평가했다. 우선, 기재로서 경면 가공을 실시한 스테인레스판제의 기판 플레이트를 이용하여 그 표면에 감광성 레지스트 수지를 도포해서 레지스트 패턴을 형성했다. 레지스트 패턴은 직사각형상의 패턴이 복수개 지그재그형상으로 배열된 것으로 했다. 패턴 1개의 크기는 장변을 5㎜, 단변을 1.5㎜로 했다.
이어서, Mn과, 유황, 붕소 및 인 중에서 선택되는 원소를 함유하는 Ni 도금액(11)을 사용해서 전기 도금을 행하고, 이들 첨가 원소가 소정의 함유량을 갖는 두께 0.3㎛의 Ni 도금막을 스테인레스판제의 기판 플레이트 상에 형성했다.
이 경우, 예를 들면 황산 이온을 도금욕 속에 용해시키고, Mn은 황산망간을 용해시켜 Ni 애노드와 조합해서 전기 도금을 행했다. 금속막(21a) 중에 있어서의 각 원소 성분의 농도 조정은 도금욕 중의 원소 농도 및 도금시의 전류 밀도를 바꾸어 행했다.
한편, BaTiO3을 주성분으로 하는 유전체 분말에 유기 점결제, 가소제, 분산제, 및 용매를 소정량 혼합하고, 진동밀을 이용하여 분쇄, 혼련해서 슬러리를 조제한 후, 다이 코터에 의해 폴리에스테르로 이루어지는 캐리어 필름 상에 두께 2.4㎛의 세라믹 그린 시트를 제작했다.
다음에, 상기의 Ni를 주성분으로 하는 금속막(21a)을 세라믹 그린 시트(21b) 상에 적재하고, 80℃, 80㎏/㎠의 조건에서 열압착 전사해서 도체 패턴이 전사된 패 턴 시트(21)를 제작했다.
다음에 패턴 시트(21)를 200장 적층하고, 온도 100℃, 압력 200kgf/㎠의 조건에서의 적층 프레스에 의해 적층 성형체를 제작했다.
이 후, 이 적층 성형체를 격자형상으로 절단해서 전자 부품 본체 성형체를 얻고, 다음에 이 전자 부품 본체 성형체를 비산화성 분위기 중 300℃~500℃에서 탈바인더 처리한 후, 동 분위기 중 1170℃에서 2시간 소성하여 전자 부품 본체를 제작했다.
마지막으로, 이렇게 해서 얻어진 전자 부품 본체에 대하여 도체층(45)이 노출된 각 끝면에 유리 분말을 함유한 Cu 페이스트를 도포한 후 질소 분위기 중에서 베이킹을 행하고, 또한 이 외부 전극(43)의 표면에 Ni 도금막 및 Sn 도금막을 형성해서 내부 전극층과 전기적으로 접속된 외부 전극(43)을 갖는 적층 세라믹 콘덴서를 제작했다.
이렇게 해서 얻어진 적층 세라믹 콘덴서의 외형 치수는 폭 1.25㎜, 길이 2.0㎜, 두께 1.25㎜이며, 내부 전극층 사이에 개재되는 유전체층의 두께는 2㎛였다. 세라믹층(47)에 대한 도체층(45)의 점유 면적은 70%로 되도록 설계했다.
(시료 No.1~10)
상기한 적층 세라믹 콘덴서의 제작에 있어서, 유황, 붕소 및 인을 이용하여 그들 원소와 Mn의 함유량을 표 1에 나타내는 값으로 하고, 또한 도금시의 전류 밀도를 표 1에 나타내는 값으로 해서 시료 No.1~10을 제작했다.
(농도 측정)
전기 도금에 의해 얻어진 금속막(21a)에 대해서 TOF-SIMS를 이용하여 Mn 및 유황, 붕소 및 인 중에서 선택되는 원소의 농도 분포를 카운트수로 평가했다. 이 경우, 도금 후의 금속막(21a)에 대해서는 장변 5㎜, 단변 1.5㎜, 두께 0.3㎜의 금속막(21a)을 3개 선택하고, 그 각 패턴에 대해서 금속막(21a)면의 중앙부(3)를 임의로 4개소, 또한 같은 금속막(21a)의 4변의 주변부(5)(끝 가장자리로부터 0.2㎜인 부분)를 각 1개소씩 4점 평가하며, 각각에 대해서 평균화하여 중앙부(3)와 주변부(5)의 농도비를 구했다. 또, 상기 농도비를 구할 때의 농도는 Mn과, 유황, 붕소 및 인 중에서 선택되는 원소를 합친 원소수의 농도(합계 농도)로 했다.
또한, 금속막(21a) 중의 금속 원소의 함유량은 ICP-MS를 이용하여 평가했다.
(정전 용량 측정)
소성 후에 얻어진 적층 세라믹 콘덴서에 대해서 각 100개의 초기 정전 용량(C)을 측정했다. 측정은 기준 온도 25℃에서 행하고, 주파수 1.0㎑, 입력 신호 레벨 0.5Ｖrms의 조건에서 측정했다. 목표로 하는 정전 용량값은 4.7μF이다.
(평가)
상기에서 얻어진 적층 세라믹 콘덴서의 시료에 대해서 내열 충격 시험을 행하여 디라미네이션의 발생수를 조사함으로써 평가했다. 내열 충격 시험은 땜납욕의 온도를 400℃로 해서 이 욕 속에 적층 세라믹 콘덴서의 시료를 침지하여 디라미네이션의 발생수를 조사함으로써 행했다. 결과를 표 1에 나타낸다.
표 1의 결과로부터 분명해지는 바와 같이, 본 발명의 범위 내의 Mn과, 유황, 붕소 및 인 중에서 선택되는 원소를 함유하는 Ni 도금액을 이용하여 본 발명의 범위 내의 전류 밀도의 조건에서 제작한 금속막은, Mn과, 유황, 붕소 및 인 중에서 선택되는 원소가 상기 금속막(21a)의 중앙부(3)보다 주변부(5)에 고농도로 편석되어 있는 것이었다(시료 No.3~7, 9, 10). 이들 금속막(21a)을 사용한 시료 No.3~7, 9, 10에서는 적층 세라믹 콘덴서의 단면 관찰에 있어서 내부의 도체층(45)의 단부에 공극이 보이지 않고, 정전 용량을 9.5μＦ 이상 실현할 수 있으며, 또한 내열 충격 시험에 대해서도 디라미네이션 발생수는 1/100 이하이며 양호한 결과였다.
한편, Ni 도금막 중에 Mn을 함유하지 않는 시료 No.1 및 Mn과, 유황을 함유해도 금속막(21a)의 중앙부(3)와 주변부(4)의 농도차를 갖지 않는 금속막(21a)을 사용한 시료 No.2에서는 소성 후의 정전 용량값이 낮거나 또는 내열 충격 시험에 있어서 디라미네이션의 불량이 4/100개 이상 발생했다. 또, 전류 밀도를 30A/d㎡로 한 시료 No.8에서는 도금시에 금속막(21a)이 기재로부터 벗겨져 적층 세라믹 콘덴서를 제작하는 것에는 도달하지 않았다.
<실시예2>
다음에, 실시예1 중에서 시료 No.2~7의 적층 세라믹 콘덴서에 대해서 표 2에 나타내는 소성 온도 범위에 있어서 소성을 행하여 시료를 제작하고, 같은 평가를 행했다. 결과를 표 2에 나타낸다.
본 발명의 금속막(21a)을 사용한 시료인 No.12~16에서는 소성 온도가 1150~1200℃에 있어서 1170℃에서의 특성과 같은 정도의 정전 용량을 나타내고, 내열 충격 시험에서의 불량율도 1/100개 이하였다.
한편, 본 발명 외의 복합 금속 분말을 사용한 시료 No.11에서는 소성 온도가 1150~1200℃에 있어서 정전 용량이 9μＦ 이하로 낮거나 또는 내열 충격 시험에서의 디라미네이션의 발생수가 많고, 또한 소성 온도의 차이에 따라 차가 보였다.
Claims (9)
- 금속막으로서, Ni과, Mn과, 유황, 붕소 및 인 중에서 선택되는 원소를 함유함과 아울러, 상기 금속막을 평면시 했을 때에, 상기 Mn과, 상기 유황, 붕소 및 인 중에서 선택되는 원소가 상기 금속막의 중앙부보다 주변부에 고농도로 존재하고 있는 것을 특징으로 하는 금속막.
- 제 1 항에 있어서, 상기 금속막의 주변부에 있어서의 Mn과, 유황, 붕소 및 인 중에서 선택되는 원소의 합계 농도가 상기 중앙부에 있어서의 그들의 합계 농도보다 1.05~3배의 범위인 것을 특징으로 하는 금속막.
- 제 1 항에 있어서, 상기 금속막 중의 Mn의 함유량이 2×10-1~5질량%인 것을 특징으로 하는 금속막.
- 제 1 항에 있어서, 상기 금속막 중의 유황, 붕소 및 인 중에서 선택되는 원소의 함유량이 1×10-1~3×10-1질량%인 것을 특징으로 하는 금속막.
- 삭제
- 제 1 항에 기재된 금속막의 제조법으로서,Mn과, 유황, 붕소 및 인 중에서 선택되는 원소를 함유하는 Ni 도금액을 이용하여, 금속 부재 상에 전류 밀도 4.5~20A/d㎡의 조건에서 Ni와 함께 Mn과, 유황, 붕소 및 인 중에서 선택되는 원소를 석출시키는 도금 공정을 거쳐, 상기 금속 부재 상에 상기 금속막을 형성하는 것을 특징으로 하는 금속막의 제조법.
- 제 6 항에 있어서, 상기 Ni 도금액 속에 함유되는 전체 금속 성분 중, Mn의 함유량이 2×10-1~5질량%, 유황, 붕소 및 인 중에서 선택되는 원소의 함유량이 1×10-1~3×10-1질량%인 것을 특징으로 하는 금속막의 제조법.
- 세라믹 그린 시트 상에 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 기재된 금속막을 전사해서, 상기 금속막을 갖는 세라믹 그린 시트를 형성하는 공정과, 상기 금속막을 갖는 세라믹 그린 시트를 복수 적층한 후 소성하는 공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 적층형 전자 부품의 제조법.
- 세라믹층 및 도체층이 교대로 적층되는 전자 부품 본체를 구비하는 적층형 전자 부품으로서, 상기 도체층이 제 1 항에 기재된 금속막으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 적층형 전자 부품.
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JPJP-P-2005-00248411 | 2005-08-29 | ||
| JP2005248411 | 2005-08-29 | ||
| PCT/JP2006/316321 WO2007026562A1 (ja) | 2005-08-29 | 2006-08-21 | 金属膜およびその製法、並びに、積層型電子部品の製法および積層型電子部品 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20080039945A KR20080039945A (ko) | 2008-05-07 |
| KR101148857B1 true KR101148857B1 (ko) | 2012-05-30 |
Family
ID=37809295
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020087004714A KR101148857B1 (ko) | 2005-08-29 | 2006-08-21 | 금속막 및 그 제조법, 적층형 전자 부품의 제조법 및적층형 전자 부품 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7957119B2 (ko) |
| JP (1) | JPWO2007026562A1 (ko) |
| KR (1) | KR101148857B1 (ko) |
| CN (1) | CN101688321A (ko) |
| TW (1) | TWI399769B (ko) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105246861A (zh) * | 2013-06-05 | 2016-01-13 | 陶瓷技术有限责任公司 | 在陶瓷基材上的金属层 |
| CN105356520A (zh) * | 2015-11-24 | 2016-02-24 | 上海电力学院 | 一种改善风电场低电压穿越能力的控制方法 |
| JP6960595B2 (ja) * | 2017-01-13 | 2021-11-05 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 厚導体内蔵プリント配線板及びその製造方法 |
| JP7498912B2 (ja) | 2019-12-06 | 2024-06-13 | 太陽誘電株式会社 | セラミック電子部品、実装基板およびセラミック電子部品の製造方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH049492A (ja) * | 1990-04-26 | 1992-01-14 | Nippon Kagaku Sangyo Kk | 硬質ニッケル合金めっき浴 |
| US5097391A (en) * | 1989-10-18 | 1992-03-17 | Tdk Corporation | Ceramic multilayer chip capacitor and method for making |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6099624A (en) * | 1997-07-09 | 2000-08-08 | Elf Atochem North America, Inc. | Nickel-phosphorus alloy coatings |
| JP2000243650A (ja) | 1999-02-22 | 2000-09-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 積層セラミックコンデンサおよびその製造方法 |
| JP2002180296A (ja) * | 2000-12-11 | 2002-06-26 | Toyo Kohan Co Ltd | 電池ケース用表面処理鋼板、その鋼板を使用した電池ケース及び電池 |
| JP3472286B2 (ja) * | 2000-12-12 | 2003-12-02 | キヤノン株式会社 | 定着ベルトおよび像加熱定着装置 |
| JP2002206188A (ja) * | 2001-01-09 | 2002-07-26 | Sumitomo Electric Fine Polymer Inc | 電鋳ニッケルベルト、被覆ニッケルベルト、及び被覆ニッケルベルトの製造方法 |
| JP4707844B2 (ja) * | 2001-02-09 | 2011-06-22 | 住友電工ファインポリマー株式会社 | 電鋳ニッケルベルト、被覆ニッケルベルト、及び被覆ニッケルベルトの製造方法 |
| JP4671530B2 (ja) | 2001-04-26 | 2011-04-20 | 京セラ株式会社 | 積層型電子部品 |
| JP3934983B2 (ja) | 2002-04-15 | 2007-06-20 | 京セラ株式会社 | 積層型電子部品およびその製法 |
| JP3745744B2 (ja) * | 2003-04-16 | 2006-02-15 | 住友電気工業株式会社 | 金属構造体の製造方法およびその方法により製造した金属構造体 |
| US7224570B2 (en) * | 2004-06-28 | 2007-05-29 | Kyocera Corporation | Process for preparing multilayer ceramic capacitor and the multilayer ceramic capacitor |
| US7158364B2 (en) * | 2005-03-01 | 2007-01-02 | Tdk Corporation | Multilayer ceramic capacitor and method of producing the same |
-
2006
- 2006-08-21 KR KR1020087004714A patent/KR101148857B1/ko active IP Right Grant
- 2006-08-21 JP JP2007533183A patent/JPWO2007026562A1/ja active Pending
- 2006-08-21 CN CN200680030947A patent/CN101688321A/zh active Pending
- 2006-08-21 US US12/065,482 patent/US7957119B2/en active Active
- 2006-08-29 TW TW095131806A patent/TWI399769B/zh active
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5097391A (en) * | 1989-10-18 | 1992-03-17 | Tdk Corporation | Ceramic multilayer chip capacitor and method for making |
| JPH049492A (ja) * | 1990-04-26 | 1992-01-14 | Nippon Kagaku Sangyo Kk | 硬質ニッケル合金めっき浴 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TWI399769B (zh) | 2013-06-21 |
| CN101688321A (zh) | 2010-03-31 |
| US7957119B2 (en) | 2011-06-07 |
| JPWO2007026562A1 (ja) | 2009-03-05 |
| KR20080039945A (ko) | 2008-05-07 |
| WO2007026562A2 (ja) | 2007-03-08 |
| TW200735144A (en) | 2007-09-16 |
| US20100003475A1 (en) | 2010-01-07 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US8867190B2 (en) | Multilayer ceramic electronic component having an average surface roughness to provide adhesion strength between a dielectric layer and inner electrode and fabrication method thereof | |
| US8437115B2 (en) | Multilayer ceramic electronic component | |
| CN101189693B (zh) | 电子器件及其制作方法 | |
| KR101053079B1 (ko) | 적층형 전자부품 및 그 제조방법 | |
| US9287043B2 (en) | Multilayer ceramic electronic component having controlled difference in continuity between internal electrodes and method of manufacturing the same | |
| US9642260B2 (en) | Embedded multilayer ceramic electronic component and printed circuit board having the same | |
| US8488297B2 (en) | Multilayer ceramic electronic component | |
| US11152155B2 (en) | Capacitor component having secondary phase material contained in external electrode thereof | |
| US7224570B2 (en) | Process for preparing multilayer ceramic capacitor and the multilayer ceramic capacitor | |
| US20130258546A1 (en) | Multilayer ceramic electronic component and fabrication method thereof | |
| US20140071586A1 (en) | Multilayer ceramic electronic component and method of manufacturing the same | |
| US20140022689A1 (en) | Multi-layered ceramic electronic component and method of manufacturing the same | |
| US8542477B2 (en) | Multilayer ceramic electronic part | |
| US8947849B2 (en) | Multilayer ceramic electronic component and manufacturing method thereof | |
| KR101148857B1 (ko) | 금속막 및 그 제조법, 적층형 전자 부품의 제조법 및적층형 전자 부품 | |
| JP4688326B2 (ja) | セラミック積層体およびその製法 | |
| US9129750B2 (en) | Multilayered ceramic electronic component and manufacturing method thereof | |
| US6396680B1 (en) | Monolithic capacitor and process for producing the capacitor | |
| JP2002299145A (ja) | セラミック積層体およびその製法 | |
| JP3934983B2 (ja) | 積層型電子部品およびその製法 | |
| US20150021078A1 (en) | Multilayer ceramic electronic component to be embedded in board and printed circuit board having multilayer ceramic electronic component embedded therein | |
| JP2006332572A (ja) | 積層セラミックコンデンサの製法および積層セラミックコンデンサ | |
| JP2002260953A (ja) | 積層型電子部品 | |
| JP2002198250A (ja) | 積層型電子部品 | |
| JP4436634B2 (ja) | 積層型電子部品の製法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20150416 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160418 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170421 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180503 Year of fee payment: 7 |