WO2007026562A2 - 金属膜およびその製法、並びに、積層型電子部品の製法および積層型電子部品 - Google Patents

金属膜およびその製法、並びに、積層型電子部品の製法および積層型電子部品 Download PDF

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Definitions

  • Metal film manufacturing method thereof, manufacturing method of multilayer electronic component, and multilayer electronic component
  • the present invention relates to a metal film and a method for producing the same, and a method for producing a laminated electronic component and a laminated electronic component, and in particular, a metal film containing Ni as a main component and a method for producing the same.
  • the present invention relates to a method of manufacturing a multilayer electronic component and a multilayer electronic component.
  • multilayer ceramic capacitors which are representative examples of multilayer electronic components, have been developed in response to the demand for miniaturization and high capacity, and the thickness of the dielectric layer, which is a ceramic layer, and the internal electrode layer, which is a conductor layer. Thinning is achieved.
  • a method of forming a conductor pattern as an internal electrode layer on a film by a physical thin film forming method such as sputtering or vapor deposition, or a chemical thin film forming method such as electroless plating for example, Patent Document 1.
  • a method formed by an electroplating method using an electrolytic solution such as nickel for example, Patent Document 2 has been proposed.
  • Patent Document 1 Japanese Unexamined Patent Publication No. 2000-243650
  • Patent Document 2 Japanese Patent Laid-Open No. 2002-329634
  • Patent Document 3 Japanese Patent Laid-Open No. 2003-309037
  • the conductor pattern can be easily thinned.
  • plating films obtained by the electroplating method have a melting point of 640 ° C in the fired conductor layer when sulfur or the like is contained in the plating film.
  • Ni almost Intermetallic compounds such as Ni S that do not dissolve in solid form will segregate.
  • FIG. 5 is a schematic diagram showing the internal structure of a multilayer electronic component using a conventional metal film as a conductor layer.
  • FIG. 5 shows a rectangular parallelepiped multilayer electronic component cut perpendicularly to the direction of the external electrodes provided at the opposing positions.
  • intermetallic compounds such as Ni S
  • the present invention provides a metal film capable of suppressing the formation of voids at the end of the conductor layer and the generation of discontinuous portions of the conductor pattern even when a large-scale production firing furnace is used, and a method for producing the metal film
  • an object of the present invention is to provide a multilayer electronic component formed by such a metal film and a manufacturing method thereof.
  • the metal film of the present invention contains Ni as a main component, contains Mn and an element selected from the group of periodic table 3b to 6b elements, and contains Mn and the periodic tables 3b to 6b.
  • Group element group power The selected element is present at a higher concentration in the periphery than in the center of the metal film.
  • the total concentration of Mn in the peripheral part of the metal film and the element selected from the group power of the group 3b to 6b of the periodic table should be in the range of 1.05 to 3 times that in the central part.
  • the content of Mn in the metal film is preferably 2 ⁇ 10 1 to 5% by mass.
  • the elements for which the group power of the Group 3b to 6b elements in the periodic table in the metal film is selected are preferably sulfur, boron, and phosphorus.
  • Such a metal film is produced by using a Ni plating solution containing Mn and an element whose group power of group 3b to 6b of the periodic table is selected, with a current density of 4.5 to 20AZdm 2 Under these conditions, there is a plating process for precipitating Mn and an element whose group power of group 3b to 6b is selected together with Ni. All metal components of the metal film included in the Ni plating solution, the content of 2 X 10- 1 ⁇ 5 wt% of Mn, the content of element selected from the group of the periodic table 3b ⁇ 6b group element a is preferably 1 X 10- 1 ⁇ 3 X 10- 1 % by weight.
  • the above metal film is transferred onto the ceramic green sheet, and a conductor pattern is formed on the ceramic green sheet. Forming a pattern sheet, and stacking a plurality of the pattern sheets and firing them.
  • the multilayer electronic component of the present invention thus obtained is a multilayer electronic component including an electronic component body in which ceramic layers and conductor layers are alternately stacked, and the conductor layer is obtained from the metal film. Is.
  • Mn and an element selected from group elements of group 3b to 6b of the periodic table coexist in the peripheral part of the metal film containing Ni as a main component, and the central part of the metal film By segregating at a higher concentration, the melting point of the peripheral portion of the metal film is increased, so that shrinkage due to heating can be suppressed.
  • an intermetallic compound is formed from Mn prayed on the periphery of the metal film and an element for which the group force of Group 3b to 6b elements of the periodic table is also selected, it is used as a conductor layer for electronic parts and the like. Since the plastic deformation and shrinkage during heating can be suppressed, the effective area of the conductor layer can be increased and the adhesion to the ceramic layer can be increased.
  • the multilayer electronic component using such a metal film can suppress variation in firing shrinkage of the conductor layer even in a mass production furnace where the temperature varies, and suppress structural defects such as breakage and voids in the conductor layer after firing. And high capacity.
  • FIG. 1 is a plan view of a metal film of the present invention.
  • FIG. 2 is a schematic view showing a Ni plating bath for producing the metal film of the present invention.
  • FIG. 3 is a process diagram for producing the multilayer ceramic capacitor of the present invention.
  • FIG. 4 is a schematic cross-sectional view of the multilayer electronic component of the present invention.
  • FIG. 5 is a schematic diagram showing the internal structure of a multilayer electronic component using a conventional metal film as a conductor layer.
  • FIG. 1 is a plan view of the metal film of the present invention.
  • the metal film 1 of the present invention contains Ni as a main component and contains Mn and an element selected from the group of group 3b-6b elements in the periodic table (hereinafter referred to as “3b-6b group element”).
  • Mn and 3b-6b group elements are segregated at a higher concentration in the peripheral part 5 than in the central part 3 of the metal film 1.
  • the state that Mn and the 3b-6b group element are segregated at a higher concentration in the peripheral portion 5 than in the central portion 3 of the metal film 1 is the state of the Mn and 3b-6b group elements.
  • the ratio of the average value in the relationship between the part Z center is 1.05 or more.
  • the peripheral portion 5 differs depending on the size of the metal film 1 and is not particularly limited.
  • the metal film 1 having a long side of 5 mm and a short side of 1.5 mm is 0. This refers to a range of 1 to 0.7 mm, preferably 0.1 to 0.4 mm, and the center side surrounded by the peripheral portion 5 is referred to as a central portion 3.
  • the concentration of Mn in the peripheral part 5 of the metal film 1 and the additive carotenous elements such as S is in the range of 1.05 to 3 times that in the central part 3 in the same plane It is preferable that If the combined concentration of Mn and S in the peripheral part 5 is 1.05 times or more that in the central part 3, a difference from the central part 3 where the amount of additive elements such as Mn and S is small can be provided. For this reason, it is possible to suppress deformation of the peripheral portion 5 of the metal film 1 made of plating, which is said to be baked and contracted to easily form voids at the end portions.
  • the metal film 1 mainly composed of Ni can have a rigidity close to that of the metal film 1. Therefore, it is possible to maintain the followability to the member to which the metal film 1 is bonded, and to maintain the continuity of the central portion 3 and the peripheral portion 5 as the metal film 1.
  • the width of the peripheral part 5 where the Mn and 3b-6b group elements are more highly concentrated than the central part 3 is at least the thickness dimension of the metal film 1 It is preferably larger than the width corresponding to. If the width of the peripheral portion 5 of the metal film 1 is at least larger than the width corresponding to the thickness dimension of the metal film 1, the effect of increasing the melting point due to the high concentration layer of the additive element in the peripheral portion 5 can be enhanced. There are advantages.
  • the high concentration region of Mn and the 3b-6b group element may be formed almost on the entire surface while leaving a part of the central portion 3. If the high-concentration region of Mn and 3b-6b group elements is formed on almost the entire surface of the metal film 1, there is an advantage that shrinkage of the metal film 1 due to heating can be suppressed over the entire surface.
  • the content of Mn in the metal film 1 of the present invention is a 2 X 10- 1 ⁇ 5 wt% in terms of by generating intermetallic compound suppresses the melting of the metal film 1 itself to ensure the desired effective area Preferably there is.
  • the content of the Mn metal film 1 is a 2 X 10- 1 wt% or more, increasing the melting point of Ni Therefore, the effect of adding Mn is increased, and there is an advantage in suppressing shrinkage when heated.
  • the conductivity of the metal film 1 mainly composed of Ni can be increased, and the increase in rigidity due to the addition of Mn is suppressed. This has the advantage of maintaining the ability to follow the member to be bonded.
  • the metal film 1 of the present invention contains a concentration of an element in which the group power of the 3b-6b group element is also selected.
  • the group 3b elements in the periodic table can be represented by element symbols B, Al, Ga, In, 4b group elements C, Si, Ge, Sn, Pb force 5b group elements P, As , Sb, Bi force 6 As group B element, S, Se, Te, Po force are exemplified respectively.
  • 3b Able to use any component as long as it can be dissolved in a fitting bath as a group 6b element Sulfur (S ), Boron (B), and phosphorus (P) are desirable, especially when 3b-6b group elements are added, the pH and ion concentration of the plating bath containing Ni can be changed. Sulfur (S) is particularly desirable as a reasoning force.
  • the content of 3b - the 6b group element of the metal film 1 is 1 in terms of ensuring desired effective area by generating intermetallic compound suppresses the melting of the metal film 1 itself X 10- 1 ⁇ 3 it is preferable X 10- 1 is a mass%.
  • the content of 3b - the 6b group element of the metal film 1 is in 1 X 10- 1 wt% or more, the element component is dispersed throughout the metal film 1, stronger than multi no longer is a region which is formed of an alloy This is effective for forming a simple joint.
  • 3b - the the content of Group 6b element is a 3 X 10- 1 wt% or less, which is also similar to Mn, it is possible to increase the conductivity of the metal film 1 composed mainly of Ni, The increase in rigidity is suppressed, and as a result, the followability to the member to be bonded is maintained.
  • the metal film 1 of the present invention is useful as a conductor layer for an electronic component or a wiring board having a ceramic layer or an organic resin as an insulating layer.
  • a gap between the insulating layer and the insulating layer is preferably a thickness that can reduce the level difference on the insulating layer. 1 ⁇ m or less as a suitable thickness for multilayer ceramic capacitors, etc.
  • the lower limit of conductivity is preferably 0.1 ⁇ m or more because it has conductivity and can suppress discontinuous layers due to firing shrinkage even after heating.
  • the quantitative analysis of the metal component in the metal film 1 of the present invention can be evaluated by ICP mass spectrometry (ICP-MS) after dissolving the metal film 1 in an acid or the like.
  • ICP-MS ICP mass spectrometry
  • the distribution of Mn and 3b-6b group elements in the metal film 1 can be evaluated by a time-of-flight secondary ion mass spectrometer (TOF-SIMS).
  • the thickness of the metal film 1 can be evaluated by an electron micrograph of the cross section of the metal film 1.
  • FIG. 2 (a) is a schematic view showing a Ni plating bath for producing the metal film 1 of the present invention.
  • a Ni plating solution 11 containing Mn (M 1) and a 3b-6b group element (M2) is prepared.
  • the metal plating 15 on the iron forming the resist pattern 13 or the metal member 15 such as stainless steel is electroplated.
  • Mn and 3b-6b group elements are precipitated together with Ni by the method, and additive elements such as Mn and S are precipitated at a high concentration in the peripheral portion 5 by adjusting the applied voltage and energizing time.
  • Metal film 1 is formed.
  • Mn and 3b-6b group elements When the current density is in the range of 4.5 to 20 AZdm 2 above, particularly in the range of 5.5 to 15 AZdm 2 , Mn and 3b-6b group elements can be precipitated simultaneously, Mn and 3b-6b group elements
  • the concentration ratio of the peripheral portion 5 to the central portion 3 of the metal film 1 can be adjusted to a range of 1.3 to 4 times for the combined concentration of and.
  • the concentration ratio of the peripheral portion 5 to the central portion 3 of the metal film 1 is in the range of 1.3 to 4 times, the effective area of the metal film 1 after firing can be increased and the capacitance can be increased.
  • the reason for forming a highly crystalline and high-purity plating film is that there is an appropriate range depending on the 3b to 6b elements to be added, and the Ni plating bath contains sulfur. It is preferable that the pH is in the range of 3.5-5.
  • an adhesive film containing Ni as a main component formed on the metal member 15 is adhered as necessary.
  • the polyimide coated with the agent may be transferred to a substrate such as an organic resin sheet such as polyester.
  • the metal film 1 of the present invention is preferably stored in this state.
  • FIG. 3 is a process diagram for manufacturing a multilayer ceramic capacitor as an example of the multilayer electronic component of the present invention.
  • a metal film 21a prepared by the above-described manufacturing method is prepared.
  • the metal film 21a is transferred onto the ceramic green sheet 21b to form the pattern sheet 21.
  • the dielectric material composing the ceramic green sheet 21b is preferably composed mainly of barium titanate in terms of high dielectric constant. This dielectric material is intended to improve dielectric properties and sinterability. It is desirable to contain various additives and glass components.
  • the thickness of the ceramic dielectric sheet 21b is preferably 2 ⁇ m or less as the thickness of the dielectric layer after firing, which is preferable from the viewpoint of increasing the capacity.
  • a plurality of pattern sheets 21 are laminated to form a laminated molded body 25, and then (d) the laminated molded body 25 is cut into a lattice shape (part of the cut portions are lined).
  • Electronic component body Forms a molded body. This electronic component body molded body is laminated so that the metal film 21a is exposed on one end face for each layer. Next, the electronic component main body is fired to form an electronic component main body.
  • the metal film 21a according to the present invention contains Ni as a main component and contains Mn and the 3b-6b group element.
  • the Mn and 3b-6b group elements are included.
  • the metal film 1 is segregated at a higher concentration in the peripheral part 5 than in the central part 3.
  • the metal film 21a of the present invention and the metal film formed in the fired metal film 21a (conductor layer)
  • a compound for example, when Mn and sulfur (S) are contained, an intermetallic compound such as MnS is dispersed between Ni metal which is the main component of the plating film. .
  • the intermetallic compound described above is easier to combine with the porcelain that forms the ceramic layer compared to the Ni metal material alone, so that the bonding between the conductor layer and the ceramic layer is possible. Can increase the sex.
  • Fig. 4 (a) is a schematic cross-sectional view showing a cross section perpendicular to the opposing direction of the external electrodes provided at both ends of a rectangular parallelepiped multilayer electronic component
  • Fig. 4 (b) is a diagram of the same multilayer electronic component. It is a schematic diagram of the longitudinal cross-section which shows the cross section of the opposing direction of the external electrode in components.
  • external electrodes 43 are formed at both ends of a rectangular parallelepiped electronic component body 41.
  • the electronic component body 41 includes a conductor layer 45 and a ceramic layer 47. They are alternately stacked.
  • the conductor layers 45 are alternately exposed at opposite end faces of the electronic component body 41, and are electrically connected to the external electrodes 43 alternately.
  • the conductor layer 45 according to the multilayer electronic component of the present invention has Ni as a main component, and Mn and 3b-6b group elements are present at a higher concentration in the peripheral portion 5 than in the central portion 3 of the metal film 1.
  • Mn and 3b-6b group elements are present at a higher concentration in the peripheral portion 5 than in the central portion 3 of the metal film 1.
  • the Mn-Si composite oxide is formed at the interface between the conductor layer 45 and the ceramic layer 47. Saddle is formed, and this composite oxide can further improve the adhesion between these two layers, and can improve the thermal shock resistance.
  • a multilayer ceramic capacitor was fabricated and evaluated for the metal film 21a and multilayer electronic component of the present invention.
  • a photosensitive resist resin was applied to the surface to form a resist pattern.
  • As the resist pattern a plurality of rectangular patterns are arranged in a staggered pattern. NOTAR The size of each unit was 5 mm on the long side and 1.5 mm on the short side.
  • sulfate ions containing a 3b-6b group element were dissolved in a plating bath, and Mn dissolved manganese sulfate and combined with a Ni anode for electroplating.
  • the concentration of each elemental component in 21a was adjusted by changing the element concentration in the plating bath and the current density at the time of plating.
  • a predetermined amount of a solvent was mixed, pulverized and kneaded using a vibration mill to prepare a slurry, and then a ceramic green sheet having a thickness of 2.4 / zm was prepared on a carrier film made of polyester by a die coater.
  • the above-described metal film 21a containing Ni as a main component is placed on the ceramic green sheet 21b, and the conductive sheet is transferred by thermocompression transfer under conditions of 80 ° C and 80kgZcm 2. 21 was produced.
  • the laminated molded body is cut into a lattice shape to obtain an electronic component body molded body.
  • the electronic component body molded body is subjected to 300 ° C to 500 ° C in a non-acidic atmosphere.
  • the electronic component body was fabricated by firing at 1170 ° C for 2 hours in the same atmosphere.
  • the outer dimensions of the multilayer ceramic capacitor thus obtained are 1.25 mm in width, 2. Omm in length, and 1.25 mm in thickness, and the thickness of the dielectric layer interposed between the internal electrode layers is 2 m.
  • the conductor layer 45 occupies 70% of the ceramic layer 47. It was.
  • the concentration distribution of Mn and 3b-6b elements in terms of counts for the metal film 21a obtained by electroplating we evaluated the concentration distribution of Mn and 3b-6b elements in terms of counts for the metal film 21a obtained by electroplating.
  • three metal films 21a having a long side of 5 mm, a short side of 1.5 mm, and a thickness of 0.3 mm are selected, and the central part 3 of the metal film 2l a surface is selected for each pattern.
  • Arbitrarily 4 power points, and the peripheral part 5 (at 0.2 mm from the edge) of the four sides of the same metal film 21a are evaluated at 4 points for each 1 force point, averaged for each, and the central part 3 And the concentration ratio of the peripheral part 5 were obtained.
  • the concentration for determining the concentration ratio is the concentration of the total number of elements of Mn and 3b-6b group elements (total concentration).
  • the content of the metal element in the metal film 21a is ICP — MS was used for evaluation.
  • a thermal shock test was conducted on the obtained multilayer ceramic capacitor sample, and the number of occurrences of delamination was examined.
  • the thermal shock test was conducted by setting the temperature of the solder bath to 400 ° C and immersing a multilayer ceramic capacitor sample in this bath and checking the number of delaminations. The results are shown in Table 1.
  • the metal film prepared using the Ni plating solution under the current density condition within the scope of the present invention has a higher concentration of Mn and 3b-6b elements in the peripheral part 5 than in the central part 3 of the metal film 21a. (Sample Nos. 3-7, 9, 10). In Sample Nos. 3 to 7, 9, and 10 using these metal films 21a, no gap was observed at the end of the inner conductor layer 45 in the cross-sectional observation of the multilayer ceramic capacitor, and the capacitance was 9.5 F or more. In the thermal shock test, the number of delaminations was 1Z100 or less, which was a good result.
  • sample No. 1 that does not contain Mn in the Ni plating film, and sample that uses metal film 21a that does not have a concentration difference between central part 3 and peripheral part 4 of metal film 21a even if it contains Mn and sulfur
  • the capacitance value after firing was low, or over 4Z 100 defects of delamination occurred in the thermal shock test.
  • Sample No. 8 where the current density was 30AZdm 2 , the metal film 21a was peeled off during the plating process, making it impossible to produce a multilayer ceramic capacitor.
  • the firing temperature is 1150 to 1200 ° C, and the same capacitance as the characteristics at 1170 ° C is obtained.
  • the defective rate in the thermal shock test was less than 1Z100.
  • Sample No. 11 using a composite metal powder outside the present invention has a low capacitance of 9 ⁇ F or less or a thermal shock resistance at a firing temperature of 1150 to 1200 ° C. There were many delaminations in the test, and there were differences depending on the firing temperature.

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Description

明 細 書
金属膜およびその製法、並びに、積層型電子部品の製法および積層型 電子部品
技術分野
[0001] 本発明は、金属膜およびその製法、並びに、積層型電子部品の製法および積層 型電子部品に関し、特に、 Niを主成分とする金属膜およびその製法、並びに、その 金属膜を導体層として適用する積層型電子部品の製法および積層型電子部品に関 する。
背景技術
[0002] 近年、積層型電子部品の代表例である積層セラミックコンデンサは、小型高容量化 の要求に対して、セラミック層である誘電体層の薄層化とともに導体層である内部電 極層の薄層化が図られている。例えば、内部電極層となる導体パターンを、スパッタ や蒸着のような物理的薄膜形成法、あるいは無電解めつきのような化学的薄膜形成 法によりフィルム上に形成する方法 (例えば、特許文献 1)の他に、量産性に適した方 法として、ニッケルなどの電解液を用いた電気めつき法 (例えば、特許文献 2)により 形成される方法が提案されて 、る。
[0003] また、近年、本発明者らは、 Niめっきパターン中に硫黄などの添加物をカ卩えて、セ ラミック層上におけるめっき膜の追従性を高めて両層間の接着力を高めることができ ることを開示している（例えば、特許文献 3)。
特許文献 1：特開 2000— 243650号公報
特許文献 2：特開 2002— 329634号公報
特許文献 3：特開 2003 - 309037号公報
発明の開示
発明が解決しょうとする課題
[0004] 上記した方法によれば、導体パターンの薄層化は容易に行うことができる。しかし、 これらの薄膜のうち、特に、電気めつき法により得られるめっき膜では、このめつき膜 に硫黄などを含有させた場合、焼成後の導体層中には、融点が 640°Cであり Niに殆 ど固溶しない Ni S等の金属間化合物が偏析することとなる。
3 2
[0005] 図 5は、従来の金属膜を導体層として用いた積層型電子部品の内部構造を示す模 式図である。この図 5は直方体状の積層型電子部品の対向する位置に備えられた外 部電極の方向に対して垂直に切断したものである。このように Ni S等の金属間化合
3 2
物が偏祈した金属膜を導体パターンとして用いると、図 5に示すように、積層セラミツ クコンデンサの内部に形成された導体層 55の端部が収縮して、その端部とセラミック 層 57と間に空隙 59が形成されやすくなるので、この空隙のために耐熱衝撃試験で の信頼'性が得られな!/ヽと ヽぅ問題があった。
[0006] また、上記の導体パターンを用いた積層セラミックコンデンサの製造においては、 温度分布のほとんど無い実験室レベルの焼成炉を用いた場合には、薄層化された 導体層であっても上述のように導体層の途切れや構造欠陥を防止することができる。 しかし、トンネル型の連続炉のような工業用の大型生産用焼成炉を用いて同時に大 量に焼成すると、このような連続炉は実験炉に比べて炉内の温度差が大きいために 、焼成温度の低!、領域にお!、て焼成された試料では焼成後の導体層の端部の収縮 は低減されるものの、焼成温度の高 、領域にぉ ヽて焼成された試料は焼成後の導 体層の端部の収縮が大きくなるとともに、導体層の途切れや空隙などの構造欠陥が 発生しやすくなる。このため導体層の有効面積が減少し、結果的に、量産された積層 セラミックコンデンサの静電容量の低下を招くという問題があった。
[0007] 従って、本発明は、大型生産用焼成炉を用いた場合においても導体層端部の空隙 の形成を抑制しつつ、かつ導体パターンの不連続部分の発生を抑制できる金属膜と その製法、並びに、このような金属膜によって形成される積層型電子部品とその製法 を提供することを目的とする。
課題を解決するための手段
[0008] 本発明者らは、上記課題を解決すべく鋭意研究を重ねた結果、以下の構成からな る解決手段を見出し、本発明を完成するに至った。
[0009] すなわち、本発明の金属膜は、 Niを主成分とし、 Mnと、周期表 3b〜6b族元素の 群から選ばれる元素とを含有するとともに、前記 Mnと、前記周期表 3b〜6b族元素の 群力 選ばれる元素とが前記金属膜の中央部よりも周辺部に高濃度で存在している 。また上記金属膜では、その金属膜における周辺部の Mnと周期表 3b〜6b族元素 の群力 選ばれる元素との合計濃度が前記中央部の 1. 05〜3倍の範囲であるのが よい。前記金属膜中の Mnの含有量が 2 X 10一1〜 5質量％であるのがよい。前記金属 膜中の周期表 3b〜6b族元素の群力も選ばれる元素の含有量が 1 X 10―1〜 3 X 10— 1 質量％であるのがよい。また、前記金属膜中の周期表 3b〜6b族元素の群力も選ば れる元素は硫黄、ホウ素、およびリンであるのがよい。
[0010] このような金属膜の製法は、 Mnと周期表 3b〜6b族元素の群力も選ばれる元素とを 含有する Niめっき液を用いて、基材上に電流密度 4. 5〜20AZdm2の条件で Niとと もに Mnと周期表 3b〜6b族元素の群力も選ばれる元素とを析出させるめっき工程を 具備する。上記金属膜は前記 Niめっき液中に含まれる全金属成分中に、 Mnの含有 量が 2 X 10―1〜 5質量％、周期表 3b〜6b族元素の群から選ばれる元素の含有量が 1 X 10―1〜 3 X 10— 1質量％であることが好ましい。
[0011] そして、上記の金属膜を用いて得られる本発明の積層型電子部品の製法は、セラ ミックグリーンシート上に上記の金属膜を転写して、セラミックグリーンシート上に導体 パターンが形成されたパターンシートを形成する工程と、該パターンシートを複数積 層した後、焼成する工程とを具備する。こうして得られる本発明の積層型電子部品は 、セラミック層および導体層が交互に積層される電子部品本体を具備する積層型電 子部品であって、前記導体層が上記の金属膜から得られたものである。
発明の効果
[0012] 本発明によれば、 Niを主成分とする金属膜の周辺部に、 Mnと周期表 3b〜6b族元 素の群力 選ばれる元素とを共存させて、その金属膜の中央部よりも高濃度で偏析 させることにより、金属膜の周辺部の融点が高まり、そのため加熱による収縮を抑制 できる。
[0013] また、金属膜の周辺部に偏祈した Mnと周期表 3b〜6b族元素の群力も選ばれる元 素とから金属間化合物が形成されることから、電子部品などの導体層として用いると 加熱時の塑性変形や収縮を抑制できるので、導体層としての有効面積高めることが でき、セラミック層との接着性を高めることができる。
[0014] そして、このような金属膜を積層型電子部品の導体層として適用すると、導体層端 部の収縮力 、さくなりセラミック層との間の空隙を小さくできるために、耐熱衝撃試験 などに対する信頼性を高めることができる。
[0015] さらにこのような金属膜を用いた積層型電子部品は、温度がばらつく量産炉におい ても導体層の焼成収縮ばらつきを抑制でき焼成後の導体層の途切れや空隙などの 構造欠陥を抑制して高容量ィ匕できる。
[0016] また、本発明の金属膜の製法によれば、 Niを主成分とする金属膜中に Mnと周期 表 3b〜6b族元素の群から選ばれる元素とを含有させる場合に、これらの元素を Niめ つき液中に溶解させて電気めつきにより析出させる方法であるために、これらの元素 をめつき膜の中央部よりも周辺部に容易に偏祈させることができる。
図面の簡単な説明
[0017] [図 1]本発明の金属膜の平面図である。
[図 2]本発明の金属膜を作製するための Niめっき浴を示す模式図である。
[図 3]本発明の積層セラミックコンデンサを製造するための工程図である。
[図 4]本発明の積層型電子部品の概略断面図である。
[図 5]従来の金属膜を導体層として用いた積層型電子部品の内部構造を示す模式 図である。
発明を実施するための最良の形態
[0018] (金属膜）
本発明の金属膜について説明する。図 1は、本発明の金属膜の平面図である。本 発明の金属膜 1は Niを主成分として、 Mnと周期表における 3b〜6b族元素の群から 選ばれる元素（以下、「3b— 6b族元素」と 、う）を含有する。
[0019] また、本発明の金属膜 1は、 Mnと 3b— 6b族元素が前記金属膜 1の中央部 3よりも 周辺部 5に高濃度で偏析していることが重要である。
[0020] 金属膜 1の周辺部に上記 Mnと 3b— 6b族元素が偏析しない金属膜 1ではその周辺 部 5の融点を高められないことから加熱による収縮を抑制することが困難となる。
[0021] なお、本発明において、 Mnと 3b— 6b族元素が前記金属膜 1の中央部 3よりも周辺 部 5に高濃度で偏析しているという状態は、 Mnと 3b— 6b族元素の元素数を合わせ た濃度 (合計濃度）について、中央部 3および周辺部 5を各 4力所以上評価し、周辺 部 Z中央部の関係における平均値の比率が 1. 05以上である場合に相当する。ここ で、前記周辺部 5とは、金属膜 1の大きさによって異なるので特に限定されるものでは ないが、例えば長辺 5mm、短辺 1. 5mmの金属膜 1では、その端縁から 0. 1〜0. 7 mm、好ましくは 0. 1〜0. 4mmまでの範囲を指し、また該周辺部 5に囲まれた中心 側を中央部 3という。
[0022] 即ち、本発明の金属膜 1では、その金属膜 1における周辺部 5の Mnと Sなどの添カロ 元素を合わせた濃度が同一面における中央部 3の 1. 05〜3倍の範囲であることが 好ましい。周辺部 5の Mnと Sなどの添加元素を合わせた濃度が中央部 3の 1. 05倍 以上であると、 Mnや Sなどの添加元素量の少ない中央部 3との差を設けることができ 、このため焼成収縮し端部に空隙を形成しやすいとされるめっき製の金属膜 1の周辺 部 5の変形を抑制できる。
[0023] 一方、周辺部 5の Mnと Sなどの添加元素を合わせた濃度が中央部 3の 3倍以下で あると、 Niを主成分とする金属膜 1の剛性に近いものにできるために、この金属膜 1が 接着される部材に対する追従性を維持でき、中央部 3と周辺部 5との金属膜 1として の連続性を維持できる。
[0024] また、本発明の金属膜 1において、上記 Mnと 3b— 6b族元素が中央部 3よりも高濃 度に偏祈した周辺部 5の幅は、少なくともその金属膜 1の厚みの寸法に相当する幅よ りも大きいことが好ましい。金属膜 1の周辺部 5の幅を少なくともその金属膜 1の厚み の寸法に相当する幅よりも大きくすると、その周辺部 5における添加元素の高濃度層 による融点上昇の効果を高めることができるという利点がある。
[0025] 尚、本発明の金属膜 1は、 Mnと 3b— 6b族元素の高濃度の領域が中央部 3を一部 残し、ほぼ全面に形成されていてもよい。 Mnと 3b— 6b族元素の高濃度領域が金属 膜 1のほぼ全面に形成されていると、金属膜 1の加熱による収縮を全面にわたって抑 制できるという利点がある。
[0026] 本発明の金属膜 1における Mnの含有量は、生成する金属間化合物による金属膜 1自体の溶融を抑え所望の有効面積を確保するという点で 2 X 10―1〜 5質量％である ことが好ましい。
[0027] 金属膜 1中の上記 Mnの含有量が 2 X 10— 1質量％以上であると、 Niの融点を高める ための Mnの添加効果が高まり加熱したときの収縮抑制に利点がある。
[0028] 一方、金属膜 1中の Mnの含有量が 5質量％以下であると Niを主成分とする金属膜 1の導電性を高くできるとともに、 Mnの添カ卩による剛性の増加を抑制でき、これにより 接着する部材への追従性を維持することに利点がある。
[0029] 本発明の金属膜 1は、その膜中に 3b— 6b族元素の群力も選ばれる元素の濃度を 含有する。周期表の 3b族元素としては、元素記号で表すならば、 B、 Al、 Ga、 Inが、 4b族元素としては、 C、 Si、 Ge、 Sn、 Pb力 5b族元素としては、 P、 As, Sb、 Bi力 6 b族元素としては、 S、 Se、 Te、 Po力 それぞれ例示される。
[0030] 3b— 6b族元素としてはめつき浴への溶解が可能であれば、いずれの成分でも用い ることができる力 セラミック層への固溶による特性への影響が少ないという理由から 硫黄 (S)、ホウ素（B)、リン (P)のうちいずれか 1種であることが望ましぐ特に、 3b— 6 b族元素が添加されても Niを含むめっき浴の pHやイオン濃度の変動を抑えるという 理由力も硫黄 (S)が特に望ましい。
[0031] Niを主成分とし Mnを添カ卩した金属膜 1に対して 3b - 6b族元素をさらに加えると、 Mnと 3b— 6b族元素との間で高融点の金属間化合物が形成されるために金属膜 1 の融点を高めることができる。
[0032] その金属膜 1中の 3b— 6b族元素の含有量は、生成する金属間化合物による金属 膜 1自体の溶融を抑え所望の有効面積を確保するという点で 1 X 10―1〜 3 X 10— 1質 量％であることが好ましい。金属膜 1中の 3b— 6b族元素の含有量が 1 X 10—1質量％ 以上であると、前記元素成分が金属膜 1全体に分散し、合金の形成される領域が多 くなりより強固な接合部の形成に効果的である。
[0033] 一方、 3b— 6b族元素の含有量が 3 X 10— 1質量％以下であると、これも Mnと同様、 Niを主成分とする金属膜 1の導電性を高めることができ、剛性の増加が抑制され、こ れにより接着する部材への追従性を維持したものとなる。
[0034] 本発明の金属膜 1はセラミック層や有機榭脂を絶縁層とする電子部品や配線基板 用の導体層として有用であるが、特に、上記のように絶縁層との間で空隙の生成を抑 制でき、また加熱後の接着性を高められるという利点を有するものである。このためそ の厚みは絶縁層上において段差を低減できる程度の厚みであることが好ましぐ特に 、数百層にも積層される積層セラミックコンデンサなどに好適な厚みとして 1 μ m以下
、下限値として導電性を有するとともに、加熱後においても焼成収縮による不連続層 を抑制できるという理由力 0. 1 μ m以上が好ましい。
[0035] なお、本発明の金属膜 1における金属成分の定量分析はこの金属膜 1を酸などに 溶解させた後に ICP質量分光分析 (ICP— MS)によって評価することができる。
[0036] また、この金属膜 1における Mnと 3b— 6b族元素の分布は飛行時間型 2次イオン質 量分析装置 (TOF— SIMS)によって評価することができる。また、金属膜 1の厚みは 、その金属膜 1の断面の電子顕微鏡写真により評価することができる。
[0037] (金属膜の製法）
次に本発明の金属膜 1の製法について説明する。図 2 (a)は、本発明の金属膜 1を 作製するための Niめっき浴を示す模式図である。本発明の製法では、まず、 Mn (M 1)と 3b— 6b族元素（M2)とを含有する Niめっき液 11を準備する。
[0038] 次に、この Niめっき液 11を用いて、図 2 (b)に示すように、レジストパターン 13を形 成した鉄にめっきしたものやステンレスなどの金属部材 15上に、電気めつき法により Niとともに Mnと 3b— 6b族元素とを析出させて、印加する電圧と通電時間を調整す ることにより周辺部 5に Mnや Sなどの添加元素を高濃度に析出させた本発明の金属 膜 1を形成する。
[0039] この場合、めっき条件は、電流密度が 4. 5〜20AZdm2であることが重要である。
電流密度が上記 4. 5〜20AZdm2の範囲のうち、特に 5. 5〜15AZdm2の範囲で あると、 Mnと 3b— 6b族元素を同時に析出させることができ、 Mnと 3b— 6b族元素と を合わせた濃度について金属膜 1の中央部 3に対する周辺部 5の濃度比を 1. 3〜4 倍の範囲に調整することができる。金属膜 1の中央部 3に対する周辺部 5の濃度比が 1. 3〜4倍の範囲であると金属膜 1の焼成後の有効面積を高くでき静電容量を高い ものにすることができる。
[0040] また、本発明の製法では、より高結晶性かつ高純度のめっき膜を形成するといぅ理 由力 、添加する 3b〜6b元素によってそれぞれ適正な範囲があり、 Niめっき浴に硫 黄を添カ卩した物では、その pHは 3. 5〜5の範囲内であることが好ましい。
[0041] 次に、金属部材 15上に形成された Niを主成分とするめつき膜を必要に応じて粘着 剤が塗布されたポリイミドゃポリエステルなどの有機榭脂シートなどの基材に転写して もよ 、。本発明の金属膜 1はこの状態で保管するのが好ま 、。
[0042] (積層型電子部品の製法）
次に、本発明の積層型電子部品の製法について説明する。図 3は、本発明の積層 型電子部品の一例として積層セラミックコンデンサを製造するための工程図である。
[0043] (a)まず、上記の製法により作製した金属膜 21aを用意する。 (b)この金属膜 21aを セラミックグリーンシート 21b上に転写してパターンシート 21を形成する。セラミックグ リーンシート 21bを構成する誘電体材料は高誘電率という点でチタン酸バリウムを主 成分とするものが好適であり、この誘電体材料は誘電特性ならびに焼結性の向上を 図るために、種々の添加剤やガラス成分を含有させることが望ましい。セラミックダリ ーンシート 21bの厚みは、高容量化という点で、 以下が好ましぐ焼成後の誘電 体層の厚みとしては 2 μ m以下が好ましい。
[0044] (c)次に、パターンシート 21を複数積層して積層成形体 25を形成し、この後、（d) 積層成形体 25を格子状に切断して (一部の切断箇所を線 22で示す)電子部品本体 成形体を形成する。この電子部品本体成形体は、金属膜 21aが 1層ごとに一方の端 面に露出するように積層されている。次に、この電子部品本体成形体を焼成して電 子部品本体を形成する。
[0045] 上述のように、本発明に力かる金属膜 21aは、 Niを主成分とし、 Mnと 3b— 6b族元 素とを含有するものであり、特に、 Mnと 3b— 6b族元素が前記金属膜 1の中央部 3よ りも周辺部 5に高濃度で偏析している。
[0046] 上述の製法のようにこのような金属膜 21aをセラミックグリーンシート 21bと同時焼成 すると、焼成前にも上記 Mnや Sなどの元素が金属膜 21aの中央部 3よりも周辺部 5に 高濃度で偏析していたものが、焼成によって、さらに周辺部 5に偏析するようになり、 このことで金属膜 21aの周辺部 5の高融点の領域を広げることができる。さらには周 辺部 5のみならず表面側に広がって存在するようになり、このように添加元素が金属 膜 21aの周辺部 5や表面側に存在することで隣接するセラミック層との間での接着性 をさらに高めることができる。
[0047] 本発明の金属膜 21aおよび焼成後の金属膜 21a (導体層）中に形成される金属間 化合物としては、例えば、 Mnおよび硫黄 (S)を含有する場合には、めっき膜の主成 分である Ni金属との間で、 ヽずれも MnS等の金属間化合物が分散して形成される。 この場合、導体層とセラミック層との界面において、 Ni金属材料単体に比較して上記 の金属間化合物の方がセラミック層を形成する磁器と化合しやすいことから、導体層 とセラミック層との接合性を高めることができる。
[0048] (積層型電子部品）
図 4 (a)は直方体状の積層型電子部品の両端に設けられた外部電極の対向方向 に対して垂直の断面を示す横断面の模式図であり、図 4 (b)は同積層型電子部品に おける外部電極の対向方向の断面を示す縦断面の模式図である。本発明に係る積 層セラミックコンデンサは、図 4に示すように、直方体状の電子部品本体 41の両端部 に外部電極 43が形成され、この電子部品本体 41は導体層 45とセラミック層 47とが 交互に積層され構成されている。
[0049] 導体層 45は電子部品本体 41の対向する両端面において交互に露出され、外部 電極 43と交互に電気的に接続されている。ここで、本発明の積層型電子部品に係る 導体層 45は、 Niを主成分とし Mnと 3b— 6b族元素が前記金属膜 1の中央部 3よりも 周辺部 5に高濃度で存在しているため、これにより導体層 45端部の空隙の形成を抑 制しつつ、かつ導体パターンの不連続部分の発生を抑制できる。そして大型生産用 焼成炉を用いた場合においても金属膜 21aの収縮のばらつきが低減されることから 導体層 45の有効面積のばらつきを抑制できる。
[0050] また、本発明によれば、導体層 45に Mnを含み、かつセラミック層 47に Siを含むも のであれば、導体層 45とセラミック層 47との界面に Mn— Siの複合酸ィ匕物が形成さ れ、この複合酸化物により、これら両層間の接着性をさらに高めることができ耐熱衝 撃性を高めることができる。
実施例 1
[0051] 本発明の金属膜 21aおよび積層型電子部品について、積層セラミックコンデンサを 作製して評価した。まず、基材として鏡面加工を施したステンレス板製の基板プレー トを用いて、その表面に感光性レジスト榭脂を塗布してレジストパターンを形成した。 レジストパターンは矩形状のパターンが複数個千鳥状に配列したものとした。ノター ン 1個の大きさは長辺が 5mm、短辺が 1. 5mmとした。
[0052] 次いで、 Mnと 3b— 6b族元素とを含有する Niめっき液 11を用いて電気めつきを行 い、これら添加元素が所定の含有量を有する厚み 0. 3 mの Niめっき膜をステンレ ス板製の基板プレート上に形成した。
[0053] この場合、例えば、 3b— 6b族元素を含む硫酸イオンをめつき浴中に溶解させ、 Mn は硫酸マンガンを溶解させて Niアノードと組み合わせて電気めつきを行った。金属膜
21a中における各元素成分の濃度調整は、めっき浴中の元素濃度およびめつき時の 電流密度を変えて行った。
[0054] 一方、 BaTiOを主成分とする誘電体粉末に有機粘結剤、可塑剤、分散剤、および
3
溶媒を所定量混合し、振動ミルを用いて、粉砕、混練し、スラリーを調製した後、ダイ コーターにより、ポリエステルよりなるキャリアフィルム上に厚み 2. 4 /z mのセラミックグ リーンシートを作製した。
[0055] 次に、上記の Niを主成分とする金属膜 21aをセラミックグリーンシート 21b上に載置 し、 80°C、 80kgZcm2の条件で熱圧着転写して導体パターンが転写されたパターン シート 21を作製した。
[0056] このパターンシート 21を 200枚積層し、温度 100°C、圧力 200kgfZcm2の条件で の積層プレスにより積層成形体を作製した。
[0057] この後、この積層成形体を格子状に切断して、電子部品本体成形体を得て、次に この電子部品本体成形体を非酸ィ匕性雰囲気中 300°C〜500°Cで脱バインダー処理 した後、同雰囲気中 1170°Cで 2時間焼成し電子部品本体を作製した。
[0058] 最後に、このようにして得られた電子部品本体に対し、導体層 45が露出した各端面 にガラス粉末を含んだ Cuペーストを塗布した後、窒素雰囲気中で焼き付けを行い、 さらに、この外部電極 43の表面に Niめっき膜および Snめっき膜を形成して、内部電 極層と電気的に接続された外部電極 43を有する積層セラミックコンデンサを作製し た。
[0059] このようにして得られた積層セラミックコンデンサの外形寸法は、幅 1. 25mm,長さ 2. Omm、厚さ 1. 25mmであり、内部電極層間に介在する誘電体層の厚みは 2 m であった。セラミック層 47に対する導体層 45の占有面積は 70%になるように設計し た。
[0060] (試料 No. 1〜： LO)
上記した積層セラミックコンデンサの作製において、 3b— 6b族元素として、硫黄、 ホウ素およびリンを用いて、それら元素と Mnの含有量を表 1に示す値とし、まためつ き時の電流密度を表 1に示す値として、試料 No. 1〜： L0を作製した。
[0061] (濃度測定）
電気めつきによって得られた金属膜 21aについて TOF— SIMSを用いて、 Mnと 3b —6b族元素の濃度分布をカウント数で評価した。この場合、めっき後の金属膜 21a については、長辺 5mm、短辺 1. 5mm、厚み 0. 3mmの金属膜 21aを 3個選択し、 その各パターンについて金属膜 2la面の中央部 3を任意に 4力所、また、同じ金属膜 21aの 4辺の周辺部 5 (端縁から 0. 2mmのところ）を各 1力所ずつ 4点評価し、それぞ れについて平均化し、中央部 3と周辺部 5の濃度比を求めた。なお、前記濃度比を求 める際の濃度は、 Mnと 3b— 6b族元素とを合わせた元素数の濃度 (合計濃度）とした また、金属膜 21 a中の金属元素の含有量は ICP— MSを用 、て評価した。
[0062] (静電容量測定）
焼成後に得られた積層セラミックコンデンサについて、各 100個の初期の静電容量 (C)を測定した。測定は、基準温度 25°Cで行い、周波数 1. OkHz、入力信号レベル 0. 5Vrmsの条件で測定した。目標とする静電容量値は 4. 7 Fである。
[0063] (評価）
上記で得られた積層セラミックコンデンサの試料にっ ヽて、耐熱衝撃試験を行 ヽデ ラミネーシヨンの発生数を調べることにより評価した。耐熱衝撃試験は、半田浴の温 度を 400°Cとしてこの浴中に積層セラミックコンデンサの試料を浸漬しデラミネーショ ンの発生数を調べることにより行った。結果を表 1に示す。
[表 1] * * *
Figure imgf000013_0001
注)めっき時に基材から剥がれたため評価できず。
る Niめっき液を用いて、本発明の範囲内の電流密度の条件にて作製した金属膜は、 Mnと 3b— 6b族元素が前記金属膜 21aの中央部 3よりも周辺部 5に高濃度で偏祈し ているものであった（試料 No. 3〜7、 9、 10)。これらの金属膜 21aを用いた試料 No . 3〜7、 9、 10では積層セラミックコンデンサの断面観察において内部の導体層 45 の端部に空隙が見られず、静電容量が 9. 5 F以上を実現でき、また、耐熱衝撃試 験についてもデラミネーシヨン発生数は 1Z100以下であり良好な結果であった。
[0065] 一方、 Niめっき膜中に Mnを含まない試料 No. 1および Mnと硫黄を含んでも金属 膜 21aの中央部 3と周辺部 4との濃度差を有しない金属膜 21aを用いた試料 No. 2で は、焼成後の静電容量値が低 、か又は耐熱衝撃試験にぉ ヽてデラミネーシヨンの不 良が 4Z100個以上発生した。また、電流密度を 30AZdm2とした試料 No. 8では、 めっき時に金属膜 21aが基材力 剥がれ積層セラミックコンデンサを作製するには至 らなかった。
実施例 2
[0066] 次に、実施例 1の中で試料 No. 2〜7の積層セラミックコンデンサについて表 2に示 す焼成温度範囲において焼成を行って試料を作製し、同様の評価を行った。結果を 表 2に示す。
[表 2]
実施例 1 耐熱衝 g試験 (400°C)
焼成温度 静電容量
試料 No. での試料 デラミネーシヨン発生数
No. (。c) (μΠ (100個当りの個数）
1150 8.9 6
11 2 1170 9 4
1200 8.9 4
1150 9.6 1
12 3 1170 9.7 1
1200 9.6 1
1150 9.8 1
13 4 1170 9.8 0
1200 9.8 0
1150 9.8 0
14 5 1170 9.8 0
1200 9.8 0
1150 9.8 0
15 6 1170 9.8 0
1200 9.8 0
1150 9.4 0
16 7 1170 9.5 0
1200 9.5 0
*印は本発明の範囲外の試料を示す。
[0067] 本発明の金属膜 21aを用いた試料である No.12〜16では、焼成温度が 1150〜1 200°Cにおレ、て 1170°Cでの特性と同じ程度の静電容量を示し、耐熱衝撃試験での 不良率も 1Z100個以下であった。
[0068] 一方、本発明外の複合金属粉末を用いた試料 No.11では、焼成温度が 1150〜1 200°Cにお 、て静電容量が 9 μ F以下と低レ、か又は耐熱衝撃試験でのデラミネーシ ヨンの発生数が多ぐまた焼成温度の違いによって差が見られた。

Claims

請求の範囲
[1] Niを主成分とする金属膜であって、該金属膜が Mnと、周期表 3b〜6b族元素の群 力も選ばれる元素とを含有するとともに、前記 Mnと、前記周期表 3b〜6b族元素の群 力 選ばれる元素とが前記金属膜の中央部よりも周辺部に高濃度で存在しているこ とを特徴とする金属膜。
[2] 前記金属膜の周辺部における Mnと周期表 3b〜6b族元素の群力も選ばれる元素 との合計濃度が前記中央部におけるそれらの合計濃度よりも 1. 05〜3倍の範囲で ある請求項 1に記載の金属膜。
[3] 前記金属膜中の Mnの含有量が 2 X 10―1〜 5質量％である請求項 1に記載の金属 膜。
[4] 前記金属膜中の周期表 3b〜6b族元素の群から選ばれる元素の含有量が 1 X 10"1
〜3 X 10— 1質量％である請求項 1に記載の金属膜。
[5] 前記金属膜中の周期表 3b〜6b族元素の群力 選ばれる元素は硫黄、ホウ素およ びリンカ なる群より選ばれることを特徴する請求項 1に記載の金属膜。
[6] Mnと周期表 3b〜6b族元素の群力も選ばれる元素とを含有する Niめっき液を用い て、金属部材上に電流密度 4. 5〜20AZdm2の条件で Niとともに Mnと周期表 3b〜
6b族元素の群カゝら選ばれる元素とを析出させるめっき工程を具備することを特徴と する金属膜の製法。
[7] 前記 Niめっき液中に含まれる全金属成分中に、 Mnの含有量が 2 X 10―1〜 5質量
%、周期表 3b〜6b族元素の群力も選ばれる元素の含有量が 1 X 10―1〜 3 X 10— 1質 量％である請求項 6に記載の金属膜の製法。
[8] セラミックグリーンシート上に請求項 1〜5のいずれかに記載の金属膜を転写して、 セラミックグリーンシート上に導体パターンが形成されたパターンシートを形成するェ 程と、該パターンシートを複数積層した後、焼成する工程とを具備することを特徴とす る積層型電子部品の製法。
[9] セラミック層および導体層が交互に積層される電子部品本体を具備する積層型電 子部品であって、前記導体層が請求項 1に記載の金属膜からなることを特徴とする積 層型電子部品。
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