KR101125811B1

KR101125811B1 - 실리콘 그리스 조성물

Info

Publication number: KR101125811B1
Application number: KR1020050042314A
Authority: KR
Inventors: 구니히로 야마다; 아키히로 엔도; 구니히코 미타
Original assignee: 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤
Priority date: 2004-05-21
Filing date: 2005-05-20
Publication date: 2012-03-28
Also published as: EP1600494A1; TWI385246B; EP1600494B1; TW200613541A; KR20060048037A; US20050261140A1; US7510998B2

Abstract

(A) 25℃에서 50-500,000mm²/s의 동점도를 갖는 오가노폴리실록산 2-40질량%, 및 (B) 10W/m℃ 이상의 열 전도율과 0.1-15.0㎛의 평균 입경을 갖는 금속 분말, 금속 산화물 분말 및 세라믹 분말 중에서 선택된 적어도 하나의 열 전도성 충전재 60-98질량%를 포함하는 실리콘 그리스 조성물이 제공된다. 500-메시 오버사이즈 분량이 50ppm 이하이고, 325-메시 오바사이즈 분량이 실질적으로 0이 되도록 조립자가 제거된다.

방열, 열전도, 실리콘 그리스 조성물, 실리콘, 오가노폴리실록산.

Description

실리콘 그리스 조성물{SILICONE GREASE COMPOSITIONS}

본 발명은 방열 및 열전도 특성이 우수한 방열 실리콘 그리스 조성물에 관한 것이다.

전자부품의 다수는 사용중 열이 발생한다. 그러한 전자부품이 적절하게 기능하기 위해서는 부품으로부터 열이 제거되는 것이 필요하다. 특히, 퍼스널 컴퓨터에 사용되는 CPU와 같은 집적회로소자는 동작주파수의 고속화에 의하여 발열량이 증대된다. 따라서 열 관리가 중요한 문제이다.

열 제거를 위해 많은 방법과 다양한 열전도성 재료가 제안되었다. 열전도성 재료는 일반적으로 두 가지 형태를 가지는데, 취급이 용이한 시트 형태와 방열 그리스로 통상 알려진 페이스트 형태이다. 방열 재료의 열저항은 그것의 두께에 비례하기 때문에 가압에 의해 쉽게 얇아질 수 있는 방열 그리스는 더 우수한 방열 특성을 가진다. 발열량이 많은 전자부품에서는 전자부품으로부터 열을 효과적으로 방출하기 위해서 열 전도성 그리스 또는 시트를 전자부품과 열 싱크 사이에 배치하는 것이 제안되었다(JP-A 56-28264 또는 Aakalu et al. USP 4,265,775 및 JP-A 61-157587 참조)

그러나, LSI와 같은 전자소자의 발열량이 증가하고 있기 때문에 종래의 방열 그리스로는 충분한 방열을 제공할 수 없다. 방열 그리스의 기능은 열 전도성 충전재를 고도로 충전함으로써 향상될 수 있다. 그러나, 열 전도성 충전재를 더 많이 충전할수록 그리스의 점도가 증가한다. 적용 용이성에 대한 필요가 충전재 충전에 어떤 한계를 부여한다. 또 다른 수단은 방열 그리스의 열저항이 그것의 두께에 비례하기 때문에 코팅 두께를 줄이는 것이다. 이를 위해서, 더 작은 평균 입경을 갖는 열 전도성 충전재가 일반적으로 사용되고 있지만, 어떤 만족스러운 방열 효과도 아직은 얻어지지 않았다. 이는 열전도성 충전재가 더 작은 평균 입경에도 불구하고 우발적인 조립자를 종종 함유하고 있어서 방열 그리스가 원하는 두께로 코팅되는 것을 막기 때문이다.

공지된 열 전도성 재료는 산화아연 또는 알루미나 분말을 배합시킨 실리콘 유체 기반의 방열 그리스를 포함한다(JP-B 52-33272 및 JP-B 59-52195 참조).

열전도를 향상시키기 위한 질화 알루미늄 분말의 사용이 또한 알려져 있다. USP 4,265,775는 액상 유기-실리콘 캐리어, 실리카 섬유 및 모수석상 산화아연, 판상 질화 알루미늄 및 판상 질화붕소로부터 선택된 하나 이상의 열 충전재 분말을 포함하는 요변성 열 전도성 재료를 개시한다. JP-A 2-153995는 특정 입경 범위를 갖는 특정 오가노폴리실록산 및 구상 팔방정계 질화 알루미늄 분말을 포함하는 실리콘 그리스 조성물을 개시한다. JP-A 3-14873은 더 작은 입경을 갖는 질화 알루미늄 분말과 더 큰 입경을 갖는 질화 알루미늄 분말의 조합을 사용하는 열 전도성 실리콘 그리스를 개시한다. JP-A 10-110179는 질화 알루미늄 분말과 산화 아연 분말의 조합을 사용하는 열 전도성 실리콘 그리스를 개시한다. JP-A는 2000-63872는 오가노실란으로 표면 처리된 질화 알루미늄 분말을 사용하는 열 전도성 그리스 조성물을 개시한다.

질화 알루미늄은 70 내지 270 W/mK 의 열 전도율을 가지며, 더 높은 열전도율을 갖는 한 가지 전형적인 재료는 다이아몬드로서 900 내지 2,000 W/mK 의 열 전도율을 갖는다. JP-A 2002-30217은 실리콘 수지, 다이아몬드, 산화아연 및 분산제를 포함하는 열 전도성 실리콘 조성물을 개시한다.

금속은 높은 열 전도율을 가지며, 전자부품의 전기절연이 불필요한 곳에 사용될 수 있다. JP-A 2002-63873은 금속 알루미늄 분말과 혼합된 실리콘 유체와 같은 베이스 유체를 포함하는 열 전도성 그리스 조성물을 개시한다.

그러나, 모든 이러한 열 전도성 재료와 열 전도성 그리스는 최근 진보한 CPU 등과 같은 집적회로소자의 발열량에는 충분한 것이 될 수 없다.

Maxwell 또는 Bruggeman 이론식으로부터 이해되는 바와 같이, 열 전도성 충전재로 충전된 실리콘 유체에 기반한 재료는 만일 충전재의 용적 분율이 0.6 이하이면 충전재의 열 전도율에 거의 의존하지 않는 열 전도율을 가진다. 충전재의 열 전도율은 단지 충전재의 용적 분율이 0.6을 초과할 때만 중요해진다. 이는 열 전도성 그리스의 열 전도율 증가가 먼저 열 전도성 충전재로 그리스를 고충전하는 방법에 의존하고, 만일 고충전이 가능하다면, 더 높은 열 전도율을 갖는 충전재를 선택하는 방법에 의존한다는 것을 암시한다. 그러나, 고충전은 열 전도성 그리스의 유동성을 방해하고, 코팅 및 디스펜싱과 같은 작업 효율성에 안 좋은 영향을 주어, 그리스를 실제 사용에 부적합하게 만든다.

다른 수단으로서는, 방열 그리스의 열저항이 그 두께에 비례하기 때문에 그것의 코팅 두께를 줄이는 것이다. 이를 위해서, 조립자가 제거된 더 작은 평균 입경을 갖는 열 전도성 충전재가 사용되지만, 만족스러운 방열 효과가 아직 이용가능하지는 않다. 이는 더 작은 평균 입경을 갖는 열 전도성 충전재는 더 큰 표면적을 가지고, 이는 충전재가 금속일 경우 산화 과정을 허용하기 때문이다. 그 결과, 충전재의 열 전도율이 감소되고 고충전이 어려워진다. 그러면 높은 열 전도율을 부여하는 것이 어렵다.

JP-A 2004-091743는 오가노폴리실록산 15 내지 35질량%, 0.2 내지 1.0 ㎛ 미만의 평균 입경을 갖는 구상 알루미나 분말 35 내지 55질량%, 및 1 내지 3 ㎛의 평균 입경 및 2 내지 10 ㎛의 최대 입경을 갖는 질화 알루미늄 분말 30 내지 50질량% 을 포함하는 열 전도성 그리스를 개시한다.

발명의 개요

본 발명의 목적은 개선된 방열 효과를 갖는 방열 실리콘 그리스 조성물을 제공하는 것이다. 또 다른 목적은 개선된 열 전도를 갖는 열 전도성 실리콘 그리스 조성물을 제공하는 것이다.

본 발명은 (A) 25℃에서 동점도가 50 내지 500,000 mm²/s인 하기 정의된 화학식 1의 오가노폴리실록산 및 (B) 열 전도율이 10 W/m℃ 이상이고, 0.1 내지 15.0 ㎛의 평균 입경을 갖는 금속 분말, 금속 산화물 분말 및 세라믹 분말 중에서 선택된 열 전도성 충전재를 큰 비율로 포함하는 실리콘 그리스 조성물에 관한 것이다. 만일 500-메시(체눈 25㎛) 위의 조립자 분량이 조성물 기준으로 50 ppm 이하이고, 325-메시(체눈 45㎛) 위의 조립자 분량이 실질적으로 0이 되도록 조립자를 충전재로부터 제거하면, 실리콘 그리스 조성물은 뛰어난 방열 효과를 발휘하기에 충분히 감소된 두께를 갖는 코팅으로 도포될 수 있다는 것이 발견되었다.

본 발명은 또한 상기한 바와 같은 오가노폴리실록산 유체와 5.0 내지 15.0 ㎛의 평균 입경을 갖고 0.1질량% 이하의 산소를 함유하는 구리 분말을 포함하는 실리콘 그리스 조성물에 관한 것이다. 또한, 만일 500-메시(체눈 25㎛) 위의 조립자 분량이 조성물 기준으로 50 ppm 이하이고, 325-메시(체눈 45㎛) 위의 조립자 분량이 실질적으로 0이 되도록 조립자가 제거되면, 실리콘 그리스 조성물은 뛰어난 열 전도와 방열 효과를 발휘하기에 충분히 감소된 두께를 갖는 코팅으로 도포될 수 있다는 것이 발견되었다.

제 1 관점에서, 본 발명은 (A) 25℃에서 동점도가 50 내지 500,000 mm²/s인, 화학식 1의 오가노폴리실록산 2 내지 40질량%, 및

R¹ _aSiO_(4-a)/2

(상기 식에서, R¹은 독립적으로 1가 C₁-C₁₈ 탄화수소 기이고, "a"는 1.8 내지 2.2의 양수이다.)

(B) 10 W/m℃ 이상의 열 전도율과 0.1 내지 15.0 ㎛의 평균 입경을 갖는, 금속 분말, 금속 산화물 분말 및 세라믹 분말로 이루어지는 군으로부터 선택된 하나 이상의 열 전도성 충전재 60 내지 98질량%을 포함하는 실리콘 그리스 조성물을 제공하며, 이때 500-메시(체눈 25㎛) 위의 조립자의 분량이 상기 조성물 기준으로 50 ppm 이하이고, 325-메시(체눈 45㎛) 위의 조립자의 분량은 실질적으로 0이다.

제 2 관점에서, 본 발명은 (A) 25℃에서 동점도가 50 내지 100,000 mm²/s인, 상기 화학식 1의 오가노폴리실록산 10 내지 60체적%, 및 (C-1) 5.0 내지 15.0 ㎛의 평균 입경을 갖고 0.1질량% 이하의 산소를 함유하는 구리 분말 40 내지 90체적%을 포함하는 실리콘 그리스 조성물을 제공하며, 이때 500-메시(체눈 25㎛) 위의 조립자의 분량이 상기 조성물 기준으로 50 ppm 이하이고, 325-메시(체눈 45㎛) 위의 조립자의 분량은 실질적으로 0이다.

본 발명의 실리콘 그리스 조성물은 뛰어난 방열 효과를 발휘한다.

바람직한 구체예의 설명

제 1 구체예

본 발명의 제 1 구체예는 (A) 오가노폴리실록산, 및 (B)열 전도성 충전재를 포함하는 방열 실리콘 그리스 조성물이다.

성분 (A)로서 본원에서 사용되는 오가노폴리실록산은 화학식 1을 가진다.

(화학식 1)

R¹ _aSiO_(4-a)/2

상기 식에서, R¹은 독립적으로 1가 C₁-C₁₈ 탄화수소기로부터 선택된다. 적절한 기는 메틸, 에틸, 프로필, 헥실, 옥틸, 데실, 도데실, 테트라데실, 헥사데실 및 옥타데실과 같은 알킬기; 시클로펜틸 및 시클로헥실과 같은 시클로알킬기; 비닐 및 알릴과 같은 알케닐기; 페닐 및 톨릴과 같은 아릴기; 2-페닐에틸 및 2-메틸-2-페닐에틸과 같은 아랄킬기; 3,3,3-트리플루오로프로필, 2-(퍼플루오로부틸)에틸, 2-(퍼플루오로옥틸)에틸 및 p-클로로페닐과 같은 할로겐화 탄화수소기를 포함한다. 이들 중에서, 페닐과 C₆-C₁₈, 특히 C₆-C₁₄알킬기가 바람직하고, 페닐과 메틸이 가장 바람직하다. 문자 "a"는 실리콘 그리스 조성물로서 요구되는 점도를 고려할 때, 1.8 내지 2.2의 양수이고, 바람직하게는 1.9 내지 2.2이다.

오가노폴리실록산은 25℃에서 50 내지 500,000 mm²/s, 바람직하게 25℃에서 100 내지 10,000 mm²/s의 동점도를 가져야 한다. 50 mm²/s 미만의 동점도에서는 그러한 유체 기반의 실리콘 그리스 조성물은 자칫하면 오일이 나오기 쉽다. 500,000 mm²/s를 초과하는 동점도에서는 그러한 유체 기반의 실리콘 그리스 조성물은 덜 신전성(伸展性)이 된다. 본원에서 사용된 바와 같은, 동점도는 Ostwald 점도계에 의해 측정된다.

제 1 구체예의 실리콘 그리스 조성물에서 오가노폴리실록산 (A)의 양은 2 내지 40질량%이고, 바람직하게는 3 내지 15질량%이다. 2질량% 미만의 오가노폴리실록산을 갖는 조성물은 그리스 성질을 잃게 되고 덜 신전성이 되는 반면, 40질량%를 초과하는 오가노폴리실록산을 갖는 조성물은 방열 능력을 잃게 된다.

성분 (B)는 10 W/m℃ 이상의 열 전도율을 갖는 열 전도성 충전재이다. 만일 10 W/m℃ 미만의 열 전도율을 갖는 충전재가 사용되면, 방열 실리콘 그리스 조성물은 또한 원하는 열 전도율보다 더 낮은 전도율을 가진다.

열 전도성 충전재는 구상이 바람직하지만, 불규칙한 것과 구 형상을 포함하여 어떠한 원하는 형상이 될 수 있다. 열 전도성 충전재는 0.1 내지 15.0 ㎛, 바람직하게는 0.3 내지 8.0 ㎛ 범위의 평균 입경을 가져야 한다. 0.1 ㎛ 미만의 평균 입경에서는, 조성물은 그리스 성질을 잃게 되고 덜 신전성이 된다. 15.0 ㎛를 초과하는 평균 입경은 실리콘 그리스 조성물로 만들어지는 코팅의 두께를 제한하여 방열 효과를 줄인다. 본원에서 사용된 바와 같은, 평균 입경은 Microtrac, Inc.의 입경 분석기 모델 MT3000에 의해 측정된다.

열 전도성 충전재는 금속 분말, 금속 산화물 분말 및 세라믹 분말 중에서 선택된다. 적절한 예는 알루미늄 분말, 구리 분말, 은 분말, 니켈 분말, 금 분말, 산화 알루미늄 분말, 산화아연 분말, 산화 마그네슘 분말, 질화 알루미늄 분말, 질화붕소 분말, 질화규소 분말, 다이아몬드 분말 및 탄소 분말을 포함한다. 충전재가 10 W/m℃ 이상의 열 전도율과 0.1-15.0 ㎛의 평균 입경을 가지기만 한다면, 이들 분말 중에서 어떠한 원하는 충전재를 선택할 수 있다. 한가지 타입 또는 두 가지 이상의 타입이 혼합된 분말이 사용될 수 있다.

미립자 충전재는 500-메시 체(25㎛ 체눈)에 남아 있는 조립자의 분량이 실리콘 그리스 조성물의 중량 기준으로 50 ppm 이하이고, 325-메시 체(45㎛ 체눈)에 남아 있는 조립자의 분량이 실질적으로 0이 되는 조건을 만족해야 한다.

열 전도성 충전재와 같은 충전재의 제조업체는 측정된 입경 분포가 기재되어 있는 명세서를 그들의 제품과 함께 전달한다. 그러나, 매우 낮은 수준의 절대량으로 인해서, 일반적으로 조립자는 입경 분포 기계에 의해 검출될 수 없다. 결과적으로, 동일한 재료와 동일한 평균 입경의 미립자 충전재가 사용될 때, 방열 능력에서의 실질적인 차이는 조립자가 제거되었는지 아닌지 여부에 따라 일어난다. 전자부품의 열 발생은 상당하기 때문에, 열 전도성 충전재에서 조립자의 함량을 제어하는 것이 매우 중요하다.

이들 열 전도성 충전재로부터 조립자를 제거하는 데는 몇 가지 방법이 사용될 수 있다. 전형적인 방법은 기류 분급 및 체 분급이다. 최대수의 미립자 충전재가 제거되는 한, 미립자 충전재를 분급하거나 크기분류하는 방법은 중요하지 않다. 본원에서 사용된 열 전도성 충전재는 체 분급을 하는 것이 바람직하다. 기류 분급은 조립자 제거의 어떤 가능성은 있지만, 최대수의 조립자를 제거하기 어렵다. 체 분급은 500-메시 체(체눈 25㎛)를 사용한다는 점에서 유리하며, 예를 들어 언더사이즈 분량은 실질적으로 25 ㎛의 최대 입경을 갖는 열 전도성 충전재이다.

열 전도 충전재의 충전에 관하여, 실리콘 그리스 조성물은 60 내지 98질량%, 바람직하게는 80 내지 95질량%의 열 전도성 충전재를 함유해야 한다. 60질량% 미만의 열 전도성 충전재는 원하는 방열 효과를 제공하지 못하는 한편, 98질량%을 초과하는 충전재를 갖는 조성물은 그리스성을 잃게 되고 덜 신전성이 된다.

제 1 구체예의 방열 실리콘 그리스 조성물은 플래너터리 믹서와 같은 고점도 재료를 혼련할 수 있는 장치를 사용하며, 실온 또는 승온에서 장치에서 (A)와 (B)를 조합하고 혼련함으로써 제조된다. 적절한 교반 및 혼합 조건은 실온 내지 약 150℃의 온도, 특히 약 50 내지 100℃의 온도와, 약 30분 내지 약 3시간, 특히 약 1 내지 약 2시간을 포함한다.

제 1 구체예의 방열 실리콘 그리스 조성물을 방열에 있어서, 본 발명의 이점을 손상시키는 않는 한, 다양한 다른 첨가제가 화합될 수 있다.

제 2 구체예

제 2 구체예는 (A) 오가노폴리실록산 및 (C-1) 구리 분말을 포함하는 실리콘 그리스 조성물이다.

성분 (A)로서 여기서 사용된 오가노폴리실록산은 점도 범위를 제외하고는 제 1 구체예의 오가노폴리실록산과 동일하다. 오가노폴리실록산은 25℃에서 50 내지 100,000 mm²/s, 바람직하게 25℃에서 100 내지 10,000 mm²/s의 동점도를 가져야 한다. 50 mm²/s 미만의 동점도에서는, 그 유체 기반의 실리콘 그리스 조성물은 오일이 나오기 쉽다. 100,000 mm²/s를 초과하는 동점도에서는, 그 유체 기반의 실리콘 그리스 조성물은 덜 유동적이 된다.

제 2 구체예의 실리콘 그리스 조성물에서, 오가노폴리실록산 (A)의 양은 10 내지 60체적%이고, 바람직하게는 15 내지 35체적%이다. 10체적% 미만의 오가노폴리실록산을 갖는 조성물은 경질화되고 덜 유동적이고 덜 도포가능한 반면, 60체적%을 초과하는 오가노폴리실록산을 갖는 조성물은 더 낮은 열 전도율을 가지며 충전재가 침전된다.

성분 (C-1)은 5.0 내지 15.0 ㎛의 평균 입경을 갖는 구리 분말이다. 오가노폴리실록산 (A)에의 고충전을 위해서 구상 또는 과립형을 갖는 구리 분말이 바람직하다. 모수석상, 박편, 바늘상 또는 불규칙 입자와 같은 고 벌크 밀도를 초래하는 형태의 입자는 고충전 목적에 부적합하다.

구리 분말은 5.0 내지 15.0 ㎛, 바람직하게는 7.0 내지 12.0 ㎛의 범위의 평균 입경을 가져야 한다. 5.0 ㎛ 미만의 평균 입경을 갖는 분말은 다량으로 충전하기 어렵다. 15.0 ㎛를 초과하는 평균 입경은 코팅 두께의 감소를 통하여 열저항을 줄이는 것을 어렵게 만든다. 본원에서 사용된 바와 같은, 평균 입경은 Microtrac, Inc. 사제 입경 분석기 모델 MT3000에 의해 측정된다.

구리는 398 W/mK의 열 전도율이 증명해주는 바와 같이 양호한 열 전도성 재료이지만, 구리 분말은 입자 표면에서 산화가 쉽게 진행되기 때문에 그 열 전도율을 낮추는 경향이 있다. 게다가, 표면 산화는 성분 (A)로 습윤화되는 입자의 능력을 악화시키고, 입자 표면에 불규칙함을 만들어서 비표면적을 증대시킨다. 이들은 고충전에 불리하며, 따라서 실리콘 그리스 조성물의 열 전도율이 향상되는 것을 막는다. 입자 크기가 작아질수록 비표면적은 더 커지고, 표면 산화에 의해 구리 분말의 열 전도율 및 습윤성의 저하를 악화시킨다. 이 문맥에서, 5.0 내지 15.0 ㎛의 평균 입경을 갖는 구리 분말은 0.1질량% 이하, 바람직하게 0.05질량% 이하의 산소 함량을 가져야 한다. 0.1질량%을 초과하는 산소 함량은 악화된 습윤성 및 증가된 표면적을 통해서 고충전을 방해하고, 또한 열 전도성을 저하시킨다. 최소화된 산소 함량을 갖는 구리 분말의 사용이 작은 입경에도 불구하고 고충전을 가능하게 하며 증가된 열 전도율을 초래한다. 제 2 구체예의 열 전도성 실리콘 그리스 조성물에서, 더 이상 산화가 진행되지 못하도록 구리 입자들은 실리콘으로 표면이 커버된다.

이제 구리 분말의 산소 함량을 최소화하는 방법을 기술하는데, 물론 본 발명이 이 과정으로 제한되지는 않는다. 구리 분말 입자들은 공기에 노출될 때 그들의 표면 위에 구리 산화물 코팅을 형성하기 때문에, 더 큰 표면적은 더 큰 산소 함량을 초래한다. 그러면 입경이 더 크고 구상도가 더 높은 구리 분말은 더 작은 표면적을 가지고, 따라서 산소 함량이 더 낮다. 더 큰 입경을 갖는 구리 분말을 사용하는 열 전도성 실리콘 그리스 조성물은 구리 분말의 고충전으로 인해 더 높은 열 전도율을 부여받지만, 그 층의 두께는 디바이스 장착시에 감소될 수 없고, 방열 효과를 제공하지 못한다. 더 작은 입경을 갖는 구리 분말이 사용될 때, 그것의 구상도는 산소 함량에 크게 공헌한다. 높은 구상도와 작은 표면적을 갖는 구상 분말을 제조하는 방법은 용융한 구리를 고속 유체의 도움을 받아 분무하고, 이어서 응고시키는 용탕분화법(melt atomizing)인데, 이것으로 한정되지는 않는다. 다른 방법의 예는 구리 입자 표면 위의 산화물 코팅을 제거하는 방법과, 공기와의 접촉을 막도록 입자 표면을 커버하기 위한 플럭스 성분을 사용하는 방법을 포함한다. 유기산 또는 수지계 플럭스를 사용하여 산소 함량을 감소시킬 수 있다.

구리 분말의 산소 농도는 JIS Z2613의 비활성 가스 융해-IR 흡수 스펙트로스 코피에 의해 측정될 수 있다는 것이 주목된다.

구리 분말의 충전에 있어서, 실리콘 그리스 조성물은 40 내지 90체적%, 바람직하게는 50 내지 85체적%의 구리 분말을 함유해야만 한다. 구리 분말이 40체적%미만인 조성물은 더 낮은 열 전도율을 가지는 반면, 구리 분말이 90체적%를 초과하는 조성물은 덜 유동성이 되고 작업성이 저하된다.

제 2 구체예의 실리콘 그리스 조성물에서, 열 전도성을 더욱 개선하기 위해서 구리 분말 (C-1) 이외에 두 번째 열 전도성 분말 (C-2)를 첨가할 수 있다. 두 번째 분말의 예는 산화아연 분말, 산화 알루미늄 분말, 질화붕소 분말, 질화 알루미늄 분말, 탄화규소 분말 및 다이아몬드 분말과 같은 무기 분말, 그리고 은 분말, 금 분말, 니켈 분말 및 스테인레스 스틸 분말과 같은 금속 분말을 포함한다.

이들 중에서, 0.1 내지 5.0 ㎛의 평균 입경을 가지는 한 가지 이상의 열 전도성 분말이 첨가되는 것이 바람직한데, 이는 그러한 미립자가 실리콘 그리스에 충전된 구리 입자들 사이의 간극 사이로 들어가고, 그 결과 충전성이 향상되기 때문이다. 더욱이, 그들은 실리콘 그리스 조성물의 안정성을 향상시키고, 오일 분리를 막는다. 0.1 ㎛ 미만의 평균 입경은 더 큰 벌크 밀도에 해당하고, 이는 고충전을 방해한다. 5.0 ㎛을 초과하는 평균 입경은 부분적으로 구리 분말의 비교적 큰 입경과 겹치고, 미립자와 큰 입자의 조합으로 인하여 세밀 충전을 방해한다. 이러한 이유 때문에, 두 번째 분말의 평균 입경은 0.1 내지 5.0 ㎛, 바람직하게는 0.2 내지 3.0 ㎛의 범위이다.

두 번째 분말의 충전에 있어서, 실리콘 그리스 조성물은 0 내지 35체적%, 바람직하게 1 내지 35체적%, 보다 바람직하게 5 내지 30체적%의 두 번째 분말 (C-2)을 함유해야 한다. 35체적%를 초과하는 두 번째 분말을 갖는 조성물은 덜 유동성이 되고 작업성이 저하된다. 조합된 성분 (C-1)과 (C-2)의 양은 바람직하게는 조성물의 60 내지 90체적%, 보다 바람직하게는 70 내지 85체적%이다.

구리 분말 (C-1) 및 열 전도성 분말 (C-2)을 포함하는 열 전도성 충전재는 500-메시 체(체눈 25㎛)에 남아 있는 조립자의 분량이 실리콘 그리스 조성물의 중량 기준으로 50 ppm 이하이고, 325-메시 체(체눈 45㎛)에 남아 있는 조립자의 분량이 실질적으로 0임을 만족해야 한다.

이들 열 전도성 충전재로부터 조립자를 제거하는 방법은 제 1 구체예에서 앞서 설명된 바와 같다.

제 2 구체예에서, (D) 습윤제가 선택적으로 화합될 수 있다. 구리 분말 (C-1) 및 열 전도성 분말 (C-2)을 포함하는 열 전도성 충전재의 표면을 습윤제로 처리함으로써, 분말은 베이스 오일 또는 오가노폴리실록산 (A)에 의한 습윤성이 더 좋아지고, 고충전화에 도움이 된다.

성분 (D)는 (D-1) 화학식 2를 갖는 알콕시실란을 포함한다.

R² _bR³ _cSi(OR⁴)_4-b-c

상기 식에서, R²는 노닐, 데실, 도데실 및 테트라데실과 같은 C₉-C₁₅ 알킬기이다. 9 미만의 탄소 원자의 알킬기는 분말을 습윤성으로 만들지 못한다. 15 탄소 원자를 초과하는 알킬기를 갖는 알콕시실란은 실온에서 고체이고 취급하기 불편하고 조성물의 저온 성능에 안 좋은 영향을 줄 수 있다.

R³은 1가 C₁-C₈ 탄화수소기이다. 예는 메틸, 에틸, 프로필, 헥실 및 옥틸과 같은 알킬기, 시클로펜틸 및 시클로헥실과 같은 시클로알킬기, 비닐 및 알릴과 같은 알케닐기, 페닐과 톨릴과 같은 아릴기, 2-페닐에틸 및 2-메틸-2-페닐에틸과 같은 아랄킬기, 3,3,3-트리플루오로프로필, 2-(퍼플루오로부틸)에틸, 2-(퍼플루오로옥틸)에틸 및 p-클로로페닐과 같은 할로겐화 탄화수소기를 포함한다. 그 중에서도 특히 메틸과 에틸이 바람직하다.

R⁴는 메틸, 에틸, 프로필, 부틸, 펜틸 및 헥실과 같은 하나 이상의 C₁-C₆ 알킬기이고, 메틸과 에틸이 바람직하다.

문자 b는 1 내지 3의 정수이고, 바람직하게는 1이며; c는 0 내지 2의 정수이고; b+c의 합은 1 내지 3의 정수이다.

화학식 2를 갖는 알콕시실란의 예는 C₁₀H₂₁Si(OCH₃)₃, C₁₂H₂₅Si(OCH₃)₃, C₁₀H₂₁Si(CH₃)(OCH₃)₂, C₁₀H₂₁Si(C₆H₅)(OCH₃)₂, C₁₀H₂₁Si(CH₃)(OC₂H₅)₂, C₁₀H₂₁Si(CH=CH₂)(OCH₃)₂, 및 C₁₀H₂₁Si(CH₂CH₂CF₃)(OCH₃)₂를 포함한다.

첨가되는 알콕시실란 (D-1)의 적절한 양은 제 2 구체예의 실리콘 그리스 조성물의 0 내지 5체적%이다. 5체적%를 초과하여 첨가량을 증가시켜도 언제나 습윤 효과가 강화되는 것은 아니고 비경제적이다. 알콕시실란이 다소 휘발성이기 때문에 실리콘 그리스 조성물은 만일 개방환경계에 방치되면 점차적으로 경질화될 것이다. 첨가되는 알콕시실란 (D-1)의 보다 적절한 양은 실리콘 그리스 조성물의 0.1 내지 3체적%이다.

습윤제 성분 (D)는 또한 화학식 3을 갖는 편말단-3관능의 가수분해성 메틸폴리실록산 (D-2)을 포함한다.

상기 식에서, R⁴는 상기 예증한 바와 같은 C₁-C₆ 알킬기이고, d는 5 내지 100, 바람직하게는 10 내지 60의 정수이다.

첨가되는 메틸폴리실록산 (D-2)의 적절한 양은 제 2 구체예의 실리콘 그리스 조성물의 0 내지 10체적%이다. 성분 (D-2)을 더 많은 비율 함유하는 조성물이 덜 열 저항성이 될 수 있기 때문에, 첨가되는 메틸폴리실록산 (D-2)의 보다 적절한 양은 실리콘 그리스 조성물의 0.1 내지 5체적%이다.

알콕시실란 (D-1)과 편말단-3관능 가수분해성 메틸폴리실록산 (D-2) 둘 다를 습윤제 성분 (D)로 사용하는 것이 허용가능하다. 이 구체예에서, 성분 (A)와 성분 (D-1) 및 (D-2)를 합한 양은 바람직하게는 실리콘 그리스 조성물의 40체적% 이하가 되어야 한다.

제 2 구체예에서, 본 발명의 이점을 손상시키지 않는다면, 예를 들어 산화철 및 산화세륨과 같은 내열성 변경제, 실리카와 같은 점도변경제, 및 착색제 등의 다양한 다른 첨가제를 첨가할 수 있다.

제 2 구체예의 열 전도성 실리콘 그리스 조성물은 Trimix, Twinmix, 또는 Planeraty Mixer(Inoue Mfg. Inc.의 상표명), Ultra Mixer(Mizuho Industry Co., Ltd.의 상표명), 또는 Hivis Disper Mix (Tokushu Kika Kogyo Co., Ltd.의 상표명)과 같은 적절한 믹서에서 성분 (A)와 (C-1) 및 선택적인 성분 (C-2), (D) 등을 혼합함으로써 제조되고, 필요에 따라 약 50 내지 150℃에서 가열한다. 혼합은 바람직하게는 균일한 마무리를 위해 고전단력 하에서 혼련조작 후에 행해진다. 적절한 혼련장치로서는 3롤 밀, 콜로이드 밀 및 샌드 그라인더를 포함하고, 3롤 밀이 바람직하다.

조립자

제 1 및 제 2 구체예의 실리콘 그리스 조성물에서, 만일 500-메시(체눈 25㎛) 위의 조립자의 분량이 조성물 기준으로 50 ppm을 초과하면, 원하는 방열 효과를 제공하기 위해 충분한 수준 아래로 조성물 층의 두께를 충분히 감소시키는 것이 불가능해진다. 따라서, 500-메시 위의 조립자 분량이 조성물의 중량 기준으로 50 ppm 이하, 바람직하게는 30 ppm 이하가 되어야 한다. 심지어 500-메시 위의 조립자 분량이 50 ppm 이하일 때도, 여전히 조성물에 다소 큰 입자 또는 조립자가 존재할 가능성이 존재한다. 그러면 원하는 방열 효과를 제공하기 위해 충분한 수준 아래로 조성물 층의 두께를 충분히 감소시키는 것이 불가능하다. 원하는 방열 효과를 달성하기 위해서 325-메시(체눈 45㎛) 위의 조립자의 분량은 실질적으로 0이 되어야 한다.

조립자는 500-메시 체(체눈 25㎛)를 통해 조성물을 직접 체질함으로써 실리콘 그리스 조성물로부터 제거될 수 있다. 그러나, 실제로 열 전도성 충전재로 충전된 실리콘 그리스 조성물을 체질하는 것은 어렵다. 따라서, 이전에 기술된 바와 같이, 화합하기 전에 열 전도성 충전재, 성분 (B) 또는 성분 (C-1) 및 (C-2)로부터 조립자를 제거하는 것이 권고된다.

위에서 언급한 바와 같이, 제 1 및 제 2 구체예의 실리콘 그리스 조성물은 500-메시(체눈 25㎛) 위의 조립자 분량이 조성물 기준으로 50 ppm 이하이고, 325-메시(체눈 45㎛) 위의 조립자 분량은 실질적으로 0이 되는 것을 만족해야 한다.

실리콘 그리스 조성물 중의 조립자의 중량은 톨루엔과 같이 실리콘 값을 용해시킬 수 있는 용매에 조성물의 알리콧을 용해시키고, 325-메시 체(체눈 45㎛)와 그 다음 500-메시 체(체눈 25㎛)을 통해 용액을 통과시키고, 체를 충분히 세척함으로써 측정된다. 500-메시 체에서의 잔여물을 건조시키고, 분말 종이 시트 위에 수집하고, 그 후에 그것의 중량을 측정한다.

실리콘 그리스 조성물, 특히 제 1 구체예의 방열 실리콘 그리스 조성물을 75 ㎛의 두께를 갖는 층으로서 금속 플레이트와 같은 경질 기판 사이에 도포하고 15분에 걸쳐서 0.15 MPa의 압력 하에서 압축시킬 때, 층은 25 ㎛ 이하, 특히 20 ㎛ 이하의 두께 아래로 쉽게 얇아진다. 통상적인 실시에서, 실리콘 그리스 조성물을 열-발생 부품과 열 싱크 사이에 도포하고, 열 싱크는 클립 등에 의해서 강제로 부품에 부착한다. 그러나, 현재 기기의 소향화, 경량화 경향 하에서는, 열 싱크를 부품에 강하게 가압할 수 있는 구조를 사용하는 것이 어렵다. 그러면 실리콘 그리스 조성물이 저압 하에서도 충분히 얇아지지 않으면 원하는 방열은 달성될 수 없다.

유동성이 적은 조성물은 디스펜스성이 나쁘기 때문에, 제 1 및 제 2 구체예의 실리콘 그리스 조성물은 바람직하게는 25℃에서 1,000 Pa?S 이하, 보다 바람직하게는 25℃에서 500 Pa?S 이하의 점도를 가져야 한다. 본원에서 사용된 바와 같은, 디스펜스성은 실리콘 그리스 조성물을 기판에 도포할 때의 작업의 용이함을 나타낸다. 디스펜스성이 나쁘다는 것은 압출수단을 갖는 시린지 또는 디스펜서로부터 조성물을 분배하고 조성물을 기판에 얇게 도포하는 것이 어렵다는 것을 의미한다. 조성물의 점도의 하한은 중요한 것은 아니지만, 바람직하게는 25℃에서 10 Pa?S 이상, 특히 25℃에서 100 Pa?S 이상이다.

또한, 실리콘 그리스 조성물, 특히 제 2 구체예의 방열 실리콘 그리스 조성물은 레이저 플래시 법에 의해 25℃에서 측정될 때, 바람직하게는 6 mm²ㆍK/W 이하, 보다 바람직하게는 4 mm²ㆍK/W 이하의 열저항을 가져야 한다. 6 mm²ㆍK/W을 초과하는 열저항을 갖는 조성물은 발열량이 많은 발열체에 적용하는데 부적합할 수 있다.

본 발명의 실리콘 그리스 조성물은 대폭 향상된 열 전도율과 양호한 작업성의 이점을 가진다.

실시예

본 발명의 실시예는 한정하려는 것이 아니라 예증으로서 아래에 주어진다. 실시예에서, 평균 입경은 Microtrac, Inc.의 입경 분석기 모델 MT3000에 의해 측정될 때 누적 평균 입경이고, 동점도는 25℃에서 Ostwald 점도계에 의해 측정된다.

실시예 1-5 및 비교에 1-5

방열 실리콘 그리스 조성물은 아래에 확인된 성분(A)와 (B)를 사용하고, 그들을 표 1과 2에 기재한 양으로 5-리터 플래너터리 믹서(Inoue Mfg.Inc.의 상표명)에 투입하고, 그들을 실온에서 1시간동안 교반함으로써 제조되었다. 이들 실리콘 그리스 조성물의 특성은 아래에 확인된 방법에 의해 측정되었고, 그 결과는 표 1과 2에 나와있다.

성분 (A)

A-i : 390 mm²/s의 동점도를 갖는 하기 화학식의 오가노폴리실록산

A-ii : 500 mm²/s의 동점도를 갖는 하기 화학식의 오가노폴리실록산

성분 (B)

B-i: 알루미늄 분말, 열 전도율 237 W/m℃, 평균 입경 1.9 ㎛, 500-메시 통과품

B-ii: 산화아연 분말, 열 전도율 54 W/m℃, 평균 입경 0.3 ㎛, 기류분급품

B-iii: 구리 분말, 열 전도율 398 W/m℃, 평균 입경 6.9 ㎛, 기류분급품

B-iv: 알루미늄 분말, 열 전도율 237 W/m℃, 평균 입경 6.5 ㎛, 분급없음

B-v: 구리 분말, 열 전도율 398 W/m℃, 평균 입경 7.2 ㎛, 분급없음

시험편의 제작

75㎛의 두께를 갖는 실리콘 그리스 조성물의 층을 12.6 mm의 직경과 1 mm의 두께를 갖는 한쌍의 알루미늄 디스크 사이에 끼웠다. 0.15 MPa의 압력을 15분에 걸쳐서 층에 가하고, 시험편을 완성하였다.

점도

실리콘 그리스 조성물의 점도는 Malcom 점도계 타입 PC-1T에 의해 25℃에서 측정되었다.

실리콘 그리스 조성물의 두께

시험편의 총 두께는 마이크로미터(Mitsutoyo Co.,Ltd.)에 의해 측정되었다. 압축된 실리콘 그리스 조성물 층의 두께는 전체 두께로부터 두개의 알루미늄 디스크의 두께를 뺌으로써 계산되었다.

325-메시 체(눈 45 ㎛) 오버사이즈

200ml 플라스틱 병을 50g의 실리콘 그리스 조성물과 100g의 톨루엔으로 채웠고, 마개로 밀폐하고, 실리콘 그리스 조성물이 철저히 분산될 때까지 진탕하였다. 분산된 액체를 325-메시 체(눈 45 ㎛) 위에 붓고, 이것을 톨루엔으로 충분히 세척하였다. 체를 건조기에 넣고 건조시켰다. 325-메시 체의 건조 오버사이즈(조립 자)를 분말 종이 시트위로 이동시켰고, 눈으로 관찰하였다. 샘플은 조립자가 눈으로 발견되지 않을때 "무"로 간주되고 하나 이상의 조립자가 눈으로 관찰될때 "존재"로 간주되었다.

500-메시 체(눈 25㎛) 오버사이즈

200-ml 플라스틱 병을 325-메시 체 오버사이즈 시험에서 "무"로 간주된 (즉, 어떤 조립자도 발견되지 않음) 50g의 실리콘 그리스 조성물과 100g의 톨루엔으로 채우고, 마개로 밀폐하고, 실리콘 그리스 조성물이 철저히 분산될 때까지 진탕하였다. 분산된 액체를 500-메시 체(눈 25 ㎛)위에 붓고, 이것을 톨루엔으로 충분히 세척하였다. 체를 건조기에 넣고 건조시켰다. 500-메시 체의 건조 오버사이즈(조립자)를 분말 종이 시트위로 이동시켰고, 계량하였다. 실리콘 그리스 조성물에 대한 500-메시 오버사이즈 조립자의 양(ppm)을 계산하였다.

열저항

압축된 실리콘 그리스 조성물 층의 두께를 결정한 후에, 시험편과 Holometrix Micromet Inc.의 분석기 모델 Microflash 300을 사용하여 실리콘 그리스 조성물의 열 저항을 측정하였다.

실시예 6-10 및 비교예 6-10

열 전도성 실리콘 그리스 조성물은 아래에서 확인된 성분들을 사용하여, 하기 과정에 의해 제조되었다.

성분 (A)

A-i: 390 mm²/s의 동점도를 갖는 하기 식의 오가노폴리실록산

A-iii: 600 mm²/s의 동점도를 갖는 하기 식의 오가노폴리실록산

성분 (C-1)

C-1-i : 구리 분말, 평균 입경 10.1 ㎛, 기류 분급품, 산소 함량 0.03 질량%

C-1-ii : 구리 분말, 평균 입경 10.1 ㎛, 기류 분급품, 산소 함량 1.4 질량%

C-1-iii : 구리 분말, 평균 입경 12.3 ㎛, 분급없음, 산소 함량 0.2 질량%

성분 (C-1)의 산소 함량은 JIS Z2613의 비활성 융해-IR 스펙트로스코피에 따라서 측정되었다. 사용된 분석기는 Horoba Mfg.Co..Ltd.제의 산소/질소 분석기 EMGA-523였다.

성분 (C-2)

C-2-i : 알루미늄 분말, 평균 입경 1.4 ㎛, 500-메시 통과품

C-2-ii : 산화아연 분말, 평균 입경 0.5 ㎛, 기류 분급품

C-2-iii : 알루미늄 분말, 평균 입경 6.5 ㎛, 분급없음

성분 (D)

D-i :하기식의 알콕시실란

C₁₀H₂₁Si(OCH₃)₃

D-ii :하기식의 가수분해성 메틸폴리실록산

제조방법

열 전도성 실리콘 그리스 조성물은 표 3 및 4에 기재된 양으로 성분 (A) 내지 (D)를 계량하고, 그들을 플래너터리 믹서(Inoue Mfg.Inc.)에 주입하고, 실온에서 1시간동안 교반함으로써 제조하였다.

시험

이들 실리콘 그리스 조성물의 특성을 아래에 확인된 방법에 의해 측정하였고, 결과는 표 3과 4에 기재된다.

시험편의 제작

75 ㎛의 두께를 갖는 실리콘 그리스 조성물의 층을 12.6 mm의 직경과 1mm의 두께를 갖는 한쌍의 알루미늄 디스크 사이에 끼워넣었다. 0.15 MPa의 압력을 60분에 걸쳐서 층에 인가하고, 시험편을 완성하였다.

점도

실리콘 그리스 조성물을 서머스탯 챔버에 25℃에서 24시간동안 방치한 후에, 그것의 점도를 10 rpm에서 Malcom 점도계에 의해 측정하였다.

다르게는, 실리콘 그리스 조성물의 두께, 열 저항, 325-메시 체 오버사이즈 및 500-메시 체 오버사이즈를 실시예 1에와 같이 결정하였다.

방열 및 열전도 특성이 우수한 방열 실리콘 그리스 조성물이 제공되고, 이것은 뛰어난 열전도와 방열 효과를 발휘하기에 충분히 감소된 두께를 갖는 코팅으로 도포될 수 있다.

Claims

(A) 하기 평균조성식 (1)

R¹ _aSiO_(4-a)/2???(1)

(상기 식에서, R¹은 독립적으로 탄소수 1～18의 1가 탄화수소기이고, a는 1.8≤a≤2.2이다.)

로 표시되고, 25℃에서 동점도가 50～100,000 mm²/s인 오가노폴리실록산: 10체적% 이상 35체적% 이하,

(C-1) 평균입경이 5.0～15.0㎛이고, 산소성분이 0.1질량% 이하인 구리 분말: 60～85체적%, 및

(D-1) 하기 일반식 (2)

R² _bR³ _cSi(OR⁴)_4-b-c ???(2)

(상기 식에서, R²는 탄소수 9～15의 알킬기이고, R³는 탄소수 1～8의 1가 탄화수소기이고, R⁴는 탄소수 1～6의 알킬기이고, b는 1～3의 정수이고, c는 0～2의 정수이고, b+c는 1～3의 정수이다.)

로 표시되는 알콕시실란: 0.1～5체적%를 함유하고,

(D-1)성분과 (A)성분의 합계량이 40체적% 이하인 실리콘 그리스 조성물로서,

500메시(체눈 25㎛) 위의 조립자의 분량이 상기 실리콘 그리스 조성물 중 50 ppm 이하이고, 325메시(체눈 45㎛) 위의 조립자의 분량은 0인 것을 특징으로 하는 실리콘 그리스 조성물.
(A) 하기 평균조성식 (1)

R¹ _aSiO_(4-a)/2???(1)

(상기 식에서, R¹은 독립적으로 탄소수 1～18의 1가 탄화수소기이고, a는 1.8≤a≤2.2이다.)

로 표시되고, 25℃에서 동점도가 50～100,000 mm²/s인 오가노폴리실록산: 10체적% 이상 35체적% 이하,

(C-1) 평균입경이 5.0～15.0㎛이고, 산소성분이 0.1질량% 이하인 구리 분말: 60～85체적%, 및

(D-2) 하기 일반식 (3)

???(3)

(상기 식에서, R⁴는 탄소수 1～6의 알킬기이고, d는 5～100의 정수이다.)

로 표시되는 편말단 3관능의 가수분해성 메틸폴리실록산: 0.1～10체적%를 함유하고,

(D-2)성분과 (A)성분의 합계량이 40체적% 이하인 실리콘 그리스 조성물로서,

500메시(체눈 25㎛) 위의 조립자의 분량이 상기 실리콘 그리스 조성물 중 50 ppm 이하이고, 325메시(체눈 45㎛) 위의 조립자의 분량은 0인 것을 특징으로 하는 실리콘 그리스 조성물.
(A) 하기 평균조성식 (1)

R¹ _aSiO_(4-a)/2???(1)

(상기 식에서, R¹은 독립적으로 탄소수 1～18의 1가 탄화수소기이고, a는 1.8≤a≤2.2이다.)

로 표시되고, 25℃에서 동점도가 50～100,000 mm²/s인 오가노폴리실록산: 10체적% 이상 35체적% 이하,

(C-1) 평균입경이 5.0～15.0㎛이고, 산소성분이 0.1질량% 이하인 구리 분말: 60～85체적%,

(D-1) 하기 일반식 (2)

R² _bR³ _cSi(OR⁴)_4-b-c ???(2)

(상기 식에서, R²는 탄소수 9～15의 알킬기이고, R³는 탄소수 1～8의 1가 탄화수소기이고, R⁴는 탄소수 1～6의 알킬기이고, b는 1～3의 정수이고, c는 0～2의 정수이고, b+c는 1～3의 정수이다.)

로 표시되는 알콕시실란: 0.1～5체적%, 및

(D-2) 하기 일반식 (3)

???(3)

(상기 식에서, R⁴는 탄소수 1～6의 알킬기이고, d는 5～100의 정수이다.)

로 표시되는 편말단 3관능의 가수분해성 메틸폴리실록산: 0.1～10체적%를 함유하고,

(D-1)성분과 (D-2)성분과 (A)성분의 합계량이 40체적% 이하인 실리콘 그리스 조성물로서,

500메시(체눈 25㎛) 위의 조립자의 분량이 상기 실리콘 그리스 조성물 중 50 ppm 이하이고, 325메시(체눈 45㎛) 위의 조립자의 분량은 0인 것을 특징으로 하는 실리콘 그리스 조성물.
제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서, 식 (1)의 R¹은 탄소수 6～18의 알킬기를 함유하는 것을 특징으로 하는 실리콘 그리스 조성물.
제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서, (C-1) 성분 이외의 다른 열 전도성 충전재로서, 0.1～5.0 ㎛의 평균입경을 갖는 (C-2) 성분을 1～28.8체적% 더 포함하고, 다만 (C-1) 성분과 (C-2) 성분의 합계량은 60～90체적%인 것을 특징으로 하는 실리콘 그리스 조성물.
제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서, 25℃에서의 점도가 10～1,000 Pa?S인 것을 특징으로 하는 실리콘 그리스 조성물.
제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서, 레이저 플래시법으로 측정한 25℃에서의 열저항이 6 mm²ㆍK/W 이하인 것을 특징으로 하는 실리콘 그리스 조성물.
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