KR101094587B1 - 레지스트 재료 및 이것을 이용한 패턴 형성 방법 - Google Patents

레지스트 재료 및 이것을 이용한 패턴 형성 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR101094587B1
KR101094587B1 KR1020080029062A KR20080029062A KR101094587B1 KR 101094587 B1 KR101094587 B1 KR 101094587B1 KR 1020080029062 A KR1020080029062 A KR 1020080029062A KR 20080029062 A KR20080029062 A KR 20080029062A KR 101094587 B1 KR101094587 B1 KR 101094587B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
group
carbon atoms
bis
acid
branched
Prior art date
Application number
KR1020080029062A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20080088509A (ko
Inventor
도모히로 고바야시
준 하따께야마
유지 하라다
Original Assignee
신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 filed Critical 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤
Publication of KR20080088509A publication Critical patent/KR20080088509A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101094587B1 publication Critical patent/KR101094587B1/ko

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/0046—Photosensitive materials with perfluoro compounds, e.g. for dry lithography
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/0045—Photosensitive materials with organic non-macromolecular light-sensitive compounds not otherwise provided for, e.g. dissolution inhibitors
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
    • G03F7/0392—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
    • G03F7/0392—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition
    • G03F7/0395—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition the macromolecular compound having a backbone with alicyclic moieties
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
    • G03F7/0392—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition
    • G03F7/0397—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition the macromolecular compound having an alicyclic moiety in a side chain
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2041—Exposure; Apparatus therefor in the presence of a fluid, e.g. immersion; using fluid cooling means
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S430/00—Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
    • Y10S430/1053—Imaging affecting physical property or radiation sensitive material, or producing nonplanar or printing surface - process, composition, or product: radiation sensitive composition or product or process of making binder containing
    • Y10S430/1055—Radiation sensitive composition or product or process of making
    • Y10S430/106—Binder containing
    • Y10S430/108—Polyolefin or halogen containing
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S430/00—Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
    • Y10S430/1053—Imaging affecting physical property or radiation sensitive material, or producing nonplanar or printing surface - process, composition, or product: radiation sensitive composition or product or process of making binder containing
    • Y10S430/1055—Radiation sensitive composition or product or process of making
    • Y10S430/106—Binder containing
    • Y10S430/111—Polymer of unsaturated acid or ester
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S430/00—Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
    • Y10S430/1053—Imaging affecting physical property or radiation sensitive material, or producing nonplanar or printing surface - process, composition, or product: radiation sensitive composition or product or process of making binder containing
    • Y10S430/1055—Radiation sensitive composition or product or process of making
    • Y10S430/114—Initiator containing
    • Y10S430/12—Nitrogen compound containing
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S430/00—Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
    • Y10S430/1053—Imaging affecting physical property or radiation sensitive material, or producing nonplanar or printing surface - process, composition, or product: radiation sensitive composition or product or process of making binder containing
    • Y10S430/1055—Radiation sensitive composition or product or process of making
    • Y10S430/114—Initiator containing
    • Y10S430/12—Nitrogen compound containing
    • Y10S430/121—Nitrogen in heterocyclic ring

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)
  • Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

본 발명은 산에 의해서 알칼리 용해성이 변화하는 기재 수지가 되는 고분자 화합물과, 고분자 첨가제로서 카르복실산암모늄염을 갖는 반복 단위와 1개 이상의 불소 원자를 갖는 반복 단위를 공중합한 고분자 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 레지스트 재료에 관한 것이다.
본 발명은 패턴의 직사각형성과 마스크 충실성이 우수한 레지스트 재료를 제공할 수 있다. 또한, 본 발명의 레지스트 재료를 이용하여 형성한 포토레지스트막은 레지스트막 표면을 친수성화함으로써, 현상 후 레지스트막 상의 브로브 결함의 발생을 방지할 수 있다. 또한, 액침 노광용의 레지스트 보호막과의 믹싱을 방지함으로써 패턴 형상의 열화를 방지할 수 있다.
레지스트 재료, 고분자 첨가제, 카르복실산암모늄염, 직사각형성, 마스크 충실성

Description

레지스트 재료 및 이것을 이용한 패턴 형성 방법{Resist Composition and Patterning Process}
본 발명은 반도체 소자 등의 제조 공정에서의 미세 가공, 예를 들면 파장 193 nm의 ArF 엑시머 레이저를 광원으로 하는 리소그래피, 특히 투영 렌즈와 웨이퍼 사이에 물을 삽입하는 액침 포토리소그래피에서 이용하는 레지스트 재료, 및 이것을 이용한 레지스트 패턴의 형성 방법에 관한 것이다.
최근 LSI의 고집적화와 고속도화에 따라 패턴룰의 미세화가 요구되고 있는 가운데, 현재 범용 기술로서 이용되고 있는 광 노광에서는, 광원의 파장에서 유래하는 본질적인 해상도의 한계에 근접하고 있다.
이제까지 레지스트 패턴 형성시에 사용하는 노광 광으로서, 수은등의 g선(436 nm) 또는 i선(365 nm)을 광원으로 하는 광 노광이 널리 이용되었다. 또한, 추가적인 미세화를 위한 수단으로서, 노광 파장을 단파장화하는 방법이 유효하여, 64 M 비트(가공 치수가 0.25 ㎛ 이하) DRAM(다이나믹·랜덤·액세스·메모리) 이후의 양산 공정에는, 노광 광원으로서 i선(365 nm) 대신에 단파장의 KrF 엑시머 레이저(248 nm)가 이용되었다.
그러나, 더욱 미세한 가공 기술(가공 치수가 0.2 ㎛ 이하)을 필요로 하는 집적도 256 M 및 1 G 이상의 DRAM의 제조에는 보다 단파장의 광원이 필요해지고, 10년 정도 전부터 ArF 엑시머 레이저(193 nm)를 이용한 포토리소그래피가 본격적으로 검토되어 왔다.
당초 ArF 리소그래피는 180 nm 노드의 디바이스 제조부터 적용될 것이었지만, KrF 엑시머 리소그래피는 130 nm 노드 디바이스 양산까지 연명되어, ArF 리소그래피의 본격 적용은 90 nm 노드부터이다. 또한, NA를 0.9까지 높인 렌즈와 조합하여 65 nm 노드 디바이스의 검토가 행해지고 있다.
다음 45 nm 노드 디바이스에는 노광 파장의 단파장화가 추진되어, 파장 157 nm의 F2 리소그래피가 후보에 올랐다. 그러나, 투영 렌즈에 고가의 CaF2 단결정을 대량으로 이용함으로써 스캐너의 비용 상승, 소프트 펠리클의 내구성이 매우 낮아 하드 펠리클 도입에 따른 광학계의 변경, 레지스트막의 에칭 내성 저하 등의 여러 가지 문제에 의해 F2 리소그래피의 추진과, ArF 액침 리소그래피의 조기 도입이 제창되었다(비특허 문헌 1 참조).
ArF 액침 리소그래피에서, 투영 렌즈와 웨이퍼 사이에 물을 함침시키는 것이 제안되어 있다. 193 nm에서의 물의 굴절률은 1.44이고, NA 1.0 이상의 렌즈를 사용하여도 패턴 형성이 가능하여, 이론상으로는 NA를 1.35까지 올릴 수 있다. NA의 향상분만큼 해상력이 향상되어, NA 1.2 이상의 렌즈와 강한 초해상 기술의 조합으로 45 nm 노드의 가능성이 나타나 있다(비특허 문헌 2 참조).
그러나 회로 선폭의 축소에 따라, 레지스트 재료에서는 산 확산에 의한 콘트라스트 열화의 영향이 한층 심각해져 왔다. 이는 패턴 치수가 산의 확산 길이에 근접하기 때문이고, 마스크 충실성의 저하나 패턴 직사각형성의 열화를 초래한다. 따라서, 광원의 단파장화 및 고NA화에 의한 이점을 충분히 얻기 위해서는, 종래 재료 이상으로 용해 콘트라스트의 증대, 또는 산 확산의 억제가 필요해진다.
또한, 액침 리소그래피에서는 레지스트막 위에 물이 존재함으로써 여러 가지 문제가 지적되었다. 즉, 레지스트 조성물 중 광산 발생제나, 광 조사에 의해 발생한 산, 억제제로서 레지스트막에 첨가되어 있는 아민 화합물이 접촉하고 있는 물에 용출하는 것(리칭)에 의한 패턴 형상 변화, 포토레지스트막의 수팽윤에 의한 패턴 흐트르러짐 등을 들 수 있다.
특히, 레지스트 조성물의 물에의 용출에 대해서는, 당초는 노광 장치의 투영 렌즈에의 오염 방지의 관점에서 검토가 개시되고, 복수개의 노광 장치 메이커로부터 용출량 규격이 제안되었다.
이 문제를 해결하는 방법으로서, 레지스트막과 물과 사이에 퍼플루오로알킬화합물로 이루어지는 보호막을 설치하는 것이 유효하다는 것이 제안되어 있다(비특허 문헌 3 참조)
이들의 보호막을 형성함으로써, 포토레지스트막과 물과의 직접적인 접촉을 피할 수 있기 때문에, 포토레지스트 조성물의 물에의 용출을 억제하는 것이 가능해진다.
그러나, 상기 퍼플루오로알킬 화합물을 포함하는 보호막은 도포막 두께를 제 어하기 위한 희석액에 프론 등이 이용되고 있어, 주지된 바와 같이 프론은 현재 환경 보전의 관점에서 그 사용이 문제가 되고 있다. 또한, 포토레지스트막의 현상 전에, 이 보호막을 프론으로 박리해야만 하기 때문에, 종래 장치에 보호막 전용의 도포, 및 박리용 유닛을 증설해야만 한다거나, 프론계 용제의 비용이 커지는 등 실용면에서의 문제가 컸다.
이들 용제 박리형의 보호막 사용에 따른 실용면에서의 결점을 경감하는 수단으로서, 알칼리 현상액 가용형의 보호막이 제안되어 있다(특허 문헌 1 참조).
이러한 알칼리 현상액 가용형의 보호막은 포토레지스트막의 현상 공정에서 동시에 용해 제거를 할 수 있기 때문에, 보호막 박리 공정의 추가나 전용 박리 유닛을 필요로 하지 않는다는 점에서 획기적이라 할 수 있다.
한편, 현재까지 시판되고 있는 ArF 액침 노광 장치는 모두 레지스트막이 도포된 기판 전체를 수 중에 침지하는 것이 아닌, 투영 렌즈와 웨이퍼 사이에 부분적으로 물을 유지하고, 웨이퍼의 실린 스테이지를 300 내지 550 mm 매초의 속도로 주사하면서 노광하는 방식으로 되어 있다. 이와 같이 고속인 주사에 의해 투영 렌즈와 웨이퍼 사이에 물을 유지할 수 없고, 주사 후의 포토레지스트 표면 또는 보호막 표면에 액적을 남긴다는 문제가 발생하고 있다. 이와 같이 액적을 남기면 패턴 형성 불량을 유발한다고 생각되고 있다.
노광 주사 후의 포토레지스트 표면 또는 보호막 표면에의 액적 잔여물을 해소하기 위해서는, 이들 도포막 상에서의 물의 이동 용이성을 개선할 필요가 있다. 액침 노광에 의한 결함수를 감소시키기 위해서는, 포토레지스트막 또는 보호막 상 의 물방울을 이동시켰을 때의 후퇴 접촉각을 높게 하는 것이 유효하다는 것이 나타나 있다(비특허 문헌 4 참조). 후퇴 접촉각의 측정 방법으로는 기판을 기울이는 전락법과 물을 빨아 들이는 흡인법을 들 수 있지만, 전락법이 일반적으로 이용되고 있다.
현상 후의 레지스트막 상에 발생하는 브로브라 불리는 잔사 결함이 문제가 되고 있다. 이는 현상 후의 린스시에 석출된 보호막 또는 레지스트 재료가 레지스트막 상에 재부착한 것이라 생각되고 있고, 현상 후의 레지스트막의 소수성이 높은 경우에 현저히 발생한다. 보호막을 이용한 액침 리소그래피용의 레지스트에서, 보호막과 레지스트막과의 혼합에 의해서 현상 후의 레지스트막 표면에 소수성이 높은 보호막이 잔존하고, 레지스트막 상에 브로브 결함이 발생한다. 현상 후에 보호막이 남지 않도록 보호막과 레지스트막과의 믹싱을 막아 줄 필요가 있다.
전자선 노광 리소그래피에서, 노광 중 레지스트의 차지업이 문제가 되고 있다. 차지업을 방지하기 위해서, 포토레지스트막 상에 수용성의 대전 방지막을 형성하는 것이 행해지고 있다. 대전 방지막으로는 수용성 중합체에 술폰산의 암모늄염 등이 첨가된 재료가 사용되고 있다. 전자빔 노광에서 발생한 마이너스 전하는, 대전 방지막을 통과시켜 웨이퍼 체크의 어스로 이동시켜 방출된다. 그런데, 포토레지스트막 상에 대전 방지막을 형성하는 경우, 대전 방지막을 도포한다는 새로운 공정의 추가와, 대전 방지막 재료의 비용이 늘어나게 되어 바람직하지 않다. 대전 방지막을 필요로 하지 않는 대전 방지 기능을 갖는 포토레지스트 재료의 개발이 요망되고 있다.
[특허 문헌 1] 일본 특허 공개 제2005-264131호 공보
[비특허 문헌 1] Proc. SPIE Vol. 4690 xxix
[비특허 문헌 2] Proc. SPIE Vol. 5040 p724
[비특허 문헌 3] 2nd Immersion Work Shop, July 11, 2003, Resist and Cover Material Investigation for Immersion Lithography
[비특허 문헌 4] 2nd International Symposium on Immersion Lithography, 12-15/Sept., 2005, Defectivity data taken with a full-field immersion exposure tool, Nakano et., al.
본 발명은 이러한 문제점을 감안하여 이루어진 것으로, 도포 후 포토레지스트 표층의 개질에 의해서 용해 콘트라스트를 향상시킴으로써, 패턴의 직사각형성을 향상시키고, 또한 마스크 충실성을 개선시키고, 동시에 액침 리소그래피에서는 레지스트 상에 보호막층을 형성했을 때의 레지스트막과 보호막과의 믹싱층의 발생을 억제하고, 노광 현상 후의 레지스트 표면의 친수성을 높임으로써 브로브 결함의 발생을 억제할 수 있고, 추가로 전자선 레지스트로 한 경우는 레지스트막 표면이 전하를 띰으로써 전자선 노광 중에 발생한 차지업을 방지하는 효과를 제공하는 레지스트 재료 및 패턴 형성 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은 상기 과제를 해결하기 위해 이루어진 것으로, 산에 의해서 알칼리 용해성이 변화하는 기재 수지가 되는 고분자 화합물과, 고분자 첨가제로서 카르복실산암모늄염을 갖는 반복 단위와 1개 이상의 불소 원자를 갖는 반복 단위를 공중합한 고분자 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 레지스트 재료를 제안하는 것이다(청구항 1).
상기 카르복실산암모늄염을 갖는 반복 단위와 1개 이상의 불소 원자를 갖는 반복 단위를 공중합한 고분자 화합물이 하기 화학식 1로 표시되는 것이 바람직하다(청구항 2).
Figure 112008022762124-pat00001
식 중, R0, R3, R5, R8은 각각 독립적으로 수소 원자 또는 메틸기를 나타낸다. X1, Y2는 각각 독립적으로 단결합, -O-R10-, -C(=O)-O-R10- 또는 -C(=O)-NH-R10-, 탄소수 1 내지 4의 직쇄상 또는 분지상의 알킬렌기, 또는 페닐렌기이다. R10은 탄소수 1 내지 10의 직쇄상, 분지상 또는 환상 알킬렌기이고, 에스테르기(-COO) 또는 에테르기(-O-)를 가질 수도 있다. n은 1 또는 2이고, n=1의 경우, Y1은 단결합, -O-R10-, -C(=O)-O-R10- 또는 -C(=O)-NH-R10-, 탄소수 1 내지 4의 직쇄상 또는 분지상의 알킬렌기, 또는 페닐렌기이며, R10은 상기한 바와 같다. n=2의 경우, Y1은 -O-R101=, -C(=O)-O-R101= 또는 -C(=O)-NH-R101=, 탄소수 1 내지 4의 직쇄상 또는 분지상의 알킬렌기로부터 추가로 수소 원자가 1개 이탈한 기, 또는 페닐렌기로부터 추가로 수소 원자가 1개 이탈한 기이고, R101은 탄소수 1 내지 10의 직쇄상, 분지상 또는 환상 알킬렌기로부터 추가로 수소 원자가 1개 이탈한 기이며, 에스테르기 또 는 에테르기를 가질 수도 있다. X2는 단결합, -O-R11- 또는 -C(=O)-O-R11-, 탄소수 1 내지 4의 직쇄상 또는 분지상의 알킬렌기, 또는 페닐렌기이다. R11은 탄소수 1 내지 10의 직쇄상, 분지상 또는 환상 알킬렌기이고, 에스테르기 또는 에테르기를 가질 수도 있고, 불소 원자를 가질 수도 있다. R1, R4는 동일하거나 상이한 수소 원자, 탄소수 1 내지 20의 직쇄상, 분지상 또는 환상 알킬기, 또는 탄소수 2 내지 20의 알케닐기이고, 히드록시기, 에테르기, 에스테르기, 시아노기, 아미노기, 2중 결합 또는 할로겐 원자를 가질 수도 있거나, 또는 탄소수 6 내지 10의 아릴기이고, R1끼리, R4끼리 결합하여 탄소수 3 내지 20의 환을 형성할 수도 있다. R2는 탄소수 1 내지 20의 직쇄상, 분지상 또는 환상 알킬기, 탄소수 2 내지 20의 알케닐기, 또는 탄소수 6 내지 14의 아릴기이고, 히드록시기, 에테르기, 에스테르기, 시아노기, 아미노기, 2중 결합 또는 할로겐 원자를 가질 수도 있다. R6은 탄소수 1 내지 12의 직쇄상, 분지상 또는 환상 알킬렌기이고, R7은 수소 원자, 불소 원자, 메틸기, 트리플루오로메틸기 또는 디플루오로메틸기이거나, 또는 R6과 결합하여 환을 형성할 수도 있고, 환 중에 에테르기, 불소로 치환된 알킬렌기 또는 트리플루오로메틸기를 가질 수도 있다. R9는 탄소수 1 내지 20의 직쇄상, 분지상 또는 환상 알킬기이고, 1개 이상의 불소 원자로 치환되어 있고, 에테르기, 에스테르기, 또는 술폰아미드기 를 가질 수도 있다. 0≤(a-1)<1.0, 0≤(a-2)<1.0, 0<(a-1)+(a-2)<1.0, 0≤(b-1)<1.0, 0≤(b-2)<1.0, 0<(b-1)+(b-2)<1.0, 0.5≤(a-1)+(a-2)+(b-1)+(b-2)≤1.0이다.
상기 레지스트 재료는 화학 증폭 포지티브형 레지스트 재료일 수도 있고(청구항 3), 또는 화학 증폭 네가티브형 레지스트 재료일 수도 있지만(청구항 5), 포지티브형 레지스트 재료의 경우, 기재 수지가 적어도 산불안정기를 갖는 반복 단위, 및 히드록시기 및/또는 락톤환의 밀착성기를 갖는 반복 단위를 포함하는 것이 바람직하다(청구항 4).
이러한 화학 증폭 포지티브형 레지스트 재료이면, 기재 수지가 히드록시기 및/또는 락톤환의 밀착성기를 갖는 반복 단위를 포함함으로써, 기판과의 높은 밀착성을 실현할 수 있다. 또한, 기재 수지가 산불안정기를 갖는 반복 단위를 가짐으로써, 노광시에 산 발생제가 발생하는 산에 의해 산불안정기를 이탈시켜, 레지스트 노광부를 현상액에 용해시키도록 변환함으로써, 매우 고정밀도인 패턴을 얻을 수 있다.
또한, 상기 레지스트 재료가 추가로 유기 용제, 염기성 화합물, 용해 제어제, 가교제 및 계면활성제 중 어느 하나 이상을 함유하는 것이 바람직하다(청구항 6).
이와 같이 추가로 유기 용제를 배합함으로써, 예를 들면 레지스트 재료의 기판 등에의 도포성을 향상시킬 수 있고, 염기성 화합물을 배합함으로써, 레지스트막 중에서의 산의 확산 속도를 억제하고, 해상도를 한층 향상시킬 수 있으며, 용해 제 어제를 배합함으로써, 노광부와 미노광부와의 용해 속도의 차를 한층 크게 할 수 있고, 해상도를 한층 향상시킬 수 있으며, 계면활성제를 첨가함으로써 레지스트 재료의 도포성을 한층 향상 또는 제어할 수 있다. 또한, 화학 증폭 네가티브형 레지스트 재료의 경우는 가교제를 배합한다.
또한, 적어도, 상기 레지스트 재료를 기판 상에 도포하는 공정과, 가열 처리 후 고에너지선으로 노광하는 공정과, 현상액을 이용하여 현상하는 공정을 포함하는 패턴 형성 방법이 제공된다(청구항 7).
물론, 노광 후 가열 처리를 가한 후에 현상할 수도 있고, 에칭 공정, 레지스트 제거 공정, 세정 공정 등 그 밖의 각종 공정이 행해질 수도 있는 것은 물론이다.
이 경우, 상기 고에너지선을 파장 180 내지 250 nm의 범위의 것으로 하는 것이 바람직하다(청구항 8).
또한, 상기 고에너지선으로 노광하는 공정을 액체를 통해 노광하는 액침 노광에 의해 행할 수 있고(청구항 9), 상기 액침 노광에서 레지스트막과 액체 사이에 보호막을 형성하여 투영 렌즈 사이에 액체를 삽입하고, 상기 액체를 통해 상기 기판을 노광할 수 있다(청구항 10).
상기 액침 노광에서 포토레지스트막과 액체 사이에 설치하는 보호막으로서, α트리플루오로메틸히드록시기를 갖는 고분자 화합물을 기재로 하는 알칼리 가용형 보호막을 이용한다(청구항 11).
상기 액침 노광에서 180 내지 250 nm의 범위의 노광 파장을 이용하고, 상기 레지스트 재료와 보호막을 도포한 기판과 투영 렌즈 사이에 액체를 삽입하고, 상기 액체를 통해 상기 기판을 노광할 수 있다(청구항 12).
또한, 상기 액체로서 물을 사용할 수 있다(청구항 13).
본 발명은 패턴의 직사각형성과 마스크 충실성이 우수한 레지스트 재료를 제공할 수 있다. 또한, 본 발명의 레지스트 재료를 이용하여 형성한 포토레지스트막은 레지스트막 표면을 친수성화함으로써, 현상 후 레지스트막상의 브로브 결함의 발생을 방지할 수 있다. 또한, 액침 노광용의 레지스트 보호막과의 믹싱을 방지함으로써 패턴 형상의 열화를 방지할 수 있다.
이하, 본 발명의 실시 형태에 대해서 설명하지만, 본 발명이 이것으로 한정되는 것은 아니다.
본 발명자들은 상기한 문제를 해결하기 위해서 예의 검토 및 연구를 거듭한 결과, 특정한 고분자 화합물(고분자 첨가제)을 배합하여 이루어지는 포토레지스트 재료가 (1) 매우 높은 해상성을 나타내고, 특히 패턴의 직사각형성과 마스크 충실성이 우수하다는 것을 지견하기에 이르렀다. 또한, 포토레지스트막 위에 보호막을 이용하여 보호막과 투영 렌즈 사이에 물을 삽입하는 액침 리소그래피 공정에서, 상기 포토레지스트막이 (2) 보호막층과 포토레지스트막층과의 인터믹싱을 방지하고, (3) 현상 후의 레지스트 표면을 보다 친수성화시킴으로써 결함의 발생을 방지하는 것을 발견하여 본 발명을 완성시켰다.
즉, 본 발명은 산에 의해서 알칼리 용해성이 변화하는 기재 수지가 되는 고분자 화합물과, 고분자 첨가제로서 카르복실산암모늄염을 갖는 반복 단위와 1개 이상의 불소 원자를 갖는 반복 단위를 공중합한 고분자 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 레지스트 재료이다.
카르복실산암모늄염을 갖는 반복 단위와 1개 이상의 불소 원자를 갖는 반복 단위는 하기 화학식 1로 표시되는 것이 바람직하다.
<화학식 1>
Figure 112008022762124-pat00002
(식 중, R0, R3, R5, R8은 각각 독립적으로 수소 원자 또는 메틸기를 나타낸다. X1 및 Y2는 각각 독립적으로 단결합, -O-R10-, -C(=O)-O-R10- 또는 -C(=O)-NH-R10-, 탄소수 1 내지 4의 직쇄상 또는 분지상의 알킬렌기, 또는 페닐렌기이다. R10은 탄소수 1 내지 10의 직쇄상, 분지상 또는 환상 알킬렌기이고, 에스테르기(-COO-) 또는 에테르기(-O-)를 가질 수도 있다. n은 1 또는 2이고, n=1의 경우, Y1은 단결합, -O-R10-, -C(=O)-O-R10- 또는 -C(=O)-NH-R10-, 탄소수 1 내지 4의 직쇄상 또는 분지상의 알킬렌기, 또는 페닐렌기이고, R10은 상기한 바와 같다. n=2의 경우, Y1은 -O-R101=, -C(=O)-O-R101= 또는 -C(=O)-NH-R101=, 탄소수 1 내지 4의 직쇄상 또는 분지상의 알킬렌기로부터 추가로 수소 원자가 1개 이탈한 기, 또는 페닐렌기로부터 추가로 수소 원자가 1개 이탈한 기이고, R101은 탄소수 1 내지 10의 직쇄상, 분지상 또는 환상 알킬렌기로부터 추가로 수소 원자가 1개 이탈한 기이며, 에스테르기 또는 에테르기를 가질 수도 있다. X2는 단결합, -O-R11- 또는 -C(=O)-O-R11-, 탄소수 1 내지 4의 직쇄상 또는 분지상의 알킬렌기, 또는 페닐렌기이다. R11은 탄소수 1 내지 10의 직쇄상, 분지상 또는 환상 알킬렌기이고, 에스테르기 또는 에테르기를 가질 수도 있으며, 불소 원자를 가질 수도 있다. R1, R4는 동일하거나 상이한 수소 원자, 탄소수 1 내지 20의 직쇄상, 분지상 또는 환상 알킬기, 또는 탄소수 2 내지 20의 알케닐기이고, 히드록시기, 에테르기, 에스테르기, 시아노기, 아미노기, 2중 결합 또는 할로겐 원자를 가질 수도 있거나, 또는 탄소수 6 내지 10의 아릴기이며, R1끼리 2개 내지 3개, R4끼리 2개 내지 4개가 결합하여 탄소수 3 내지 20의 환을 형성할 수도 있다. R2는 탄소수 1 내지 20의 직쇄상, 분지상 또는 환상 알킬기, 탄소수 2 내지 20의 알케닐기, 또는 탄소수 6 내지 14의 아릴기이고, 히드록시기, 에테르기, 에스테르기, 시아노기, 아미노기, 2중 결합 또는 할로겐 원자를 가질 수도 있다. R6은 탄소수 1 내지 12의 직쇄상, 분지상 또는 환상 알킬렌기이고, R7은 수소 원자, 불소 원자, 메틸기, 트리플루오로메틸기 또는 디플루오로메틸기, 또는 R6과 결합하여 R6, R7 및 이들이 결합하는 탄소 원자로 탄소수 2 내지 12, 특히 3 내지 10의 지환을 형성할 수도 있고, 환 중에 에테르기, 불소로 치환된 알킬렌기 또는 트리플루오로메틸기를 가질 수도 있다. R9는 탄소수 1 내지 20의 직쇄상, 분지상 또는 환상 알킬기이고, 1개 이상의 불소 원자로 치환되어 있고, 에테르기, 에스테르기, 또는 술폰아미드기를 가질 수도 있다. 0≤(a-1)<1.0, 0≤(a-2)<1.0, 0<(a-1)+(a-2)<1.0, 0≤(b-1)<1.0, 0≤(b-2)<1.0, 0<(b-1)+(b-2)<1.0, 0.5≤(a-1)+(a-2)+(b-1)+(b-2)≤1.0이다.)
본 발명은 포토레지스트 재료로서 화학식 1로 표시되는 카르복실산암모늄염과 플루오로알킬기를 갖는 고분자형의 계면활성제를 첨가하는 것이 특징이다. ArF 리소그래피에 이용되는 지환식의 중합체를 기재로 한 레지스트 재료에서는, 산 발생제로서 퍼플루오로부탄술폰산 등의 적어도 α위치가 불소화된 술폰산이 이용된다. α위치의 전자 흡인 효과에 의해서 이 술폰산의 산성도는 매우 높고, 효율적으로 탈보호 반응을 진행시킬 수 있다. 여기서 노광에 의해서 산 발생제로부터 α위치가 불소화된 술폰산이 발생하고, 화학식 1의 고분자형 계면활성제 중 카르복실산암모늄염과 음이온 교환이 발생하여 술폰산암모늄염과 카르복실산이 생성된다. 이는 α위치 불소화 술폰산이 카르복실산에 비하여 산 강도가 강하기 때문에 발생 한다. 발생한 카르복실산은 약산으로 탈보호 반응을 진행시키는 데 충분한 산 강도가 아니기 때문에, 카르복실산암모늄염은 노광에 의해서 발생한 산의 억제제로서 기능한다. 발생산의 농도 분포는 일반적으로 표층에 가까울수록 산 농도가 높고, 특히 광학 콘트라스트가 낮은 조건하에서는 농도 분포의 변화가 크지만, 화학식 1의 고분자형 계면활성제를 첨가함으로써 표층의 발생산 농도가 과잉이 되는 것을 방지할 수 있기 때문에, 용해 콘트라스트가 향상되고, 패턴 형상이 직사각형이 되며, 마스크 충실성이 향상된다. 또한, 홀 패턴에서는 사이드 로브 내성이 향상된다. 또한, 포토레지스트막 표면에 카르복실산암모늄염이 배향함으로써, 친수성의 포토레지스트 표면이 형성되기 때문에, 현상 후 브로브 결함의 발생을 억제할 수 있다. 또한, 액침 리소그래피에서 포토레지스트막 상층에 보호막의 도포를 행하는 경우, 보호막 재료에는 알칼리 용해성과 발수성을 양립시키기 위해서, α트리플루오로메틸히드록시기를 갖는 고분자 화합물을 기재로 하고, 레지스트막을 용해시키지 않는 탄소수 4 이상의 고급 알코올, 에테르, 알칸, 불소 원자 등으로부터 선택되는 용매에 용해되어 있는 것이 바람직하게 사용된다. 본 발명의 카르복실산암모늄염과 플루오로알킬기를 갖는 고분자형의 계면활성제는, 상기 보호막용 용매에 전혀 용해되지 않기 때문에, 보호막과 레지스트막 사이에 인터믹싱을 방지하는 배리어층을 형성한다. 이 때문에, 보호막을 사용한 경우와 사용하지 않는 경우에서 현상 후의 레지스트 패턴 형상에 변화가 없고, 양호한 패턴을 얻을 수 있다.
상기 화학식 1 중 반복 단위 (a-1)을 얻기 위한 중합성 단량체는, 구체적으로는 하기에 예시할 수 있다.
Figure 112008022762124-pat00003
(식 중, R0, R2는 상술한 바와 같음)
R2COO-의 카르복실산 음이온으로서 구체적으로는 포름산 음이온, 아세트산 음이온, 프로피온산 음이온, 부티르산 음이온, 이소부티르산 음이온, 발레르산 음이온, 이소발레르산 음이온, 피발산 음이온, 헥산산 음이온, 옥탄산 음이온, 시클로헥산카르복실산 음이온, 시클로헥실아세트산 음이온, 라우르산 음이온, 미리스트산 음이온, 팔미트산 음이온, 스테아르산 음이온, 페닐아세트산 음이온, 디페닐아세트산 음이온, 페녹시아세트산 음이온, 만델산 음이온, 벤조일포름산 음이온, 신남산 음이온, 디히드로신남산 음이온, 벤조산 음이온, 메틸벤조산 음이온, 살리실산 음이온, 나프탈렌카르복실산 음이온, 안트라센카르복실산 음이온, 안트라퀴논카르복실산 음이온, 히드록시아세트산 음이온, 피발산 음이온, 락트산 음이온, 메톡시아세트산 음이온, 2-(2-메톡시에톡시)아세트산 음이온, 2-(2-(2-메톡시에톡시)에톡시)아세트산 음이온, 디페놀산 음이온, 모노클로로아세트산 음이온, 디클로로아세트산 음이온, 트리클로로아세트산 음이온, 트리플루오로아세트산 음이온, 펜타플루오로프로피온산 음이온, 헵타플루오로부티르산 음이온 등이 예시되고, 또한 숙신산, 타르타르산, 글루타르산, 피메르산, 세박산, 프탈산, 이소프탈산, 테레프탈산, 나프탈렌디카르복실산, 시클로헥산디카르복실산, 시클로헥센디카르복실산 등의 디카르복실산의 모노 음이온을 예시할 수 있다.
반복 단위 (a-1) 중 카르복실산암모늄염의 양이온이 제1급, 제2급, 제3급의 암모늄염의 경우, 2중 결합을 갖는 아미노 화합물을 중합한 후에 카르복실산과의 중화 반응에 의해서 카르복실산염으로 하는 것도 가능하다.
상기 화학식 1 중 반복 단위 (a-2)를 얻기 위한 중합성 단량체는, 구체적으로는 하기에 예시할 수 있다.
Figure 112008022762124-pat00004
Figure 112008022762124-pat00005
(식 중, R3, R4는 상술한 바와 같음)
반복 단위 (a-2) 중 카르복실산의 반대 이온이 되는 암모늄 양이온은 암모니아나 제1급, 제2급, 제3급의 지방족 아민류, 혼성 아민류, 방향족 아민류, 복소환 아민류, 카르복시기를 갖는 질소 함유 화합물, 술포닐기를 갖는 질소 함유 화합물, 수산기를 갖는 질소 함유 화합물, 히드록시페닐기를 갖는 질소 함유 화합물, 알코올성 질소 함유 화합물 등의 질소 원자에 양성자 부가한 암모늄 양이온, 4급 암모늄 양이온을 들 수 있다.
구체적으로는, 제1급 지방족 암모늄류로서 메틸암모늄, 에틸암모늄, n-프로필암모늄, 이소프로필암모늄, n-부틸암모늄, 이소부틸암모늄, sec-부틸암모늄, tert-부틸암모늄, 펜틸암모늄, tert-아밀암모늄, 시클로펜틸암모늄, 헥실암모늄, 시클로헥실암모늄, 헵틸암모늄, 옥틸암모늄, 노닐암모늄, 데실암모늄, 도데실암모늄, 세틸암모늄, 아미노메틸암모늄, 2-아미노에틸암모늄 등이 예시되고, 제2급 지방족 암모늄류로서 디메틸암모늄, 디에틸암모늄, 디-n-프로필암모늄, 디이소프로필암모늄, 디-n-부틸암모늄, 디이소부틸암모늄, 디-sec-부틸암모늄, 디펜틸암모늄, 디시클로펜틸암모늄, 디헥실암모늄, 디시클로헥실암모늄, 디헵틸암모늄, 디옥틸암모늄, 디노닐암모늄, 디데실암모늄, 디도데실암모늄, 디세틸암모늄, 메틸(메틸아미노)메틸암모늄, 메틸-2-(메틸아미노)에틸암모늄 등이 예시되고, 제3급의 지방족 암모늄류로서 트리메틸암모늄, 트리에틸암모늄, 트리-n-프로필암모늄, 트리이소프로필암모늄, 트리-n-부틸암모늄, 트리이소부틸암모늄, 트리-sec-부틸암모늄, 트리펜틸암모늄, 트리시클로펜틸암모늄, 트리헥실암모늄, 트리시클로헥실암모늄, 트리헵틸암모늄, 트리옥틸암모늄, 트리노닐암모늄, 트리데실암모늄, 트리도데실암모늄, 트리세틸암모늄, 디메틸(디메틸아미노)메틸암모늄, 디메틸(2-디메틸아미노에틸)암모늄 등이 예시된다.
또한, 혼성 암모늄류로는, 예를 들면 디메틸에틸암모늄, 메틸에틸프로필암모늄, 벤질암모늄, 페네틸암모늄, 벤질디메틸암모늄 등이 예시된다. 방향족 암모늄류 및 복소환 암모늄류의 구체예로는, 아닐리늄 유도체(예를 들면 아닐리늄, N-메틸아닐리늄, N-에틸아닐리늄, N-프로필아닐리늄, N,N-디메틸아닐리늄, 2-메틸아닐리늄, 3-메틸아닐리늄, 4-메틸아닐리늄, 임의의 치환 위치의 에틸아닐리늄, 임의의 치환 위치의 프로필아닐리늄, 임의의 치환 위치의 트리메틸아닐리늄, 2-니트로아닐리늄, 3-니트로아닐리늄, 4-니트로아닐리늄, 2,4-디니트로아닐리늄, 2,6-디니트로아닐리늄, 3,5-디니트로아닐리늄, 임의의 치환 위치의 N,N-디메틸톨루이디늄), 디페닐(p-톨릴)암모늄, 메틸디페닐암모늄, 트리페닐암모늄, 임의의 치환 위치의 아미노페닐암모늄, 나프틸암모늄, 임의의 치환 위치의 아미노나프틸암모늄, 피롤리늄 유도체(예를 들면 피롤리늄, 2H-피롤리늄, 1-메틸피롤리늄, 2,4-디메틸피롤리늄, 2,5-디메틸피롤리늄, N-메틸피롤리늄 등), 옥사졸륨 유도체(예를 들면 옥사졸륨, 이소옥사졸륨 등), 티아졸륨 유도체(예를 들면 티아졸륨, 이소티아졸륨 등), 이미다졸륨 유도체(예를 들면 이미다졸륨, 4-메틸이미다졸륨, 4-메틸-2-페닐이미다졸륨 등), 피라졸륨 유도체, 플라자늄 유도체, 피롤리늄 유도체(예를 들면 피롤리늄, 2-메틸-1-피롤리늄 등), 피롤리디늄 유도체(예를 들면 피롤리디늄, N-메틸피롤리디늄, 피롤리디노늄, N-메틸피롤리도늄 등), 이미다졸리늄 유도체, 이미다졸리디늄 유도체, 피리디늄 유도체(예를 들면 피리디늄, 메틸피리디늄, 에틸피리디늄, 프로필피리디늄, 부틸피리디늄, 4-(1-부틸펜틸)피리디늄, 디메틸피리디늄, 트리메틸피리디늄, 트리에틸피리디늄, 페닐피리디늄, 3-메틸-2-페닐피리디늄, 4-tert-부틸피 리디늄, 디페닐피리디늄, 벤질피리디늄, 메톡시피리디늄, 부톡시피리디늄, 디메톡시피리디늄, 4-피롤리디노피리디늄, 2-(1-에틸프로필)피리디늄, 아미노피리디늄, 디메틸아미노피리디늄 등), 피라다지늄 유도체, 피리미디늄 유도체, 피라디늄 유도체, 피라졸리늄 유도체, 피라졸리디늄 유도체, 피페리디늄 유도체, 피페라디늄 유도체, 모르폴리늄 유도체, 인돌리늄 유도체, 이소인돌리늄 유도체, 1H-인다졸리늄 유도체, 인돌리늄 유도체, 퀴놀리늄 유도체(예를 들면 퀴놀리늄), 이소퀴놀리늄 유도체, 신놀리늄 유도체, 퀴나졸리늄 유도체, 퀴녹살리늄 유도체, 프탈라디늄 유도체, 프리늄 유도체, 프테리디늄 유도체, 카르바졸륨 유도체, 페난트리디늄 유도체, 아크리디늄 유도체, 페나디늄 유도체, 1,10-페난트롤리늄 유도체, DBU(1,8-디아자비시클로[5,4,0]-7-운데센)이나 DBN(1,5-디아자비시클로[4,3,0]-5-노넨) 등의 아미딘 골격의 부분 구조를 갖는 복소환식 화합물의 양성자 부가물 등이 예시된다.
추가로, 카르복시기를 갖는 질소 함유 화합물로는, 예를 들면 카르복시페닐암모늄, 카르복시인돌리늄, 아미노산 유도체(예를 들면 니코틴산, 알라닌, 아르기닌, 아스파라긴산, 글루탐산, 글리실, 히스티딘, 이소로이신, 글리실로이신, 로이신, 메티오닌, 페닐알라닌, 트레오닌, 리신, 3-아미노피라진-2-카르복실산, 메톡시알라닌 등의 양성자 부가 생성물) 등이 예시되고, 술포닐기를 갖는 질소 함유 화합물로서 3-피리디늄술폰산 등이 예시되고, 수산기를 갖는 질소 함유 화합물, 히드록시페닐기를 갖는 질소 함유 화합물, 알코올성 질소 함유 화합물로는 2-히드록시피리디늄, 임의의 치환 위치의 히드록시아닐리늄, 임의의 치환 위치의 히드록시-메틸-아닐리늄, 히드록시퀴놀리늄, 디히드록시퀴놀리늄, 2-히드록시에틸암모늄, 비 스(2-히드록시에틸)암모늄, 트리스(2-히드록시에틸)암모늄, 에틸비스(2-히드록시에틸)암모늄, 디에틸(2-히드록시에틸)암모늄, 히드록시프로필암모늄, 비스(히드록시프로필)암모늄, 트리스(히드록시프로필)암모늄, 4-(2-히드록시에틸)모르폴리늄, 2-(2-히드록시에틸)피리디늄, 1-(2-히드록시에틸)피페라디늄, 1-[2-(2-히드록시에톡시)에틸]피페라디늄, (2-히드록시에틸)피페라디늄, 1-(2-히드록시에틸)피롤리디늄, 1-(2-히드록시에틸)-2-피롤리디노늄, 2,3-디히드록시프로필피페리디늄, 2,3-디히드록시프로필피페롤리디늄, 8-히드록시유롤리디늄, 3-히드록시퀴누클리디늄 등이 예시된다.
또한, 하기 화학식 (2)-1로 표시되는 암모늄 양이온이 예시된다.
HN+(X)n(Y)3-n (2)-1
(식 중, n=1, 2 또는 3이다. 측쇄 X는 동일하거나 상이할 수도 있고, 하기 화학식 (X1) 내지 (X3)
Figure 112008022762124-pat00006
으로 표시할 수 있다. 측쇄 Y는 동일하거나 상이한 수소 원자 또는 직쇄상, 분지상 또는 환상의 탄소수 1 내지 20의 알킬기를 나타내고, 에테르기 또는 히드록실기를 포함할 수도 있다. 또한, X끼리 결합하여 환을 형성할 수도 있다.)
여기서 R300, R302, R305는 탄소수 1 내지 4의 직쇄상 또는 분지상의 알킬렌기이고, R301, R304는 수소 원자, 또는 탄소수 1 내지 20의 직쇄상, 분지상 또는 환상 알킬기이며, 히드록시기, 에테르기, 에스테르기, 락톤환 중 어느 하나 또는 복수개 포함할 수도 있다.
R303은 단결합, 또는 탄소수 1 내지 4의 직쇄상 또는 분지상의 알킬렌기이고, R306은 탄소수 1 내지 20의 직쇄상, 분지상 또는 환상 알킬기이며, 히드록시기, 에테르기, 에스테르기, 락톤환을 하나 또는 복수개 포함할 수도 있다.
화학식 (2)-1로 표시되는 화합물로서 구체적으로는, 트리스(2-메톡시메톡시에틸)암모늄, 트리스{2-(2-메톡시에톡시)에틸}암모늄, 트리스{2-(2-메톡시에톡시메톡시)에틸}암모늄, 트리스{2-(1-메톡시에톡시)에틸}암모늄, 트리스{2-(1-에톡시에톡시)에틸}암모늄, 트리스{2-(1-에톡시프로폭시)에틸}암모늄, 트리스[2-{2-(2-히드록시에톡시)에톡시}에틸]암모늄, 4,7,13,16,21,24-헥사옥사-1,10-디아자비시클로[8.8.8]헥사코산 양성자 부가물, 4,7,13,18-테트라옥사-1,10-디아자비시클로[8.5.5]에이코산 양성자 부가물, 1,4,10,13-테트라옥사-7,16-디아자비시클로옥타데칸 양성자 부가물, 1-아자-12-크라운-4 양성자 부가물, 1-아자-15-크라운-5 양성자 부가물, 1-아자-18-크라운-6 양성자 부가물, 트리스(2-포르밀옥시에틸)암모늄, 트리스(2-아세톡시에틸)암모늄, 트리스(2-프로피오닐옥시에틸)암모늄, 트리스(2-부티릴옥시에틸)암모늄, 트리스(2-이소부티릴옥시에틸)암모늄, 트리스(2-발레릴옥시 에틸)암모늄, 트리스(2-피발로일옥시에틸)암모늄, N,N-비스(2-아세톡시에틸)2-(아세톡시아세톡시)에틸암모늄, 트리스(2-메톡시카르보닐옥시에틸)암모늄, 트리스(2-tert-부톡시카르보닐옥시에틸)암모늄, 트리스[2-(2-옥소프로폭시)에틸]암모늄, 트리스[2-(메톡시카르보닐메틸)옥시에틸]암모늄, 트리스[2-(tert-부톡시카르보닐메틸옥시)에틸]암모늄, 트리스[2-(시클로헥실옥시카르보닐메틸옥시)에틸]암모늄, 트리스(2-메톡시카르보닐에틸)암모늄, 트리스(2-에톡시카르보닐에틸)암모늄, N,N-비스(2-히드록시에틸)2-(메톡시카르보닐)에틸암모늄, N,N-비스(2-아세톡시에틸)2-(메톡시카르보닐)에틸암모늄, N,N-비스(2-히드록시에틸)2-(에톡시카르보닐)에틸암모늄, N,N-비스(2-아세톡시에틸)2-(에톡시카르보닐)에틸암모늄, N,N-비스(2-히드록시에틸)2-(2-메톡시에톡시카르보닐)에틸암모늄, N,N-비스(2-아세톡시에틸)2-(2-메톡시에톡시카르보닐)에틸암모늄, N,N-비스(2-히드록시에틸)2-(2-히드록시에톡시카르보닐)에틸암모늄, N,N-비스(2-아세톡시에틸)2-(2-아세톡시에톡시카르보닐)에틸암모늄, N,N-비스(2-히드록시에틸)2-[(메톡시카르보닐)메톡시카르보닐]에틸암모늄, N,N-비스(2-아세톡시에틸)2-[(메톡시카르보닐)메톡시카르보닐]에틸암모늄, N,N-비스(2-히드록시에틸)2-(2-옥소프로폭시카르보닐)에틸암모늄, N,N-비스(2-아세톡시에틸)2-(2-옥소프로폭시카르보닐)에틸암모늄, N,N-비스(2-히드록시에틸)2-(테트라히드로푸르푸릴옥시카르보닐)에틸암모늄, N,N-비스(2-아세톡시에틸)2-(테트라히드로푸르푸릴옥시카르보닐)에틸암모늄, N,N-비스(2-히드록시에틸)2-[(2-옥소테트라히드로푸란-3-일)옥시카르보닐]에틸암모늄, N,N-비스(2-아세톡시에틸)2-[(2-옥소테트라히드로푸란-3-일)옥시카르보닐]에틸암모늄, N,N-비스(2-히드록시에틸)2-(4-히드록 시부톡시카르보닐)에틸암모늄, N,N-비스(2-포르밀옥시에틸)2-(4-포르밀옥시부톡시카르보닐)에틸암모늄, N,N-비스(2-포르밀옥시에틸)2-(2-포르밀옥시에톡시카르보닐)에틸암모늄, N,N-비스(2-메톡시에틸)2-(메톡시카르보닐)에틸암모늄, N-(2-히드록시에틸)비스[2-(메톡시카르보닐)에틸]암모늄, N-(2-아세톡시에틸)비스[2-(메톡시카르보닐)에틸]암모늄, N-(2-히드록시에틸)비스[2-(에톡시카르보닐)에틸]암모늄, N-(2-아세톡시에틸)비스[2-(에톡시카르보닐)에틸]암모늄, N-(3-히드록시-1-프로필)비스[2-(메톡시카르보닐)에틸]암모늄, N-(3-아세톡시-1-프로필)비스[2-(메톡시카르보닐)에틸]암모늄, N-(2-메톡시에틸)비스[2-(메톡시카르보닐)에틸]암모늄, N-부틸비스[2-(메톡시카르보닐)에틸]암모늄, N-부틸비스[2-(2-메톡시에톡시카르보닐)에틸]암모늄, N-메틸비스(2-아세톡시에틸)암모늄, N-에틸비스(2-아세톡시에틸)암모늄, N-메틸비스(2-피발로일옥시에틸)암모늄, N-에틸비스[2-(메톡시카르보닐옥시)에틸]암모늄, N-에틸비스[2-(tert-부톡시카르보닐옥시)에틸]암모늄, 트리스(메톡시카르보닐메틸)암모늄, 트리스(에톡시카르보닐메틸)암모늄, N-부틸비스(메톡시카르보닐메틸)암모늄, N-헥실비스(메톡시카르보닐메틸)암모늄, β-(디에틸아미노)-δ-발레로락톤 양성자 부가물이 예시된다.
또한, 하기 화학식 (2)-2에 표시되는 환상 구조를 갖는 암모늄 양이온이 예시된다.
Figure 112008022762124-pat00007
(식 중, X는 상술한 바와 같고, R307은 탄소수 2 내지 20의 직쇄상 또는 분지상의 알킬렌기이며, 카르보닐기, 에테르기, 에스테르기, 술피드를 1개 또는 복수개 포함할 수도 있음)
화학식 (2)-2로서 구체적으로는, 1-[2-(메톡시메톡시)에틸]피롤리딘, 1-[2-(메톡시메톡시)에틸]피페리딘, 4-[2-(메톡시메톡시)에틸]모르폴린, 1-[2-[(2-메톡시에톡시)메톡시]에틸]피롤리딘, 1-[2-[(2-메톡시에톡시)메톡시]에틸]피페리딘, 4-[2-[(2-메톡시에톡시)메톡시]에틸]모르폴린, 아세트산2-(1-피롤리디닐)에틸, 아세트산2-피페리디노에틸, 아세트산2-모르폴리노에틸, 포름산2-(1-피롤리디닐)에틸, 프로피온산2-피페리디노에틸, 아세톡시아세트산2-모르폴리노에틸, 메톡시아세트산2-(1-피롤리디닐)에틸, 4-[2-(메톡시카르보닐옥시)에틸]모르폴린, 1-[2-(t-부톡시카르보닐옥시)에틸]피페리딘, 4-[2-(2-메톡시에톡시카르보닐옥시)에틸]모르폴린, 3-(1-피롤리디닐)프로피온산메틸, 3-피페리디노프로피온산메틸, 3-모르폴리노프로피온산메틸, 3-(티오모르폴리노)프로피온산메틸, 2-메틸-3-(1-피롤리디닐)프로피온산메틸, 3-모르폴리노프로피온산에틸, 3-피페리디노프로피온산메톡시카르보닐메틸, 3-(1-피롤리디닐)프로피온산2-히드록시에틸, 3-모르폴리노프로피온산2-아세톡시에틸, 3-(1-피롤리디닐)프로피온산2-옥소테트라히드로푸란-3-일, 3-모르폴리노프로피온산테트라히드로푸르푸릴, 3-피페리디노프로피온산글리시딜, 3-모르폴리노프로피온산2-메톡시에틸, 3-(1-피롤리디닐)프로피온산2-(2-메톡시에톡시)에틸, 3-모르폴리노프로피온산부틸, 3-피페리디노프로피온산시클로헥실, α-(1-피롤리디닐)메틸- γ-부티로락톤, β-피페리디노-γ-부티로락톤, β-모르폴리노-δ-발레로락톤, 1-피롤리디닐아세트산메틸, 피페리디노아세트산메틸, 모르폴리노아세트산메틸, 티오모르폴리노아세트산메틸, 1-피롤리디닐아세트산에틸, 모르폴리노아세트산2-메톡시에틸, 2-메톡시아세트산2-모르폴리노에틸, 2-(2-메톡시에톡시)아세트산2-모르폴리노에틸, 2-[2-(2-메톡시에톡시)에톡시]아세트산2-모르폴리노에틸, 헥산산2-모르폴리노에틸, 옥탄산2-모르폴리노에틸, 데칸산2-모르폴리노에틸, 라우르산2-모르폴리노에틸, 미리스트산2-모르폴리노에틸, 팔미트산2-모르폴리노에틸, 스테아르산2-모르폴리노에틸의 양성자 부가물이 예시된다.
또한, 화학식 (2)-3 내지 (2)-6으로 표시되는 시아노기를 포함하는 암모늄 양이온이 예시된다.
Figure 112008022762124-pat00008
(식 중, X, R307, n은 상술한 바와 같고, R308, R309는 동일하거나 상이한 탄소수 1 내지 4의 직쇄상 또는 분지상의 알킬렌기임)
화학식 (2)-3 내지 (2)-6으로 표시되는 시아노기를 포함하는 암모늄 양이온으로서 구체적으로는 3-(디에틸아미노)프로피오노니트릴, N,N-비스(2-히드록시에틸)-3-아미노프로피오노니트릴, N,N-비스(2-아세톡시에틸)-3-아미노프로피오노니트릴, N,N-비스(2-포르밀옥시에틸)-3-아미노프로피오노니트릴, N,N-비스(2-메톡시에틸)-3-아미노프로피오노니트릴, N,N-비스[2-(메톡시메톡시)에틸]-3-아미노프로피오노니트릴, N-(2-시아노에틸)-N-(2-메톡시에틸)-3-아미노프로피온산메틸, N-(2-시아노에틸)-N-(2-히드록시에틸)-3-아미노프로피온산메틸, N-(2-아세톡시에틸)-N-(2-시아노에틸)-3-아미노프로피온산메틸, N-(2-시아노에틸)-N-에틸-3-아미노프로피오노니트릴, N-(2-시아노에틸)-N-(2-히드록시에틸)-3-아미노프로피오노니트릴, N-(2-아세톡시에틸)-N-(2-시아노에틸)-3-아미노프로피오노니트릴, N-(2-시아노에틸)-N-(2-포르밀옥시에틸)-3-아미노프로피오노니트릴, N-(2-시아노에틸)-N-(2-메톡시에틸)-3-아미노프로피오노니트릴, N-(2-시아노에틸)-N-[2-(메톡시메톡시)에틸]-3-아미노프로피오노니트릴, N-(2-시아노에틸)-N-(3-히드록시-1-프로필)-3-아미노프로피오노니트릴, N-(3-아세톡시-1-프로필)-N-(2-시아노에틸)-3-아미노프로피오노니트릴, N-(2-시아노에틸)-N-(3-포르밀옥시-1-프로필)-3-아미노프로피오노니트릴, N-(2-시아노에틸)-N-테트라히드로푸르푸릴-3-아미노프로피오노니트릴, N,N-비스(2-시아노에틸)-3-아미노프로피오노니트릴, 디에틸아미노아세토니트릴, N,N-비스(2-히드록시에틸)아미노아세토니트릴, N,N-비스(2-아세톡시에틸)아미노아세토니트릴, N,N-비스(2-포르밀옥시에틸)아미노아세토니트릴, N,N-비스(2-메톡시에틸)아미노아세토니트릴, N,N-비스[2-(메톡시메톡시)에틸]아미노아세토니트릴, N-시아노메틸-N-(2-메 톡시에틸)-3-아미노프로피온산메틸, N-시아노메틸-N-(2-히드록시에틸)-3-아미노프로피온산메틸, N-(2-아세톡시에틸)-N-시아노메틸-3-아미노프로피온산메틸, N-시아노메틸-N-(2-히드록시에틸)아미노아세토니트릴, N-(2-아세톡시에틸)-N-(시아노메틸)아미노아세토니트릴, N-시아노메틸-N-(2-포르밀옥시에틸)아미노아세토니트릴, N-시아노메틸-N-(2-메톡시에틸)아미노아세토니트릴, N-시아노메틸-N-[2-(메톡시메톡시)에틸]아미노아세토니트릴, N-(시아노메틸)-N-(3-히드록시-1-프로필)아미노아세토니트릴, N-(3-아세톡시-1-프로필)-N-(시아노메틸)아미노아세토니트릴, N-시아노메틸-N-(3-포르밀옥시-1-프로필)아미노아세토니트릴, N,N-비스(시아노메틸)아미노아세토니트릴, 1-피롤리디늄프로피오노니트릴, 1-피페리디늄프로피오노니트릴, 4-모르폴리늄프로피오노니트릴, 1-피롤리디늄아세토니트릴, 1-피페리디늄아세토니트릴, 4-모르폴리늄아세토니트릴, 3-디에틸아미노프로피온산시아노메틸, N,N-비스(2-히드록시에틸)-3-아미노프로피온산시아노메틸, N,N-비스(2-아세톡시에틸)-3-아미노프로피온산시아노메틸, N,N-비스(2-포르밀옥시에틸)-3-아미노프로피온산시아노메틸, N,N-비스(2-메톡시에틸)-3-아미노프로피온산시아노메틸, N,N-비스[2-(메톡시메톡시)에틸]-3-아미노프로피온산시아노메틸, 3-디에틸아미노프로피온산(2-시아노에틸), N,N-비스(2-히드록시에틸)-3-아미노프로피온산(2-시아노에틸), N,N-비스(2-아세톡시에틸)-3-아미노프로피온산(2-시아노에틸), N,N-비스(2-포르밀옥시에틸)-3-아미노프로피온산(2-시아노에틸), N,N-비스(2-메톡시에틸)-3-아미노프로피온산(2-시아노에틸), N,N-비스[2-(메톡시메톡시)에틸]-3-아미노프로피온산(2-시아노에틸), 1-피롤리디늄프로피온산시아노메틸, 1-피페리디늄프로피온산시아노메틸, 4- 모르폴리늄프로피온산시아노메틸, 1-피롤리디늄프로피온산(2-시아노에틸), 1-피페리디늄프로피온산(2-시아노에틸), 4-모르폴리늄프로피온산(2-시아노에틸)의 양성자 부가물이 예시된다.
또한, 하기 화학식 (2)-7로 표시되는 이미다졸륨 골격 및 극성 관능기를 갖는 질소 함유 유기 화합물이 예시된다.
Figure 112008022762124-pat00009
(식 중, R310은 탄소수 2 내지 20의 직쇄상, 분지상 또는 환상의 극성 관능기를 갖는 알킬기이고, 극성 관능기로는 수산기, 카르보닐기, 에스테르기, 에테르기, 술피드기, 카르보네이트기, 시아노기, 아세탈기 중 어느 하나 또는 복수개 포함한다. R311, R312, R313은 수소 원자, 탄소수 1 내지 10의 직쇄상, 분지상 또는 환상의 알킬기, 아릴기 또는 아랄킬기임)
또한, 하기 화학식 (2)-8로 표시되는 벤즈이미다졸륨 골격 및 극성 관능기를 갖는 질소 함유 유기 화합물이 예시된다.
Figure 112008022762124-pat00010
(식 중, R314는 수소 원자, 탄소수 1 내지 10의 직쇄상, 분지상 또는 환상 알킬기, 아릴기, 또는 아랄킬기이다. R315는 탄소수 1 내지 20의 직쇄상, 분지상 또는 환상의 극성 관능기를 갖는 알킬기이고, 극성 관능기로서 에스테르기, 아세탈기, 시아노기 중 어느 하나 이상 포함하고, 그 밖에 수산기, 카르보닐기, 에테르기, 술피드기, 카르보네이트기 중 어느 하나 이상 포함할 수도 있다.)
또한, 하기 화학식 (2)-9 및 (2)-10으로 표시되는 극성 관능기를 갖는 암모늄 양이온이 예시된다.
Figure 112008022762124-pat00011
(식 중, A는 질소 원자 또는 ≡C-R322이다. B는 질소 원자 또는 ≡C-R323이다. R316은 탄소수 2 내지 20의 직쇄상, 분지상 또는 환상의 극성 관능기를 갖는 알킬기이고, 극성 관능기로는 수산기, 카르보닐기, 에스테르기, 에테르기, 술피드기, 카르보네이트기, 시아노기 또는 아세탈기를 하나 이상 포함한다. R317, R318, R319, R320은 수소 원자, 탄소수 1 내지 10의 직쇄상, 분지상 또는 환상 알킬기, 또는 아릴기이거나, 또는 R317과 R318, R319와 R320은 각각 결합하여 벤젠환, 나프탈렌환 또는 피리디늄환을 형성할 수도 있다. R321은 수소 원자, 탄소수 1 내지 10의 직쇄상, 분지상 또는 환상의 알킬기, 또는 아릴기이다. R322, R323은 수소 원자, 탄소수 1 내지 10의 직쇄상, 분지상 또는 환상 알킬기, 또는 아릴기이다. R321과 R323은 결합하여 벤젠환 또는 나프탈렌환을 형성할 수도 있다.)
또한, 하기 화학식 (2)-11, 12, 13 및 14로 표시되는 방향족 카르복실산에스테르 구조를 갖는 암모늄 양이온이 예시된다.
Figure 112008022762124-pat00012
(식 중, R324는 탄소수 6 내지 20의 아릴기 또는 탄소수 4 내지 20의 헤테로 방향족기이며, 수소 원자의 일부 또는 전부가 할로겐 원자, 탄소수 1 내지 20의 직쇄상, 분지상 또는 환상 알킬기, 탄소수 6 내지 20의 아릴기, 탄소수 7 내지 20의 아랄킬기, 탄소수 1 내지 10의 알콕시기, 탄소수 1 내지 10의 아실옥시기, 또는 탄소수 1 내지 10의 알킬티오기로 치환될 수도 있다. R325는 CO2R326, OR327 또는 시아노기이다. R326은 일부의 메틸렌기가 산소 원자로 치환될 수도 있는 탄소수 1 내지 10의 알킬기이다. R327은 일부의 메틸렌기가 산소 원자로 치환될 수도 있는 탄소수 1 내지 10의 알킬기 또는 아실기이다. R328은 단결합, 메틸렌기, 에틸렌기, 황 원자 또는 -O(CH2CH2O)n-기이다. n=0, 1, 2, 3 또는 4이다. R329는 수소 원자, 메틸기, 에틸기 또는 페닐기이다. X는 질소 원자 또는 CR330이다. Y는 질소 원자 또는 CR331이다. Z는 질소 원자 또는 CR332이다. R330, R331, R332는 각각 독립적으로 수소 원자, 메틸기 또는 페닐기이거나, 또는 R330과 R331 또는 R331과 R332가 결합하여 탄소수 6 내지 20의 방향환 또는 탄소수 2 내지 20의 헤테로 방향환을 형성할 수도 있다.)
또한, 하기 화학식 (2)-15로 표시되는 7-옥사노르보르난-2-카르복실산에스테르 구조를 갖는 암모늄 양이온이 예시된다.
Figure 112008022762124-pat00013
(식 중, R333은 수소, 또는 탄소수 1 내지 10의 직쇄상, 분지상 또는 환상 알킬기이다. R334 및 R335는 각각 독립적으로 에테르, 카르보닐, 에스테르, 알코올, 술피드, 니트릴, 암모늄, 이민, 아미드 등의 극성 관능기를 하나 또는 복수개 포함할 수도 있는 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 탄소수 6 내지 20의 아릴기, 또는 탄소수 7 내지 20의 아랄킬기이며, 수소 원자의 일부가 할로겐 원자로 치환될 수도 있다. R334와 R335는 서로 결합하여 탄소수 2 내지 20의 헤테로환 또는 헤테로 방향환을 형성할 수도 있다.)
4급 암모늄염의 구체예로는 테트라메틸암모늄, 트리에틸메틸암모늄, 테트라에틸암모늄, 테트라프로필암모늄, 테트라부틸암모늄, 테트라옥틸암모늄, 디데실디메틸암모늄, 트리데실메틸암모늄, 헥사데실트리메틸암모늄, 스테아릴트리메틸암모늄, 페닐트리메틸암모늄, 벤질트리메틸암모늄, 벤질트리에틸암모늄, 벤질트리부틸암모늄벤질디메틸스테아릴암모늄 등이 예시된다.
반복 단위 (a-2)를 얻기 위해서, 2중 결합을 갖는 카르복실기 함유 화합물을 중합한 후에 아민류와의 중화 반응에 의해서 카르복실산염으로 하는 것도 가능하고, 또는 2중 결합을 갖는 카르복실산의 알칼리 금속염을 중합한 후에 탈 알칼리 금속하고, 아민 화합물과의 중화 반응에 의해서 얻을 수도 있다.
이어서, 화학식 1 중 (b-1)로 표시되는 α트리플루오로메틸알코올기를 갖는 반복 단위를 얻기 위한 단량체로는 하기에 예시할 수 있다.
Figure 112008022762124-pat00014
Figure 112008022762124-pat00015
Figure 112008022762124-pat00016
Figure 112008022762124-pat00017
Figure 112008022762124-pat00018
(식 중, R5는 상술한 바와 같음)
상기 화학식 1로 표시되는 반복 단위 (b-2)를 얻기 위한 단량체로는 하기의 구체예를 들 수 있다.
Figure 112008022762124-pat00019
Figure 112008022762124-pat00020
(식 중, R8은 상술한 바와 같음)
본 발명의 레지스트 재료에 첨가하는 고분자 화합물로는, 상기 화학식 1 중 (a-1), (a-2), (b-1), (b-2)로 표시되는 반복 단위에 추가로, 레지스트 기재 중합체와의 혼용성을 향상시키거나, 레지스트 표면의 막 감소를 억제할 목적을 위하여, 락톤의 밀착성기를 갖는 반복 단위 c나, 산불안정기를 갖는 반복 단위 d를 공중합할 수 있다. 락톤의 밀착성기를 갖는 반복 단위 c나, 산불안정기를 갖는 반복 단위 d로는 레지스트 기재 중합체에 이용되고 있는 것을 사용할 수 있다. 이것에 대해서는 후술한다.
상기 레지스트 재료에 첨가되는 상기 화학식 1 중 (a-1), (a-2), (b-1), (b-2)로 표시되는 반복 단위를 갖는 고분자 화합물의 겔 투과 크로마토그래피(GPC)에 의한 폴리스티렌 환산 중량 평균 분자량으로는 1,000 내지 100,000, 바람직하게는2,000 내지 30,000이지만, 이들로 한정되는 것은 아니다. 분자량이 1,000 이상이면 액침 노광시에 물에 대한 충분한 배리어 성능을 발휘할 수 있고, 포토레지스트 조성물의 물에의 용출을 충분히 억제할 수 있다. 또한, 분자량이 100,000 이하이면 상기 고분자 화합물의 알칼리 현상액에의 용해 속도가 충분히 크기 때문에, 이것을 함유한 포토레지스트막을 이용하여 패턴 형성한 경우에, 수지의 잔사가 기판에 부착될 우려가 적다.
또한 상기한 화학식 1 중 (a-1), (a-2), (b-1), (b-2)의 반복 단위를 갖는 고분자 화합물은 각각 1종류의 고분자 화합물로서 레지스트 재료에 배합할 수도 있고, 공중합 비율이나 분자량, 또는 종류가 다른 단량체끼리 공중합한 2종류 이상의 고분자 화합물을 임의의 비율로 혼합하여 레지스트 재료에 배합할 수도 있다.
(a-1), (a-2), (b-1), (b-2)의 공중합 비율은 0≤(a-1)<1.0, 0≤(a-2)<1.0, 0<(a-1)+(a-2)<1.0, 0≤(b-1)<1.0, 0≤(b-2)<1.0, 0<(b-1)+(b-2)<1.0, 0.5≤(a-1)+(a-2)+(b-1)+(b-2)≤1.0, 바람직하게는 0≤(a-1)≤0.9, 0≤(a-2)≤0.9, 0.1≤(a-1)+(a-2)≤0.9, 0≤(b-1)≤0.9, 0≤(b-2)≤0.9, 0.1≤(b-1)+(b-2)≤0.9, 0.6≤(a-1)+(a-2)+(b-1)+(b-2)≤1.0이다.
또한, 상기 반복 단위 c, d는 0≤c≤0.8, 특히 0≤c≤0.7, 0≤d≤0.8, 특히 0≤d≤0.7로 할 수 있고, (a-1)+(a-2)+(b-1)+(b-2)+c+d=1이다.
또한, 여기서 예를 들면 (a-1)+(a-2)+(b-1)+(b-2)=1이란, 반복 단위 (a-1), (a-2), (b-1), (b-2)를 포함하는 고분자 화합물에서, 반복 단위 (a-1), (a-2), (b-1), (b-2)의 합계량이 전체 반복 단위의 합계량에 대하여 100 몰％인 것을 나타내고, (a-1)+(a-2)+(b-1)+(b-2)<1이란 반복 단위 (a-1), (a-2), (b-1), (b-2)의 합계량이 전체 반복 단위의 합계량에 대하여 100 몰％ 미만이고, (a-1), (a-2), (b-1), (b-2) 이외에 다른 반복 단위를 갖고 있는 것을 나타낸다.
상기 화학식 1로 표시되는 고분자형 계면활성제의 레지스트 재료에의 배합비는, 첨가하는 고분자 화합물의 합계 질량이 레지스트 재료의 기재 수지 100 질량부에 대하여 0.01 내지 50 질량부, 바람직하게는 0.1 내지 10 질량부가 좋다. 이것이 0.01 질량부 이상이면 포토레지스트막 표면과 물과의 후퇴 접촉각이 충분히 향상된다. 또한, 이것이 50 질량부 이하이면 포토레지스트막의 알칼리 현상액에의 용해 속도가 작고, 형성된 미세 패턴의 높이가 충분히 유지된다.
또한, 상기 레지스트 재료는 기재 수지를 함유하지만, 화학 증폭 포지티브형 레지스트 재료인 경우는, 적어도 산불안정기를 갖는 반복 단위, 및 히드록시기 및/ 또는 락톤환의 밀착성기를 갖는 반복 단위를 포함하는 기재 수지를 포함하는 것이 바람직하다.
이러한 화학 증폭 포지티브형 레지스트 재료이면, 기재 수지가 히드록시기 및/또는 락톤환의 밀착성기를 갖는 반복 단위를 포함함으로써, 기판과의 높은 밀착성을 실현할 수 있다. 또한, 기재 수지가 산불안정기를 갖는 반복 단위를 가짐으로써, 노광시에 산 발생제가 발생하는 산에 의해 산불안정기를 이탈시켜, 레지스트노광부를 현상액에 용해시키도록 변환함으로써, 매우 고정밀도인 패턴을 얻을 수 있다.
레지스트용 기재 수지로는, 하기 화학식 (R1) 및/또는 하기 화학식 (R2)로 표시되는 GPC에 의한 폴리스티렌 환산 중량 평균 분자량 1,000 내지 100,000, 바람직하게는 3,000 내지 30,000의 고분자 화합물을 들 수 있지만, 이들로 한정되는 것은 아니다.
Figure 112008022762124-pat00021
상기 화학식 중, R001은 수소 원자, 메틸기 또는 -CH2CO2R003을 나타낸다.
R002는 수소 원자, 메틸기 또는 -CO2R003을 나타낸다.
R003은 탄소수 1 내지 15의 직쇄상, 분지상 또는 환상 알킬기를 나타내고, 구체적으로는 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, sec-부틸기, tert-부틸기, tert-아밀기, n-펜틸기, n-헥실기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 에틸시클로펜틸기, 부틸시클로펜틸기, 에틸시클로헥실기, 부틸시클로헥실기, 아다만 틸기, 에틸아다만틸기, 부틸아다만틸기 등을 예시할 수 있다.
R004는 수소 원자, 탄소수 1 내지 15의 불소 함유 치환기 및/또는 카르복시기 또는 수산기를 함유하는 1가의 탄화수소기를 나타내고, 구체적으로는 수소 원자, 카르복시에틸, 카르복시부틸, 카르복시시클로펜틸, 카르복시시클로헥실, 카르복시노르보르닐, 카르복시아다만틸, 히드록시에틸, 히드록시부틸, 히드록시시클로펜틸, 히드록시시클로헥실, 히드록시노르보르닐, 히드록시아다만틸, 히드록시헥사플루오로이소프로필시클로헥실, 디(히드록시펙사플루오로이소프로필)시클로헥실 등을 예시할 수 있다.
R005 내지 R008 중 1개 이상은 탄소수 1 내지 15의 불소 함유 치환기 및/또는 카르복실기 또는 수산기를 함유하는 1가의 탄화수소기를 나타내고, 나머지는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 탄소수 1 내지 15의 직쇄상, 분지상 또는 환상 알킬기를 나타낸다. 탄소수 1 내지 15의 불소 함유 치환기 및/또는 카르복시기 또는 수산기를 함유하는 1가의 탄화수소기로는, 구체적으로는 카르복시, 카르복시메틸, 카르복시에틸, 카르복시부틸, 히드록시메틸, 히드록시에틸, 히드록시부틸, 2-카르복시에톡시카르보닐, 4-카르복시부톡시카르보닐, 2-히드록시에톡시카르보닐, 4-히드록시부톡시카르보닐, 카르복시시클로펜틸옥시카르보닐, 카르복시시클로헥실옥시카르보닐, 카르복시노르보르닐옥시카르보닐, 카르복시아다만틸옥시카르보닐, 히드록시시클로펜틸옥시카르보닐, 히드록시시클로헥실옥시카르보닐, 히드록시노르보르닐옥시카르보닐, 히드록시아다만틸옥시카르보닐, 히드록시헥사플루오로이소프로필시 클로헥실옥시카르보닐, 디(히드록시헥사플루오로이소프로필)시클로헥실옥시카르보닐 등을 예시할 수 있다.
탄소수 1 내지 15의 직쇄상, 분지상 또는 환상 알킬기로는, 구체적으로는 R003에서 예시한 것과 마찬가지의 것을 예시할 수 있다.
R005 내지 R008 중 2개(예를 들면, R005와 R006, R006과 R007)는 서로 결합하여 이들이 결합하는 탄소 원자와 함께 환을 형성할 수도 있고, 그 경우에는 환을 형성하는 R005 내지 R008 중 1개 이상은 탄소수 1 내지 15의 불소 함유 치환기 및/또는 카르복시기 또는 수산기를 함유하는 2가의 탄화수소기를 나타내고, 나머지는 단결합 또는 탄소수 1 내지 15의 직쇄상, 분지상 또는 환상 알킬렌기를 나타낸다. 탄소수 1 내지 15의 불소 함유 치환기 및/또는 카르복시기 또는 수산기를 함유하는 2가의 탄화수소기로는, 구체적으로는 상기 불소 함유 치환기 및/또는 카르복시기 또는 수산기를 함유하는 1가의 탄화수소기로 예시한 것으로부터 수소 원자를 1개 제외한 것 등을 예시할 수 있다. 탄소수 1 내지 15의 직쇄상, 분지상 또는 환상 알킬렌기로는, 구체적으로는 R003에서 예시한 것으로부터 수소 원자를 1개 제외한 것 등을 예시할 수 있다.
R009는 탄소수 3 내지 15의 -CO2- 부분 구조를 함유하는 1가의 탄화수소기를 나타내고, 구체적으로는 2-옥소옥솔란-3-일, 4,4-디메틸-2-옥소옥솔란-3-일, 4-메틸-2-옥소옥산-4-일, 2-옥소-1,3-디옥솔란-4-일메틸, 5-메틸-2-옥소옥솔란-5-일 등 을 예시할 수 있다.
R010 내지 R013 중 1개 이상은 탄소수 2 내지 15의 -CO2- 부분 구조를 함유하는 1가의 탄화수소기를 나타내고, 나머지는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 탄소수 1 내지 15의 직쇄상, 분지상 또는 환상 알킬기를 나타낸다. 탄소수 2 내지 15의 -CO2- 부분 구조를 함유하는 1가의 탄화수소기로는, 구체적으로는 2-옥소옥솔란-3-일옥시카르보닐, 4,4-디메틸-2-옥소옥솔란-3-일옥시카르보닐, 4-메틸-2-옥소옥산-4-일옥시카르보닐, 2-옥소-1,3-디옥솔란-4-일메틸옥시카르보닐, 5-메틸-2-옥소옥솔란-5-일옥시카르보닐 등을 예시할 수 있다. 탄소수 1 내지 15의 직쇄상, 분지상 또는 환상 알킬기로는, 구체적으로는 R003에서 예시한 것과 마찬가지의 것을 예시할 수 있다.
R010 내지 R013 중 2개(예를 들면, R010과 R011, R011과 R012)는 서로 결합하여 이들이 결합하는 탄소 원자와 함께 환을 형성할 수도 있고, 그 경우에는 환을 형성하는 R010 내지 R013 중 1개 이상은 탄소수 1 내지 15의 -CO2- 부분 구조를 함유하는 2가의 탄화수소기를 나타내고, 나머지는 단결합 또는 탄소수 1 내지 15의 직쇄상, 분지상 또는 환상의 알킬렌기를 나타낸다. 탄소수 1 내지 15의 -CO2- 부분 구조를 함유하는 2가의 탄화수소기로는, 구체적으로는 1-옥소-2-옥사프로판-1,3-디일, 1,3-디옥소-2-옥사프로판-1,3-디일, 1-옥소-2-옥사부탄-1,4-디일, 1,3-디옥소-2-옥 사부탄-1,4-디일 등 이외에, 상기 -CO2- 부분 구조를 함유하는 1가의 탄화수소기로 예시한 것으로부터 수소 원자를 1개 제외한 것 등을 예시할 수 있다. 탄소수 1 내지 15의 직쇄상, 분지상 또는 환상 알킬렌기로는, 구체적으로는 R003에서 예시한 것으로부터 수소 원자를 1개 제외한 것 등을 예시할 수 있다.
R014는 탄소수 7 내지 15의 다환식 탄화수소기 또는 다환식 탄화수소기를 함유하는 알킬기를 나타내고, 구체적으로는 노르보르닐, 비시클로[3.3.1]노닐, 트리시클로[5.2.1.02,6]데실, 아다만틸, 에틸아다만틸, 부틸아다만틸, 노르보르닐메틸, 아다만틸메틸 등을 예시할 수 있다.
R015는 산불안정기를 나타내고, 구체예에 대해서는 후술한다.
X는 -CH2 또는 산소 원자를 나타낸다.
k는 0 또는 1이다.
R015의 산불안정기로는 여러 가지 사용할 수 있지만, 구체적으로는 하기 화학식 (L1) 내지 (L4)로 표시되는 기, 탄소수 4 내지 20, 바람직하게는 4 내지 15의 3급 알킬기, 각 알킬기가 각각 탄소수 1 내지 6의 트리알킬실릴기, 탄소수 4 내지 20의 옥소알킬기 등을 들 수 있다.
Figure 112008022762124-pat00022
상기 화학식 중, 파선은 결합손을 나타낸다.
또한, 화학식 (L1)에서 RL01, RL02는 수소 원자 또는 탄소수 1 내지 18, 바람직하게는 1 내지 10의 직쇄상, 분지상 또는 환상 알킬기를 나타내며, 구체적으로는 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, sec-부틸기, tert-부틸기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 2-에틸헥실기, n-옥틸기, 아다만틸기 등을 예시할 수 있다. RL03은 탄소수 1 내지 18, 바람직하게는 탄소수 1 내지 10의 산소 원자 등의 헤테로 원자를 가질 수도 있는 1가의 탄화수소기를 나타내고, 직쇄상, 분지상 또는 환상 알킬기, 이들 수소 원자의 일부가 수산기, 알콕시기, 옥소기, 아미노기, 알킬아미노기 등으로 치환된 것을 들 수 있으며, 구체적으로는 직쇄상, 분지상 또는 환상 알킬기로는 상기 RL01, RL02와 동일한 것을 예시할 수 있고, 치환 알킬기로는 하기의 기 등을 예시할 수 있다.
Figure 112008022762124-pat00023
RL01과 RL02, RL01과 RL03, RL02와 RL03은 서로 결합하여 이들이 결합하는 탄소 원자나 산소 원자와 함께 환을 형성할 수도 있고, 환을 형성하는 경우에는 RL01, RL02, RL03은 각각 탄소수 1 내지 18, 바람직하게는 탄소수 1 내지 10의 직쇄상 또는 분지상의 알킬렌기를 나타낸다.
화학식 (L2)에서, RL04는 탄소수 4 내지 20, 바람직하게는 탄소수 4 내지 15의 3급 알킬기, 각 알킬기가 각각 탄소수 1 내지 6의 트리알킬실릴기, 탄소수 4 내지 20의 옥소알킬기 또는 상기 화학식 (L1)로 표시되는 기를 나타내고, 3급 알킬기로는, 구체적으로는 tert-부틸기, tert-아밀기, 1,1-디에틸프로필기, 2-시클로펜틸프로판-2-일기, 2-시클로헥실프로판-2-일기, 2-(비시클로[2.2.1]헵탄-2-일)프로판-2-일기, 2-(아다만탄-1-일)프로판-2-일기, 1-에틸시클로펜틸기, 1-부틸시클로펜틸기, 1-에틸시클로헥실기, 1-부틸시클로헥실기, 1-에틸-2-시클로펜테닐기, 1-에틸-2-시클로헥세닐기, 2-메틸-2-아다만틸기, 2-에틸-2-아다만틸기 등을 예시할 수 있고, 트리알킬실릴기로는, 구체적으로는 트리메틸실릴기, 트리에틸실릴기, 디메틸-tert-부틸실릴기 등을 예시할 수 있고, 옥소알킬기로는, 구체적으로는 3-옥소시클로헥실기, 4-메틸-2-옥소옥산-4-일기, 5-메틸-2-옥소옥솔란-5-일기 등을 예시할 수 있다. y는 0 내지 6의 정수이다.
화학식 (L3)에서, RL05는 탄소수 1 내지 10의 치환될 수도 있는 직쇄상, 분지상 또는 환상 알킬기 또는 탄소수 6 내지 20의 치환될 수도 있는 아릴기를 나타내 고, 치환될 수도 있는 알킬기로는, 구체적으로는 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, sec-부틸기, tert-부틸기, tert-아밀기, n-펜틸기, n-헥실기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 비시클로[2.2.1]헵틸기 등의 직쇄상, 분지상 또는 환상 알킬기, 이들 수소 원자의 일부가 수산기, 알콕시기, 카르복시기, 알콕시카르보닐기, 옥소기, 아미노기, 알킬아미노기, 시아노기, 머캅토기, 알킬티오기, 술포기 등으로 치환된 것, 또는 이들 메틸렌기의 일부가 산소 원자 또는 황 원자로 치환된 것 등을 예시할 수 있고, 치환될 수도 있는 아릴기로는, 구체적으로는 페닐기, 메틸페닐기, 나프틸기, 안트릴기, 페난트릴기, 피레닐기 등을 예시할 수 있다. m은 0 또는 1, n은 0, 1, 2, 3 중 어느 하나이고, 2m+n=2 또는 3을 만족하는 수이다.
화학식 (L4)에서, RL06은 탄소수 1 내지 10의 치환될 수도 있는 직쇄상, 분지상 또는 환상 알킬기 또는 탄소수 6 내지 20의 치환될 수도 있는 아릴기를 나타내고, 구체적으로는 RL05와 동일한 것 등을 예시할 수 있다. RL07 내지 RL16은 각각 독립적으로 수소 원자 또는 탄소수 1 내지 15의 1가의 탄화수소기를 나타내고, 구체적으로는 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, sec-부틸기, tert-부틸기, tert-아밀기, n-펜틸기, n-헥실기, n-옥틸기, n-노닐기, n-데실기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 시클로펜틸메틸기, 시클로펜틸에틸기, 시클로펜틸부틸기, 시클로헥실메틸기, 시클로헥실에틸기, 시클로헥실부틸기 등의 직쇄상, 분지상 또는 환상 알킬기, 이들 수소 원자의 일부가 수산기, 알콕시기, 카르복시기, 알콕시카르보닐기, 옥소기, 아미노기, 알킬아미노기, 시아노기, 머캅토기, 알킬티오기, 술포 기 등으로 치환된 것 등을 예시할 수 있다. RL07 내지 RL16은 서로 결합하여 환을 형성할 수도 있고(예를 들면, RL07과 RL08, RL07과 RL09, RL08과 RL10, RL09와 RL10, RL11과 RL12, RL13과 RL14 등), 그 경우에 환을 형성하는 기는 탄소수 1 내지 15의 2가의 탄화수소기를 나타내고, 구체적으로는 상기 1가의 탄화수소기로 예시한 것으로부터 수소 원자를 1개 제외한 것 등을 예시할 수 있다. 또한, RL07 내지 RL16은 인접하는 탄소에 결합하는 것끼리 어느 것도 개재시키지 않고 결합하여, 2중 결합을 형성할 수도 있다(예를 들면, RL07과 RL09, RL09와 RL15, RL13과 RL15 등).
상기 화학식 (L1)로 표시되는 산불안정기 중 직쇄상 또는 분지상의 것으로는, 구체적으로는 하기의 기를 예시할 수 있다.
Figure 112008022762124-pat00024
상기 화학식 (L1)로 표시되는 산불안정기 중 환상의 것으로는, 구체적으로는 테트라히드로푸란-2-일기, 2-메틸테트라히드로푸란-2-일기, 테트라히드로피란-2-일기, 2-메틸테트라히드로피란-2-일기 등을 예시할 수 있다.
상기 화학식 (L2)의 산불안정기로는, 구체적으로는 tert-부톡시카르보닐기, tert-부톡시카르보닐메틸기, tert-아밀옥시카르보닐기, tert-아밀옥시카르보닐메틸기, 1,1-디에틸프로필옥시카르보닐기, 1,1-디에틸프로필옥시카르보닐메틸기, 1-에틸시클로펜틸옥시카르보닐기, 1-에틸시클로펜틸옥시카르보닐메틸기, 1-에틸-2-시클로펜테닐옥시카르보닐기, 1-에틸-2-시클로펜테닐옥시카르보닐메틸기, 1-에톡시에톡시카르보닐메틸기, 2-테트라히드로피라닐옥시카르보닐메틸기, 2-테트라히드로푸라닐옥시카르보닐메틸기 등을 예시할 수 있다.
상기 화학식 (L3)의 산불안정기로는, 구체적으로는 1-메틸시클로펜틸, 1-에틸시클로펜틸, 1-n-프로필시클로펜틸, 1-이소프로필시클로펜틸, 1-n-부틸시클로펜틸, 1-sec-부틸시클로펜틸, 1-시클로헥실시클로펜틸, 1-(4-메톡시-n-부틸)시클로펜틸, 1-(비시클로[2.2.1]헵탄-2-일)시클로펜틸, 1-(7-옥사비시클로[2.2.1]헵탄-2-일)시클로펜틸, 1-메틸시클로헥실, 1-에틸시클로헥실, 3-메틸-1-시클로펜텐-3-일, 3-에틸-1-시클로펜텐-3-일, 3-메틸-1-시클로헥센-3-일, 3-에틸-1-시클로헥센-3-일 등을 예시할 수 있다.
상기 화학식 (L4)의 산불안정기로는, 하기 화학식 (L4-1) 내지 (L4-4)로 표시되는 기가 특히 바람직하다.
Figure 112008022762124-pat00025
상기 화학식 (L4-1) 내지 (L4-4) 중, 파선은 결합 위치 및 결합 방향을 나타 낸다. RL41은 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 10의 직쇄상, 분지상 또는 환상 알킬기 등의 1가 탄화수소기를 나타내고, 구체적으로는 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, sec-부틸기, tert-부틸기, tert-아밀기, n-펜틸기, n-헥실기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기 등을 예시할 수 있다.
상기 화학식 (L4-1) 내지 (L4-4)에는, 에난티오 이성체(enantiomer)나 디아스테레오 이성체(diastereomer)가 존재할 수 있지만, 상기 화학식 (L4-1) 내지 (L4-4)는 이들의 입체 이성체 모두를 대표하여 나타낸다. 이들 입체 이성체는 단독으로 이용하거나, 혼합물로서 이용할 수도 있다.
예를 들면, 상기 화학식 (L4-3)은 하기 화학식 (L4-3-1), (L4-3-2)로 표시되는 기로부터 선택되는 1종 또는 2종의 혼합물을 대표하여 나타내는 것으로 한다.
Figure 112008022762124-pat00026
(식 중, RL41은 상술한 바와 같음)
또한, 상기 화학식 (L4-4)는 하기 화학식 (L4-4-1) 내지 (L4-4-4)로 표시되는 기로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상의 혼합물을 대표하여 나타내는 것으로 한다.
Figure 112008022762124-pat00027
(식 중, RL41은 상술한 바와 마찬가지임)
상기 화학식 (L4-1) 내지 (L4-4), (L4-3-1), (L4-3-2), 및 화학식 (L4-4-1) 내지 (L4-4-4)는 이들의 에난티오 이성체 및 에난티오 이성체 혼합물도 대표하여 나타내는 것으로 한다.
또한, 화학식 (L4-1) 내지 (L4-4), (L4-3-1), (L4-3-2), 및 화학식 (L4-4-1) 내지 (L4-4-4)의 결합 방향이 각각 비시클로[2.2.1]헵탄환에 대하여 엑소(exo)측임으로써, 산촉매 이탈 반응에서의 고반응성이 실현된다(일본 특허 공개 2000-336121호 공보 참조). 이들 비시클로[2.2.1]헵탄 골격을 갖는 3급 엑소-알킬기를 치환기로 하는 단량체의 제조에서, 하기 화학식 (L4-1-엔도(endo)) 내지 (L4-4-엔도)로 표시되는 엔도-알킬기로 치환된 단량체를 포함하는 경우가 있지만, 양호한 반응성의 실현을 위해서는 엑소 비율이 50 ％ 이상인 것이 바람직하고, 엑소 비율이 80 ％ 이상인 것이 더욱 바람직하다.
Figure 112008022762124-pat00028
(식 중, RL41은 상술한 바와 같음)
상기 화학식 (L4)의 산불안정기로는, 구체적으로는 하기의 기를 예시할 수 있다.
Figure 112008022762124-pat00029
또한, 탄소수 4 내지 20의 3급 알킬기, 각 알킬기가 각각 탄소수 1 내지 6의 트리알킬실릴기, 탄소수 4 내지 20의 옥소알킬기로는, 구체적으로는 RL04에서 예를 든 것과 동일한 것 등을 예시할 수 있다.
상기 (R2) 중, R016, R018은 수소 원자 또는 메틸기를 나타낸다. R017은 탄소수 1 내지 8의 직쇄상, 분지상 또는 환상 알킬기를 나타낸다.
상기 (R1)에서, a1', a2', a3', b1', b2', b3', c1', c2', c3', d1', d2', d3', e'은 0 이상 1 미만의 수이고, a1'+a2'+a3'+b1'+b2'+b3'+c1'+c2'+c3'+d1'+d2'+d3'+e'=1을 만족한다. 상기 (R2)에서, f', g', h', i', j', k', l', m'은 0 이상 1 미만의 수이고, f'+g'+h'+i'+j'+k'+l'+m'=1을 만족한다. x', y', z'는 0 내지 3의 정수이고, 1≤x'+y'+z'≤5, 1≤y'+z'≤3을 만족한다.
또한, 인덴류, 노르보르나디엔류, 아세나프틸렌류, 비닐에테르류를 공중합할 수도 있다.
상기 화학식 (R1)에서, 조성비 a1'로 도입되는 반복 단위로서 구체적으로는 이하와 같은 것을 예시할 수 있지만, 이것으로 한정되는 것은 아니다.
Figure 112008022762124-pat00030
Figure 112008022762124-pat00031
상기 화학식 (R1)에서, 조성비 b1'로 도입되는 반복 단위로서 구체적으로는 이하의 것을 예시할 수 있지만, 이것으로 한정되는 것은 아니다.
Figure 112008022762124-pat00032
Figure 112008022762124-pat00033
상기 화학식 (R1)에서, 조성비 d1'로 도입되는 반복 단위로서 구체적으로는 이하의 것을 예시할 수 있지만, 이들로 한정되는 것은 아니다.
Figure 112008022762124-pat00034
Figure 112008022762124-pat00035
Figure 112008022762124-pat00036
Figure 112008022762124-pat00037
상기 화학식 (R1)에서, 조성비 a3', b3', c3', d3'의 반복 단위로 구성되는 고분자 화합물로서 구체적으로는 이하의 것을 예시할 수 있지만, 이것으로 한정되는 것은 아니다.
Figure 112008022762124-pat00038
Figure 112008022762124-pat00039
또한, 하기 화학식 (PA)에 표시되는 감광성의 술포늄염을 갖는 반복 단위를 (R1)이나 (R2)에 공중합, 함유시킬 수도 있다.
Figure 112008022762124-pat00040
(상기 식 중, Rp1은 수소 원자 또는 메틸기, Rp2는 페닐렌기, -O-Rp5-, 또는 -C(=O)-X-Rp5-이다. X는 산소 원자 또는 NH, Rp5는 탄소수 1 내지 6의 직쇄상, 분지상 또는 환상 알킬렌기, 알케닐렌기, 또는 페닐렌기이고, 카르보닐기, 에스테르기 또는 에테르기를 포함할 수도 있다. Rp3, Rp4는 동일하거나 상이한 탄소수 1 내지 12의 직쇄상, 분지상 또는 환상 알킬기이고, 카르보닐기, 에스테르기 또는 에테르기를 포함할 수도 있으며, 탄소수 6 내지 12의 아릴기 또는 탄소수 7 내지 20의 아랄킬기, 또는 티오페닐기를 나타낸다. X-는 비친핵성 대향 이온을 나타냄)
또한, 상기 기재 수지를 구성하는 고분자 화합물은 1종으로 한정하지 않고 2종 이상을 첨가할 수 있다. 복수종의 고분자 화합물을 사용함으로써, 레지스트 재료의 성능을 조정할 수 있다.
본 발명의 레지스트 재료는, 화학 증폭 포지티브형 레지스트 재료로서 기능하기 위해서 산 발생제를 포함할 수도 있고, 예를 들면 활성 광선 또는 방사선에 감응하여 산을 발생하는 화합물(광산 발생제)을 함유할 수도 있다. 광산 발생제의 성분으로는, 고에너지선 조사에 의해 산을 발생하는 화합물이면 어느 것도 관계없다. 바람직한 광산 발생제로는 술포늄염, 요오도늄염, 술포닐디아조메탄, N-술포 닐옥시이미드, 옥심-O-술포네이트형 산 발생제 등이 있다. 이하에 상술하지만 이들은 단독으로 또는 2종 이상 혼합하여 사용할 수 있다.
술포늄염은 술포닐 양이온과 술포네이트 또는 비스(치환 알킬술포닐)이미드, 트리스(치환 알킬술포닐)메티드의 염이고, 술포늄 양이온으로서 트리페닐술포늄, (4-tert-부톡시페닐)디페닐술포늄, 비스(4-tert-부톡시페닐)페닐술포늄, 트리스(4-tert-부톡시페닐)술포늄, (3-tert-부톡시페닐)디페닐술포늄, 비스(3-tert-부톡시페닐)페닐술포늄, 트리스(3-tert-부톡시페닐)술포늄, (3,4-디 tert-부톡시페닐)디페닐술포늄, 비스(3,4-디 tert-부톡시페닐)페닐술포늄, 트리스(3,4-디 tert-부톡시페닐)술포늄, 디페닐(4-티오페녹시페닐)술포늄, (4-tert-부톡시카르보닐메틸옥시페닐)디페닐술포늄, 트리스(4-tert-부톡시카르보닐메틸옥시페닐)술포늄, (4-tert-부톡시페닐)비스(4-디메틸아미노페닐)술포늄, 트리스(4-디메틸아미노페닐)술포늄, 2-나프틸디페닐술포늄, 디메틸2-나프틸술포늄, 4-히드록시페닐디메틸술포늄, 4-메톡시페닐디메틸술포늄, 트리메틸술포늄, 2-옥소시클로헥실시클로헥실메틸술포늄, 트리나프틸술포늄, 트리벤질술포늄, 디페닐메틸술포늄, 디메틸페닐술포늄, 2-옥소-2-페닐에틸티아시클로펜타늄, 4-n-부톡시나프틸-1-티아시클로펜타늄, 2-n-부톡시나프틸-1-티아시클로펜타늄 등을 들 수 있으며, 술포네이트로는 트리플루오로메탄술포네이트, 펜타플루오로에탄술포네이트, 노나플루오로부탄술포네이트, 도데카플루오로헥산술포네이트, 펜타플루오로에틸퍼플루오로시클로헥산술포네이트, 헵타데카플루오로옥탄술포네이트, 2,2,2-트리플루오로에탄술포네이트, 펜타플루오로벤젠술포네이트, 4-트리플루오로메틸벤젠술포네이트, 4-플루오로벤젠술포네이트, 메시틸렌 술포네이트, 2,4,6-트리이소프로필벤젠술포네이트, 톨루엔술포네이트, 벤젠술포네이트, 4-(4'-톨루엔술포닐옥시)벤젠술포네이트, 나프탈렌술포네이트, 캄파술포네이트, 옥탄술포네이트, 도데실벤젠술포네이트, 부탄술포네이트, 메탄술포네이트, 2-벤조일옥시-1,1,3,3,3-펜타플루오로프로판술포네이트, 1,1,3,3,3-펜타플루오로-2-(4-페닐벤조일옥시)프로판술포네이트, 1,1,3,3,3-펜타플루오로-2-피발로일옥시프로판술포네이트, 2-시클로헥산카르보닐옥시-1,1,3,3,3-펜타플루오로프로판술포네이트, 1,1,3,3,3-펜타플루오로-2-플루오일옥시프로판술포네이트, 2-나프토일옥시-1,1,3,3,3-펜타플루오로프로판술포네이트, 2-(4-tert-부틸벤조일옥시)-1,1,3,3,3-펜타플루오로프로판술포네이트, 2-아다만탄카르보닐옥시-1,1,3,3,3-펜타플루오로프로판술포네이트, 2-아세틸옥시-1,1,3,3,3-펜타플루오로프로판술포네이트, 1,1,3,3,3-펜타플루오로-2-히드록시프로판술포네이트, 1,1,3,3,3-헵타플루오로-2-토실옥시프로판술포네이트, 1,1-디플루오로-2-나프틸-에탄술포네이트, 1,1,2,2-테트라플루오로-2-(노르보르난-2-일)에탄술포네이트, 1,1,2,2-테트라플루오로-2-(테트라시클로[4.4.0.12,5.17,10)도데카-3-엔-8-일)에탄술포네이트 등을 들 수 있으며, 비스(치환 알킬술포닐)이미드로는 비스트리플루오로메틸술포닐이미드, 비스펜타플루오로에틸술포닐이미드, 비스헵타플루오로프로필술포닐이미드, 1,3-프로필렌비스술포닐이미드 등을 들 수 있으며, 트리스(치환 알킬술포닐)메티드로는 트리스트리플루오로메틸술포닐메티드를 들 수 있고, 이들 조합의 술포늄염을 들 수 있다.
요오도늄염은 요오도늄 양이온과 술포네이트 또는 비스(치환 알킬술포닐)이 미드, 트리스(치환 알킬술포닐)메티드의 염이고, 디페닐요오도늄, 비스(4-tert-부틸페닐)요오도늄, 4-tert-부톡시페닐페닐요오도늄, 4-메톡시페닐페닐요오도늄 등의 아릴요오도늄 양이온과 술포네이트로서 트리플루오로메탄술포네이트, 펜타플루오로에탄술포네이트, 노나플루오로부탄술포네이트, 도데카플루오로헥산술포네이트, 펜타플루오로에틸퍼플루오로시클로헥산술포네이트, 헵타데카플루오로옥탄술포네이트, 2,2,2-트리플루오로에탄술포네이트, 펜타플루오로벤젠술포네이트, 4-트리플루오로메틸벤젠술포네이트, 4-플루오로벤젠술포네이트, 메시틸렌술포네이트, 2,4,6-트리이소프로필벤젠술포네이트, 톨루엔술포네이트, 벤젠술포네이트, 4-(4-톨루엔술포닐옥시)벤젠술포네이트, 나프탈렌술포네이트, 캄파술포네이트, 옥탄술포네이트, 도데실벤젠술포네이트, 부탄술포네이트, 메탄술포네이트, 2-벤조일옥시-1,1,3,3,3-펜타플루오로프로판술포네이트, 1,1,3,3,3-펜타플루오로-2-(4-페닐벤조일옥시)프로판술포네이트, 1,1,3,3,3-펜타플루오로-2-피발로일옥시프로판술포네이트, 2-시클로헥산카르보닐옥시-1,1,3,3,3-펜타플루오로프로판술포네이트, 1,1,3,3,3-펜타플루오로-2-프로일옥시프로판술포네이트, 2-나프토일옥시-1,1,3,3,3-펜타플루오로프로판술포네이트, 2-(4-tert-부틸벤조일옥시)-1,1,3,3,3-펜타플루오로프로판술포네이트, 2-아다만탄카르보닐옥시-1,1,3,3,3-펜타플루오로프로판술포네이트, 2-아세틸옥시-1,1,3,3,3-펜타플루오로프로판술포네이트, 1,1,3,3,3-펜타플루오로-2-히드록시프로판술포네이트, 1,1,3,3,3-펜타플루오로-2-토실옥시프로판술포네이트, 1,1-디플루오로-2-나프틸-에탄술포네이트, 1,1,2,2-테트라플루오로-2-(노르보르난-2-일)에탄술 포네이트, 1,1,2,2-테트라플루오로-2-(테트라시클로[4.4.0.12,5.17,10]도데카-3-엔-8-일)에탄술포네이트 등을 들 수 있으며, 비스(치환 알킬술포닐)이미드로는 비스트리플루오로메틸술포닐이미드, 비스펜타플루오로에틸술포닐이미드, 비스헵타플루오로프로필술포닐이미드, 1,3-프로필렌비스술포닐이미드 등을 들 수 있으며, 트리스(치환 알킬술포닐)메티드로는 트리스트리플루오로메틸술포닐메티드를 들 수 있고, 이들 조합의 요오도늄염을 들 수 있다.
술포닐디아조메탄으로는, 비스(에틸술포닐)디아조메탄, 비스(1-메틸프로필 술포닐)디아조메탄, 비스(2-메틸프로필술포닐)디아조메탄, 비스(1,1-디메틸에틸술포닐)디아조메탄, 비스(시클로헥실술포닐)디아조메탄, 비스(퍼플루오로이소프로필 술포닐)디아조메탄, 비스(페닐술포닐)디아조메탄, 비스(4-메틸페닐술포닐)디아조메탄, 비스(2,4-디메틸페닐술포닐)디아조메탄, 비스(2-나프틸술포닐)디아조메탄, 비스(4-아세틸옥시페닐술포닐)디아조메탄, 비스(4-메탄술포닐옥시페닐술포닐)디아조메탄, 비스(4-(4-톨루엔술포닐옥시)페닐술포닐)디아조메탄, 비스(4-n-헥실옥시)페닐술포닐)디아조메탄, 비스(2-메틸-4-(n-헥실옥시)페닐술포닐)디아조메탄, 비스(2,5-디메틸-4-(n-헥실옥시)페닐술포닐)디아조메탄, 비스(3,5-디메틸-4-(n-헥실옥시)페닐술포닐)디아조메탄, 비스(2-메틸-5-이소프로필-4-(n-헥실옥시)페닐술포닐)디아조메탄, 4-메틸페닐술포닐벤조일디아조메탄, tert 부틸카르보닐-4-메틸페닐술포닐디아조메탄, 2-나프틸술포닐벤조일디아조메탄, 4-메틸페닐술포닐2-나프토일디아조메탄, 메틸술포닐벤조일디아조메탄, tert 부톡시카르보닐-4-메틸페닐술포닐 디아조메탄 등의 비스술포닐디아조메탄과 술포닐-카르보닐디아조메탄을 들 수 있다.
N-술포닐옥시이미드형 광산 발생제로는, 숙신산이미드, 나프탈렌디카르복실산이미드, 프탈산이미드, 시클로헥실디카르복실산이미드, 5-노르보르넨-2,3-디카르복실산이미드, 7-옥사비시클로[2.2.1]-5-헵텐-2,3-디카르복실산이미드 등의 이미드 골격과 트리플루오로메탄술포네이트, 펜타플루오로에탄술포네이트, 노나플루오로부탄술포네이트, 도데카플루오로헥산술포네이트, 펜타플루오로에틸퍼플루오로시클로헥산술포네이트, 헵타데카플루오로옥탄술포네이트, 2,2,2-트리플루오로에탄술포네이트, 펜타플루오로벤젠술포네이트, 4-트리플루오로메틸벤젠술포네이트, 4-플루오로벤젠술포네이트, 메시틸렌술포네이트, 2,4,6-트리이소프로필벤젠술포네이트, 톨루엔술포네이트, 벤젠술포네이트, 나프탈렌술포네이트, 캄파술포네이트, 옥탄술포네이트, 도데실벤젠술포네이트, 부탄술포네이트, 메탄술포네이트, 2-벤조일옥시-1,1,3,3,3-펜타플루오로프로판술포네이트, 1,1,3,3,3-펜타플루오로-2-(4-페닐벤조일옥시)프로판술포네이트, 1,1,3,3,3-펜타플루오로-2-피발로일옥시프로판술포네이트, 2-시클로헥산카르보닐옥시-1,1,3,3,3-펜타플루오로프로판술포네이트, 1,1,3,3,3-펜타플루오로-2-프로일옥시프로판술포네이트, 2-나프토일옥시-1,1,3,3,3-펜타플루오로프로판술포네이트, 2-(4-tert-부틸벤조일옥시)-1,1,3,3,3-펜타플루오로프로판술포네이트, 2-아단만탄카르보닐옥시-1,1,3,3,3-펜타플루오로프로판술포네이트, 2-아세틸옥시-1,1,3,3,3-펜타플루오로프로판술포네이트, 1,1,3,3,3-펜타플루오로-2-히드록시프로판술포네이트, 1,1,3,3,3-펜타플루오로-2- 토실옥시프로판술포네이트, 1,1-디플루오로-2-나프틸-에탄술포네이트, 1,1,2,2-테트라플루오로-2-(노르보르난-2-일)에탄술포네이트, 1,1,2,2-테트라플루오로-2-(테트라시클로[4.4.0.12,5.17,10]도데카-3-엔-8-일)에탄술포네이트 등의 조합의 화합물을 들 수 있다.
벤조인술포네이트형 광산 발생제로는, 벤조인토실레이트, 벤조인메실레이트, 벤조인부탄술포네이트 등을 들 수 있다.
피로갈롤트리술포네이트형 광산 발생제로는, 피로갈롤, 플루오로글리시놀, 카테콜, 레조르시놀, 히드로퀴논의 히드록실기를 모두 트리플루오로메탄술포네이트, 펜타플루오로에탄술포네이트, 노나플루오로부탄술포네이트, 도데카플루오로헥산술포네이트, 펜타플루오로에틸퍼플루오로시클로헥산술포네이트, 헵타데카플루오로옥탄술포네이트, 2,2,2-트리플루오로에탄술포네이트, 펜타플루오로벤젠술포네이트, 4-트리플루오로메틸벤젠술포네이트, 4-플루오로벤젠술포네이트, 톨루엔술포네이트, 벤젠술포네이트, 나프탈렌술포네이트, 캄파술포네이트, 옥탄술포네이트, 도데실벤젠술포네이트, 부탄술포네이트, 메탄술포네이트, 2-벤조일옥시-1,1,3,3,3-펜타플루오로프로판술포네이트, 1,1,3,3,3-펜타플루오로-2-(4-페닐벤조일옥시)프로판술포네이트, 1,1,3,3,3-펜타플루오로-2-피발로일옥시프로판술포네이트, 2-시클로헥산카르보닐옥시-1,1,3,3,3-펜타플루오로프로판술포네이트, 1,1,3,3,3-펜타플루오로-2-플루오일옥시프로판술포네이트, 2-나프토일옥시-1,1,3,3,3-펜타플루오로프로판술포네이트, 2-(4-tert-부틸벤조일옥시)-1,1,3,3,3-펜타플루오로프로판술포네이트, 2-아다만탄카르보닐옥시-1,1,3,3,3-펜타플루오로프로판술포네이트, 2-아세틸옥시-1,1,3,3,3-펜타플루오로프로판술포네이트, 1,1,3,3,3-펜타플루오로-2-히드록시프로판술포네이트, 1,1,3,3,3-펜타플루오로-2-토실옥시프로판술포네이트, 1,1-디플루오로-2-나프틸-에탄술포네이트, 1,1,2,2-테트라플루오로-2-(노르보르난-2-일)에탄술포네이트, 1,1,2,2-테트라플루오로-2-(테트라시클로[4.4.0.12,5.17,10]도데카-3-엔-8-일)에탄술포네이트 등으로 치환한 화합물을 들 수 있다.
니트로벤질술포네이트형 광산 발생제로는, 2,4-디니트로벤질술포네이트, 2-니트로벤질술포네이트, 2,6-디니트로벤질술포네이트를 들 수 있고, 술포네이트로는, 구체적으로 트리플루오로메탄술포네이트, 펜타플루오로에탄술포네이트, 노나플루오로부탄술포네이트, 도데카플루오로헥산술포네이트, 펜타플루오로에틸퍼플루오로시클로헥산술포네이트, 헵타데카플루오로옥탄술포네이트, 2,2,2-트리플루오로에탄술포네이트, 펜타플루오로벤젠술포네이트, 4-트리플루오로메틸벤젠술포네이트, 4-플루오로벤젠술포네이트, 톨루엔술포네이트, 벤젠술포네이트, 나프탈렌술포네이트, 캄파술포네이트, 옥탄술포네이트, 도데실벤젠술포네이트, 부탄술포네이트, 메탄술포네이트, 2-벤조일옥시-1,1,3,3,3-펜타플루오로프로판술포네이트, 1,1,3,3,3-펜타플루오로-2-(4-페닐벤조일옥시)프로판술포네이트, 1,1,3,3,3-펜타플루오로-2-피발로일옥시프로판술포네이트, 2-시클로헥산카르보닐옥시-1,1,3,3,3-펜타플루오로프로판술포네이트, 1,1,3,3,3-펜타플루오로-2-플루오일옥시프로판술포네이트, 2-나프토일옥시-1,1,3,3,3-펜타플루오로프로판술포네이트, 2-(4-tert-부틸벤조일옥시)- 1,1,3,3,3-펜타플루오로프로판술포네이트, 2-아다만탄카르보닐옥시-1,1,3,3,3-펜타플루오로프로판술포네이트, 2-아세틸옥시-1,1,3,3,3-펜타플루오로프로판술포네이트, 1,1,3,3,3-펜타플루오로-2-히드록시프로판술포네이트, 1,1,3,3,3-펜타플루오로-2-토실옥시프로판술포네이트, 1,1-디플루오로-2-나프틸-에탄술포네이트, 1,1,2,2-테트라플루오로-2-(노르보르난-2-일)에탄술포네이트, 1,1,2,2-테트라플루오로-2-(테트라시클로[4.4.0.12,5.17,10]도데카-3-엔-8-일)에탄술포네이트 등을 들 수 있다. 또한 벤질측의 니트로기를 트리플루오로메틸기로 치환한 화합물도 마찬가지로 사용할 수 있다.
술폰형 광산 발생제의 예로는, 비스(페닐술포닐)메탄, 비스(4-메틸페닐술포닐)메탄, 비스(2-나프틸술포닐)메탄, 2,2-비스(페닐술포닐)프로판, 2,2-비스(4-메틸페닐술포닐)프로판, 2,2-비스(2-나프틸술포닐)프로판, 2-메틸-2-(p-톨루엔술포닐)프로피오페논, 2-시클로헥실카르보닐-2-(p-톨루엔술포닐)프로판, 2,4-디메틸-2-(p-톨루엔술포닐)펜탄-3-온 등을 들 수 있다.
글리옥심 유도체형의 광산 발생제는, 일본 특허 제2906999호 공보나 일본 특허 공개 (평)9-301948호 공보에 기재된 화합물을 들 수 있고, 구체적으로는 비스-O-(p-톨루엔술포닐)-α-디메틸글리옥심, 비스-O-(p-톨루엔술포닐)-α-디페닐글리옥심, 비스-O-(p-톨루엔술포닐)-α-디시클로헥실글리옥심, 비스-O-(p-톨루엔술포닐)-2,3-펜탄디온글리옥심, 비스-O-(n-부탄술포닐)-α-디메틸글리옥심, 비스-O-(n-부탄술포닐)-α-디페닐글리옥심, 비스-O-(n-부탄술포닐)-α-디시클로헥실글리옥심, 비 스-O-(메탄술포닐)-α-디메틸글리옥심, 비스-O-(트리플루오로메탄술포닐)-α-디메틸글리옥심, 비스-O-(2,2,2-트리플루오로에탄술포닐)-α-디메틸글리옥심, 비스-O-(10-캄파술포닐)-α-디메틸글리옥심, 비스-O-(벤젠술포닐)-α-디메틸글리옥심, 비스-O-(p-플루오로벤젠술포닐)-α-디메틸글리옥심, 비스-O-(p-트리플루오로메틸벤젠술포닐)-α-디메틸글리옥심, 비스-O-(크실렌술포닐)-α-디메틸글리옥심, 비스-O-(트리플루오로메탄술포닐)-니옥심, 비스-O-(2,2,2-트리플루오로에탄술포닐)-니옥심, 비스-O-(10-캄파술포닐)-니옥심, 비스-O-(벤젠술포닐)-니옥심, 비스-O-(p-플루오로벤젠술포닐)-니옥심, 비스-O-(p-트리플루오로메틸벤젠술포닐)-니옥심, 비스-O-(크실렌술포닐)-니옥심 등을 들 수 있다.
또한, 미국 특허 제6004724호 명세서에 기재된 옥심술포네이트, 특히 (5-(4-톨루엔술포닐)옥시이미노-5H-티오펜-2-일리덴)페닐아세토니트릴, (5-(10-캄파술포닐)옥시이미노-5H-티오펜-2-일리덴)페닐아세토니트릴, (5-n-옥탄술포닐옥시이미노-5H-티오펜-2-일리덴)페닐아세토니트릴, (5-(4-톨루엔술포닐)옥시이미노-5H-티오펜-2-일리덴)(2-메틸페닐)아세토니트릴, (5-(10-캄파술포닐)옥시이미노-5H-티오펜-2-일리덴)(2-메틸페닐)아세토니트릴, (5-n-옥탄술포닐옥시이미노-5H-티오펜-2-일리덴)(2-메틸페닐)아세토니트릴 등을 들 수 있으며, 추가로 미국 특허 제6916591호 명세서에 기재된 (5-(4-(4-톨루엔술포닐옥시)벤젠술포닐)옥시이미노-5H-티오펜-2-일리덴)페닐아세토니트릴, (5-(2,5-비스(4-톨루엔술포닐옥시)벤젠술포닐)옥시이미노-5H-티오펜-2-일리덴)페닐아세토니트릴 등을 들 수 있다.
미국 특허 제6261738호 명세서, 일본 특허 공개 제2000-314956호 공보에 기 재된 옥심술포네이트, 특히 2,2,2-트리플루오로-1-페닐-에타논옥심-O-메틸술포네이트, 2,2,2-트리플루오로-1-페닐-에타논옥심-O-(10-캄포릴술포네이트), 2,2,2-트리플루오로-1-페닐-에타논옥심, -O-(4-메톡시페닐술포네이트), 2,2,2-트리플루오로-1-페닐-에타논옥심-O-(1-나프틸술포네이트), 2,2,2-트리플루오로-1-페닐-에타논옥심-O-(2-나프틸술포네이트), 2,2,2-트리플루오로-1-페닐-에타논옥심-O-(2,4,6-트리메틸페닐술포네이트), 2,2,2-트리플루오로-1-(4-메틸페닐)-에타논옥심-O-(10-캄포릴술포네이트), 2,2,2-트리플루오로-1-(4-메틸페닐)-에타논옥심-O-(메틸술포네이트), 2,2,2-트리플루오로-1-(2-메틸페닐)-에타논옥심-O-(10-캄포릴술포네이트), 2,2,2-트리플루오로-1-(2,4-디메틸페닐)-에타논옥심-O-(10-캄포릴술포네이트), 2,2,2-트리플루오로-1-(2,4-디메틸페닐)-에타논옥심-O-(1-나프틸술포네이트), 2,2,2-트리플루오로-1-(2,4-디메틸페닐)-에타논옥심-O-(2-나프틸술포네이트), 2,2,2-트리플루오로-1-(2,4,6-트리메틸페닐)-에타논옥심-O-(10-캄포릴술포네이트), 2,2,2-트리플루오로-1-(2,4,6-트리메틸페닐)-에타논옥심-O-(1-나프틸술포네이트), 2,2,2-트리플루오로-1-(2,4,6-트리메틸페닐)-에타논옥심-O-(2-나프틸술포네이트), 2,2,2-트리플루오로-1-(4-메톡시페닐)-에타논옥심-O-메틸술포네이트, 2,2,2-트리플루오로-1-(4-메틸티오페닐)-에타논옥심-O-메틸술포네이트, 2,2,2-트리플루오로-1-(3,4-디메톡시페닐)-에타논옥심-O-메틸술포네이트, 2,2,3,3,4,4,4-헵타플루오로-1-페닐-부타논옥심-O-(10-캄포릴술포네이트), 2,2,2-트리플루오로-1-(페닐)-에타논옥심-O-메틸술포네이트, 2,2,2-트리플루오로-1-(페닐)-에타논옥심-O-10-캄포릴술포네이트, 2,2,2-트리플루오로-1-(페닐)-에타논옥심-O-(4-메톡시페닐)술포네이트, 2,2,2-트리플루오로-1-(페닐)-에타논옥심-O-(1-나프틸)술포네이트, 2,2,2-트리플루오로-1-(페닐)-에타논옥심-O-(2-나프틸)술포네이트, 2,2,2-트리플루오로-1-(페닐)-에타논옥심-O-(2,4,6-트리메틸페닐)술포네이트, 2,2,2-트리플루오로-1-(4-메틸페닐)-에타논옥심-O-(10-캄포릴)술포네이트, 2,2,2-트리플루오로-1-(4-메틸페닐)-에타논옥심-O-메틸술포네이트, 2,2,2-트리플루오로-1-(2-메틸페닐)-에타논옥심-O-(10-캄포릴)술포네이트, 2,2,2-트리플루오로-1-(2,4-디메틸페닐)-에타논옥심-O-(1-나프틸)술포네이트, 2,2,2-트리플루오로-1-(2,4-디메틸페닐)-에타논옥심-O-(2-나프틸)술포네이트, 2,2,2-트리플루오로-1-(2,4,6-트리메틸페닐)-에타논옥심-O-(10-캄포릴)술포네이트, 2,2,2-트리플루오로-1-(2,4,6-트리메틸페닐)-에타논옥심-O-(1-나프틸)술포네이트, 2,2,2-트리플루오로-1-(2,4,6-트리메틸페닐)-에타논옥심-O-(2-나프틸)술포네이트, 2,2,2-트리플루오로-1-(4-메톡시페닐)-에타논옥심-O-메틸술포네이트, 2,2,2-트리플루오로-1-(4-티오메틸페닐)-에타논옥심-O-메틸술포네이트, 2,2,2-트리플루오로-1-(3,4-디메톡시페닐)-에타논옥심-O-메틸술포네이트, 2,2,2-트리플루오로-1-(4-메톡시페닐)-에타논옥심-O-(4-메틸페닐)술포네이트, 2,2,2-트리플루오로-1-(4-메톡시페닐)-에타논옥심-O-(4-메톡시페닐)술포네이트, 2,2,2-트리플루오로-1-(4-메톡시페닐)-에타논옥심-O-(4-도데실페닐)술포네이트, 2,2,2-트리플루오로-1-(-1-메톡시페닐)-에타논옥심-0-옥틸술포네이트, 2,2,2-트리플루오로-1-(4-티오메틸페닐)-에타논옥심-O-(4-메톡시페닐)술포네이트, 2,2,2-트리플루오로-1-(4-티오메틸페닐)-에타논옥심-O-(4-도데실페닐)술포네이트, 2.2,2-트리플루오로-1-(4-티오메틸페닐)-에타논옥심-O-옥틸술포네이트, 2,2,2-트리플루오로-1-(4-티오메틸페 닐)-에타논옥심-O-(2-나프틸)술포네이트, 2,2,2-트리플루오로-1-(2-메틸페닐)-에타논옥심-O-메틸술포네이트, 2,2,2-트리플루오로-1-(4-메틸페닐)-에타논옥심-O-페닐술포네이트, 2,2,2-트리플루오로-1-(4-클로로페닐)-에타논옥심-O-페닐술포네이트, 2,2,3,3,4,4,4-헵타플루오로-1-(페닐)-부타논옥심-O-(10-캄포릴)술포네이트, 2,2,2-트리플루오로-1-나프틸-에타논옥심-O-메틸술포네이트, 2,2,2-트리플루오로-2-나프틸-에타논옥심-O-메틸술포네이트, 2,2,2-트리플루오로-1-[4-벤질페닐]-에타논옥심-O-메틸술포네이트, 2,2,2-트리플루오로-1-[4-(페닐-1,4-디옥사-부토-1-일)페닐]-에타논옥심-O-메틸술포네이트, 2,2,2-트리플루오로-1-나프틸-에타논옥심-O-프로필술포네이트, 2,2,2-트리플루오로-2-나프틸-에타논옥심-O-프로필술포네이트, 2,2,2-트리플루오로-1-[4-벤질페닐]-에타논옥심-O-프로필술포네이트, 2,2,2-트리플루오로-1-[4-메틸술포닐페닐]-에타논옥심-O-프로필술포네이트, 1,3-비스[1-(4-페녹시페닐)-2,2,2-트리플루오로에타논옥심-O-술포닐]페닐, 2,2,2-트리플루오로-1-[4-메틸술포닐옥시페닐]-에타논옥심-O-프로필술포네이트, 2,2,2-트리플루오로-1-[4-메틸카르보닐옥시페닐]-에타논옥심-O-프로필술포네이트, 2,2,2-트리플루오로-1-[6H,7H-5,8-디옥소나프토-2-일]-에타논옥심-O-프로필술포네이트, 2,2,2-트리플루오로-1-[4-메톡시카르보닐메톡시페닐]-에타논옥심-O-프로필술포네이트, 2,2,2-트리플루오로-1-[4-(메톡시카르보닐)-(4-아미노-1-옥사-펜타-1-일)-페닐]-에타논옥심-O-프로필술포네이트, 2,2,2-트리플루오로-1-[3,5-디메틸-4-에톡시페닐]-에타논옥심-O-프로필술포네이트, 2,2,2-트리플루오로-1-[4-벤질옥시페닐]-에타논옥심-O-프로필술포네이트, 2,2,2-트리플루오로-1-[2-티오페닐]-에타논옥심-O-프로필술포네이트 및 2,2,2-트리플루오로-1-[1-디옥사-티오펜-2-일]-에타논옥심-O-프로필술포네이트, 2,2,2-트리플루오로-1-(4-(3-(4-(2,2,2-트리플루오로-1-(트리플루오로메탄술포닐옥시이미노)-에틸)-페녹시)-프로폭시)-페닐)에타논옥심(트리플루오로메탄술포네이트), 2,2,2-트리플루오로-1-(4-(3-(4-(2,2,2-트리플루오로-1-(1-프로판술포닐옥시이미노)-에틸)-페녹시)-프로폭시)-페닐)에타논옥심(1-프로판술포네이트), 2,2,2-트리플루오로-1-(4-(3-(4-(2,2,2-트리플루오로-1-(1-부탄술포닐옥시이미노)-에틸)-페녹시)-프로폭시)-페닐)에타논옥심(1-부탄술포네이트) 등을 들 수 있으며, 또한 미국 특허 제6916591호 명세서에 기재된 2,2,2-트리플루오로-1-(4-(3-(4-(2,2,2-트리플루오로-1-(4-(4-메틸페닐술포닐옥시)페닐술포닐옥시이미노)-에틸)-페녹시)-프로폭시)-페닐)에타논옥심(4-(4-메틸페닐술포닐옥시)페닐술포네이트), 2,2,2-트리플루오로-1-(4-(3-(4-(2,2,2-트리플루오로-1-(2,5-비스(4-메틸페닐술포닐옥시)벤젠술포닐옥시)페닐술포닐옥시이미노)-에틸)-페녹시)-프로폭시)-페닐)에타논옥심(2,5-비스(4-메틸페닐술포닐옥시)벤젠술포닐옥시)페닐술포네이트) 등을 들 수 있다.
일본 특허 공개 (평)9-95479호 공보, 일본 특허 공개 (평)9-230588호 공보 또는 본문 중 종래 기술로서 기재된 옥심술포네이트α-(p-톨루엔술포닐옥시이미노)-페닐아세토니트릴, α-(p-클로로벤젠술포닐옥시이미노)-페닐아세토니트릴, α-(4-니트로벤젠술포닐옥시이미노)-페닐아세토니트릴, α-(4-니트로-2-트리플루오로메틸벤젠술포닐옥시이미노)-페닐아세토니트릴, α-(벤젠술포닐옥시이미노)-4-클로로페닐아세토니트릴, α-(벤젠술포닐옥시이미노)-2,4-디클로로페닐아세토니트릴, α-(벤젠술포옥시이미노)-2,6-디클로로페닐아세토니트릴, α-(벤젠술포닐옥시이미 노)-4-메톡시페닐아세토니트릴, α-(2-클로로벤젠술포닐옥시이미노)-4-메톡시페닐아세토니트릴, α-(벤젠술포닐옥시이미노)-2-티에닐아세토니트릴, α-(4-도데실벤젠술포닐옥시이미노)-페닐아세토니트릴, α-[(4-톨루엔술포닐옥시이미노)-4-메톡시페닐]아세토니트릴, α-[(도데실벤젠술포닐옥시이미노)-4-메톡시페닐]아세토니트릴, α-(토실옥시이미노)-3-티에닐아세토니트릴, α-(메틸술포닐옥시이미노)-1-시클로펜테닐아세토니트릴, α-(에틸술포닐옥시이미노)-1-시클로펜테닐아세토니트릴, α-(이소프로필술포닐옥시이미노)-1-시클로펜테닐아세토니트릴, α-(n-부틸술포닐옥시이미노)-1-시클로펜테닐아세토니트릴, α-(에틸술포닐옥시이미노)-1-시클로헥세닐아세토니트릴, α-(이소프로필술포닐옥시이미노)-1-시클로헥세닐아세토니트릴, α-(n-부틸술포닐옥시이미노)-1-시클로헥세닐아세토니트릴 등을 들 수 있다.
하기 화학식으로 표시되는 옥심술포네이트(예를 들면 WO 2004/074242에 구체예 기재)를 들 수 있다.
Figure 112008022762124-pat00041
(상기 식 중, RS1은 치환 또는 비치환의 탄소수 1 내지 10의 할로알킬술포닐기 또는 할로벤젠술포닐기를 나타낸다. RS2는 탄소수 1 내지 11의 할로알킬기를 나타낸다. ArS1은 치환 또는 비치환의 방향족기 또는 헤테로 방향족기를 나타냄)
구체적으로는 2-[2,2,3,3,4,4,5,5-옥타플루오로-1-(노나플루오로부틸술포닐옥시이미노)-펜틸]-플루오렌, 2-[2,2,3,3,4,4-펜타플루오로-1-(노나플루오로부틸술 포닐옥시이미노)-부틸]-플루오렌, 2-[2,2,3,3,4,4,5,5,6,6-데카플루오로-1-(노나플루오로부틸술포닐옥시이미노)-헥실]-플루오렌, 2-[2,2,3,3,4,4,5,5-옥타플루오로-1-(노나플루오로부틸술포닐옥시이미노)-펜틸]-4-비페닐, 2-[2,2,3,3,4,4-펜타플루오로-1-(노나플루오로부틸술포닐옥시이미노)-부틸]-4-비페닐, 2-[2,2,3,3,4,4,5,5,6,6-데카플루오로-1-(노나플루오로부틸술포닐옥시이미노)-헥실]-4-비페닐 등을 들 수 있다.
또한, 비스옥심술포네이트로서 일본 특허 공개 (평)9-208554호 공보에 기재된 화합물, 특히 비스(α-(4-톨루엔술포닐옥시)이미노)-p-페닐렌디아세토니트릴, 비스(α-(벤젠술포닐옥시)이미노)-p-페닐렌디아세토니트릴, 비스(α-(메탄술포닐옥시)이미노)-p-페닐렌디아세토니트릴, 비스(α-(부탄술포닐옥시)이미노)-p-페닐렌디아세토니트릴, 비스(α-(10-캄파술포닐옥시)이미노)-p-페닐렌디아세토니트릴, 비스(α-(4-톨루엔술포닐옥시)이미노)-p-페닐렌디아세토니트릴, 비스(α-(트리플루오로메탄술포닐옥시)이미노)-p-페닐렌디아세토니트릴, 비스(α-(4-메톡시벤젠술포닐옥시)이미노)-p-페닐렌디아세토니트릴, 비스(α-(4-톨루엔술포닐옥시)이미노)-m-페닐렌디아세토니트릴, 비스(α-(벤젠술포닐옥시)이미노)-m-페닐렌디아세토니트릴, 비스(α-(메탄술포닐옥시)이미노)-m-페닐렌디아세토니트릴, 비스(α-(부탄술포닐옥시)이미노)-m-페닐렌디아세토니트릴, 비스(α-(10-캄파술포닐옥시)이미노)-m-페닐렌디아세토니트릴, 비스(α-(4-톨루엔술포닐옥시)이미노)-m-페닐렌디아세토니트릴, 비스(α-(트리플루오로메탄술포닐옥시)이미노)-m-페닐렌디아세토니트릴, 비스(α-(4-메톡시벤젠술포닐옥시)이미노)-m-페닐렌디아세토니트릴 등을 들 수 있다.
그 중에서도 바람직하게 이용되는 광산 발생제로는, 술포늄염, 비스술포닐디아조메탄, N-술포닐옥시이미드, 옥심-O-술포네이트, 글리옥심 유도체이다. 보다 바람직하게 이용되는 광산 발생제로는, 술포늄염, 비스술포닐디아조메탄, N-술포닐옥시이미드, 옥심-O-술포네이트이다. 구체적으로는 트리페닐술포늄 p-톨루엔술포네이트, 트리페닐술포늄캄파술포네이트, 트리페닐술포늄펜타플루오로벤젠술포네이트, 트리페닐술포늄노나플루오로부탄술포네이트, 트리페닐술포늄4-(4'-톨루엔술포닐옥시)벤젠술포네이트, 트리페닐술포늄-2,4,6-트리이소프로필벤젠술포네이트, 4-tert-부톡시페닐디페닐술포늄 p-톨루엔술포네이트, 4-tert-부톡시페닐디페닐술포늄캄파술포네이트, 4-tert-부톡시페닐디페닐술포늄4-(4'-톨루엔술포닐옥시)벤젠술포네이트, 트리스(4-메틸페닐)술포늄 캄파술포네이트, 트리스(4-tert 부틸페닐)술포늄캄파술포네이트, 4-tert-부틸페닐디페닐술포늄 캄파술포네이트, 4-tert-부틸페닐디페닐술포늄노나플루오로-1-부탄술포네이트, 4-tert-부틸페닐디페닐술포늄 펜타플루오로에틸퍼플루오로시클로헥산술포네이트, 4-tert-부틸페닐디페닐술포늄 퍼플루오로-1-옥탄술포네이트, 트리페닐술포늄1,1-디플루오로-2-나프틸-에탄술포네이트, 트리페닐술포늄1,1,2,2-테트라플루오로-2-(노르보르난-2-일)에탄술포네이트, 비스(tert-부틸술포닐)디아조메탄, 비스(시클로헥실술포닐)디아조메탄, 비스(2,4-디메틸페닐술포닐)디아조메탄, 비스(4-n-헥실옥시)페닐술포닐)디아조메탄, 비스(2-메틸-4-(n-헥실옥시)페닐술포닐)디아조메탄, 비스(2,5-디메틸-4-(n-헥실옥시)페닐술포닐)디아조메탄, 비스(3,5-디메틸-4-(n-헥실옥시)페닐술포닐)디아조메탄, 비스(2-메틸-5-이소프로필-4-(n-헥실옥시)페닐술포닐)디아조메탄, 비스(4-tert-부틸페닐술 포닐)디아조메탄, N-캄파술포닐옥시-5-노르보르넨-2,3-디카르복실산이미드, N-p-톨루엔술포닐옥시-5-노르보르넨-2,3-디카르복실산이미드, 2-[2,2,3,3,4,4,5,5-옥타플루오로-1-(노나플루오로부틸술포닐옥시이미노)-펜틸]-플루오렌, 2-[2,2,3,3,4,4-펜타플루오로-1-(노나플루오로부틸술포닐옥시이미노)-부틸]-플루오렌, 2-[2,2,3,3,4,4,5,5,6,6-데카플루오로-1-(노나플루오로부틸술포닐옥시이미노)-헥실]-플루오렌 등을 들 수 있다.
본 발명의 화학 증폭형 레지스트 재료에서의 광산 발생제의 첨가량은 어느 하나일 수도 있지만, 레지스트 재료 중 기재 수지 100 질량부에 대하여 0.1 내지 20 질량부, 바람직하게는 0.1 내지 10 질량부이다. 광산 발생제가 20 질량부 이하이면, 포토레지스트막의 투과율이 충분히 크고, 해상 성능의 열화가 발생할 우려가 적다. 상기 광산 발생제는 단독으로 또는 2종 이상 혼합하여 이용할 수도 있다. 또한, 노광 파장에서의 투과율이 낮은 광산 발생제를 이용하고, 그 첨가량으로 레지스트막 중 투과율을 제어할 수도 있다.
또한, 본 발명의 레지스트 재료에, 산에 의해 분해하고 산을 발생하는 화합물(산 증식 화합물)을 첨가할 수도 있다.
이들 화합물에 대해서는 문헌[J. Photopolym. Sci. and Tech., 8. 43-44, 45-46(1995)], 문헌[J. Photopolym. Sci. and Tech., 9.29-30(1996)]에 기재되어 있다.
산 증식 화합물의 예로는, tert-부틸2-메틸2-토실옥시메틸아세토아세테이트, 2-페닐2-(2-토실옥시에틸)1,3-디옥솔란 등을 들 수 있지만 이것으로 한정되는 것은 아니다. 공지된 광산 발생제 중에서 안정성, 특히 열 안정성이 떨어지는 화합물은 산 증식 화합물적인 성질을 나타내는 경우가 많다.
본 발명의 레지스트 재료에서의 산 증식 화합물의 첨가량으로는, 레지스트 재료 중 기재 수지 100 질량부에 대하여 2 질량부 이하, 바람직하게는 1 질량부 이하이다. 2 질량부 이하이면 확산이 제어되어 해상성의 열화, 패턴 형상의 열화가 발생할 우려가 적다.
본 발명의 레지스트 재료는, 추가로 유기 용제, 염기성 화합물, 용해 제어제, 가교제 및 계면활성제 중 어느 하나 이상을 함유할 수 있다.
본 발명에서 사용되는 유기 용제로는 기재 수지, 산 발생제, 그 밖의 첨가제 등이 용해 가능한 유기 용제이면 어느 것일 수도 있다. 이러한 유기 용제로는, 예를 들면 시클로헥사논, 메틸-2-n-아밀케톤 등의 케톤류, 3-메톡시부탄올, 3-메틸-3-메톡시부탄올, 1-메톡시-2-프로판올, 1-에톡시-2-프로판올 등의 알코올류, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 에틸렌글리콜모노메틸에테르, 프로필렌글리콜모노에틸에테르, 에틸렌글리콜모노에틸에테르, 프로필렌글리콜디메틸에테르, 디에틸렌글리콜디메틸에테르 등의 에테르류, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 락트산에틸, 피루브산에틸, 아세트산부틸, 3-메톡시프로피온산메틸, 3-에톡시프로피온산에틸, 아세트산tert-부틸, 프로피온산tert-부틸, 프로필렌글리콜모노-tert-부틸에테르아세테이트 등의 에스테르류, γ-부티로락톤 등의 락톤류를 들 수 있고, 이들의 1종을 단독으로 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있지만, 이들로 한정되는 것은 아니다. 본 발명에서는 이들의 유기 용제 중에서도 레지스트 성분 중 산 발생제의 용해성이 가장 우수한 디에틸렌글리콜디메틸에테르나 1-에톡시-2-프로판올, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 및 그 혼합 용제가 바람직하게 사용된다.
유기 용제의 사용량은 기재 수지 100 질량부에 대하여 200 내지 3,000 질량부, 특히 400 내지 2,500 질량부가 바람직하다.
또한, 본 발명의 레지스트 재료에는 염기성 화합물로서 질소 함유 유기 화합물을 1종 또는 2종 이상 배합할 수 있다.
질소 함유 유기 화합물로는, 산 발생제로부터 발생하는 산이 레지스트막 중에 확산할 때의 확산 속도를 억제할 수 있는 화합물이 적합하다. 질소 함유 유기 화합물의 배합에 의해, 레지스트막 중에서의 산의 확산 속도가 억제되어 해상도가 향상되고, 노광 후의 감도 변화를 억제하거나, 기판이나 환경 의존성을 적게 하고, 노광 여유도나 패턴 프로파일 등을 향상시킬 수 있다.
이러한 질소 함유 유기 화합물로는, 제1급, 제2급, 제3급의 지방족 아민류, 혼성 아민류, 방향족 아민류, 복소환 아민류, 카르복시기를 갖는 질소 함유 화합물, 술포닐기를 갖는 질소 함유 화합물, 수산기를 갖는 질소 함유 화합물, 히드록시페닐기를 갖는 질소 함유 화합물, 알코올성 질소 함유 화합물, 아미드류, 이미드류, 카르바메이트류 등을 들 수 있다.
구체적으로는, 제1급 지방족 아민류로서 암모니아, 메틸아민, 에틸아민, n-프로필아민, 이소프로필아민, n-부틸아민, 이소부틸아민, sec-부틸아민, tert-부틸아민, 펜틸아민, tert-아밀아민, 시클로펜틸아민, 헥실아민, 시클로헥실아민, 헵틸 아민, 옥틸아민, 노닐아민, 데실아민, 도데실아민, 세틸아민, 메틸렌디아민, 에틸렌디아민, 테트라에틸렌펜타민 등이 예시되고, 제2급 지방족 아민류로서 디메틸아민, 디에틸아민, 디-n-프로필아민, 디이소프로필아민, 디-n-부틸아민, 디이소부틸아민, 디-sec-부틸아민, 디펜틸아민, 디시클로펜틸아민, 디헥실아민, 디시클로헥실아민, 디헵틸아민, 디옥틸아민, 디노닐아민, 디데실아민, 디도데실아민, 디세틸아민, N,N-디메틸메틸렌디아민, N,N-디메틸에틸렌디아민, N,N-디메틸테트라에틸렌펜타민 등이 예시되고, 제3급의 지방족 아민류로서 트리메틸아민, 트리에틸아민, 트리-n-프로필아민, 트리이소프로필아민, 트리-n-부틸아민, 트리이소부틸아민, 트리-sec-부틸아민, 트리펜틸아민, 트리시클로펜틸아민, 트리헥실아민, 트리시클로헥실아민, 트리헵틸아민, 트리옥틸아민, 트리노닐아민, 트리데실아민, 트리도데실아민, 트리세틸아민, N,N,N',N'-테트라메틸메틸렌디아민, N,N,N',N'-테트라메틸에틸렌디아민, N,N,N',N'-테트라메틸테트라에틸렌펜타민 등이 예시된다.
또한, 혼성 아민류로는, 예를 들면 디메틸에틸아민, 메틸에틸프로필아민, 벤질아민, 페네틸아민, 벤질디메틸아민 등이 예시된다. 방향족 아민류 및 복소환 아민류의 구체예로는, 아닐린 유도체(예를 들면, 아닐린, N-메틸아닐린, N-에틸아닐린, N-프로필아닐린, N,N-디메틸아닐린, 2-메틸아닐린, 3-메틸아닐린, 4-메틸아닐린, 에틸아닐린, 프로필아닐린, 트리메틸아닐린, 2-니트로아닐린, 3-니트로아닐린, 4-니트로아닐린, 2,4-디니트로아닐린, 2,6-디니트로아닐린, 3,5-디니트로아닐린, N,N-디메틸톨루이딘 등), 디페닐(p-톨릴)아민, 메틸디페닐아민, 트리페닐아민, 페닐렌디아민, 나프틸아민, 디아미노나프탈렌, 피롤 유도체(예를 들면 피롤, 2H-피 롤, 1-메틸피롤, 2,4-디메틸피롤, 2,5-디메틸피롤, N-메틸피롤 등), 옥사졸 유도체(예를 들면 옥사졸, 이소옥사졸 등), 티아졸 유도체(예를 들면 티아졸, 이소티아졸 등), 이미다졸 유도체(예를 들면 이미다졸, 4-메틸이미다졸, 4-메틸-2-페닐이미다졸 등), 피라졸 유도체, 푸라잔 유도체, 피롤린 유도체(예를 들면 피롤린, 2-메틸-1-피롤린 등), 피롤리딘 유도체(예를 들면 피롤리딘, N-메틸피롤리딘, 피롤리디논, N-메틸피롤리돈 등), 이미다졸린 유도체, 이미다졸리딘 유도체, 피리딘 유도체(예를 들면 피리딘, 메틸피리딘, 에틸피리딘, 프로필피리딘, 부틸피리딘, 4-(1-부틸펜틸)피리딘, 디메틸피리딘, 트리메틸피리딘, 트리에틸피리딘, 페닐피리딘, 3-메틸-2-페닐피리딘, 4-tert-부틸피리딘, 디페닐피리딘, 벤질피리딘, 메톡시피리딘, 부톡시피리딘, 디메톡시피리딘, 4-피롤리디노피리딘, 2-(1-에틸프로필)피리딘, 아미노피리딘, 디메틸아미노피리딘 등), 피리다진 유도체, 피리미딘 유도체, 피라진유도체, 피라졸린 유도체, 피라졸리딘 유도체, 피페리딘 유도체, 피페라진 유도체, 모르폴린 유도체, 인돌 유도체, 이소인돌 유도체, 1H-인다졸 유도체, 인돌린 유도체, 퀴놀린 유도체(예를 들면 퀴놀린, 3-퀴놀린카르보니트릴 등), 이소퀴놀린 유도체, 신놀린 유도체, 퀴나졸린 유도체, 퀴녹살린 유도체, 프탈라진 유도체, 푸린 유도체, 프테리딘 유도체, 카르바졸 유도체, 페난트리딘 유도체, 아크리딘 유도체, 페나진 유도체, 1,10-페난트롤린 유도체, 아데닌 유도체, 아데노신 유도체, 구아닌 유도체, 구아노신 유도체, 우라실 유도체, 우리딘 유도체 등이 예시된다.
또한, 카르복시기를 갖는 질소 함유 화합물로는, 예를 들면 아미노벤조산, 인돌카르복실산, 아미노산 유도체(예를 들면 니코틴산, 알라닌, 아르기닌, 아스파 라긴산, 글루탐산, 글리신, 히스티딘, 이소로이신, 글리실로이신, 로이신, 메티오닌, 페닐알라닌, 트레오닌, 리신, 3-아미노피라진-2-카르복실산, 메톡시알라닌) 등이 예시되고, 술포닐기를 갖는 질소 함유 화합물로서 3-피리딘술폰산, p-톨루엔술폰산피리디늄 등이 예시되고, 수산기를 갖는 질소 함유 화합물, 히드록시페닐기를 갖는 질소 함유 화합물, 알코올성 질소 함유 화합물로는, 2-히드록시피리딘, 아미노크레졸, 2,4-퀴놀린디올, 3-인돌메탄올히드레이트, 모노에탄올아민, 디에탄올아민, 트리에탄올아민, N-에틸디에탄올아민, N,N-디에틸에탄올아민, 트리이소프로판올아민, 2,2'-이미노디에탄올, 2-아미노에탄올, 3-아미노-1-프로판올, 4-아미노-1-부탄올, 4-(2-히드록시에틸)모르폴린, 2-(2-히드록시에틸)피리딘, 1-(2-히드록시에틸)피페라진, 1-[2-(2-히드록시에톡시)에틸]피페라진, 피페리딘에탄올, 1-(2-히드록시에틸)피롤리딘, 1-(2-히드록시에틸)-2-피롤리디논, 3-피페리디노-1,2-프로판디올, 3-피롤리디노-1,2-프로판디올, 8-히드록시유롤리딘, 3-퀴누크리딘올, 3-트로판올, 1-메틸-2-피롤리딘에탄올, 1-아질리딘에탄올, N-(2-히드록시에틸)프탈이미드, N-(2-히드록시에틸)이소니코틴아미드 등이 예시된다. 아미드류로는 포름아미드, N-메틸포름아미드, N,N-디메틸포름아미드, 아세토아미드, N-메틸아세토아미드, N,N-디메틸아세토아미드, 프로피온아미드, 벤즈아미드, 1-시클로헥실피롤리돈 등이 예시된다. 이미드류로는 프탈이미드, 숙신이미드, 말레이미드 등이 예시된다. 카르바메이트류로는, N-t-부톡시카르보닐-N,N-디시클로헥실아민, N-t-부톡시카르보닐벤즈이미다졸, 옥사졸리디논 등이 예시된다.
또한, 하기 화학식 (B)-1로 표시되는 질소 함유 유기 화합물이 예시된다.
N(X)n(Y)3-n (B)-1
(상기 식 중, n은 1, 2 또는 3이다. 측쇄 X는 동일하거나 상이할 수도 있고, 하기 화학식 (X1) 내지 (X3)
Figure 112008022762124-pat00042
으로 표시할 수 있다. 측쇄 Y는 동일하거나 상이한 수소 원자 또는 직쇄상, 분지상 또는 환상의 탄소수 1 내지 20의 알킬기를 나타내고, 에테르기 또는 히드록실기를 포함할 수도 있다. 또한, X끼리 결합하여 환을 형성할 수도 있음)
상기 화학식 (X1) 내지 (X3) 중, R300, R302, R305는 탄소수 1 내지 4의 직쇄상 또는 분지상의 알킬렌기이고, R301, R304는 수소 원자, 또는 탄소수 1 내지 20의 직쇄상, 분지상 또는 환상 알킬기이며, 히드록시기, 에테르기, 에스테르기, 락톤환을 1개 또는 복수개 포함할 수도 있다.
R303은 단결합, 또는 탄소수 1 내지 4의 직쇄상 또는 분지상의 알킬렌기이고, R306은 탄소수 1 내지 20의 직쇄상, 분지상 또는 환상 알킬기이며, 히드록시기, 에테르기, 에스테르기, 락톤환을 1개 또는 복수개 포함할 수도 있다.
화학식 (B)-1로 표시되는 화합물로서 구체적으로는, 트리스(2-메톡시메톡시에틸)아민, 트리스{2-(2-메톡시에톡시)에틸}아민, 트리스{2-(2-메톡시에톡시메톡 시)에틸}아민, 트리스{2-(1-메톡시에톡시)에틸}아민, 트리스{2-(1-에톡시에톡시)에틸}아민, 트리스{2-(1-에톡시프로폭시)에틸}아민, 트리스[2-{2-(2-히드록시에톡시)에톡시}에틸]아민, 4,7,13,16,21,24-헥사옥사-1,10-디아자비시클로[8.8.8]헥사코산, 4,7,13,18-테트라옥사-1,10-디아자비시클로[8.5.5]에이코산, 1,4,10,13-테트라옥사-7,16-디아자비시클로옥타데칸, 1-아자-12-크라운-4, 1-아자-15-크라운-5, 1-아자-18-크라운-6, 트리스(2-포르밀옥시에틸)아민, 트리스(2-아세톡시에틸)아민, 트리스(2-프로피오닐옥시에틸)아민, 트리스(2-부티릴옥시에틸)아민, 트리스(2-이소부티릴옥시에틸)아민, 트리스(2-발레릴옥시에틸)아민, 트리스(2-피발로일옥시에틸)아민, N,N-비스(2-아세톡시에틸)2-(아세톡시아세톡시)에틸아민, 트리스(2-메톡시카르보닐옥시에틸)아민, 트리스(2-tert-부톡시카르보닐옥시에틸)아민, 트리스[2-(2-옥소프로폭시)에틸]아민, 트리스[2-(메톡시카르보닐메틸)옥시에틸]아민, 트리스[2-(tert-부톡시카르보닐메틸옥시)에틸]아민, 트리스[2-(시클로헥시옥시카르보닐메틸옥시)에틸]아민, 트리스(2-메톡시카르보닐에틸)아민, 트리스(2-에톡시카르보닐에틸)아민, N,N-비스(2-히드록시에틸)2-(메톡시카르보닐)에틸아민, N,N-비스(2-아세톡시에틸)2-(메톡시카르보닐)에틸아민, N,N-비스(2-히드록시에틸)2-(에톡시카르보닐)에틸아민, N,N-비스(2-아세톡시에틸)2-(에톡시카르보닐)에틸아민, N,N-비스(2-히드록시에틸)2-(2-메톡시에톡시카르보닐)에틸아민, N,N-비스(2-아세톡시에틸)2-(2-메톡시에톡시카르보닐)에틸아민, N,N-비스(2-히드록시에틸)2-(2-히드록시에톡시카르보닐)에틸아민, N,N-비스(2-아세톡시에틸)2-(2-아세톡시에톡시카르보닐)에틸아민, N,N-비스(2-히드록시에틸)2-[(메톡시카르보닐)메톡시카르보닐]에틸아민, N,N- 비스(2-아세톡시에틸)2-[(메톡시카르보닐)메톡시카르보닐]에틸아민, N,N-비스(2-히드록시에틸)2-(2-옥소프로폭시카르보닐)에틸아민, N,N-비스(2-아세톡시에틸)2-(2-옥소프로폭시카르보닐)에틸아민, N,N-비스(2-히드록시에틸)2-(테트라히드로푸르푸릴옥시카르보닐)에틸아민, N,N-비스(2-아세톡시에틸)2-(테트라히드로푸르푸릴옥시카르보닐)에틸아민, N,N-비스(2-히드록시에틸)2-[(2-옥소테트라히드로푸란-3-일)옥시카르보닐]에틸아민, N,N-비스(2-아세톡시에틸)2-[(2-옥소테트라히드로푸란-3-일)옥시카르보닐]에틸아민, N,N-비스(2-히드록시에틸)2-(4-히드록시부톡시카르보닐)에틸아민, N,N-비스(2-포르밀옥시에틸)2-(4-포르밀옥시부톡시카르보닐)에틸아민, N,N-비스(2-포르밀옥시에틸)2-(2-포르밀옥시에톡시카르보닐)에틸아민, N,N-비스(2-메톡시에틸)2-(메톡시카르보닐)에틸아민, N-(2-히드록시에틸)비스[2-(메톡시카르보닐)에틸]아민, N-(2-아세톡시에틸)비스[2-(메톡시카르보닐)에틸]아민, N-(2-히드록시에틸)비스[2-(에톡시카르보닐)에틸]아민, N-(2-아세톡시에틸)비스[2-(에톡시카르보닐)에틸]아민, N-(3-히드록시-1-프로필)비스[2-(메톡시카르보닐)에틸]아민, N-(3-아세톡시-1-프로필)비스[2-(메톡시카르보닐)에틸]아민, N-(2-메톡시에틸)비스[2-(메톡시카르보닐)에틸]아민, N-부틸비스[2-(메톡시카르보닐)에틸]아민, N-부틸비스[2-(2-메톡시에톡시카르보닐)에틸]아민, N-메틸비스(2-아세톡시에틸)아민, N-에틸비스(2-아세톡시에틸)아민, N-메틸비스(2-피발로일옥시에틸)아민, N-에틸비스[2-(메톡시카르보닐옥시)에틸]아민, N-에틸비스[2-(tert-부톡시카르보닐옥시)에틸]아민, 트리스(메톡시카르보닐메틸)아민, 트리스(에톡시카르보닐메틸)아민, N-부틸비스(메톡시카르보닐메틸)아민, N-헥실비스(메톡시카르보닐메틸)아민, β-(디에 틸아미노)-δ-발레로락톤이 예시된다.
또한, 하기 화학식 (B)-2에 표시되는 환상 구조를 갖는 질소 함유 유기 화합물이 예시된다.
Figure 112008022762124-pat00043
(상기 식 중, X는 상술한 바와 같고, R307은 탄소수 2 내지 20의 직쇄상 또는 분지상의 알킬렌기이며, 카르보닐기, 에테르기, 에스테르, 술피드를 1개 또는 복수개 포함할 수도 있음)
화학식 (B)-2로서 구체적으로는, 1-[2-(메톡시메톡시)에틸]피롤리딘, 1-[2-(메톡시메톡시)에틸]피페리딘, 4-[2-(메톡시메톡시)에틸]모르폴린, 1-[2-[(2-메톡시에톡시)메톡시]에틸]피롤리딘, 1-[2-[(2-메톡시에톡시)메톡시]에틸]피페리딘, 4-[2-[(2-메톡시에톡시)메톡시]에틸]모르폴린, 아세트산2-(1-피롤리디닐)에틸, 아세트산2-피페리디노에틸, 아세트산2-모르폴리노에틸, 포름산2-(1-피롤리디닐)에틸, 프로피온산2-피페리디노에틸, 아세톡시아세트산2-모르폴리노에틸, 메톡시아세트산2-(1-피롤리디닐)에틸, 4-[2-(메톡시카르보닐옥시)에틸]모르폴린, 1-[2-(t-부톡시카르보닐옥시)에틸]피페리딘, 4-[2-(2-메톡시에톡시카르보닐옥시)에틸]모르폴린, 3-(1-피롤리디닐)프로피온산메틸, 3-피페리디노프로피온산메틸, 3-모르폴리노프로피온산메틸, 3-(티오모르폴리노)프로피온산메틸, 2-메틸-3-(1-피롤리디닐)프로피온산메틸, 3-모르폴리노프로피온산에틸, 3-피페리디노프로피온산메톡시카르보닐메틸, 3-(1-피롤리디닐)프로피온산2-히드록시에틸, 3-모르폴리노프로피온산2-아세톡시에틸, 3-(1-피롤리디닐)프로피온산2-옥소테트라히드로푸란-3-일, 3-모르폴리노프로피온산테트라히드로푸르푸릴, 3-피페리디노프로피온산글리시딜, 3-모르폴리노프로피온산2-메톡시에틸, 3-(1-피롤리디닐)프로피온산2-(2-메톡시에톡시)에틸, 3-모르폴리노프로피온산부틸, 3-피페리디노프로피온산시클로헥실, α-(1-피롤리디닐)메틸-γ-부티로락톤, β-피페리디노-γ-부티로락톤, β-모르폴리노-δ-발레로락톤, 1-피롤리디닐아세트산메틸, 피페리디노아세트산메틸, 모르폴리노아세트산메틸, 티오모르폴리노아세트산메틸, 1-피롤리디닐아세트산에틸, 모르폴리노아세트산2-메톡시에틸, 2-메톡시아세트산2-모르폴리노에틸, 2-(2-메톡시에톡시)아세트산2-모르폴리노에틸, 2-[2-(2-메톡시에톡시)에톡시]아세트산2-모르폴리노에틸, 헥산산2-모르폴리노에틸, 옥탄산2-모르폴리노에틸, 데칸산2-모르폴리노에틸, 라우르산2-모르폴리노에틸, 미리스트산2-모르폴리노에틸, 팔미트산2-모르폴리노에틸, 스테아르산2-모르폴리노에틸이 예시된다.
또한, 화학식 (B)-3 내지 (B)-6으로 표시되는 시아노기를 포함하는 질소 함유 유기 화합물이 예시된다.
Figure 112008022762124-pat00044
(상기 식 중, X, R307, n은 상술한 바와 같고, R308, R309는 동일하거나 상이한 탄소수 1 내지 4의 직쇄상 또는 분지상의 알킬렌기임)
상기 화학식 (B)-3 내지 (B)-6으로 표시되는 시아노기를 포함하는 질소 함유 유기 화합물로서 구체적으로는 3-(디에틸아미노)프로피오노니트릴, N,N-비스(2-히드록시에틸)-3-아미노프로피오노니트릴, N,N-비스(2-아세톡시에틸)-3-아미노프로피오노니트릴, N,N-비스(2-포르밀옥시에틸)-3-아미노프로피오노니트릴, N,N-비스(2-메톡시에틸)-3-아미노프로피오노니트릴, N,N-비스[2-(메톡시메톡시)에틸]-3-아미노프로피오노니트릴, N-(2-시아노에틸)-N-(2-메톡시에틸)-3-아미노프로피온산메틸, N-(2-시아노에틸)-N-(2-히드록시에틸)-3-아미노프로피온산메틸, N-(2-아세톡시에틸)-N-(2-시아노에틸)-3-아미노프로피온산메틸, N-(2-시아노에틸)-N-에틸-3-아미노프로피오노니트릴, N-(2-시아노에틸)-N-(2-히드록시에틸)-3-아미노프로피오노니트릴, N-(2-아세톡시에틸)-N-(2-시아노에틸)-3-아미노프로피오노니트릴, N-(2-시아노에틸)-N-(2-포르밀옥시에틸)-3-아미노프로피오노니트릴, N-(2-시아노에틸)-N-(2-메톡시에틸)-3-아미노프로피오노니트릴, N-(2-시아노에틸)-N-[2-(메톡시메톡시)에 틸]-3-아미노프로피오노니트릴, N-(2-시아노에틸)-N-(3-히드록시-1-프로필)-3-아미노프로피오노니트릴, N-(3-아세톡시-1-프로필)-N-(2-시아노에틸)-3-아미노프로피오노니트릴, N-(2-시아노에틸)-N-(3-포르밀옥시-1-프로필)-3-아미노프로피오노니트릴, N-(2-시아노에틸)-N-테트라히드로푸르푸릴-3-아미노프로피오노니트릴, N,N-비스(2-시아노에틸)-3-아미노프로피오노니트릴, 디에틸아미노아세토니트릴, N,N-비스(2-히드록시에틸)아미노아세토니트릴, N,N-비스(2-아세톡시에틸)아미노아세토니트릴, N,N-비스(2-포르밀옥시에틸)아미노아세토니트릴, N,N-비스(2-메톡시에틸)아미노아세토니트릴, N,N-비스[2-(메톡시메톡시)에틸]아미노아세토니트릴, N-시아노메틸-N-(2-메톡시에틸)-3-아미노프로피온산메틸, N-시아노메틸-N-(2-히드록시에틸)-3-아미노프로피온산메틸, N-(2-아세톡시에틸)-N-시아노메틸-3-아미노프로피온산메틸, N-시아노메틸-N-(2-히드록시에틸)아미노아세토니트릴, N-(2-아세톡시에틸)-N-(시아노메틸)아미노아세토니트릴, N-시아노메틸-N-(2-포르밀옥시에틸)아미노아세토니트릴, N-시아노메틸-N-(2-메톡시에틸)아미노아세토니트릴, N-시아노메틸-N-[2-(메톡시메톡시)에틸]아미노아세토니트릴, N-(시아노메틸)-N-(3-히드록시-1-프로필)아미노아세토니트릴, N-(3-아세톡시-1-프로필)-N-(시아노메틸)아미노아세토니트릴, N-시아노메틸-N-(3-포르밀옥시-1-프로필)아미노아세토니트릴, N,N-비스(디아노메틸)아미노아세토니트릴, 1-피롤리딘프로피오노니트릴, 1-피페리딘프로피오노니트릴, 4-모르폴린프로피오노니트릴, 1-피롤리딘아세토니트릴, 1-피페리딘아세토니트릴, 4-모르폴린아세토니트릴, 3-디에틸아미노프로피온산시아노메틸, N,N-비스(2-히드록시에틸)-3-아미노프로피온산시아노메틸, N,N-비스(2-아세톡시에틸)-3-아미노 프로피온산시아노메틸, N,N-비스(2-포르밀옥시에틸)-3-아미노프로피온산시아노메틸, N,N-비스(2-메톡시에틸)-3-아미노프로피온산시아노메틸, N,N-비스[2-(메톡시메톡시)에틸]-3-아미노프로피온산시아노메틸, 3-디에틸아미노프로피온산(2-시아노에틸), N,N-비스(2-히드록시에틸)-3-아미노프로피온산(2-시아노에틸), N,N-비스(2-아세톡시에틸)-3-아미노프로피온산(2-시아노에틸), N,N-비스(2-포르밀옥시에틸)-3-아미노프로피온산(2-시아노에틸), N,N-비스(2-메톡시에틸)-3-아미노프로피온산(2-시아노에틸), N,N-비스[2-(메톡시메톡시)에틸]-3-아미노프로피온산(2-시아노에틸), 1-피롤리딘프로피온산시아노메틸, 1-피페리딘프로피온산시아노메틸, 4-모르폴린프로피온산시아노메틸, 1-피롤리딘프로피온산(2-시아노에틸), 1-피페리딘프로피온산(2-시아노에틸), 4-모르폴린프로피온산(2-시아노에틸)이 예시된다.
또한, 하기 화학식 (B)-7로 표시되는 이미다졸 골격 및 극성 관능기를 갖는 질소 함유 유기 화합물이 예시된다.
Figure 112008022762124-pat00045
(상기 식 중, R310은 탄소수 2 내지 20의 직쇄상, 분지상 또는 환상의 극성 관능기를 갖는 알킬기이고, 극성 관능기로는 수산기, 카르보닐기, 에스테르기, 에테르기, 술피드기, 카르보네이트기, 시아노기, 아세탈기 중 어느 1개 또는 복수개 포함한다. R311, R312, R313은 수소 원자, 탄소수 1 내지 10의 직쇄상, 분지상 또는 환상 알킬기, 아릴기 또는 아랄킬기임)
또한, 하기 화학식 (B)-8로 표시되는 벤즈이미다졸 골격 및 극성 관능기를 갖는 질소 함유 유기 화합물이 예시된다.
Figure 112008022762124-pat00046
(상기 식 중, R314는 수소 원자, 탄소수 1 내지 10의 직쇄상, 분지상 또는 환상 알킬기, 아릴기, 또는 아랄킬기이다. R315는 탄소수 1 내지 20의 직쇄상, 분지상 또는 환상의 극성 관능기를 갖는 알킬기이고, 극성 관능기로서 에스테르기, 아세탈기, 시아노기 중 어느 하나 이상을 포함하고, 그 밖에 수산기, 카르보닐기, 에테르기, 술피드기, 카르보네이트기 중 어느 하나 이상 포함할 수도 있다.)
또한, 하기 화학식 (B)-9 및 (B)-10으로 표시되는 극성 관능기를 갖는 질소 함유 복소환 화합물이 예시된다.
Figure 112008022762124-pat00047
(상기 식 중, A는 질소 원자 또는 ≡C-R322이다. B는 질소 원자 또는 ≡C- R323이다. R316은 탄소수 2 내지 20의 직쇄상, 분지상 또는 환상의 극성 관능기를 갖는 알킬기이고, 극성 관능기로는 수산기, 카르보닐기, 에스테르기, 에테르기, 술피드기, 카르보네이트기, 시아노기 또는 아세탈기를 하나 이상 포함한다. R317, R318, R319, R320은 수소 원자, 탄소수 1 내지 10의 직쇄상, 분지상 또는 환상 알킬기, 또는 아릴기이거나, 또는 R317과 R318, R319와 R320은 각각 결합하여 벤젠환, 나프탈렌환 또는 피리딘환을 형성할 수도 있다. R321은 수소 원자, 탄소수 1 내지 10의 직쇄상, 분지상 또는 환상 알킬기, 또는 아릴기이다. R322, R323은 수소 원자, 탄소수 1 내지 10의 직쇄상, 분지상 또는 환상 알킬기, 또는 아릴기이다. R321과 R323은 결합하여 벤젠환 또는 나프탈렌환을 형성할 수도 있다.)
또한, 하기 화학식 (B)-11 내지 (B)-14로 표시되는 방향족 카르복실산에스테르 구조를 갖는 질소 함유 유기 화합물이 예시된다.
Figure 112008022762124-pat00048
(식 중, R324는 탄소수 6 내지 20의 아릴기 또는 탄소수 4 내지 20의 헤테로 방향족기이며, 수소 원자의 일부 또는 전부가 할로겐 원자, 탄소수 1 내지 20의 직쇄상, 분지상 또는 환상 알킬기, 탄소수 6 내지 20의 아릴기, 탄소수 7 내지 20의 아랄킬기, 탄소수 1 내지 10의 알콕시기, 탄소수 1 내지 10의 아실옥시기, 또는 탄소수 1 내지 10의 알킬티오기로 치환될 수도 있다. R325는 CO2R326, OR327 또는 시아노기이다. R326은 일부의 메틸렌기가 산소 원자로 치환될 수도 있는 탄소수 1 내지 10의 알킬기이다. R327은 일부의 메틸렌기가 산소 원자로 치환될 수도 있는 탄소수 1 내지 10의 알킬기 또는 아실기이다. R328은 단결합, 메틸렌기, 에틸렌기, 황 원자 또는 -O(CH2CH2O)n-기이다. n=0, 1, 2, 3 또는 4이다. R329는 수소 원자, 메틸 기, 에틸기 또는 페닐기이다. X는 질소 원자 또는 CR330이다. Y는 질소 원자 또는 CR331이다. Z는 질소 원자 또는 CR332이다. R330, R331, R332는 각각 독립적으로 수소 원자, 메틸기 또는 페닐기이거나, 또는 R330과 R331 또는 R331과 R332가 결합하여 탄소수 6 내지 20의 방향환 또는 탄소수 2 내지 20의 헤테로 방향환을 형성할 수도 있다.)
또한, 하기 화학식 (B)-15로 표시되는 7-옥사노르보르난-2-카르복실산에스테르 구조를 갖는 질소 함유 유기 화합물이 예시된다.
Figure 112008022762124-pat00049
(상기 식 중, R333은 수소, 또는 탄소수 1 내지 10의 직쇄상, 분지상 또는 환상 알킬기이다. R334 및 R335는 각각 독립적으로 에테르, 카르보닐, 에스테르, 알코올, 술피드, 니트릴, 아민, 이민, 아미드 등의 극성 관능기를 1개 또는 복수개 포함할 수도 있는 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 탄소수 6 내지 20의 아릴기, 또는 탄소수 7 내지 20의 아랄킬기이며, 수소 원자의 일부가 할로겐 원자로 치환될 수도 있다. R334와 R335는 서로 결합하여 탄소수 2 내지 20의 헤테로환 또는 헤테로 방향환을 형성할 수도 있다.)
또한, 질소 함유 유기 화합물의 배합량은 기재 수지 100 질량부에 대하여 0.001 내지 2 질량부, 특히 0.01 내지 1 질량부가 바람직하다. 배합량이 0.001 질량부 이상이면 충분한 배합 효과가 얻어지고, 2 질량부 이하이면 감도가 저하될 우려가 적다.
본 발명의 레지스트 재료에는, 상기 성분 이외에 임의 성분으로서 도포성을 향상시키기 위해서 관용되고 있는 계면활성제를 첨가할 수 있다. 또한, 임의 성분의 첨가량은 본 발명의 효과를 방해하지 않는 범위에서 통상량으로 할 수 있다.
여기서 계면활성제로는 비이온성의 것이 바람직하고, 퍼플루오로알킬폴리옥시에틸렌에탄올, 불소화 알킬에스테르, 퍼플루오로알킬아민옥시드, 퍼플루오로알킬EO 부가물, 불소 함유 오르가노실록산계 화합물 등을 들 수 있다. 예를 들면 플로라드 "FC-430", "FC-431"(모두 스미또모 쓰리엠(주)제조), 서플론 "S-141", "S-145", "KH-10", "KH-20", "KH-30", "KH-40"(모두 아사히 글래스(주)제조), 유니다인 "DS-401", "DS-403", "DS-451"(모두 다이킨 고교(주)제조), 메가팩 "F-8151"(다이닛본 잉크 고교(주)제조), "X-70-092", "X-70-093"(모두 신에쓰 가가꾸 고교(주)제조) 등을 들 수 있다. 바람직하게는, 플로라드 "FC-430"(스미또모 쓰리엠(주)제조), "KH-20", "KH-30"(모두 아사히 글래스(주)제조), "X-70-093"(신에츠 가가꾸 고교(주)제조)을 들 수 있다.
본 발명의 레지스트 재료에는, 필요에 따라 임의 성분으로서 추가로 용해 제어제, 카르복실산 화합물, 아세틸렌알코올 유도체 등의 다른 성분을 첨가할 수도 있다. 또한, 임의 성분의 첨가량은 본 발명의 효과를 방해하지 않는 범위에서 통상량으로 할 수 있다.
본 발명의 레지스트 재료에 첨가할 수 있는 용해 제어제로는, 중량 평균 분자량이 100 내지 1,000, 바람직하게는 150 내지 800이고, 또한 분자 내에 페놀성 수산기를 2개 이상 갖는 화합물의 상기 페놀성 수산기의 수소 원자를 산불안정기에 의해 전체적으로 평균 0 내지 100 몰％의 비율로 치환한 화합물 또는 분자 내에 카르복시기를 갖는 화합물의 상기 카르복시기의 수소 원자를 산불안정기에 의해 전체적으로 평균 50 내지 100 몰％의 비율로 치환한 화합물을 배합한다.
또한, 페놀성 수산기의 수소 원자의 산불안정기에 의한 치환율은 평균적으로 페놀성 수산기 전체의 0 몰％ 이상, 바람직하게는 30 몰％ 이상이고, 그 상한은 100 몰％, 보다 바람직하게는 80 몰％이다. 카르복시기의 수소 원자의 산불안정기에 의한 치환율은 평균적으로 카르복시기 전체의 50 몰％ 이상, 바람직하게는 70 몰％ 이상이고, 그 상한은 100 몰％이다.
이 경우, 이러한 페놀성 수산기를 2개 이상 갖는 화합물 또는 카르복시기를 갖는 화합물로는, 하기 화학식 (D1) 내지 (D14)로 표시되는 것이 바람직하다.
Figure 112008022762124-pat00050
상기 식 중, R201과 R202는 각각 수소 원자, 또는 탄소수 1 내지 8의 직쇄상 또는 분지상의 알킬기 또는 알케닐기를 나타내고, 예를 들면 수소 원자, 메틸기, 에틸기, 부틸기, 프로필기, 에티닐기, 시클로헥실기를 들 수 있다.
R203은 수소 원자, 또는 탄소수 1 내지 8의 직쇄상 또는 분지상의 알킬기 또 는 알케닐기, 또는 -(R207)hCOOH(식 중, R207은 탄소수 1 내지 10의 직쇄상 또는 분지상의 알킬렌기를 나타내고, h는 0 또는 1임)를 나타내고, 예를 들면 R201, R202와 마찬가지인 것, 또는 -COOH, -CH2COOH를 들 수 있다.
R204는 -(CH2)i-(i=2 내지 10), 탄소수 6 내지 10의 아릴렌기, 카르보닐기, 술포닐기, 산소 원자 또는 황 원자를 나타내고, 예를 들면 에틸렌기, 페닐렌기, 카르보닐기, 술포닐기, 산소 원자, 황 원자 등을 들 수 있다.
R205는 탄소수 1 내지 10의 알킬렌기, 탄소수 6 내지 10의 아릴렌기, 카르보닐기, 술포닐기, 산소 원자 또는 황 원자를 나타내고, 예를 들면 메틸렌기, 또는 R204와 마찬가지인 것을 들 수 있다.
R206은 수소 원자, 탄소수 1 내지 8의 직쇄상 또는 분지상의 알킬기, 알케닐기, 또는 각각 수산기로 치환된 페닐기 또는 나프틸기를 나타내고, 예를 들면 수소 원자, 메틸기, 에틸기, 부틸기, 프로필기, 에티닐기, 시클로헥실기, 각각 수산기로 치환된 페닐기, 나프틸기 등을 들 수 있다.
R208은 수소 원자 또는 수산기를 나타낸다.
j는 0 내지 5의 정수이다. u, h는 0 또는 1이다. s, t, s', t', s", t"는 각각 s+t=8, s'+t'=5, s"+t"=4를 만족하고, 또한 각 페닐 골격 중에 1개 이상의 수 산기를 갖는 수이다. α는 화학식 (D8), (D9)의 화합물의 중량 평균 분자량을 100 내지 1,000으로 하는 수이다.
용해 제어제의 산불안정기로는 여러 가지를 사용할 수 있지만, 구체적으로는 상기 화학식 (L1) 내지 (L4)로 표시되는 기, 탄소수 4 내지 20의 3급 알킬기, 각 알킬기의 탄소수가 각각 1 내지 6의 트리알킬실릴기, 탄소수 4 내지 20의 옥소알킬기 등을 들 수 있다. 또한, 각각의 기의 구체예에 대해서는 상기한 설명과 마찬가지이다.
상기 용해 제어제의 배합량은 레지스트 재료 중 기재 수지 100 질량부에 대하여 0 내지 50 질량부, 바람직하게는 0 내지 40 질량부, 보다 바람직하게는 0 내지 30 질량부이고, 단독 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다. 배합량이 50 질량부 이하이면 패턴의 막 감소가 발생하여 해상도가 저하될 우려가 적다.
또한, 상기한 바와 같은 용해 제어제는 페놀성 수산기 또는 카르복시기를 갖는 화합물에 대하여 유기 화학적 처방을 이용하여 산불안정기를 도입함으로써 합성된다.
본 발명의 레지스트 재료에 첨가할 수 있는 카르복실산 화합물로는, 예를 들면 하기 [I군] 및 [II군]으로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상의 화합물을 사용할 수 있지만, 이것으로 한정되는 것은 아니다. 본 성분의 배합에 의해 레지스트의 PED(Post Exposure Delay) 안정성이 향상되고, 질화막 기판 상에서의 엣지 조도가 개선되는 것이다.
[I군]
하기 화학식 (A1) 내지 (A10)으로 표시되는 화합물의 페놀성 수산기의 수소 원자의 일부 또는 전부를 -R401-COOH(R401은 탄소수 1 내지 10의 직쇄상 또는 분지상의 알킬렌기)에 의해 치환하여 이루어지고, 또한 분자 중의 페놀성 수산기 (C)와 ≡C-COOH로 표시되는 기 (D)와의 몰 비율이 C/(C+D)=0.1 내지 1.0인 화합물.
[II군]
하기 화학식 (A11) 내지 (A15)로 표시되는 화합물.
Figure 112008022762124-pat00051
Figure 112008022762124-pat00052
상기 식 중, R408은 수소 원자 또는 메틸기를 나타낸다.
R402, R403은 각각 수소 원자 또는 탄소수 1 내지 8의 직쇄상 또는 분지상의 알킬기 또는 알케닐기를 나타낸다. R404는 수소 원자 또는 탄소수 1 내지 8의 직쇄상 또는 분지상의 알킬기 또는 알케닐기, 또는 -(R409)h-COOR'기(R'는 수소 원자 또는 -R409-COOH)를 나타낸다.
R405는 -(CH2)i-(i=2 내지 10), 탄소수 6 내지 10의 아릴렌기, 카르보닐기, 술포닐기, 산소 원자 또는 황 원자를 나타낸다.
R406은 탄소수 1 내지 10의 알킬렌기, 탄소수 6 내지 10의 아릴렌기, 카르보닐기, 술포닐기, 산소 원자 또는 황 원자를 나타낸다.
R407은 수소 원자 또는 탄소수 1 내지 8의 직쇄상 또는 분지상의 알킬기, 알케닐기, 각각 수산기로 치환된 페닐기 또는 나프틸기를 나타낸다.
R409는 탄소수 1 내지 10의 직쇄상 또는 분지상의 알킬렌기를 나타낸다.
R410은 수소 원자 또는 탄소수 1 내지 8의 직쇄상 또는 분지상의 알킬기 또는 알케닐기 또는 -R411-COOH기(식 중, R411은 탄소수 1 내지 10의 직쇄상 또는 분지상의 알킬렌기를 나타냄)를 나타낸다.
R412는 수소 원자 또는 수산기를 나타낸다.
j는 0 내지 3의 수이고, s1, t1, s2, t2, s3, t3, s4, t4는 각각 s1+t1=8, s2+t2=5, s3+t3=4, s4+t4=6을 만족하고, 또한 각 페닐 골격 중에 1개 이상의 수산기를 갖는 수이다.
s5, t5는 s5≥0, t5≥0이고, s5+t5=5를 만족하는 수이다.
u는 1≤u≤4를 만족하는 수이고, h는 1≤h≤4를 만족하는 수이다.
κ는 화학식 (A6)의 화합물을 중량 평균 분자량 1,000 내지 5,000으로 하는 수이다.
λ는 화학식 (A7)의 화합물을 중량 평균 분자량 1,000 내지 10,000으로 하는 수이다.
본 성분으로서, 구체적으로는 하기 화학식 (AI-1) 내지 (AI-14) 및 (AII-1) 내지 (AII-10)으로 표시되는 화합물을 들 수 있지만, 이것으로 한정되는 것은 아니 다.
Figure 112008022762124-pat00053
Figure 112008022762124-pat00054
(상기 식 중, R"는 수소 원자 또는 CH2COOH기를 나타내고, 각 화합물에서 R"의 10 내지 100 몰％는 CH2COOH기이고, κ와 λ는 상기와 마찬가지의 의미를 나타냄)
또한, 상기 분자 내에 ≡C-COOH로 표시되는 기를 갖는 화합물의 첨가량은 기재 수지 100 질량부에 대하여 0 내지 5 질량부, 바람직하게는 0.1 내지 5 질량부, 보다 바람직하게는 0.1 내지 3 질량부, 더욱 바람직하게는 0.1 내지 2 질량부이다. 5 질량부 이하이면 레지스트 재료의 해상도가 저하될 우려가 적다.
본 발명의 레지스트 재료에 첨가할 수 있는 아세틸렌알코올 유도체로는, 하 기 화학식 (S1), (S2)로 표시되는 것을 바람직하게 사용할 수 있다.
Figure 112008022762124-pat00055
(상기 식 중, R501, R502, R503, R504, R505는 각각 수소 원자, 또는 탄소수 1 내지 8의 직쇄상, 분지상 또는 환상 알킬기이고, X, Y는 0 또는 양수를 나타내며, 하기 값을 만족하며, 0≤X≤30, 0≤Y≤30, 0≤X+Y≤40임)
아세틸렌알코올 유도체로서 바람직하게는 서피놀 61, 서피놀 82, 서피놀 104, 서피놀 104E, 서피놀 104H, 서피놀 104A, 서피놀 TG, 서피놀 PC, 서피놀 440,서피놀 465, 서피놀 485(에어 프로덕츠 앤드 케미칼즈 인크.(Air Products and Chemicals Inc.)제), 서피놀 E1004(닛신 가가꾸 고교(주)제조) 등을 들 수 있다.
상기 아세틸렌알코올 유도체의 첨가량은 레지스트 조성물 100 질량％ 중 0.01 내지 2 질량％, 보다 바람직하게는 0.02 내지 1 질량％이다. 0.01 질량％ 이상이면 도포성 및 보존 안정성의 개선 효과가 충분히 얻어지고, 2 질량％ 이하이면 레지스트 재료의 해상성이 저하될 우려가 적다.
본 발명의 레지스트 재료에는 네가티브형 레지스트 용도 등, 필요에 따라서 관용되고 있는 가교제를 첨가할 수도 있다. 가교제로는 분자 내에 2개 이상의 히드록시메틸기, 알콕시메틸기, 에폭시기 또는 비닐에테르기를 갖는 화합물을 들 수 있고, 치환 글리콜우릴 유도체, 요소 유도체, 헥사메톡시메틸멜라민 등이 바람직하 게 이용된다.
예를 들면 N,N,N',N'-테트라메톡시메틸요소와 헥사메틸멜라민, 테트라히드록시메틸 치환 글리콜우릴류 및 테트라메톡시메틸글리콜우릴과 같은 테트라알콕시메틸 치환 글리콜우릴류, 치환 또는 미치환 비스히드록시메틸페놀류, 비스페놀 A 등의 페놀성 화합물과 에피클로로히드린 등의 축합물을 들 수 있다.
특히 바람직한 가교제는 1,3,4,6-테트라메톡시메틸글리콜우릴 등의 1,3,4,6-테트라알콕시메틸글리콜우릴 또는 1,3,4,6-테트라히드록시메틸글리콜우릴, 2,6-디 히드록시메틸 p-크레졸, 2,6-디히드록시메틸페놀, 2,2',6,6'-테트라히드록시메틸비스페놀-A, 및 1,4-비스-[2-(2-히드록시프로필)]-벤젠, N,N,N',N'-테트라메톡시메틸요소와 헥사메톡시메틸멜라민 등을 들 수 있다. 첨가량은 임의이지만, 레지스트 재료 중 기재 수지 100 질량부에 대하여 바람직하게는 1 내지 25 질량부, 보다 바람직하게는 5 내지 20 질량부이다. 이들은 단독으로 또는 2종 이상 병용하여 첨가할 수도 있다.
본 발명의 레지스트 재료는 액침 노광을 채용한 패턴 형성 방법에 사용할 수 있지만, 이 경우 포토레지스트막 상에 보호막을 형성하고, 포토레지스트막과 액체 사이에 보호막을 개재하여 액침 노광을 행하는 것이 바람직하지만, 본 발명의 레지스트막 상에 적용하는 보호막으로는, α트리플루오로메틸알코올기를 알칼리 용해성기로서 갖는 고분자 화합물을 기재로 하는 알칼리 가용형 보호막이 바람직하게 이용된다. α트리플루오로메틸알코올기를 갖는 고분자 화합물은, 화학식 1 중 반복 단위 (b-1)을 형성하는 단량체와 마찬가지의 단량체의 중합에 의해서 얻을 수 있 다. 또한, 물의 침투를 방지하거나, 후퇴 접촉각을 향상시키기 위해서 반복 단위 (b-2)를 형성하는 단량체와 마찬가지의 단량체를 공중합할 수도 있다. 또한, 하기에 예를 든 α트리플루오로메틸알코올기에 의한 알칼리 용해성기를 갖는 단량체를 중합할 수도 있다.
Figure 112008022762124-pat00056
또한, 발수성기를 갖는 단량체로서 하기에 예를 든 단량체를 중합할 수도 있다.
Figure 112008022762124-pat00057
Figure 112008022762124-pat00058
Figure 112008022762124-pat00059
Figure 112008022762124-pat00060
이 경우, α트리플루오로메틸알코올기를 갖는 단량체의 사용 비율을 A, (b-2)의 반복 단위를 형성하는 단량체와 마찬가지의 단량체의 사용 비율을 B, 발수성기를 갖는 단량체의 사용 비율을 C로 하고, A+B+C=100 몰％로 한 경우, A는 10 내지 100 몰％, 특히 30 내지 100 몰％, B는 0 내지 90 몰％, 특히 0 내지 70 몰％, C는 0 내지 90 몰％, 특히 0 내지 70 몰％로서 (공)중합시킨 고분자 화합물을 보호막 재료로 하는 것이 바람직하다.
또한, 보호막의 2.38 질량％의 테트라메틸암모늄히드록시드 수용액 중 알칼리 용해 속도는 50 nm/초 이상, 바람직하게는 100 nm/초 이상이다. 중량 평균 분자량은 1,000 내지 100,000의 범위가 바람직하게 이용된다.
보호막용의 용매로는 특별히 한정되지 않지만, 레지스트층을 용해시키는 용매는 바람직하지 않다. 예를 들면, 레지스트 용매로서 이용되는 시클로헥사논, 메틸-2-n-아밀케톤 등의 케톤류, 3-메톡시부탄올, 3-메틸-3-메톡시부탄올, 1-메톡시-2-프로판올, 1-에톡시-2-프로판올 등의 알코올류, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 에틸렌글리콜모노메틸에테르, 프로필렌글리콜모노에틸에테르, 에틸렌글리콜모노에틸에테르, 프로필렌글리콜디메틸에테르, 디에틸렌글리콜디메틸에테르 등의 에테르류, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 락트산에틸, 피루브산에틸, 아세트산부틸, 3-메톡시프로피온산메틸, 3-에톡시프로피온산에틸, 아세트산 tert-부틸, 프로피온산 tert-부틸, 프로필렌글리콜모노-tert-부틸에테르아세테이트 등의 에스테르류 등은 바람직하지 않다.
레지스트층을 용해시키지 않는 용매로는, 탄소수 4 이상의 고급 알코올, 톨루엔, 크실렌, 아니솔, 헥산, 시클로헥산, 에테르 등의 비극성 용매를 들 수 있다. 특히 탄소수 4 이상의 고급 알코올이 바람직하게 이용되고, 구체적으로는 1-부틸알코올, 2-부틸알코올, 이소부틸알코올, tert-부틸알코올, 1-펜탄올, 2-펜탄올, 3-펜탄올, tert-아밀알코올, 네오펜틸알코올, 2-메틸-1-부탄올, 3-메틸-1-부탄올, 3-메틸-3-펜탄올, 시클로펜탄올, 1-헥산올, 2-헥산올, 3-헥산올, 2,3-디메틸-2-부탄올, 3,3-디메틸-1-부탄올, 3,3-디메틸-2-부탄올, 2-디에틸-1-부탄올, 2-메틸-1-펜탄올, 2-메틸-2-펜탄올, 2-메틸-3-펜탄올, 3-메틸-1-펜탄올, 3-메틸-2-펜탄올, 3-메틸-3-펜탄올, 4-메틸-1-펜탄올, 4-메틸-2-펜탄올, 4-메틸-3-펜탄올, 시클로헥산올, 디이소프로필에테르, 디이소부틸에테르, 디이소펜틸에테르, 디-n-펜틸에테르, 메틸시클로펜틸에테르, 메틸시클로헥실에테르를 들 수 있다.
한편, 불소계의 용매도 레지스트층을 용해하지 않기 때문에 바람직하게 사용할 수 있다.
이러한 불소 치환된 용매를 예시하면 2-플루오로아니솔, 3-플루오로아니솔, 4-플루오로아니솔, 2,3-디플루오로아니솔, 2,4-디플루오로아니솔, 2,5-디플루오로아니솔, 5,8-디플루오로-1,4-벤조디옥산, 2,3-디플루오로벤질알코올, 1,3-디플루오로-2-프로판올, 2',4'-디플루오로프로피오페논, 2,4-디플루오로톨루엔, 트리플루오로아세토알데히드에틸헤미아세탈, 트리플루오로아세토아미드, 트리플루오로에탄올, 2,2,2-트리플루오로에틸부틸레이트, 에틸헵타플루오로부틸레이트, 에틸헵타플루오로부틸아세테이트, 에틸헥사플루오로글루타릴메틸, 에틸-3-히드록시-4,4,4-트리플루오로부틸레이트, 에틸-2-메틸-4,4,4-트리플루오로아세토아세테이트, 에틸펜타플루오로벤조에이트, 에틸펜타플루오로프로피오네이트, 에틸펜타플루오로프로피닐아세테이트, 에틸퍼플루오로옥타노에이트, 에틸-4,4,4-트리플루오로아세토아세테이트, 에틸-4,4,4-트리플루오로부틸레이트, 에틸-4,4,4-트리플루오로클로토네이트, 에틸트리플루오로술포네이트, 에틸-3-(트리플루오로메틸)부틸레이트, 에틸트리플루오로피루베이트, S-에틸트리플루오로아세테이트, 플루오로시클로헥산, 2,2,3,3,4,4,4-헵타플루오로-1-부탄올, 1,1,1,2,2,3,3-헵타플루오로-7,7-디메틸- 4,6-옥탄디온, 1,1,1,3,5,5,5-헵타플루오로펜탄-2,4-디온, 3,3,4,4,5,5,5-헵타플루오로-2-펜탄올, 3,3,4,4,5,5,5-헵타플루오로-2-펜타논, 이소프로필4,4,4-트리플루오로아세토아세테이트, 메틸퍼플루오로데나노에이트, 메틸퍼플루오로(2-메틸-3-옥사헥사노에이트), 메틸퍼플루오로노나노에이트, 메틸퍼플루오로옥타노에이트, 메틸-2,3,3,3-테트라플루오로프로피오네이트, 메틸트리플루오로아세토아세테이트, 1,1,1,2,2,6,6,6-옥타플루오로-2,4-헥산디온, 2,2,3,3,4,4,5,5-옥타플루오로-1-펜탄올, 1H,1H,2H,2H-퍼플루오로-1-데칸올, 퍼플루오로(2,5-디메틸-3,6-디옥산아니오닉)산메틸에스테르, 2H-퍼플루오로-5-메틸-3,6-디옥사노난, 1H,1H,2H,3H,3H-퍼플루오로노난-1,2-디올, 1H,1H,9H-퍼플루오로-1-노난올, 1H,1H-퍼플루오로옥탄올, 1H,1H,2H,2H-퍼플루오로옥탄올, 2H-퍼플루오로-5,8,11,14-테트라메틸-3,6,9,12,15-펜타옥사옥타데칸, 퍼플루오로트리부틸아민, 퍼플루오로트리헥실아민, 퍼플루오로-2,5,8-트리메틸-3,6,9-트리옥사도데칸산메틸에스테르, 퍼플루오로트리펜틸아민, 퍼플루오로트리프로필아민, 1H,1H,2H,3H,3H-퍼플루오로운데칸-1,2-디올, 트리플루오로부탄올, 1,1,1-트리플루오로-5-메틸-2,4-헥산디온, 1,1,1-트리플루오로-2-프로판올, 3,3,3-트리플루오로-1-프로판올, 1,1,1-트리플루오로-2-프로필아세테이트, 퍼플루오로부틸테트라히드로푸란, 퍼플루오로(부틸테트라히드로푸란), 퍼플루오로데칼린, 퍼플루오로(1,2-디메틸시글로헥산), 퍼플루오로(1,3-디메틸시클로헥산), 프로필렌글리콜트리플루오로메틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜메틸에테르트리플루오로메틸아세테이트, 트리플루오로메틸아세트산부틸, 3-트리플루오로메톡시프로피온산메틸, 퍼플루오로시클로헥사논, 프로필렌글리콜트리플루오로메틸에테르, 트 리플루오로아세트산부틸, 1,1,1-트리플루오로-5,5-디메틸-2,4-헥산디온, 1,1,1,3,3,3-헥사플루오로-2-프로판올, 1,1,1,3,3,3-헥사플루오로-2-메틸-2-프로판올, 2,2,3,4,4,4-헥사플루오로-1-부탄올, 2-트리플루오로메틸-2-프로판올, 2,2,3,3-테트라플루오로-1-프로판올, 3,3,3-트리플루오로-1-프로판올, 4,4,4-트리플루오로-1-부탄올 등을 들 수 있고, 이들 1종을 단독으로 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있지만, 이것으로 한정되는 것은 아니다.
본 발명은 상기한 레지스트 재료를 기판 상에 도포하는 공정과, 가열 처리 후 고에너지선으로 노광하는 공정과, 현상액을 이용하여 현상하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 패턴 형성 방법을 제공한다. 이 때, 고에너지선을 파장 180 내지 250 nm의 범위의 것으로 하는 것이 바람직하다.
또한, 상기 고에너지선으로 노광하는 공정을 액체를 통해 노광하는 액침 노광에 의해 행할 수 있고, 예를 들면 180 내지 250 nm의 범위의 노광 파장을 이용하고, 상기 레지스트 재료를 도포한 기판과 투영 렌즈 사이에 액체를 삽입하고, 상기 액체를 통해 상기 기판을 노광할 수 있다. 또한, 액침 노광에 이용하는 액체로는 물 등을 들 수 있다.
본 발명의 레지스트 재료를 사용하여 패턴을 형성하기 위해서는, 공지된 리소그래피 기술을 채용하여 행할 수 있다.
예를 들면, 집적 회로 제조용의 기판(Si, SiO2, SiN, SiON, TiN, WSi, BPSG, SOG, 저유전율막 등) 상에 스핀 코팅 등의 수법으로 막 두께가 10 내지 200 nm가 되도록 레지스트 재료를 도포하고, 이것을 핫 플레이트 상에서 50 내지 150 ℃, 1 내지 10 분간, 바람직하게는 60 내지 140 ℃, 1 내지 5 분간 프리베이킹하여 포토레지스트막을 형성한다.
집적 회로 제조용 기판과 포토레지스트막 사이에 반사 방지막을 설치함으로써, 기판 반사를 억제할 수 있다. 반사 방지막은 비정질 카본이나 SiON과 같은 무기막이나, 스핀 코팅에 의해서 성막하는 유기막을 들 수 있지만, 후자가 널리 이용되고 있다.
액침 노광에 의해서 투영 렌즈의 NA가 1을 초과하고, 레지스트 및 반사 방지막에의 빛의 입사각이 커짐으로써 종래 형의 1층의 반사 방지막으로는 반사 제어가 곤란해지고 있고, 2층의 반사 방지막이 제안되었다. 또한, 레지스트막의 박막화에 따라 에칭의 마진이 저하되기 때문에, 레지스트의 하층에 규소를 포함하는 막을 성막하고, 그 아래의 집적 회로 제조용의 기판 상에 탄소 밀도가 높은 하층막을 성막하는 3층 공정이 제안되어 있다.
이와 같이 레지스트 밑의 막으로는 다종 다양하고 다층의 막이 성막된다.
레지스트막을 형성한 후, 레지스트층 상에 비수용성이고 알칼리 가용성의 레지스트 보호막 재료를 스핀 코팅법 등으로 성막한다. 막 두께는 10 내지 500 nm의 범위가 바람직하다. 노광 방법은 레지스트 보호막과 투영 렌즈 사이가 공기 또는 질소 등의 기체인 드라이 노광일 수도 있지만, 레지스트 보호막과 투영 렌즈 사이가 액체로 채워져 있는 액침 노광일 수도 있다. 액침 노광에서는 물이 바람직하게 이용된다. 액침 노광에서 웨이퍼 이면에의 물의 유입이나, 기판으로부터의 용출을 방지하기 위해서, 웨이퍼 엣지나 이면의 클리닝의 유무, 및 그 클리닝 방법은 중요하다. 예를 들면 레지스트 보호막을 스핀 코팅한 후에 40 내지 130 ℃의 범위에서 10 내지 300 초간 베이킹함으로써 용매를 휘발시킨다. 레지스트막이나, 드라이 노광의 경우는 스핀 코팅시에 엣지 클리닝을 행하지만, 액침 노광의 경우, 친수성이 높은 기판면이 물에 접촉하면, 엣지 부분의 기판면에 물이 남는 경우가 있어 바람직하지 않다. 그 때문에 레지스트 보호막의 스핀 코팅시에는 엣지 클리닝을 하지 않는 방법도 들 수 있다. 노광 후, 노광 후 소성(PEB)을 행하고, 알칼리 현상액으로 10 내지 300 초간 현상을 행한다. 알칼리 현상액은 2.38 질량％의 테트라메틸암모늄히드록시드 수용액이 일반적으로 널리 이용되고 있다. PEB 전에 레지스트막 상에 물이 남아 있는 경우가 있다. 물이 남아 있는 상태에서 PEB를 행하면, 물이 레지스트막 중의 산을 흡출하여, 패턴 형성이 불가능해진다. PEB 전에 보호막 상의 물을 완전히 제거하기 때문에, PEB 전의 스핀 드라이, 막 표면의 건조 공기나 질소에 의한 퍼징, 또는 노광 후의 포스트 소킹에 의해서 막 상의 물을 건조 또는 회수할 필요가 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 레지스트 재료를 이용하여 형성한 포토레지스트막은 보호막에 대하여 믹싱층을 형성하기 어렵고, 현상 후의 친수성이 높기 때문에 브로브라 불리는 잔사 등의 결함의 발생이 없다.
마스크 블랭크용의 레지스트 재료로는 노볼락, 히드록시스티렌 기재의 수지가 주로 이용된다. 이들 수지의 히드록시기를 산불안정기로 치환된 것이 포지티브형으로서, 가교제를 첨가한 것이 네가티브형으로서 이용된다. 히드록시스티렌과 (메트)아크릴 유도체, 스티렌, 비닐나프탈렌, 비닐안트라센, 비닐피렌, 히드록시비닐나프탈렌, 히드록시비닐안트라센, 인덴, 히드록시인덴, 아세나프틸렌, 노르보르나디엔류를 공중합한 중합체를 기재로 할 수도 있다.
마스크 블랭크용 레지스트막으로서 이용하는 경우, SiO2, Cr, CrO, CrN, MoSi 등의 마스크 블랭크 기판 상에 본 발명의 포토레지스트 재료를 도포하고, 레지스트막을 형성한다. 포토레지스트와 블랭크 기판 사이에 SOG막과 유기 하층막을 형성하여, 3층 구조를 형성할 수도 있다.
레지스트막을 형성한 후, 전자빔 묘화기로 노광한다. 노광 후, 노광 후 소성(PEB)을 행하고, 알칼리 현상액으로 10 내지 300 초간 현상을 행한다.
<실시예>
이하, 실시예 및 비교예를 들어 본 발명을 구체적으로 설명하지만, 본 발명이 이들 기재에 의해서 한정되는 것은 아니다.
(고분자 화합물의 제조)
레지스트 재료에 첨가되는 고분자 화합물(고분자 첨가제)로서, 각각의 단량체를 조합하여 이소프로필알코올 용매하에서 공중합 반응을 행하고, 헥산에 정출하고, 추가로 헥산으로 세정을 반복한 후에 단리, 건조하여 이하에 나타내는 조성의 고분자 화합물을 얻었다. 얻어진 고분자 화합물의 조성은 1H-NMR, 분자량 및 분산도는 겔 투과 크로마토그래프에 의해 확인하였다.
중합체 1
분자량(Mw)=8,200
분산도(Mw/Mn)=1.75
Figure 112008022762124-pat00061
중합체 2
분자량(Mw)=8,800
분산도(Mw/Mn)=1.80
Figure 112008022762124-pat00062
중합체 3
분자량(Mw)=7,900
분산도(Mw/Mn)=1.74
Figure 112008022762124-pat00063
중합체 4
분자량(Mw)=8,100
분산도(Mw/Mn)=1.69
Figure 112008022762124-pat00064
중합체 5
분자량(Mw)=8,000
분산도(Mw/Mn)=1.71
Figure 112008022762124-pat00065
중합체 6
분자량(Mw)=8,500
분산도(Mw/Mn)=1.73
Figure 112008022762124-pat00066
중합체 7
분자량(Mw)=8,300
분산도(Mw/Mn)=1.82
Figure 112008022762124-pat00067
중합체 8
분자량(Mw)=6.800
분산도(Mw/Mn)=1.72
Figure 112008022762124-pat00068
중합체 9
분자량(Mw)=7,300
분산도(Mw/Mn)=1.80
Figure 112008022762124-pat00069
중합체 10
분자량(Mw)=6,200
분산도(Mw/Mn)=1.69
Figure 112008022762124-pat00070
중합체 11
분자량(Mw)=7,900
분산도(Mw/Mn)=1.75
Figure 112008022762124-pat00071
중합체 12
분자량(Mw)=9,000
분산도(Mw/Mn)=1.91
Figure 112008022762124-pat00072
중합체 13
분자량(Mw)=10,200
분산도(Mw/Mn)=1.86
Figure 112008022762124-pat00073
중합체 14
분자량(Mw)=7,300
분산도(Mw/Mn)=1.60
Figure 112008022762124-pat00074
(레지스트 재료의 제조)
하기에 나타낸 조성으로, 기재 수지, 광산 발생제, 염기성 화합물 및 유기 용제를 혼합, 용해 후에 이들을 테플론(등록상표)제 필터(공경 0.2 ㎛)로 여과하여, 레지스트 재료(레지스트 1 내지 5)를 제조하였다. 또한, 레지스트 1 내지 4는 포지티브형 레지스트이고, 레지스트 5는 가교제도 첨가한 네가티브형 레지스트이다.
레지스트 1
혼합 조성: 기재 수지 1(100 질량부), 광산 발생제(5 질량부), 염기성 화합물(1 질량부), 유기 용제 1(1,330 질량부), 유기 용제 2(570 질량부)
기재 수지 1(하기 구조식 참조)
Figure 112008022762124-pat00075
분자량(Mw)=7,900
분산도(Mw/Mn)=1.79
광산 발생제(PAG1): 노나플루오로부탄술폰산트리페닐술포늄
염기성 화합물(억제제 1): 2-시클로헥실카르복시에틸모르폴린
유기 용제 1: 아세트산1-메톡시이소프로필
유기 용제 2: 시클로헥사논
레지스트 2
혼합 조성: 기재 수지 2(100 질량부), 광산 발생제(5 질량부), 염기성 화합물(1 질량부), 유기 용제 1(1,330 질량부), 유기 용제 2(570 질량부)
기재 수지 2(하기 구조식 참조)
Figure 112008022762124-pat00076
분자량(Mw)=7,600
분산도(Mw/Mn)=1.75
광산 발생제(PAG1): 노나플루오로부탄술폰산트리페닐술포늄
염기성 화합물(억제제 1): 2-시클로헥실카르복시에틸모르폴린
유기 용제 1: 아세트산1-메톡시이소프로필
유기 용제 2: 시클로헥사논
레지스트 3
혼합 조성: 기재 수지 1(50 질량부), 기재 수지 3(50 질량부), 광산 발생제(5 질량부), 염기성 화합물(1 질량부), 유기 용제 1(1,330 질량부), 유기 용제 2(570 질량부)
기재 수지 3(하기 구조식 참조)
Figure 112008022762124-pat00077
분자량(Mw)=9,500
분산도(Mw/Mn)=2.02
광산 발생제(PAG1): 노나플루오로부탄술폰산트리페닐술포늄
염기성 화합물(억제제 1): 2-시클로헥실카르복시에틸모르폴린
유기 용제 1: 아세트산 1-메톡시이소프로필
유기 용제 2: 시클로헥사논
레지스트 4
혼합 조성: 기재 수지 2(50 질량부), 기재 수지 4(50 질량부), 광산 발생제(5 질량부), 염기성 화합물(1 질량부), 유기 용제 1(1,330 질량부), 유기 용제 2(570 질량부)
기재 수지 4(하기 구조식 참조)
Figure 112008022762124-pat00078
분자량(Mw)=8,900
분산도(Mw/Mn)=1.65
광산 발생제(PAG1): 노나플루오로부탄술폰산트리페닐술포늄
염기성 화합물(억제제 1): 2-시클로헥실카르복시에틸모르폴린
유기 용제 1: 아세트산1-메톡시이소프로필
유기 용제 2: 시클로헥사논
레지스트 5
혼합 조성: 기재 수지 5(100 질량부), 광산 발생제(5 질량부), 염기성 화합물(1 질량부), 가교제(10 질량부), 유기 용제 1(1,330 질량부), 유기 용제 2(570 질량부)
기재 수지 5(하기 구조식 참조)
Figure 112008022762124-pat00079
분자량(Mw)=10,800
분산도(Mw/Mn)=1.90
광산 발생제(PAG1): 노나플루오로부탄술폰산트리페닐술포늄
염기성 화합물(억제제 1): 2-시클로헥실카르복시에틸모르폴린
가교제: 1,3,4,6-테트라메톡시메틸글리콜우릴
유기 용제 1: 아세트산1-메톡시이소프로필
유기 용제 2: 시클로헥사논
(보호막 재료의 제조)
하기에 나타낸 조성으로 기재 수지(TC용 중합체 1, TC용 중합체 2, TC용 중합체 3), 유기 용제를 혼합, 용해 후에 이들을 테플론(등록상표)제 필터(공경 0.2 ㎛)로 여과하여, 보호막 재료(TC1, TC2, TC3)를 제조하였다.
TC1
혼합 조성: TC용 중합체 1(100 질량부), 유기 용제 3(2,600 질량부), 유기 용제 4(260 질량부)
TC2
혼합 조성: TC용 중합체 2(100 질량부), 유기 용제 3(2,600 질량부), 유기 용제 4(260 질량부)
TC3
혼합 조성: TC용 중합체 3(100 질량부), 유기 용제 3(2,600 질량부), 유기 용제 4(260 질량부)
TC용 중합체 1, TC용 중합체 2, TC용 중합체 3(하기 구조식 참조)
Figure 112008022762124-pat00080
유기 용제 3: 이소아밀에테르
유기 용제 4: 2-메틸-1-부탄올
[실시예 1 내지 24, 비교예 1 내지 9]
상기한 모재가 되는 레지스트 재료에 상기 제조한 고분자 화합물(중합체 1 내지 14)을 임의의 비율로 배합하고, 레지스트 용액 1 내지 18을 제조하였다. 하기 표 1, 2에 고분자 화합물과 모재 레지스트 재료의 조합, 및 배합 비율을 나타낸다. 또한, 고분자 화합물의 배합 비율은 레지스트 기재 수지 100 질량부에 대한 혼합 질량부로 표기한다.
Si 기판 상에 제조한 닛산 가가꾸 고교(주)제조 반사 방지막 ARC-29A의 87 nm 막 두께 상에 레지스트 용액을 도포하고, 110 ℃에서 60 초간 베이킹하여 막 두께 150 nm의 레지스트막을 제조하였다. 실시예 18 내지 23에서는 레지스트막 상에 레지스트 보호막 재료를 도포하고, 100 ℃에서 60 초간 베이킹하고, 막 두께 50 nm의 보호막(TC-1, TC-2, TC-3)을 형성하였다. (주)니콘제 ArF 스캐너 S307E(NA 0.85 σ 0.93 4/5 윤대 조명, 6 ％ 하프톤 위상 시프트 마스크)로 노광하고, 110 ℃에서 60 초간 노광 후 소성(PEB)을 행하고, 2.38 질량％ TMAH 현상액으로 60 초간 현상을 행하여, 라인 앤드 스페이스 패턴을 제조하였다. 이어서, 마스크 충실성을 조사하기 위해서, 75 nm 라인 앤드 스페이스의 MEF(길이 측정 선 폭 변화/마스크 선 폭 변화, 값이 작을수록 양호)를 구하였다. 그 후, 웨이퍼를 할단하여, 75 nm 라인 앤드 스페이스의 패턴 형상을 비교하였다.
비교예 1 내지 9는 본 발명의 첨가제를 첨가하지 않는 경우의 결과이고, 그 중 비교예 6 내지 9에서는 보호막이 적용되었다.
Figure 112008022762124-pat00081
Figure 112008022762124-pat00082
표 1, 2로부터 명백한 바와 같이, 본 발명에 의한 고분자 화합물을 배합한 레지스트는 직사각형성이 우수하고, 또한 MEF도 우수한다. 또한, 각종 보호막을 적용한 경우에도 직사각형성은 유지되고, MEF도 열화하지 않으며, 보호막과의 인터믹싱이 억제되어 있는 것을 알 수 있다.
[실시예 25 내지 28, 비교예 10, 11]
표 1, 2 중 레지스트 용액 1, 7, 12, 16에 대해서 실시예 1 내지 24와 마찬가지의 방법으로 Si 기판 상에 레지스트막을 제조하고, 접촉각계 드롭 매스터(Drop Master) 500(교와 가이멘 가가꾸(주)제조)을 이용하여, 현상 후의 포토레지스트막 상에 5 μL의 물방울을 분배했을 때의 접촉각을 측정하였다. 결과를 하기 표 3에 나타낸다(실시예 25 내지 28). 또한, 비교예로서 본 발명의 고분자 화합물을 첨가하지 않고 동일한 방법으로 구한 결과도 표 3에 나타낸다(비교예 10, 11).
또한, 표 1, 2 중 레지스트 용액 1, 7, 12, 16을 0.02 ㎛ 크기의 고밀도 폴리에틸렌 필터로 정밀 여과하고, TC-1도 마찬가지로 정밀 여과한 후, 8인치의 Si 기판 상에 제조한 닛산 가가꾸 고교(주)제조 반사 방지막 ARC-29A의 87 nm 막 두께 상에 레지스트 용액을 도포하고, 110 ℃에서 60 초간 소성하여 막 두께 150 nm의 레지스트막을 제조하였다. 또한, 레지스트 보호막 TC-1을 도포하고, 100 ℃에서 60 초간 소성하였다. (주)니콘제 ArF 스캐너 S307E(NA 0.85 σ 0.93, Cr 마스크)로 웨이퍼 전체면을 20 ㎟의 면적에서 오픈프레임의 노광부와 미노광부를 교대로 노광하는 첵커 플래그 노광을 행하고, 110 ℃에서 60 초간 노광 후 소성(PEB)을 행하고, 2.38 질량％ TMAH 현상액으로 30 초간 현상을 행하였다.
첵커 플래그의 미노광 부분의 결함 개수를 (주)도쿄세이미쯔제 결함 검사 장치 윈윈(WinWin)-50-1200을 이용하여 픽셀 크기 0.125 ㎛로 계측하였다. 결과를 표 3에 나타낸다. 비교예로서, 본 발명의 고분자 화합물을 첨가하지 않고 동일한 방법으로 측정한 결함 개수도 표 3에 나타낸다.
Figure 112008022762124-pat00083
상기 표 3으로부터 명백한 바와 같이, 본 발명에 의한 고분자 화합물을 배합한 레지스트는 현상 후 결함수가 극적으로 적어졌다.
또한, 본 발명은 상기 실시 형태로 한정되는 것은 아니다. 상기 실시 형태는 예시이고, 본 발명의 특허청구범위에 기재된 기술적 사상과 실질적으로 동일한 구성을 가지며, 동일한 작용 효과를 발휘하는 것은 모두 본 발명의 기술적 범위에 포함된다.
예를 들면, 상기에서는 본 발명의 레지스트 재료를 액침 리소그래피로 이용하는 경우를 중심으로 서술하였지만, 액침이 아닌 통상의 리소그래피에서도 본 발명의 레지스트 재료를 당연히 사용할 수 있다.

Claims (13)

  1. 산에 의해서 알칼리 용해성이 변화하는 기재 수지가 되는 고분자 화합물과, 고분자 첨가제로서 카르복실산암모늄염을 갖는 반복 단위와 1개 이상의 불소 원자를 갖는 반복 단위를 공중합한 고분자 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 레지스트 재료.
  2. 제1항에 있어서, 카르복실산암모늄염을 갖는 반복 단위와 1개 이상의 불소 원자를 갖는 반복 단위를 공중합한 고분자 화합물이 하기 화학식 1로 표시되는 것을 특징으로 하는 레지스트 재료.
    <화학식 1>
    Figure 112011034219106-pat00084
    (식 중, R0, R3, R5, R8은 각각 독립적으로 수소 원자 또는 메틸기를 나타낸다. X1 및 Y2는 각각 독립적으로 단결합, -O-R10-, -C(=O)-O-R10- 또는 -C(=O)-NH-R10-, 탄소수 1 내지 4의 직쇄상 또는 분지상의 알킬렌기, 또는 페닐렌기이다. R10은 탄소수 1 내지 10의 직쇄상, 분지상 또는 환상 알킬렌기이고, 에스테르기 또는 에테르기를 가질 수도 있다. n은 1 또는 2이고, n=1의 경우, Y1은 단결합, -O-R10-, -C(=O)-O-R10- 또는 -C(=O)-NH-R10-, 탄소수 1 내지 4의 직쇄상 또는 분지상의 알킬렌기, 또는 페닐렌기이고, R10은 상기한 바와 같다. n=2의 경우, Y1은 -O-R101=, -C(=O)-O-R101= 또는 -C(=O)-NH-R101=, 탄소수 1 내지 4의 직쇄상 또는 분지상의 알킬렌기로부터 추가로 수소 원자가 1개 이탈한 기, 또는 페닐렌기로부터 추가로 수소 원자가 1개 이탈한 기이고, R101은 탄소수 1 내지 10의 직쇄상, 분지상 또는 환상 알킬렌기로부터 추가로 수소 원자가 1개 이탈한 기이고, 에스테르기 또는 에테르기를 가질 수도 있다. X2는 단결합, -O-R11- 또는 -C(=O)-O-R11-, 탄소수 1 내지 4의 직쇄상 또는 분지상의 알킬렌기, 또는 페닐렌기이다. R11은 탄소수 1 내지 10의 직쇄상, 분지상 또는 환상 알킬렌기이고, 에스테르기 또는 에테르기를 가질 수도 있으며, 불소 원자를 가질 수도 있다. R1, R4는 동일하거나 상이한 수소 원자, 탄소수 1 내지 20의 직쇄상, 분지상 또는 환상 알킬기, 또는 탄소수 2 내지 20의 알케닐기이고, 히드록시기, 에테르기, 에스테르기, 시아노기, 아미노기, 2중 결합 또는 할로겐 원자를 가질 수도 있으며, 또는 탄소수 6 내지 10의 아릴기이며, R1끼리 2개 내지 3개, R4끼리 2개 내지 4개가 결합하여 탄소수 3 내지 20의 환을 형성할 수도 있다. R2는 탄소수 1 내지 20의 직쇄상, 분지상 또는 환상 알킬기, 탄소수 2 내지 20의 알케닐기, 또는 탄소수 6 내지 14의 아릴기이고, 히드록시기, 에테르기, 에스테르기, 시아노기, 아미노기, 2중 결합 또는 할로겐 원자를 가질 수도 있다. R6은 탄소수 1 내지 12의 직쇄상, 분지상 또는 환상 알킬렌기이고, R7은 수소 원자, 불소 원자, 메틸기, 트리플루오로메틸기 또는 디플루오로메틸기이거나, 또는 R6과 결합하여 R6, R7 및 이들이 결합하는 탄소 원자로 탄소수 2 내지 12의 지환을 형성할 수도 있고, 환 중에 에테르기, 불소로 치환된 알킬렌기 또는 트리플루오로메틸기를 가질 수도 있다. R9는 탄소수 1 내지 20의 직쇄상, 분지상 또는 환상 알킬기이고, 1개 이상의 불소 원자로 치환되어 있고, 에테르기, 에스테르기 또는 술폰아미드기를 가질 수도 있다. 0≤(a-1)<1.0, 0≤(a-2)<1.0, 0<(a-1)+(a-2)<1.0, 0≤(b-1)<1.0, 0≤(b-2)<1.0, 0<(b-1)+(b-2)<1.0, 0.5≤(a-1)+(a-2)+(b-1)+(b-2)≤1.0이다.)
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 화학 증폭 포지티브형 레지스트 재료인 것을 특징으로 하는 레지스트 재료.
  4. 제3항에 있어서, 상기 기재 수지로서의 고분자 화합물이 산불안정기를 갖는 반복 단위, 및 히드록시기 및/또는 락톤환의 밀착성기를 갖는 반복 단위를 포함하는 기재 수지를 포함하는 것을 특징으로 하는 레지스트 재료.
  5. 제1항 또는 제2항에 있어서, 화학 증폭 네가티브형 레지스트 재료인 것을 특징으로 하는 레지스트 재료.
  6. 제1항 또는 제2항에 있어서, 추가로 유기 용제, 염기성 화합물, 용해 제어제, 가교제 및 계면활성제 중 어느 하나 이상을 함유하는 것을 특징으로 하는 레지스트 재료.
  7. 제1항 또는 제2항에 기재된 레지스트 재료를 기판 상에 도포하는 공정과, 가열 처리 후 고에너지선으로 노광하는 공정과, 현상액을 이용하여 현상하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 패턴 형성 방법.
  8. 제7항에 있어서, 상기 고에너지선을 파장 180 내지 250 nm의 범위의 것으로 하는 것을 특징으로 하는 패턴 형성 방법.
  9. 제7항에 있어서, 상기 고에너지선으로 노광하는 공정을 액체를 통해 노광하는 액침 노광에 의해 행하는 것을 특징으로 하는 패턴 형성 방법.
  10. 제9항에 있어서, 상기 액침 노광에서 포토레지스트막과 액체 사이에 보호막을 설치하는 것을 특징으로 하는 패턴 형성 방법.
  11. 제10항에 있어서, 상기 액침 노광에서 포토레지스트막과 액체 사이에 설치하는 보호막으로서, α트리플루오로메틸히드록시기를 갖는 고분자 화합물을 기재로 하는 알칼리 가용형 보호막을 이용하는 것을 특징으로 하는 패턴 형성 방법.
  12. 제9항에 있어서, 상기 액침 노광에서 180 내지 250 nm의 범위의 노광 파장을 이용하고, 상기 레지스트 재료와 보호막을 도포한 기판과 투영 렌즈 사이에 액체를 삽입하고, 상기 액체를 통해 상기 기판을 노광하는 것을 특징으로 하는 패턴 형성 방법.
  13. 제9항에 있어서, 상기 액체로서 물을 이용하는 것을 특징으로 하는 패턴 형성 방법.
KR1020080029062A 2007-03-29 2008-03-28 레지스트 재료 및 이것을 이용한 패턴 형성 방법 KR101094587B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007086625A JP4435196B2 (ja) 2007-03-29 2007-03-29 レジスト材料及びこれを用いたパターン形成方法
JPJP-P-2007-00086625 2007-03-29

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20080088509A KR20080088509A (ko) 2008-10-02
KR101094587B1 true KR101094587B1 (ko) 2011-12-15

Family

ID=39795027

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020080029062A KR101094587B1 (ko) 2007-03-29 2008-03-28 레지스트 재료 및 이것을 이용한 패턴 형성 방법

Country Status (4)

Country Link
US (1) US7598016B2 (ko)
JP (1) JP4435196B2 (ko)
KR (1) KR101094587B1 (ko)
TW (1) TWI375687B (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20140144207A (ko) * 2012-03-27 2014-12-18 닛산 가가쿠 고교 가부시키 가이샤 페닐인돌 함유 노볼락 수지를 포함하는 레지스트 하층막 형성 조성물

Families Citing this family (115)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4895030B2 (ja) * 2006-10-04 2012-03-14 信越化学工業株式会社 高分子化合物、レジスト保護膜材料、及びパターン形成方法
US8153346B2 (en) 2007-02-23 2012-04-10 Fujifilm Electronic Materials, U.S.A., Inc. Thermally cured underlayer for lithographic application
US7759201B2 (en) * 2007-12-17 2010-07-20 Sandisk 3D Llc Method for fabricating pitch-doubling pillar structures
US7713818B2 (en) * 2008-04-11 2010-05-11 Sandisk 3D, Llc Double patterning method
US7981592B2 (en) * 2008-04-11 2011-07-19 Sandisk 3D Llc Double patterning method
US7786015B2 (en) * 2008-04-28 2010-08-31 Sandisk 3D Llc Method for fabricating self-aligned complementary pillar structures and wiring
JP5530651B2 (ja) * 2008-07-14 2014-06-25 富士フイルム株式会社 感活性光線性または感放射線性樹脂組成物、及び該組成物を用いたパターン形成方法
JP5218227B2 (ja) 2008-12-12 2013-06-26 信越化学工業株式会社 パターン形成方法
JP5407941B2 (ja) 2009-03-09 2014-02-05 信越化学工業株式会社 ポジ型レジスト材料並びにこれを用いたパターン形成方法
JP5463963B2 (ja) 2009-03-09 2014-04-09 信越化学工業株式会社 ポジ型レジスト材料並びにこれを用いたパターン形成方法
US8097401B2 (en) 2009-03-24 2012-01-17 International Business Machines Corporation Self-forming top anti-reflective coating compositions and, photoresist mixtures and method of imaging using same
TW201106101A (en) * 2009-06-01 2011-02-16 Fujifilm Electronic Materials Chemically amplified positive photoresist composition
JP5658932B2 (ja) * 2009-07-14 2015-01-28 住友化学株式会社 新規化合物、レジスト組成物及びパターン形成方法
JP5580674B2 (ja) * 2009-07-14 2014-08-27 住友化学株式会社 新規化合物、レジスト組成物及びパターン形成方法
JP5464131B2 (ja) 2009-12-02 2014-04-09 信越化学工業株式会社 化学増幅レジスト材料並びにこれを用いたパターン形成方法
JP5450114B2 (ja) * 2010-01-08 2014-03-26 富士フイルム株式会社 パターン形成方法、化学増幅型レジスト組成物及びレジスト膜
JP5565293B2 (ja) 2010-01-08 2014-08-06 信越化学工業株式会社 ポジ型レジスト材料並びにこれを用いたパターン形成方法
US9223219B2 (en) 2010-01-08 2015-12-29 Fujifilm Corporation Pattern forming method, actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition and resist film
US8026178B2 (en) * 2010-01-12 2011-09-27 Sandisk 3D Llc Patterning method for high density pillar structures
JP5440468B2 (ja) 2010-01-20 2014-03-12 信越化学工業株式会社 パターン形成方法
JP5561192B2 (ja) * 2010-02-26 2014-07-30 信越化学工業株式会社 高分子化合物及びこれを用いた化学増幅ポジ型レジスト組成物並びにパターン形成方法
JP5387601B2 (ja) 2010-03-24 2014-01-15 信越化学工業株式会社 アセタール化合物、高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
JP5656651B2 (ja) * 2010-03-30 2015-01-21 富士フイルム株式会社 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物及びそれを用いたパターン形成方法
JP5505371B2 (ja) 2010-06-01 2014-05-28 信越化学工業株式会社 高分子化合物、化学増幅ポジ型レジスト材料、及びパターン形成方法
JP5729171B2 (ja) 2010-07-06 2015-06-03 信越化学工業株式会社 パターン形成方法
JP5533797B2 (ja) 2010-07-08 2014-06-25 信越化学工業株式会社 パターン形成方法
JP5278406B2 (ja) 2010-11-02 2013-09-04 信越化学工業株式会社 パターン形成方法
JP5601309B2 (ja) 2010-11-29 2014-10-08 信越化学工業株式会社 ポジ型レジスト材料並びにこれを用いたパターン形成方法
JP5617799B2 (ja) 2010-12-07 2014-11-05 信越化学工業株式会社 化学増幅レジスト材料及びパターン形成方法
JP5776580B2 (ja) 2011-02-25 2015-09-09 信越化学工業株式会社 ポジ型レジスト材料及びこれを用いたパターン形成方法
JP6001278B2 (ja) * 2011-03-17 2016-10-05 住友化学株式会社 レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP5353943B2 (ja) * 2011-04-28 2013-11-27 信越化学工業株式会社 パターン形成方法
JP5601286B2 (ja) 2011-07-25 2014-10-08 信越化学工業株式会社 レジスト材料及びこれを用いたパターン形成方法
JP5434983B2 (ja) 2011-07-27 2014-03-05 信越化学工業株式会社 ポジ型レジスト材料並びにこれを用いたパターン形成方法
JP5698184B2 (ja) 2011-09-02 2015-04-08 信越化学工業株式会社 ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法
JP5698185B2 (ja) 2011-09-06 2015-04-08 信越化学工業株式会社 ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法
JP2013061648A (ja) 2011-09-09 2013-04-04 Rohm & Haas Electronic Materials Llc フォトレジスト上塗り組成物および電子デバイスを形成する方法
JP5655755B2 (ja) 2011-10-03 2015-01-21 信越化学工業株式会社 ポジ型レジスト材料並びにこれを用いたパターン形成方法
JP5655756B2 (ja) 2011-10-03 2015-01-21 信越化学工業株式会社 ポジ型レジスト材料並びにこれを用いたパターン形成方法
JP5846889B2 (ja) * 2011-12-14 2016-01-20 東京応化工業株式会社 レジスト組成物、レジストパターン形成方法、化合物
JP5644788B2 (ja) 2012-02-10 2014-12-24 信越化学工業株式会社 単量体、高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
JP5712963B2 (ja) 2012-04-26 2015-05-07 信越化学工業株式会社 高分子化合物、ポジ型レジスト材料並びにこれを用いたパターン形成方法
JP5954252B2 (ja) 2012-05-16 2016-07-20 信越化学工業株式会社 レジスト材料並びにこれを用いたパターン形成方法
JP5954253B2 (ja) 2012-05-16 2016-07-20 信越化学工業株式会社 レジスト材料、これを用いたパターン形成方法、及び高分子化合物
JP6020361B2 (ja) 2012-06-26 2016-11-02 信越化学工業株式会社 高分子化合物、ポジ型レジスト材料並びにこれを用いたパターン形成方法
JP5737242B2 (ja) * 2012-08-10 2015-06-17 信越化学工業株式会社 単量体、高分子化合物、レジスト組成物及びパターン形成方法
JP5772760B2 (ja) 2012-08-13 2015-09-02 信越化学工業株式会社 ポジ型レジスト材料並びにこれを用いたパターン形成方法
JP6048345B2 (ja) 2012-09-05 2016-12-21 信越化学工業株式会社 レジスト材料及びこれを用いたパターン形成方法
JP6127832B2 (ja) 2012-09-05 2017-05-17 信越化学工業株式会社 レジスト材料及びこれを用いたパターン形成方法
JP6131776B2 (ja) 2012-09-05 2017-05-24 信越化学工業株式会社 レジスト材料及びこれを用いたパターン形成方法
JP6065786B2 (ja) 2012-09-14 2017-01-25 信越化学工業株式会社 化学増幅レジスト材料及びパターン形成方法
JP5825248B2 (ja) 2012-12-12 2015-12-02 信越化学工業株式会社 ポジ型レジスト材料並びにこれを用いたパターン形成方法
JP5819810B2 (ja) 2012-12-18 2015-11-24 信越化学工業株式会社 ネガ型レジスト材料及びこれを用いたパターン形成方法
JP5913077B2 (ja) 2012-12-18 2016-04-27 信越化学工業株式会社 ポジ型レジスト材料及びこれを用いたパターン形成方法
JP5835204B2 (ja) 2012-12-20 2015-12-24 信越化学工業株式会社 レジスト材料及びこれを用いたパターン形成方法
JP5825252B2 (ja) 2012-12-26 2015-12-02 信越化学工業株式会社 レジスト材料及びこれを用いたパターン形成方法
JP6127989B2 (ja) 2013-02-14 2017-05-17 信越化学工業株式会社 パターン形成方法
JP5790678B2 (ja) 2013-02-15 2015-10-07 信越化学工業株式会社 パターン形成方法
JP5794243B2 (ja) 2013-02-18 2015-10-14 信越化学工業株式会社 パターン形成方法
JP5842841B2 (ja) 2013-02-18 2016-01-13 信越化学工業株式会社 パターン形成方法
JP6213296B2 (ja) 2013-04-10 2017-10-18 信越化学工業株式会社 現像液を用いたパターン形成方法
JP6237470B2 (ja) 2013-06-12 2017-11-29 信越化学工業株式会社 感光性レジスト材料用現像液及びこれを用いたパターン形成方法
JP6221939B2 (ja) 2013-06-19 2017-11-01 信越化学工業株式会社 感光性レジスト材料用現像液及びこれを用いたパターン形成方法
JP5954269B2 (ja) 2013-07-10 2016-07-20 信越化学工業株式会社 ポジ型レジスト材料及びこれを用いたパターン形成方法
JP5987802B2 (ja) 2013-09-04 2016-09-07 信越化学工業株式会社 ポジ型レジスト材料並びにこれを用いたパターン形成方法
JP5904180B2 (ja) * 2013-09-11 2016-04-13 信越化学工業株式会社 スルホニウム塩、化学増幅型レジスト組成物、及びパターン形成方法
JP6028716B2 (ja) 2013-11-05 2016-11-16 信越化学工業株式会社 レジスト材料及びパターン形成方法
JP6003873B2 (ja) 2013-11-28 2016-10-05 信越化学工業株式会社 レジスト材料並びにこれを用いたパターン形成方法
JP5920322B2 (ja) 2013-11-28 2016-05-18 信越化学工業株式会社 ネガ型レジスト材料並びにこれを用いたパターン形成方法
KR20150080443A (ko) * 2013-12-31 2015-07-09 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머트어리얼즈 엘엘씨 포토레지스트 오버코트 조성물
US9703200B2 (en) * 2013-12-31 2017-07-11 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Photolithographic methods
JP5981465B2 (ja) 2014-01-10 2016-08-31 信越化学工業株式会社 ネガ型レジスト材料及びこれを用いたパターン形成方法
JP6028744B2 (ja) 2014-01-24 2016-11-16 信越化学工業株式会社 ポジ型レジスト材料及びこれを用いたパターン形成方法
JP6044557B2 (ja) 2014-01-24 2016-12-14 信越化学工業株式会社 ポジ型レジスト材料及びこれを用いたパターン形成方法
JP6020477B2 (ja) 2014-01-24 2016-11-02 信越化学工業株式会社 ポジ型レジスト材料及びこれを用いたパターン形成方法
JP6052207B2 (ja) 2014-03-04 2016-12-27 信越化学工業株式会社 ポジ型レジスト材料及びこれを用いたパターン形成方法
JP6044566B2 (ja) 2014-03-04 2016-12-14 信越化学工業株式会社 ポジ型レジスト材料及びこれを用いたパターン形成方法
JP6428495B2 (ja) 2014-08-12 2018-11-28 信越化学工業株式会社 ポジ型レジスト材料並びにこれを用いたパターン形成方法
JP6248861B2 (ja) 2014-08-19 2017-12-20 信越化学工業株式会社 化学増幅レジスト材料及びパターン形成方法
JP6325464B2 (ja) 2015-01-05 2018-05-16 信越化学工業株式会社 現像液及びこれを用いたパターン形成方法
JP6411967B2 (ja) 2015-07-29 2018-10-24 信越化学工業株式会社 レジスト材料並びにこれを用いたパターン形成方法
JP6512049B2 (ja) * 2015-09-15 2019-05-15 信越化学工業株式会社 レジスト材料及びパターン形成方法
JP6609225B2 (ja) 2016-07-22 2019-11-20 信越化学工業株式会社 レジスト材料及びこれを用いたパターン形成方法
JP7222674B2 (ja) 2017-12-15 2023-02-15 信越化学工業株式会社 反射防止膜、反射防止膜の製造方法、及び眼鏡型ディスプレイ
JP7182438B2 (ja) 2017-12-21 2022-12-02 信越化学工業株式会社 反射防止膜、反射防止膜の製造方法、及び眼鏡型ディスプレイ
JP7054654B2 (ja) * 2018-06-28 2022-04-14 東京応化工業株式会社 レジスト組成物及びレジストパターン形成方法
JP7147707B2 (ja) * 2018-08-09 2022-10-05 信越化学工業株式会社 化学増幅レジスト材料及びパターン形成方法
JP7238743B2 (ja) * 2018-12-18 2023-03-14 信越化学工業株式会社 レジスト材料及びパターン形成方法
JP7283373B2 (ja) * 2019-01-29 2023-05-30 信越化学工業株式会社 化学増幅レジスト材料及びパターン形成方法
JP7268615B2 (ja) * 2019-02-27 2023-05-08 信越化学工業株式会社 レジスト材料及びパターン形成方法
JP7276180B2 (ja) 2019-02-27 2023-05-18 信越化学工業株式会社 レジスト材料及びパターン形成方法
JP7096188B2 (ja) 2019-03-22 2022-07-05 信越化学工業株式会社 レジスト組成物及びパターン形成方法
JP7351256B2 (ja) * 2019-06-17 2023-09-27 信越化学工業株式会社 ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法
JP7351262B2 (ja) * 2019-07-02 2023-09-27 信越化学工業株式会社 ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法
JP7375685B2 (ja) * 2019-08-02 2023-11-08 信越化学工業株式会社 化学増幅レジスト材料及びパターン形成方法
JP7334683B2 (ja) * 2019-08-02 2023-08-29 信越化学工業株式会社 ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法
JP7256730B2 (ja) * 2019-11-07 2023-04-12 信越化学工業株式会社 レジスト組成物及びパターン形成方法
JP7240301B2 (ja) 2019-11-07 2023-03-15 信越化学工業株式会社 レジスト組成物及びパターン形成方法
JP2021182133A (ja) * 2020-05-18 2021-11-25 信越化学工業株式会社 ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法
JP7375697B2 (ja) 2020-07-17 2023-11-08 信越化学工業株式会社 レジスト材料及びパターン形成方法
JP2022019584A (ja) * 2020-07-17 2022-01-27 信越化学工業株式会社 レジスト材料及びパターン形成方法
JP7351268B2 (ja) 2020-07-17 2023-09-27 信越化学工業株式会社 レジスト材料及びパターン形成方法
JP7444049B2 (ja) 2020-12-23 2024-03-06 信越化学工業株式会社 アルコール化合物、化学増幅ネガ型レジスト組成物及びレジストパターン形成方法
JP2022113120A (ja) * 2021-01-22 2022-08-03 信越化学工業株式会社 ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法
JP2022113119A (ja) * 2021-01-22 2022-08-03 信越化学工業株式会社 ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法
JP2022145559A (ja) 2021-03-17 2022-10-04 信越化学工業株式会社 化学増幅ポジ型レジスト組成物及びレジストパターン形成方法
JP2022175368A (ja) 2021-05-13 2022-11-25 信越化学工業株式会社 化学増幅型レジスト組成物、フォトマスクブランク、レジストパターンの形成方法、及び高分子化合物の製造方法
JP2023091749A (ja) 2021-12-20 2023-06-30 信越化学工業株式会社 化学増幅ポジ型レジスト組成物及びレジストパターン形成方法
JP2023166651A (ja) 2022-05-10 2023-11-22 信越化学工業株式会社 マスクブランク、レジストパターン形成方法及び化学増幅ポジ型レジスト組成物
JP2023166652A (ja) 2022-05-10 2023-11-22 信越化学工業株式会社 化学増幅ポジ型レジスト組成物及びレジストパターン形成方法
JP2023177048A (ja) 2022-06-01 2023-12-13 信越化学工業株式会社 化学増幅ネガ型レジスト組成物及びレジストパターン形成方法
JP2023177038A (ja) 2022-06-01 2023-12-13 信越化学工業株式会社 化学増幅ポジ型レジスト組成物及びレジストパターン形成方法
JP2024024708A (ja) 2022-08-10 2024-02-26 信越化学工業株式会社 化学増幅ポジ型レジスト組成物及びレジストパターン形成方法
JP2024037264A (ja) 2022-09-07 2024-03-19 信越化学工業株式会社 化学増幅ポジ型レジスト組成物及びレジストパターン形成方法
JP2024045816A (ja) 2022-09-22 2024-04-03 信越化学工業株式会社 ポリマー、化学増幅ポジ型レジスト組成物、レジストパターン形成方法、及びマスクブランク

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20080153030A1 (en) 2006-12-25 2008-06-26 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Positive resist composition and patterning process

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2906999B2 (ja) 1994-04-26 1999-06-21 信越化学工業株式会社 レジスト材料
JP3830183B2 (ja) 1995-09-29 2006-10-04 東京応化工業株式会社 オキシムスルホネート化合物及びレジスト用酸発生剤
JP3587413B2 (ja) 1995-12-20 2004-11-10 東京応化工業株式会社 化学増幅型レジスト組成物及びそれに用いる酸発生剤
JP3879139B2 (ja) 1996-05-08 2007-02-07 住友化学株式会社 グリオキシム系エステル、その製法および用途
TW550439B (en) 1997-07-01 2003-09-01 Ciba Sc Holding Ag New oxime sulfonates as latent acids and compositions and photoresists comprising said oxime sulfonates
US6471087B1 (en) 1997-07-31 2002-10-29 Larry Shusterman Remote patient monitoring system with garment and automated medication dispenser
NL1014545C2 (nl) 1999-03-31 2002-02-26 Ciba Sc Holding Ag Oxim-derivaten en de toepassing daarvan als latente zuren.
SG78412A1 (en) 1999-03-31 2001-02-20 Ciba Sc Holding Ag Oxime derivatives and the use thereof as latent acids
JP4226803B2 (ja) * 2000-08-08 2009-02-18 富士フイルム株式会社 ポジ型感光性組成物
US6767688B2 (en) * 2001-12-31 2004-07-27 Shipley Company, L.L.C. Photoresist compositions
KR100698444B1 (ko) 2002-03-22 2007-03-23 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 화학 증폭 레지스트 재료용 광산 발생제, 및 이것을사용한 레지스트 재료 및 패턴 형성 방법
JP3914468B2 (ja) * 2002-06-21 2007-05-16 Ａｚエレクトロニックマテリアルズ株式会社 現像欠陥防止プロセスおよびそれに用いる組成物
JP2004074242A (ja) 2002-08-20 2004-03-11 Kurosaki Harima Corp 連続鋳造用耐火物およびそれを用いる連続鋳造方法
JP5301070B2 (ja) 2004-02-16 2013-09-25 東京応化工業株式会社 液浸露光プロセス用レジスト保護膜形成用材料、および該保護膜を用いたレジストパターン形成方法
EP1741730B1 (en) 2004-04-27 2010-05-12 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Resist protecting film forming material for immersion exposure process and resist pattern forming method using the protecting film
JP4740666B2 (ja) * 2004-07-07 2011-08-03 富士フイルム株式会社 液浸露光用ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法
JP4871549B2 (ja) * 2005-08-29 2012-02-08 富士フイルム株式会社 ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法
JP4288520B2 (ja) * 2006-10-24 2009-07-01 信越化学工業株式会社 レジスト材料及びこれを用いたパターン形成方法

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20080153030A1 (en) 2006-12-25 2008-06-26 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Positive resist composition and patterning process

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20140144207A (ko) * 2012-03-27 2014-12-18 닛산 가가쿠 고교 가부시키 가이샤 페닐인돌 함유 노볼락 수지를 포함하는 레지스트 하층막 형성 조성물
KR102072490B1 (ko) 2012-03-27 2020-02-03 닛산 가가쿠 가부시키가이샤 페닐인돌 함유 노볼락 수지를 포함하는 레지스트 하층막 형성 조성물

Also Published As

Publication number Publication date
KR20080088509A (ko) 2008-10-02
TW200906866A (en) 2009-02-16
US20080241736A1 (en) 2008-10-02
TWI375687B (en) 2012-11-01
JP4435196B2 (ja) 2010-03-17
US7598016B2 (en) 2009-10-06
JP2008239918A (ja) 2008-10-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101094587B1 (ko) 레지스트 재료 및 이것을 이용한 패턴 형성 방법
KR101042462B1 (ko) 레지스트 재료 및 이것을 이용한 패턴 형성 방법
KR101287720B1 (ko) 레지스트 재료 및 이것을 이용한 패턴 형성 방법
KR101162798B1 (ko) 레지스트 재료 및 이것을 이용한 패턴 형성 방법
JP4842844B2 (ja) レジスト材料及びこれを用いたパターン形成方法
KR101242332B1 (ko) 레지스트 재료 및 이것을 이용한 패턴 형성 방법
KR101153512B1 (ko) 레지스트 재료 및 이것을 이용한 패턴 형성 방법
JP4849267B2 (ja) レジスト材料及びこれを用いたパターン形成方法
JP4771974B2 (ja) レジスト材料及びこれを用いたパターン形成方法
KR101028646B1 (ko) 포지티브형 레지스트 재료 및 패턴 형성 방법
JP4849268B2 (ja) レジスト材料及びこれを用いたパターン形成方法
KR101022602B1 (ko) 포지티브형 레지스트 재료 및 패턴 형성 방법
KR101002820B1 (ko) 포지티브형 레지스트 재료 및 패턴 형성 방법
KR20090088329A (ko) 레지스트 재료, 레지스트 보호막 재료 및 패턴 형성 방법
KR20090088330A (ko) 고분자 화합물, 레지스트 재료 및 패턴 형성 방법
KR20080031638A (ko) 고분자 화합물, 레지스트 재료, 및 패턴 형성 방법
KR101250099B1 (ko) 포지티브형 레지스트 재료 및 패턴 형성 방법
KR20090079829A (ko) 포지티브형 레지스트 재료 및 패턴 형성 방법
JP4680944B2 (ja) パターン形成方法
JP4753043B2 (ja) パターン形成方法
KR101094563B1 (ko) 포지티브형 레지스트 재료 및 패턴 형성 방법
JP4844756B2 (ja) パターン形成方法
KR101054163B1 (ko) 포지티브형 레지스트 재료 및 패턴 형성 방법
KR20080046580A (ko) 포지티브형 레지스트 재료 및 패턴 형성 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20141120

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20151118

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20161122

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20171120

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20181119

Year of fee payment: 8