KR101066123B1

KR101066123B1 - 전지팩

Info

Publication number: KR101066123B1
Application number: KR1020097023123A
Authority: KR
Inventors: 타카시 타케다
Original assignee: 미쓰미덴기가부시기가이샤
Priority date: 2007-06-25
Filing date: 2008-06-25
Publication date: 2011-09-20
Also published as: JP2009005559A; KR20100005104A; WO2009001844A1; US8193774B2; US20100201327A1

Abstract

2차전지의 과충전, 과방전, 과전류를 검출하여 2차전지와 부하 또는 충전장치와의 사이의 배선에 설치된 스위치 소자를 오프 하는 보호 회로를 구비한 전지팩에 있어서, 2차전지의 근방에 배열 설치되고 2차전지와 병렬접속된 서미스터와 저항의 직렬 회로와, 충전장치의 접속을 검출하는 접속 검출 회로와, 보호 회로 내에서, 서미스터와 저항의 접속점의 전압을 소정 온도에 대응하는 기준전압과 비교하는 컴퍼레이터와, 보호 회로 내에서, 접속 검출 수단으로 충전장치의 접속을 검출했을 때만 컴퍼레이터의 출력 신호를 유효로 하는 게이트 회로를 갖고, 보호 회로는 게이트 회로로부터의 컴퍼레이터의 출력 신호에 의해 2차전지의 온도가 소정 온도를 초과했을 때 스위치 소자를 오프 한다.

2차전지, 과충전, 과방전, 과전류, 충전장치, 스위치 소자, 보호 회로, 전지팩, 서미스터, 직렬 회로, 접속 검출 회로, 컴퍼레이터, 게이트 회로, 출력 신호.

Description

전지팩{BATTERY PACK}

본 발명은 전지팩에 관한 것으로, 2차전지의 과충전, 과방전, 과전류를 검출하여 상기 2차전지와 부하 또는 충전장치와의 사이의 배선에 설치된 스위치 소자를 오프하는 보호 회로를 구비한 전지팩에 관한 것이다.

최근, 2차전지로서 리튬 이온 전지가 디지탈 카메라 등 휴대기기에 탑재되고 있다. 리튬 이온 전지는 과충전 및 과방전에 약하기 때문에, 과충전 및 과방전의 보호 회로를 구비한 전지팩의 형태로 사용된다.

도 4 및 도 5는 종래의 전지팩의 각 예의 블럭도를 도시한다. 도 4에서, 리튬 이온 전지(2)와 병렬로 저항(R1)과 컨덴서(C1)의 직렬 회로가 접속되어 있다. 리튬 이온 전지(2)의 정극은 전지팩(1)의 외부단자(3)에 접속되고, 부극은 전류차단용의 n채널 MOS(금속 산화막 반도체) 트랜지스터(M1, M2)를 통하여 전지팩(1)의 외부단자(4)에 접속되어 있다.

MOS 트랜지스터(M1, M2)는 드레인이 공통접속되고, MOS 트랜지스터(M1)의 소스는 리튬 이온 전지(2)의 부극에 접속되고, MOS 트랜지스터(M2)의 소스는 외부단자(4)에 접속되어 있다. 또, MOS 트랜지스터(M1, M2) 각각은 드레인·소스 사이에 등가적으로 보디 다이오드(D1, D2)가 접속되어 있다.

보호 IC(집적회로)(5)는 과충전 검출 회로, 과방전 검출 회로, 과전류 검출 회로를 내장하고 있다. 또, 보호 IC(5)는 리튬 이온 전지(2)의 정극으로부터 저항(R1)을 통하여 전원(Vdd)을 공급받음과 아울러 리튬 이온 전지(2)의 부극으로부터 전원(Vss)을 공급받아 동작한다.

보호 IC(5)는 과방전 검출 회로 또는 과전류 검출 회로에서 과방전 또는 과전류를 검출했을 때 DOUT 출력을 로 레벨로 하여 MOS 트랜지스터(M1)를 차단하고, 과충전 검출 회로에서 과충전을 검출했을 때 COUT 출력을 로 레벨로 하여 MOS 트랜지스터(M2)를 차단한다.

도 5에서는, 또한, 전지팩(1) 내에 서미스터(R3)가 설치되어 있다. 서미스터(R3)의 일단은 전지팩(1)의 단자(6)에 접속되고, 타단은 외부단자(4)에 접속되어 있다. 전지팩(1)의 단자(6)에는 충전시에 충전장치로부터 분압 저항을 통하여 소정 전압이 인가된다. 전지팩(1)의 온도에 의해 서미스터(R3)의 저항값이 변화됨으로써 단자(6)의 전압은 변화된다. 충전장치는 단자(6)의 전압을 검출하여 전지팩(1)의 온도가 소정값을 초과하면 충전을 정지하도록 제어를 행한다.

또한, 특허문헌 1에는, 2차전지에 온도 보호 소자(PTC 소자)와 직렬로 접속된 다이오드 및 이것들과 역방향으로 병렬로 접속된 다이오드를 2차전지에 접속하여, 통상의 방전시에는 고온으로 되어도 온도 보호 소자(PTC 소자)가 동작하지 않도록 하는 것이 기재되어 있다.

특허문헌 1: 일본 특개 2004-152580호 공보

(발명의 개시)

(발명이 해결하고자 하는 과제)

도 4에 나타내는 종래예는 전지팩의 온도에 대한 보호기능이 없다. 또, 도 5에 나타내는 종래예는 전지팩의 온도에 대한 보호기능이 있지만, 충전장치로부터 분압 저항을 통하여 소정 전압이 인가되기 때문에, 충전장치의 소정 전압이 변화된 경우나 충전장치의 분압 저항의 오차가 있는 경우에는, 전지팩의 온도를 정확하게 검출할 수 없다고 하는 문제가 있었다.

본 발명은 상기의 점을 감안하여 이루어진 것으로, 충전기가 접속되었을 때에만 2차전지의 온도 보호를 고정밀로 행하여 방전시의 자기 가열을 방지할 수 있는 전지팩을 제공하는 것을 총괄적인 목적으로 한다.

(과제를 해결하기 위한 수단)

본 발명의 1실시태양에 의한 전지팩은, 2차전지의 과충전, 과방전, 과전류를 검출하여 상기 2차전지와 부하(34) 또는 충전장치(33) 사이의 배선에 설치된 스위치 소자(M11, M12)를 오프하는 보호 회로를 구비한 전지팩에 있어서,

상기 2차전지의 근방에 배열 설치되고 상기 2차전지와 병렬접속된 서미스터(R13)와 저항(R14)의 직렬 회로와,

상기 충전장치(33)의 접속을 검출하는 접속 검출 회로(32, R15)와,

상기 보호 회로 내에서, 상기 서미스터(R13)와 저항(R14)의 접속점의 전압을 소정 온도(V1)에 대응하는 기준전압과 비교하는 컴퍼레이터(21)와,

상기 보호 회로 내에서, 상기 접속 검출 수단(32, R15)에서 충전장치(33)의 접속을 검출했을 때만 상기 컴퍼레이터(21)의 출력 신호를 유효로 하는 게이트 회로(30, 31)를 갖고,

상기 보호 회로는, 상기 게이트 회로(30, 31)로부터의 컴퍼레이터(21)의 출력 신호에 의해 상기 2차전지의 온도가 상기 소정 온도를 초과했을 때 상기 스위치 소자(M1l, M12)를 오프함으로써, 충전기가 접속되었을 때에만 2차전지의 온도 보호를 고정밀로 행하여 방전시의 자기 가열을 방지할 수 있다.

상기 전지팩에 있어서,

상기 접속 검출 회로(32, R15)는, 충전장치가 접속되는 외부단자(32)를 풀업 또는 풀다운 하는 저항(R15)을 갖고,

상기 충전장치는 접속시에 상기 외부단자(32)를 풀다운 또는 풀업 하는 구성으로 할 수 있다.

상기 전지팩에 있어서,

상기 서미스터(R13)는 부의 온도계수를 갖는 NTC 서미스터인 구성으로 할 수 있다.

또한, 상기 괄호 내의 참조부호는, 이해를 쉽게 하기 위해서 붙인 것으로, 1예에 지나지 않으며, 도시의 태양에 한정되는 것은 아니다.

(발명의 효과)

본 발명에 의하면, 충전기가 접속되었을 때에만 2차전지의 온도 보호를 고정밀로 행하여 방전시의 자기 가열을 방지할 수 있다.

도 1은 본 발명의 전지팩의 참고예의 블럭도이다.

도 2는 NTC 서미스터와 PTC 서미스터 각각의 온도·저항 특성도이다.

도 3은 본 발명의 전지팩의 1실시형태의 블럭도이다.

도 4는 종래의 전지팩의 1예의 블럭도이다.

도 5는 종래의 전지팩의 다른 1예의 블럭도이다.

(부호의 설명)

10 전지팩 12 리튬 이온 전지

13, 14, 32 외부단자 15 보호 IC

16 과충전 검출 회로 17 과방전 검출 회로

18 과전류 검출 회로 19 논리 회로

20 정전압원 21 컴퍼레이터

22 불감응 시간 설정 회로 30 앤드 회로

31 인버터 33 충전장치

34 부하 C1 컨덴서

M11, M12 MOS 트랜지스터 R11, R12, R14 저항

R13 서미스터

(발명을 실시하기 위한 최선의 형태)

<참고예>

도 1은 본 발명의 전지팩의 참고예의 블럭도를 나타낸다. 동 도면 중, 리튬 이온 전지(12)와 병렬로 저항(R11)과 컨덴서(C11)의 직렬 회로가 접속되어 있다. 리튬 이온 전지(12)의 정극은 배선에 의해 전지팩(10)의 외부단자(13)에 접속되고, 부극은 배선에 의해 전류차단용의 n채널 MOS 트랜지스터(M11, M12)를 통하여 전지팩(10)의 외부단자(14)에 접속되어 있다.

MOS 트랜지스터(M11, M12)는 드레인이 공통접속되고, MOS 트랜지스터(M11)의 소스는 리튬 이온 전지(12)의 부극에 접속되고, MOS 트랜지스터(M12)의 소스는 외부단자(14)에 접속되어 있다. 또한, MOS 트랜지스터(M11, M12) 각각은, 드레인·소스 사이에 등가적으로 보디 다이오드(D1, D2)가 접속되어 있다.

또, 리튬 이온 전지(12)와 병렬로 서미스터(R13)와 저항(R14)의 직렬 회로가 접속되어 있다. 상기의 서미스터(R13)는 전지팩(10) 내에서 리튬 이온 전지(12)의 근방에 배열 설치되어 리튬 이온 전지(12)와 열결합되어 있다. 서미스터(R13)는 부의 온도계수를 갖는 NTC(Negative Temperature Coefficient) 서미스터를 사용한다.

또한, 도 2에 부의 온도계수를 갖는 NTC 서미스터와, 정의 온도계수를 갖는 PTC(Positive Temperature Coefficient) 서미스터 각각의 온도·저항 특성을 나타낸다.

보호 IC(15)는 과충전 검출 회로(16), 과방전 검출 회로(17), 과전류 검출 회로(18)를 내장하고 있다. 또, 보호 IC(15)는 리튬 이온 전지(12)의 정극으로부터 저항(R11)을 통하여 전원(Vdd)을 단자(15a)에 공급받음과 아울러, 리튬 이온 전지(12)의 부극으로부터 전원(Vss)을 단자(15c)에 공급받아 동작한다.

과충전 검출 회로(16)는 단자(15a, 15c)의 전압으로부터 리튬 이온 전지(12)의 과충전을 검출하여 검출 신호를 논리 회로(19)에 공급한다. 과방전 검출 회로(17)는 단자(15a, 15c)의 전압으로부터 리튬 이온 전지(12)의 과방전을 검출하고 검출 신호를 논리 회로(19)에 공급한다. 과전류 검출 회로(18)는 단자(15c, 15f)의 전압으로부터 저항(R12)에 흐르는 전류가 과대하게 되는 과전류를 검출하여 검출 신호를 논리 회로(19)에 공급한다.

또, 보호 IC(15)는 단자(15b)에 서미스터(R13)와 저항(R14)의 접속점(A)이 접속되고, 단자(15f)에 저항(R12)의 일단이 접속되고 저항(R12)의 타단은 외부단자(14)에 접속되어 있다. 또, 보호 IC(15)는 DOUT 출력의 단자(15d)가 MOS 트랜지스터(M11)의 게이트에 접속되고, COUT 출력의 단자(15e)가 MOS 트랜지스터(M12)의 게이트에 접속되어 있다.

보호 IC(15)에서, 단자(15b)는 컴퍼레이터(21)의 비반전 입력 단자에 접속되어 있다. 단자(15c)는 제너다이오드 등의 정전압원(20)의 부극에 접속되고, 정전압원(20)의 정극은 컴퍼레이터(21)의 반전 입력 단자에 접속되어 있다.

서미스터(R13)는 도 2에 부의 온도계수를 갖는 NTC 서미스터이기 때문에, 온도가 상승함에 따라 저항값이 저하되고 접속점(A)의 전압은 상승한다.

컴퍼레이터(21)는 히스테리시스 특성을 갖고, 정전압원(20)에서 발생한 정전압(V1)과 접속점(A)의 전압을 비교하여, 접속점(A)의 전압이 높을 때 하이레벨의 신호를 출력한다. 즉, 서미스터(R13)의 검출온도가 정전압(V1)에 대응하는 소정 온도(예를 들면, 70℃ 정도)를 초과하면 컴퍼레이터(21)는 하이레벨의 고온 검출 신호를 출력한다.

컴퍼레이터(21)가 출력하는 고온 검출 신호는 불감응 시간 설정 회로(22)에 공급된다. 불감응 시간 설정 회로(22)는 고온 검출 신호의 하이레벨 기간이 소정값(예를 들면, 0.5sec)을 초과하면 하이레벨의 고온 검출 신호를 논리 회로(19)에 공급한다.

논리 회로(19)는 과충전 검출 회로(16), 과방전 검출 회로(17), 과전류 검출 회로(18) 각각의 검출 신호를 공급받음과 아울러, 불감응 시간 설정 회로(22)가 출력하는 고온 검출 신호를 공급받고 있다.

논리 회로(19)는 과충전 검출 회로(16)로부터 과충전 검출 신호를 공급받으면 단자(15e)의 COUT 출력을 로 레벨로 하여 MOS 트랜지스터(M12)를 차단하고, 과방전 검출 회로(17)로부터 과방전 검출 신호를 공급받으면 단자(15d)의 DOUT 출력을 로 레벨로 하여 MOS 트랜지스터(M11)를 차단하고, 과전류 검출 회로(18)로부터 과전류 검출 신호를 공급받으면 단자(15d)의 DOUT 출력을 로 레벨로 하여 MOS 트랜지스터(M11)를 차단한다.

논리 회로(19)는 고온 검출 신호가 하이레벨이 되면, 단자(15e)의 COUT 출력을 로 레벨로 하여 MOS 트랜지스터(M12)를 차단한다. 이것에 이해, 리튬 이온 전지(12)의 온도를 정확하게 검출할 수 있어, 리튬 이온 전지(12)가 고온으로 된 경우에 충전을 정지하여 보호할 수 있다.

또, 서미스터(R13)는 도 2에 도시하는 바와 같이 온도에 대하여 거의 선형적으로 저항값이 변화되는 NTC 서미스터를 사용하고 있기 때문에 온도를 정밀하게 검 출할 수 있고, 서미스터(R13)를 전지팩(10) 내에서 리튬 이온 전지(12)의 근방에 배열 설치함으로써 리튬 이온 전지(12)의 온도를 정밀하게 검출할 수 있다. 또한, PTC 서미스터는 어느 온도를 초과하면 급격하게 저항값이 증가하기 때문에 온도를 정밀하게 검출할 수 없다.

그런데, COUT 출력을 로 레벨로 하여 MOS 트랜지스터(M12)를 차단했을 때, 외부단자(13, 14) 사이에 부하가 접속되어 있으면, DOUT 출력이 하이레벨이고 MOS 트랜지스터(M11)는 온 되어 있기 때문에, MOS 트랜지스터(M12)의 보디 다이오드(D12)가 온 되어 리튬 이온 전지(12)로부터의 방전 전류가 외부단자(13, 14) 사이에 접속되어 있는 부하에 흐르게 된다.

이 경우, 보디 다이오드(D12)의 순방향 전압 강하를 Vf로 하고, 방전 전류를 Id로 하면, Wd=Vf×Id로 표시되는 전력(Wd)이 열로서 방출되어 버린다. 이 때문에, 전지팩(10)이 더욱 가열될 우려가 있다. 이 자기 가열을 방지하는 것이 이하에 설명하는 본 실시형태이다.

<실시형태>

도 3은 본 발명의 전지팩의 1실시형태의 블럭도를 나타낸다. 동 도면 중, 도 1과 동일 부분에는 동일한 부호를 붙인다.

도 3에서, 리튬 이온 전지(12)와 병렬로 저항(R11)과 컨덴서(C11)의 직렬 회로가 접속되어 있다. 리튬 이온 전지(12)의 정극은 전지팩(10)의 외부단자(13)에 접속되고, 부극은 전류차단용의 n채널 MOS 트랜지스터(M11, M12)를 통하여 전지팩(10)의 외부단자(14)에 접속되어 있다.

MOS 트랜지스터(M11, M12)는 드레인이 공통접속되고, MOS 트랜지스터(M11)의 소스는 리튬 이온 전지(12)의 부극에 접속되고, MOS 트랜지스터(M12)의 소스는 외부단자(14)에 접속되어 있다. 또, MOS 트랜지스터(M11, M12) 각각은 드레인·소스 사이에 등가적으로 보디 다이오드(D11, D12)가 접속되어 있다.

보호 IC(15)는 과충전 검출 회로(16), 과방전 검출 회로(17), 과전류 검출 회로(18)를 내장하고 있다. 또, 보호 IC(15)는 리튬 이온 전지(12)의 정극으로부터 저항(R11)을 통하여 전원(Vdd)을 단자(15a)에 공급받음과 아울러 리튬 이온 전지(12)의 부극으로부터 전원(Vss)을 단자(15c)에 공급받아 동작한다.

과충전 검출 회로(16)는 단자(15a, 15c)의 전압으로부터 리튬 이온 전지(12)의 과충전을 검출하여 검출 신호를 논리 회로(19)에 공급한다. 과방전 검출 회로(17)는 단자(15a, 15c)의 전압으로부터 리튬 이온 전지(12)의 과방전을 검출하여 검출 신호를 논리 회로(19)에 공급한다. 과전류 검출 회로(18)는 단자(15c, 15f) 의 전압으로부터 저항(R12)에 흐르는 전류가 과대하게 되는 과전류를 검출하여 검출 신호를 논리 회로(19)에 공급한다.

보호 IC(15)에서, 단자(15b)는 컴퍼레이터(21)의 비반전 인력단자에 접속되어 있다. 단자(15c)는 제너다이오드 등의 정전압원(20)의 부극에 접속되고, 정전압원(20)의 정극은 컴퍼레이터(21)의 반전 입력 단자에 접속되어 있다.

컴퍼레이터(21)는 히스테리시스 특성을 갖고, 정전압원(20)에서 발생한 정전압(V1)과 접속점(A)의 전압을 비교하여, 접속점(A)의 전압이 높을 때 하이레벨의 신호를 출력한다. 즉, 서미스터(R13)의 검출온도가 정전압(V1)에 대응하는 소정 온도( 예를 들면, 70℃ 정도)를 초과하면 컴퍼레이터(21)는 하이레벨의 고온 검출 신호를 출력한다.

컴퍼레이터(21)가 출력하는 고온 검출 신호는 불감응 시간 설정 회로(22)에 공급된다. 불감응 시간 설정 회로(22)는 고온 검출 신호의 하이레벨 기간이 소정값(예를 들면, 0.5sec)을 초과하면 하이레벨의 고온 검출 신호를 앤드 회로(앤드 게이트)(30)의 일방의 입력 단자에 공급한다.

한편, 보호 IC(15)의 단자(15g)는 인버터(31)를 통하여 앤드 회로(30)의 타방의 입력 단자에 접속되어 있다. 또, 단자(15g)는 전지팩(10)의 외부단자(32)에 접속됨과 아울러, 저항(R15)을 통하여 리튬 이온 전지(12)의 정극에 접속되어 있다.

충전시에는, 전지팩(10)의 외부단자(13, 14, 32) 각각에 충전장치(33)가 접속되고, 외부단자(13, 14)로부터 리튬 이온 전지(12)가 충전됨과 아울러, 외부단자(32)는 충전장치(33) 내의 MOS 트랜지스터(M13)에 의해 접지 레벨로 풀다운 된다. 충전장치(33)가 접속되어 있지 않을 때 외부단자(32)는 저항(R15)에 의해 전원전압(Vdd)에 풀업되어 있다.

이 때문에, 충전장치(33)가 접속되어 있을 때 앤드 회로(30)의 타방의 입력 단자는 하이레벨로 되고, 불감응 시간 설정 회로(22)가 출력하는 고온 검출 신호가 앤드 회로(30)를 통하여 논리 회로(19)에 공급된다. 충전장치(33)가 접속되어 있지 않을 때 앤드 회로(30)의 타방의 입력 단자는 로 레벨로 되고, 고온 검출 신호는 앤드 회로(30)에서 저지되어 논리 회로(19)에 공급되지 않는다.

논리 회로(19)는 과충전 검출 회로(16), 과방전 검출 회로(17), 과전류 검출 회로(18) 각각의 검출 신호를 공급받음과 아울러, 불감응 시간 설정 회로(22)가 출력하는 고온 검출 신호가 공급되고 있다.

논리 회로(19)는 과충전 검출 회로(16)로부터 과충전 검출 신호를 공급받으면 단자(15e)의 COUT 출력을 로 레벨로 하여 MOS 트랜지스터(M12)를 차단하고, 과 방전 검출 회로(17)로부터 과방전 검출 신호를 공급받으면 단자(15d)의 DOUT 출력을 로 레벨로 하여 MOS 트랜지스터(M11)를 차단하고, 과전류 검출 회로(18)로부터 과전류 검출 신호를 공급받으면 단자(15d)의 DOUT 출력을 로 레벨로 하여 MOS 트랜지스터(M11)를 차단한다.

전지팩(10)의 외부단자(13, 14, 32) 각각에 충전장치(33)가 접속된 충전시에, 고온 검출 신호가 하이레벨이 되면, 논리 회로(19)은 단자(l5e)의 COUT 출력을 로 레벨로서 MOS 트랜지스터(M12)를 차단한다. 이것에 의해, 리튬 이온 전지(12)의 온도를 정확하게 검출할 수 있어, 리튬 이온 전지(12)가 고온으로 된 경우에 충전을 정지하여 보호할 수 있다. 또한, 이 상황에서 부하(34)가 모두 외부단자(13, 14)에 접속되어 있어도 된다.

한편, 전지팩(10)의 외부단자(13, 14) 각각에 충전장치(33)가 접속되지 않고 부하(34)가 접속되어 있을 때, 고온 검출 신호는 논리 회로(19)에 공급되지 않기 때문에, 논리 회로(19)에 공급되는 고온 검출 신호는 로 레벨로 되고, 논리 회로(19)는 단자(15e)의 COUT 출력을 하이레벨로 하여 MOS 트랜지스터(M12)를 온 하고 있다. 이것에 의해, 보디 다이오드(D12)가 온 되지 않아, 전지팩(10)이 더욱 가열되는 자기 가열을 방지할 수 있다.

여기에서, 전지팩(10)의 외부단자(13, 14, 32) 각각에 충전장치(33)와 부하(34)가 모두 접속되어 있는 경우에는, 부하(34)는 충전장치(33)로부터 급전되기 때문에, MOS 트랜지스터(M12)가 오프이어도 보디 다이오드(D12)가 온 되지는 않는다.

또한, 저항(R15)을 단자(14, 32) 사이에 접속하여 단자(32)를 풀다운 하고, 충전장치(33)가 접속되면 외부단자(32)를 충전장치(33) 내의 MOS 트랜지스터(M13)에 의해 전원전압으로 풀업하는 것과 같은 구성으로 해도 된다. 이 경우에는, 인버터(31)가 불필요하게 된다.

또, 본원은 2007년 6월 25일에 출원한 일본 특허출원 2007-166666호에 기초하는 우선권을 주장하는 것으로 동 일본 출원의 전체 내용을 본원에 참조에 의해 원용한다.

Claims

2차전지의 과충전, 과방전, 과전류를 검출하여 상기 2차전지와 부하 또는 충전장치 사이의 배선에 설치된 스위치 소자를 오프 하는 보호 회로를 구비한 전지팩에 있어서,

상기 2차전지의 근방에 배열 설치되고 상기 2차전지와 병렬접속된 서미스터와 저항의 직렬 회로와,

상기 충전장치의 접속을 검출하는 접속 검출 회로와,

상기 보호 회로 내에서, 상기 서미스터와 저항의 접속점의 전압을 소정 온도에 대응하는 기준전압과 비교하는 컴퍼레이터와,

상기 보호 회로 내에서, 상기 접속 검출 수단으로 충전장치의 접속을 검출했을 때만 상기 컴퍼레이터의 출력 신호를 유효로 하는 게이트 회로를 갖고,

상기 보호 회로는 상기 게이트 회로로부터의 컴퍼레이터의 출력 신호에 의해 상기 2차전지의 온도가 상기 소정 온도를 초과했을 때 상기 스위치 소자를 오프 하는 것을 특징으로 하는 전지팩.
제 1 항에 있어서,

상기 접속 검출 회로는 충전장치가 접속되는 외부단자를 풀업 또는 풀다운 하는 저항을 갖고,

상기 충전장치는 접속시에 상기 외부단자를 풀다운 또는 풀업하는 것을 특징 으로 하는 전지팩.
제 1 항에 있어서,

상기 서미스터는 부의 온도계수를 갖는 NTC 서미스터인 것을 특징으로 하는 전지팩.