KR101017034B1 - 고투명성 및 고비중의 인조대리석용 투명칩 및 이의 제조 방법 - Google Patents

고투명성 및 고비중의 인조대리석용 투명칩 및 이의 제조 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 고투명성 및 고비중의 인조대리석용 투명칩 및 그 제조방법에 관한 것이다. 보다 구체적으로, 본 발명은 브롬화 에폭시 수지를 사용하여 제조되는 고투명성 및 고비중의 인조대리석용 투명칩 및 그 제조방법에 관한 것이다.
인조대리석, 투명칩

Description

고투명성 및 고비중의 인조대리석용 투명칩 및 이의 제조 방법{AN ARTIFICIAL MARBLE CHIP WITH HIGH TRANSPARENCY AND HIGH SPECIFIC GRAVITY AND A METHOD OF THE SAME}
본 발명은 고투명성 및 고비중의 인조대리석용 투명칩 및 그 제조방법에 관한 것이다. 보다 구체적으로, 본 발명은 브롬화 에폭시 수지를 사용하여 제조되는 고투명성 및 고비중의 인조대리석용 투명칩 및 그 제조방법에 관한 것이다.
인조대리석은 천연대리석 칩이나 광물을 아크릴계 또는 불포화 폴리에스테르계 수지 등과 배합하고 이에 각종의 첨가제 또는 안료 등을 부가하여 천연대리석의 질감을 구현하는 인조 합성체를 통칭한다. 일반적으로 인조대리석은 구성하는 수지의 종류에 따라 크게 아크릴계 인조대리석 및 불포화 폴리에스테르계 인조대리석으로 나뉜다.
인조대리석은 다양한 색상 및 패턴으로 구현되는 외관이 상품 가치에 중대한 영향을 미치므로, 보다 수려하고 천연대리석에 가까운 느낌을 부여할 수 있도록 하는 마블칩의 제조는 당업계에서 매우 중요한 기술적 과제가 아닐 수 없다. 특히, 최근에는 인조대리석 표면에 구현된 무늬 이외에도 인조대리석의 뒷면에 빛을 투과 시킴으로써 인조대리석 내부에 형성된 무늬까지도 구현하는 장식적 효과가 각광을 받고 있다. 이 경우 인조대리석 내부의 마블칩에 의해 형성된 무늬가 빛에 의해 투영되기 위해서는 마블칩 자체의 고도의 투명성이 요구된다. 그러나, 투명 마블칩으로 아크릴계 입자를 사용할 경우 아크릴계 수지 시럽과 혼합 경화시키는 과정에서 아크릴계 마블칩의 헤이즈(haze)가 증가하여 투명성이 저하되는 문제점이 있다. 이에 대하여 인조대리석 매트릭스(matrix)는 아크릴계 수지를 사용하되, 마블칩으로는 불포화 에스테르를 사용하는 방법이 제안되었으나, 마블칩의 강도 조절을 위하여 첨가되는 무기충전제에 의하여 투명도가 만족할만한 수준으로 개선되지 않는다는 문제점이 있었다. 이와 관련하여, 한국 등록특허공보 제 0841396 호 등에서는 무기충전제의 함량을 감소시켜 투명성을 개선하려는 시도가 있었으나, 이 경우에는 내구성이 저하되어 만족할 만한 고비중의 투명칩을 얻을 수 없었다.
또한, 불포화 폴리에스테르 수지에 경화제를 첨가하여 경화시킬 경우, 경화 과정을 거친 최종 제품이 황색으로 변하는 문제가 제기되었다. 이는 경화제가 제대로 분산되지 않은 상태에서 반응하여 기인한 것으로서, 외관이 중시되는 인조대리석으로서 중대한 결함이 아닐 수 없다. 한편, 투명성을 위하여 불포화 폴리에스테르 수지를 마블칩으로 사용할 경우, 매트릭스 수지로 사용되는 아크릴계 수지와의 결합성 문제 역시 미해결의 문제로 남아있다.
요컨대, 종래 기술에서 사용되는 방법에 의하면 인조대리석용 투명칩의 제조시 경화단계에서 사용되는 경화제의 상용 및 혼합 특성이 양호하지 못하여 제조되는 투명칩의 물성이 저하되며, 또한 매트릭스와의 부착성이 충분치 않다는 중대한 문제점이 있으며, 이는 본원 발명의 출원일 이전까지 해결되지 못한 과제로 남아있었다.
상기 언급한 바와 같이, 종래 기술에서 사용되는 방법에 의하면 인조대리석용 투명칩의 제조시 경화단계에서 사용되는 경화제의 상용 및 혼합 특성이 양호하지 못하여 제조되는 투명칩의 물성이 저하되고, 매트릭스와의 부착성이 충분치 못하다는 중대한 문제점이 있다. 이에 본 발명자들은 제조되는 투명칩의 물성이 저하되지 않으면서도 고비중 및 고투명성을 나타내는 인조대리석용 투명칩을 제조하기 위하여 연구를 거듭한 결과 본 발명을 완성하기에 이르렀다.
이에 본 발명의 목적은 고투명성 및 고비중의 인조대리석용 투명칩 및 그 제조방법을 제공하고자 하는 것이다. 보다 구체적으로, 본 발명은 브롬화 에폭시 수지를 사용하여 제조되는 고투명성 및 고비중의 인조대리석용 투명칩 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 브롬화 에폭시 수지의 경화를 위하여 특정한 경화조제 및 경화제를 사용하는 것을 특징으로 한다. 즉, 고상의 브롬화에폭시 수지의 사용으로 용융을 위해 온도를 가열하면서 작업이 이루어져야 하고, 이로 인하여 고온에서 경화제와 혼합하는 공정에서 여러 가지 문제가 발생하였다. 예컨대, 로트(Lot) 간 경화 조건이 달라져 기계적 물성의 차이 및 경화 후 황변 현상이 발생할 수도 있으며, 작업 가용시간이 짧아 혼합과정에서도 경화가 이루어 질 수도 있다. 이에 본 발명자들은 경화조제와 경화제의 적절한 배합 및 희석제의 혼합 등으로 상기 문제점을 해결하였다.
따라서, 본 발명은 상기와 같이 특정 경화조제 및 경화제를 사용함으로써 경 화시 발생할 수 있는 물성 저하의 문제점을 해결하는 것을 발명의 구체적 목적으로 한다. 또한, 본 발명은 경화시 매트릭스와 양호한 부착특성을 나타내는 투명칩을 제조하는 것을 발명의 또 다른 구체적 목적으로 한다.
상기와 같은 본 발명의 목적은 이하에서 기술되는 본 발명의 구성에 의하여 달성된다.
본 발명에 의한 인조대리석용 투명칩의 제조 방법을 상세히 설명하면 하기와 같다.
우선, 반응조에 미리 80 내지 90℃로 예열된 경화조제를 투입하여 교반하면서 희석제를 첨가하고 반응조를 80 내지 90℃의 온도로 가열하면서 브롬화 에폭시 수지 100 중량부를 정량 공급하여 용융시키면서 수지 시럽을 제조한다. 한편, 상기의 과정으로 제조된 시럽 100 중량부에 대하여 대전방지제, 자외선방지제, 커플링제, 착색제, 펄 및 퓸드 실리카 등을 구체적으로 요구되는 물성에 따라 투입하여 용융·분산시키고 경화촉진제를 첨가한 후, 10분 동안 혼합하면서 탈포하고, 이를 성형틀에 주입하여 제1 및 제2 경화과정을 거친 후 냉각 및 파쇄하여 인조대리석용 투명칩을 제조한다.
브롬화 에폭시 수지(Tetrabromo bisphenol A epoxy resin) 또는 그의 개질된 브롬화 에폭시 수지(Modified tetrabromo bisphenol A epoxy resin)는 통상적으로 상온(25℃)에서 고상이며 녹는점은 65 내지 95℃, 중량평균 분자량이 400 내지 2000 이며, 비중은 1.7 내지 2.0 인 것을 사용한다.
본 발명에서 사용되는 희석제는 반응성 희석제 또는 비반응성 희석제이다. 반응성 희석제의 예로는 알킬글리시딜에테르, p-tert-부틸페닐글리시딜에테르, 패닐글리시딜에테르, o-크레실글리시딜에테르, 2-에틸헥실글리시딜에테르, 트리메틸올프로판 트리글리시딜에테르, 프로필렌글라이콜디글리시딜에테르, 1,4-부탄디올디글리시딜에테르, 1,6-헥산디올디글리시딜에테르 등이 있다. 한편, 비반응성 희석제의 예로는 디알릴테레프탈레이트, 디알릴프탈레이트, 테트라에틸렌글리콜, 폴리부틸렌글리콜, 에틸렌글리콜, 디에틸렌글리콜, 트리에틸렌글리콜, 디알릴카르보네이트, 할로겐화 스티렌, 비닐톨루엔, 디비닐벤젠, 알파메틸스티렌 등이 있다. 상기 희석제는 바람직하게는 알킬글리시딜에테르이며, 더욱 바람직하게는 부틸글리시딜에테르이다. 또한, 본 발명의 희석제는 상기 언급된 예로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상을 혼합 및 개질하여 사용할 수 있다.
상기 제조방법에서 경화조제로는 메틸테트라하이드로무수프탈산, 무수프탈산, 헥사하이드로무수프탈산, 테트라하이드로무수프탈산, 4-메틸헥사하이드로무수프탈산, 메틸히믹무수물(Methyl Himic Anhydride), 나딕메틸무수물(NADIC Methyl Anhydride), 도데세닐무수호박산으로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상을 혼합 및 개질하여 사용한다. 보다 바람직한 경화조제는 4-메틸헥사하이드로무수프탈산이다.
한편, 상기 제조방법에서 경화제로는 테트라메틸암모늄클로라이드, 트리에틸아민, 트리에틸벤질암모늄클로라이드, 트리페닐포스핀, 벤질디메틸아민, 에틸트리트리페닐 포스포늄브로마이드, 에틸트리페닐포스포늄이오다이드, 2-에틸-4-메틸이 미다졸, 2-메틸이미다졸, 2,4,6-트리스(디아미노-메틸)페놀로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상을 혼합 및 개질하여 사용한다. 보다 바람직한 경화제는 벤질디메틸아민이다.
보다 구체적인 제조방법의 예는 하기의 [발명의 실시를 위한 구체적인 내용]에 기재된 바를 참조할 수 있다.
한편, 상기 제조방법에 의하여 제조된 인조대리석용 투명칩은 브롬화 에폭시 수지 또는 개질된 브롬화 에폭시 수지 64 내지 84 중량%, 경화조제 14 내지 27 중량%, 희석제 2 내지 9 중량%를 용융 혼합하여 제조한 수지 시럽 100 중량부에 대하여 경화제 2 내지 8 중량부, 경화촉진제(액상TPP(triphenyl phosphite)) 0.01 내지 1.0 중량부를 첨가하여 경화시킨 후 분쇄하여 제조된 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 본 발명에 의한 인조대리석용 투명칩은 수지시럽 100 중량부에 대하여, 대전방지제 0.1 내지 5 중량부, 자외선안정제 0.1 내지 5 중량부, 커플링제 0.1 내지 3 중량부, 착색제 0.000001 내지 1.0 중량부, 펄 0.01 내지 5 중량부, 퓸드 실리카 0.1 내지 10 중량부로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상을 추가적으로 첨가할 수 있다.
본 발명에 의한 인조대리석용 투명칩은 고비중(1.50 내지 1.90)으로서 강도가 우수하며, 수축율이 작아 치수안정성이 우수하고, 기계적 성질이나 전기절연성이 우수하다. 한편, 경화시 매트릭스와 우수한 부착성을 나타내며, 경화 시간 또는 성형시간에 구애됨이 없이 균일한 패턴으로 연속 생산이 가능하고, 투명성과 굴 절율이 우수하다. 또한, 샌딩성 및 모오스 경도가 매트릭스와 동일할 뿐만 아니라, 착색이 자유로우므로 입체적 질감을 나타내기가 용이하며, 내약품성(내용제성, 내산성, 내알카리성 및 내수성), 내열성 및 평활성이 우수하고, 인조대리석의 제조시 표면 칩 분포가 양호하다는 장점을 나타낸다.
이하에서, 본 발명을 하기의 실시예에 의하여 구체적으로 설명한다. 그러나, 하기의 실시예는 본 발명을 보다 구체적으로 설명하기 위한 의도일 뿐, 본 발명의 보호범위가 하기의 실시예에 기재된 예만으로 국한되는 것은 결코 아니다. 또한, 하기의 실시예 뿐만 아니라, 당업자에 의해서 이로부터 용이하게 추론될 수 있는 사항까지도 본 발명의 보호범위에 속함은 자명하다.
제조방법 A
A-1. 수지 시럽의 제조
항온조(100TK)에서 80 내지 90℃의 온도로 예비 가열된 경화조제 15 내지 27 중량%를 80 내지 90℃로 가열하고 있는 반응조(200RT)에 넣고 알킬글리시딜에테르(Alkyl Glycidyl Ether) 2 내지 6 중량%를 투입 후 교반하면서, 저장조(523TK)의 고체 상태의 브롬화 에폭시 수지 67 내지 83 중량%를 정량 공급하여 용융시키면서 수지 시럽을 제조한다. 이때, 90 내지 100℃로 용융시킨 브롬화 에폭시 수지 67 내지 83 중량%를 정량 투입할 수도 있다.
A-2. 경 화
상기 A-1 에 의하여 제조된 시럽 100 중량부에 대하여, 경화제 2 내지 8 중량부 및 경화촉진제인 액상 TPP 0.01 내지 1.0 중량부를 투입한 후, 이를 일정한 크기의 성형틀(300TR)에 두께가 18 ㎜ 이하로 맞추어 일정량을 넣고 경화시킨다. 상기 두께가 18 ㎜ 이상인 경우에는, 과열의 발열반응으로 인하여 수지 시럽의 경화시 황변 현상이 발생할 수도 있다.
한편, 경화 공정은 70 내지 90℃로 가열하여 1차 경화시키는 공정(400CRI) 및 110 내지 160℃로 가열하여 2차 경화시키는 공정(400CRII)으로 나뉘며, 이러한 공정을 통하여 원하는 품질의 투명성 및 물성을 얻을 수 있다.
상기의 단계를 거친 후, 냉각 및 파쇄하여 평균 입경이 0.1 내지 20 ㎜ 이 되도록 제조하여 다양한 칩 사이즈로 분리·사용하는 것이 대리석의 제조품질 및 외관품질에 기여할 수 있다.
A-3. 첨가제의 투입 (수요자의 요구 품질에 따라)
상기 A-1 에서 제조된 수지 시럽 100 중량부에 대하여, 대전방지제 0.1 내지 5 중량부, 자외선안정제 0.1 내지 5 중량부, 커플링제 0.1 내지 3 중량부, 착색제 0.000001 내지 1.0 중량부, 펄 0.01 내지 5 중량부, 퓸드 실리카 0.1 내지 10 중량부 등을 수요자의 요구 물성에 따라 하나 이상 추가적으로 첨가하여 제조할 수 있다.
제조방법 B
B-1. 수지 시럽의 제조
항온조(100TK)에서 80 내지 90℃의 온도로 예비 가열된 경화조제 14 내지 23 중량%를 80 내지 90℃로 가열하고 있는 반응조(200RT)에 넣고 경화제 3 내지 8 중량%, 알킬글리시딜에테르 2 내지 5 중량%를 투입 후 교반하면서, 저장조(523TK)의 고체 상태의 브롬화 에폭시 수지 64 내지 81 중량%를 정량 공급하여 용융시키면서 수지 시럽을 제조한다. 이때, 90 내지 100℃로 용융시킨 브롬화 에폭시 수지 64 내지 81 중량%를 정량 투입할 수도 있다.
B-2. 경 화
상기 B-1 에 의하여 제조된 시럽 100 중량부에 대하여, 경화촉진제인 액상 TPP 0.01 내지 1.0 중량부를 투입한 후, 이를 일정한 크기의 성형틀(300TR)에 두께가 18 ㎜ 이하로 맞추어 일정량을 넣고 경화시킨다. 상기 두께가 18 ㎜ 이상인 경우에는, 과열의 발열반응으로 인하여 수지 시럽의 경화시 황변 현상이 발생할 수도 있다.
한편, 경화 공정은 70 내지 90℃로 가열하여 1차 경화시키는 공정(400CRI) 및 110 내지 160℃로 가열하여 2차 경화시키는 공정(400CRII)으로 나뉘며, 이러한 공정을 통하여 원하는 품질의 투명성 및 물성을 얻을 수 있다.
상기의 단계를 거친 후, 냉각 및 파쇄하여 평균 입경이 0.1 내지 20 ㎜ 이 되도록 제조하여 다양한 칩 사이즈로 분리·사용하는 것이 대리석의 제조품질 및 외관품질에 기여할 수 있다.
B-3. 첨가제의 투입 (수요자의 요구 품질에 따라)
상기 B-1 에서 제조된 수지 시럽 100 중량부에 대하여, 대전방지제 0.1 내지 5 중량부, 자외선안정제 0.1 내지 5 중량부, 커플링제 0.1 내지 3 중량부, 착색제 0.000001 내지 1.0 중량부, 펄 0.01 내지 5 중량부, 퓸드 실리카 0.1 내지 10 중량부 등을 수요자의 요구 물성에 따라 하나 이상 추가적으로 첨가하여 제조할 수 있다.
제조방법 C
C-1. 수지 시럽의 제조
항온조(100TK)에서 80 내지 90℃의 온도로 예비 가열된 경화조제 15 내지 24 중량%를 80 내지 90℃로 가열하고 있는 반응조(200RT)에 넣고 경화제 3 내지 8 중량%를 투입 후 교반하면서, 저장조(523TK)의 고체 상태의 브롬화 에폭시 수지 68 내지 82 중량%를 정량 공급하여 용융시키면서 수지 시럽을 제조한다. 이때, 90 내지 100℃로 용융시킨 브롬화 에폭시 수지 68 내지 82 중량%를 정량 투입할 수도 있다.
C-2. 경 화
상기 C-1 에 의하여 제조된 시럽 100 중량부에 대하여, 알킬글리시딜에테르 2 내지 7 중량부, 경화촉진제인 액상 TPP 0.01 내지 1.0 중량부를 투입하여 혼합한 후, 이를 일정한 크기의 성형틀(300TR)에 두께가 18 ㎜ 이하로 맞추어 일정량을 넣고 경화시킨다. 상기 두께가 18 ㎜ 이상인 경우에는, 과열의 발열반응으로 인하여 수지 시럽의 경화시 황변 현상이 발생할 수도 있다.
한편, 경화 공정은 70 내지 90℃로 가열하여 1차 경화시키는 공정(400CRI) 및 110 내지 160℃로 가열하여 2차 경화시키는 공정(400CRII)으로 나뉘며, 이러한 공정을 통하여 원하는 품질의 투명성 및 물성을 얻을 수 있다.
상기의 단계를 거친 후, 냉각 및 파쇄하여 평균 입경이 0.1 내지 20 ㎜ 이 되도록 제조하여 다양한 칩 사이즈로 분리·사용하는 것이 대리석의 제조품질 및 외관품질에 기여할 수 있다.
C-3. 첨가제의 투입 (수요자의 요구 품질에 따라)
상기 C-1 에서 제조된 수지 시럽 100 중량부에 대하여, 대전방지제 0.1 내지 5 중량부, 자외선안정제 0.1 내지 5 중량부, 커플링제 0.1 내지 3 중량부, 착색제 0.000001 내지 1.0 중량부, 펄 0.01 내지 5 중량부, 퓸드 실리카 0.1 내지 10 중량부 등을 수요자의 요구 물성에 따라 하나 이상 추가적으로 첨가하여 제조할 수 있다.
한편 본 발명에 의한 인조대리석용 투명칩의 물성 평가를 위하여 하기와 같은 실험을 실시하였다. 또한, 그 결과를 종래 기술에 의한 투명칩에서의 물성 데이터와 비교하였다.
실시예 1
항온조(100TK)에서 80℃ 내지 90℃ 로 예비 가열된 경화조제 4-메틸헥사하이드로무수프탈산(헥시온사 제조 EPIKURE CURING AGENT 101) 21.5 중량%를 80 내지 90℃로 가열하고 있는 반응조(200RT)에 넣고 알킬글리시딜에테르 3.0 중량%를 투입후 교반하면서 저장조(523TK)의 고체 상태의 브롬화 에폭시 수지(헥시온사 제조 EPIKOTE RESIN 523 고상 / 25℃ 상온) 75.5 중량%를 반응조(200RT)에 정량 공급 장치로 공급하여 용융시키면서 수지 시럽을 제조하였다.
상기와 같이 제조된 수지 시럽 100 중량부에 대하여, 경화제 벤질디메틸아민(헥시온사 제조 EPIKURE CURING AGENT 102) 5.2 중량부, 경화촉진제인 액상 TPP (송원산업 제조 triphenyl posphite/triphenyl posphate) 0.1 중량부를 반응조(200RT)에 넣고 충분히 교반하여 분산시켰다. 또한, 상기 절차에 의하여 제조된 수지 시럽을 진공·탈포하기 위하여 반응조(200RT)에 진공을 걸고 10 분 동안 혼합하여 탈포하였다.
그 후, 상기 수지 시럽을 일정한 크기의 성형 틀(300TR)에 주입하여 경화시켰다. 경화 공정시 70 내지 90℃로 가열하여 1차 경화시키는 공정(400CRI) 및 110 내지 160℃로 가열하여 2차 경화시키는 공정(400CRII)을 수행하였다. 한편, 성형판의 두께는 투명제품의 색상 및 품질 안정에 기여하도록 18 ㎜ 이하로 하였다.
그 후, 냉각 및 파쇄하여 평균 입경이 0.1 내지 20 ㎜ 이 되도록 제조하였으며, 수요자의 요구 조건에 따라 다양한 칩 사이즈로 분리하여 사용할 수 있도록 하였다.
실시예 2
상기 실시예 1 에 의하여 제조된 조성물에 수요자의 요구 물성에 따라 지방산 에스테르계 대전방지제(동보화학 제조 TOWREX ASV300) 1.65 중량부, 벤조트리아졸계 자외선방지제(CIBA사 제조 Tinuvin328) 0.41 중량부, 희석염료(경화조제 50 g + Blue 염료: Macrolex Blue RR/Bayer AG 제조 : 0.002 g 를 분산시킴으로써 제조) 1.32 중량부를 추가적으로 투입하였으며, 또한 경화제 벤질디메틸아민(헥시온사 제조 EPIKURE CURING AGENT 102) 5.5 중량부, 경화촉진제인 액상TPP(송원산업 제조 triphenyl posphite/triphenyl posphate) 0.15 중량부를 반응조(200RT)에 넣고, 충분히 교반하여 분산시켰다. 한편 상기 이외의 공정은 모두 실시예 1 과 동일하게 하였다.
실시예 3
항온조(100TK)에서 80℃ 내지 90℃ 로 예비 가열된 경화조제 4-메틸헥사하이드로무수프탈산(헥시온사 제조 EPIKURE CURING AGENT 101) 22 중량%를 80 내지 90℃로 가열하고 있는 반응조(200RT)에 넣고 부틸글리시딜에테르(Butyl Glycidyl Ether) 2.5 중량%를 투입후 교반하면서 저장조(523TK)의 고체 상태의 브롬화 에폭시 수지(헥시온사 제조 EPIKOTE RESIN 523 고상 / 25℃ 상온) 75.5 중량%를 반응조(200RT)에 정량 공급 장치로 공급하여 용융시키면서 수지 시럽을 제조하였다.
상기와 같이 제조된 수지 시럽 100 중량부에 대하여, 경화제 벤질디메틸아민(헥시온사 제조 EPIKURE CURING AGENT 102) 5.3 중량부, 경화촉진제인 액상TPP(송원산업 제조 triphenyl posphite / triphenyl posphate) 0.11 중량부를 반응조(200RT)에 넣고 충분히 교반하여 분산시켰다. 한편, 상기 이외의 공정은 모두 실시예 1 과 동일하게 하였다.
비교예 1
항온조(100TK)에서 80℃ 내지 90℃로 예비 가열된 3무수물계 경화제(헥시온사 제조 EPIKURE CURING AGENT AH-200) 27 중량%를 80 내지 90℃로 가열하고 있는 반응조(200RT)에 넣고 교반하면서 저장조(523TK)의 고체 상태의 브롬화 에폭시 수지(국도화학 제조 YDB-400, 고상 / 25℃ 상온) 73 중량%를 반응조(200RT)에 정량 공급장치로 공급하여 용융시키면서 수지 시럽을 제조하였다.
상기와 같이 제조된 수지 시럽 100 중량부에 대하여, 알킬글리시딜에테르 2.3 중량부 및 경화촉진제인 액상 TPP (송원산업 제조 triphenyl posphite/triphenyl posphate) 0.22 중량부를 반응조(200RT)에 넣고 충분히 교반하여 분산시켰다. 한편, 상기 이외의 공정은 모두 실시예 1 과 동일하게 하였다.
비교예 2
상온(25℃)에서 액상인 비스페놀 A 에폭시(헥시온사 제조 EPIKOTE RESIN 828; Unmodified, liquid standard epoxy resin based on Bisphenol-A) 77 중량% 및 경화제 D-230 (HUNTSMAN 사의 JEFFAMINE D-230, 즉 Polyetheramine 성분) 23 중량%를 반응조(200RT)에서 균일하게 혼합한 후, 제조된 수지 시럽 100 중량부에 대하여 아민계 경화촉진제 A-399(HUNTSMAN 사 제품) 0.5 중량부를 투입하여 충분히 혼합하였다. 상기 방법에 의하여 제조된 수지 시럽을 진공·탈포하기 위하여 반응조(200RT)에 진공을 걸고 10분 동안 혼합하여 탈포하는 공정을 거친 후, 수지 시럽을 일정한 크기의 성형틀(300TR)에 정량 주입하여 경화시켰다. 경화 공정시 70 내지 80℃ 로 가열하여 1차 경화시키는 공정(400CRI) 및 110 내지 130℃로 가열하여 2차 경화시키는 공정(400CRII)을 수행하였다. 한편, 상기 이외의 공정은 모두 실시예 1 과 동일하게 하였다.
상기 실시예 1-3 및 비교예 1-2 에서 제조된 수지 조성물의 물성을 비교하고, 그 결과를 하기 [표 1] 에 나타내었다.
실시예1 실시예2 실시예3 비교예1 비교예2
비중(액상25기준) 1.601 1.582 1.603 1.594 1.086
평균투과율
(가시광선)		 83 79 85 67 88
내열성(HDT)
(℃)		 109 108 110 109 73
굴곡강도
(kg/cm3)		 1183 1147 1214 1165 865
비교 황변현상 저비중
한편, 상기에서 물성의 평가 방법은 하기와 같은 방법으로 수행하였다.
1. 비중은 25℃에서 비중병으로 측정하였다.
2. 평균투과율은 분광광도계(HunterLab사 UltraScan PRO)로 측정하였다.
3. 내열성(HDT)는 ASTM D-648 방법으로 측정하였다.
4. 굴곡강도는 ASTM D-790 방법으로 측정하였다.
상기 [표 1]의 결과를 통하여, 본 발명에 의한 인조대리석용 투명칩 조성물은 고비중 및 고투명성을 나타낼 뿐만 아니라, 내열성 및 굴곡강도가 우수하다는 것을 확인할 수 있었다.
도 1 은 본 발명에 의해 제조된 투명칩을 사용한 인조대리석 표면 사진이다.
도 2 는 본 발명에 의해 제조된 투명판을 분쇄하여 종류별, 크기별로 분류하여 찍은 투명칩 사진이다.
도 3 및 도 4 는 본 발명의 인조대리석용 투명칩의 제조 공정의 개략도이다.

Claims (20)

  1. (i) 브롬화 에폭시 수지 또는 개질된 브롬화 에폭시 수지 64 내지 84 중량%;
    (ii) 메틸테트라하이드로무수프탈산, 무수프탈산, 헥사하이드로무수프탈산, 테트라하이드로무수프탈산, 4-메틸헥사하이드로무수프탈산, 메틸히믹무수물(Methyl Himic Anhydride), 나딕메틸무수물(NADIC Methyl Anhydride), 도데세닐무수호박산으로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상의 경화조제 14 내지 27 중량%;
    (iii) 알킬글리시딜에테르, p-tert-부틸페닐글리시딜에테르, 패닐글리시딜에테르, o-크레실글리시딜에테르, 2-에틸헥실글리시딜에테르, 트리메틸올프로판 트리글리시딜에테르, 프로필렌글라이콜디글리시딜에테르, 1,4-부탄디올디글리시딜에테르, 1,6-헥산디올디글리시딜에테르로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상의 모노머인 희석제 2 내지 9 중량%를 용융 혼합하여 제조한 수지 시럽 100 중량부에 대하여,
    테트라메틸암모늄클로라이드, 트리에틸아민, 트리에틸벤질암모늄클로라이드, 트리페닐포스핀, 벤질디메틸아민, 에틸트리트리페닐 포스포늄브로마이드, 에틸트리페닐포스포늄이오다이드, 2-에틸-4-메틸이미다졸, 2-메틸이미다졸, 2,4,6-트리스(디아미노-메틸)페놀로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상의 경화제 2 내지 8 중량부; 액상TPP(triphenyl phosphite) 경화촉진제 0.01 내지 1.0 중량부를 첨가하여 경화시킨 후 분쇄하여 제조된 것을 특징으로 하는 인조대리석용 투명칩.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 수지시럽 100 중량부에 대하여, 대전방지제 0.1 내지 5 중량부, 자외선안정제 0.1 내지 5 중량부, 커플링제 0.1 내지 3 중량부, 착색제 0.000001 내지 1.0 중량부, 펄 0.01 내지 5 중량부, 퓸드 실리카 0.1 내지 10 중량부로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상을 추가적으로 첨가하는 것을 특징으로 하는 인조대리석용 투명칩.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 브롬화 에폭시 수지의 비중이 1.7 내지 2.0 인 것을 특징으로 하는 인조대리석용 투명칩.
  4. 삭제
  5. 제 1 항에 있어서, 상기 희석제는 알킬글리시딜에테르인 것을 특징으로 하는 인조 대리석용 투명칩.
  6. 제 5 항에 있어서, 상기 알킬글리시딜에테르는 부틸글리시딜에테르인 것을 특징으로 하는 인조 대리석용 투명칩.
  7. 삭제
  8. 제 1 항에 있어서, 상기 경화조제는 4-메틸헥사하이드로무수프탈산인 것을 특징으로 하는 인조 대리석용 투명칩.
  9. 삭제
  10. 제 1 항에 있어서, 상기 경화제는 벤질디메틸아민인 것을 특징으로 하는 인조 대리석용 투명칩.
  11. 하기 단계를 포함하는 인조대리석용 투명칩의 제조방법:
    - 항온조에 메틸테트라하이드로무수프탈산, 무수프탈산, 헥사하이드로무수프탈산, 테트라하이드로무수프탈산, 4-메틸헥사하이드로무수프탈산, 메틸히믹무수물(Methyl Himic Anhydride), 나딕메틸무수물(NADIC Methyl Anhydride), 도데세닐무수호박산으로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상의 경화조제를 예비 가열하는 단계;
    - 반응조에 예비 가열된 경화조제를 투입하는 단계;
    - 알킬글리시딜에테르, p-tert-부틸페닐글리시딜에테르, 패닐글리시딜에테르, o-크레실글리시딜에테르, 2-에틸헥실글리시딜에테르, 트리메틸올프로판 트리글리시딜에테르, 프로필렌글라이콜디글리시딜에테르, 1,4-부탄디올디글리시딜에테르, 1,6-헥산디올디글리시딜에테르로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상의 모노머인 희석제를 첨가하는 단계; 및
    - 브롬화 에폭시 수지 100 중량부를 반응조에 정량 공급하여 80 내지 90℃의 온도로 가열하면서 수지 시럽을 제조하는 단계.
  12. 제 11 항에 있어서, 상기 방법이 하기 단계를 추가적으로 포함하는 것을 특징으로 하는 인조대리석용 투명칩의 제조방법:
    - 수지 시럽 100 중량부에 대하여 대전방지제, 자외선방지제, 커플링제, 착색제, 펄 및 퓸드 실리카로 구성된 군으로부터 선택되는 하나 이상의 첨가제를 추가적으로 투입하여 용융 분산시키는 단계;
    - 경화제 및 경화촉진제를 첨가하는 단계;
    - 혼합 및 탈포하는 단계;
    - 성형조에 주입하여 제1 및 제2 경화과정을 거치게 하는 단계; 및
    - 냉각 및 파쇄하는 단계.
  13. 제 11 항 또는 제 12 항에 있어서, 상기 브롬화 에폭시 수지의 비중이 1.7 내지 2.0 인 것을 특징으로 하는 인조대리석용 투명칩의 제조방법.
  14. 삭제
  15. 제 11 항에 있어서, 상기 희석제는 알킬글리시딜에테르인 것을 특징으로 하는 인조 대리석용 투명칩의 제조방법.
  16. 제 15 항에 있어서, 상기 알킬글리시딜에테르는 부틸글리시딜에테르인 것을 특징으로 하는 인조대리석용 투명칩의 제조방법.
  17. 삭제
  18. 제 11 항에 있어서, 상기 경화조제는 4-메틸헥사하이드로무수프탈산인 것을 특징으로 하는 인조대리석용 투명칩의 제조방법.
  19. 삭제
  20. 제 12 항에 있어서, 상기 경화제는 벤질디메틸아민인 것을 특징으로 하는 인조 대리석용 투명칩의 제조방법.
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR930021564A (ko) * 1992-04-18 1993-11-22 김상양 인조대리석
JPH0733839A (ja) * 1993-07-22 1995-02-03 Nippon Shokubai Co Ltd 熱硬化性樹脂成形材料および該成形材料からなる人工大理石
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Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR930021564A (ko) * 1992-04-18 1993-11-22 김상양 인조대리석
JPH0733839A (ja) * 1993-07-22 1995-02-03 Nippon Shokubai Co Ltd 熱硬化性樹脂成形材料および該成形材料からなる人工大理石
KR100750514B1 (ko) 2006-07-24 2007-08-20 제일모직주식회사 고비중 및 고굴절율을 가지는 마블칩용 수지 조성물
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