KR101677701B1 - 할로겐 화합물을 적용하지 않는 인조대리석 칩 제조용 조성물 및 이를 이용한 인조대리석 칩의 제조방법 - Google Patents

할로겐 화합물을 적용하지 않는 인조대리석 칩 제조용 조성물 및 이를 이용한 인조대리석 칩의 제조방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 할로겐 화합물을 적용하지 않으면서 적절한 비중을 갖는 투명칩이 함유된 인조대리석 칩 제조용 조성물 및 이를 이용한 인조대리석 칩의 제조방법에 대한 것이다.

Description

할로겐 화합물을 적용하지 않는 인조대리석 칩 제조용 조성물 및 이를 이용한 인조대리석 칩의 제조방법{Artificial Translucent Chip Having Non Halogen and Method for Manufacture of the same}
본 발명은 할로겐 화합물을 사용하지 않으면서 적절한 비중을 가지며 수려한 외관을 갖는 인조대리석 제조에 활용되는 칩을 제조하는 방법에 관한 것이다.
인조대리석은, 국내에 1996년경부터 보급되어 약18년이 경과되는 현시점에는 주방 상판, 카운터, 내외장재 등에 인기리에 적용되고 있다. 또한, 최근 내외장재 소재가 점차 고급화 되어 가고 있는 추세에 따라 다양한 칩이 적용된 인조대리석 제품이 출시되고 있다. 그 하나의 예로 에폭시 투명칩, 마블칩 등 다양한 형태로 인조대리석 소재가 발전하고 있는 추세다.
투명칩(반투명 칩을 포함한다)의 경우, 기존 인조대리석 제조방식상의 한계로 인하여 1.5 내지 1.6수준의 적정한 비중을 갖는 칩을 사용할 수밖에 없다. 만약, 칩의 비중이 가벼울 경우 인조대리석 조성물 내에서 칩이 부유되고, 칩의 비중이 너무 무거울 경우 인조대리석 조성물 내에서 칩이 가라앉아 한쪽으로 치우쳐 외관이 미려하지 못하다는 문제점이 있기 때문이다.
이런 문제점으로 인하여 고급 외관으로 표현되는 투명칩의 적용은 한계가 있어서 투명한 수지(예: 에폭시 수지[비중: 1.2], 불포화 폴리에스테르 수지[비중: 1.1])에 비중이 높은 할로겐화합물(예: 브롬[비중: 3.12], 염소[비중: 2.49])을 결합하여 사용하고 있다. 하지만, 이런 할로겐화합물은 고온 가공과 연소시 브롬화 수소, 염산 등의 독성물질을 배출하며, 무산소 조건일 경우 맹독성 발암물질인 할로겐화 디옥신 및 퓨란 등을 생성하여 인체, 환경에 치명적인 영향을 미친다. 따라서, 관련물질 제조, 유통, 판매에 대해 세계적으로 법적 규제(예: REACH, RoHS)를 강화하고 있는 실정이다.
따라서, 할로겐 화합물을 사용하지 않으면서도 고급 외관을 표현할 수 있는 인조대리석 제조용 칩의 개발이 필요하다.
대한민국 특허공개공보 제10-2010-0050698호, 2010.05.14 공개 대한민국 특허공개공부 제10-2010-0082224호, 2010.07.16 공개
본 발명의 목적은 할로겐 화합물을 적용하지 않으면서 적절한 비중을 갖는 투명칩이 함유된 인조대리석 칩을 제공하는 것이다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 할로겐 화합물을 적용하지 않는 인조대리석 칩 제조용 조성물은, 카르복실기 함유 불포화 폴리에스터 수지를 함유하는 기본수지 100 중량부; 투명칩 80 내지 120 중량부; 필러 150 내지 300 중량부, 경화제 0.5 내지 2 중량부, 가교제 0.5 내지 2 중량부, 이형제 3 내지 5 중량부 및 증점제 1 내지 10 중량부;를 포함하여, 상기 불포화 폴리에스터 수지에 함유되는 카르복실기와 상기 증점제와의 수소결합에 의하여 투명칩을 포함하는 인조대리석 칩의 내에 가교결합이 형성된다.
상기 기본수지는 상기 카르복실기 함유 폴리에스터 수지를 40 내지 80 중량%로 함유하는 것일 수 있다.
상기 필러는 수산화알루미늄, 탄산칼슘, 클레이, 벤토나이트 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 것일 수 있다.
상기 인조대리석 칩 제조용 조성물은, 상기 인조대리석 칩 제조용 조성물은, 상기 카르복실기 함유 불포화 폴리에스터 수지 50 내지 75 중량부를 함유하는 기본수지 100 중량부를 기준으로, 상기 증점제를 1 내지 1.5 중량부; 상기 필러를 200 내지 300 중량부; 그리고 상기 투명칩을 80 내지 120 중량부;를 포함하는 것일 수 있다.
본 발명의 다른 일 실시예에 따른 할로겐 화합물을 적용하지 않는 인조대리석 칩의 제조방법은 위에서 설명한 인조대리석 칩 제조용 조성물을 혼합하여 전구체용액을 제조하는 원료혼입단계; 상기 전구체용액을 10 내지 36시간의 숙성시간 동안 18 내지 30 ℃의 숙성온도에서 숙성하여 숙성용액을 제조하는 숙성단계; 그리고 상기 숙성용액을 성형하여 1.55 내지 1.8의 비중을 갖는 인조대리석 칩을 제조하는 성형단계;를 포함한다. 이때, 인조대리석 칩은 상기 불포화 폴리에스터 수지에 함유되는 카르복실기와 상기 증점제와의 수소결합에 의하여 투명칩을 포함하는 인조대리석 칩의 내에 가교결합이 형성되어 있는 것이다.
상기 인조대리석 칩은 경도가 30 내지 40인 것일 수 있다.
이하, 본 발명을 보다 상세하게 설명한다.
기존의 대부분의 인조대리석 제조에는 캐스팅 공법이 적용되고, 원료 계량 믹싱, 주형에 투입, 경화, 샌딩 등의 공정으로 제조된다. 다만, 이러한 공정의 특성상 믹싱되어 주형에 투입되는 조성물의 점도가 약 20 내지 80 Ps로 저점도이다. 이는 주형 작업의 작업성에 기인하는 것으로, 만약 점도가 너무 높으면 시트상의 제품을 제조하기 어렵고 점도가 너무 낮으면 열경화 시 크랙이 발생하거나 변형이 발생하는 등의 문제점이 발생하여 인조대리석 제품을 원활하게 제조할 수 없다. 그리고, 이렇게 20 내지 80 Ps로 저점도를 갖는 인조대리석 제조용 조성물은 그 비중이 약 1.4 내지 1.6수준이다.
이러한 인조대리석 제조용 조성물에 인조대리석 칩을 혼합하여 미관이 수려한 인조대리석을 제조하고자 하면, 이러한 비중의 조성물에서 쉽게 떠오르지도 가라앉지도 않는 적절한 비중 분포를 갖는 인조대리석 칩을 적용하는 것이 필요하고, 특히 천연 화강암의 석영 칩과 같이 투명 또는 반투명한 칩이 그 내부에 존재하여 깊이감이나 반짝임과 같은 자연스러운 고급스로운 미감을 주기 위해서는 인조대리석 내의 투명칩 혼입이 더욱 필요하나, 투명칩의 비중이 너무 가벼운 문제점이 있다.
일반적으로 인조대리석의 투명칩을 구성하는 열경화성 수지 소재로, 불포화 폴리에스테르 수지, 에폭시 수지, 아크릴 수지 등이 적용되고 있다. 이런 소재들의 비중은 약 1.05 내지 1.2수준으로 직접 인주대리석 제조용 조성물에 투입할 경우 비중이 가벼워 상부로 부유되어 제품의 변형을 일으킬 수 있고, 기포 등의 발생도 많아서 인조대리석용 칩으로 사용이 불편하다.
따라서, 최근의 상용화된 기술은 이러한 수지에 Br, Cl 등 비중이 높은 할로겐 화합물을 합성하여 인조대리석 제조용 조성물과 비중을 맞추어 사용하고 있다. 예를 들면 Br의 경우 비중이 3.12로써 무게비율로 약 20%를 에폭시 수지와 합성하면 전체 비중이 약 1.6수준으로 조절할 수 있다.
즉, 대부분의 캐스팅 공법으로 인조대리석을 제조하는 업체들은 브롬 등 할로겐 화합물이 함유된 에폭시 투명칩 등을 적용하고 있으나, 할로겐 화합물은 인체, 환경 유해 물질로 유럽 등 세계적으로 제조, 유통 금지 품목으로 환경법규 규제 대상이 되고 있으며 그 사용을 자제해야 할 필요가 있는 물질이기에, 할로겐 화합물을 적용하지 않으면서도 우수한 미관의 인조대리석을 제조할 수 있는 인조대리석 제조용 칩의 제공이 필요하다.
이에 본 발명의 발명자들은, 투명칩을 포함하는 인조대리석 칩 제조용 조성물의 점도를 고 점도가 되도록 증점하는 화학적 방법을 적용하여 할로겐 화합물을 사용하지 않으면서도 고비중인 인조대리석 재조용 칩을 제조하여 본 발명을 완성하였다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 할로겐 화합물을 적용하지 않는 인조대리석 칩 제조용 조성물은, 카르복실기 함유 불포화 폴리에스터 수지를 함유하는 기본수지 100 중량부, 투명칩 80 내지 120 중량부, 필러 150 내지 300 중량부, 경화제 0.5 내지 2 중량부, 가교제 0.5 내지 2 중량부, 이형제 3 내지 5 중량부 및 증점제 1 내지 10 중량부를 포함한다.
이때 투명칩은 석영과 같은 미관 형성을 위해 투명칩을 적용하는 것을 예시하나, 이때 투명칩은 완전히 투명한 칩을 의미하는 것이 아니라 반투명한 칩을 적용하는 경우도 포함하며, 기술적으로 인조대리석 제조용 기본 칩으로 사용되는 것이라면 투명칩에 해당하는 것으로 해석될 수 있으며, 불투명한 칩을 적용하는 경우를 본 특허의 귄리범위에서 제외하는 의미는 아니다. 상기 투명칩은 본 발명의 조성물에 의하여 제조되는 인조대리석 칩의 비중보다는 작은 비중을 갖는 것으로 그 비중이 1.5 이하인 것일 것 있고, 1.3 이하인 것일 수도 있다.
상기 인조대리석 칩 제조용 조성물 또는 이를 이용하여 제조된 인조대리석 칩은 불포화 폴리에스터 수지에 함유되는 카르복실기와 증점제와의 수소결합에 의하여 인조대리석 칩 내부에 가교결합이 형성되는 것일 수 있다.
이때 증점제는 상기 카르복실기가 가교결합을 형성하는 것으로 좋게는 산화마그네슘이 적용될 수 있다.
이렇게 카르복실기와 증점제와의 수소결합에 의하여 형성되는 3차원 네트워크인 가교결합을 적용하면 별도로 추가적인 흡유량이 높은 필러를 사용하거나 비표면적이 큰 원료를 혼입하는 방법을 적용하지 않고도 상기 인조대리석 칩 제조용 조성물의 점도를 증점할 수 있다.
상기 기본수지는 카르복실기를 함유하는 불포화 폴리에스터 수지 외에 인조대리석 칩 제조에 적용되는 수지를 더 포함할 수 있고, 구체적으로 아크릴 수지, 폴리에스테르 수지, 에폭시 수지 등이 적용될 수 있고, 예를 들어 메틸 메타크릴레이트와 폴리 메틸 메타크릴레이트가 1: 0.1 내지 0.5의 중량비로 혼입된 수지가 적용될 수 있다.
상기 기본수지는 상기 카르복실기 함유 폴리에스터 수지를 40 내지 80 중량%로 함유하는 것일 수 있다. 구체적으로, 상기 기본수지는 상기 기본수지 100 중량부 내에 카르복실기 함유 폴리에스터 수지를 40 내지 80 중량부 포함하는 것일 수 있고, 50 내지 75 중량부로 포함하는 것일 수 있다.
카르복실기 함유 폴리에스터 수지를 상기 기본수지 100 중량부 내에 80 중량부 초과로 함유하는 경우에는 기포발생의 가능성이나 내후성이 약해질 우려가 있고, 성형성이 떨어질 수 있다. 또한 40 중량부 미만으로 적용하는 경우에는 조성물의 증점효과가 충분하지 않을 수 있다.
성가 카르복실기 함유 폴리에스터 수지의 함량은 이후 설명하는 증점제의 함량과 함께 인조대리석 칩 제조용 조성물의 점도를 조절하는 역할을 하며, 위에서 말한 함량의 범위로 적용시 인조대리석 제조용 칩의 천연질감무늬 구현성, 증점효과, 칩의 내열성 등을 향상시킬 수 있으며 작업성이 나빠질 수 있다.
상기 인조대리석 칩 제조용 조성물은 필러를 더 포함할 수 있다.
상기 필러로는, 수산화알루미늄, 탄산칼슘, 클레이, 벤토나이트 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나가 적용될 수 있으며, 좋게는 수산화알루미늄이 적용될 수 있다.
상기 필러는 기본수지 100 중량부를 기준으로 150 내지 300 중량부로 포함될 수 있고, 이 경우 상기 증점제와 함께 비중특성, 천연질감무늬 구현성, 작업성, 성형성 등을 적절하게 조절할 수 있다. 좋게는 상기 필러를 기본수지 100 중량부를 기준으로 200 내지 300 중량부로 적용할 수 있다.
상기 인조대리석 칩 제조용 조성물은, 불포화 폴리에스터 수지 50 내지 75 중량부를 함유하는 기본수지 100 중량부를 기준으로, 상기 증점제 1 내지 1.5 중량부, 상기 필러 200 내지 300 중량부, 그리고 상기 투명칩 80 내지 120 중량부를 포함하는 것일 수 있고; 불포화 폴리에스터 수지 50 내지 75 중량부를 함유하는 기본수지 100 중량부, 투명칩 100 중량부, 경화제 1 중량부, 필러 250 중량부, 이형제 4 중량부, 가교제 0.5 중량부로 포함하는 것일 수 있으며; 이 경우 숙성 후 작업성, 성형성 투명칩분포성의 면에서 모두 우수한 특성을 가지면서 적절한 경도와 비중를 가질 수 있다.
상기 인조대리석 칩 제조용 조성물은 경화제, 이형제, 자외선흡수제, 커플링제 등의 추가적인 첨가제를 함유할 수 있으며, 인조대리석 칩 제조에 사용되는 통상의 첨가제라면 적용 가능하다.
본 발명의 인조대리석 칩 제조용 조성물을 이용하여 제조된 인조대리석 칩을 은 카르복실기와 증점제와의 수소결합에 의하여 인조대리석 칩 내부에 가교결합이 형성되어 비교적 고비중인 1.55 내지 1.8의 비중을 가질 수 있으며, 이 가교결합의 결합력은 이후 인조대리석을 성형하는 과정에서 고온에 의하여 결합이 끊어지고 결합력이 약화되어 인조대리석 제조시 조성물의 유동성을 좋게 할 수 있다.
본 발명의 다른 일 실시예에 따른 할로겐 화합물을 적용하지 않는 인조대리석 칩의 제조방법은, 위에서 설명한 인조대리석 칩 제조용 조성물을 혼합하여 전구체용액을 제조하는 원료혼입단계; 상기 전구체용액을 10 내지 36시간의 숙성시간 동안 18 내지 30 ℃의 숙성온도에서 숙성하여 숙성용액을 제조하는 숙성단계; 그리고 상기 숙성용액을 성형하여 1.55 내지 1.8의 비중을 갖는 인조대리석 칩을 제조하는 성형단계;를 포함한다. 이때, 상기 인조대리석 칩은 상기 불포화 폴리에스터 수지에 함유되는 카르복실기와 상기 증점제와의 수소결합에 의하여 인조대리석 칩의 내에 가교결합이 형성되어 있는 것일 수 있다.
상기 인조대리석 칩 제조용 조성물에 대한 설명은 위에서 한 설명과 중복되므로 그 기재를 생략한다.
숙성단계에서 숙성온도는 좋게는 20 내지 25℃일 수 있고, 숙성시간은 80 내지 28 시간일 수 있다. 이러한 숙성온도와 숙성시간으로 숙성단계를 진행하는 경우 인조대리석 칩 제조용 조성물 내의 화학반응이 충분하게 진행되어 적절한 물성을 가진 숙성용액을 얻을 수 있다.
상기 성형단계는 상기 숙성용액을 시트 형태로 만들어 전구체 시트를 제조하고, 색이 서로 동일하거나 다른 여러 층의 전구체 시트를 반복하여 적층한 후 압축 성형하는 과정을 포함한다. 또한 이렇게 압축성형되어 완성된 인조대리석칩 제조용 시트를 통상의 방법으로 분쇄하고 분급하여 인조대리석 제조용 칩을 제조할 수 있다.
이렇게 제조된 인조대리석 제조용 칩은 상기 인조대리석 칩은 경도가 30 내지 40으로 인조대리석 제조에 적절한 경도를 가질 수 있고, 1.55 내지 1.8의 비중을 가져서 인조대리석 제조시 쉽게 떠오르지도 가라앉지도 않아 우수하고 고급스러운 미관의 인조대리석을 제조할 수 있다.
본 발명의 인조대리석 칩 제조용 조성물 및 이를 이용한 인조대리석 칩의 제조방법은 기존 인조대리석 투명칩 대비 할로겐화합물의 포함되지 않아 고온 가공, 폐기후 연소시 발암물질인 할로겐 화합물이 배출되지 않아 인체 및 환경 친화적이면서 고급스러운 외관을 갖을 수 있으며, 제조공정상 원료의 점도를 높이도록 화학작용을 유도하여 비중이 가벼운 투명칩을 적용하더라도 인조대리석 제조 시에도 부유하지 않을 수 있다.
상기 인조대리석 칩과 이를 이용하여 제조한 인조대리석은 주방 상판, 병원 인테리어 마감재, 호텔, 레스토랑, 식당, 은행 등 다중 이용시설 마감재로 더 친환경적이면서 아름다운 외관의 소재로 다양하게 사용할 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시예에서 인조대리석 칩을 제조하고 이를 이용하여 인조대리석을 제조하는 방법을 설명하는 순서도.
도 2는 본 발명의 인조대리석 칩의 제조예에 의하여 제조된 인조대리석 칩 샘플의 사진.
도 3은 본 발명의 인조대리석 칩을 이용하여 제조된 인조대리석의 표면 사진.
이하, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 본 발명의 실시예에 대하여 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다.
인조대리석 칩의 제조예
1) 원료혼입단계
하기 표 1의 조성에 따라 인조대리석 칩 제조용 조성물을 준비하고 이를 믹싱하여 전구체용액을 제조하였다. 이때, 믹싱은 액상원료를 상온(25 ℃)에서 300 RPM으로 혼합하는 믹싱 조건을 적용하였다.
원료명 실시예1 실시예2 실시예3 실시예4 실시예5 실시예6 실시예7 실시예8
Syrup 5 10 5 10 5 10 5 10
불포화폴리
에스테르 수지		 15 10 15 10 15 10 15 10
필러
(수산화알루미늄)		 50 50 50 50 50 50 50 50
경화제
(TBPB)		 0.2 0.2 0.2 0.2 0.2 0.2 0.2 0.2
이형제
(Zn-St.)		 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5
가교제
(EGDMA)		 0.15 0.15 0.15 0.15 0.15 0.15 0.15 0.15
커플링제
(인계)		 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1
투명칩
(#6~#10)		 20 20 20 20 20 20 20 20
증점제
(MgO, #45)		 0.1 0.1 0.2 0.2 0.3 0.3 0.4 0.4
표 1에서, 시럽(syrup)은 메틸메타크릴레이트와 폴리메틸메타그릴레이트가 75: 25의 중랑비로 혼합된 수지조성물이고, 불포화폴리에스테르 수지는 수지 내에 카르복실기를 갖는 것으로 고형분이 65 중량% 이상이며, 시럽과 불포화풀리에스테르수지의 함량의 합이 본 발명에서 적용하는 기본수지이다.
TBPB는 t-Butyl Peroxy Benzoate, Zn-St.는 Zinc Stearate, EGDMA는Ethylene Glycol Di Methacrylate 를 약칭하며, 인계 커플링제로는 Mono(2-methacrylooxyethl) Acidphosphate 를 적용하였다.
2) 숙성단계
위의 1)에서 제조한 실시예 1 내지 8의 조성으로 혼합한 전구체용액들은 Bunbary type 믹서에 넣고 15분간 니딩(Kneading)을 진행한 후 상온(20 내지 25℃)에서 24시간 동안 숙성시켜 숙성용액을 제조하였다.
3) 성형단계
상기 숙성용액을 이용하여 아래의 방법으로 인조대리석 칩을 제조하였다.
상기 숙성용액은 통상의 방법으로 시트 형태로 전구체 시트를 제조하였고, 상기 전구체용액 또는 숙성용액에 색소, 안료 등을 적정량 혼입하여 색을 달리하는 여러 장의 전구체 시트를 마련하였다. 이렇게 준비된 여러 장의 전구체 시트는 색상 별로 교차 적층하고, 이하 방법으로 압축 성형하였다.
교차 적층된 전구체 시트들을 압축 성형(Compression Molding)에 넣고 125 내지 135 ℃의 성형 온도에서 약 12분간의 성형 시간을 적용하여 압축 성형을 진행하였다. 압축성형이 완료된 인조대리석칩 제조용 시트는 분쇄 및 분급을 통해 인조대리석용 칩으로 제조되었다.
이렇게 제조된 인조대리석 칩의 샘플 사진은 도 2에 나타냈으며, 이를 이용하여 통상의 방법으로 제조한 인조대리석의 표면사진을 도 3에 나타내었다. 또한, 실시예 1 내지 8의 각 샘플별로 성형성, 투명칩 분포성 등을 평가하여 아래 표 2에 나타내었다.
숙성용액을 성형하는 과정에서 작업성은 포장, 가공, 이송 등이 용이한지 여부를 기준으로 평가하여 나쁜 경우는 X, 보통인 경우는 △, 그리고 우수한 경우는 ○로 작업성을 평가하였다,
인조대리석 칩의 경도는 고무경도계 GS709N을 이용하여 측정하였고, 비중도 평가하였다.
성형성은 평활성, 형상 안정성이 우수한 기준으로 평가하여 나쁜 경우는 X, 보통인 경우는 △, 그리고 우수한 경우는 ○로 평가하였고, 투명칩 분포성은 고르게 분포되어 있는지를 기준으로 나쁜 경우는 X, 보통인 경우는 △, 그리고 우수한 경우는 ○로 평가하였다.
평가항목 실시예1 실시예2 실시예3 실시예4 실시예5 실시예6 실시예7 실시예8
숙성후 작업성 X X ○ ○ △ ○ △ △
경도 23 15 33 30 39 35 43 40
비중 1.6 1.59 1.61 1.6 1.57 1.59 1.63 1.6
성형성 X X ○ ○ △ ○ X X
투명칩
분포성		 △ △ ○ ○ ○ ○ △ △
위의 표 2 에 기재된 시험결과를 종합적으로 살펴보면, 실시예 3 내지 6의 경우가 양호한 특성을 보여주었으며 특히 실시예 3,4,6의 경우가 가장 우수한 물성을 보여주었다. 이는 적절한 증점제 함량과 숙성을 통해 적당한 점도가 형성되어 시트 제조 작업성과 성형성이 우수하고 투명칩 분포성이 고르게 나타난 결과라고 생각된다.
이상에서 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.

Claims (6)

  1. 카르복실기 함유 불포화 폴리에스터 수지를 함유하는 기본수지 100 중량부, 투명칩 80 내지 120 중량부, 필러 150 내지 300 중량부, 경화제 0.5 내지 2 중량부, 가교제 0.5 내지 2 중량부, 이형제 3 내지 5 중량부 및 증점제 1 내지 10 중량부를 포함하여, 상기 불포화 폴리에스터 수지에 함유되는 카르복실기와 상기 증점제와의 수소결합에 의하여 투명칩을 포함하는 인조대리석 칩의 내에 가교결합이 형성되는, 할로겐 화합물을 적용하지 않는 인조대리석 칩 제조용 조성물.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 기본수지는 상기 카르복실기 함유 폴리에스터 수지를 40 내지 80 중량%로 함유하는 것인, 인조대리석 칩 제조용 조성물.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 필러는 수산화알루미늄, 탄산칼슘, 클레이, 벤토나이트 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 것인, 인조대리석 칩 제조용 조성물.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 인조대리석 칩 제조용 조성물은, 상기 카르복실기 함유 불포화 폴리에스터 수지 50 내지 75 중량부를 함유하는 기본수지 100 중량부를 기준으로,
    상기 증점제를 1 내지 1.5 중량부; 상기 필러를 200 내지 300 중량부; 그리고 상기 투명칩을 80 내지 120 중량부;를 포함하는 것인, 인조대리석 칩 제조용 조성물.
  5. 제1항에 따른 인조대리석 칩 제조용 조성물을 혼합하여 전구체용액을 제조하는 원료혼입단계;
    상기 전구체용액을 10 내지 36시간의 숙성시간 동안 18 내지 30 ℃의 숙성온도에서 숙성하여 숙성용액을 제조하는 숙성단계; 그리고
    상기 숙성용액을 성형하여 1.55 내지 1.8의 비중을 갖는 인조대리석 칩을 제조하는 성형단계;를 포함하고
    상기 인조대리석 칩은 상기 불포화 폴리에스터 수지에 함유되는 카르복실기와 상기 증점제와의 수소결합에 의하여 투명칩을 포함하는 인조대리석 칩의 내에 가교결합이 형성되어 있는 것인, 할로겐 화합물을 적용하지 않는 인조대리석 칩의 제조방법.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 인조대리석 칩은 경도가 30 내지 40인, 인조대리석 칩의 제조방법.
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