KR100841396B1 - 인조대리석용 투명 칩 및 그의 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 고투명성의 인조대리석용 칩을 제조하기 위한 것으로, 비중이 1.5 ~ 1.7 인 특정의 수지 시럽을 사용하여 투명성을 저해하는 요소인 무기충전제의 함량을 감소시켜 고투명성을 달성하는 새로운 인조대리석용 칩 및 이의 제조방법에 대한 것이다.
인조대리석, 천연대리석, 칩, 투명칩

Description

인조대리석용 투명 칩 및 그의 제조방법{Artificial transparency Marble Chip and Method for Preparing the Same}
본 발명은 고투명성의 인조대리석용 칩을 제조하기 위한 것으로, 비중이 1.5 ~ 1.7 인 수지시럽을 사용하여 투명성을 저해하는 요소인 무기충전제의 함량을 감소시켜 고투명성을 달성하는 새로운 인조대리석용 칩 및 이의 제조방법에 대한 것이다.
인조대리석은 천연대리석 칩이나 광물을 아크릴, 불포화폴리에스테르, 에폭시 수지등과 배합하고 여러 가지의 첨가제나 안료 등을 첨가하여 천연대리석의 질감을 구현한 인조 합성체를 통칭하는데, 아크릴계 인조대리석, 폴리에스테르계 인조대리석으로 크게 나눌 수 있다.
종래의 인조대리석의 무늬를 나타내기 위하여 사용되는 인조대리석용 칩은 아크릴수지 또는 불포화폴리에스테르수지를 이용하여 경화시킨 것으로, 칩의 비중을 조절하기 위해서는 무기충전제를 반드시 사용하여야 했다. 이에 따라 무기충전제를 과량으로 사용하는 경우 투명한 칩을 제조하기 어려운 문제점이 있었다.
상기한 바와 같은 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 목적은 고투명성의 인조대리석용 칩을 제공하는 것으로서, 무기충전제를 사용하지 않거나 또는 소량만 사용하여도 충분한 비중을 달성할 수 있는 조성물을 개발하고자 한다.
본 발명은 브롬계 에폭시아크릴레이트 또는 그의 올리고머(brominated epoxy-acrylate oligomer) 70 ~ 90 중량%, 스티렌 모노머 7 ~ 20 중량%, 메틸메타아크릴레이트 3 ~ 10 중량%를 혼합한 비중이 1.5 ~ 1.7인 수지 시럽을 사용하여, 무기충전제를 첨가하지 않아도 충분한 비중을 달성할 수 있는 투명칩 및 이의 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기한 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 인조대리석용 투명칩을 제조하기 위하여 수지 시럽의 자체 비중이 1.5 ~ 1.7인 것을 사용하므로, 무기충전제를 전혀 사용하지 않거나 또는 소량으로 사용하므로 투명성이 저해되지 않으며, 제조가 용이한 새로운 조성물을 개발하게 되어 본 발명을 완성한 것이다.
먼저 본 발명은 두 가지 양태로 제조가 가능하다.
일 양태로는 브롬계 에폭시아크릴레이트 또는 그의 올리고머(brominated epoxy-acrylate oligomer) 70 ~ 90 중량%, 스티렌 모노머 7 ~ 20 중량%, 메틸메타아크릴레이트 3 ~ 10 중량%를 혼합한 수지시럽 100 중량부에 대하여, 디(4-터셔리- 부틸사이클로헥실)퍼옥시디카보네이트와 터셔리-부틸퍼옥시-2-에틸헥사노에이트를 1:1중량비로 혼합한 개시제를 0.1 ~ 0.5 중량부를 사용하여 경화시키는 것이다.
다른 양태로는 브롬계 에폭시아크릴레이트 또는 그의 올리고머 70 ~ 90 중량%, 스티렌 모노머 7 ~ 20 중량%, 메틸메타아크릴레이트 3 ~ 10 중량%를 혼합한 수지시럽 100 중량부에 대하여, 불포화폴리에스테르계 수지시럽 1 ~ 100 중량부, 수산화알루미늄, 수산화칼슘에서 선택되는 무기충전제 1 ~ 100 중량부, 디(4-터셔리-부틸사이클로헥실)퍼옥시디카보네이트와 터셔리-부틸퍼옥시-2-에틸헥사노에이트를 1:1중량비로 혼합한 개시제를 0.1 ~ 0.5 중량부를 사용하여 경화시키는 것이다.
또한 본 발명은 필요에 따라 상기 수지시럽 100 중량부에 대하여, 자외선안정제 0.01 ~ 3 중량부, 커플링제 0.1 ~ 5 중량부, 착색제 0.1 ~ 15 중량부, 펄 0.1 ~ 10중량부에서 선택되는 어느 하나 이상을 더 첨가하는 것이 가능하다.
또한 본 발명은 상기 착색제를 이용하여 착색을 하는 경우 전체 칩 조성물에 착색제를 사용하지 않고, 착색제를 사용한 조성물과 사용하지 않은 조성물을 스태틱 믹서로 혼합하여 무색투명한 부분과 착색된 투명부분이 혼합되도록 하여 이를 냉각 후 분쇄 시 하나의 칩에 무색투명한부분에 착색된 선이 형성되도록 하는 것도 가능하다. 즉, 브롬계 에폭시아크릴레이트 또는 그의 올리고머 70 ~ 90 중량%, 스티렌 모노머 7 ~ 20 중량%, 메틸메타아크릴레이트 3 ~ 10 중량%를 혼합한 수지시럽 100 중량부에 대하여, 디(4-터셔리-부틸사이클로헥실)퍼옥시디카보네이트와 터셔리-부틸퍼옥시-2-에틸헥사노에이트를 1:1중량비로 혼합한 개시제를 0.1 ~ 0.5 중량부를 사용한 A액과 브롬계 에폭시아크릴레이트 또는 그의 올리고머 70 ~ 90 중량%, 스티렌 모노머 7 ~ 20 중량%, 메틸메타아크릴레이트 3 ~ 10 중량%를 혼합한 수지시럽 100 중량부에 대하여, 디(4-터셔리-부틸사이클로헥실)퍼옥시디카보네이트와 터셔리-부틸퍼옥시-2-에틸헥사노에이트를 1:1중량비로 혼합한 개시제를 0.1 ~ 0.5 중량부에 착색제를 0.001 ~ 0.5를 사용한 B액을 스태틱믹서나 이와 유사한 장치로 혼합하여 착색제 라인이 형성되도록 하여 경화시킨 후 분쇄한 것을 특징으로 하는 인조대리석용 투명칩도 본 발명의 범위에 포함된다.
다음으로 본 발명의 인조대리석용 투명칩을 제조하는 방법은
a) 브롬계 에폭시아크릴레이트 또는 그의 올리고머 70 ~ 90 중량%, 스티렌 모노머 7 ~ 20 중량%, 메틸메타아크릴레이트 3 ~ 10 중량%를 혼합한 수지시럽을 가온하여 점도를 낮추는 단계;
b) 상기 수지시럽 100 중량부에 대하여, 디(4-터셔리-부틸사이클로헥실)퍼옥시디카보네이트와 터셔리-부틸퍼옥시-2-에틸헥사노에이트를 1:1중량비로 혼합한 개시제를 0.1 ~ 0.5 중량부로 첨가하면서 교반하는 단계;
c) 상기 수지 시럽을 진공 탈포하는 단계;
d) 상기 수지시럽을 성형틀에 붓고 65 ~ 80 ℃로 가열하여 경화시키는 단계;
e) 냉각 후 파쇄하는 단계;
를 포함한다.
또는 다른 양태로서,
a) 브롬계 에폭시아크릴레이트 또는 그의 올리고머 70 ~ 90 중량%, 스티렌 모노머 7 ~ 20 중량%, 메틸메타아크릴레이트 3 ~ 10 중량%를 혼합한 수지시럽을 가온하여 점도를 낮추는 단계;
b) 상기 수지시럽 100 중량부에 대하여, 불포화폴리에스테르계 수지시럽 1 ~ 100 중량부, 수산화알루미늄, 수산화칼슘에서 선택되는 무기충전제 1 ~ 100 중량부, 디(4-터셔리-부틸사이클로헥실)퍼옥시디카보네이트와 터셔리-부틸퍼옥시-2-에틸헥사노에이트를 1:1중량비로 혼합한 개시제를 0.1 ~ 0.5 중량부로 첨가하면서 교반하는 단계;
c) 상기 수지시럽을 진공 탈포하는 단계;
d) 상기 수지시럽을 성형틀에 붓고 65 ~ 80 ℃로 가열하여 경화시키는 단계;
e) 냉각 후 파쇄하는 단계;
를 포함하는 것도 가능하다.
또한, 필요에 따라 상기 b)단계에서 상기 수지시럽 100 중량부에 대하여, 자외선안정제 0.01 ~ 3 중량부, 커플링제 0.1 ~ 5 중량부, 착색제 0.1 ~ 15 중량부, 펄 0.1 ~ 10중량부에서 선택되는 어느 하나 이상을 더 첨가하는 것도 가능하며, 상기 d)단계에서 상기 수지시럽은 성형체의 두께가 20mm 이상이 되도록 사용하는 것이 경화에 유리하므로 바람직하다.
상기 e)단계에서 파쇄 시 평균입경이 0.1 ~ 15mm이 되도록 제조하는 것이 바람직하며, 또한 상기 e) 단계 후 제조된 투명칩을 크기별로 분리하여 사용하는 것이 바람직하다.
본 발명은 이와 같이 제조된 인조대리석용 투명칩을 이용하여 인조대리석 제 조용 슬러리와 혼합 한 후 주형 및 경화를 거쳐 천연대리석과 같은 다양한 색상을 나타내는 인조대리석을 제공한다. 이때 상기 인조대리석 제조용 슬러리는 통상적으로 인조대리석 제조분야에서 사용되는 조합을 사용할 수 있다.
이하는 본 발명에 대하여 보다 구체적으로 설명한다.
먼저 본 발명에서 사용하는 수지 시럽은 종래 사용되던 불포화폴리에스테르계 또는 아크릴계 수지 시럽에 비하여 비중이 높고, 난연성을 갖는 수지를 사용하는 것으로서, 브롬계 에폭시아크릴레이트 또는 그의 올리고머(brominated epoxy-acrylate oligomer)70 ~ 90 중량%, 스티렌 모노머 7 ~ 20 중량%, 메틸메타아크릴레이트 3 ~ 10 중량%를 혼합하여 사용한다. 이러한 수지 시럽의 예로는 (주)유비플러스의 UVAce 4101이 있다.
상기 브롬계 에폭시아크릴레이트 또는 그의 올리고머는 브롬화된 에폭시아크릴레이트라면 특별히 제한되지 않으며, 해당분야에서 통상의 방법으로 제조된 것을 사용할 수 있으며 이는 하기 반응식에 나타내었다. 본 발명에 사용되는 브롬계 에폭시아크릴레이트 또는 그의 올리고머는 바람직하게는 점도가 175 ± 50 poise, 25℃, 중량평균분자량이 500 ~ 3000인 것을 사용한다.
[반응식]
Figure 112007021898054-pat00001
또한 본 발명은 필요에 따라 상기 수지시럽 이외에도 불포화폴리에스테르계 수지시럽을 1 ~ 100 중량부로 더 첨가하여 사용할 수 있다. 상기 불포화폴리에스테르수지는 100 중량부를 초과하여 사용하는 경우 제조되는 투명칩의 비중이 낮아지므로 무기충전제의 사용량이 증가하게 되어 투명성이 저하된다. 따라서 상기 범위로 첨가하는 것이 바람직하며, 상기 불포화폴리에스테르계 수지시럽을 첨가하는 경우 인조대리석 제조용 슬러리와의 계면접착성 및 표면 광택도가 개선될 수 있다.상기 불포화폴리에스테르계 수지의 예로는 애경화학의 OS-980, OS-920, OS-920, OS-986 삼화페인트 MC-801등이 있다.
또한 상기 불포화폴리에스테르 수지 시럽을 사용하는 경우에 한하여 무기충전제를 1 ~ 100 중량부로 첨가하여 사용하는 것이 제조되는 투명칩의 비중을 조절 할 수 있으므로 바람직하며, 상기 무기충전제로는 수산화알루미늄, 수산화칼슘 중에서 선택되는 어느 하나 또는 이 둘을 혼합하여 사용할 수 있으며, 가장 바람직한 무기충전제는 수산화알루미늄이다. 상기 함량을 초과하는 경우 투명성이 저해되므로 바람직하지 않다.
본 발명에서 상기 수지시럽 100 중량부에 대하여, 개시제로서 디(4-터셔리-부틸사이클로헥실)퍼옥시디카보네이트와 터셔리-부틸퍼옥시-2-에틸헥사노에이트를 1:1중량비로 혼합한 개시제를 0.1 ~ 0.5 중량부로 사용한다. 본 발명에서 개시제로는 퍼옥사이드계 개시제라면 제한 없이 사용할 수 있으나. 경화성을 향상시키기 위해서는 특히 상기 개시제로서 디(4-터셔리-부틸사이클로헥실)퍼옥시디카보네이트와 터셔리-부틸퍼옥시-2-에틸헥사노에이트를 1:1중량비로 혼합하여 사용하는 경우 가장 우수한 경화성을 달성할 수 있었다.
상기 중합개시제의 함량은 수지 시럽 100 중량부에 대하여 0.1 내지 0.5 중량부가 되도록 조합한다. 0.5 중량부를 초과하는 경우 50~60℃에서 작업하는 관계로 조기 경화반응으로 인한 작업성 저해 및 반응이 너무 폭발적으로 일어나 열 제어가 어려우며, 0.1중량부 미만으로 사용하는 경우 경화시간이 길어지고 제품 경도가 떨어지는 관계로 바람직하지 않다.
본 발명에서 필요에 따라 가교제를 첨가할 수 있으며, 테트라에틸렌글리콜, 디메타크릴레이트, 1,6-헥산디올 디메타크릴레이트, 폴리부틸렌글리콜, 에틸렌글리콜 디메타크릴레이트, 디에틸렌글리콜 디메타크릴레이트, 트리에틸렌글리콜 디메타크릴레이트 중에서 선택되는 단독 또는 2종 이상을 사용할 수 있으며, 가교제의 사 용량은 베이스수지 시럽 100 중량부에 대하여 0.3 내지 5.0 중량부가 바람직하다.
본 발명에서 사용되는 착색제는 통상적으로 사용되는 유 · 무기안료에서 선택되는 어느 하나 이상을 사용하며, 예를 들면, 산화철 등의 적갈색 안료, 수산화철 등의 황색안료, 산화크롬 등의 녹색안료, 나트륨알루미노실리케이트 등의 군청색 안료, 산화티탄 등의 백색 안료 등 이 분야에서 사용되는 통상의 것을 사용할 수 있다. 또한 분산력을 좋게 하기 위하여 상기의 안료를 넣어 제조한 토너를 사용할 수 있다. 그 함량은 수지 100 중량부에 대하여 0.001 ~ 2 중량부로 사용하며 2 중량부를 초과하는 경우 투명성을 저해시키게 되므로 바람직하지 못하며, 안료는 투명성을 저해하지 않는 범위에서 사용하는 것이 바람직하다.
또한 본 발명에서 사용되는 펄은 통상의 금속펄 분말을 사용하는 것이라면 제한되지 않으며, 예를들면, (SKY Chemical CO., LTD. R-901G) 이 있다. 상기 펄을 추가하는 경우 반짝이는 효과를 부여할 수 있다.
또한 본 발명은 필요에 따라 실리케이트 무수물과 같은 커플링제 또는 계면활성제를 0.01 ~ 5 중량부의 범위로 더 추가하여 사용하는 것도 가능하다. 상기 커플링제 또는 계면활성제를 첨가하는 경우 무기충전제와 수지의 결합력 또는 안료와 수지의 결합력을 향상시켜주는 역할을 한다. 커플링제로는 예를들어 DEGUSSA의 AROSIL RY 200 등의 퓸드 실리카(Fumed Silica)를 사용할 수 있다. 상기 계면활성제로는 음이온계 계면활성제 또는 비이온계 계면활성제에서 선택되는 어느 하나 이상을 사용할 수 있다.
본 발명에서 상기 자외선 안정제는 해당분야에서 사용되는 것이라면 제한되 지 않고 사용할 수 있으며, 그 함량은 0.01 ~ 3 중량부를 사용하는 것이 바람직하다. 예를들면, CIBA사의 Tinuvin-P가 있다.
본 발명의 인조대리석용 칩의 제조방법에 대하여 설명하면, 본 발명에서 사용하는 수지시럽인 브롬계 에폭시아크릴레이트 또는 그의 올리고머(brominated epoxy-acrylate oligomer) 70 ~ 90 중량%, 스티렌 모노머 7 ~ 20 중량%, 메틸메타아크릴레이트 3 ~ 10 중량%를 혼합시럽은 그 점도가 매우 높으므로 50 ~ 60℃의 오븐에서 12시간 이상 유지하여 그 점도를 낮춘 후 개시제 등의 첨가제와 혼합하는 것이 바람직하다. 상기 수지시럽의 점도가 교반이 가능할 정도로 낮아진 후에는 교반기가 설치된 반응기에서 개시제 및 추가되는 첨가제를 넣고 혼합을 하며, 진공탈포하여 성형틀에서 경화시킨다. 이때 성형틀은 65 ~ 80℃의 온도로 가열하여 경화시간을 단축시킬 수 있다. 또한 성형틀에 부을 때 성형체의 두께가 20mm 이상이 되도록 하는 것이 바람직하며, 그 이유는 20mm 미만인 경우 발열이 제대로 일어나지 못하므로 수지가 경화되지 않기 때문이다. 20mm 이상인 경우에는 65 ~ 70℃의 온도로 가열을 하는 경우 최대 발열이 170 ~ 230℃까지 승온되어 완전히 경화가 된다. 상기 시럽 조성물이 경화되면, 냉각시킨 후 0.1 ~ 10mm 크기로 파쇄한 후 크기별로 분급한다.
또 다른 방법으로는 본 발명에서 사용하는 수지 시럽인 브롬계 에폭시아크릴레이트 또는 그의 올리고머(brominated epoxy-acrylate oligomer) 70 ~ 90 중량%, 스티렌 모노머 7 ~ 20 중량%, 메틸메타아크릴레이트 3 ~ 10 중량%를 혼합시럽을 50 ~ 60℃의 오븐에서 12시간 이상 유지하여 그 점도를 낮춘 후 착색제를 제외한 개시제 등의 첨가제와 혼합하여 A액을 제조하고, 상기 A액에 착색제를 첨가한 B액을 제조한 후, 상기 A액과 B액을 스태틱 믹서나 이와 유사한 설비를 이용하여 완전히 혼합되지 않고, 무색투명부분과 색상이 있는 부분이 경계면이 형성되도록 혼합을 한 후 경화하여 분쇄한다.
이하, 실시예를 들어 본 발명을 상세히 설명하며, 하기의 실시예에 의해 본 발명이 한정되는 것은 아니다.
[실시예 1]
브롬화된 에폭시아크릴레이트 올리고머(점도: 180 poise, 25℃, 중량평균분자량 950) 80중량%, 스티렌 모노머 14 중량%, 메틸메타크릴레이트 6 중량%가 혼합된 수지시럽((주)유비플러스 UVAce 4104)을 60 ℃ 오븐에서 12시간동안 유지하여 수지시럽의 점도를 낮춘 후 교반기가 설치된 반응기에 옮겼다. 상기 수지시럽 100 중량부에 대하여, 디(4-터셔리-부틸사이클로헥실)퍼옥시디카보네이트(Akzo Nobel사의 Perkadox 16)와 터셔리-부틸퍼옥시-2-에틸헥사노에이트(Akzo Nobel사의 Trigonox 21)를 1:1중량비로 혼합하여 0.2 중량부로 첨가하여 5분간 혼합하였다. 상기 혼합물을 730mmHg에서 5분간 진공 탈포한 후 트레이에 붓고 70℃로 가온하여 경화시켰다. 혼합물의 온도가 210℃까지 상승하는 것을 확인 한 후 반응을 종료하였으며, 두께가 30mm인 성형체를 제조하였다.
상기 성형체를 상온에서 냉각시킨 후, 분쇄기(삼아엔지니어링,PF-10)를 이용 하여 0.1 ~ 15mm 크기의 칩이 되도록 분쇄하였다.
그 결과 비중이 1.59, 분광투과율이(파장375nm) 80%인 투명한 칩이 제조되었다.
[실시예 2]
상기 실시예 1에서 불포화 폴리에스테르계수지(MC801, 삼화페인트) 10 중량부와 수산화알루미늄 10 중량부를 더 추가하여 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 제조하였다.
그 결과 비중이 1.59 , 분광투과율이(파장375nm) 70%인 투명한 칩이 제조되었다.
[실시예 3]
상기 실시예 2의 조성물에 자외선안정제 (CIBA사의 Tinuvin-P) 0.2 중량부, 커플링제(Dia-Fine사, PM) 0.1 중량부, 안료로 은성산업의 BULE 300 0.1 중량부를 더 추가한 것을 제외하고는 실시예 2와 동일하게 제조하였다.
그 결과 비중이 1.59 , 분광투과율이(파장375nm) 70%인 투명한 칩이 제조되었다.
[비교예]
불포화 폴리에스테르계수지(MC801, 삼화페인트) 100 중량부에 대하여, 수산 화알루미늄 100 중량부, 디(4-터셔리-부틸사이클로헥실)퍼옥시디카보네이트(Akzo Nobel사의 Perkadox 16)와 터셔리-부틸퍼옥시-2-에틸헥사노에이트(Akzo Nobel사의 Trigonox 21)를 1:1중량비로 혼합한 개시제 0.2 중량부를 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 제조하였다.
그 결과 비중이 1.6 , 분광투과율이(파장375nm) 40%인 칩이 제조되었다.
본 발명은 특정한 수지 시럽을 사용함에 따라 무기충전제의 함량을 최소화할 수 있었으며, 이에 따라 인조대리석용 칩의 투명도를 증가시킬 수 있었다.

Claims (14)

  1. 브롬계 에폭시아크릴레이트 또는 그의 올리고머 70 ~ 90 중량%, 스티렌 모노머 7 ~ 20 중량%, 메틸메타아크릴레이트 3 ~ 10 중량%를 혼합한 수지시럽 100 중량부에 대하여, 디(4-터셔리-부틸사이클로헥실)퍼옥시디카보네이트와 터셔리-부틸퍼옥시-2-에틸헥사노에이트를 1:1중량비로 혼합한 개시제를 0.1 ~ 0.5 중량부를 사용하여 경화시킨 후 분쇄한 것을 특징으로 하는 인조대리석용 투명칩.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 수지시럽은 비중이 1.5 ~ 1.7 인 것을 특징으로 하는 인조대리석용 투명칩.
  3. 제 2항에 있어서,
    상기 수지시럽 100 중량부에 대하여, 자외선안정제 0.01 ~ 3 중량부, 커플링제 0.1 ~ 5 중량부, 착색제 0.1 ~ 15 중량부, 펄 0.1 ~ 10중량부에서 선택되는 어느 하나 이상을 더 첨가하는 것을 특징으로 하는 인조대리석용 투명칩.
  4. a) 브롬계 에폭시아크릴레이트 또는 그의 올리고머 70 ~ 90 중량%, 스티렌 모노머 7 ~ 20 중량%, 메틸메타아크릴레이트 3 ~ 10 중량%를 혼합한 수지시럽을 가온하여 점도를 낮추는 단계;
    b) 상기 수지시럽 100 중량부에 대하여, 디(4-터셔리-부틸사이클로헥실)퍼옥시디카보네이트와 터셔리-부틸퍼옥시-2-에틸헥사노에이트를 1:1중량비로 혼합한 개시제를 0.1 ~ 0.5 중량부로 첨가하면서 교반하는 단계;
    c) 상기 수지시럽을 진공 탈포하는 단계;
    d) 상기 수지시럽을 성형틀에 붓고 65 ~ 80 ℃로 가열하여 경화시키는 단계;
    e) 냉각 후 파쇄하는 단계;
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 인조대리석용 투명칩의 제조방법.
  5. 제 4항에 있어서,
    상기 b)단계에서 상기 수지시럽 100 중량부에 대하여, 자외선안정제 0.01 ~ 3 중량부, 커플링제 0.1 ~ 5 중량부, 착색제 0.1 ~ 15 중량부, 펄 0.1 ~ 10중량부에서 선택되는 어느 하나 이상을 더 첨가하는 것을 특징으로 하는 인조대리석용 투명칩의 제조방법.
  6. 제 5항에 있어서,
    상기 d)단계에서 상기 수지시럽은 성형체의 두께가 20mm 이상이 되도록 사용하는 것을 특징으로 하는 인조대리석용 투명칩의 제조방법.
  7. 브롬계 에폭시아크릴레이트 또는 그의 올리고머 70 ~ 90 중량%, 스티렌 모노머 7 ~ 20 중량%, 메틸메타아크릴레이트 3 ~ 10 중량%를 혼합한 수지시럽 100 중량부에 대하여, 불포화폴리에스테르계 수지시럽 1 ~ 100 중량부, 수산화알루미늄, 수산화칼슘에서 선택되는 무기충전제 1 ~ 100 중량부, 디(4-터셔리-부틸사이클로헥실)퍼옥시디카보네이트와 터셔리-부틸퍼옥시-2-에틸헥사노에이트를 1:1중량비로 혼합한 개시제를 0.1 ~ 0.5 중량부를 사용하여 경화시킨 것을 특징으로 하는 인조대리석용 투명칩.
  8. 제 7항에 있어서,
    상기 수지시럽 100 중량부에 대하여, 자외선안정제 0.01 ~ 3 중량부, 커플링제 0.1 ~ 5 중량부, 착색제 0.1 ~ 15 중량부, 펄 0.1 ~ 10중량부에서 선택되는 어느 하나 이상을 더 첨가하는 것을 특징으로 하는 인조대리석용 투명칩.
  9. a) 브롬계 에폭시아크릴레이트 또는 그의 올리고머 70 ~ 90 중량%, 스티렌 모노머 7 ~ 20 중량%, 메틸메타아크릴레이트 3 ~ 10 중량%를 혼합한 수지시럽을 가온하여 점도를 낮추는 단계;
    b) 상기 수지시럽 100 중량부에 대하여, 불포화폴리에스테르계 수지시럽 1 ~ 100 중량부, 수산화알루미늄, 수산화칼슘에서 선택되는 무기충전제 1 ~ 100 중량부, 디(4-터셔리-부틸사이클로헥실)퍼옥시디카보네이트와 터셔리-부틸퍼옥시-2-에틸헥사노에이트를 1:1중량비로 혼합한 개시제를 0.1 ~ 0.5 중량부로 첨가하면서 교반하는 단계;
    c) 상기 수지시럽을 진공 탈포하는 단계;
    d) 상기 수지시럽을 성형틀에 붓고 65 ~ 70 ℃로 가열하여 경화시키는 단계;
    e) 냉각 후 파쇄하는 단계;
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 인조대리석용 투명칩의 제조방법.
  10. 제 9항에 있어서,
    상기 b)단계에서 상기 수지시럽 100 중량부에 대하여, 자외선안정제 0.01 ~ 3 중량부, 커플링제 0.1 ~ 5 중량부, 착색제 0.1 ~ 15 중량부, 펄 0.1 ~ 10중량부에서 선택되는 어느 하나 이상을 더 첨가하는 것을 특징으로 하는 인조대리석용 투명칩의 제조방법.
  11. 제 10항에 있어서,
    상기 d)단계에서 상기 수지 시럽은 성형체의 두께가 20mm 이상이 되도록 사용하는 것을 특징으로 하는 인조대리석용 투명칩의 제조방법.
  12. 제 4항 또는 제 9항의 제조방법에 의해 제조된 평균입경이 0.1 ~ 15mm인 것을 특징으로 하는 인조대리석용 투명칩.
  13. 제 12항에 따른 인조대리석용 칩을 사용한 인조대리석.
  14. 브롬계 에폭시아크릴레이트 또는 그의 올리고머 70 ~ 90 중량%, 스티렌 모노머 7 ~ 20 중량%, 메틸메타아크릴레이트 3 ~ 10 중량%를 혼합한 수지시럽 100 중량부에 대하여, 디(4-터셔리-부틸사이클로헥실)퍼옥시디카보네이트와 터셔리-부틸퍼옥시-2-에틸헥사노에이트를 1:1중량비로 혼합한 개시제를 0.1 ~ 0.5 중량부를 사용한 A액과 브롬계 에폭시아크릴레이트 또는 그의 올리고머 70 ~ 90 중량%, 스티렌 모노머 7 ~ 20 중량%, 메틸메타아크릴레이트 3 ~ 10 중량%를 혼합한 수지시럽 100 중량부에 대하여, 디(4-터셔리-부틸사이클로헥실)퍼옥시디카보네이트와 터셔리-부틸퍼옥시-2-에틸헥사노에이트를 1:1중량비로 혼합한 개시제를 0.1 ~ 0.5 중량부에 착색제를 0.001 ~ 0.5를 사용한 B액을 착색제 라인이 형성되도록 혼합하여 경화시킨 후 분쇄한 것을 특징으로 하는 인조대리석용 투명칩.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101017034B1 (ko) 2008-11-06 2011-02-23 정우철 고투명성 및 고비중의 인조대리석용 투명칩 및 이의 제조 방법
KR101251156B1 (ko) * 2008-08-13 2013-04-04 (주)엘지하우시스 인조대리석 및 그 제조방법

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0733839A (ja) * 1993-07-22 1995-02-03 Nippon Shokubai Co Ltd 熱硬化性樹脂成形材料および該成形材料からなる人工大理石
KR19990048077A (ko) * 1997-12-08 1999-07-05 전원중 인조대리석 성형품의 제조방법
KR20040005044A (ko) * 2002-07-08 2004-01-16 제일모직주식회사 마블칩의 침강 편차가 없는 인조 대리석
KR20040042355A (ko) * 2002-11-14 2004-05-20 제일모직주식회사 내오염성이 우수한 마블칩 및 이를 이용한 인조 대리석
KR20060083516A (ko) * 2005-01-17 2006-07-21 주식회사 엘지화학 크랙무늬를 갖는 인조대리석 및 이의 제조방법

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0733839A (ja) * 1993-07-22 1995-02-03 Nippon Shokubai Co Ltd 熱硬化性樹脂成形材料および該成形材料からなる人工大理石
KR19990048077A (ko) * 1997-12-08 1999-07-05 전원중 인조대리석 성형품의 제조방법
KR20040005044A (ko) * 2002-07-08 2004-01-16 제일모직주식회사 마블칩의 침강 편차가 없는 인조 대리석
KR20040042355A (ko) * 2002-11-14 2004-05-20 제일모직주식회사 내오염성이 우수한 마블칩 및 이를 이용한 인조 대리석
KR20060083516A (ko) * 2005-01-17 2006-07-21 주식회사 엘지화학 크랙무늬를 갖는 인조대리석 및 이의 제조방법

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101251156B1 (ko) * 2008-08-13 2013-04-04 (주)엘지하우시스 인조대리석 및 그 제조방법
KR101017034B1 (ko) 2008-11-06 2011-02-23 정우철 고투명성 및 고비중의 인조대리석용 투명칩 및 이의 제조 방법

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