KR101322017B1 - 수지 조성물, 이의 경화물을 포함하는 투명 칩 및 인조대리석 - Google Patents

수지 조성물, 이의 경화물을 포함하는 투명 칩 및 인조대리석 Download PDF

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Abstract

본 발명은 (A) 할로겐을 함유하는 에폭시-산 부가물; 및 (B) 이소시아네이트 화합물을 포함하는 수지 조성물, 이의 경화물을 포함하는 투명 칩 및 인조대리석에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 수지 조성물에 의하면, 할로겐을 함유하는 에폭시-산 부가물을 함유하여 우수한 투명성을 구현하는 동시에, 필러의 첨가 없이도 상대적으로 고 비중을 가지는 투명 칩을 제조할 수 있다. 또한, 상기 투명 칩을 베이스 수지와 혼합하여 제조한 인조대리석은 경화 시 배면으로부터 투명 칩의 층 분리 현상 없이, 제품 표면에 미려한 천연 화강석의 외관을 구현할 수 있다.
천연 화강석, 할로겐, 에폭시-산 부가물, 투명 칩, 고비중, 인조대리석

Description

수지 조성물, 이의 경화물을 포함하는 투명 칩 및 인조대리석{Resin composition, transparent marble chip comprising cured material thereof and artificial marble}
본 발명은 수지 조성물, 이의 경화물을 포함하는 투명 칩 및 인조대리석에 관한 것이다.
일반적으로 인조대리석은 천연 화강석의 외관을 구현하기 위해서 투명한 칩을 사용하였는데, 종래 이와 같은 인조대리석용 투명 칩은 주로 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA)계 수지나 불포화 폴리에스테르 수지와 같은 일반적인 수지를 사용하여 제조하였다.
상기 수지는 비중이 1.15 내지 1.24에 해당하는 저비중 소재이기 때문에 모재(matrix)로 사용되는 액상 혼합물의 비중보다 낮다는 문제점이 있었다.
즉, 인조대리석의 모재로 사용되는 액상 혼합물로는 통상적으로 아크릴 수지에 수산화알루미늄 등의 충진제를 혼합한 컴파운드가 주로 사용되어 왔는데, 상기 액상 혼합물의 비중은 약 1.45 내지 1.7에 이르기 때문에 무기 충진제를 포함하지 않은 일반적인 투명 수지를 이용하여 투명 칩을 제조하는 경우, 인조대리석의 모재와 비중 차이로 인하여 투명 칩이 상층부로 뜨는 현상이 발생하여 제품의 표면으로 사용되는 하층부에 투명 칩이 출현되지 않거나 균일한 분산이 이루어지기 어렵다는 문제점이 있었다.
한편, 투명 칩의 비중을 높이기 위하여 무기 충진제를 포함하여 투명 칩을 제조하는 경우에는, 투명도가 현저하게 떨어지기 때문에 천연 화강석의 외관을 구현하기가 어렵다는 문제점이 있었다.
종래 이와 같은 문제점을 해결하기 위하여, 등록특허 제0728589호는 할로겐화 에폭시 아크릴레이트 수지 또는 할로겐화 우레탄 아크릴레이트 수지를 이용한 고비중의 투명 칩을 개시하고 있다.
그러나 상기 할로겐화 에폭시 아크릴레이트 수지의 경우, 에폭시 수지와 아크릴산의 에스테르 반응을 통하여 바인더를 제조하고, 상기 바인더를 아크릴계 가교성 모노머에 희석한 후, 희석된 수지 조성물을 라디칼 중합을 거쳐 경화하고 분쇄하여 제조하였는데, 이와 같은 제조방법에 의하는 경우, 에스테르화를 위하여 수시간 동안의 반응시간이 필요할 뿐 아니라 경화물 제작을 위하여 별도의 반응을 수행하여야 한다는 문제점이 있었다.
또한, 작업하기 용이한 점도로 조절하기 위하여 모노머를 다량 혼합하는 경우, 수지의 비중이 낮아져서 경화 시에 발열 및 충격강도 등과 같은 물성이 저하될 우려가 있었다.
한편, 등록특허 제0805634호는 저비중의 일반적인 투명수지평판을 제조한 후에 그 일면 또는 양면에 고비중화된 층을 별도로 생성시킨 평판을 제조하여 분쇄한 칩 및 이의 제조방법과 상기 칩을 이용한 인조대리석을 개시하고 있다.
그러나 상기 방법도 고비중화된 층을 생성시키기 위한 별도의 공정이 요구되며, 인조대리석의 제조 후에 고비중 층의 제거가 완전하지 않다는 문제점이 있었는바, 층 분리 현상을 방지하면서도 투명도를 저하시키지 않는 천연 화강석의 외관을 구현할 수 있는 투명 칩의 개발이 요구되고 있는 실정이다.
본 발명은 상술한 기술개발의 필요성을 충족시키고자 창안된 것으로서, 본 발명의 목적은 필러를 함유하지 않아도 상대적으로 높은 비중과 함께 우수한 투명성을 구현할 수 있는 수지 조성물을 제공하는 것이다.
또한, 본 발명의 다른 목적은 상기 수지 조성물을 이용하여 제조함으로써 우수한 투명성 및 분산성과 함께 충격강도 등과 같은 기계적 물성까지 향상된 투명 칩 및 이를 포함하여 미려한 천연 화강석의 외관을 구현하는 인조대리석을 제공하는 것이다.
본 발명은 상기 과제를 해결하기 위한 수단으로서, (A) 할로겐을 함유하는 에폭시-산 부가물; 및 (B) 이소시아네이트 화합물을 포함하는 수지 조성물을 제공한다.
또한, 본 발명은 상기 과제를 해결하기 위한 다른 수단으로서, 상기 수지 조성물의 경화물을 포함하는 투명 칩을 제공한다.
또한, 본 발명은 상기 과제를 해결하기 위한 또 다른 수단으로서, 베이스 수 지; 및 상기 투명 칩을 포함하는 인조대리석을 제공한다.
본 발명에 따른 수지 조성물은 우수한 투명성과 함께 상대적으로 높은 비중을 가지는 것으로서, 이를 이용하여 제조한 투명 칩은 베이스 수지와 혼합 시 균일하게 분산되며, 제품 표면으로 사용되는 하부 면에 적절하게 출현됨으로써 천연 화강석의 깊이 있는 외관을 구현할 수 있도록 한다.
아울러, 할로겐을 함유하는 에폭시-산 부가물을 내충격성이 우수한 이소시아네이트 화합물과 반응시킴으로써 에폭시 수지의 취약한 충격 강도 등의 물성도 향상시킬 수 있다.
본 발명은 (A) 할로겐을 함유하는 에폭시-산 부가물; 및 (B) 이소시아네이트 화합물을 포함하는 수지 조성물에 관한 것이다.
이하, 본 발명에 따른 수지 조성물을 보다 상세하게 설명하도록 한다.
전술한 바와 같이, 본 발명에 따른 수지 조성물은 (A) 할로겐을 함유하는 에폭시-산 부가물; 및 (B) 이소시아네이트 화합물을 포함한다.
본 발명에서, (A) 할로겐을 함유하는 에폭시-산 부가물은 할로겐을 함유하는 할로겐화 에폭시 수지와 산의 부가 반응을 통하여 생성되고, 말단에 수산기를 가지 고 있는 에폭시-산 부가물을 의미하는 것으로서, 그 종류가 특별히 제한되는 것은 아니지만, 예를 들면, i) 할로겐을 함유하는 에폭시 수지; 및 ii) 일염기산(Mono acid) 및 다가염기산으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상을 포함하는 산을 반응시켜 얻어진 것일 수 있다.
이와 같이, (A) 할로겐을 함유하는 에폭시-산 부가물은 본 발명의 수지 조성물 내에 함유되어, 수지 말단에 OH기를 가지고 있어, 에폭시 수지를 이소시아네이트 화합물과 반응시키는 역할을 한다.
여기서, 상기 (A) 할로겐을 함유하는 에폭시-산 부가물을 구성하는 각 성분의 함량은 특별히 제한되는 것은 아니고, 투명 칩 등의 제조에 적합한 비중, 투명성 및 기계적 물성 등을 가질 수 있는 범위 내에서, 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 적절하게 채용할 수 있는 것이지만, 예를 들면, i) 할로겐을 함유하는 에폭시 수지 100 중량부에 대하여, ii) 일염기산 및 다가염기산으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상을 포함하는 산 1 내지 30 중량부를 반응시켜 얻어진 것일 수 있고, 구체적으로는 5 내지 20 중량부를 반응시켜 얻어진 것일 수 있다.
상기 (A) 할로겐을 함유하는 에폭시-산 부가물 내에서, i) 할로겐을 함유하는 에폭시 수지 100 중량부를 기준으로 ii) 일염기산 및 다가염기산으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상을 포함하는 산이 1 중량부 미만으로 함유되는 경우, 충분한 수산가가 확보되기 어려워 이소시아네이트 부가량도 함께 한정되는 동시에 에폭시-산 부가물의 점도가 낮아져 작업성이 저하될 우려가 있고, 30 중량부를 초과하는 경우에는 미반응된 산이 존재할 수 있어 부식 또는 부반응이 발생할 우려가 있다.
한편, 상기 i) 할로겐을 함유하는 에폭시 수지는, 이 분야에서 통상적으로 알려진 할로겐화 에폭시 수지는 모두 포함할 수 있으며, 그 종류가 특별히 제한되는 것은 아니지만, 예를 들면, 브롬화 에폭시 수지 또는 염화 에폭시 수지 등을 사용할 수 있다.
또한, ii) 산도 일염기산 또는 다가염기산 중 하나 이상을 함유하는 산으로서, 상기 에폭시 수지와 부가 반응을 일으킬 수 있는 것이라면, 특별히 그 종류가 제한되는 것은 아니지만, 예를 들면, 카르복실기를 함유하는 일염기산 및 카르복실기를 함유하는 다가염기산 등과 같이 카르복실기를 함유하는 것일 수 있다.
보다 구체적으로는, 상기 ii) 산은 C1 내지 C12의 알킬기를 함유하는 카르복실산, C2 내지 C10의 알킬렌기를 함유하는 디카르복실산 및 C6 내지 C12의 아릴기를 함유하는 디카르복실산으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상을 포함하는 것일 수 있으며, 이 중에서도 특히 C1 내지 C8의 알킬기를 함유하는 카르복실산, C2 내지 C8의 알킬렌기를 함유하는 디카르복실산 및 C6 내지 C8의 아릴기를 함유하는 디카르복실산으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상을 포함하는 것일 수 있다.
다만, 상기 기재는 본 발명의 바람직한 일 예에 불과하고, 본 발명에서 사용되는 ii) 산이 상기 예시된 것에 제한되는 것은 아니다.
한편, 상기 (A) 할로겐을 함유하는 에폭시-산 부가물의 수산가가 특별히 제 한되는 것은 아니지만, 예를 들면, 1 내지 20일 수 있고, 구체적으로는 4 내지 15인 것일 수도 있다.
상기 (A) 할로겐을 함유하는 에폭시-산 부가물의 수산가가 1 미만인 경우, OH기가 상대적으로 너무 많아져서 중합도가 저하될 우려가 있고, 20을 초과하는 경우, 산이 상대적으로 과량으로 부가될 수 있으므로 이를 이용하여 제조한 경화물의 강도가 낮아질 우려가 있다.
또한, 상기 (A) 할로겐을 함유하는 에폭시-산 부가물의 에폭시 당량도 특별히 제한되는 것은 아니고, 이 분야에서 통상적으로 사용되는 에폭시 당량을 가진 것이 이용될 수 있으나, 구체적인 예를 들면, 에폭시 당량이 300 내지 2000 e/q인 것을 사용할 수 있다. 이 경우, 반응성이 보다 향상될 수 있으며, 제조시간도 단축시킬 수 있다.
한편, 본 발명에서 상기 (B) 이소시아네이트 화합물은 본 발명에서 목적하는 고비중 및 우수한 투명성을 가지는 수지 조성물을 제조할 수 있도록 말단에 수산기와 반응이 가능한 이소시아네이트기를 가지는 화합물을 통칭하는 것으로서, 그 종류가 특별히 제한되는 것은 아니지만, 예를 들면, 이소시아네이트 함유 모노머, 이소시아네이트 함유 다이머, 이소시아네이트기를 함유하는 우레탄 수지 및 할로겐 함유 이소시아네이트 화합물로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상을 포함하는 것일 수 있다.
여기서, 상기 『할로겐 함유 이소시아네이트 화합물』이란, 이소시아네이트 함유 모노머, 이소시아네이트 함유 다이머, 이소시아네이트기를 함유하는 우레탄 수지 등과 같은 이소시아네이트 계열의 화합물 중에서 특히, 할로겐을 함유하고 있는 것은 모두 포함할 수 있다.
나아가, 상기 (B) 이소시아네이트 화합물의 종류를 보다 구체적으로 예를 들면, 톨루엔 디이소시아네이트, 메틸렌 디페닐 디이소시아네이트, 염화 톨루엔 디이소시아네이트, 불화 톨루엔 디이소시아네이트 및 이소포론 디이소시아네이트로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상을 포함하는 것일 수 있으며, 이에 제한되는 것은 아니다.
또한, 상기 (B) 이소시아네이트 화합물의 NCO 함량이 특별히 제한되는 것은 아니지만, 예를 들면, (B) 이소시아네이트 화합물은 20 중량% 내지 50 중량%의 NCO를 포함하는 것일 수 있고, 구체적으로는 20 중량% 내지 40 중량%일 수 있다.
상기 (B) 이소시아네이트 화합물의 NCO가 20 중량% 미만인 경우, 이소시아네이트 화합물이 본 발명의 수지 조성물 내에 상대적으로 더 많이 함유되어야 하므로, 고비중을 달성하기가 어려울 수 있고, 50 중량%를 초과 시에는, 이소시아네이트 화합물은 조금만 함유시켜도 충분히 고비중을 확보할 수 있지만, 이소시아네이트 화합물의 분자량이 낮기 때문에 강도가 저하될 우려가 있다.
본 발명에 따른 수지 조성물에 함유되는 (A) 할로겐을 함유하는 에폭시-산 부가물 및 (B) 이소시아네이트 화합물의 함량이 특별히 제한되는 것은 아니지만, 예를 들면, 본 발명의 목적에 따라 고비중, 우수한 투명도 및 기계적 물성 등을 구 현할 수 있는 범위 내에서, (A) 할로겐을 함유하는 에폭시-산 부가물 100 중량부에 대하여 (B) 이소시아네이트 1 중량부 내지 20 중량부를 포함할 수 있고, 보다 구체적으로는 2 중량부 내지 20 중량부를 포함할 수 있다.
본 발명에 따른 수지 조성물 내에서 (B) 이소시아네이트 화합물이 (A) 할로겐을 함유하는 에폭시-산 부가물 100 중량부에 대하여 1 중량부 미만으로 함유되는 경우, 경화제의 함량이 충분하지 못하여 반응이 완결되지 않거나 강도가 현저하게 떨어질 우려가 있고, 20 중량부를 초과하여 함유되는 경우, 미반응 경화제가 잔존하여 강도저하, 내열성 악화 및 황변 현상이 발생할 우려가 있다.
또한, 본 발명에 따른 수지 조성물은 (C) 글리시딜기 함유 화합물을 포함할 수 있다. 상기 (C) 글리시딜기 함유 화합물은 글리시딜기를 함유하는 화합물을 의미하는 것으로서, 본 발명에서 희석제의 기능을 하며, 그 함량이 특별히 제한되는 것은 아니지만, 예를 들면, (A) 에폭시-산 부가물 100 중량부에 대하여, 5 중량부 내지 20 중량부의 양으로 함유될 수 있다.
상기 (C) 글리시딜기 함유 화합물이 (A) 에폭시-산 부가물 100 중량부에 대하여, 5 중량부 미만으로 함유되는 경우, (A) 에폭시-산 부가물의 점도가 높아져서 작업성이 저하될 우려가 있고, 20 중량부를 초과하는 경우, 비중이 크게 저하될 우려가 있다.
또한, 상기 (C) 글리시딜기 함유 화합물의 종류도 특별히 제한되는 것은 아니지만, 예를 들면, 모노 글리시딜 화합물, 디글리시딜 화합물, 폴리글리시딜 화합 물 및 글리시딜 에스테르 화합물 등을 사용할 수 있으며, 구체적으로는, n-부틸 글리시딜 에테르, 지방족 글리시딜 에테르, 2-에틸헥실 글리시딜 에테르, 페닐 글리시딜 에테르, o-크레실 글리시딜 에테르, p-터셔리 부틸 페닐 글리시딜 에테르, 3-알킬 페놀 글리시딜 에테르, o-페닐 페놀 글리시딜 에테르, 벤질 글리시딜 에테르, 1,4-부탄디올 디글리시딜 에테르, 1,4-헥산디올 디글리시딜 에테르, 네오펜틸 글리콜 디글리시딜 에테르, 1,4-시클로헥산 디메탄올 디글리시딜 에테르, 폴리프로필렌 글리콜 디글리시딜 에테르, 에틸렌글리콜 디글리시딜 에테르, 폴리에틸렌 글리콜 디글리시딜 에테르, 레조시놀 디글리시딜 에테르, 트리메틸올프로판 트리글리시딜 에테르, 글리세롤 글리시딜 에테르, 소르비톨 폴리글리시딜 에테르, 네오데카노익산 글리시딜 에테르 및 디글리시딜-1,2-시클로헥산 디카르복실레이트로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상을 포함할 수 있다.
한편, 본 발명에 따른 수지 조성물은 상기 한정된 구성요소 외에도 반응 촉진제, 펄, 금속 분말, 유리 조각, 색상 부여제, 소포제, 커플링제, 자외선 흡수제, 광 확산제 및 중합 억제제로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 (D) 첨가제를 추가로 포함할 수 있다.
이 중에서, 상기 반응 촉진제는 상온에서의 반응성을 보다 향상시키는 역할을 하는 것으로서, 이와 같은 반응 촉진제의 예로는 머캅탄 등이 있다.
또한, 원하는 효과를 나타내기 위하여 표면을 코팅하거나 반사성 펄, 금속 분말 또는 유리조각 등을 첨가제로 포함할 수 있으며, 이와 같은 물질을 첨가하는 경우 투명 칩의 내부에 서로 다른 색상으로 구성된 라인(Line) 또는 층을 생성시킬 수 있어, 보다 세련되고 다양한 외관을 구현할 수 있다.
기타 첨가되는 첨가제의 예를 들면, 실리콘계 또는 비실리콘계 소포제; 트리메톡시실란을 주성분으로 하는 실란계, 산계 또는 티타네이트계 커플링제; 유기 또는 무기 안료나 염료; 페닐살리실레이트계, 벤조페논계, 벤조트리아졸계, 니켈 유도체계 또는 라디칼 제거제(Radical Scavenger)계 자외선 흡수제; 할로겐계, 인계 또는 무기금속계 난연제; 스테아린산계 또는 실리콘계 이형제; 카테콜계 또는 하이드로퀴논류계 중합억제제; 미세 실리카계 요변제; 페놀계, 아민계, 퀴논계, 유황계 또는 인계 산화방지제 중에서 선택되는 1종 이상 등을 들 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 수지 조성물의 비중은 이를 이용하여 제조된 투명 칩이 제품 하면에 해당하는 표면부로 출현할 수 있는 범위 내에서 특별히 제한되는 것은 아니지만, 예를 들면, 1.50 내지 1.80일 수 있다.
상기 비중이 1.50 미만인 경우, 인조대리석의 모재로 사용되는 컴파운드에 비하여 비중이 낮아질 수 있기 때문에 이를 이용하여 투명 칩을 제조할 경우, 상기 투명 칩의 인조대리석의 모재로 사용되는 액상 혼합물 내에서 균일한 분산이 이루어지기 어려울 수 있고, 1.80을 초과하는 경우, 할로겐 원소가 과량 함유된 것이므로 이로 인하여 황변 현상 및 물성 저하가 일어날 우려가 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 수지 조성물은 투박한 인조대리석에 경쾌하고 세련된 느낌을 주거나 보석과 같은 느낌을 부여하기 위하여 투명성을 가진 수지 조성물로서, 이와 같은 수지 조성물이 요구되는 다양한 분야에서 사용될 수 있으며, 그 용도가 특별히 제한되는 것은 아니지만, 예를 들면, 보다 미려한 외관을 구현하기 위하여 인조대리석의 제조에 첨가되는 인조대리석용 투명 칩 등에 유용하게 사용될 수 있다.
뿐만 아니라, 본 발명은 상기 수지 조성물의 경화물을 포함하는 투명 칩에 관한 것이다.
본 발명에서 투명 칩은 천연 화강석 외관을 구현할 수 있도록 투명한 이미지를 가지는 칩을 의미하며, 상기 투명 칩은 상술한 바와 같이 (A) 할로겐을 함유하는 에폭시-산 부가물과 이소시아네이트 화합물을 포함하는 수지 조성물의 경화 반응을 통하여 얻어진 경화물을 분쇄함으로써 제조할 수 있다.
여기서, 상기 투명 칩은 이 분야에서 통상적으로 공지된 방법에 따라 제조할 수 있으며, 그 제조방법이 특별히 제한되는 것은 아니지만, 예를 들면, 할로겐 원소를 함유하는 에폭시-산 부가물 및 이소시아네이트 화합물을 혼합하고 경화 반응시켜 경화물을 제조하고, 제조된 경화물을 냉각 탈형시켜 평판을 제조한 후, 상기 평판을 칩으로 분쇄함으로써 제조할 수 있다.
상기 경화 시 경화 조건은 특별히 제한되는 것은 아니지만, 예를 들면, 50 내지 120℃의 온도에서 10분 내지 3시간 동안 수행할 수 있다. 상기 경화 조건을 벗어나는 경우, 에폭시계 수지와 이소시아네이트 화합물의 혼합상태가 불량하여 반응이 미처 일어나지 못하거나 과도한 발열로 인한 크랙(crack)이 발생할 우려가 있다.
이때, 상기 투명 칩의 크기는 특별히 제한되는 것은 아니고, 천연 화강석의 외관을 구현하기 위하여 다양한 형태와 크기를 가질 수 있으나, 예를 들면, 평균직경이 0.1 내지 8 mm인 것을 사용할 수 있다.
칩의 평균직경이 0.1㎜ 미만인 경우, 투명 칩이 제품 표면에 출현되어, 특정한 천연 화강석의 외관을 구현하기 어려울 수 있으며, 8mm를 초과하는 경우, 투명 칩이 불 균일하게 분포할 가능성이 있어, 장식 효과가 저하될 우려가 있다.
한편, 본 발명에 따른 투명 칩의 제조에 사용되는 상기 경화물의 충격강도는 특별히 제한되는 것은 아니지만, 예를 들면, 2.0 내지 5.0 kj/m2일 수 있다. 즉, 본 발명에 따른 투명 칩은 고비중 및 투명성을 가질 뿐 아니라 우수한 기계적 물성을 가지는 수지 조성물을 이용하여 제조되므로, 기존 에폭시계 수지의 낮은 기계적 강도를 보완할 수 있다.
여기서, 상기 경화물의 충격강도가 2.0 kj/m2 미만인 경우, 인조대리석 기재와 투명 칩의 경계에 틈이 발생하여 인조대리석의 강도가 저하될 우려가 있고, 5.0 kj/m2을 초과하는 경우, 경화물의 경도가 낮아져서 스크레치에 약하거나 연마 시에 표면 평활도가 열악해질 우려가 있다.
한편, 본 발명은 또한, 베이스 수지; 및 상기 투명 칩을 포함하는 인조대리석에 관한 것이다.
상기한 바와 같이, 투명 칩을 포함하는 인조대리석은 표면에 투명 칩이 균일 하게 분산되어 출현하고, 우수한 투명성을 나타내는바, 천연 화강석의 외관을 구현할 수 있는 미려한 장식 효과를 가질 수 있다.
여기서, 상기 베이스 수지의 종류는 특별히 제한되는 것은 아니고, 이 분야에서 통상적으로 사용되는 아크릴계 수지, 에폭시계 수지, 우레탄계 수지 등이 제한없이 사용될 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 인조 대리석은 예를 들면, 베이스 수지 100 중량부에 대하여 투명 칩 5 내지 30 중량부를 포함할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니고, 다양한 외관 구현을 위하여 이 분야에서 공지된 함량비에 따라 적절하게 선택하여 채용할 수 있다.
이하 본 발명에 따르는 실시예 및 본 발명에 따르지 않는 비교예를 통하여 본 발명을 보다 상세히 설명하나, 본 발명의 범위가 하기 제시된 실시예에 의해 제한되는 것은 아니다.
[제조예 1] 할로겐을 함유하는 에폭시-산 부가물의 제조
브롬화 난연성 에폭시 수지(국도화학 YDB 400) 100 중량부를 100℃의 온도에서 녹인 후, 10 중량부의 아세트산을 첨가하고 1 시간 동안 반응시켜 수산가가 10인 에폭시-산 부가물을 제조하였다.
상기 에폭시-산 부가물 100 중량부에 대하여 NCO가 30중량%인 이소시아네이 트 화합물(유비프러스; 과량의 TDI와 폴리올을 반응시켜 이소시아네이트기가 말단에 남아있는 우레탄 수지) 7.5 중량부를 첨가하고, 60℃의 온도에서 1 시간 동안 반응시켜 수지 조성물을 제조하였다.
[실시예 1]
상기 제조예 1에서 제조된 수지 조성물 100 중량부에 대하여 소포제 0.2 중량부, 자외선흡수제 0.1 중량부 및 반응촉진제 0.1 중량부를 혼합하여 슬러리를 제조하고, 15 내지 20 mm의 성형틀에 상기 슬러리를 부은 후, 60℃의 온도에서 1시간 동안 반응시켜 경화물을 제조하였다.
이 후, 이를 냉각 탈형 시켜 평판을 제조하고, 파쇄기를 이용하여 0.1 내지 8 mm의 평균 직경을 가지도록 분쇄함으로써 투명 칩을 제조하였다.

Claims (19)

  1. (A) 할로겐을 함유하는 에폭시-산 부가물; 및
    (B) 톨루엔 디이소시아네이트, 메틸렌 디페닐 디이소시아네이트, 염화 톨루엔 디이소시아네이트, 불화 톨루엔 디이소시아네이트 및 이소포론 디이소시아네이트로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 이소시아네이트 화합물을 포함하는 수지 조성물.
  2. 제 1 항에 있어서,
    (A) 할로겐을 함유하는 에폭시-산 부가물은, i) 할로겐을 함유하는 에폭시 수지; 및 ii) 일염기산 및 다가염기산으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상을 포함하는 산을 반응시켜 얻어진 것을 특징으로 하는 수지 조성물.
  3. 제 1 항에 있어서,
    (A) 할로겐을 함유하는 에폭시-산 부가물은, i) 할로겐을 함유하는 에폭시 수지 100 중량부에 대하여, ii) 일염기산 및 다가염기산으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상을 포함하는 산 1 내지 30 중량부를 반응시켜 얻어진 것을 특징으로 하는 수지 조성물.
  4. 제 2 항에 있어서,
    ii) 산은 카르복실기를 함유하는 것을 특징으로 하는 수지 조성물.
  5. 제 2 항에 있어서,
    ii) 산은 C1 내지 C12의 알킬기를 함유하는 카르복실산, C2 내지 C10의 알킬렌기를 함유하는 디카르복실산 및 C6 내지 C12의 아릴기를 함유하는 디카르복실산으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 수지 조성물.
  6. 제 1 항에 있어서,
    (A) 할로겐을 함유하는 에폭시-산 부가물은 수산가가 1 내지 20인 것을 특징으로 하는 수지 조성물.
  7. 제 1 항에 있어서,
    (A) 할로겐을 함유하는 에폭시-산 부가물은 에폭시 당량이 300 내지 2000 e/q인 것을 특징으로 하는 수지 조성물.
  8. 삭제
  9. 삭제
  10. 제 1 항에 있어서,
    (B) 이소시아네이트 화합물은 20 중량% 내지 50 중량%의 NCO를 포함하는 것을 특징으로 하는 수지 조성물.
  11. 제 1 항에 있어서,
    (A) 할로겐을 함유하는 에폭시-산 부가물 100 중량부에 대하여 (B) 이소시아네이트 화합물 1 내지 20 중량부를 포함하는 것을 특징으로 하는 수지 조성물.
  12. 제 1 항에 있어서,
    (A) 에폭시-산 부가물 100 중량부에 대하여, (C) 글리시딜기 함유 화합물 5 중량부 내지 20 중량부를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 수지 조성물.
  13. 제 12 항에 있어서,
    (C) 글리시딜기 함유 화합물은 n-부틸 글리시딜 에테르, 지방족 글리시딜 에테르, 2-에틸헥실 글리시딜 에테르, 페닐 글리시딜 에테르, o-크레실 글리시딜 에테르, p-터셔리 부틸 페닐 글리시딜 에테르, 3-알킬 페놀 글리시딜 에테르, o-페닐 페놀 글리시딜 에테르, 벤질 글리시딜 에테르, 1,4-부탄디올 디글리시딜 에테르, 1,4-헥산디올 디글리시딜 에테르, 네오펜틸 글리콜 디글리시딜 에테르, 1,4-시클로헥산 디메탄올 디글리시딜 에테르, 폴리프로필렌 글리콜 디글리시딜 에테르, 에틸렌글리콜 디글리시딜 에테르, 폴리에틸렌 글리콜 디글리시딜 에테르, 레조시놀 디글리시딜 에테르, 트리메틸올프로판 트리글리시딜 에테르, 글리세롤 글리시딜 에테르, 소르비톨 폴리글리시딜 에테르, 네오데카노익산 글리시딜 에테르 및 디글리시 딜-1,2-시클로헥산 디카르복실레이트로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 수지 조성물.
  14. 제 1 항에 있어서,
    반응 촉진제, 펄, 금속 분말, 유리 조각, 색상 부여제, 소포제, 커플링제, 자외선 흡수제, 광 확산제 및 중합 억제제로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 (D) 첨가제를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 수지 조성물.
  15. 제 1 항에 있어서,
    비중이 1.50 내지 1.80인 것을 특징으로 하는 수지 조성물.
  16. 제 1 항에 따른 수지 조성물의 경화물을 포함하는 투명 칩.
  17. 제 16 항에 있어서,
    경화물의 충격강도가 2.0 내지 5.0 kj/m2인 것을 특징으로 하는 투명 칩.
  18. 베이스 수지; 및 제 16 항에 따른 투명 칩을 포함하는 인조대리석.
  19. 제 18 항에 있어서,
    베이스 수지 100 중량부에 대하여 투명 칩 5 내지 30 중량부를 포함하는 인조대리석.
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