KR101004516B1 - 지지 부재를 이용하여 마이크로폰을 형성하는 공정 - Google Patents

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Abstract

마이크로폰을 형성하는 방법은 백플레이트, 및 습식 에칭으로 제거가능한 희생층의 적어도 일부분 상의 유동성 격막을 형성한다. 본 방법은 습식 에칭 저항성 물질을 부가하고, 습식 에칭 저항성 물질의 일부분은 격막과 백플레이트 사이에 위치하여 격막을 지지한다. 습식 에칭 저항성 물질의 일부는 격막과 백플레이트 사이에 위치되지 않는다. 그리고 나서, 본 방법은, 이전에 언급된 부가 작업 동안에 부가된 습식 에칭 저항성 물질 중 임의의 부분이 제거되기 전에 희생 물질을 제거한다. 그 다음에, 희생 물질의 적어도 일부분을 제거한 후에 습식 에칭 저항성 물질은 실질적으로 그 전체가 제거된다.
격막층, 희생층, 백플레이트, 이면 공동

Description

지지 부재를 이용하여 마이크로폰을 형성하는 공정{PROCESS OF FORMING A MICROPHONE USING SUPPORT MEMBER}
본 발명은 일반적으로 마이크로폰들에 관한 것이며, 더욱 구체적으로는, 마이크로폰들을 형성하는 방법들에 관한 것이다.
일부 공정들은, 종국에는 습식 에칭 공정들에 의해서 제거되는 희생 물질(sacrificial material) 상에 격막 물질(diaphragm material)을 성막함으로써, MEMS 마이크로폰들과 같은 마이크로폰들을 형성한다. 그러나, 에칭액의 표면 장력으로 인해 격막이 그것의 해당 백플레이트(backplate)에 고정되는 경우, 문제점들이 발생한다. 관성 감지기들(inertial sensors)을 함께 이용하기 위해 논의된 한가지 방법의 예에 대해서 미국 특허 제 5,314,572호를 참조한다.
본 발명의 일 양태에 따라, 마이크로폰을 형성하는 방법은 백플레이트, 및 습식 에칭으로 제거가능한 희생층의 적어도 일부분 상에 유동성 격막을 형성한다. 본 방법은 습식 에칭 저항성 물질을 부가하고, 습식 에칭 저항성 물질의 일부분은 격막과 백플레이트 사이에 위치하여 격막을 지지한다. 습식 에칭 저항성 물질의 일부는 격막과 백플레이트 사이에 위치되지 않는다. 그리고 나서, 본 방법은, 이전에 언급된 부가 작업 동안에 부가된 습식 에칭 저항성 물질 중 임의의 부분이 제거되기 전에 희생 물질을 제거한다. 그 다음에, 희생 물질의 적어도 일부분을 제거한 후에 습식 에칭 저항성 물질은 실질적으로 그 전체가 제거된다.
일부 실시예들은 격막을 릴리즈(release)하며, 이것은 희생 물질 제거 단계 및 습식 에칭 저항성 물질 제거 단계를 포함한다. 일부 실시예들에서, 습식 에칭 저항성 물질은 포토레지스트 물질을 포함한다. 또한, 습식 에칭 저항성 물질은 건식 에칭의 도포에 의해 제거될 수 있다. 유동성 격막을 형성하는 작업은 다수의 상이한 것들을 포함할 수 있음을 유념해야 한다. 예를 들어, 희생층 상에 물질을 성막하는 단계, 또는 단순히 SOI(silicon-on-insulator) 웨이퍼의 최상층과 같은, 절연체 상에 실리콘 웨이퍼를 제공하는 단계를 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에서, 습식 에칭 저항성 물질은, 단일 작업의 공정에 의해 실질적으로 완전히 제거되는, 단일의 실질적으로 인접하는 기관(apparatus)이다. 또한, 습식 에칭 저항성 물질은, 습식 에칭 저항성 물질의 부분이 격막과 백플레이트 사이에 위치된 후, 패터닝되지 않을 수 있다.
백플레이트는, SOI 웨이퍼의 부분과 같은, 다수의 상이한 유형들의 웨이퍼들로부터 형성될 수 있다. 또 다른 예로서, 희생 물질은 폴리실리콘 또는 산화물로부터 형성될 수 있다.
다양한 공정들이 실행되어 마이크로폰을 완성할 수 있다. 예를 들어, 본 방법은 격막을 통해 제1 홀을 형성하고, 희생 물질을 통해 제2 홀을 형성할 수 있다. 제2 홀은 격막의 하면(bottom surface)과 백플레이트의 상면(top surface) 사이에 채널을 효과적으로 생성한다. 격막을 지지하기 위해, 습식 에칭 저항성 물질의 부분은 실질적으로 채널을 채운다. 일부 실시예들에서, 습식 에칭 저항성 물질은, 희생 물질이 제거되는 경우에도 제1 홀을 실질적으로 완전히 채운다.
본 발명의 다른 실시예에 따라, MEMS 마이크로폰을 형성하는 방법은, 최상층을 갖는 SOI 웨이퍼를 제공하고, SOI 웨이퍼의 최상층 상에 희생 물질을 형성하며, 희생 물질 상에 격막을 형성한다. 본 방법은 또한 격막을 통해 홀을 형성하고, 희생 물질을 통해 채널을 형성한다. 홀과 채널은 유체 소통(fluid communication) 상태로 존재하며, 채널은 격막의 하면(bottom surface) 및 SOI 웨이퍼의 최상층의 상면을 노출한다. 그리고 나서, 본 방법은 채널 내의 제1 부분을 갖고, 채널에 대해 바깥쪽인 제2 인접 부분을 갖는 습식 에칭 저항성 물질을 부가하고 격막을 통해 홀을 실질적으로 완전히 채운다. 희생 물질의 적어도 일부분은, 습식 에칭 저항성 물질 중 임의의 부분을 제거하기 전에 제거된다.
본 방법은 결국 격막을 릴리즈할 수 있다. 그러한 이유로, 습식 에칭 저항성 물질은 예시적으로, 적어도 희생 물질의 부분을 제거한 후에 제거된다. 일부 실시예들에서, 본 방법은 하단 및 중단 SOI층들의 일부분을 제거하여 이면 공동(backside cavity)을 형성한다. 본 방법은 또한 SOI 웨이퍼의 최상층을 통해 백플레이트 홀을 형성할 수 있다. 예시적인 실시예들은, 습식 에칭 저항성 물질이 채널에 부가된 후 습식 에칭 저항성 물질이 패터닝되지 않음을 보장한다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따라, MEMS 마이크로폰 장치는 백플레이트, 쓰루-홀(through-hole) 및 상부와 하부측을 갖는 격막, 그리고 백플레이트와 격막 간에 실질적으로 연속하고, 패터닝되어 있지 않은, 습식 에칭 저항성 물질을 갖는다. 그 물질은 격막의 상부 및 하부측들 양쪽에 접촉함으로써 격막을 지지한다. 또한, 장치는 격막과 백플레이트의 부분들 사이에 공간(air space)을 갖는다.
본 발명의 다른 실시예들에 따라, MEMS 마이크로폰을 형성하는 방법은 격막과 기판 사이에 존재하는 희생층 상에 격막을 제공한다. 다음으로, 본 방법은 기판과 격막 간에 습식 에칭 저항성 물질을 형성하고 이면 공동을 형성한다. 그리고 나서 본 방법은 이면 공동을 통해 희생 물질에 습식 에칭 물질을 도포하여 희생층의 적어도 일부분을 제거한다. 습식 에칭 물질을 도포한 후, 습식 에칭 저항성 물질의 적어도 일부분은 격막층을 지지한다.
일부 실시예들에서, 격막층, 희생층 및 기판은 각각 단일의 SOI 웨이퍼의 층들이다. 또한, 제공 단계는 격막을 형성하기 위해 희생층 상에 물질을 성막하는 단계를 포함할 수 있다.
본 발명의 전술한 장점들은 첨부하는 도면들을 참조하여 이하의 상세 설명으로부터 더욱 완전하게 이해될 것이다.
도 1A는 본 발명의 예시적인 실시예들에 따라 제조될 수 있는 패키지되지 않은 마이크로폰의 투시도를 개략적으로 도시한다.
도 1B는 도 1A에 도시된 마이크로폰의 횡단면도를 개략적으로 도시한다.
도 2A 및 2B는 본 발명의 예시적인 실시예들에 따라, 도 1A 및 1B에 도시된 마이크로폰을 형성하는 공정을 도시한다.
도 3A는 도 2A(단계들 200-208)에 도시된 방법의 단(stage) 동안의 마이크로폰의 도면을 개략적으로 도시한다.
도 3B는 도 2A(단계 214)에 도시된 방법의 단 동안의 마이크로폰의 도면을 개략적으로 도시한다.
도 3C는 도 2A(단계 216)에 도시된 방법의 단 동안의 마이크로폰의 도면을 개략적으로 도시한다.
도 3D는 도 2A(단계 218)에 도시된 방법의 단 동안의 마이크로폰의 도면을 개략적으로 도시한다.
도 3E는 도 2A(단계 220)에 도시된 방법의 단 동안의 마이크로폰의 도면을 개략적으로 도시한다.
예시적인 실시예들에서, 마이크로폰을 형성하는 방법은 유체 에칭 저항성 물질을 이용하여, 유체/습식 에칭 단계 동안에 그것의 격막이 그것의 백플레이트에 부착되거나 또는 고정되는 것을 방지한다. 그러한 이유로, 예시적인 방법은 습식 에칭 저항성 물질을 격막과 백플레이트 간에 형성하고, 따라서 습식 에칭 단계 동안에 격막을 지지한다. 다양한 실시예들이, 유체 에칭 물질이 비교적 적은 단계들(예를 들어, 부가를 위한 하나 또는 두개의 단계들 및 습식 에칭 저항성 물질에 대해 특성화되지 않은 패터닝 공정에 대한 단일 단계가 필요함)로 부가되고 제거된다. 예시적인 실시예들의 상세 설명은 이하에 논의된다.
도 1A는, 본 발명의 실시예들에 따라 제조될 수 있는 마이크로폰(10)(또한 " 마이크로폰 칩(10)"으로 지칭됨)의 상부, 투시도를 개략적으로 도시한다. 도 1B는 동일한 마이크로폰(10)의 횡단면도를, 도 1A의 선 B-B를 가로질러, 개략적으로 도시한다.
무엇보다도, 마이크로폰(10)은 유동성 격막(14)을 갖는 캐패시터를 지지하고 형성하는 정적인 백플레이트(12)를 포함한다. 예시적인 실시예들에서, 백플레이트(12)는 단결정 실리콘(예를 들어, SOI 웨이퍼의 최상층)으로부터 형성되는 한편, 격막(14)은 성막된 폴리실리콘으로부터 형성된다. 그러나, 그외의 실시예들은 그외의 유형들의 물질들을 이용하여 백플레이트(12)와 격막(14)을 형성한다. 예를 들어, 단결정 실리콘 벌크 웨이퍼, 또는 소정의 성막된 물질이 백플레이트(12)를 형성할 수 있다. 마찬가지의 방식으로, 단결정 실리콘 벌크 웨이퍼, SOI 웨이퍼의 부분, 또는 소정의 다른 성막된 물질이 격막(14)을 형성할 수 있다. 작업을 촉진하기 위해, 백플레이트(12)는 이면 공동(18)쪽으로 인도하는 복수의 쓰루-홀들(16)을 가진다.
스프링들(19)은, 기판을 포함하는 마이크로폰(10)의 정적인 위치에 격막(14)을 이동가능하게 연결한다. 오디오 신호들은 격막(14)이 진동하도록 야기하고, 따라서 가변 캐패시턴스를 만들어 낸다. 온-칩 또는 오프-칩 회로(도시되지 않음)는 (컨택들(15))을 통해 이러한 가변 캐패시턴스를 수신하고, 더 처리될 수 있는 전기 신호로 변환한다. 도 1A 및 1B에 도시된 특정 마이크로폰(10)에 대한 논의는 오직 예시적인 목적들을 위한 것임을 유념해야 한다. 따라서, 그외의 마이크로폰 구성들이 본 발명의 실시예들을 이용하여 이용될 수 있다.
도 2A 및 2B는, 본 발명의 예시적인 실시예들에 따라, 도 1A 및 도 1B에 도시된 마이크로폰(10)을 형성하는 공정을 도시한다. 나머지 도면들은 이 공정의 다양한 단계들을 도시한다. 이 공정은 마이크로폰(10)을 형성하는데 요구되는 모든 단계들을 설명하지 않는다는 것을 유념해야 한다. 그 대신에, 마이크로폰(10)을 형성하는 다양한 관련 단계들을 도시한다. 따라서, 일부 단계들은 논의되지 않는다.
본 공정은, SOI 웨이퍼의 상층에 트렌치들(20)을 에칭하는 단계(200)에서 시작한다. 도 3A는 이러한 단계 및 단계들(202-208)을 도시하는 중간 장치(22)를 개략적으로 도시한다. 다음으로, 본 공정은 희생 산화물(24)을 트렌치들(20)의 벽들 및 SOI 웨이퍼의 상층의 상면의 적어도 일부분을 따라 부가한다(단계 202). 그외의 방식들에서도, 이러한 산화물(24)이 성장되거나 성막될 수 있다. 단계(202)는, 희생 폴리실리콘(26)을 산화물 라인드 트렌치들(oxide lined trenches)(20) 및 상측 산화물(24)에 부가함으로써 계속된다.
희생 폴리실리콘(26)을 부가한 후, 본 공정은 희생 폴리실리콘(26) 내로 홀(28)을 에칭한다(단계 204). 그리고 나서 본 공정은, 희생 폴리실리콘(26)을 실질적으로 캡슐화하기 위해 추가의 산화물(24)을 부가하는 단계(206)로 계속된다. 산화물(24)을 부가하는 그외의 단계들과 마찬가지의 방식으로, 이러한 산화물(24)은, 접촉하게 되는 그외의 산화물들과 필수적으로 통합된다. 단계(206)는 궁극적으로 격막(14)을 형성하는 추가의 폴리실리콘층을 부가함으로써 계속된다.
패시베이션(passivation)을 위한 질화물(30)과 전기적 접속성을 위한 금 속(32)이 또한 부가된다. 예를 들어, 성막된 금속이, 격막(14) 상에 전하를 위치시키는 제1 전극을 형성하고, 백플레이트(12) 상에 전하를 위치시키는 또 다른 전극을 형성하고, 추가의 전기적 접속들을 제공하는 본드 패드들(15)을 형성하도록 패터닝될 수 있다. 본드 패드들과 전극들 사이에 전기적 접속들(도시되지 않음)이 존재할 수 있다.
그 다음에 본 공정은 격막(14)을 노출시키고, 격막(14)을 통해 홀들(34)을 에칭한다(단계(208)). 이하에 더 상세히 논의되는 바와 같이, 이들 홀들 중 하나("격막 홀(34A)")는, 이러한 공정 동안의 제한된 시간 동안, 궁극적으로 격막(14)을 지지하는 받침대(pedestal)(42)의 형성을 조력한다. 다음으로, 포토레지스트층(36)이 부가되어, 격막(14)을 완전히 덮는다(단계(210)). 이러한 포토레지스트층(36)은 에칭 마스크의 기능을 한다.
포토레지스트(36)를 부가한 후, 본 공정은 격막 홀(34A)을 노출시킨다(단계 212, 도 3B). 그러한 이유로 인해, 본 공정은 선택된 부분을 광에 대해 노출시킴으로써 포토레지스트(36)를 통해 홀("레지스트 홀(38)")을 형성한다. 이러한 레지스트 홀(38)은 예시적으로 격막 홀(34A)의 내부 직경보다 더 큰 내부 직경을 갖는다.
레지스트 홀(38)을 형성한 후, 본 공정은 산화물(24)을 통해 홀(40)을 형성한다(단계 214, 도 3B). 예시적인 실시예들에서, 이러한 산화물 홀(40)은, 상위 SOI 웨이퍼의 상면으로 확장하는 내부 채널을 효과적으로 형성한다.
산화물 홀(40)은, 첫번째로 격막 홀(34A)의 내부 직경과 실질적으로 동일한 내부 직경을 가질 것으로 기대된다. 두번째 단계로, 수용성 하프늄 에칭과 같은 것이, 산화물 홀(40)의 내부 직경이 격막 홀(34A)의 내부 직경보다 더 크도록 확대하기 위해 사용될 수 있다. 이러한 확대된 산화물 홀 직경은 격막(14)의 하부측의 일부분을 필수적으로 노출한다. 다시 말해서, 이때 본 공정에서, 채널은 격막(14)의 하부측과 백플레이트(22)의 상면 간에 공간을 형성한다.
또한, 이때 본 공정에서, 전체 포토레지스트층(36)은 추가의 처리를 허용하기 위해 제거될 수 있다. 예를 들어, 본 공정은 격막(14)을 패터닝할 수 있으므로, 기존의 포토레지스트층(36)(즉, 포토레지스트층(36)에 의해 형성된 마스크)의 제거를 필요로 한다. 그러나, 그외의 실시예들은 이러한 포토레지스트층(36)을 단계(222)까지는 제거하지 않는다(이하에 논의된다).
그리고 나서, 본 공정은 단계(216)로 계속하여, 산화물 및 격막 홀들(40 및 34)(도 3C)을 실질적으로 채우기 위해 추가의 포토레지스트(36)를 부가한다. 산화물 홀(40)을 채우는 포토레지스트(36)는 최상위 SOI 층의 실리콘과 접촉하고, 격막 홀(34A) 주위의 격막의 하부측과 접촉한다.
원래의 마스크를 제거하지 않는 실시예는 따라서 충분한 양의 포토레지스트(36)를 2 단계로 도포(즉, 우선은 마스크, 그리고 나서 산화물 홀(40)을 실질적으로 채우도록 추가의 레지스트를 도포함)하는 한편, 원래의 마스크를 제거하는 실시예는 충분한 양의 포토레지스트(36)를 단일 단계로 도포한다. 두가지 실시예들 모두에서, 도 3C에 도시된 바와 같이, 포토레지스트(36)는 필수적으로 단일의, 격막(14)의 위 아래로 실질적으로 연속적인 기관으로서 동작한다. 실시예는 희생층 이 에칭(즉, 희생 산화물(24) 및 폴리실리콘(26)의 제거, 이하에 논의됨)되기 전에 포토레지스트(36)를 패터닝하지 않는다.
또한, 이때 본 공정은 이면 공동(18)을 형성할 수 있다. 그러한 이유로 인해, 도 3C에 도시된 바와 같이, 종래의 공정들은 또 다른 포토레지스트 마스크를 SOI 웨이퍼의 하부측 상에 적용하여 하부 SOI 실리콘층의 일부분을 에칭하여 제거할 수 있다. 이것은 SOI 웨이퍼 내의 산화물층의 일부분을 노출시킨다. 그리고 나서 노출된 산화물층의 일부분이 제거되어, 희생 폴리실리콘(26)을 포함하여 희생 물질들의 나머지를 노출시킨다.
이때, 희생 물질들이 제거될 수 있다. 그러한 이유로, 본 공정은 희생 폴리실리콘(26)을 제거하고(단계 218, 도 3D), 그 후에 희생 산화물(24)을 제거한다(단계 220, 도 3E). 무엇보다도, 예시적인 실시예들은 이면 공동(18)을 통해, (예를 들어, 크세논 이불화물(xenon difluoride)를 이용한) 건식 에칭 공정을 이용하여 폴리실리콘(26)을 제거한다. 또한, 예시적인 실시예들은 습식 에칭 공정을 이용하여 (예를 들어, 소정량의 시간 동안 산성 용액(acid bath)에 장치를 둠으로써) 산화물(24)을 제거한다. 그러나, 소정의 실시예들은 모든 희생 물질을 제거하지 않는다. 예를 들어, 그러한 실시예들은 산화물(24)의 부분들을 제거하지 않을 수 있다. 그 경우, 산화물(24)은 캐패시턴스에 영향을 줄 수 있다.
도 3E에 도시되는 바와 같이, 격막(14)과 상부 SOI 층 간의 포토레지스트(36)는 격막(14)을 지지한다. 다시 말해서, 그 위치에서의 포토레지스트(36)는 격막(14)을 지지하는 받침대(42)를 형성한다. 본 기술분야의 당업자에 의해 알려 진 바와 같이, 포토레지스트(36)는 실질적으로 습식 에칭 공정들(예를 들어, 전술한 것들과 같은 수용성 하프늄 공정)에 대한 내성이 있다. 그럼에도 불구하고 그외의 습식 에칭 저항성 물질들이 사용될 수 있음을 유념해야 한다. 따라서 포토레지스트(36)에 대한 논의는 예시적이며 모든 실시예들의 범주를 한정하도록 의도하는 것은 아니다.
다르게 말하면, 포토레지스트(36)의 일부분은 격막(14)과 백플레이트(12) 간의 공간에 존재하며, 즉, 이것은 공간의 경계의 일부분을 가로막거나 또는 그렇지 않은 경우 형성한다. 또한, 도면들에 도시된 바와 같이, 이러한 포토레지스트(36)는 격막(14) 및 격막(14)의 상면부 상의 홀(34)을 통해 실질적으로 연속적인 기관으로서 확장한다. 그것은 희생층들 중 적어도 일부분을 제거하기 전에는 패터닝되지 않는다. 마이크로폰(10)을 효과적으로 제조하기 위해 어떠한 패터닝 단계들도 요구되지 않는다.
격막(14)을 릴리즈하기 위해서, 본 공정은 단계(222)로 계속하여, 포토레지스트(36)/받침대(42)를 단일 단계로 제거한다. 무엇보다도, 이면 공동(18)을 통한 건식 에칭 공정들이 이러한 단계를 달성하기 위해 사용될 수 있다. 이러한 단계는 예시적으로 단순히 포토레지스트(36)의 선택된 부분이 아닌 실질적으로 모든 포토레지스트(36)를 제거한다.
복수의 받침대(42)가, 백플레이트(12)와 격막(14) 간의 정지 마찰(stiction)의 위험을 최소화하기 위해 사용될 수 있다. 사용되는 받침대의 수는, 사용된 습식 에칭 저항성 물질의 유형, 받침대(42)의 크기 및 모양, 그리고 격막(14)의 크 기, 모양 및 합성을 포함하는 다수의 요인들의 함수이다. 따라서 단일 받침대(42)에 대한 논의는 예시적 목적을 위한 것이다.
본 발명의 다양한 실시예들은 마이크로폰(10) 또는 격막(14)의 임의의 특정 모양, 물질, 또는 구성에 한정되지 않는다는 것을 유념해야 한다. 마이크로폰(10)은, 예를 들어, 둥글거나 사각형일 수 있고, 솔리드형이거나 하나 이상의 홀들에 의해 구멍이 뚫릴 수 있고, 그리고/또는 평탄하거나 주름이 졌을 수 있다. 상이한 격막 구성들은 설명된 것들과 상이한 또는 추가의 공정들을 필요로 할 수 있다. 예를 들어, 격막(14)에 홀들 또는 주름을 형성하도록 추가의 공정들이 요구될 수 있다.
따라서, 유체의 표면 장력과 관련된 정지 마찰 문제들은, 유체들을 이용하는 희생층 제거 공정들이, 받침대(42)가 제거되기 전에 완료되기 때문에 완화되어야 한다. 더욱이, 이면 공동(18)을 통해 희생 물질을 제거하면, 격막(14)을 통해 (에칭 물질의 소통을 허용하기 위한) 홀들을 에칭하는 단계를 필요로 하지 않음으로써 마이크로폰(10) 성능에 바람직하게 영향을 미친다. 구체적으로는, 본 기술분야에 주지된 바와 같이, 더욱 강하고, 견고한 용량성 신호를 제공하는 넓은 영역을 갖는 격막(14)을 구비하는 것이 바람직하다. 격막(14)에 홀들을 에칭하는 것은 유효 격막 영역을 원치 않게 감소시키며, 따라서 유효 신호를 감소시킨다. 또한, 이면 공동(18)을 이용하는 것은 격막을 지지하기 위해 사용되는 포토레지스트(36)를 패터닝할 필요를 제거하고, 결과적으로 제조 공정을 단순화한다.
비록, 위의 논의가 본 발명의 다양한 예시적인 실시예들을 개시하지만, 본 기술분야의 당업자는 본 발명의 진정한 범주로부터 벗어나지 않으면서 본 발명의 장점들 중 일부를 달성할 다양한 변경들을 이룰 수 있음이 명백하다.

Claims (25)

  1. 마이크로폰(microphone) 형성 방법으로서,
    백플레이트(backplate)를 형성하는 단계;
    습식 에칭으로 제거가능한 희생층(sacrificial layer)의 일부분 또는 전체 상에 유동성 격막(flexibile diaphragm)을 형성하는 단계;
    습식 에칭 저항성 물질을 부가하는 단계 - 상기 습식 에칭 저항성 물질의 일부분은 상기 격막과 상기 백플레이트 간에 위치하여 상기 격막을 지지함 - ;
    상기 습식 에칭 저항성 물질을 부가하는 단계에 의해 부가된 상기 습식 에칭 저항성 물질의 일부분을 제거하기 전에 상기 습식 에칭으로 제거가능한 희생층의 희생 물질을 제거하는 단계; 및
    상기 희생 물질의 일부분 또는 전체를 제거한 후 상기 부가된 습식 에칭 저항성 물질을 제거하는 단계
    를 포함하는 마이크로폰 형성 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 격막을 릴리즈(release)하는 단계 - 상기 릴리즈 단계는 상기 희생 물질을 제거하고 상기 습식 에칭 저항성 물질을 제거하는 단계를 포함함 - 를 더 포함하는 마이크로폰 형성 방법.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 습식 에칭 저항성 물질은 포토레지스트 물질을 포함하는 마이크로폰 형성 방법.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 격막을 통해 홀을 형성하는 단계;
    상기 희생 물질을 통해 채널을 형성하는 단계 - 상기 홀은 상기 격막을 통해 상기 홀과 유체 소통 상태로 존재함 - ; 및
    상기 희생 물질이 제거되는 동안 상기 습식 에칭 저항성 물질이 상기 채널을 채우는 단계를 더 포함하는 마이크로폰 형성 방법.
  5. 제1항에 있어서,
    부가하는 단계는 연속적인 습식 에칭 저항성 물질을 부가하는 단계 - 모든 상기 연속적인 습식 에칭 저항성 물질은 상기 부가된 습식 에칭 저항성 물질을 제거하는 단계(act)에 의해 제거됨 - 를 포함하는 마이크로폰 형성 방법.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 격막은 SOI 웨이퍼의 층으로부터 형성되는 마이크로폰 형성 방법.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 습식 에칭 저항성 물질은, 상기 습식 에칭 저항성 물질의 일부분이 상기 격막과 상기 백플레이트 간에 위치된 후에 패터닝되지 않는 마이크로폰 형성 방법.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 백플레이트는 SOI(silicon-on-insulator) 웨이퍼의 일부분인 마이크로폰 형성 방법.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 희생 물질은 폴리실리콘 또는 산화물을 포함하는 마이크로폰 형성 방법.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 격막을 통해 제1 홀을 형성하는 단계;
    상기 희생 물질을 통해 제2 홀을 형성하는 단계
    를 더 포함하고,
    상기 제2 홀은 상기 격막의 하면과 상기 백플레이트의 상면 간에 채널을 생성하고, 상기 습식 에칭 저항성 물질의 일부분은 상기 채널을 채우는 마이크로폰 형성 방법.
  11. MEMS 마이크로폰 형성 방법으로서,
    SOI 웨이퍼를 제공하는 단계;
    상기 SOI 웨이퍼의 최상층 상에 희생 물질을 형성하는 단계;
    상기 희생 물질 상에 격막을 형성하는 단계;
    상기 격막을 통해 홀을 형성하는 단계;
    상기 희생 물질을 통해 채널을 형성하는 단계 - 상기 홀과 채널은 유체 소통 상태로 존재하며, 상기 채널은 상기 격막의 하면과 상기 SOI 웨이퍼의 상기 최상층의 상면을 노출시킴 - ;
    상기 채널 내의 제1 부분과 채널에 대해 바깥쪽인 제2 연속 부분을 갖는 습식 에칭 저항성 물질을 부가하여, 상기 격막을 통해 상기 홀을 완전히 채우는 단계; 및
    상기 습식 에칭 저항성 물질의 일부분 또는 전체가 제거되기 전에 상기 희생 물질의 일부분 또는 전체를 제거하는 단계
    를 포함하는 MEMS 마이크로폰 형성 방법.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 격막을 릴리즈하는 단계를 더 포함하는 MEMS 마이크로폰 형성 방법.
  13. 제11항에 있어서,
    상기 희생 물질의 일부분 또는 전체를 제거한 후 상기 습식 에칭 저항성 물질을 제거하는 단계를 더 포함하는 MEMS 마이크로폰 형성 방법.
  14. 제11항에 있어서,
    상기 SOI 웨이퍼는 또한 하부층과, 상기 최상층과 하부층 간의 중간층을 갖고,
    상기 방법은 이면 공동(backside cavity)을 형성하기 위해 상기 하부층 및 상기 중간층의 일부분을 제거하는 단계를 더 포함하는 MEMS 마이크로폰 형성 방법.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 SOI 웨이퍼의 상기 최상층을 통해 백플레이트 홀을 형성하는 단계를 더 포함하는 MEMS 마이크로폰 형성 방법.
  16. 제11항에 있어서,
    상기 습식 에칭 저항성 물질은, 상기 습식 에칭 저항성 물질이 상기 채널에 부가된 후에 패터닝되지 않는 MEMS 마이크로폰 형성 방법.
  17. MEMS 마이크로폰 형성 방법으로서,
    습식 에칭으로 제거가능한 희생층 상에 격막층을 제공하는 단계 - 상기 희생층은 상기 격막층과 기판 사이에 존재함 - ;
    상기 기판과 상기 격막 사이에 습식 에칭 저항성 물질을 형성하는 단계;
    이면 공동(backside cavity)을 형성하는 단계; 및
    상기 이면 공동을 통해 상기 습식 에칭으로 제거가능한 희생층의 희생 물질에 습식 에칭 물질을 도포하여 상기 희생층의 일부분 또는 전체를 제거하는 단계 - 상기 습식 에칭 저항성 물질의 일부분 또는 전체는, 상기 습식 에칭 물질을 도포한 후 상기 격막층을 지지함 -
    를 포함하는 MEMS 마이크로폰 형성 방법.
  18. 제17항에 있어서,
    상기 격막층, 희생층 및 기판은 단일 SOI 웨이퍼의 각각의 층들인 MEMS 마이크로폰 형성 방법.
  19. 제17항에 있어서,
    제공하는 단계는, 상기 격막을 형성하기 위해 상기 희생층 상에 격막 물질을 성막하는 단계를 포함하는 MEMS 마이크로폰 형성 방법.
  20. 제17항에 있어서,
    상기 습식 에칭 저항성 물질은, 상기 습식 에칭 물질을 상기 희생 물질에 도포하기 전에 패터닝되지 않는 MEMS 마이크로폰 형성 방법.
  21. 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서, 백플레이트를 형성하는 단계는,
    기판에 하나 이상의 트렌치를 에칭하는 단계
    를 포함하는 마이크로폰 형성 방법.
  22. 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서, 백플레이트를 형성하는 단계는,
    기판에 하나 이상의 트렌치를 에칭하는 단계; 및
    하나 이상의 희생 물질로 하나 이상의 트렌치를 부분적으로 또는 전체적으로 채우는 단계
    를 포함하는 마이크로폰 형성 방법.
  23. 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서, 백플레이트를 형성하는 단계는,
    기판에 하나 이상의 트렌치를 에칭하는 단계; 및
    희생 산화물을 포함하는 희생 물질로 하나 이상의 트렌치를 채우는 단계
    를 포함하는 마이크로폰 형성 방법.
  24. 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서, 백플레이트를 형성하는 단계는,
    기판에 하나 이상의 트렌치를 에칭하는 단계; 및
    희생 폴리실리콘을 포함하는 희생 물질로 하나 이상의 트렌치를 채우는 단계
    를 포함하는 마이크로폰 형성 방법.
  25. 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서, 백플레이트를 형성하는 단계는,
    기판에 하나 이상의 트렌치를 에칭하는 단계; 및
    희생 산화물을 포함하는 희생 물질 및 희생 폴리실리콘을 포함하는 희생 물질로 하나 이상의 트렌치를 채우는 단계
    를 포함하는 마이크로폰 형성 방법.
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