KR100901777B1 - 유연 스프링형 진동판을 갖는 콘덴서 마이크로폰 및 그제조방법 - Google Patents

유연 스프링형 진동판을 갖는 콘덴서 마이크로폰 및 그제조방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 콘덴서 마이크로폰 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 유연한 스프링형 구조의 상부 진동판과 백플레이트를 갖는 초소형 콘덴서 마이크로폰 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
본 발명의 콘덴서 마이크로폰 제조방법은 하부 실리콘층 및 제1 절연층을 형성하는 단계; 상기 절연막 상에 백 플레이트로 사용될 상부 실리콘층을 형성하는 단계; 상기 상부 실리콘층을 패터닝하여 다수의 음향홀을 형성하는 단계; 상기 음향홀이 형성된 다음, 상기 상부 실리콘층 상에 제2 절연층을 형성하는 단계; 상기 음향홀이 형성된 상기 상부 실리콘층 상에 도전층을 형성하고, 상기 도전층 상에 보호층을 형성하는 단계; 상기 보호층 상에 희생층을 형성하는 단계; 상기 희생층 상에 진동판을 증착하고 상기 진동판의 판면을 관통하는 복수의 에어홀을 형성하는 단계; 상기 에어홀을 포함하는 진동판이 형성된 다음, 상기 보호층과 상기 진동판의 일영역 상에 전극 패드를 형성하는 단계; 상기 진동판과 상기 상부 실리콘층 사이에 에어갭을 형성하기 위해 상기 희생층, 보호층, 도전층, 상부 실리콘층, 제1 절연층 및 하부 실리콘층을 식각하는 단계를 포함한다.
이에 따라, 유연성을 갖는 진동판을 포함함으로써, 마이크로폰의 감도를 향상시킬 뿐만 아니라 반도체 멤스 기술을 이용한 제작 공정은 콘덴서 마이크로폰의 사이즈를 줄일 수 있어 휴대용 단말기 등에 집적이 가능하다.
초소형 마이크로폰, 유연 스프링형 진동판, 콘덴서 마이크로폰, 멤스

Description

유연 스프링형 진동판을 갖는 콘덴서 마이크로폰 및 그 제조방법{The structure and Manufacturing Process of a Condenser Microphone With a Flexure Hinge Diaphragm}
도 1a는 종래 기술에 따른 원판형 진동판을 갖는 콘덴서 마이크로폰의 구조를 도시한 단면도이고, 도 1b는 종래 기술에 따른 주름 구조의 진동판을 갖는 콘덴서 마이크로폰의 구조를 도시한 단면도이다.
도 2a는 본 발명에 따른 유연 스프링 구조의 진동판을 갖는 콘덴서 마이크로폰의 구조의 부분 절취 사시도이고, 도 2b는 본 발명에 따른 유연한 스프링 구조의 진동판을 갖는 콘덴서 마이크로폰의 구조의 단면도이다.
도 3a 내지 도 3h는 도 2b의 콘덴서 마이크로폰의 제조 공정을 순차적으로 나타낸 공정도이다.
도 4a는 종래 기술에 따른 원판형 진동판의 유연성을 나타내는 도면이고, 도 4b는 본 발명에 따른 유연 스프링 진동판의 유연성을 나타내는 도면이다.
** 도면의 주요 부분에 대한 부호 설명 **
20: 콘덴서 마이크로폰 21: SOI 웨이퍼
21a: 하부 실리콘층 21b: 제1 절연층
22: 백플레이트 22a: 음향홀
23: 제2 절연층 24: 에어갭
25: 진동판 25a: 진동영역
25b: 접촉영역 25c: 에어홀
31: 도전층 32: 보호층
33: 희생층 34a, 34b: 전극 패드
본 발명은 콘덴서 마이크로폰 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로는, 유연 스프링형 진동판을 구비한 초소형 콘덴서 마이크로폰 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
일반적으로 콘덴서 마이크로폰은 외부 진동 음압에 의해 진동판이 떨림으로써 발생되는 정전 용량의 변화를 전기적 신호로 출력하는 원리를 이용하는 것으로, 마이크, 전화기, 휴대 전화기, 및 비디오 테이프 레코오더 등에 부착하여 사용한다.
도 1a는 종래 기술에 따른 원판형 진동판을 갖는 콘덴서 마이크로폰의 구조를 도시한 단면도이고, 도 1b는 종래 기술에 따른 주름 구조의 진동판을 갖는 콘덴 서 마이크로폰의 구조를 도시한 단면도이다.
도 1a 및 도 1b를 참조하면, 종래의 콘덴서 마이크로폰은 실리콘 웨이퍼(11), 실리콘 웨이퍼(11) 상에 형성된 백플레이트(12), 백플레이트(12)의 상부에 에어갭(13)을 사이에 두고 형성된 진동판(14)을 포함한다. 백플레이트(12)에는 백플레이트(12)의 판면을 관통하며 상기 에어갭(13)과 연통하는 다수의 음향홀(12a)이 형성되어 있으며, 백플레이트(12)와 진동판(14, 15) 사이에는 절연층(16)이 형성되어 있다.
도 1a에 개시된 진동판(14)은 원판 형상이며, 도 1b에 개시된 진동판(15)은 주름 구조를 갖는다. 일반적으로, 진동판(14, 15)은 작은 외부 진동에도 쉽게 떨릴 수 있고 마이크로폰의 감도를 향상시키기 위해 유연하게 형성하는 것이 바람직하며, 종래에는 원판형이나 주름 구조를 이용하여 기계적인 유연성을 얻도록 하였다.
그러나, 전술한 구조의 콘덴서 마이크로폰은 진동판을 충분히 진동시키기 위해 일정값 이상의 에너지를 필요로 하는데, 도 1a에 개시된 원판형 진동판(14) 보다는 도 1b에 개시된 주름구조의 진동판(15)을 형성함으로써 진동판의 유연성을 개선할 수 있지만, 이들 콘덴서 마이크로폰의 진동판을 진동시키려면 충분한 입력 음압이 주어져야 한다.
또한, 전술한 종래 구조를 갖는 콘덴서 마이크로폰들은 반도체 멤스 공정을 이용하여 1mm이하로 소형화할 때에 낮은 주파수 대역에서 성능이 떨어진다는 단점이 있으며, 게다가 콘덴서 마이크로폰의 일반적인 주파수 응답 특성은 진동판의 면 적이 넓을 경우에는 낮은 주파수 대역에서 높은 감도를 보이고, 면적이 좁을 경우에는 높은 주파수 대역까지 커버할 수 있지만 감도가 떨어진다는 단점이 있다.
따라서, 본 발명은 전술한 문제점들을 모두 해결하기 위해 고안된 발명으로, 본 발명의 목적은 유연 스프링 형 진동판을 갖는 콘덴서 마이크로폰 및 그 제조 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 유연 스프링형 진동판을 이용하여 가청 주파수 대역을 커버하면서 매우 높은 감도를 나타내는 콘덴서 마이크로폰 및 그 제조 방법을 제공하는 것이다.
전술한 목적을 달성하기 위한, 본 발명의 일 측면에 따르면, 본 콘덴서 마이크로폰 제조 방법은 하부 실리콘층 및 제1 절연층을 형성하는 단계; 상기 절연막 상에 백 플레이트로 사용될 상부 실리콘층을 형성하는 단계; 상기 상부 실리콘층을 패터닝하여 다수의 음향홀을 형성하는 단계; 상기 음향홀이 형성된 다음, 상기 상부 실리콘층 상에 제2 절연층을 형성하는 단계; 상기 음향홀이 형성된 상기 상부 실리콘층 상에 도전층을 형성하고, 상기 도전층 상에 보호층을 형성하는 단계; 상기 보호층 상에 희생층을 형성하는 단계; 상기 희생층 상에 진동판을 증착하고 상기 진동판의 판면을 관통하는 복수의 에어홀을 형성하는 단계; 상기 에어홀을 포함하는 진동판 이 형성된 다음, 상기 보호층과 상기 진동판의 일영역 상에 전극 패드를 형성하는 단계; 및 상기 진동판과 상기 상부 실리콘층 사이에 에어갭을 형성하기 위해 상기 희생층, 보호층, 도전층, 상부 실리콘층, 제1 절연층 및 하부 실리콘층을 식각하는 단계를 포함한다.
바람직하게, 콘덴서 마이크로폰의 제조방법에서는 상기 하부 실리콘층, 상기 제1 절연층 및 상기 상부 실리콘층으로 이루어진 SOI 웨이퍼를 이용한다. 상기 음향홀은 DRIE(deep reactive ion etching) 공정을 이용하여 형성한다. 상기 제2 절연층을 형성하는 단계는, 상기 음향홀이 형성된 상기 상부 실리콘층 상에 화학 기상 증착 방법으로 상기 제2 절연층을 증착하는 단계; 및 상기 상부 실리콘층의 둘레 영역에만 상기 제2 절연층이 남도록 사진 공정을 이용하여 상기 음향홀 형성 영역에 형성된 상기 제2 절연층을 패터닝하는 단계를 포함한다.
상기 희생층을 형성하는 단계는 상기 희생층을 증착한 후, 상기 음향홀에 의해 형성된 굴곡 영역을 평탄화하기 위해 평탄화 물질을 스핀 코팅하는 단계를 포함한다. 상기 평탄화 물질은 SOG(silicon on glass)이다. 상기 스핀 코팅 회수를 조절하여 상기 희생층의 두께를 변화시킴으로써, 상기 진동판과 상기 백플레이트 사이에 형성된 상기 에어갭이 높이를 조절할 수 있다. 상기 진동판은 실리콘 질화물, 폴리 이미드 및 폴리실리콘 중 적어도 하나와 금속 물질을 이용한다. 상기 진동판에 상기 에어홀을 형성하기 위해 식각 공정을 이용한다.
상기 희생층, 보호층, 도전층, 상부 실리콘층, 제1 절연층 및 하부 실리콘층을 식각하는 단계는, DRIE 공정을 이용하여 상기 보호층, 도전층, 상부 실리콘층, 제1 절연층 및 하부 실리콘층을 식각하는 단계와, 습식 식각 공정을 이용하여 상기 희생층을 식각하는 단계를 포함한다. 상기 희생층 식각 시 상기 진동판의 변형을 방지하기 위해, 상기 희생층을 식각하기 전에 상기 진동판 상에 포토레지스트층을 코팅하는 단계; 및 상기 희생층이 식각된 다음 상기 포토레지스트층을 제거하는 단계를 더 포함한다.
본 발명의 다른 일 측면에 따르면, 본 콘덴서 마이크로폰은 하부 실리콘층상에 형성된 제1 절연층; 상기 제1 절연층 상에 형성되며, 판면을 관통하는 다수의 음향홀이 형성된 백플레이트; 상기 백플레이트에 형성된 상기 음향홀이 막히지 않도록 상기 백플레이트의 둘레영역에 형성된 제2 절연층; 상기 제2 절연층과 접촉하는 접촉영역, 상기 접촉영역으로부터 상향 돌출되어 상기 백플레이트와 에어갭을 형성하는 진동영역, 및 상기 진동영역의 판면을 관통하는 다수의 에어홀을 구비하는 진동판을 포함한다.
바람직하게, 상기 에어홀은 상기 에어갭 및 상기 음향홀과 연통하도록 형성된다. 상기 백플레이트는 실리콘층을 이용한다. 상기 진동판은 실리콘 질화물, 폴리이미드 및 폴리실리콘 중 적어도 하나와 금속 물질을 이용하여 단층 또는 다층으로 형성된다. 상기 금속 물질은 알루미늄, 금, 타이텅스텐(TiW) 및 구리 중 하나를 이용한다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예를 구체적으로 설명한다.
도 2a는 본 발명에 따른 유연 스프링 구조의 진동판을 갖는 콘덴서 마이크로폰의 구조의 절취 사시도이고, 도 2b는 본 발명에 따른 유연한 스프링 구조의 진동판을 갖는 콘덴서 마이크로폰의 구조의 단면도이다. 설명의 편의를 위해, 음향홀 및 에어홀 등 일부 구성 요소들의 단면선들은 생략하였다.
도 2a 및 도 2b를 참조하면, 본 발명에 따른 콘덴서 마이크로폰(20)은 하부 실리콘층(21a), 제1 절연층(21b) 및 백플레이트로 사용될 상부 실리콘층(22)을 포함하는 SOI 웨이퍼(21), 백플레이트(22)의 둘레방향을 따라 형성된 제2 절연층(23), 백플레이트(22)의 상부에 형성되는 진동판(25)을 포함한다.
진동판(25)은 제2 절연층(23)과 접촉하는 접촉영역(25b)과 접촉영역(25b)으로부터 상향 돌출된 진동영역(25a)을 포함한다. 진동판(25)의 진동영역(25a)과 백플레이트(22) 사이에는 에어갭(24)이 형성되며, 진동판(25)의 진동영역(25a)에는 에어갭(24)과 연통하며 판면을 관통하는 다수의 에어홀(25c)이 형성된다. 백플레이트(22)에는 백플레이트(22)의 판면을 관통하며 에어갭(24)과 연통하는 다수의 음향홀(22a)이 형성된다. 에어홀(25c)의 형성 형태(크기, 반복 개수) 및 음향홀(22a)의 개수, 크기 및 분포 등을 조절함에 따라, 다양한 주파수 특성을 갖는 콘덴서 마이크로폰의 제작이 가능하다.
전술한 구성을 갖는 콘덴서 마이크로폰의 제조 공정을 도 3을 참조하여 구체적으로 설명한다. 도 3a 내지 도 3h는 도 2b의 콘덴서 마이크로폰의 제조 공정을 순차적으로 나타낸 공정도이다.
본 발명에 따른 콘덴서 마이크로폰을 제조하기 위해서는, 도 3a를 참조하면, 우선, SOI 웨이퍼(21)를 준비한다. SOI(silicon on insulator) 웨이퍼(21)는 하부 실리콘층(21a), 제1 절연층(21b), 및 백플레이트로 사용될 상부 실리콘층(22, 이하, 백플레이트)으로 구성된다.
도 3b를 참조하면, SOI 웨이퍼(21)의 상부 실리콘층으로 이루어진 백플레이트(22) 상에, 백플레이트(22)에 음향홀(22a)을 형성하기 위해 상부 실리콘층(22)을 패터닝한다. 패터닝하기 위해서, 딥 반응 이온 에칭(DRIE; deep reactive ion etching) 식각 장비를 이용한다. 음향홀 영역이 패터닝된 다음에는, 패터닝된 백플레이트(22) 상에 절연층(23)을 형성한다. 절연층(23)은 화학 기상 증착 방법(CVD)을 이용하여 증착한다.
도 3c를 참조하면, 절연층(23)이 형성된 다음, 음향홀(22a) 영역이 형성되지 않는 백플레이트(22)의 외곽에만 절연층(23)이 남도록 패터닝한다. 이때, 절연층(23)은 사진 공정을 이용하여 패터닝한다.
절연층(23)이 패터닝된 다음에는, 도 3d를 참조하면, 패터닝된 절연층(23)과 백플레이트(22) 상에 도전층(31)을 형성한다. 본 실시 예에서 도전층(31)은 알루미늄(Al), 금(Au), 타이텅스텐(TiW) 등과 같은 금속물질을 사용하며, 또한, 표면에 전하를 임플란트하는 방법(implantation) 등을 이용하여 도전층(31)을 형성할 수 있다. 상기 도전층(31)은 백플레이트(22)의 전극으로써 콘덴서 마이크로폰에 전극을 인가하는 하부 전극층으로 사용된다. 도전층(31) 상에는 도전층(31)을 보호하는 보호층(32)이 형성된다.
보호층(32)이 형성된 다음에는, 도 3e를 참조하면, 보호층(32) 상에 희생층(33)을 형성한다. 보호층(32) 상에 형성된 희생층(33)은 상기 음향홀(22a)이 형성된 영역을 커버할 수 있도록 형성되는 것으로, 보호층(32)의 둘레 방향을 따라 보호층(32)의 외곽영역이 노출되도록 형성된다. 희생층(33)은 마지막 단계에서 식각할 것을 고려하여 보호층(32)과 식각 선택성이 좋은 물질을 사용한다. 희생층(33)은 실리콘 산화막, 포토레지스트, 폴리이미드와 같은 다양한 폴리머 계열, 또는 Al과 같은 금속 물질 중 하나를 사용할 수 있다. 또한, 희생층(33)을 형성할 때는 음향홀(22a) 영역 상에 형성되는 희생층(33)의 굴곡을 평탄화하기 위해 SOG (silicon on glass)를 사용하는 것이 바람직하지만, 포토레지스트와 같이 높은 온도의 공정을 진행할 수 없는 경우에는 건조필름레지스트(DFR, Dry Film Resist)와 같은 물질을 사용할 수 있다. 상기 희생층(33)에 사용되는 평탄화 물질은 스핀 코팅(spin coating) 방법을 이용하여 수회 코팅된다. 평탄화 물질을 스핀 코팅하는 회수를 조절함으로써, 희생층(33)의 두께를 조절할 수 있으며, 희생층(33)의 두께를 조절함으로써 진동판(25)의 진동 시 진동판(25)과 백플레이트(22) 사이에 형성되는 에어갭(24)의 높이를 조절할 수 있다. 에어갭(24, 도 3h 참조)의 높이를 조절함으로써, 진동판(25)과 백플레이트(22)가 서로 닿지 않도록 충분한 공간을 구비할 수 있다.
도 3f를 참조하면, 희생층(33) 상부에는 희생층(33)을 둘러싸는 진동판(25)이 형성된다. 진동판(25)은 보호층(32)과 접촉하는 접촉 영역(25b)과, 희생층(33)의 형상에 따라 형성된 진동 영역(25a)을 갖는다. 진동판(25)은 금속 물질 및 실 리콘 질화물을 포함한다. 본 실시 예에서는 알루미늄 금속 물질과 실리콘 질화물 두 층으로 형성되어 있다. 한편, 진동판(25)은 금속 물질 및 실리콘 질화물, 폴리이미드, 폴리실리콘 등 다양한 물질로 구성될 수 있으며, 금속 물질로는 알루미늄 뿐 아니라 금, 타이텅스텐, 구리 등 다양한 물질을 이용할 수 있다. 희생층(33) 상에 진동판(25)이 형성된 다음에는, 각 공정을 통해 진동판(25)의 진동영역(25a)의 판면을 관통하는 다수의 에어홀(25c)이 형성된다. 다수의 에어홀(25c)을 형성함으로써, 상기 진동판(25)은 유연성을 갖는 탄성 변형 가능한 스프링 구조가 되는 것이다. 에어홀(25c)은 홀 형태 및 진동 영역(25a)의 중심을 따라 방사상으로 형성된 슬롯 형태를 갖도록 형성할 수 있다.
도 3g를 참조하면, 그 다음 단계에서는 (+) 전극 및 (-) 전극으로 구성된 전극 패드(34a, 34b)를 형성한다. 전극 패드(34a)는 도전층(31)과 전기적으로 연결되도록 보호층(32) 상에 형성되며, 전극 패드(34b)는 진동판(25)과 전기적으로 연결되도록 형성된다. 상기 전극 패드(34a, 34b)를 형성하기 위해서는, 보호층(32)과 진동판(25)의 접촉 영역(25b)의 일부를 식각한 다음 그 상부에 알루미늄, 금, 은 등 표면저항이 작은 도전 물질을 증착하고 패터닝하는 공정을 수행한다.
도 3h를 참조하면, 전극 패드(34a, 34b)가 형성된 다음에는 SOI 웨이퍼(21)의 하부 실리콘층(21a), 제1 절연층(21b), 도전층(31), 보호층(32) 및 희생층(33)을 식각한다. 하부 실리콘층(21a), 제1 절연층(21b), 도전층(31) 및 보호층(32)은 DRIE(deep reactive ion etching) 공정을 이용하여 식각하고, 희생층(33)은 습식 식각 공정을 이용하여 제거한다. 하부 실리콘층(21a), 제1 절연층(21b) 및 도전 층(31)이 제거됨으로써 백플레이트(22)로 사용되는 상부 실리콘층에 다수의 음향홀(22a)이 형성되며, 희생층(33)이 제거됨으로써 에어홀(22a) 및 음향홀(25c)과 연통하는 에어갭(24)이 형성된다. 에어갭(24)을 형성하는 단계는, 희생층(33) 제거시 발생할 수 있는 진동판(25)의 뒤틀림을 방지하기 위하여 진동판(25) 상에 포토레지스트를 도포하는 단계와, 희생층(33)이 제거된 다음 건식 식각 공정을 이용하여 진동판(25) 상에 도포된 상기 포토레지스트를 제거하는 단계를 더 포함한다.
전술한 공정 순서에 따라 제작된 콘덴서 마이크로폰(20)은 진동판(25)의 두께 또는 진동영역(25a)의 직경, 폭, 두께, 에어홀(25c)의 길이 및 반복회수, 백플레이트(22)에 형성된 음향홀(22a)의 개수, 크기 및 분포 등을 조절함으로써 주파수 특성 및 감도를 다양하게 변화시킬 수 있다. 전술한 제조 공정으로 제작된 유연 스프링 구조의 진동판(25)을 이용하는 경우에는, 기존의 원판형 진동판 또는 주름 구조의 진동판을 이용한 콘덴서 마이크로폰에 비하여 유연하기 때문에 외부 입력 음압에 의해 더욱 민감하게 진동하게 되어 출력 전압을 더욱 높일 수 있다.
도 4a는 종래 기술에 따른 원판형 진동판의 유연성을 나타내는 도면이고, 도 4b는 본 발명에 따른 유연 스프링 진동판의 유연성을 나타내는 도면이다.
도 4a를 참조하면, 종래 기술에 따른 원판형 진동판을 사용하는 경우의 변위(dmax)는 0.7314E-4 ㎛/Pa이고, 도 4b를 참조하면, 본 발명에 따른 진동판을 사용 하는 경우의 변위(dmax)는 0.01826 ㎛/Pa이다. 이들은 동일한 조건(예를 들면, 진동판의 두께, 재질, 음향홀의 개수, 인가 전압 등) 하에서 실험을 한 결과로, 본 발명에 의해 제조된 진동판을 사용하는 경우에는 종래 기술에 따라 제조된 진동판에 비해 진동 범위(d)가 250배 정도 큰 것을 확인할 수 있다. 이상 실험 결과를 통해, 종래 콘덴서 마이크로폰이 일정 크기 이하(예를 들면, 1㎜이하)로 줄어드는 경우에는 감도가 떨어져서 낮은 주파수 대역에서의 성능이 매우 좋지 않지만, 본 발명에 따라 제작된 유연 스프링 진동판을 포함하는 콘덴서 마이크로폰은 1mm이하의 작은 사이즈로 제작되는 경우에도 매우 높은 감도를 갖기 때문에 가청 주파수 대역을 모두 커버할 수 있다.
이상 본 발명의 바람직한 실시 예를 첨부도면에 따라 상세하게 설명하였지만, 이는 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있을 정도로 상세하게 설명하기 위한 것이지, 본 발명의 기술적인 범주 및 사상이 한정되는 것을 의미하지는 않는다.
이상 전술한 구성에 따르면, 상기와 같이 본 발명은 다수의 에어홀이 형성된 유연 스프링형 진동판을 포함함으로써 외부 입력 음압에 의해 더욱 민감하게 진동하게 되어 출력 전압을 더 높일 수 있다.
또한, 전술한 제작 공정을 이용하여 진동판을 형성하는 경우에는 작은 사이즈로 제작되어도 매우 높은 감도를 갖고 가청 주파수 대역을 모두 커버할 수 있다.본 발명의 콘덴서 마이크로폰 제작은 실리콘 웨이퍼를 이용하기 때문에, CMOS 등의 구동 회로와 집적이 가능할 뿐만 아니라 휴대폰, PDA, PMP 등의 모바일 기기에도 사용 가능하다.

Claims (16)

  1. 하부 실리콘층 및 제1 절연층을 형성하는 단계;
    상기 제1 절연층 상에 백 플레이트로 사용될 상부 실리콘층을 형성하는 단계;
    상기 상부 실리콘층을 패터닝하여 다수의 음향홀을 형성하는 단계;
    상기 음향홀이 형성된 다음, 상기 상부 실리콘층 상에 제2 절연층을 형성하는 단계;
    상기 음향홀이 형성된 상기 상부 실리콘층 상에 도전층을 형성하고, 상기 도전층 상에 보호층을 형성하는 단계;
    상기 보호층 상에 희생층을 형성하는 단계;
    상기 희생층 상에 진동판을 증착하고 상기 진동판의 판면을 관통하는 복수의 에어홀을 형성하는 단계;
    상기 에어홀을 포함하는 진동판이 형성된 다음, 상기 보호층과 상기 진동판의 일영역 상에 전극 패드를 형성하는 단계;
    상기 진동판과 상기 상부 실리콘층 사이에 에어갭을 형성하기 위해 상기 희생층, 보호층, 도전층, 상부 실리콘층, 제1 절연층 및 하부 실리콘층을 식각하는 단계
    를 포함하는 유연 스프링형 진동판을 갖는 콘덴서 마이크로폰의 제조방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 하부 실리콘층, 상기 제1 절연층 및 상기 상부 실리콘층으로 이루어진 SOI 웨이퍼를 이용하는 유연 스프링형 진동판을 갖는 콘덴서 마이크로폰의 제조 방법.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 음향홀은 DRIE(deep reactive ion etching) 공정을 이용하여 형성하는 유연 스프링형 진동판을 갖는 콘덴서 마이크로폰의 제조방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 제2 절연층을 형성하는 단계는,
    상기 음향홀이 형성된 상기 상부 실리콘층 상에 화학 기상 증착 방법으로 상기 제2 절연층을 증착하는 단계; 및
    유연 스프링형 진동판을 갖는상기 상부 실리콘층의 둘레 영역에만 상기 제2 절연층이 남도록 사진 공정을 이용하여 상기 음향홀 형성 영역에 형성된 상기 제2 절연층을 패터닝하는 단계
    를 포함하는 유연 스프링형 진동판을 갖는 콘덴서 마이크로폰의 제조방법.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 희생층을 형성하는 단계는 상기 희생층을 증착한 후, 상기 음향홀에 의해 형성된 굴곡 영역을 평탄화하기 위해 평탄화 물질을 스핀 코팅하는 단계를 포함하는 유연 스프링형 진동판을 갖는 콘덴서 마이크로폰의 제조방법.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 평탄화 물질은 SOG(silicon on glass)인 유연 스프링형 진동판을 갖는 콘덴서 마이크로폰의 제조방법.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 스핀 코팅 회수를 조절하여 상기 희생층의 두께를 변화시킴으로써, 상기 진동판과 상기 백플레이트 사이에 형성된 상기 에어갭이 높이를 조절할 수 있는 유연 스프링형 진동판을 갖는 콘덴서 마이크로폰의 제조방법.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 진동판은 실리콘 질화물, 폴리 이미드 및 폴리실리콘 중 적어도 하나와 금속 물질을 이용하는 유연 스프링형 진동판을 갖는 콘덴서 마이크로폰의 제조방법.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 진동판에 상기 에어홀을 형성하기 위해 식각 공정을 이용하는 유연 스프링형 진동판을 갖는 콘덴서 마이크로폰의 제조방법.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 희생층, 보호층, 도전층, 상부 실리콘층, 제1 절연층 및 하부 실리콘층을 식각하는 단계는,
    DRIE 공정을 이용하여 상기 보호층, 도전층, 상부 실리콘층, 제1 절연층 및 하부 실리콘층을 식각하는 단계와, 습식 식각 공정을 이용하여 상기 희생층을 식각하는 단계를 포함하는 유연 스프링형 진동판을 갖는 콘덴서 마이크로폰의 제조방법.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 희생층 식각 시 상기 진동판의 변형을 방지하기 위해, 상기 희생층을 식각하기 전에 상기 진동판 상에 포토레지스트층을 코팅하는 단계; 및 상기 희생층이 식각된 다음 상기 포토레지스트층을 제거하는 단계
    를 더 포함하는 유연 스프링형 진동판을 갖는 콘덴서 마이크로폰의 제조방법.
  12. 하부 실리콘층상에 형성된 제1 절연층;
    상기 제1 절연층 상에 형성되며, 판면을 관통하는 다수의 음향홀이 형성된 백플레이트;
    상기 백플레이트의 둘레 영역에 형성된 제2 절연층;
    상기 제2 절연층과 접촉하는 접촉영역, 상기 접촉영역으로부터 상향 돌출되어 상기 백플레이트와 에어갭을 형성하는 진동영역, 및 상기 진동영역의 판면을 관통하는 다수의 에어홀을 구비하는 진동판
    을 포함하는 유연 스프링형 진동판을 갖는 콘덴서 마이크로폰.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 에어홀은 상기 에어갭 및 상기 음향홀과 연통하는 유연 스프링형 진동판을 갖는 콘덴서 마이크로폰.
  14. 제12항에 있어서,
    상기 백플레이트는 실리콘층을 이용하는 유연 스프링형 진동판을 갖는 콘덴서 마이크로폰.
  15. 제12항에 있어서,
    상기 진동판은 실리콘 질화물, 폴리이미드 및 폴리실리콘 중 적어도 하나와 금속 물질을 이용하여 단층 또는 다층으로 형성되는 유연 스프링형 진동판을 갖는 콘덴서 마이크로폰.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 금속 물질은 알루미늄, 금, 타이텅스텐(TiW) 및 구리 중 하나를 이용하는 유연 스프링형 진동판을 갖는콘덴서 마이크로폰.
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