KR100685092B1 - Mems 공정을 이용한 마이크로폰 및 그 제조 방법 - Google Patents
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Description
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- 하부에 이방성 에칭부가 형성된 반도체 기판과, 상기 반도체 기판의 상면에 증착된 하부 전극과, 상기 하부 전극의 외주연에 소정 공간을 가지며 반도체 기판의 상면에 형성된 다이아프레임과, 상기 다이아프레임 위에 증착된 상부 전극으로 이루어진 MEMS 공정을 이용한 마이크로폰에 있어서,상기 다이아프레임은 질화막으로 형성된 동시에 측벽은 모두 막히고, 상기 측벽에 연결된 상면은 평면상 원형 형태를 하며, 상기 상면의 원주 둘레 및 측벽은 소정 피치를 갖는 동시에 소정 곡률을 갖는 웨이브 형태이고, 상기 웨이브 형태는 두께 방향이 아닌 수평 방향으로서 내측 방향 및 외측 방향으로 교번하여 형성되며,상기 다이아프레임의 상면 및 상부 전극을 동시에 관통해서는 다수의 홀이 형성된 것을 특징으로 하는 MEMS 공정을 이용한 마이크로폰.
- 삭제
- 반도체 기판 위에 하부 전극을 증착하는 단계와,상기 하부 전극을 감싸도록 평면상 원형으로 희생층을 형성하되, 상기 희생층의 원주 둘레는 소정 피치 및 곡률을 가지며 수평 내측 방향 및 수평 외측 방향으로 교번하는 웨이브 형태가 되도록 하는 희생층 형성 단계와,상기 희생층의 표면에 소정 두께의 다이아프레임을 형성하고, 상부 전극을 증착하는 단계와,상기 상부 전극 및 다이아프레임을 관통시켜 다수의 홀을 형성하고, 상기 홀 내부의 희생층을 에칭하여 제거하는 단계를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 MEMS 공정을 이용한 마이크로폰의 제조 방법.
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