CN117202062A - Mems器件及其制作方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种MEMS器件及其制作方法。MEMS器件的制作方法包括：提供基底；在基底的顶面上形成第一牺牲层以及位于第一牺牲层上的振膜，振膜的边缘区域内形成有露出第一牺牲层的凹槽；在振膜上形成加强筋结构，加强筋结构填充凹槽且从凹槽侧壁延伸覆盖邻近凹槽的振膜表面；在加强筋结构上形成第二牺牲层，第二牺牲层共形地覆盖振膜和加强筋结构；对第二牺牲层进行平坦化处理并停止在加强筋结构的表面；以及在第二牺牲层上方依次形成第三牺牲层和上电极。如此，加强筋结构可以增强器件的机械强度，且加强筋结构作为第二牺牲层的平坦化处理的停止层，可以减小工艺波动对器件参数的影响。MEMS器件可以利用MEMS器件的制作方法制成。

Description

MEMS器件及其制作方法

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种MEMS器件及其制作方法。

背景技术

目前应用较多且性能较好的麦克风是微电机系统麦克风(Micro-Electro-Mechanical-System Microphone)，又称硅基电容麦克风，以下简称为MEMS麦克风。MEMS麦克风是一种用微机械加工技术制作出来的电声换能器，其具有体积小、频响特性好、噪声低等特点。

图1为现有的一种MEMS麦克风的剖面示意图。参考图1所示，目前制作MEMS麦克风的方法通常如下：在基底101上形成第一牺牲层102；在第一牺牲层102上形成振膜103；在振膜103上形成第二牺牲层104，第二牺牲层104的顶面会随着振膜103的图形轮廓起伏；采用化学机械研磨工艺对第二牺牲层104进行平坦化处理；在第二牺牲层104形成第三牺牲层105和上电极106。

目前在采用化学机械研磨工艺对第二牺牲层104进行平坦化处理时，通常通过控制研磨时间来控制第二牺牲层104的研磨量，但由于受前层膜厚、应力、机台研磨液刻蚀速率等的影响，研磨第二牺牲层104的工艺波动较大，常常造成MEMS麦克风在最终CP(ChipProbing)测试时存在参数(如振膜103与上电极106之间的电容C0)波动大、器件重复性不好的问题，影响大规模量产。

此外，对MEMS麦克风进行跌落失效测试时发现振膜失效位置主要集中在振膜和其它膜层的结合区域(如图1的虚线框位置)，这些区域应力较为集中，机械强度被削弱，导致MEMS麦克风可靠性测试失效。

发明内容

本发明的目的之一是提供一种MEMS器件及其制作方法，可以增强器件的机械强度，提高器件的可靠性，且可以减小工艺波动对器件参数的影响，提高器件重复性。

为了实现上述目的，本发明提供一种MEMS器件的制作方法。所述MEMS器件的制作方法包括：提供基底；在所述基底的顶面上形成第一牺牲层以及位于所述第一牺牲层上的振膜，所述振膜的边缘区域内形成有露出所述第一牺牲层的凹槽；在所述振膜上形成加强筋结构，所述加强筋结构填充所述凹槽且从所述凹槽侧壁延伸覆盖邻近所述凹槽的所述振膜表面；在所述加强筋结构上形成第二牺牲层，所述第二牺牲层共形地覆盖所述振膜和所述加强筋结构；对所述第二牺牲层进行平坦化处理并停止在所述加强筋结构的表面；以及在所述第二牺牲层上依次形成第三牺牲层以及上电极。

可选的，在所述振膜上形成加强筋结构的方法包括：在所述振膜上形成加强筋材料层，所述加强筋材料层覆盖所述振膜且填满所述凹槽；以及在所述加强筋材料层上形成图形化的掩模层，以所述图形化的掩模层为掩模，刻蚀所述加强筋材料层形成所述加强筋结构。

可选的，所述第二牺牲层的材料包括氧化硅；所述加强筋结构的材料包括氮化硅。

可选的，在所述基底的顶面上形成第一牺牲层以及位于所述第一牺牲层上的振膜的方法包括：在所述基底上形成第一牺牲层，所述第一牺牲层覆盖所述基底的顶面；在所述第一牺牲层中形成第一通孔，所述第一通孔露出所述基底；在所述第一牺牲层上形成振膜材料层，所述振膜材料层覆盖所述第一牺牲层以及填充所述第一通孔；以及对所述振膜材料层进行图形化处理形成所述振膜。

可选的，所述MEMS器件的制作方法还包括：对所述第二牺牲层进行平坦化处理之后、在所述第二牺牲层上形成第三牺牲层之前，在所述第二牺牲层中形成多个第二通孔，多个所述第二通孔露出所述振膜且位于所述振膜的中心区域上方；其中，所述第三牺牲层共形地覆盖所述加强筋结构、所述第二牺牲层以及所述第二通孔的内表面，且在所述第二通孔的上方限定出第三通孔。

可选的，所述MEMS器件的制作方法还包括：形成上电极之后，在所述上电极上形成背板材料层，所述背板材料层覆盖所述上电极以及第三材料层，且所述背板材料层填充所述第三通孔；对所述背板材料层进行图形化处理形成背板，所述背板的边缘区域具有第一导电孔和第二导电孔，所述背板的中心区域具有多个释放孔，所述第一导电孔露出所述上电极，所述第二导电孔贯穿所述背板材料层、所述第三牺牲层以及所述第二牺牲层并露出所述振膜，所述释放孔露出所述第三牺牲层；在所述背板上形成导电层，所述导电层覆盖所述背板的部分表面且覆盖所述第一导电孔和所述第二导电孔的内表面。

可选的，所述MEMS器件的制作方法还包括：从所述基底的背面刻蚀所述基底形成背腔，所述背腔露出所述第一牺牲层；通过所述背腔去除部分所述第一牺牲层，以在所述第一牺牲层中形成第一空腔，所述第一空腔释放所述振膜一侧的部分表面；以及，通过多个所述释放孔去除部分所述第三牺牲层以及部分所述第二牺牲层，以在所述振膜和所述上电极之间形成第二空腔，所述第二空腔释放所述振膜另一侧的部分表面。

可选的，对所述背板材料层进行图形化处理形成背板的步骤中，保留所述背板材料层填充所述第三通孔的部分，且所述第三通孔内的所述背板材料层作为阻挡块，所述阻挡块用于防止所述振膜在振动过程中接触所述上电极。

本发明的另一方面还提供一种MEMS器件。所述MEMS器件包括：基底，所述基底的中心区域具有贯穿所述基底的背腔；第一牺牲层，位于所述基底上，且具有与所述背腔连通的第一空腔；振膜，横跨在所述第一空腔上方且边缘区域覆盖部分所述第一牺牲层，所述振膜的边缘区域内具有贯穿所述振膜的凹槽；加强筋结构，填充所述凹槽且从所述凹槽侧壁延伸覆盖邻近所述凹槽的所述振膜表面；第二牺牲层，位于所述第一牺牲层上方且覆盖所述振膜的部分表面，所述第二牺牲层与所述加强筋结构远离所述基底的顶面齐平；第三牺牲层，覆盖所述第二牺牲层以及至少覆盖部分所述加强筋结构；上电极，位于所述第三牺牲层上；以及第二空腔，位于所述上电极以及所述振膜之间。

可选的，所述第三牺牲层与所述加强筋结构在所述基底表面的投影至少部分交叠，所述加强筋结构与所述第一牺牲层在所述基底表面的投影至少部分交叠。

本发明提供的MEMS器件及其制作方法中，在振膜的边缘区域形成加强筋结构，加强筋结构在器件跌落时可以对振膜与牺牲层的结合处进行保护，增加这些结合处的机械强度，提高器件的可靠性；此外，在对第二牺牲层进行平坦化处理时，加强筋结构可以作为第二牺牲层平坦化处理的停止层，与通过控制研磨时间控制研磨终点的方式相比，减小了机台和工艺的波动，提高了平坦化的效果，提高了后续形成的上电极到振膜的距离的均匀性，减小了工艺波动对器件参数的影响，提高了器件重复性，且第二牺牲层平坦化处理后器件的工艺流程可以保持不变，工艺流程变更小，技术可行性高。

附图说明

图1为现有的一种MEMS麦克风的剖面示意图。

图2为本发明一实施例提供的MEMS器件的制作方法流程图。

图3至图10为本发明一实施例提供的MEMS器件的制作方法的分步骤过程示意图。

图11为本发明一实施例提供的MEMS器件的剖面示意图。

附图标记说明：

(图1)101-基底；102-第一牺牲层；103-振膜；104-第二牺牲层；105-第三牺牲层；106-上电极；

(图3至图11)201-基底；202-第一牺牲层；202a-第一通孔；202b-凹坑；203-振膜；203a-凹槽；203b-折弯部；204-加强筋结构；205-第二牺牲层；205a-第二通孔；206-第三牺牲层；206a-第三通孔；207-上电极；208-背板；208a-释放孔；208b-第一导电孔；208c-第二导电孔；208d-阻挡块；209-导电层；210-背腔；211-第一空腔；212-第二空腔。

具体实施方式

以下结合附图和具体实施例对本发明提出的MEMS器件及其制作方法作进一步详细说明。根据下面说明，本发明的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。

图2为本发明一实施例提供的MEMS器件的制作方法流程图。如图2所示，本实施例提供的MEMS器件的制作方法包括：

步骤S1，提供基底；

步骤S2，在所述基底的顶面上形成第一牺牲层以及位于所述第一牺牲层上的振膜，所述振膜的边缘区域内形成有露出所述第一牺牲层的凹槽；

步骤S3，在所述振膜上形成加强筋结构，所述加强筋结构填充所述凹槽且从所述凹槽侧壁延伸覆盖邻近所述凹槽的所述振膜表面；

步骤S4，在所述加强筋结构上形成第二牺牲层，所述第二牺牲层共形地覆盖所述振膜和所述加强筋结构；

步骤S5，对所述第二牺牲层进行平坦化处理并停止在所述加强筋结构的表面；以及

步骤S6，在所述第二牺牲层上依次形成第三牺牲层和上电极。

图3至图10为本发明一实施例提供的MEMS器件的制作方法的分步骤过程示意图。图11为本发明一实施例提供的MEMS器件的剖面示意图。以下结合图2、图3至图11对本实施例的MEMS器件的制作方法进行说明。

如图3所示，本实施例中，步骤S1提供的基底201的材质可以是硅。在其它实施例中，基底201的材质可以是以下所提到的材料中的至少一种：锗、锗化硅、碳化硅、绝缘体上硅(SOI)、绝缘体上层叠硅(SSOI)、绝缘体上层叠锗化硅(S-SiGeOI)、绝缘体上锗化硅(SiGeOI)以及绝缘体上锗(GeOI)等。

继续参考图3所示，执行步骤S2，在基底201的顶面上形成第一牺牲层202以及位于第一牺牲层上的振膜203，振膜203的边缘区域内形成有露出第一牺牲层202的凹槽203a。

具体的，步骤S2可以包括：在基底201上形成第一牺牲层202，第一牺牲层202覆盖基底201的顶面；在第一牺牲层202中形成第一通孔202a，第一通孔202a露出基底201；在第一牺牲层202上形成振膜材料层，所述振膜材料层覆盖第一牺牲层202以及填充第一通孔202a；对振膜材料层进行图形化处理形成振膜203。

其中，第一牺牲层202的材料可以包括氧化硅，但不限于此。第一通孔202a贯穿第一牺牲层202。

对振膜材料层进行图形化处理形成振膜203的步骤可以包括：在振膜材料层上形成图形化的掩模层，以该图形化的掩模层为掩模刻蚀振膜材料层，形成振膜203。

示例性的，振膜203的材料可以包括但不限于多晶硅。

需要说明的是，后续在刻蚀去除部分第一牺牲层202以在第一牺牲层202的中心区域形成第一空腔的过程中，第一通孔202a内的振膜203可以作为刻蚀停止区。

参考图3所示，还可以在第一牺牲层202的顶面形成深度小于第一牺牲层202厚度的凹坑202b，振膜203贴覆在凹坑202b内表面的部分作为振膜203的折弯部203b，该折弯部203b位于振膜203的边缘区域。

参考图4所示，执行步骤S3，在振膜203上形成加强筋结构204，加强筋结构204填充振膜203中的凹槽203a，且从凹槽203a侧壁延伸覆盖邻近凹槽203a的振膜203表面。如图4所示，加强筋结构204设置在振膜203的边缘区域内。

示例性的，在振膜203上形成加强筋结构204的方法可以包括：在振膜203上形成加强筋材料层，加强筋材料层覆盖振膜203且填满凹槽203a；在加强筋材料层上形成图形化的掩模层，以该图形化的掩模层为掩模，刻蚀加强筋材料层形成加强筋结构204。

本实施例中，加强筋结构204由低应力材料制成，如此加强筋结构204可以更好的保护振膜203与其两侧的牺牲层的结合处，增加这些结合处的机械强度，有效地提高器件的可靠性。示例性的，加强筋结构204的材料包括低应力氮化硅，该低应力氮化硅可以通过化学气相沉积(CVD)工艺形成。

参考图5所示，执行步骤S4，在加强筋结构204上形成第二牺牲层205，第二牺牲层205共形地覆盖振膜203和加强筋结构204。

如图5所示，第二牺牲层205还覆盖振膜203下的第一牺牲层202；第二牺牲层205随着振膜203的图形轮廓起伏而起伏，即振膜203的图案会随形到第二牺牲层205，从而第二牺牲层205的顶面是不平整的表面。

示例性的，第二牺牲层205的材料可以与第一牺牲层202的材料相同。第二材料层205的材料可以包括但不限于氧化硅。

参考图6所示，执行步骤S5，对第二牺牲层205进行平坦化处理并停止在加强筋结构204的表面。

本实施例中，采用化学机械研磨(CMP)工艺对第二牺牲层205进行平坦化处理。需要说明的是，在对第二牺牲层205进行平坦化处理时，加强筋结构204可以作为第二牺牲层205的研磨停止层，与通过控制研磨时间控制研磨终点的方式相比，提高了研磨均匀性，使得加强筋结构204的顶面和第二牺牲层205的顶面组合为一平整的表面。示例性的，平坦化处理后，第二牺牲层205和加强筋结构204的顶面齐平。本申请中“齐平”是第二牺牲层205的顶面与加强筋结构204的顶面之差在较小的范围内。

参考图7所示，在第二牺牲层205中形成多个第二通孔205a，多个第二通孔205a露出振膜203且位于振膜203的中心区域上方。

示例性的，可以采用刻蚀工艺在第二牺牲层205中形成多个第二通孔205a。在刻蚀第二牺牲层205形成第二通孔205a的过程中，刻蚀停止在振膜203上，如此多个第二通孔205a的深度均匀性较好。

参考图8所示，在第二牺牲层205上形成第三牺牲层206，第三牺牲层206共形地覆盖加强筋结构204、第二牺牲层205以及第二通孔205a的内表面，且在每个第二通孔205a的上方限定出一个第三通孔206a。

示例性的，第三牺牲层206的材料包括但不限于氧化硅。

参考图9所示，在所述第三牺牲层206上方形成上电极207。

形成上电极207的方法可以包括：在第三牺牲层206上形成电极材料层，在电极材料层上形成图形化的掩模层，以该图形化的掩模层为掩模，刻蚀电极材料层形成上电极207。因此，本实施例的上电极207是图形化的膜层，且上电极207中具有与第三通孔206a位置对应的开口。

需要说明的是，由于在对第二牺牲层205进行平坦化处理时以加强筋结构204为停止层，从而第二牺牲层205的平坦化效果好，从而在第二牺牲层205和加强筋结构204上形成第三牺牲层206时，振膜203的图案不会随形到第三牺牲层206上，更不会随形到上电极207上，从而上电极207各个区域到振膜203的距离较为均匀，可以使得器件在CP测试时参数(如振膜103与上电极106之间的电容C0)波动较小，器件的重复性好。

示例性的，上电极207的材料可以包括但不限于多晶硅。

参考图10所示，在上电极207上形成背板材料层，背板材料层覆盖上电极207以及第三牺牲层206，且背板材料层填充第三通孔206a；对背板材料层进行图形化处理形成背板208，背板208的边缘区域具有第一导电孔208b和第二导电孔208c，背板208的中心区域具有多个释放孔208a，第一导电孔208b贯穿背板材料层且露出所述上电极207，第二导电孔208c贯穿背板材料层、第三牺牲层206以及第二牺牲层205并露出振膜203，释放孔208a露出第三牺牲层206。

示例性的，参考图10所示，本实施例中，振膜203和上电极207的宽度均小于第一牺牲层202、第二牺牲层205和第三牺牲层206的宽度，或者说，振膜203和上电极207的边界相对于第一牺牲层202、第二牺牲层205和第三牺牲层206的边界内缩设定距离。此外，振膜203的部分边缘区域从上电极207的边缘凸出，从而可以通过贯穿背板208、第三牺牲层206和第二牺牲层205的第二导电孔208c露出振膜。

需要说明的是，在形成第二导电孔208c的过程中，在刻穿背板材料层之后，需继续向下刻蚀第三牺牲层206和第二牺牲层205以形成第二导电孔208c。

参考图10所示，上电极207中具有多个与释放孔208a位置对应的开口，且释放孔208a贯穿背板208，从而释放孔208a能够露出第三牺牲层206。

示例性的，本实施例的MEMS器件为MEMS麦克风，多个释放孔208a可以作为MEMS麦克风的声孔。

继续参考图10所示，在形成背板208之前，还可以去除第三牺牲层206、第二牺牲层205以及第一牺牲层202的边缘部分露出基底201。背板208可以包裹第三牺牲层206、第二牺牲层205以及第一牺牲层202的侧壁，以保护背板208内部的结构，提高器件的可靠性。

示例性的，背板208的材料包括但不限于氮化硅。

参考图10和图11所示，对背板材料层进行图形化处理形成背板208的步骤中，保留背板材料层填充第三通孔206a的部分，且第三通孔206a内的背板材料层作为阻挡块208d，所述阻挡块208d用于防止振膜203在振动过程中接触上电极207。

需要说明的是，由于形成第二通孔205a时可以停止在振膜203上，使得第二通孔205a的深度均匀性好，进而在第二通孔205a上形成的第三通孔206a的深度均匀性也较好，在第三通孔206a内形成的阻挡块208d的高度均匀性较好。

在形成背板208之后，继续参考图10，在背板208上形成导电层209，导电层209覆盖背板208的部分表面且覆盖第一导电孔208b和第二导电孔208c的内表面。导电层209用于引出上电极207以及振膜203。具体的，导电层209可以包括第一导电层和第二导电层；第一导电层可以覆盖第一导电孔208b的内表面且从第一导电孔208b的侧壁延伸覆盖背板208的部分表面，第二导电层可以覆盖第二导电孔208c的内表面且从第二导电孔208c的侧壁延伸覆盖背板208的部分表面。可以分别在第一导电层和第二导电层上焊接引线以使得上电极207以及振膜203与外部电路电连接。

参考图11所示，从基底201的背面刻蚀基底201形成背腔210，背腔210露出第一牺牲层202；通过背腔210去除部分第一牺牲层202，以在第一牺牲层202中形成第一空腔211，第一空腔211释放振膜203一侧的部分表面；以及，通过多个释放孔208a去除部分第三牺牲层206以及部分第二牺牲层205，以在振膜203和上电极207之间形成第二空腔212，第二空腔212释放振膜203另一侧的部分表面。

示例性的，可以使用深反应离子刻蚀工艺(Deep Reactive Ion Etching，简称DRIE，属于干法蚀刻工艺的一种)或其它合适的刻蚀工艺对基底201进行刻蚀以形成背腔210。在形成背腔210之后，可以将包括基底201及其上方的膜层整体浸泡在刻蚀液中，以去除部分第一牺牲层202、部分第三牺牲层206以及部分第二牺牲层205形成第一空腔211和第二空腔212。

本实施例中，上电极207靠近振膜203的表面的部分在第二空腔212中露出。本实施例中，参考图11所示，在形成背腔210、第一空腔211和第二空腔212后，第三牺牲层206覆盖第二牺牲层205以及至少覆盖部分加强筋结构204，第三牺牲层206在基底201表面的投影与加强筋结构204在基底201表面的投影至少部分交叠，加强筋结构204在基底201表面的投影与第一牺牲层202在基底201表面的投影至少部分交叠，如此加强筋结构204可以有效地保护振膜203与牺牲层之间的结合处，有效地增强器件的机械强度。

参考图11所示，第一空腔211以及第二空腔212还释放了振膜203的折弯部203b，折弯部203b可以上下振动。在振膜203中设置折弯部203b有利于振膜203的上下振动，且振膜203的振幅可以较大，还能够起到释放振膜203应力的作用，能够降低振膜203破损的风险。

本实施例还提供一种MEMS器件。所述MEMS器件可以为MEMS麦克风，但不限于此。

参考图11所示，所述MEMS器件包括：基底201，所述基底201的中心区域具有贯穿基底201的背腔210；第一牺牲层，所述第一牺牲层202位于基底201上，且具有与背腔210连通的第一空腔211；振膜203，所述振膜203横跨在第一空腔211上方且边缘区域覆盖部分第一牺牲层202，振膜203的边缘区域内具有贯穿振膜203的凹槽203a；加强筋结构204，所述加强筋结构204填充凹槽203a且从凹槽203a侧壁延伸覆盖邻近凹槽203a的振膜203表面；第二牺牲层205，所述第二牺牲层205位于第一牺牲层202上方且覆盖振膜203的部分表面，第二牺牲层205与加强筋结构204远离基底201的顶面齐平；第三牺牲层206，所述第三牺牲层206覆盖第二牺牲层205以及至少覆盖部分加强筋结构204；上电极207，所述上电极207位于第三牺牲层206上；以及第二空腔212，所述第二空腔212位于上电极207以及振膜203之间。

具体的，第二空腔212位于第二牺牲层205和第三牺牲层206的中心区域且贯穿所述第二牺牲层205和第三牺牲层206。

示例性的，第三牺牲层206与加强筋结构204在基底201表面的投影至少部分交叠，加强筋结构204与第一牺牲层202在基底201表面的投影至少部分交叠。

所述加强筋结构204由低应力材料制成，如此加强筋结构204可以更好的保护振膜203与其两侧的牺牲层的结合处，增加这些结合处的机械强度，有效地提高器件的可靠性。示例性的，加强筋结构204的材料包括低应力氮化硅，该低应力氮化硅可以通过化学气相沉积(CVD)工艺形成。

第一牺牲层202、第二牺牲层205和第三牺牲层206的材料可以相同，例如均为氧化硅。

振膜203和上电极207的材料可以相同，例如均为多晶硅。

本发明提供的MEMS器件及其制作方法中，在振膜203的边缘区域形成加强筋结构204，加强筋结构204在器件跌落时可以对振膜203与牺牲层的结合处进行保护，增加这些结合处的机械强度，提高器件的可靠性；此外，在对第二牺牲层205进行平坦化处理时，加强筋结构204可以作为第二牺牲层205平坦化处理的停止层，与通过控制研磨时间控制研磨终点的方式相比，减小了机台和工艺的波动，提高了平坦化的效果，提高了后续形成的上电极207到振膜203的距离的均匀性，减小了工艺波动对器件参数的影响，提高了器件重复性，且第二牺牲层205平坦处理化后器件的工艺流程可以保持不变，工艺流程变更小，技术可行性高。

需要说明的是，本说明书采用递进的方式描述，在后描述的MEMS器件重点说明的都是与在前描述的MEMS器件的制作方法的不同之处，各个部分之间相同和相似的地方互相参见即可。

上述描述仅是对本发明较佳实施例的描述，并非对本发明权利范围的任何限定，任何本领域技术人员在不脱离本发明的精神和范围内，都可以利用上述揭示的方法和技术内容对本发明技术方案做出可能的变动和修改，因此，凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化及修饰，均属于本发明技术方案的保护范围。

Claims (10)

1.一种MEMS器件的制作方法，其特征在于，包括：

提供基底；

在所述基底的顶面上形成第一牺牲层以及位于所述第一牺牲层上的振膜，所述振膜的边缘区域内形成有露出所述第一牺牲层的凹槽；

在所述振膜上形成加强筋结构，所述加强筋结构填充所述凹槽且从所述凹槽侧壁延伸覆盖邻近所述凹槽的所述振膜表面；

在所述加强筋结构上形成第二牺牲层，所述第二牺牲层共形地覆盖所述振膜和所述加强筋结构；

对所述第二牺牲层进行平坦化处理并停止在所述加强筋结构的表面；以及

在所述第二牺牲层上依次形成第三牺牲层以及上电极。

2.如权利要求1所述的MEMS器件的制作方法，其特征在于，在所述振膜上形成加强筋结构的方法包括：

在所述振膜上形成加强筋材料层，所述加强筋材料层覆盖所述振膜且填满所述凹槽；以及

在所述加强筋材料层上形成图形化的掩模层，以所述图形化的掩模层为掩模，刻蚀所述加强筋材料层形成所述加强筋结构。

3.如权利要求1所述的MEMS器件的制作方法，其特征在于，所述第二牺牲层的材料包括氧化硅；所述加强筋结构的材料包括氮化硅。

4.如权利要求1所述的MEMS器件的制作方法，其特征在于，在所述基底的顶面上形成第一牺牲层以及位于所述第一牺牲层上的振膜的方法包括：

在所述基底上形成第一牺牲层，所述第一牺牲层覆盖所述基底的顶面；

在所述第一牺牲层中形成第一通孔，所述第一通孔露出所述基底；

在所述第一牺牲层上形成振膜材料层，所述振膜材料层覆盖所述第一牺牲层以及填充所述第一通孔；以及

对所述振膜材料层进行图形化处理形成所述振膜。

5.如权利要求1所述的MEMS器件的制作方法，其特征在于，还包括：

对所述第二牺牲层进行平坦化处理之后、在所述第二牺牲层上形成第三牺牲层之前，在所述第二牺牲层中形成多个第二通孔，多个所述第二通孔露出所述振膜且位于所述振膜的中心区域上方；

其中，所述第三牺牲层共形地覆盖所述加强筋结构、所述第二牺牲层以及所述第二通孔的内表面，且在所述第二通孔的上方限定出第三通孔。

6.如权利要求5所述的MEMS器件的制作方法，其特征在于，还包括：

形成上电极之后，在所述上电极上形成背板材料层，所述背板材料层覆盖所述上电极以及第三材料层，且所述背板材料层填充所述第三通孔；

对所述背板材料层进行图形化处理形成背板，所述背板的边缘区域具有第一导电孔和第二导电孔，所述背板的中心区域具有多个释放孔，所述第一导电孔露出所述上电极，所述第二导电孔贯穿所述背板材料层、所述第三牺牲层以及所述第二牺牲层并露出所述振膜，所述释放孔露出所述第三牺牲层；

在所述背板上形成导电层，所述导电层覆盖所述背板的部分表面且覆盖所述第一导电孔和所述第二导电孔的内表面。

7.如权利要求6所述的MEMS器件的制作方法，其特征在于，还包括：

从所述基底的背面刻蚀所述基底形成背腔，所述背腔露出所述第一牺牲层；

通过所述背腔去除部分所述第一牺牲层，以在所述第一牺牲层中形成第一空腔，所述第一空腔释放所述振膜一侧的部分表面；以及，通过多个所述释放孔去除部分所述第三牺牲层以及部分所述第二牺牲层，以在所述振膜和所述上电极之间形成第二空腔，所述第二空腔释放所述振膜另一侧的部分表面。

8.如权利要求6或7所述的MEMS器件的制作方法，其特征在于，对所述背板材料层进行图形化处理形成背板的步骤中，保留所述背板材料层填充所述第三通孔的部分，且所述第三通孔内的所述背板材料层作为阻挡块，所述阻挡块用于防止所述振膜在振动过程中接触所述上电极。

9.一种MEMS器件，其特征在于，包括：

基底，所述基底的中心区域具有贯穿所述基底的背腔；

第一牺牲层，位于所述基底上，且具有与所述背腔连通的第一空腔；

振膜，横跨在所述第一空腔上方且边缘区域覆盖部分所述第一牺牲层，所述振膜的边缘区域内具有贯穿所述振膜的凹槽；

加强筋结构，填充所述凹槽且从所述凹槽侧壁延伸覆盖邻近所述凹槽的所述振膜表面；

第二牺牲层，位于所述第一牺牲层上方且覆盖所述振膜的部分表面，所述第二牺牲层与所述加强筋结构远离所述基底的顶面齐平；

第三牺牲层，覆盖所述第二牺牲层以及至少覆盖部分所述加强筋结构；

上电极，位于所述第三牺牲层上；以及

第二空腔，位于所述上电极以及所述振膜之间。

10.如权利要求9所述的MEMS器件，其特征在于，其中，所述第三牺牲层与所述加强筋结构在所述基底表面的投影至少部分交叠，所述加强筋结构与所述第一牺牲层在所述基底表面的投影至少部分交叠。