KR100991074B1 - 적층 필름용 지지체의 평가 방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은, 지지체의 표면 위에 접착제 조성물을 함유하는 접착 필름이 형성되어 이루어지는 적층 필름으로서, 상기 지지체는 그 표면의 잔류 접착률 C₅가 80 ％ 이상인 적층 필름을 제공한다.

Description

적층 필름용 지지체의 평가 방법{METHOD FOR EVALUATING SUPPORTING BODY FOR MULTILAYER FILM}

본 발명은, 적층 필름 및 그의 제조 방법, 적층 필름용 지지체의 선별 방법, 및 적층 필름용 지지체의 평가 방법에 관한 것이다.

반도체 및 액정 디스플레이 등의 정밀 전자 기기의 분야에서, 전자 재료를 기판 등에 고정하여 회로 접속을 행하기 위해 각종 접착제가 사용되고 있다. 이들 분야에서는 반도체칩이나 회로의 고밀도화 및 고정밀화가 진행되고 있기 때문에, 이들을 접착ㆍ고정하는 접착제에도 높은 접착력 및 신뢰성이 요구되고 있다.

예를 들면, 액정 디스플레이와 TCP(테이프 캐리어 패키지)의 접속, FPC(연성 인쇄 회로)와 TCP의 접속 또는 FPC와 인쇄 배선판의 접속에는, 접착제 중에 도전성 입자를 분산시킨 이방 도전성 접착제가 사용되고 있다. 이것은, 회로 접속을 보다 확실하게 행하는 것을 의도하고 있다. 또한, 반도체 실리콘칩을 기판에 실장하는 경우, 종래의 와이어 본딩 대신에 반도체 실리콘칩을 페이스 다운으로 기판에 직접 실장하는 소위 플립칩 실장이 행해지고 있다. 이 경우에도, 이방 도전성 접착제의 적용이 개시되고 있다.

상술한 접착제로서 전자 재료용의 접착 필름을 사용하는 경우, 사용 전의 접착 필름은, 통상적으로 그 주요면의 적어도 한쪽에 지지체를 구비하여 적층 필름을 구성하고 있다. 지지체는, 그 표면 위에 설치된 접착 필름을 용이하게 제거할 수 있도록, 상기 표면이 박리 처리제에 의해 피복되어 있는 경우가 많다. 또한, 이 박리 처리제는, 피착물을 지지체로부터 박리하기 쉽게 하기 위해, 박리 처리제 성분의 일부나, 박리 처리제의 성분에 포함되는 저분자량 성분이 의도적으로 피착물측에 전사되도록 설계되어 있다. 이에 따라, 지지체로부터의 피착물의 경박리를 실현하고 있지만, 이로 인해 접착 필름의 표면에 박리 처리제의 일부가 이행된다. 이러한 박리 처리제의 일부(이물질)는, 실장 후의 접속 신뢰성의 저하를 발생시키는 경우가 있다.

대표적인 박리 처리제로서, 실리콘 수지제의 박리 처리제가 널리 알려져 있다. 이 박리 처리제로 피복된 지지체를 사용한 적층 필름은, 그 박리 처리제가 접착 필름측으로 특히 용이하게 이행된다(예를 들면, 특허문헌 1, 2 참조). 따라서, 특허문헌 3에 기재된 바와 같이, 실리콘 수지를 포함하지 않는 지지체(박리 필름)를 사용하는 대책이 고려된다.

일본 특허 공개 제2001-123130호 공보 일본 특허 공개 제2002-331614호 공보 일본 특허 공개 제2001-171033호 공보

그러나, 실리콘 수지를 포함하지 않는 지지체도, 상술한 바와 같이 박리 처리제 성분의 일부나, 박리 처리제 성분에 포함되는 저분자량 성분을 전사함으로써 경박리를 실현하고 있다. 따라서, 이와 같은 지지체를 사용한 경우에도, 접속 신뢰성의 저하를 발생시킨다.

따라서, 본 발명은 지지체의 표면 위에 접착 필름을 적층하여 이루어지는 적층 필름으로서, 상기 접착 필름이 충분한 접속 신뢰성을 갖는 적층 필름 및 그의 제조 방법, 적층 필름용 지지체의 선별 방법, 및 적층 필름용 지지체의 평가 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.

상기 목적을 달성하기 위해, 본 발명은 지지체의 표면 위에 접착제 조성물을 함유하는 접착 필름을 형성하여 이루어지는 적층 필름으로서, 상기 지지체는 그 표면의 잔류 접착률 C₅가 80 ％ 이상인 적층 필름을 제공한다.

여기서, 지지체 표면의 "잔류 접착률 C₅"는 하기와 같이 하여 도출되는 수치이다. 즉, 우선 표준 시료인 점착 테이프(31B 테이프)와 소정의 금속판간의 박리 강도를 측정하여, 이것을 기준 박리 강도 A로 한다. 이어서, 상기 점착 테이프를 측정 대상인 지지체에 접착한 후 박리하고, 마찬가지로 소정의 금속판과의 사이의 박리 강도를 측정하는 절차를 5회 반복하여, 5회째의 박리 강도를 B₅로 한다. 상술한 박리 강도 A 및 B₅로부터, 하기 수학식 1로 표시되는 잔류 접착률 C₅를 도출한다.

상술한 특허문헌 2에도 "잔류 접착률"이라는 용어가 기재되어 있다. 그러나, 특허문헌 2에 기재된 "잔류 접착률"은, 본 발명에서 규정하는 잔류 접착률 C₅에 대하여 측정 방법이 동일하지 않다. 또한, 특허문헌 2에서는, 측정하는 박리 강도가 1회째라는 점도 본 발명과 상이하다. 이것은 후술하는 바와 같이 중요한 의미를 갖는다. 이에 대하여, 도 1 내지 3을 참조하면서 보다 상세히 설명한다.

[1] 우선, 적층 필름을 구성하는 지지체 (8), 폭 25 ㎜의 아크릴폼 양면 접합 테이프 (4), 유리판 (3), 폭 10 ㎜의 31B 테이프 (2)(닛또 덴꼬사 제조), 및 스테인리스강(SUS)판 (1)을 준비한다. 이어서, 유리판 (3)의 표면을 톨루엔, 아세톤, 메탄올 등의 각종 용제를 사용하여 세정하여, 그 표면 위에 부착된 유기 성분 및 무기 성분을 제거한다. 계속해서, 세정 후의 유리판 (3)의 표면에, 길이 60 ㎜로 절단한 아크릴폼 양면 접합 테이프 (4)를 질량 2 ㎏의 고무롤을 사용하여 접착한다.

[2] 이어서, 아크릴폼 양면 접합 테이프 (4)의 박리 기재를 박리하여 접착면을 노출시킨다. 또한, 아크릴폼 양면 접합 테이프 (4)의 상기 접착면의 중앙부 위에, 20 ㎜×55 ㎜의 직사각형 막상으로 절단한 지지체 (8)을 그 한쪽의 주요면 전체가 놓이도록 하여 배치한다.

[3] 이어서, 지지체 (8)의 표면에, 새로 길이 70 ㎜로 절단한 31B 테이프 (2)를 질량 2 ㎏의 고무 롤을 사용하여 주름이 발생하지 않도록 접착하여, 도 1(a)의 모식 정면도 및 도 2의 모식 평면도에 도시한 바와 같이 구성한다. 계속해서, 지지체 (8)의 표면에 접착된 31B 테이프 (2)에 대하여, 인장 시험기에 의해 도 1(b)의 모식 정면도에 도시한 바와 같이 하여 50 ㎜/분의 인장 속도로 180° 박리를 행한다. 이렇게 하여 박리된 31B 테이프 (6)을 얻는다.

[4] 잔류 접착률 C₅만을 측정하는 경우에는, 상기 (3)의 조작을 5회 반복한다. 이때, 지지체 (8)의 표면에 접착하는 31B 테이프 (2)는, 사정을 감안하여 새로 절단한 것을 사용한다.

[5] 이어서, 스테인리스강판 (1)의 표면을 톨루엔, 아세톤, 메탄올 등의 각종 용제를 사용하여 세정하여, 그 표면 위에 부착된 유기 성분 및 무기 성분을 제거한다. 또한, 5회째의 상기 [3]의 조작에서 얻어진 31B 테이프 (6)을, 세정 후의 스테인리스강판 (1)의 표면에 질량 2 ㎏의 고무롤을 사용하여 주름이 발생하지 않도록 접착하여, 도 1(c)의 모식 정면도에 도시한 바와 같이 구성한다.

[6] 계속해서, 스테인리스강판 (1)에 접착된 31B 테이프 (6)에 대하여, 인장 시험기에 의해 도 1(d)의 모식 정면도에 도시한 바와 같이 하여 50 ㎜/분의 인장 속도로 180° 박리를 행한다. 이때의 박리 강도 B₅를 측정하여 기록한다.

[7] 상술한 [1] 내지 [6]의 조작과는 별도로, 31B 테이프 (2) 및 스테인리스강판 (1)을 준비한다. 또한, 스테인리스강판 (1)의 표면을 톨루엔, 아세톤, 메탄올 등의 각종 용제를 사용하여 세정하여, 그 표면 위에 부착된 유기 성분 및 무기 성분을 제거한다. 계속해서, 길이 70 ㎜로 절단한 31B 테이프 (2)를 세정 후의 스테인리스강판 (1)의 표면에, 질량 2 ㎏의 고무롤을 사용하여 주름이 발생하지 않도록 접착하여, 도 3(a)의 모식 정면도에 도시한 바와 같이 구성한다.

[8] 그 후, 스테인리스강판 (1)에 접착된 31B 테이프 (2)에 대하여, 인장 시험기에 의해, 도 3(b)의 모식 정면도에 도시한 바와 같이 하여 50 ㎜/분의 인장 속도로 180° 박리를 행한다. 이때의 박리 강도 A를 측정하여 기록한다.

[9] 상술한 바와 같이 하여 얻어진 박리 강도 A 및 B₅로부터, 상기 수학식 1에 의해 잔류 접착률 C₅를 도출한다.

또한, 잔류 접착률 C₅는, 상기 [3]의 조작을 5회 반복한 후에 얻어지는 수치이지만, 상기 [3]의 조작을 1회 행할 때마다, 이어서 상기 [5] 및 [6]의 조작을 행하여, 박리 강도를 측정할 수도 있다. 이 경우, 상기 [3]의 조작을 n회 반복한 후, [6]의 조작에 의해 얻어지는 박리 강도를 B_n으로 하면, 대응하는 잔류 접착률 C₅는 하기 수학식 2로 표시된다.

본 발명의 적층 필름이 충분한 접속 신뢰성을 갖는 요인은 하기와 같다고 생각된다. 단, 요인은 이것으로 한정되지 않는다.

본 발명에서 규정하는 잔류 접착률 C₅가 80 ％ 이상인 지지체란, 박리 처리제의 전사에만 의존하지 않는 경박리 설계인 것을 의미한다. 즉, 종래의 실리콘 수지계의 박리 처리제에서는, 상술한 바와 같이 박리 처리제 성분의 일부나, 박리 처리제 성분에 포함되는 저분자량 성분을 전사함으로써 경박리를 실현하고 있다. 이러한 박리 처리제는 상기 박리 시험을 몇 번 반복하여도, 박리 처리제 성분의 일부나 박리 처리제 성분에 포함되는 저분자량 성분이 박리된다. 그 때문에, 잔류 접착률 C₅는 낮은 수치 그대로이다. 한편, 경박리가 박리 처리제의 전사에만 의존하지 않는 박리 처리제에서는, 박리 시험 1회째, 2회째 중에는 동일하게 박리 처리제의 일부가 전사되거나, 박리 처리제 성분에 포함되는 저분자량 성분이 박리된다. 따라서, 1회째, 2회째에서의 잔류 접착률은 낮은 수치를 나타낸다. 그러나, 박리시험을 5회까지 반복함으로써, 이와 같은 전사 및 박리는 완료되기 때문에, 잔류 접착률 C₅는 80 ％ 이상이 된다. 이러한 잔류 접착률 C₅를 나타내는 지지체는, 실장시에서의 접착 필름으로의 이물질의 이행이 억제되어 있기 때문에, 접착 필름의 접속 신뢰성을 충분히 높일 수 있다고 추측된다.

본 발명에 따른 접착제 조성물은, 도전성 입자를 포함하는 것이 바람직하다. 이에 따라, 동일한 기판 위의 회로 전극끼리의 절연 상태를 유지하면서, 회로 부재끼리 보다 안정적으로 전기적으로 접속할 수 있다.

본 발명은, 지지체의 표면 위에, 접착제 조성물을 함유하는 접착 필름이 형성되어 이루어지는 적층 필름의 지지체를 선별하는 적층 필름용 지지체의 선별 방법으로서, 지지체의 표면의 잔류 접착률 C₅가 80 ％ 이상인 지지체를 선별하는 방법을 제공한다. 이 지지체의 선별 방법에 따르면, 선별된 지지체의 표면 위에 접착 필름을 적층하여 이루어지는 적층 필름을 사용하여 회로 전극끼리 등을 접속할 때, 그 지지체로부터 박리하여 회로 전극 등에 끼워지는 접착 필름이 회로 전극끼리 등의 접속 신뢰성을 충분히 유지할 수 있다.

본 발명은, 표면의 잔류 접착률 C₅가 80 ％ 이상인 지지체를 선별하는 공정과, 선별 공정에서 선별된 지지체의 표면 위에, 접착제 조성물을 함유하는 접착 필름을 형성하는 공정을 갖는 적층 필름의 제조 방법을 제공한다. 또한, 본 발명은, 표면의 잔류 접착률 C₅가 80 ％ 이상이 되도록 지지체를 형성하는 공정과, 그 지지체의 표면 위에, 접착제 조성물을 함유하는 접착 필름을 형성하는 공정을 갖는 적층 필름의 제조 방법을 제공한다. 이들 제조 방법에 따르면, 얻어지는 적층 필름을 사용하여 회로 전극끼리 등을 접속할 때, 지지체로부터 박리되어 회로 전극 등에 끼워지는 접착 필름이 회로 전극끼리 등의 접속 신뢰성을 충분히 유지할 수 있다.

본 발명은, 표준 시료인 점착 테이프와 소정의 금속판의 박리 강도를 측정하여, 이것을 기준 박리 강도 A로 하는 공정과, 상기 점착 테이프를 측정 대상인 적층 필름용 지지체에 접착한 후 박리하고, 상기 소정의 금속판과의 사이의 박리 강도를 측정하는 절차를 5회 반복하여, 5회째의 박리 강도를 B₅로 하는 공정과, 상술한 박리 강도 A 및 B₅로부터, 하기 수학식 1로 표시되는 잔류 접착률 C₅를 도출하는 공정을 갖는 적층 필름용 지지체의 평가 방법을 제공한다.

<수학식 1>

이 평가 방법에 따르면, 지지체로부터 박리한 후의 접착 필름이 충분한 접속 신뢰성을 갖는지의 여부에 대하여, 충분히 적절하게 판단하는 것이 가능해진다.

본 발명에 따르면, 지지체의 표면 위에 접착 필름을 적층하여 이루어지는 적층 필름으로서, 상기 접착 필름이 충분한 접속 신뢰성을 갖는 적층 필름을 제공할 수 있다.

[도 1] 박리 강도 B₅를 설명하기 위한 공정 정면도이다.
[도 2] 박리 강도 B₅를 설명하기 위한 모식 평면도이다.
[도 3] 박리 강도 A를 설명하기 위한 공정 정면도이다.
[도 4] 본 발명에 따른 회로 부재의 접속 구조의 한 실시 형태를 나타내는 개략 단면도이다.
[도 5] 본 발명에 따른 회로 부재를 접속하는 일련의 공정도이다.
[도 6] 본 발명에 따른 반도체 장치의 한 실시 형태를 나타내는 개략 단면도이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 간단한 설명>
1…스테인리스강(SUS)판, 2, 6…31B 테이프, 3…유리판, 4…아크릴폼 양면 접합 테이프, 7…도전성 입자, 8…지지체, 10…회로 접속 부재, 11…절연성 물질, 20…제1 회로 부재, 21…제1 회로 기판, 22…제1 회로 전극, 30…제2 회로 부재, 31…제2 회로 기판, 32…제2 회로 전극, 40…반도체 소자 접속 부재, 50…반도체 소자, 60…기판, 61…회로 패턴, 70…밀봉재, 80…반도체 장치.

이하, 필요에 따라 도면을 참조하면서 본 발명의 바람직한 실시 형태에 대하여 상세히 설명한다. 또한, 도면 중, 동일한 요소에는 동일한 부호를 붙임으로써 중복 설명은 생략한다. 또한, 상하 좌우 등의 위치 관계는 특별히 언급하지 않는 한, 도면에 나타내는 위치 관계에 기초한다. 또한, 도면의 치수 비율은 도시한 비율로 한정되지 않는다. 또한, 본 명세서에서의 "(메트)아크릴산"이란 "아크릴산" 및 그에 대응하는 "메타크릴산"을 의미하고, "(메트)아크릴레이트"란 "아크릴레이트" 및 그에 대응하는 "메타크릴레이트"를 의미하고, "(메트)아크릴옥시기"란 "아크릴옥시기" 및 그에 대응하는 "메타크릴옥시기"를 의미한다.

본 발명의 바람직한 실시 형태에 따른 적층 필름은, 지지체의 표면 위에 접착제 조성물을 함유하는 접착 필름이 형성되어 이루어지는 적층 필름으로서, 상기 지지체는 표면의 잔류 접착률 C₅가 80 ％ 이상이다.

지지체는, 그 표면의 잔류 접착률 C₅가 80 ％ 이상이면 특별히 한정되지 않는다.

지지체의 구체예로서는, 예를 들면 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름, 폴리에틸렌나프탈레이트 필름, 폴리에틸렌이소프탈레이트 필름, 폴리부틸렌테레프탈레이트 필름, 폴리올레핀계 필름, 폴리아세테이트 필름, 폴리카르보네이트 필름, 폴리페닐렌술피드 필름, 폴리아미드 필름, 에틸렌-아세트산비닐 공중합체 필름, 폴리염화비닐 필름, 폴리염화비닐리덴 필름, 합성 고무계 필름, 액정 중합체 필름을 들 수 있다. 이들은 필요에 따라 필름 표면에 코로나 방전 처리, 앵커 코팅 처리, 대전 방지 처리 등이 실시될 수도 있다.

지지체는, 80 ％ 이상의 잔류 접착률 C₅를 가짐과 동시에, 표면 위에 형성된 접착 필름을 용이하게 박리 제거할 수 있도록, 그 표면에 박리 처리제를 코팅하여 이루어지는 것일 수도 있다. 박리 처리제로서는, 예를 들면 실리콘 수지, 실리콘과 유기계 수지의 공중합체, 알키드 수지, 아미노알키드 수지, 장쇄 알킬기를 갖는 수지, 플루오로알킬기를 갖는 수지, 세락 수지를 들 수 있다. 이들 중에서, 박리 처리제의 지지체로부터 접착 필름으로의 이행을 보다 유효하게 방지하는 관점에서, 실리콘 수지를 주성분으로 하는 박리 처리제 이외의 박리 처리제가 바람직하다.

지지체의 두께는 특별히 제한되지 않는다. 단, 적층 필름의 보관이나 사용시의 편리성 등을 고려하면, 지지체의 두께는 4 내지 200 ㎛인 것이 바람직하다. 또한, 적층 필름의 재료 비용이나 생산성을 고려하면, 지지체의 두께는 15 내지 75 ㎛인 것이 보다 바람직하다.

지지체는, 상술한 본 발명에 따른 적층 필름용 지지체의 평가 방법에 의해 평가되고, 본 발명에 따른 적층 필름용 지지체의 선별 방법에 의해 선택된 것을 사용하는 것이 바람직하다. 지지체의 선별 방법에서는, 예를 들면 재질이나 제조 방법이 상이한 복수종의 지지체를 준비하고, 이들의 지지체 중, 표면의 잔류 접착률 C₅가 80 ％ 이상인 것만을 선택하며, 표면의 잔류 접착률 C₅가 80 ％ 미만인 지지체를 제거한다. 이와 같이 하여 선택된 지지체만을 사용하여 적층 필름을 제조하면, 접착 필름의 접속 신뢰성이 향상되고, 이 접착 필름을 사용하여 형성된 회로의 접속 구조나 반도체 장치의 수율이 충분히 높아진다.

지지체의 잔류 접착률 C₅를 80 ％ 이상으로 하기 위해서는, 예를 들면 지지체 표면에 저분자량 성분을 최대한 존재시키지 않고, 고분자량 성분을 우선적으로 존재시키거나, 박리성 처리제 성분의 분자의 일부가 탈락하기 어려워지도록 제어하는 방법을 들 수 있다. 고분자량 성분으로서는, 예를 들면 아미노알키드 수지를 들 수 있다.

접착 필름으로서는, 예를 들면 접착제 조성물을 필름상으로 성형하여 이루어지는 것이 바람직하다. 접착제 조성물은, 바람직하게는 회로 전극간 등의 전자 재료간의 접속 상태를 유지하기 위한 중합성 수지 성분 등의 중합성 화합물, 이 중합성 화합물을 경화시키기 위한 경화제인 중합 개시제, 및 접착제 조성물에 필름 형성성을 부여하기 위한 필름 형성 성분을 포함하는 것이 바람직하다.

중합성 화합물은, 적층 필름을 사용할 때의 환경에 따라 설정되는 온도 범위에서 경화 가능한 열 경화성 화합물, 또는 적층 필름을 사용할 때의 환경에 따라 사용되는 빛의 조사에 의해 경화 가능한 광 경화성 화합물 등의 경화성 화합물이 바람직하다. 경화성 화합물로서는, 저온 속경화성에 유리한 라디칼 중합성 화합물이 바람직하다.

라디칼 중합성 화합물은, 라디칼에 의해 중합하는 관능기를 갖는 화합물이다. 라디칼 중합성 화합물로서는, 예를 들면 (메트)아크릴레이트 화합물, 말레이미드 화합물, 시트라콘이미드 화합물, 나드이미드 화합물을 들 수 있다. 이들은, 1종 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용한다. 또한, 라디칼 중합성 화합물은, 단량체 또는 올리고머 중 어떠한 상태로도 사용할 수 있고, 단량체와 올리고머를 혼합하여 사용할 수도 있다.

(메트)아크릴레이트 화합물로서는, 예를 들면 메틸(메트)아크릴레이트, 에틸(메트)아크릴레이트, 이소프로필(메트)아크릴레이트, 이소부틸(메트)아크릴레이트, 에틸렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 디에틸렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 트리메틸올프로판트리(메트)아크릴레이트, 테트라메틸렌글리콜테트라(메트)아크릴레이트, 2-히드록시-1,3-디(메트)아크릴옥시프로판, 2,2-비스[4-((메트)아크릴옥시메톡시)페닐]프로판, 2,2-비스[4-((메트)아크릴옥시에톡시)페닐]프로판, 디시클로펜테닐(메트)아크릴레이트 트리시클로데카닐(메트)아크릴레이트, 트리스((메트)아크릴옥시에틸)이소시아누레이트, 우레탄(메트)아크릴레이트, 이소시아누르산에틸렌옥시드 변성 디(메트)아크릴레이트를 들 수 있다. 이들은, 1종 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용한다. 상기 (메트)아크릴레이트 화합물을 라디칼 중합시킴으로써, (메트)아크릴 수지가 얻어진다.

말레이미드 화합물은, 말레이미드기를 분자 내에 1개 이상 갖는 화합물이다. 말레이미드 화합물로서는, 예를 들면 페닐말레이미드, 1-메틸-2,4-비스말레이미드벤젠, N,N'-m-페닐렌비스말레이미드, N,N'-p-페닐렌비스말레이미드, N,N'-4,4-비페닐렌비스말레이미드, N,N'-4,4-(3,3-디메틸비페닐렌)비스말레이미드, N,N'-4,4-(3,3-디메틸디페닐메탄)비스말레이미드, N,N'-4,4-(3,3-디에틸디페닐메탄)비스말레이미드, N,N'-4,4-디페닐메탄비스말레이미드, N,N'-4,4-디페닐프로판비스말레이미드, N,N'-4,4-디페닐에테르비스말레이미드, N,N'-4,4-디페닐술폰비스말레이미드, 2,2-비스(4-(4-말레이미드페녹시)페닐)프로판, 2,2-비스(3-s-부틸-3,4-(4-말레이미드페녹시)페닐)프로판, 1,1-비스(4-(4-말레이미드페녹시)페닐)데칸, 4,4'-시클로헥실리덴-비스(1-(4-말레이미드페녹시)페녹시)-2-시클로헥실벤젠, 2,2-비스(4-(4-말레이미드페녹시)페닐)헥사플루오로프로판을 들 수 있다. 이들은, 1종 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용한다.

시트라콘이미드 화합물은, 시트라콘이미드기를 분자 내에 1개 이상 갖는 화합물이다. 시트라콘이미드 화합물로서는, 예를 들면 페닐시트라콘이미드, 1-메틸-2,4-비스시트라콘이미드벤젠, N,N'-m-페닐렌비스시트라콘이미드, N,N'-p-페닐렌비스시트라콘이미드, N,N'-4,4-비페닐렌비스시트라콘이미드, N,N'-4,4-(3,3-디메틸비페닐렌)비스시트라콘이미드, N,N'-4,4-(3,3-디메틸디페닐메탄)비스시트라콘이미드, N,N'-4,4-(3,3-디에틸디페닐메탄)비스시트라콘이미드, N,N'-4,4-디페닐메탄비스시트라콘이미드, N,N'-4,4-디페닐프로판비스시트라콘이미드, N,N'-4,4-디페닐에테르비스시트라콘이미드, N,N'-4,4-디페닐술폰비스시트라콘이미드, 2,2-비스(4-(4-시트라콘이미드페녹시)페닐)프로판, 2,2-비스(3-s-부틸-3,4-(4-시트라콘이미드페녹시)페닐)프로판, 1,1-비스(4-(4-시트라콘이미드페녹시)페닐)데칸, 4,4'-시클로헥실리덴-비스(1-(4-시트라콘이미드페녹시)페녹시)-2-시클로헥실벤젠, 2,2-비스(4-(4-시트라콘이미드페녹시)페닐)헥사플루오로프로판을 들 수 있다. 이들은, 1종 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용한다.

나드이미드 화합물은, 나드이미드기를 분자 내에 1개 이상 갖는 화합물이다. 나드이미드 화합물로서는, 예를 들면 페닐나드이미드, 1-메틸-2,4-비스나드이미드벤젠, N,N'-m-페닐렌비스나드이미드, N,N'-p-페닐렌비스나드이미드, N,N'-4,4-비페닐렌비스나드이미드, N,N'-4,4-(3,3-디메틸비페닐렌)비스나드이미드, N,N'-4,4-(3,3-디메틸디페닐메탄)비스나드이미드, N,N'-4,4-(3,3-디에틸디페닐메탄)비스나드이미드, N,N'-4,4-디페닐메탄비스나드이미드, N,N'-4,4-디페닐프로판비스나드이미드, N,N'-4,4-디페닐에테르비스나드이미드, N,N'-4,4-디페닐술폰비스나드이미드, 2,2-비스(4-(4-나드이미드페녹시)페닐)프로판, 2,2-비스(3-s-부틸-3,4-(4-나드이미드페녹시)페닐)프로판, 1,1-비스(4-(4-나드이미드페녹시)페닐)데칸, 4,4'-시클로헥실리덴-비스(1-(4-나드이미드페녹시)페녹시)-2-시클로헥실벤젠, 2,2-비스(4-(4-나드이미드페녹시)페닐)헥사플루오로프로판을 들 수 있다. 이들은, 1종 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용한다.

중합 개시제는, 상기 중합성 화합물에 의한 중합 반응을 개시할 수 있는 화합물이 바람직하고, 중합성 화합물로서 라디칼 중합성 화합물을 사용하는 경우, 중합 개시제로서 라디칼 중합 개시제를 사용할 수 있다.

라디칼 중합 개시제는, 광 조사 및/또는 가열에 의해 라디칼을 발생하는 화합물이면 특별히 제한은 없다. 이러한 라디칼 중합 개시제로서는, 150 내지 750 ㎚의 광 조사 및/또는 80 내지 200 ℃의 가열에 의해 라디칼을 발생하는 화합물이 바람직하고, 구체적으로는 과산화물, 아조 화합물 등이 바람직하다. 이들은 목적으로 하는 접속 온도, 접속 시간, 보존 안정성 등을 고려하여 선택된다.

과산화물로서는, 고반응성과 보존 안정성의 면에서 유기 과산화물이 바람직하다. 동일한 관점에서 유기 과산화물 중에서는, 반감기 10 시간의 온도가 40 ℃ 이상, 반감기 1분의 온도가 200 ℃ 이하인 유기 과산화물이 바람직하고, 반감기 10 시간의 온도가 50 ℃ 이상, 반감기 1분의 온도가 180 ℃ 이하인 유기 과산화물이 특히 바람직하다. 또한, 접속 시간을 10초 이하로 하는 경우, 충분한 반응률을 얻기 위한 라디칼 중합 개시제의 배합량은, 접착제 조성물의 고형분 전량을 기준으로서 0.1 내지 20 질량％가 바람직하고, 2 내지 15 질량％가 특히 바람직하다.

유기 과산화물로서는, 구체적으로 디아실퍼옥시드, 퍼옥시디카르보네이트, 퍼옥시에스테르, 퍼옥시케탈, 디알킬퍼옥시드, 히드로퍼옥시드, 실릴퍼옥시드를 들 수 있다. 이 중에서도 퍼옥시에스테르, 디알킬퍼옥시드, 히드로퍼옥시드, 실릴퍼옥시드는, 개시제 중의 염소 이온이나 유기산의 농도가 5000 ppm 이하이며, 가열 분해 후에 발생하는 유기산이 적고, 회로 부재의 회로 전극 등, 금속 부재의 부식을 보다 억제할 수 있기 때문에 특히 바람직하다.

디아실퍼옥시드로서는, 예를 들면 이소부틸퍼옥시드, 2,4-디클로로벤조일퍼옥시드, 3,5,5-트리메틸헥사노일퍼옥시드, 옥타노일퍼옥시드, 라우로일퍼옥시드, 스테아로일퍼옥시드, 숙시닉퍼옥시드, 벤조일퍼옥시톨루엔, 벤조일퍼옥시드를 들 수 있다.

퍼옥시디카르보네이트로서는, 예를 들면 디-n-프로필퍼옥시디카르보네이트, 디이소프로필퍼옥시디카르보네이트, 비스(4-t-부틸시클로헥실)퍼옥시디카르보네이트, 디-2-에톡시메톡시퍼옥시디카르보네이트, 디(2-에틸헥실퍼옥시)디카르보네이트, 디메톡시부틸퍼옥시디카르보네이트, 디(3-메틸-3-메톡시부틸퍼옥시)디카르보네이트를 들 수 있다.

퍼옥시에스테르로서는, 예를 들면 쿠밀퍼옥시네오데카노에이트, 1,1,3,3-테트라메틸부틸퍼옥시네오데카노에이트, 1-시클로헥실-1-메틸에틸퍼옥시네오데카노에이트, t-헥실퍼옥시네오데카노에이트, t-부틸퍼옥시피발레이트, 1,1,3,3-테트라메틸부틸퍼옥시-2-에틸헥사노네이트, 2,5-디메틸-2,5-디(2-에틸헥사노일퍼옥시)헥산, 1-시클로헥실-1-메틸에틸퍼옥시-2-에틸헥사노네이트, t-헥실퍼옥시-2-에틸헥사노네이트, t-부틸퍼옥시-2-에틸헥사노네이트, t-부틸퍼옥시이소부틸레이트, 1,1-비스(t-부틸퍼옥시)시클로헥산, t-헥실퍼옥시이소프로필모노카르보네이트, t-부틸퍼옥시-3,5,5-트리메틸헥사노네이트, t-부틸퍼옥시라우레이트, 2,5-디메틸-2,5-디(m-톨루오일퍼옥시)헥산, t-부틸퍼옥시이소프로필모노카르보네이트, t-부틸퍼옥시-2-에틸헥실모노카르보네이트, t-헥실퍼옥시벤조에이트, t-부틸퍼옥시아세테이트, n-부틸-4,4-비스(t-부틸퍼옥시)발레레이트를 들 수 있다.

퍼옥시케탈로서는, 예를 들면 1,1-비스(t-헥실퍼옥시)-3,3,5-트리메틸시클로헥산, 1,1-비스(t-헥실퍼옥시)시클로헥산, 1,1-비스(t-부틸퍼옥시)-3,3,5-트리메틸시클로헥산, 1,1-(t-부틸퍼옥시)시클로도데칸, 2,2-비스(t-부틸퍼옥시)데칸을 들 수 있다.

디알킬퍼옥시드로서는, 예를 들면 α,α'-비스(t-부틸퍼옥시)디이소프로필벤젠, 디쿠밀퍼옥시드, 2,5-디메틸-2,5-디(t-부틸퍼옥시)헥산, t-부틸쿠밀퍼옥시드를 들 수 있다.

히드로퍼옥시드로서는, 예를 들면 디이소프로필벤젠히드로퍼옥시드, 쿠멘히드로퍼옥시드를 들 수 있다.

실릴퍼옥시드로서는, t-부틸트리메틸실릴퍼옥시드, 비스(t-부틸)디메틸실릴퍼옥시드, t-부틸트리비닐실릴퍼옥시드, 비스(t-부틸)디비닐실릴퍼옥시드, 트리스(t-부틸)비닐실릴퍼옥시드, t-부틸트리알릴실릴퍼옥시드, 비스(t-부틸)디알릴실릴퍼옥시드, 트리스(t-부틸)알릴실릴퍼옥시드를 들 수 있다.

이들 라디칼 중합 개시제는, 1종 단독으로 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수도 있고, 분해 촉진제, 억제제 등을 혼합하여 사용할 수도 있다.

또한, 이들 라디칼 중합 개시제를 폴리우레탄계, 폴리에스테르계의 고분자 물질 등으로 피복하여 마이크로 캡슐화한 것은, 가용 시간이 연장되기 때문에 바람직하다.

또한, 접착 필름이 회로 접속 재료에 사용되는 경우에는, 회로 부재의 회로 전극의 부식을 억제하기 위해, 라디칼 중합 개시제 중에 함유되는 염소 이온이나 유기산의 농도는 5000 ppm 이하인 것이 바람직하다. 또한, 가열 분해 후에 발생하는 유기산이 적은 라디칼 중합 개시제가 보다 바람직하다. 또한, 접착 필름의 경화 후의 안정성이 향상되기 때문에, 실온(25 ℃) 및 상압하에 24 시간 동안 개방 방치한 후 20 질량％ 이상의 질량 유지율을 갖는 것이 바람직하다.

또한, 필요에 따라, 접착제 조성물은 히드로퀴논, 메틸에테르히드로퀴논 등의 라디칼 중합 금지제를 경화성이 손상되지 않는 범위에서 함유할 수도 있다.

접착제 조성물은, 라디칼 중합성 화합물 이외의 열경화성 수지를 중합성 화합물로서 포함할 수도 있다. 이러한 열경화성 수지로서는, 에폭시 수지를 들 수 있다. 에폭시 수지로서는 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 비스페놀 S형 에폭시 수지, 페놀 노볼락형 에폭시 수지, 크레졸 노볼락형 에폭시 수지, 비스페놀 A 노볼락형 에폭시 수지, 비스페놀 F 노볼락형 에폭시 수지, 지환식 에폭시 수지, 글리시딜에스테르형 에폭시 수지, 글리시딜아민형 에폭시 수지, 히단토인형 에폭시 수지, 이소시아누레이트형 에폭시 수지, 지방족 쇄상 에폭시 수지 등을 들 수 있다. 이들 에폭시 수지는 할로겐화될 수도 있고, 수소 첨가될 수도 있다. 이들 에폭시 수지는, 1종 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용한다.

또한, 상기 에폭시 수지의 경화제로서는, 통상적인 에폭시 수지의 경화제로서 사용되고 있는 것을 사용할 수 있다. 구체적으로는 아민계 경화제, 페놀계 경화제, 산 무수물계 경화제, 이미다졸계 경화제, 디시안디아미드 등을 들 수 있다. 또한, 경화 촉진제로서 통상적으로 사용되고 있는 3급 아민류, 유기인계 화합물을 적절하게 사용할 수도 있다.

또한, 에폭시 수지를 반응시키는 방법으로서, 상기 경화제를 사용하는 것 이외에 술포늄염, 요오도늄염 등을 사용하여, 양이온 중합시킬 수도 있다.

필름 형성 성분은, 접착 필름의 필름 형성성을 보다 양호하게 하는 성분이며, 접착성 및/또는 경화시의 응력 완화성을 향상시킬 수도 있다. 필름 형성 성분으로서는, 필름 형성성의 고분자를 들 수 있다. 필름 형성성의 고분자로서는, 예를 들면 폴리비닐부티랄 수지, 폴리비닐포르말 수지, 폴리에스테르 수지, 폴리아미드 수지, 폴리이미드 수지, 크실렌 수지, 페녹시 수지, 폴리우레탄 수지, 요소 수지를 들 수 있다.

필름 형성 성분은, 그 중량 평균 분자량이 10000 내지 10000000인 것이 바람직하다. 또한, 이들 고분자를 라디칼 중합성의 관능기로 변성한 것도 사용할 수 있다. 이에 따라, 접착 필름의 내열성이 향상된다.

필름 형성 성분의 접착제 조성물 중의 배합 비율은, 접착제 조성물의 총량에 대하여 2 내지 80 질량％인 것이 바람직하고, 5 내지 70 질량％인 것이 보다 바람직하고, 10 내지 60 질량％인 것이 특히 바람직하다. 필름 형성 성분의 배합 비율이 2 질량％ 미만이면, 응력 완화성이나 접착성이 저하되는 경향이 있고, 80 질량％를 초과하면, 유동성이 저하되는 경향이 있다.

본 발명의 접착제 조성물은 도전성 입자를 함유하는 것이 바람직하다. 이에 따라, 접착 필름을 회로 전극 등의 접속에 사용한 경우, 더욱 우수한 접속 신뢰성을 갖는 것이 가능해지고, 이방 도전성을 나타내게 된다. 도전성 입자는, 전기적 접속이 가능해지는 도전성을 갖고 있으면 특별히 한정되지 않는다. 도전성 입자로서는, 예를 들면 Au, Ag, Ni, Cu, Co 및 땜납 등의 합금을 포함하는 금속 입자, 및 카본을 들 수 있다. 또한, 도전성 입자가 비도전성의 유리, 세라믹, 플라스틱 등의 핵이 되는 입자를, 상기 금속 등의 도전성 물질을 포함하는 막, 또는 상기 금속 등의 도전성 물질을 포함하는 입자로 피복한 다층인 것일 수도 있다. 피복하는 막의 두께는, 보다 확실한 도전성을 얻기 위해서 10 ㎚ 이상인 것이 바람직하다.

이러한 다층의 도전성 입자, 또는 열용융성의 금속 입자를 도전성 입자로서 사용한 경우, 이 도전성 입자는 가열 가압에 의해 변형되는 변형성을 갖는다. 그 때문에, 이러한 도전성 입자를 함유하는 접착제 조성물을 사용하여 회로간을 접속할 때, 회로와 도전성 입자의 접촉 면적이 증가되어, 복수의 전극간의 두께의 변동을 흡수할 수 있기 때문에, 신뢰성 향상의 관점에서 바람직하다.

또한, 도전성 입자의 표면을 추가로 수지막 등으로 피복한 미립자는, 미립자간의 접촉에 기인하는 단락을 한층 더 억제할 수 있다. 따라서, 전극 회로간의 절연성이 향상되기 때문에, 적절하게 이것을 단독으로 또는 도전성 입자와 혼합하여 접착제 조성물에 배합할 수도 있다.

접착제 조성물 중의 도전성 입자의 함유 비율은 0.1 내지 30 부피％인 것이 바람직하고, 0.1 내지 20 부피％인 것이 보다 바람직하고, 0.1 내지 10 부피％인 것이 특히 바람직하다. 도전성 입자의 함유 비율이 0.1 부피부 미만이면, 접착제 조성물의 경화물이 도전성에 있어 열화되는 경향이 있고, 30 부피부를 초과하면 접착제 조성물을 회로간 접속에 사용한 경우, 절연시키고자 하는 회로간의 단락이 발생하기 쉬워지는 경향이 있다. 또한, 동일한 관점에서, 도전성 입자의 함유 비율은 열가소성 수지 100 질량부에 대하여, 0.5 내지 30 질량부인 것이 바람직하다.

또한, 도전성 입자의 함유 비율은, 23 ℃에서의 경화 전의 접착제 조성물 중의 각 성분의 부피에 기초하여 결정된다. 각 성분의 부피는, 비중을 이용하여 질량으로부터 부피로 환산할 수도 있다. 또한, 메스실린더 등에 그 성분을 용해하거나 팽윤시키지 않고, 그 성분을 보다 습윤하게 하는 적당한 용매(물, 알코올 등)를 주입한 용기에, 그 성분을 투입하여 증가된 부피를 그 부피로서 구할 수도 있다.

또한, 본 발명의 접착제 조성물은, 접착 필름의 접착성을 더욱 개선하는 목적으로 커플링제를 함유할 수도 있다. 커플링제로서는, 예를 들면 트리메톡시실란메타크릴레이트, γ-글리시독시프로필트리메톡시실란 등의 알콕시실란을 들 수 있다.

본 발명에 따른 접착제 조성물에는, 이외에 필요에 따라 충전제, 연화제, 노화 방지제, 착색제, 난연제, 커플링제 등을 본 발명의 과제를 해결할 수 있는 범위에서 첨가할 수도 있다.

본 발명에 따른 접착 필름은, 전자 재료용의 접착 필름으로서 바람직하게 사용된다.

본 발명의 바람직한 실시 형태에 따른 적층 필름의 제조 방법은, 표면의 잔류 접착률 C₅가 80 ％ 이상인 지지체를 선별하는 제1 공정과, 선별 공정에서 선별된 지지체의 표면 위에, 접착제 조성물을 함유하는 접착 필름을 형성하는 제2 공정을 갖는 것이다. 제1 공정에서, 표면의 잔류 접착률 C₅가 80 ％ 이상인 지지체를 선별하는 방법은, 상술한 지지체의 선별 방법을 이용할 수 있다.

제2 공정에서, 접착제 조성물을 함유하는 접착 필름을 지지체 위에 형성하는 방법으로서는, 예를 들면 하기의 방법을 들 수 있다. 우선, 상술한 각 성분을 혼합하여 얻어지는 접착제 조성물에 필요에 따라 용제 등을 첨가하여 얻어지는 용액을 지지체 위에 도포하여 도막을 형성한다. 이어서, 용제의 제거 등을 거쳐서, 도막을 고체 또는 반고체상으로 하여 접착 필름이 얻어진다. 또는, 접착제 조성물을 가열하여 유동성을 확보한 후 용제를 첨가하여 용액을 얻고, 이 용액을 상술한 바와 동일하게 처리하여 접착 필름을 형성할 수도 있다.

본 발명의 적층 필름은, 지지체 및 그 표면 위에 형성된 접착 필름의 2층을 포함하는 적층 필름일 수도 있다. 또는, 지지체의 표면 위에, 조성 및/또는 제조 방법이 서로 동일하거나 상이한 2층 이상의 접착 필름을 설치하여 이루어지는 적층 필름일 수도 있다. 이 경우, 적층 필름은 상술한 바와 같이 하여 지지체의 표면 위에 형성된 접착 필름의 지지체와는 반대측의 표면 위에, 추가로 접착 필름을 상술한 바와 같이 하여 형성함으로써 얻어진다. 또한, 적층 필름은 각각의 지지체 표면 위에 형성된 접착 필름을 라미네이터 등을 사용하여 서로 중첩시킴으로써 얻어진다.

이어서, 본 발명의 적층 필름을 사용한 회로 부재의 접속 구조의 제조 방법에 대하여 바람직한 실시 형태를 설명한다. 도 4는, 이 제조 방법에 의해 얻어지는 회로 부재의 접속 구조의 한 실시 형태를 나타내는 개략 단면도이다. 도 4에 도시한 바와 같이, 이 회로 부재의 접속 구조는 서로 대향하는 제1 회로 부재 (20) 및 제2 회로 부재 (30)을 구비하고 있고, 제1 회로 부재 (20)과 제2 회로 부재 (30)의 사이에는, 이들을 접속하는 회로 접속 부재 (10)이 설치되어 있다.

제1 회로 부재 (20)은 회로 기판(제1 회로 기판) (21)과, 회로 기판 (21)의 주요면 (21a) 위에 형성되는 회로 전극(제1 회로 전극) (22)를 구비하고 있다. 한편, 제2 회로 부재 (30)은 회로 기판(제2 회로 기판) (31)과, 회로 기판 (31)의 주요면 (31a) 위에 형성되는 회로 전극(제2 회로 전극) (32)를 구비하고 있다. 또한, 회로 기판 (21), (31)로서는, 반도체, 유리, 세라믹 등의 무기물, 폴리이미드, 폴리카르보네이트, 폴리에스테르, 폴리에테르술폰 등의 유기물, 이들 무기물이나 유기물을 복합화한 재료(예를 들면 유리/폴리에폭시 수지)를 포함하는 것을 들 수 있다.

제1 및 제2 회로 부재 (20), (30)으로서는, 전기적 접속을 필요로 하는 전극이 형성되어 있는 것이면 특별히 제한은 없다. 구체적으로는, 액정 디스플레이에 사용되고 있는 ITO 등으로 전극이 형성되어 있는 유리 기판 또는 플라스틱 기판, 인쇄 배선판, 세라믹 배선판, 연성 배선판을 들 수 있고, 이들은 필요에 따라 조합하여 사용된다.

회로 접속 부재 (10)은, 절연성 물질 (11) 및 도전성 입자 (7)을 함유하고 있다. 도전성 입자 (7)은, 대향하는 회로 전극 (22)와 회로 전극 (32)의 사이 뿐만 아니라, 주요면 (21a), (31a) 사이에도 배치되어 있다. 회로 부재의 접속 구조에서는, 회로 전극 (22), (32)가 도전성 입자 (7)을 통해 전기적으로 접속되어 있다. 즉, 도전성 입자 (7)이 회로 전극 (22), (32)의 양방에 직접 접촉하고 있다.

여기서, 도전성 입자 (7)은, 상술한 접착제 조성물에 함유될 수도 있는 도전성 입자에 상당한다.

이 회로 부재의 접속 구조에서는, 상술한 바와 같이 대향하는 회로 전극 (22)와 회로 전극 (32)가 도전성 입자 (7)을 통해 전기적으로 접속되어 있다. 이 때문에, 회로 전극 (22), (32)간의 접속 저항이 충분히 감소된다. 따라서, 회로 전극 (22), (32)간의 전류의 흐름을 원활하게 할 수 있고, 회로가 갖는 기능을 충분히 발휘할 수 있다. 또한, 회로 접속 부재 (10)이 도전성 입자 (7)을 함유하지 않은 경우에는, 회로 전극 (22)와 회로 전극 (32)가 직접 접촉함으로써, 전기적으로 접속된다.

회로 접속 부재 (10)은 후술하는 바와 같이, 상기 접착 필름의 경화물에 의해 구성되어 있다. 따라서, 회로 부재 (20) 또는 (30)에 대한 회로 접속 부재 (10)의 접속 신뢰성이 충분히 높아진다.

본 발명에 따른 회로 부재의 접속 구조의 제조 방법에서는, 우선 상술한 제1 회로 부재 (20)과, 필름상 회로 접속 재료 (40)을 준비한다(도 5(a) 참조). 필름상 회로 접속 재료 (40)은 상술한 접착 필름이고, 준비된 단계에서는, 본 발명에 따른 지지체 (1)의 표면 위에 형성되어 적층 필름 (100)을 이루고 있다. 또한, 여기서의 필름상 회로 접속 재료 (40)은, 도전성 입자 (7)을 함유하고 있다. 필름상 회로 접속 재료 (40)은, 통상적으로 권심에 권회되어 있는 상태로부터 인출되어, 필요한 길이로 절단된다.

이어서, 필름상 회로 접속 재료 (40)을 제1 회로 부재 (20)의 회로 전극 (22)가 형성되어 있는 면 위에 놓는다. 이때, 필름상 회로 접속 재료 (40)은 지지체 (1) 위에 설치되어 있기 때문에, 필름상 회로 접속 재료 (40)측을 제1 회로 부재 (20)을 향하도록 하여, 제1 회로 부재 (20) 위에 놓는다. 회로 접속 재료가 필름상이면, 제1 회로 부재 (20)과 제2 회로 부재 (30) 사이에 필름상 회로 접속 재료 (40)을 용이하게 개재시킬 수 있고, 제1 회로 부재 (20)과 제2 회로 부재 (30)의 접속 작업을 용이하게 행할 수 있다.

또한, 도 5(a)의 화살표 A 및 B 방향으로 가압하여, 필름상 회로 접속 재료 (40)을 제1 회로 부재 (20)에 임시 고정(임시 접속)한다. 이때, 가열하면서 가압할 수도 있다. 단, 가열 온도는 필름상 회로 접속 재료 (40) 중의 접착제 조성물이 경화되지 않는 온도로 한다.

이어서, 필름상 회로 접속 재료 (40)으로부터 지지체 (1)을 박리한다(도 5(b) 참조). 이때, 지지체 (1)은 본 발명에 따른 지지체이기 때문에, 지지체 (1)로부터 필름상 회로 접속 재료 (40)으로의 박리 처리제의 이행 등, 지지체 (1)과 필름상 회로 접속 재료 (40)이 적층되어 있는 것에 기인하는 접속 신뢰성의 저하 요인을 충분히 억제할 수 있다.

계속해서, 필름상 회로 접속 재료 (40)에 활성 광선을 조사한다. 이어서, 도 5(c)에 도시한 바와 같이, 제2 회로 부재 (30)을 제2 회로 전극을 제1 회로 부재 (20)을 향하도록 하여 필름상 회로 접속 재료 (40) 위에 놓는다.

또한, 필름상 회로 접속 재료 (40)을 가열하면서, 도 5(c)의 화살표 A 및 B 방향으로 제1 및 제2 회로 부재 (20), (30)을 통해 가압한다. 이때의 가열 온도는, 본 발명의 접착제 조성물이 경화 가능한 온도로 한다. 이렇게 하여, 필름상 회로 접속 재료 (40)이 경화 처리되고, 본 접속이 행해져, 도 4에 도시한 바와 같은 회로 부재의 접속 구조가 얻어진다. 또한, 접속의 조건은 사용하는 용도, 접착제 조성물, 회로 부재에 따라 적절하게 선택된다.

예를 들면, 가열 온도는 90 내지 250 ℃, 압력은 일반적으로 피착체에 대하여 0.1 내지 10 MPa, 가열 및 가압에 필요로 되는 시간(접속 시간)은 1초 내지 10분인 것이 바람직하다.

또한, 가열 및 가압하는 장치는 특별히 한정되지 않지만, 생산성이나 편리성을 고려하면, 히터가 내장된 가압 헤드를 구비하는 가압 가열 장치인 것이 바람직하다.

상술한 바와 같이 하여 회로 부재의 접속 구조를 제조하면, 얻어지는 회로 부재의 접속 구조에서 접속 신뢰성이 향상되기 때문에, 회로 부재의 접속 구조의 수율이 충분히 높아진다.

이상, 본 발명의 바람직한 실시 형태에 대하여 설명했지만, 본 발명은 이것으로 한정되지 않는다. 예를 들면, 본 발명의 별도의 실시 형태에 따른 적층 필름의 제조 방법은, 표면의 잔류 접착률 C₅가 80 ％ 이상이 되도록 지지체를 형성하는 공정과, 그 지지체의 표면 위에 접착제 조성물을 함유하는 접착 필름을 형성하는 공정을 갖는 것이다. 지지체를 형성하는 공정에서는, 상술한 지지체의 선별 방법에 따라 선택된 표면의 잔류 접착률 C₅가 80 ％ 이상인 지지체와 실질적으로 동일한 조성 및 제조 방법으로 지지체를 형성할 수 있다.

또한, 회로 부재의 접속 구조의 제조 방법에서, 가열 및 가압에 의한 경화 처리의 후, 추가로 빛, 초음파 및/또는 전자파를 사용한 경화 처리를 행할 수도 있다.

또한, 본 발명의 별도의 실시 형태에서, 접착 필름이 반도체 장치에서의 반도체 소자와 회로 패턴을 접속하는 반도체 접속 부재의 재료로서 사용될 수도 있다.

도 6은, 이 반도체 장치의 한 실시 형태를 나타내는 개략 단면도이다. 도 6에 도시한 바와 같이, 본 실시 형태의 반도체 장치 (80)은, 반도체 소자 (50)과 반도체의 지지 부재가 되는 기판 (60)을 구비하고 있고, 반도체 소자 (50) 및 기판 (60)의 사이에는, 이들을 전기적으로 접속하는 반도체 소자 접속 부재 (40)이 설치되어 있다. 또한, 반도체 소자 접속 부재 (40)은 기판 (60)의 주요면 (60a) 위에 적층되고, 반도체 소자 (50)은 추가로 그 반도체 소자 접속 부재 (40) 위에 적층되어 있다.

기판 (60)은 회로 패턴 (61)을 구비하고 있고, 회로 패턴 (61)은 기판 (60)의 주요면 (60a) 위에서 반도체 접속 부재 (40)을 통해 또는 직접적으로 반도체 소자 (50)과 전기적으로 접속되어 있다. 또한, 이들은 밀봉재 (70)에 의해 밀봉되어, 반도체 장치 (80)이 형성된다.

반도체 소자 (50)의 재료로서는 특별히 제한되지 않지만, 실리콘, 게르마늄의 4족의 반도체 소자, GaAs, InP, GaP, InGaAs 등의 III-V족 화합물 반도체 소자, HgTe, HgCdTe, CdMnTe 등의 II-VI족 화합물 반도체 소자, CuInSe(CIS) 등의 다양한 것을 사용할 수 있다.

반도체 소자 접속 부재 (40)은, 절연성 물질 (11) 및 도전성 입자 (7)을 함유하고 있고, 본 발명의 접착 필름의 경화물이다. 도전성 입자 (7)은, 반도체 소자 (50)과 회로 패턴 (61)의 사이 뿐만 아니라, 반도체 소자 (50)과 주요면 (60a)의 사이에도 배치되어 있다. 본 실시 형태의 반도체 장치 (80)에서는, 반도체 소자 (50)과 회로 패턴 (61)이 도전성 입자 (7)을 통해 전기적으로 접속되어 있다. 이 때문에, 반도체 소자 (50) 및 회로 패턴 (61)간의 접속 저항이 충분히 감소된다. 따라서, 반도체 소자 (50) 및 회로 패턴 (61)간의 전류의 흐름을 원활하게 할 수 있어, 반도체가 갖는 기능을 충분히 발휘할 수 있다. 또한, 이 도전성 입자 (7)을 상술한 배합 비율로 함으로써 전기적인 접속의 이방성을 나타내는 것도 가능하다.

반도체 소자 접속 부재 (40)은, 본 발명에 따른 접착 필름의 경화물에 의해 구성되어 있기 때문에, 반도체 소자 (50) 및 회로 패턴 (61)간의 접속 신뢰성이 향상됨과 동시에, 반도체 장치 (80)의 수율도 충분히 높아진다.

[실시예]

이하, 실시예에 의해 본 발명을 더욱 상세히 설명하지만, 본 발명은 이들 실시예로 한정되지 않는다.

[지지체의 준비]

기재 필름으로서, 폴리에틸렌테레프탈레이트(이하, "PET"라고 표기함) 필름을 준비하였다. 이와는 별도로, 아미노알키드 수지(히타치 가세이 폴리머사 제조, 상품명 "TA31-209")와 산성 촉매(히타치 가세이 폴리머사 제조, 상품명 "드라이어 900")를 고형분의 질량비 100:1 내지 100:5의 비율로 혼합하고, 용제로 희석하여 용액을 얻었다. 얻어진 용액을 상기 PET 필름의 한쪽 면에 코팅하고, 용매를 휘발시킴으로써, #1 내지 #6의 지지체용 기재를 제조하였다. 또한, 지지체용 기재 #7로서 데이진사 제조, 상품명 "AH3", 지지체용 기재 #8로서 데이진사 제조, 상품명 "UH2"를 준비하였다.

지지체용 기재 #1 내지 8의 두께를 측정하였다. 또한, 지지체용 기재 #1 내지 8 표면의 잔류 접착률 C₅를 상술한 바와 같이 하여 측정하였다. 결과를 표 1에 나타낸다.

(실시예 1)

우선, 고형분의 중량으로 필름 형성 성분인 플루오렌-비페닐형 페녹시 수지40 g, 마찬가지로 비스페놀 A형 페녹시 수지 10 g, 중합성 화합물인 트리스(아크릴옥시에틸)이소시아누레이트 10 g, 마찬가지로 우레탄아크릴레이트 10 g, 커플링제인 트리메톡시실란메타크릴레이트 10 g, 및 중합 개시제인 n-부틸-4,4-비스(t-부틸퍼옥시)발레레이트 3 g을 배합하였다. 여기에, 추가로 도전성 입자를 40 g 배합 분산시켜, 제1 접착제 조성물을 얻었다. 도전성 입자는, 폴리스티렌을 핵으로 하는 입자의 표면에 두께 0.2 ㎛의 니켈층 및 두께 0.04 ㎛의 금층을 이 순서대로 형성시키고, 추가로 그 표면에 폴리비닐알코올을 포함하는 층을 형성시켜 얻었다. 이 도전성 입자의 평균 입경은 4 ㎛였다.

이어서, 지지체용 기재 #1의 표면 위에, 도공 장치를 사용하여 상기 제1 접착제 조성물을 도포하여 도막을 얻었다. 이 도막을 70 ℃에서 5분간 열풍에 의해 건조하여, 접착 필름의 두께가 25 ㎛인 제1 중간 적층체를 얻었다.

이어서, 고형분의 중량으로 필름 형성 성분인 플루오렌-비페닐형 페녹시 수지 40 g, 마찬가지로 비스페놀 A형 페녹시 수지 10 g, 중합성 화합물인 트리스(아크릴옥시에틸)이소시아누레이트 10 g, 마찬가지로 우레탄아크릴레이트 10 g, 커플링제인 트리메톡시실란메타크릴레이트 10 g, 및 중합 개시제인 n-부틸-4,4-비스(t-부틸퍼옥시)발레레이트 3 g을 배합하여 제2 접착제 조성물을 얻었다.

이어서, 지지체용 기재 #2의 표면 위에, 도공 장치를 사용하여 상기 제2 접착제 조성물을 도포하여 도막을 얻었다. 이 도막을 70 ℃에서 5분간 열풍에 의해 건조하여, 접착 필름의 두께가 25 ㎛인 제2 중간 적층체를 얻었다.

제1 중간 적층체 및 제2 중간 적층체는 서로의 접착 필름을 중첩하고, 각각의 지지체용 기재에 이들 접착 필름을 끼우도록 하며, 라미네이터를 사용하여 40 ℃, 0.5 ㎜/분, 무가압의 조건으로 접합하여, 적층 필름을 얻었다.

(실시예 2)

지지체용 기재 #1 대신에 지지체용 기재 #3을 사용하고, 지지체용 기재 #2 대신에 지지체용 기재 #4를 사용한 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여, 적층 필름을 얻었다.

(실시예 3)

지지체용 기재 #1 대신에 지지체용 기재 #5를 사용하고, 지지체용 기재 #2 대신에 지지체용 기재 #6을 사용한 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여, 적층 필름을 얻었다.

(실시예 4)

우선, 고형분의 중량으로 필름 형성 성분인 플루오렌-비페닐형 페녹시 수지10 g, 마찬가지로 비스페놀 A형 페녹시 수지 30 g, 중합성 화합물인 페놀 노볼락형 에폭시 수지 20 g, 커플링제인 γ-글리시독시프로필트리메톡시실란 5 g, 및 경화제인 이미다졸계 경화제 40 g을 배합하였다. 여기에, 추가로 실시예 1에서 사용한 것과 마찬가지로 도전성 입자를 40 g 배합 분산시켜, 제1 접착제 조성물을 얻었다.

이어서, 지지체용 기재 #1의 표면 위에, 도공 장치를 사용하여 상기 제1 접착제 조성물을 도포하여 도막을 얻었다. 이 도막을 70 ℃에서 5분간 열풍에 의해 건조하여, 접착 필름의 두께가 12 ㎛인 제1 중간 적층체를 얻었다.

이어서, 고형분의 중량으로 필름 형성 성분인 플루오렌-비페닐형 페녹시 수지 10 g, 마찬가지로 비스페놀 A형 페녹시 수지 30 g, 중합성 화합물인 페놀 노볼락형 에폭시 수지 20 g, 커플링제인 γ-글리시독시프로필트리메톡시실란 5 g, 및 경화제인 이미다졸계 경화제 40 g을 배합하여 제2 접착제 조성물을 얻었다.

이어서, 지지체용 기재 #2의 표면 위에, 도공 장치를 사용하여 상기 제2 접착제 조성물을 도포하여 도막을 얻었다. 이 도막을 70 ℃에서 5분간 열풍에 의해 건조하여, 접착 필름의 두께가 13 ㎛인 제2 중간 적층체를 얻었다.

제1 중간 적층체 및 제2 중간 적층체는 서로의 접착 필름을 중첩하고, 각각의 지지체용 기재에 이들 접착 필름을 끼우도록 하며, 라미네이터를 사용하여 40 ℃, 0.5 ㎜/분, 무가압의 조건으로 접합하여, 적층 필름을 얻었다.

(비교예 1)

지지체용 기재 #1 대신에 지지체용 기재 #7을 사용하고, 지지체용 기재 #2 대신에 지지체용 기재 #8을 사용한 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여, 적층 필름을 얻었다.

(비교예 2)

지지체용 기재 #1 대신에 지지체용 기재 #7을 사용하고, 지지체용 기재 #2 대신에 지지체용 기재 #8을 사용한 것 이외에는 실시예 4와 동일하게 하여, 적층 필름을 얻었다.

[접속 저항 측정용 샘플의 제조]

회로 전극으로서 인듐-주석 산화물(이하, "ITO"라고 표기함)을 포함하는 회로(라인폭 50 ㎛, 피치 100 ㎛, 두께 250 ㎚(2500 Å㎛)가 유리 기판(코닝사 제조, 상품명 "#1737", 28 ㎜×32 ㎜×0.7 ㎜) 위에 형성된 회로 부재를 준비하였다. 이어서, 실시예 1에서 제조한 적층 필름을 2.5 ㎜×20 ㎜로 절단하였다. 계속해서, 이 적층 필름에서의 지지체용 기재 #2를 박리하고, 그에 따라 노출된 접착 필름이 상술한 회로 부재의 상기 회로 형성측의 주요면과 서로 마주보도록 하여, 적층 필름을 접착하였다. 접착의 조건은 가열 온도 90 ℃, 가압 압력 1 MPa(접착 면적당), 3초간으로 하였다.

이어서, 칩 크기가 1.7 ㎜×17 ㎜×0.55 ㎜, 범프 면적이 50 ㎛×50 ㎛, 범프 높이가 15 ㎛, 범프수가 358개인 금범프 전극을 배치한 IC칩을 준비하였다. 계속해서, 상기 회로 부재에 접착한 적층 필름의 지지체용 기재 #1을 박리하였다. 이어서, 지지체용 기재 #1의 박리에 의해 노출된 접착 필름과, IC칩의 금범프 전극측이 대향하고, IC칩 및 상기 회로 부재의 전극끼리 접속할 수 있도록 위치 정렬을 행하면서, 적층 필름 부착 회로 부재와 IC칩을 중첩시켰다. 또한, 가압 가열 헤드를 구비하는 가압 가열 장치를 사용하여, 이들을 IC칩측으로부터의 가열 가압에 의해 압착하여, 실시예 1에 따른 접속 저항 측정용 샘플을 얻었다. 가열 가압의 조건은 접속 온도 200 ℃, 가압 압력 80 MPa(범프의 총 면적당), 3초간으로 하였다.

또한, 실시예 2 내지 4, 비교예 1, 2의 적층 필름을 각각 사용하여, 상술한 바와 같이 하여 각각 실시예 2 내지 4, 비교예 1, 2에 따른 접속 저항 측정용 샘플을 얻었다.

[접속 저항의 측정]

얻어진 접속 저항 측정용 샘플에 대하여, 회로 부재에서의 전극 회로와 IC칩에서의 범프 전극간의 전기 저항값(접속 저항)을 4단자 측정법에 의해 디지털 멀티미터를 사용하여 측정하였다. 측정 전류는 1 mA로 하였다. 측정은, 접속 저항 측정용 샘플 제조 직후(초기), 및 이 샘플을 열 사이클 조건에 노출시킨 후(사이클 후)에 행하였다. 또한, 열 사이클은 ESPEC사 제조 냉열 충격 시험 장치(상품명 "TSA-41L-A")를 사용하였다. 또한, 열 사이클 조건은, -40 ℃에서 15분간의 유지와 100 ℃에서 15분간의 유지를 1000회 반복하는 조건으로 하였다. 결과를 표 2에 나타낸다.

본 발명에 따르면, 지지체의 표면 위에 접착 필름을 적층하여 이루어지는 적층 필름으로서, 상기 접착 필름이 충분한 접속 신뢰성을 갖는 적층 필름을 제공할 수 있다.

Claims (1)

1. 닛또 덴꼬사 제조의 31B 테이프와 스테인리스강판의 박리 강도를 측정하여, 이것을 기준 박리 강도 A로 하는 공정과, 상기 31B 테이프를 측정 대상인 적층 필름용 지지체에 접착한 후 박리하고, 상기 스테인리스강판과의 사이의 박리 강도를 측정하는 절차를 5회 반복하여, 5회째의 박리 강도를 B₅로 하는 공정과, 상기 박리 강도 A 및 B₅로부터 하기 수학식 1로 표시되는 잔류 접착률 C₅를 도출하는 공정을 갖는 적층 필름용 지지체의 평가 방법.
   <수학식 1>
   

   

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