KR100972321B1

KR100972321B1 - 프린트 배선판용 구리박

Info

Publication number: KR100972321B1
Application number: KR1020077030031A
Authority: KR
Inventors: 후미아키 아카세
Original assignee: 닛코 킨조쿠 가부시키가이샤
Priority date: 2005-06-23
Filing date: 2006-05-26
Publication date: 2010-07-26
Also published as: US20090208762A1; EP1895024A1; JP5512567B2; TWI321598B; WO2006137240A1; TW200700581A; KR20080014067A; EP1895024A4; MY144558A; JP2011127226A; JP4986060B2; JPWO2006137240A1

Abstract

수지와의 접착면이 되는 구리박의 무조화면에 형성된 내열 처리층, 그 내열 처리층 상에 형성된 크로메이트 피막층, 그 크로메이트 피막층 상에 형성된 실란 커플링제층으로 이루어지는 프린트 배선판용 구리박으로서, 실란 커플링제층 형성 후의 구리박 최표면의 Zn 량이 1.5 Atomic% 이하이며, Cr 량이 3.0 ∼ 12.0 Atomic% 인 것을 특징으로 하는 프린트 배선판용 구리박. 내약품성, 접착성, 고주파 특성이 우수한 프린트 배선판용 구리박을 제공한다.

구리박

Description

프린트 배선판용 구리박{COPPER FOIL FOR PRINTED WIRING BOARD}

본 발명은 내약품성, 접착성 및 고주파 특성이 우수한 프린트 배선판용 구리박에 관한 것이다. 특히, 구리박의 적어도 수지와의 접착면에, 구리 및 아연 이온을 함유하는 전해액을 사용하여 형성된 황동으로 이루어지는 피복층을 갖고 있고, 이 황동 피복층을 갖는 구리박을 수지에 적층 접착시키고, 구리박 상에 소요의 회로를 인쇄하여, 에칭에 의해 인쇄 회로를 형성하는 공정에 있어서, 상기 에칭시에 발생하는 회로 단부의 침식 (회로 침식) 현상을 효과적으로 방지할 수 있는 프린트 배선판용 구리박에 관한 것이다.

인쇄 회로용 구리박은 일반적으로, 합성 수지 등의 기재에 고온 고압하에서 적층 접착되고, 그 후 목적으로 하는 회로를 형성할 수 있도록 필요한 회로를 인쇄한 후, 불요부를 제거하는 에칭 처리가 실시된다. 최종적으로, 소요의 소자가 납땜되고, 엘렉트로닉스 디바이스용의 여러 인쇄 회로판을 형성한다.

인쇄 배선판용 구리박에 대한 품질 요구는 수지 기재와 접착되는 접착면 (소위, 조화면) 과, 비접착면 (소위 광택면) 에서 상이하여, 양자를 동시에 만족시키는 것이 중요하다.

광택면에 대한 요구로는, (1) 외관이 양호할 것 및 보존시에 있어서의 산화 변색이 없을 것, (2) 땜납 젖음성이 양호할 것, (3) 고온 가열시에 산화 변색이 없을 것, (4) 레지스트와의 밀착성이 양호할 것 등이 요구된다.

한편, 조화면에 대해서는, 주로, (1) 보존시에 있어서의 산화 변색이 없을 것, (2) 기재와의 박리 강도가 고온 가열, 습식 처리, 납땜, 약품 처리 등 후에도 충분할 것, (3) 기재와의 적층, 에칭 후에 발생하는, 소위 적층 오점이 없을 것 등을 들 수 있다.

또한, 최근 패턴의 정밀화에 수반하여, 구리박의 로프로파일화가 요구되고 있다.

또한, PC 나 이동 통신 등의 전자기기에서는, 통신의 고속화, 대용량화에 수반하여, 전기 신호의 고주파화가 진행되고 있고, 이것에 대응 가능한 프린트 배선판 및 구리박이 요구되고 있다. 전기 신호의 주파수가 1GHz 이상이 되면, 전류가 도체의 표면에만 흐르는 표면 효과의 영향이 현저히 되고, 표면의 요철로 전류 전송 경로가 변화되어 임피던스가 증대되는 영향을 무시할 수 없게 된다. 이 점에서도 구리박의 표면 조도가 작은 것이 요망된다.

이러한 요구에 답하기 위해, 인쇄 배선판용 구리박에 대해서 많은 처리 방법이 제창되어 왔다.

처리 방법은 압연 구리박과 전해 구리박에서 상이하나, 전해 구리박의 처리 방법의 일례를 나타내면, 이하에 기재하는 방법이 있다.

즉, 먼저 구리와 수지의 접착력 (필 강도) 을 높이기 위해, 일반적으로는 구리 및 산화 구리으로 이루어지는 미립자를 구리박 표면에 부여한 후 (조화 처리), 내열 특성을 갖게 하기 위해, 황동 또는 아연 등의 내열 처리층 (장벽층) 을 형성한다.

그리고, 마지막으로 운반 중 또는 보관 중의 표면 산화 등을 방지하기 위해, 침지 또는 전해 크로메이트 처리 혹은 전해 크롬ㆍ아연 처리 등의 녹 방지 처리를 실시함으로써 제품으로 한다.

이 중에서, 특히 내열 처리층을 형성하는 처리 방법은, 구리박의 표면성상을 결정하는 것으로서, 큰 열쇠를 쥐고 있다. 이 때문에, 내열 처리층을 형성하는 금속 또는 합금의 예로서 Zn, Cu-Ni, Cu-Co 및 Cu-Zn 등의 피복층을 형성한 다수의 구리박이 실용화되고 있다 (예를 들어, 특허 문헌 1 참조).

이들 중에서, Cu-Zn (황동) 으로 이루어지는 내열 처리층을 형성한 구리박은, 에폭시 수지 등으로 이루어지는 인쇄 회로판에 적층했을 경우에 수지층의 얼룩이 없는 것, 또 고온 가열 후의 박리 강도의 열화가 적거나 하는 등의 우수한 특성을 갖고 있기 때문에, 공업적으로 널리 사용되고 있다.

이 황동으로 이루어지는 내열 처리층을 형성하는 방법에 대해서는 특허 문헌 2 및 특허 문헌 3 에 상세하게 서술되어 있다.

이러한 황동으로 이루어지는 내열 처리층을 형성한 구리박은, 이어서 인쇄 회로를 형성하기 위해 에칭 처리된다. 최근, 인쇄 회로의 형성에 염산계 에칭액이 많이 사용되도록 되어 있다.

그런데, 상기 황동으로 이루어지는 내열 처리층을 형성한 구리박을 사용한 인쇄 회로판을 염산계 에칭액 (예를 들어 CuCl₂, FeCl₃ 등) 으로 에칭 처리를 실시했을 경우에, 회로 패턴의 양측에 이른바 회로 단부의 침식 (회로 침식) 현상이 발생하여, 수지 기재와의 박리 강도가 열화된다는 문제점이 있다.

이 회로 침식 현상이란, 상기의 에칭 처리에 의해 형성된 회로의 구리박과 수지 기재의 접착 경계층, 즉 황동으로 이루어지는 내열 처리층이 노출된 에칭 측면으로부터 상기 염산계 에칭액에 의해 침식되고, 또 그 후의 물세정 부족 때문에, 통상적으로 황색 (황동으로 이루어지기 때문) 을 나타내고 있는 양 사이드가 침식되어 적색을 나타내고, 그 부분의 박리 강도가 현저히 열화되는 현상을 말한다. 그리고, 이 현상이 회로 패턴 전체면에 발생하면, 회로 패턴이 기재로부터 박리되어 중대한 문제가 된다.

상기 회로 침식 현상이 발생하는 원인으로는, 염산계 에칭액을 사용했을 경우에, 반응 과정에 있어서 용해도가 낮은 염화 제 1 구리 (CuCl) 가 생성하고, 이것이 기재 표면에 칭적했을 때에, 황동 중의 아연과 반응하여 염화 아연으로서 용출하는 이른바 황동의 탈아연 현상이 주된 원인이라고 생각된다. 추정되는 반응식은, 이하와 같다.

2CuCl ＋ Zn (황동 중의 아연) → ZnCl₂ ＋ 2Cu˚(탈아연된 황동 중의 구리)

이러한 점에서, 구리박의 표면에 조화 처리, 아연 또는 아연 합금의 녹 방지 처리 및 크로메이트 처리를 실시한 후, 크로메이트 처리 후의 표면에, 소량의 크롬 이온을 함유시킨 실란 커플링제를 흡착시켜 내염산성을 향상시키고자 하는 제안이 이루어지고 있다 (특허 문헌 3 참조).

그러나, 이 경우에는, 크롬 이온은 내염산성을 향상시키는 효과는 있지만, 구리박 표면에 흡착시킨 실란 커플링제 자체는 열에 약하고, 열화되기 쉬운 재료이므로, 실란 커플링의 열화와 함께, 그 실란 커플링제에 함유시킨 크롬 이온이 그것에 추종되어, 그 효력을 잃어 가는 문제가 있다. 즉, 안정성이 부족하다는 큰 문제를 남기고 있다.

또한, 발명자들은 최근의 파인 패턴화 및 고주파화의 요구에서, 무조화 또는 저조화 처리에 의해 구리박의 거침도를 저감시킨 구리박을 제안해 왔다 (특허 문헌 4 참조). 여기에서는 무조화 또는 저조화박에 적절한 표면 처리를 실시함으로써, 고주파 대응용의 절연 수지와의 밀착력 향상을 얻어졌다. 그러나, 무조화 처리박에서는 내산성의 문제가 특히 현저히 나타나 100% Loss 가 되고, 특허 문헌 4 에서 제창한 규소계 전처리를 실시해도 내산성은 불충분하여, 개선이 요망되고 있었다.

특허 문헌 1 : 일본 특허공보 소51-35711호

특허 문헌 2 : 일본 특허공보 소54-6701호

특허 문헌 3 : 일본 특허 제3306404호

특허 문헌 4 : 일본 특허출원 공보 2002-170827호

발명의 개시

발명이 해결하고자 하는 과제

본 발명의 과제는, 다른 제특성을 열화하지 않고, 상기의 회로 침식 현상을 회피하는 황동으로 이루어지는 내열 처리층을 형성한 프린트 배선판용 구리박을 개발하는 것이다.

특히, 수지 기재에 적층했을 경우에 수지층의 얼룩이 거의 없고, 고온 가열 후의 박리 강도의 열화가 적거나 하는 특성을 저하시키지 않고, 또한 염산계 에칭액을 사용한 경우에도 회로 침식 현상을 완전하게 방지할 수 있는 구리박의 전해 처리 기술을 확립하는 것에 있다.

과제를 해결하기 위한 수단

상기 과제를 해결하기 위해, 본 발명자들이 상기 황동으로 이루어지는 내열 처리층을 형성하는 조건 등에 대해 예의 검토한 결과, 이하의 프린트 배선판용 구리박이 내염산성에 유효하다는 것을 알 수 있다.

1) 수지와의 접착면이 되는 구리박의 무조화면에 형성된 내열 처리층, 그 내열 처리층 상에 형성된 크로메이트 피막층, 그 크로메이트 피막층 상에 형성된 실란 커플링제층으로 이루어지는 프린트 배선판용 구리박으로서, 실란 커플링제층 형성 후의 구리박 최표면의 Zn 량이 1.5 Atomic% 이하이며, Cr 량이 3.0 ∼ 12.0 Atomic% 인 것을 특징으로 하는 프린트 배선판용 구리박.

2) 구리박이 전해 구리박 또는 압연 구리박인 것을 특징으로 하는 상기 1) 에 기재된 프린트 배선판용 구리박.

3) 내열 처리층이 황동 피복층인 것을 특징으로 하는 상기 1) 또는 2) 에 기재된 프린트 배선판용 구리박.

4) 크로메이트 피막층은 전해 크로메이트 피막층 또는 침지 크로메이트 피막층인 것을 특징으로 하는 상기 1) ∼ 3) 중 어느 하나에 기재된 프린트 배선판용 구리박.

발명의 효과

이상에서 나타낸 바와 같이, 본 발명의 프린트 배선판용 구리박은 수지 기재에 적층했을 경우에 수지층의 얼룩을 거의 발생시키지 않는 것, 고온 가열 후의 박리 강도의 열화가 적거나 하는 종래의 황동으로 이루어지는 내열 처리층의 특성을 저하시키지 않고, 또한 회로 침식 현상을 완전하게 방지할 수 있고, 내염산성을 항상적으로 안정적으로 효력을 발휘할 수 있는 새로운 특성이 부여된 것으로서, 최근 인쇄 회로의 파인 패턴화 및 고주파화가 진행되는 가운데 인쇄 회로용 구리박으로서 매우 유효하다.

발명을 실시하기 위한 최선의 형태

다음으로, 본 발명의 이해를 용이하게 하기 위해, 본 발명을 구체적이고 또한 상세하게 설명한다. 본 발명에 있어서 사용하는 구리박은, 전해 구리박 혹은 압연 구리박 중 어느 것이어도 된다.

통상적으로, 구리박의 적어도 일면에 적층 후의 구리박의 박리 강도를 향상시키는 것을 목적으로 하여, 탈지 후의 구리박의 표면에, 예를 들어 구리의 오돌도톨한 전착을 실시하는 조화 처리가 실시되지만, 본 발명은 이러한 조화 처리를 실시하지 않는 무조화 처리 구리박에 적용되는 것이다.

먼저, 황동 피복층으로서 황동 도금을 구리박의 적어도 일면에 실시한다. 당연한 것이지만, 양면에 실시해도 된다. 특히, 수지 기재에 적층했을 경우에 수지층의 얼룩이 거의 없고, 고온 가열 후의 박리 강도의 열화가 적거나 하는 특성을 저하시키지 않고, 회로 침식 현상을 완전하게 방지하기 위해서는, 아연 함유량이 15 ∼ 30 중량% 인 황동으로 이루어지는 피복층을 전기량 30 ∼ 60Aㆍs/d㎡ 로 형성하는 것이 바람직하다. 그러나, 본원 발명은, 실란 커플링제층 형성 후의 구리박 최표면의 Zn 량이 1.5 Atomic% 이하이며, Cr 량이 3.0 ∼ 12.0 Atomic% 인 것이 중요하고, 이 조건을 만족한다면, 상기의 수치 범위 외의 황동 피복층에도 적용할 수 있다는 것은 당연하고, 본원 발명은 그들을 포함한다.

한편, 아연 함유량이 30% 미만인 경우, 전기량은 비용면을 고려하면, 60Aㆍs/d㎡ 이하, 바람직하게는 50Aㆍs/d㎡ 이하, 더욱 바람직하게는 40Aㆍs/d㎡ 정도인 것이 바람직하다. 전기량 (Aㆍs/d㎡) 이란, 전류 밀도 (A/d㎡) 와 도금 시간 초 (s) 의 곱이며, 소정의 전기량을 얻으려면, 전류 밀도에 따라 적정한 도금 시간을 선택할 필요가 있다. 그러나, 전류 밀도는, 도금조의 액유속, 도금액 조성 등, 구리박의 제조 설비 및 조건에 의해, 최적치를 선택하게 되므로, 일의적으로 정할 수는 없지만, 통상적으로 1 ∼ 10A/d㎡, 바람직하게는 4 ∼ 8A/d㎡ 이다. 이 범위에서의 최적치로부터, 필요한 전기량을 얻도록 도금 시간이 선택된다.

또한, 아연 함유량은, 도금액 중의 구리와 아연의 비율을 조정함으로써 변화시킬 수도 있으므로, 목표로 하는 아연 함유량에 따라 적절하게 선택할 수 있다. 이상의 황동 도금의 전해액 및 전해 조건 등을 시안계 전해액에 대해 정리하면 이하에 기재하는 바와 같이 된다.

B. (황동(Cu-Zn) 도금 조건)

NaCN : 10 ∼ 30g/L, NaOH : 40 ∼ 100g/L, CuCN : 60 ∼ 120g/L (구리 이온 42.5 ∼ 85g/L), Zn(CN)₂ : 1∼ 10g/L (아연 이온 0.6 ∼ 5.6g/L) pH : 10 ∼ 13, 온도 : 60 ∼ 80℃, 전류 밀도 : 1 ∼ 10A/d㎡, 시간 : 1 ∼ 10초

이 후, 상기 피복층을 형성한 구리박의 산화 방지를 위해, 그 구리박의 적어도 일면에 녹 방지층을 형성한다. 상기 녹 방지층의 형성 방법으로서는, 공지된 것은 모두 본 발명에 적용할 수 있지만, 바람직하게는 침지 크로메이트 처리 또는 전해 크로메이트 처리에 의해 크롬 산화물, 혹은 전해 크롬ㆍ아연 처리에 의해 크롬 산화물과 아연 혹은 산화 아연의 혼합물로 이루어지는 녹 방지층을 형성한다.

이 녹 방지 처리는, 내염산성에 큰 영향을 주는 것이다. 즉, 크로메이트 처리에 의해 크롬 산화물층이 구리박 상의 황동면에 형성하는 것은, 황동 중의 아연과의 치환 반응에 의한 것이다. 따라서, 크로메이트 처리전의 구리박 표면에는, 아연이 존재하는 것이 필요하다.

한편, 크로메이트 처리층은 반드시 균일한 면이 아닌, 미시적으로 보면 불균일가 관찰된다. 이 불균일은 아연이 크로메이트 처리의 전면(前面)에 나타날 가능성이 있다는 것을 의미한다. 또한, 아연은 이러한 크로메이트 피막층에 확산될 가능성도 있다.

이 경우에는, 표출된 아연은 내염산성을 열화시키는 원인이 된다. 따라서, 하지의 황동층 표면에서는, 아연은 어느 정도 존재하는 것은 필요하지만, 실란 커플링제층 형성 후의 구리박 최표면의 Zn 량은 최대한 저감시킬 필요가 있고, 그 양을 1.5 Atomic% 이하로 해야 하는 것을 알아냈다. 한편, Cr 량은 내산성 면에서, 3.0 ∼ 12.0 Atomic% 이상인 것이 중요하다.

이와 같이, 구리박 최표면의 Zn 량과 Cr 량을 조정함으로써, 내염산성을 비약적으로 향상시킬 수 있다. 또한, Cr 량이 12.0 Atomic% 를 초과하면 에칭성이 악화되고, 에칭 잔사가 발생할 가능성이 있기 때문에, 상한을 12.0 Atomic% 로 하는 것이 바람직하다. 크로메이트 처리층을 형성하는 경우에는, 전해 크롬ㆍ아연 처리도 가능하다. 그러나, 이 경우도 구리박 최표면의 Zn 량과 Cr 량을 상기의 범위로 조정하는 것이 필요하다.

상기 녹 방지층을 형성하기 위한 전해 조건 등의 일례를, 참고로 이하에 기재한다.

(a) 침지 크로메이트 처리

K₂Cr₂O₇ : 1 ∼ 5g/L, pH : 2.5 ∼ 4.5, 온도 : 40 ∼ 60℃, 시간 : 0.5 ∼ 8초

(b) 전해 크로메이트 처리 (크롬ㆍ아연 처리 (알칼리성 욕))

K₂Cr₂O₇ : 0.2 ∼ 20g/L, 산 : 인산, 황산, 유기산, pH : 1.0 ∼ 3.5, 온도 : 20 ∼ 40℃, 전류 밀도 : 0.1 ∼ 5A/d㎡, 시간: 0.5 ∼ 8초

(c) 전해 크롬ㆍ아연 처리 (알칼리성 욕)

K₂Cr₂O₇(Na₂Cr₂O₇ 혹은 CrO₃) : 2 ∼ 10g/L, NaOH 또는 KOH : 10 ∼ 50g/L, ZnOH 또는 ZnSO₄ㆍ7H₂O : 0.05 ∼ 10g/L, pH : 7 ∼ 13, 욕온 : 20 ∼ 80℃, 전류 밀도 : 0.05 ∼ 5A/d㎡, 시간: 5 ∼ 30초

(d) 전해 크로메이트 처리 (크롬ㆍ아연 처리 (산성 욕))

K₂Cr₂O₇ : 2 ∼ 10g/L, Zn : 0 ∼ 0.5g/L, Na₂SO₄ : 5 ∼ 20g/L, pH : 3.5 ∼ 5.0, 욕온 : 20 ∼ 40℃, 전류 밀도 : 0.1 ∼ 3.0A/d㎡, 시간 : 1 ∼ 30초

다음으로, 실시예 및 비교예에 대해 설명한다. 또한, 본 실시예는 바람직한 일례를 나타내는 것으로서, 본 발명은 이들의 실시예에 한정되는 것은 아니다. 따라서, 본 발명의 기술 사상에 포함되는 변형, 다른 실시예 또는 양태는, 모두 본 발명에 포함된다.

또한, 본 발명과의 대비를 위해, 비교예를 게재하였다.

(실시예 1 ∼ 7)

미리 준비한 두께 35㎛ 의 전해 구리박을 사용하여 하기에 나타내는 바와 같은 전해액 및 전해 조건으로, 먼저 상기 구리박의 광택면 (S면) 에 황동으로 이루어지는 내열 피복층을 형성시켰다.

또한, 하기에 나타내는 침지 크로메이트 처리 및 전해 크로메이트 처리를 실시하여, 상기 내열 피복층을 형성한 구리박의 양면에 실시하여, 녹 방지층을 형성시켰다. 그리고 이 녹 방지층 상에 실란 처리 (도포에 따름) 를 실시하였다.

또한, 상기의 전해액 및 전해 조건은, 모두 동일한 조건으로 실시하였다. 이하에, 처리 조건을 나타낸다.

(a) 황동 (Cu-Zn) 도금

NaCN : 10 ∼ 30g/L, NaOH : 40 ∼ 100g/L, CuCN: 60 ∼ 120g/L, Zn(CN)₂ : 1 ∼ 10g/L, pH : 10 ∼ 13, 온도 : 60 ∼ 80℃, 전류 밀도 : 1 ∼ 10A/d㎡, 시간 : 1 ∼ 10초

(b) 침지 크로메이트 처리

K₂Cr₂O₇: 1 ∼ 5g/L, pH : 2.5 ∼ 4.5, 온도 : 40 ∼ 60℃, 시간: 0.5 ∼ 8초

(c) 전해 크로메이트 처리 (크롬ㆍ아연 처리(산성 욕))

이와 같이 하여 제조된 구리박을 유리 크로스 기재 에폭시 수지판에 적층 접착시키고, 이하의 항목에 대해 측정 또는 분석을 실시하였다.

(1) 박리 강도 시험

상태 (실온) 및 180℃ × 48시간 가열 처리 후의 구리박의 박리 강도를 10mm 폭의 회로로 측정하였다.

(2) 적층 오점 관찰 시험

구리박을 염산계 에칭액에 의해 에칭하고, 180℃ × 1시간 가열 처리 후의 구리박 에칭면의 얼룩 또는 오염을 관찰하였다.

(3) Zn 량 및 Cr 량의 분석

실란 커플링제층 형성 후의 구리박 최표면의 Zn 량 및 Cr 량의 ESCA 에 의한 분석 결과

(4) 내산성 (18% 염산 : 실온) 의 시험 결과

1mm 회로로 실시하였다.

표 1 에 실란 커플링제층 형성 후의 구리박 최표면의 Zn 량 및 Cr 량의 ESCA 표면 분석 결과, 내산성 (18% 염산 : 실온) 의 시험 결과, 크로메이트 도금 조건, 전류 밀도, 크롬량을 나타낸다.

이상에 나타내는 바와 같이, 실시예 1 ∼ 7 은 내산성이 10% Loss 미만인 것에 대해, 비교예 1 ∼ 4 는 10% Loss 를 크게 초과하고 있고, 본 발명은 내산성 개선에 효과가 있는 것이 확인되었다. 이상에서, 본원 발명은 수지층의 얼룩이 생기지 않고, 고온 가열 후의 박리 강도의 열화가 적거나 하는 종래의 황동으로 이루어지는 내열 처리층의 특성을 저하시키지 않고, 회로 침식 현상을 크게 개선할 수 있다는 것을 알 수 있다.

이상에서 나타낸 바와 같이, 본 발명은, 구리박의 수지와의 접착면에 무조화 면 상에 내열 처리층을 형성하고, 그 내열 처리층 상에 크로메이트 피막층을 형성하고, 또한, 그 크로메이트 피막층 상에 실란 커플링제층을 형성하는 것으로서, 실란 커플링제층 형성 후의 구리박 최표면의 Zn 량을 1.5 Atomic% 이하, 또한 Cr 량을 3.0 ∼ 12.0 Atomic% 로 함으로써, 회로 침식 현상을 효과적으로 달성할 수 있다는 것을 알 수 있다.

또한, 이와 같이 하여 형성된 표면 처리 구리박은, 수지 기재에 적층했을 경우에, 수지층의 얼룩을 거의 발생시키지 않고, 고온 가열 후의 박리 강도의 열화가 적거나 하는 종래의 황동으로 이루어지는 내열 피복층의 특성을 저하시키지 않고, 회로 침식 현상을 완전하게 방지할 수 있다는 새로운 특성이 부여된 것으로서, 최근 인쇄 회로의 파인 패턴화 및 고주파화가 진행되는 가운데 인쇄 회로용 구리박으로서 바람직하게 사용할 수 있다.

Claims

수지와의 접착면이 되는 구리박의 무조화면에 형성된 내열 처리층, 그 내열 처리층 상에 형성된 크로메이트 피막층, 그 크로메이트 피막층 상에 형성된 실란 커플링제층으로 이루어지는 프린트 배선판용 구리박으로서, 실란 커플링제층 형성 후의 구리박 최표면의 Zn 량이 0.1 Atomic% 이상 1.5 Atomic% 이하이며, Cr 량이 3.0 ∼ 12.0 Atomic% 이고, 내열 처리층이 황동 피복층인 것을 특징으로 하는 프린트 배선판용 구리박.
제 1 항에 있어서,

구리박이 전해 구리박 또는 압연 구리박인 것을 특징으로 하는 프린트 배선판용 구리박.
삭제
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,

크로메이트 피막층은, 전해 크로메이트 피막층 또는 침지 크로메이트 피막층인 것을 특징으로 하는 프린트 배선판용 구리박.