KR100954547B1

KR100954547B1 - 모양 형성 장치의 제조 방법, 모양 형성 방법, 및 그 모양 형성 방법에 사용되는 도료

Info

Publication number: KR100954547B1
Application number: KR1020070033657A
Authority: KR
Inventors: 요시노리 스기우라; 준 니시카와; 료이치 나카오카; 지카 가나다; 아키토 하라다
Original assignee: 이노악 코포레이션; 주 텡 인터내셔널 홀딩스 리미티드; 상 브롤리 컴퍼니 리미티드
Priority date: 2006-04-05
Filing date: 2007-04-05
Publication date: 2010-04-23
Also published as: TW200740532A; TWI330550B; AU2007201454A1; EP1845537A2; KR20070100148A; US20070237891A1; EP1845537A3; US8147925B2

Abstract

도막이 형성되도록 자성 입자를 함유하는 도료를 물품에 도포하고, 이 도막의 전면을 따라 복수의 시트형 자석이 배치되어, 모양이 형성된다. 인접한 시트형 자석은 전면의 자극과 후면의 자극이 인접한 시트형 자석 간에 서로 다르고 시트형 자석의 측면이 서로 접하도록 배열된다. 상기 도료는 열가소성 수지, 플레이크 형상의 자성 입자 및 특정 저비점 용제와 특정 고비점 용제를 함유한다. 시트형 자석에 의해 도막에 자기장이 인가되고, 도막의 자성 입자가 상기 자기장에 의해 배향되어, 자성 입자가 시트형 자석 사이의 접촉부 위에 도막의 전면에 실질적으로 평행하게 배향된다. 광은 모양이 형성되도록 도막의 자성 입자로부터 반사된다.

모양 형성 장치, 시트형 자석, 도막

Description

모양 형성 장치의 제조 방법, 모양 형성 방법, 및 그 모양 형성 방법에 사용되는 도료{MANUFACTURING METHOD OF PATTERN FORMING APPARATUS, PATTERN FORMING METHOD AND COATING COMPOSITION USED THEREIN}

도 1은 도장하려는 물품의 전면(front surface)에 도막이 형성되고, 도장하려는 물품의 후면(back surface)에 시트형 자석이 배치되어 있을 때의 자기력선을 도시하는 도면.

도 2는 원형 구멍을 갖는 시트형 자석에서 원형 구멍의 내주면과 원형 시트형 자석의 외주면이 서로 접한 상태를 도시하는 평면도.

도 3a∼3d는 시트형 자석의 제조 공정을 도시하는 도면.

도 4는 도료 도포 후 경과한 시간과 도료의 점도 사이의 관계를 도시하는 그래프.

도 5는 도막 위 모양의 뚜렷함(distinctness), 깊이감(depth appearance), 이동감(appearance of movement)을 설명하기 위한 개략도.

도 6은 도막 위의 모양과 그 모양의 이동을 설명하기 위한 도면.

도 7은 도장하려는 물품의 전면에 도막이 형성되고, 도장하려는 물품의 후면에 시트형 자석이 간격을 두고 인접하게 배치되어 있을 때의 자기력선을 도시하는 도면.

도 8은 시트형 자석이 간격을 두고 인접하게 배치되어 있는 경우에 도막의 자성 입자로부터 반사된 광의 상태를 설명하기 위한 개략도.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>

11,12: 시트형 자석 13: 자석의 외주면

14: 자석의 내주면 15: 구멍

16: 도장하려는 물품 17: 도막

18: 자기력선 19: 두 개의 시트형 자석이 서로 접하는 부분

20: 공간 21: 원 모양

22: 눈 23: 자성 입자

24a: 입사광 24b: 반사광

본 발명은, 예를 들어 비자성 입자인 도장하려는 물품에, 플레이크 형상의 자성 입자를 함유하는 도료를 도포하는 동안이나 도포한 후에 그 도료에 자기장이 인가되어 자성 입자가 배향되고, 그 자성 입자의 배향을 통해 모양이 형성되는, 모양 형성 장치와 모양 형성 방법에 관한 것이다.

도장하려는 물품 표면에 자성 입자를 함유하는 도료를 도포한 후, 자석에 의해 형성된 자기장에 의해 그 자성 입자가 배향되어 문자나 그림이 나타나는, 도막에 모양을 형성하기 위한 종래의 방법이 제안되어 있다. 일본 공개특허공보 평5-337424호는 상술한 바와 같이 모양이 형성되는 도막을 구비한 성형품을 제조하는 장치를 개시한다. 이 제조 장치는 성형품의 본체를 지지하는 지지 수단과, 플레이크 형상의 자성 입자가 혼합된 액체형의 투명 또는 반투명 도료를 성형품의 본체 표면에 도포하여 도막을 형성하는 도막 형성 수단과, 도막의 자성 입자에 자기장을 인가하는 자기장 형성 수단과, 그 자기장을 변화시키는 자기장 변화 수단을 구비한다. 자기장 형성 수단에서, 제 1 자석 및 인접한 제 2 자석은, 제 1 자석의 N극으로부터 제 2 자석의 S극으로 뻗게 자기장(자기력선)이 생성되도록 서로 떨어져서 위치한다.

도료에 혼합되는 자성 입자는 저장 중 쉽게 가라앉고 응집되며, 또한 도포시에 도포기에 쉽게 가라앉으며, 이에 따라, 어떤 경우에는, 형성된 모양의 경계부에서 모양의 뚜렷함(distinctness)과 깊이감이 생기지 않는다. 따라서, 자성 입자의 중량을 줄이기 위해, 자성 입자가 합성 수지로 코팅된 분말, 또는 자성 재료로 코팅된 운모를 사용하는 것이 제안되어 있다. 이러한 경우, 자성 입자의 비중이 작아서, 자성 입자가 가라앉고 응집되기 어려워지며, 따라서, 상술한 종래 기술에 비해 균일한 모양이 만들어질 수 있다. 그러나, 합성 수지와 운모는 비자성 입자이고, 따라서, 자성 입자의 도포시 어떤 조건하에서는 자성 입자가 의도한 대로 배향되지 않고, 이 때문에, 만족스러운 모양을 얻을 수 없다. 이 문제를 해결하기 위하여, 일본 공개특허공보 제 2003-176452호에 기술된 바와 같이, 도포한지 1분 후에 도막의 고형성분이 70 중량% 이하가 되도록 설정된 자기 모양 형성 도료가 제안되어 있다.

그러나, 일본 공개특허공보 평5-337424호에 기술된 제조 장치의 자기장 형성 수단에서는, 자기장의 자기력선 방향이 대략 모양 윤곽의 중심부에서, 즉 대략 제 1 자석의 단부와 제 2 자석의 단부 사이의 중심부에서, 도막의 표면에 대략 평행하게 설정되어 있다. 즉, N극으로부터 S극으로 향한 자기력선의 극값(최대값)은 대략 제 1 자석의 단부와 제 2 자석의 단부 사이의 중심부에 위치한다. 따라서, 자기장에서 자성 입자의 배향을 통해 생긴 모양 부분은 폭이 상당히 넓어서, 모양을 희미하게 하고, 모양에서 뚜렷함을 얻을 수 없다. 또한, 도막 깊숙이 위치한 자성 입자 또한 상술한 방식으로 배향되어, 문제가 발생하여, 모양에서 깊이감을 얻을 수 없고, 다른 각도로 보았을 때 모양의 이동으로부터 생긴 이동감이 만족스럽지 않다.

일본 공개특허공보 제 2003-176452호에 기술된 모양 형성 도료에서는, 도포 1분 후 도료의 고형성분 함량이 70 중량% 이하로 되도록 도료가 설정된다. 그러므로, 자기장이 인가되어 도료의 자성 입자가 자기력선의 방향으로 배향될 때에도, 도료의 점도는 크게 증가하지 않고 자성 입자의 배향이 유지되지 않는다. 따라서, 자성 입자의 배향 중 교란(disturbance) 때문에 모양에서 뚜렷함, 깊이감, 및 이동감이 향상될 수 없는 문제가 발생한다.

본 발명의 목적은, 자성 입자를 함유하는 도막 위에 뚜렷함, 깊이감, 및 이동감을 갖는 우수한 모양을 형성할 수 있는, 모양 형성 장치 및 모양 형성 방법을 제공하는 것이다.

상기 목적을 이루기 위한 본 발명의 하나의 실시태양에 따르면, 플레이크 형상의 자성 입자를 함유하는 도료로 이루어진 전면을 갖는 도막에 모양을 형성하는 모양 형성 장치가 제공된다. 도장하려는 물품에 상기 도료가 도포된다. 이 장치는 복수의 인접한 시트형 자석을 포함한다. 인접한 시트형 자석은 자극이 있는 전면과 후면, 측면, 각 시트형 자석의 접촉부, 및 자극에 의해 형성된 자기장을 포함한다. 인접한 시트형 자석의 전면의 자극과 후면의 자극이 인접한 시트형 자석 간에 서로 다르고, 각 시트형 자석의 측면이 서로 접하도록, 도막의 전면을 따라 각 시트형 자석을 배열하여 접촉부가 형성된다. 복수의 시트형 자석을 통해 도막에 자기장이 인가된다. 도막의 자성 입자가 상기 자기장에 의해 배향된다. 각 시트형 자석의 접촉부 위의 자성 입자는 도막의 전면에 실질적으로 평행하게 배향된다. 적어도 각 시트형 자석의 접촉부 위의 자성 입자에 의해 도막에 모양이 형성된다.

본 발명의 다른 실시태양에 따르면, 물품 위의 도막에 모양을 형성하는 모양 형성 방법이 제공된다. 이 방법은, 플레이크 형상의 자성 입자를 함유하는 도료를 제조하는 단계; 도장하려는 물품에 도료를 도포하여 물품에 도막을 형성하는 단계; 그 도막의 표면을 따라 복수의 시트형 자석을 그 자석들이 서로 인접하도록 배열하는 단계(여기서 각각의 시트형 자석에는 측면, 전면, 및 후면이 있고, 그 전면과 후면에는 자극이 있으며, 또한 이들 시트형 자석은 인접한 시트형 자석의 자극이 시트형 자석의 전면과 후면간에 서로 다르게 배열되고, 시트형 자석의 측면이 서로 접하여, 복수의 시트형 자석에 시트형 자석들의 접촉부가 마련된다); 및 도막의 자성 입자가 자기장에 의해 배향되도록 복수의 시트형 자석을 사용하여 도막에 자기장을 인가하여 도막에 모양을 형성하는 단계(여기서 자성 입자는 각 시트형 자석의 접촉부 위에 도막의 전면에 실질적으로 평행하게 배열되고, 적어도 각 시트형 자석의 접촉부 위의 자성 입자에 의해 도막에 모양이 형성된다)를 포함한다. 상기 도료는 열가소성 수지, 비점이 50℃ 이상 100℃ 이하인 저비점 용제, 및 비점이 100℃보다 높고 200℃ 이하인 고비점 용제를 더 함유한다. 도료는, 물품에 도료를 도포하고나서 20초∼60초후에 있어서의 표준 조건하에서의 점도가 2,000mPa.s∼500,000mPa.s이고, 도포한 후 60초를 넘어 120초후까지의 사이에서의 도료의 점도가 100,000mPa.s 이상이며, 도포한 후 60초를 넘어 120초후까지의 사이에서의 도료의 점도가 도포후 20초∼60초후에 있어서의 도료의 점도보다 크다.

다음으로, 본 발명의 실시태양을 도면을 참조하여 상세히 기술한다. 도 2와 3d에 도시된 바와 같이, 모양 형성 장치는 복수의 시트형 자석을 구비한다. 복수의 시트형 자석 중에서 하나의 시트형 자석(11)은 이 시트형 자석(11) 위에서 볼 때 직사각형(정사각형) 형태를 가질 뿐만 아니라, 중심부에 원형 구멍을 갖고, 원형 형태의 다른 시트형 자석(12)이 이 구멍에 맞물려진다. 시트형 자석(11)은 여러 두께를 가질 수 있고, "시트형"이란, 일반적으로 시트로 불리는 형태와 막과 플레이트로 불리는 형태를 포함한다. 시트형 자석(11)의 형상(shape)에 관하여, 자석은 직사각형 형상을 갖는 것에 한정되지 않고, 다각형 형상, 예를 들어, 삼각형이나 육각형, 또는 원형이나 타원형 형상을 가질 수 있다. 모양(pattern)의 형상(shape)은 시트형 자석(12)의 형상에 의해 결정되며, 따라서, 시트형 자석(12)은 원형 이외의 다른 형상을 갖거나, 문자 형상, 예를 들어, N자 또는 A자 형태를 가질 수 있다.

시트형 자석(12)은 전면(도 1과 3d에서 시트형 자석(12)의 상부 표면)에 N극을 갖고, 후면(도 1과 3d에서 시트형 자석(12)의 하부 표면)에 S극을 갖는다. 시트형 자석(12) 둘레에 위치한 시트형 자석(11)은 전면에 S극을 갖고, 후면에 N극을 갖는다. 즉, 인접한 시트형 자석(12)과 시트형 자석(11)의 전면의 자극이 다르고, 인접한 시트형 자석(12)과 시트형 자석(11)의 후면의 자극이 다르다. 시트형 자석(12)의 외주면(측면)(13)과 시트형 자석(11)의 내주면(측면)(14)은 서로 접한다. 도 3d는 도 2의 3D-3D 라인을 따른 단면도이다.

상술한 구성을 갖는 모양 형성 장치는 다음 방식으로 제조된다. 즉, 도 3a에 도시된 바와 같이, 직사각형 형태의 자석(11)은 마그네트 시트로 만들어지고, 전면에 S극을 갖고 후면에 N극을 갖도록 자기화된다. 이 마그네트 시트는 플라스틱 또는 고무와 같은 일반적인 재료로 만들어진다. 다음으로, 도 3b에 도시된 바와 같이, 시트형 자석(11)의 중심부에 원형의 모양을 형성하도록 뚫어내어, 원형의 분리 시트인 분리된 시트형 자석(12)이 형성된다. 이때, 분리로 인해 생긴 구멍(15)이 시트형 자석(12)의 분리 후 하나의 자국(mark)으로서 시트형 자석(11)에 생긴다. 이어서, 도 3c에 도시된 바와 같이, 시트형 자석(12)이 뒤집혀서, 전면과 후면이 바뀐다. 마지막으로, 도 3d에 도시된 바와 같이, 뒤집힌 시트형 자석(12)을 복귀시켜 시트형 자석(11)의 분리로부터 생긴 구멍(15)에 맞물린다. 이 방법으로, 인접한 시트형 자석(11과 12)이 역으로 된 자극을 갖는 모양 형성 장치가 얻어진다. 이 모양 형성 장치를 이용하여 도막 위에 하나의 모양이 형성되면, 도막의 전면과 후면에 각각의 원형의 대칭 모양이 형성된다.

이 모양 형성 장치는 또한 다음 방법에 따라 제조될 수 있다. 즉, 자기화되지 않은, 직사각형 시트형의 자석을 형성할 수 있는 마그네트 시트를 준비하고, 이 마그네트 시트의 중심부를 원형의 모양을 형성하기 위해 원형으로 뚫어낼 수 있다. 그 결과, 원형의 분리 시트를 마그네트 시트로부터 분리할 수 있다. 이때, 분리로 인해 생긴 구멍이 분리 시트의 분리 후 하나의 자국으로서 마그네트 시트에 생긴다. 이어서, 마그네트 시트와 분리 시트를 각각 자기화한다. 이때, 마그네트 시트와 분리 시트는 서로 다른 방향으로 뻗어있는 자기력선을 갖도록 자기화한다. 다음으로, 자기화한 분리 시트를 복귀시켜 마그네트 시트의 분리로 인해 생긴 구멍에 맞물린다. 이 방식으로도 인접한 시트형 자석(11과 12)이 역으로 된 자극을 갖는 모양 형성 장치가 얻어진다.

도 1에 도시된 바와 같이, 플레이크 형상의 자성 입자를 함유하는 모양 형성용 도료(이후, 간단히 도료로 지칭함)를 비자성 재료로 만들어진 플레이트형의 도장하려는 물품(16)에 도포하여 도막(17)을 형성하고, 상술한 시트형 자석(11과 12)을 도막(17)의 전면인 도막 표면을 따라 배치한다. 즉, 시트형 자석(11과 12)을 접착 테이프를 이용하여 도장하려는 물품(16)의 후면에 붙이거나, 시트형 자석(11과 12)을 도막(17) 상부에 특정의 거리를 두고 배치한다. 이 상태에서, 시트형 자석(11과 12)에 의해 생성된 자기장이 도막(17)의 자성 입자에 작용한다.

상술한 도료는 플레이크 형상의 자성 입자 외에, 열가소성 수지와 특정 용제 를 함유한다. 상기 열가소성 수지는 상기 용제에서 우수한 용해도를 갖고, 점도에 있어서, 용제가 용액으로부터 증발할 때 도료의 점도가 지수적으로 증가하는 특성을 갖는다. 점도에 있어서 이러한 특성을 갖는 열가소성 수지로는, 비닐 아세테이트계 수지, 아크릴계 수지 및 셀룰로오스 아세테이트 부티레이트 수지가 바람직하다. 비닐 아세테이트계 수지로서는, 비닐 아세테이트-염화비닐 공중합체 수지 및 에틸렌 -비닐 아세테이트 공중합체 수지를 사용할 수 있다.

도장하려는 물품에 도료가 도포되는 동안 또는 도포 후 자기장이 인가되는 경우에 자기장의 자기력선을 따라 자성 입자가 배향되고, 이에 따라 도막에 모양이 형성된다. 자성 입자는 광을 반사하도록 편평형, 보다 구체적으로는, 플레이크형, 플레이트형, 시트형, 또는 필름형이다. 이러한 자성 입자는 철 산화물, 니켈, 코발트 또는 이들의 합금과 같은 강자기성 재료로 만들어진다. 자성 입자로는, 자성 재료로 코팅된 안료를 사용할 수 있다. 즉, 자성 금속과 같은 자성 재료로 코팅된 임의의 잘 알려진 안료를 자성 입자로 사용할 수 있다. 안료로는, 운모(mica), 이산화티탄으로 코팅된 운모, 알루미늄 플레이크, 스테인리스강 플레이크, 알루미나 플레이크 및 유리 플레이크를 사용할 수 있다. 자성 금속으로는, 니켈, 철, 코발트 및 구리를 사용할 수 있다. 자성 입자의 길이는 약 1㎛∼80㎛이고, 두께는 약 0.1㎛∼20㎛이다.

상술한 특정 용제는 비점이 50℃ 이상 100℃ 이하인 저비점 용제와, 비점이 100℃보다 높고 200℃ 이하인 고비점 용제를 함유한다. 저비점 용제와 고비점 용제를 조합하여, 아래에 기술된 바와 같이 5 질량%∼15 질량%의 비교적 낮은 범위의 고형성분 함량을 갖도록 도료를 설정함으로써, 다음의 이점을 얻을 수 있다. 즉, 도장하려는 물품 위의 도막의 점도를, 도장하려는 물품에 도료를 도포한 후 즉시 낮출 수 있으며, 도료의 고형성분 함량은 시간이 경과함에 따라 저비점 용제가 급격히 기화하기 때문에 증가하고, 이에 따라서, 도막의 점도는 지수적으로 증가한다. 따라서, 도료의 자성 입자는, 도장하려는 물품에 도료를 도포한 후 즉시 자기력선에 의하여 쉽게 배향될 수 있고, 이후 배향된 자성 입자의 상태를 쉽게 유지할 수 있다.

도장하려는 물품 위에 형성된 도막의 점도는 용제의 증발률(rate of evaporation)과 관계가 있고, 또한, 용제의 용해도 파라미터(SP 값)와 관계가 있다. 증발률은 다음 방법으로 측정할 수 있다. 즉, 반경이 5mm인 알루미늄캔을 정밀 천칭 위에 놓는다. 다음에, 0.1g의 n-부틸 아세테이트를 알루미늄캔 안에 넣고, 증발을 통해 중량이 90%만큼 감소하는 시간을 측정하고, 이 시간을 증발률의 기준인 100으로 정의한다. 용제가 감소하는데 걸리는 시간이 n-부틸 아세테이트가 감소하는데 걸리는 시간보다 짧을 경우, 즉, n-부틸 아세테이트보다 용제가 더 쉽게 증발하는 경우, 용제의 증발률은 100 이상이다. 용제가 감소하는데 걸리는 시간이 n-부틸 아세테이트가 감소하는데 걸리는 시간보다 더 긴 경우, 즉, n-부틸 아세테이트보다 용제가 증발하는 것이 더 어려운 경우, 용제의 증발률은 100 이하가 된다.

저비점 용제로는, 메틸 에틸 케톤(비점: 79.6℃, 증발률: 465, SP 값: 9.27), 에틸 아세테이트(비점: 76.8℃, 증발률: 525, SP 값: 9.08), 아세톤(비점: 57℃, 증발률: 720, SP 값: 9.75) 및 이소프로필 알코올(비점: 82℃, 증발률: 205, SP 값: 11.5)을 사용할 수 있다. 고비점 용제로는, 메틸 이소부틸 케톤(비점: 116.7℃, 증발률: 160, SP 값: 8.31), n-부틸 아세테이트(비점: 126.3℃, 증발률: 100, SP 값: 8.47), 크실렌(비점: 142℃), 디이소부틸 케톤(비점: 168.2℃, 증발률: 18, SP 값: 8.22), 에틸렌 글리콜 모노부틸 에테르(비점: 192℃, 증발률: 3, SP 값: 8.9), 이소부틸 아세테이트(비점: 118℃, 증발률: 175, SP 값: 8.42) 및 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트(비점: 146℃, 증발률: 40, SP 값: 9.2)를 사용할 수 있다.

상기 고비점 용제에 대해서는, 비점이 100℃보다 높고 150℃ 이하인 제 1 고비점 용제와, 비점이 150℃보다 높고 200℃ 이하인 제 2 고비점 용제의 조합물을 사용하는 것이 바람직하며, 그렇게 함으로써 도료의 도포 후의 도료로부터 증발되는 용제의 양을 미세하게 조정할 수 있어, 도료의 점도를 조절하기가 용이하게 된다. 상기 제 1 고비점 용제로서는, 메틸 이소부틸 케톤(비점: 116.7℃), n-부틸 아세테이트(비점: 126.3℃), 크실렌(비점: 142℃) 등을 사용할 수 있다. 상기 제 2 고비점 용제로서는, 에틸렌 글리콜 모노부틸 에테르(비점: 192℃), 디이소부틸 케톤(비점: 168.2℃) 등을 사용할 수 있다.

상기 도료는 착색제로서 염료와 안료를 함유하여, 도막 위 모양의 장식 효과를 증강시키는 것이 바람직하다. 염료로는, 모노아조 염료, 디아조 염료, 금속 착염 아조 염료, 안트라퀴논 염료, 인디고계 염료, 프탈로시아닌 염료, 피라졸론 염료, 스틸벤 염료, 티아졸 염료, 퀴놀린 염료, 디페닐 메탄 염료, 트리페닐 메탄 염 료, 아크리딘 염료, 크산텐 염료, 아진 염료, 티아진 염료, 옥사진 염료, 폴리메틴 염료, 인도페놀 염료 및 페릴렌 염료를 사용할 수 있다. 안료로는, 유기계 안료, 금속 분말 안료 및 광루미네선스 안료(photoluminescent pigment)를 사용할 수 있다. 유기계 안료로는, 아조레이크 안료(azolake pigment), 불용성 아조계 안료, 축합 아조계 안료, 프탈로시아닌계 안료, 페릴렌계 안료, 디옥사진계 안료, 인디고계 안료, 퀴나크리돈계 안료(quinacridone based pigment), 이소인도리논계 안료(isoindorinone based pigment), 벤즈이미다졸론계 안료, 디케토피롤로피롤계 안료, 및 금속 착화합물 안료를 사용할 수 있다. 금속 분말 안료로는, 황색 산화철, 적색 산화철, 카본 블랙 및 이산화티탄을 사용할 수 있다. 광루미네선스 안료로는, 간섭 운모(interference mica)와 착색 운모(coloring mica)를 사용할 수 있다.

상기 도료는 아민 수지, 이소시아네이트 화합물이나 그 블록 이소시아네이트 화합물, 에폭시 화합물 또는 폴리카보디이미드와 같은 경화제를 함유할 수 있고, 이 경우, 상술한 열가소성 수지는 이들을 사용하여 경화될 수 있다. 또한, 상기 도료는 산화방지제, 평탄제(leveling agent), 소포제(antifoaming agent), 증점제(thickener), 또는 자외선 흡수제와 같이, 일반적인 도료와 혼합되는 성분들을 함유할 수 있다.

도료의 고형성분 중에서 열가소성 수지의 함량은 60 질량%∼93 질량%이고, 자성 입자의 함량은 7 질량%∼35 질량%인 것이 바람직하다. 혼합되는 열가소성 수지의 양이 60 질량% 미만인 경우, 도막의 평활성이 상실되거나 도장하려는 물품에 대한 도막의 접착성이 낮아질 수 있는 위험이 있다. 열가소성 수지의 함량이 93 질량%를 초과하는 경우, 혼합된 자성 입자의 양이 상대적으로 적어져서, 도막 위에 원하는 모양이 형성되지 않을 수 있는 위험이 있다. 자성 입자의 함량이 7 질량% 미만인 경우, 도장하려는 물품의 컬러와 모양은 자성 입자의 함량이 낮기 때문에 쉽게 영향을 받고, 도료 도포시 자기장의 인가를 통해 배향되는 자성 입자가 부족하기 때문에, 아름다운 모양을 얻기 어렵다. 자성 입자의 함량이 35 질량%를 초과할 경우, 자성 입자가 과잉으로 되어, 배향이 촉진되기보다 방해될 수 있고, 도포 중에 자성 입자가 가라앉거나 응집될 수 있으며, 또는 도막의 내부 응집력이 낮아져서, 응집을 붕괴시킬 위험이 있다.

착색제인 염료의 함량에 대한 상한은 도료의 고형성분 함량의 33 질량%인 것이 바람직하다. 이 경우, 착색제의 함량과 상술한 자성 입자의 함량의 합은 고형성분의 7 질량%∼40 질량%인 것이 바람직하다. 착색제의 함량이 33 질량%를 초과하는 경우, 도료에서 착색제의 분산성이 낮아질 수 있고, 도막의 컬러가 과도하게 강하게 되거나, 다른 성분에 비해 함량의 균형이 나빠질 수 있는 위험이 있다.

도료에서 불휘발분, 즉 고형성분의 함량을 5 질량%∼15 질량%로 하여, 도료 도포 후 도료의 초기 점도를 낮추어 자기력선을 따른 자성 입자의 배향을 촉진하는 것이 바람직하다. 불휘발분이 5 질량% 미만인 경우, 도료의 점도는, 도료를 도포한 후 시간이 지난 뒤에도 충분히 증가하지 않아서, 도료가 처지거나, 자성 입자의 배향이 유지되기 어렵게 된다. 불휘발분이 15 질량%를 초과하는 경우, 도료 도포 후 도료의 초기 점도를 충분히 낮출 수 없다.

열가소성 수지 용액을 제조한 후, 자성 입자를 열가소성 수지 용액과 혼합하 여 도료 기재를 제조하고, 다음으로, 그 도료 기재를 저비점 용제와 고비점 용제가 상술한 바와 같이 혼합되어 있는 희석 용제로 희석하여, 도료를 제조한다. 이때, 수지 용액을 제조하고, 자성 입자를 혼합하며, 희석 용제로 희석하는 동안 도료를 충분히 교반하여, 열가소성 수지를 잘 용해하고 자성 입자를 잘 분산시키는 것이 바람직하다. 예를 들어, 분산제는 도막의 접착성이 영향을 받지 않는 한, 자성 입자를 분산시키기 위해 사용할 수 있다. 희석 용제의 조성과, 도료 기재와 혼합된 희석 용제의 양은 특히 제한되지 않지만, 도료는 도포 후 도료의 점도에 대한 상술한 조건을 만족시키도록 설정한다.

상술한 희석 용제는 40 질량%∼75 질량%의 저비점 용제와, 5 질량%∼10 질량%의 제 1 고비점 용제와, 20 질량%∼55 질량%의 제 2 고비점 용제를 함유하는 것이 바람직하다. 저비점 용제의 함량을 낮게 설정하여, 도포 후 도료의 초기 점도를 낮추어, 자성 입자의 배향을 쉽게 할 수 있다. 또한, 제 2 고비점 용제의 함량을 비교적 높게 설정하여, 도포 후 도료의 점도 증가를 촉진할 수 있다. 또한, 소량의 제 1 고비점 용제를 혼합하여, 도료의 점도를 높은 정밀도로 조절할 수 있다. 이러한 조성을 갖는 도료는 도료의 도포 작업이 용이하도록, 점도를 60mPa.s∼80mPa.s으로 낮게 설정한다.

상기 도료는 표준 조건하에서 도장하려는 물품의 전면 위에 도포하고나서 20초∼60초후에 있어서의 점도가 2,000mPa.s∼500,000mPa.s가 되도록 설정한다. 이와 같이 하면 도료의 도포 후 초기 점도가 비교적 낮게 설정되어 자기장이 인가될 경우 자기력선을 따라 자성 입자가 배향될 수 있다. 표준 조건이란 온도가 15℃∼35℃이고, 상대습도가 40%∼90%인 분위기(환경)를 가리킨다. 도료의 상술한 점도가 2,000mPa.s 미만이면, 도료의 점도가 너무 낮아서 도포된 도료의 유동성이 크게 되고, 이에 따라, 도료가 처져서 도료를 도포하는 작업을 어렵게 하고, 도막에 대해 원하는 두께를 얻을 수 없다. 도료의 상술한 점도가 500,000mPa.s를 초과하면, 도료의 점도가 너무 높아져서 자성 입자의 배향을 방지하고, 이에 따라, 도막 위에 형성된 모양에 대해 뚜렷함, 깊이감 및 이동감을 얻을 수 없다.

도료는 도포한 후 60초를 넘어 120초까지의 사이에서의 점도가 100,000mPa.s 이상이 되도록 설정한다. 도료의 점도가 100,000mPa.s 이상이란, 도료의 점도가 측정하기에 너무 높거나, 도료가 고형화된 상태를 포함한다. 도료를 상술한 시간 기간 동안 높은 점도를 갖도록 설정함으로써, 자성 입자는 배향 상태로 고정될 수 있다. 상술한 시간 기간 동안 도료의 점도가 100,000mPa.s 미만인 경우, 자기장에서 자성 입자의 배향은 이대로 유지될 수 없고, 목적으로 하는 모양은 배향의 교란 때문에 도막 위에서 얻어지지 않는다.

도료는 도포한 후 60초를 넘어 120초후까지의 사이에서의 도료의 점도가 도포후 20초∼60초후에 있어서의 도료의 점도보다 크도록 설정한다. 즉, 도료는 이후 단계에서의 점도가 도포 후 초기 점도보다 크도록 설정한다. 따라서, 자성 입자의 배향이 이루어지고, 배향이 고정될 수 있다. 도료의 점도가 반대로 설정되는 경우, 자성 입자는 자기력선을 따라 배향될 수 없고, 자성 입자는 고정될 수 없다. 도장하려는 물품에 상기 도료가 도포되는 경우, 점도를 위한 상술한 각각의 조건이 만족될 수 있고, 상기 도료는 가열 등의 수단을 통해 의도적으로 처리될 수 있다. 이러한 경우, 도료의 점도는 급격히 조정될 수 있다. 이렇게 얻어진 도막의 두께는 건조시 약 5㎛∼50㎛이다.

도 1의 화살표는 시트형 자석(12)의 N극으로부터 시트형 자석(11)의 S극을 향해 뻗어있는 자기력선(자기장)(18)을 나타낸다. 이 화살표로 표시된 바와 같이, 자기력선(18)은 두 개의 시트형 자석(11과 12)이 서로 접하는 부분(19) 위의 도막 표면에 실질적으로 평행하게 배향된다. 즉, 인접한 시트형 자석(11과 12)의 자극을 폐쇄하는(close) 자기력선(18)의 극값(최대값)은 인접한 시트형 자석(11과 12)이 서로 인접하는 부분(19) 위에 위치한다. 따라서, 도장하려는 물품(16) 위의 도막(17)에 분산된 자성 입자는, 인접한 시트형 자석(11과 12)으로부터 발생하는 자기장으로 인해 자기력선(18)이 뻗어있는 방향으로 배향된다. 따라서, 자성 입자는 두 개의 시트형 자석(11과 12)이 서로 접하는 부분(19)에서 도막의 표면에 실질적으로 평행하게 배향된다. 그 결과, 도막(17) 위로부터의 광은 도막(17)의 자성 입자 때문에, 두 개의 시트형 자석(11과 12)이 서로 접하는 부분(19)으로부터 매우 쉽게 반사되어, 도막 표면은 밝고 분명하게 보인다.

본 실시태양에 따른 모양 형성 장치를 사용하여 도막(17) 위의 모양에 뚜렷함, 깊이감, 이동감을 얻을 수 있는 이유를 도 5와 6을 참조하여 설명한다. 도막(17)을 똑바로 위에서 보면, 도 6에서 실선으로 표시된 바와 같이, 분명한 원 모양(21)이 나타난다. 도 6에서 오른쪽으로 눈을 이동하면, 이 원 모양(21)은 오른쪽으로 이동한다 (이점 쇄선). 모양(21)이 이동하는 거리(L)가 이동 거리이다.

도 5에 도시된 바와 같이, 도막(17)을 똑바로 위에서 눈(22)으로 보면, 입사 광(24a)이 도막(17)의 자성 입자(23)들 중 수평 방향으로 배향된 자성 입자(23)들에 부딪히고 그로부터 반사되어, 반사광(24b)은 똑바로 위로 향하고 눈(22)으로 들어간다. 이때, 수평 방향으로 배향된 자성 입자(23)는 균일하게 배향되어, 이러한 자성 입자(23)로부터 반사된 광(24b)은 강화된다. 따라서, 상술한 원 모양(21)을 분명하게 볼 수 있다. 또한, 도막(17)의 깊은 부분(도 5에서 하부)에 있는 자성 입자(23)들도 수평 방향으로 배향되고, 이들 자성 입자(23)로부터 반사된 광(24b)도 눈으로 들어가서, 모양(21)은 깊이감을 갖는 것으로 보인다.

이어서, 눈(22)을 도 5에서 오른쪽으로 움직이면(약 45도), 자성 입자(23) 중에서 오른쪽으로 기울어진(약 22.5도) 자성 입자(23)에 부딪히는 입사광(24a)이 반사되어, 그 반사광(24b)이 눈(22)에 보인다. 이때 또한, 오른쪽으로 기울어진 자성 입자(23)가 동일한 각도로 균일하게 배향되어, 이들 자성 입자(23)로부터 반사된 광(24b)이 강화되고, 이에 따라, 모양(21)을 분명하게 볼 수 있다. 따라서, 모양(21)은 그것이 이동 거리(L)만큼 움직인 것으로 보인다.

도 7에 도시된 바와 같이, 인접한 시트형 자석(11과 12)이 서로 접하지 않고 시트형 자석(11)의 내주면(14)과 시트형 자석(12)의 외주면(13) 사이에 공간(20)이 구비된 경우, 두 개의 시트형 자석(11과 12)을 폐쇄하는 자기력선(18)은 더 큰 반경(곡률 반경)을 갖는 호를 따른다. 또한, 자기력선(18)의 방향이 도막 표면에 평행한 위치는 대략 모양 윤곽의 중심부, 즉, 대략, 시트형 자석(11)의 내주면(14)과 시트형 자석(12)의 외주면(13) 사이의 중심부이다. 따라서, 자성 입자(23)의 배향에 의해 생성된 모양은 폭이 넓고 희미하게 된다. 또한, 도막(17)의 깊은 부분에 위치한 자성 입자(23)가 도막(17) 표면의 자성 입자(23)와 동일하게 배향되어, 모양의 깊이감과 이동감을 얻을 수 없다.

이를 도 8을 참조하여 추가로 설명한다. 도 8에 도시된 경우에서, 자성 입자(23)는 특정 방향성(directivity)을 나타내고, 자성 입자(23)는 균일하게 배향되지 않아서, 반사광(24b)이 균일하게 배향되지 않고, 도막(17)을 똑바로 위에서 눈(22)으로 보았을 때와 도막(17)을 오른쪽으로 이동한 눈(22)으로 보았을 때, 모양(21)이 분명하게 보이지 않는다. 따라서, 눈(22)의 이동시 모양(21)을 분명하게 볼 수 있는 몇몇 부분이 있는 경우에도, 이러한 부분은 부분적이고, 그 위치는 안정하지 않아서, 실질적인 이동감을 얻을 수 없다.

쌍방간에 전면과 후면 위의 자극이 서로 다르고 쌍방이 서로 접한 상태로 인접한 시트형 자석(11과 12)을 배치한다. 자성 입자(23)를 함유하는 도료를, 도장하려는 물품의 전면에 도포하여, 도막(17)을 형성한다. 시트형 자석(11과 12)을, 도장하려는 물품(16)의 후면에 부착한다. 이 시트형 자석(11과 12)에 의해 도막(17)에 자기장이 인가된다. 이 자기장에 의해 발생한 자기력선은 하나의 시트형 자석(12)의 N극으로부터 시작하여 다른 시트형 자석(11)의 S극에 도달하며, 두 개의 시트형 자석(11과 12)이 서로 접하는 부분(19) 위에 극값을 갖는다.

열가소성 수지를 유기 용제에 용해한 다음, 이 용제에 자성 입자(23)를 혼합하여, 도료 기재를 제조하고, 다음으로, 미리 결정된 저비점 용제와 고비점 용제가 혼합되어 있는 희석 용제로 희석하여, 도료를 제조한다. 도장하려는 물품(16)에 이와 같이 제조된 도료를 도포하면, 용제에 포함된 저비점 용제 때문에, 도료의 도 포 후 도료의 초기 점도는 비교적 낮아서, 심지어 작은 면적에서도, 자기장에 의한 자기력선(18) 방향으로 정밀도를 갖고 균일하게 배향되는 상태가 되도록 자성 입자(23)가 빠르게 배향된다. 도료 도포 후 다음 단계에서, 저비점 용제가 빠르게 증발하여, 도료의 점도를 급격하게 증가시키고, 이에 따라, 배향된 자성 입자(23)가 이 상태로 고정된다.

시트형 자석(11과 12)이 서로 접하는 부분(19) 위에 위치하는 자성 입자(23)는 도막 표면에 실질적으로 평행하게 배향된다. 도막(17)에서 동일한 방향으로 배향된 자성 입자(23)에 광이 부딪히면, 반사광(24b)은 동일한 방향으로 배향되어, 강한 반사광(24b)으로부터 발생한 밝은 부분과 반사광(24b)이 없는 어두운 부분 사이의 콘트라스트가 높아져서, 모양(21)의 경계 부분이 분명하게 된다. 또한, 도막(17)의 깊은 위치의 자성 입자(23)가 얕은 위치의 자성 입자(23)와 동일한 방향으로 배향되어, 깊은 위치의 자성 입자(23)로부터 반사된 광(24b)을 얕은 위치의 자성 입자(23)로부터 반사된 광(24b)과 함께 볼 수 있어서, 모양이 깊이감을 갖는다. 또한, 눈이 움직이면, 도장하려는 물품(16)의 방향이 바뀌거나 광의 방향이 변하고, 동일한 방향으로 배향된 다른 위치의 자성 입자(23)로부터 반사된 광(24b)을 볼 수 있어서, 모양(21)은 마치 이동하는 것처럼 보인다.

상술한 실시태양은 다음 이점을 갖는다.

본 발명의 실시태양에 따른 모양 형성 장치에서는, 시트형 자석(11과 12)은, 도장하려는 물품(16) 위의 도막 표면을 따라, 그 전면의 자극과 후면의 자극이 인접한 시트형 자석(11과 12) 사이에서 서로 다르도록 서로 접하는 상태로 배치된다. 또한, 두 개의 시트형 자석(11과 12)이 서로 접하는 부분(19)에서 자성 입자(23)는 도막 표면에 실질적으로 평행하게 배향된다. 또한, 시트형 자석(11과 12)이 분명한 모양을 만드는 부분(19)이 도막(17) 위에 나타나고, 이와 동시에, 특히 깊이감과, 이동감 면에서 우수한 모양을 형성할 수 있다. 또한, 자성 입자(23)는 시트형 자석(11과 12)이 서로 접하는 부분(19) 이외의 다른 부분에서 동일한 방향으로 배향되고, 이에 따라, 그 각 부분은 접촉부(19)와 동일한 이점을 갖는다.

다음 단계들에서는 모양 형성 장치를 얻는다. 즉, 자기화되지 않은 마그네트 시트를 미리 결정된 모양으로 절단하여, 분리 시트를 마그네트 시트로부터 분리한다. 이 때, 분리로 인해 생긴 구멍이 마그네트 시트에 형성된다. 다음으로, 상기 마그네트 시트와 상기 분리 시트를 각각 자기화한다. 이때, 마그네트 시트와 분리 시트는 서로 다른 방향으로 뻗어있는 자기력선을 갖도록 자기화한다. 이어서, 자기화된 분리 시트를 복귀시켜 마그네트 시트의 분리로 인해 생긴 구멍에 맞물린다. 이러한 단계들을 통하여, 모양 형성 장치를 쉽게 제조할 수 있다.

다음 단계들에 의해서도 모양 형성 장치를 쉽게 실현할 수 있다. 구체적으로, 시트형 자석(12)이 시트형 자석(11)으로부터 분리되도록 원형 모양의 라인을 따라 자기화된 시트형 자석(11)을 절단한다. 다음으로, 시트형 자석(12)을 뒤집어 전면과 후면을 서로 바꾼 다음, 시트형 자석(12)을 복귀시켜 시트형 자석(11)의 분리로 인해 생긴 구멍(15)에 맞물릴 수 있다. 이러한 단계를 통하여, 단일 자기화 조작을 통해 모양 형성 장치를 쉽게 제조할 수 있다.

본 발명의 실시태양에 따른 모양 형성 방법에 따르면, 각 자극이 전면과 후 면 위에서 서로 다르고, 시트형 자석(11과 12)의 측면이 서로 접하도록, 인접한 시트형 자석(11과 12)을 배열한다. 다음으로, 편평형의 자성 입자(23)를 함유하는 도료를 도장하려는 물품(16) 위에 도포하여 형성된 도막 표면을 따라 상술한 시트형 자석(11과 12)을 배치하고, 시트형 자석(11과 12)에 의해 도막(17)에 자기장을 인가한다. 이에 따라, 시트형 자석(11과 12)이 서로 접하는 부분(19)의 자성 입자(23)는 도막 표면에 실질적으로 평행하게 배향하고, 도막(17)의 깊은 부분의 자성 입자(23)는 표면부의 자성 입자(23)와 동일한 방향으로 배향된다. 따라서, 시트형 자석(11과 12)이 서로 접하는 부분(19)은 분명한 모양(21)이 도막(17) 위에 나타나게 되고, 이와 동시에, 깊이감과, 이동감 면에서 우수한 모양을 형성할 수 있다.

또한, 도료는 비점이 50℃ 이상 100℃ 이하인 저비점 용제와, 비점이 100℃보다 높고 200℃ 이하인 고비점 용제를 함유한다. 도료는 도포하고나서 20초∼60초후에 있어서의 도료의 점도가 2,000mPa.s∼500,000mPa.s가 되고, 도포한 후 60초를 넘어 120초후까지의 사이에서의 도료의 점도가 100,000mPa.s 이상이 되도록 설정한다. 또한 도료는 도포한 후 60초를 넘어 120초후까지의 사이에서의 도료의 점도가 도포후 20초∼60초후에 있어서의 도료의 점도보다 크게 되도록 설정한다. 따라서, 시트형 자석(11과 12) 사이의 접촉부(19)의 면적이 작은 경우에도, 자성 입자(23)는 자기력선(18) 방향으로 배향하기 쉽고, 배향 후 자성 입자의 배향 상태는 도료가 높은 점도를 갖거나 고형화된 때 그대로 유지된다. 상술한 바와 같이, 시트형 자석(11과 12)이 배열되고 특정 도료와 결합되어, 도막(17)은 뚜렷함, 깊이감, 및 이동감 면에서 우수한 모양(21)을 갖는다.

모양(21)은 인접한 시트형 자석(11과 12) 사이의 접촉부(19) 부근의 자기장에 의해 배향된 자성 입자(23)로 형성되며, 따라서 특히 시트형 자석(11과 12) 사이의 접촉부(19)에서, 상술한 이점을 얻을 수 있다.

인접한 시트형 자석(11과 12)의 자극을 폐쇄하는 자기력선(18)의 극값은 인접한 시트형 자석(11과 12) 사이의 접촉부(19) 위에 위치하며, 따라서 자기력선(18)은 인접한 시트형 자석(11과 12) 사이의 접촉부(19)에서 도막 표면의 방향으로 뻗어있고, 도막(17) 내의 자성 입자(23)에서 상술한 것과 같은 방향으로 뻗어있으며, 도막(17) 내의 다른 부분에 있는 것과 분명하게 구별될 수 있다. 따라서, 시트형 자석(11과 12) 사이의 접촉부(19)에서 상술한 이점이 더 향상될 수 있다.

상기 도료에서 열가소성 수지는 비닐 아세테이트계 수지, 아크릴계 수지 또는 셀룰로오스 아세테이트 부티레이트 수지이고, 따라서, 이러한 수지의 특성 때문에, 도료의 점도를 쉽게 조정할 수 있다.

상기 도료에서 비휘발성 성분은 5 질량%∼15 질량% 정도의 작은 범위로 설정되어, 도포 후 도료의 초기 점도를 낮출 수 있어서, 자성 입자(23)는 쉽게 배향될 수 있다.

상기 도료는 착색제로 안료 또는 염료를 함유하고, 이에 따라, 도막(17)이 착색될 수 있어서, 상술한 이점을 향상시킬 수 있다.

도장하려는 물품(16)은 시트형이어서, 시트형 자석(11과 12)의 자기장은 도막(17)의 자성 입자에 균일하게 인가될 수 있다.

상기 도막 표면은 평평하여, 도막 표면으로부터 추가 광이 반사되지 않는다.

상술한 실시태양은 다음 방식으로 변형될 수 있다.

상술한 시트형 자석으로 3개 또는 그 이상의 자석을 사용하고, 각각의 시트형 자석을 인접한 시트형 자석 간에 자극이 서로 다르도록 배열할 수 있다. 이 경우에도 도막(17) 위에 형성된 모양이 변화될 수 있다.

도장하려는 물품(16)이 휘어진 전면을 갖고, 도막(17)이 이 표면 위에 형성되는 경우, 시트형 자석(11과 21)이 도막(17)의 전면을 따라 놓이고 휘어질 수 있다.

시트형 자석(11과 12)의 자기장의 세기와 도장하려는 물품(16)의 두께간의 관계, 시트형 자석(11과 12)의 자기장의 세기와 도막(17)의 두께간의 관계뿐만 아니라, 시트형 자석(11과 12)의 자기장의 세기와 자성 입자(23)의 농도 간의 관계를 기초로, 자성 입자(23)의 배향(모양(21)의 나타남)을 예측하고, 원하는 모양(21)을 형성하기 위해 이 데이터를 사용할 수 있다.

서로 다른 재료로 만들어진 복수 타입의 자성 입자(23)들 또는 크기가 서로 다른 복수 타입의 자성 입자(23)들을 결합하여 자성 입자(23)를 제공할 수 있다. 이 경우, 모양(21)이 더욱 독창적으로 된다.

복수의 제 1 고비점 용제와 제 2 고비점 용제를 각각 사용하여 상술한 희석 용제를 제공할 수 있어서, 도료의 점도를 보다 정밀하게 조정할 수 있다.

상술한 모양 형성 장치를 사용하여 도장 위에 모양을 형성할 때는, 상술한 조건하에서의 점도가 상술한 범위를 초과하는 도료를 사용할 수도 있다.

다음에, 실시예와 비교예를 들어 상술한 실시태양을 보다 구체적으로 기술하나, 본 발명은 이들 실시예에 제한되지 않는다. 각각의 실시예와 비교예에서, 다른 언급이 없으면, 부(part)는 질량부를 나타내고, %는 질량%를 나타낸다. 먼저, 다음에 기술된 세 가지 타입의 도료 기재를 제조했다.

(도료 기재 A)

메틸 이소부틸 케톤(MIBK) 384.2부와 메틸 에틸 케톤(MEK) 164.5부의 혼합물을 교반 장치가 부착된 스테인리스강으로 만들어진 용기에 넣고, 교반하면서 이 혼합물에 비닐 아세테이트-염화비닐 공중합체 수지(상표명: VMCH, 다우 케미컬사제) 128.1부를 첨가하여, 수지 용액을 제조했다. 이어서, 크실렌 71.9부와 염료(상표명: 플라스트 블루(Plast Blue) 8550, 아리모토 케미컬사제) 18부를 첨가하고 혼합물을 잘 교반하면서 용해했다. 다음으로, 자성 입자(플레이트형 또는 플레이크 분말형의 산화철, 상표명: AM-200, 티타늄 인더스트리사제) 22.5부를 첨가하고, 혼합물을 교반하는 동안 n-부틸 아세테이트 210.8부를 더 첨가하고, 혼합물을 충분히 교반하여, 도료 기재(A)를 얻었다. 도료 기재(A) 중 불휘발분은 17%였다.

(도료 기재 B)

다음 재료를 차례로 첨가하여, 도료 기재 A와 같은 방법에 따라 도료 기재 B를 제조했다. 도료 기재 A에서 불휘발분은 17%였다.

후술하는 아크릴 수지 용액 a: 120부

후술하는 아크릴 수지 용액 b: 90부

유동제(rheological agent)(상표명: AZS-522, 니폰 페인트사제): 40부

안트라퀴논계 염료(도료 A와 동일): 20부

자성 입자(상표명: AM-200, 티타늄 인더스트리사제): 22부

에틸 아세테이트: 245부

크실렌: 100부

n-부틸 아세테이트: 286부

(도료 기재 C)

도료 기재 A와 같은 방법에 따라 하기의 재료를 차례로 첨가하여, 도료 기재 C를 얻었다. 도료 기재 C에서 불휘발분은 17%였다.

후술하는 아크릴 수지 용액 a: 120부

후술하는 아크릴 수지 용액 b: 90부

유동제(상표명: AZS-522, 니폰 페인트사제): 40부

프탈로시아닌 안료 페이스트: 20부

(니폰 비 케미컬사제, 프탈로시아닌 안료 16.5부, 다음에 기술된 아크릴 수지 용액 a 57.0부, 에틸렌 글리콜 모노부틸 에테르 2.3부, 메틸 이소부틸 케톤 8.8부, 톨루엔 8.8부, 안료 페이스트의 고형성분 함량은 48%, 안료 페이스트에서 안료의 농도는 16.5%, 안료 페이스트의 고형성분 함량에서 안료의 농도는 34.4였다).

자성 입자(상표명: AM-200, 티타늄 인더스트리사제): 22부

에틸 아세테이트: 230부

크실렌: 90부

n-부틸 아세테이트: 253부

(아크릴 수지 용액 a)

교반기, 온도계, 환류관(reflux pipe), 적하 깔때기, 질소 주입관 및 서모스탯이 있는 가열 장치를 구비한 중합 반응기에 톨루엔 17부와 n-부틸 아세테이트 10부의 혼합물을 넣고, 교반하면서, 온도를 점차 110℃까지 증가시켰다. 다음으로, 메틸 메타크릴레이트 40부, 스티렌 15부, 2-하이드록시 에틸 메타크릴레이트 7부, 에틸 헥실 아크릴레이트 37부 및 메타크릴산 1부의 단량체 혼합물 용액과, 톨루엔 15부, n-부틸 아세테이트 5부 및 t-부틸 퍼옥시-2-에틸 헥사네이트 0.8부로 제조된 중합 개시제 용액을 각각 별도의 적하 깔때기에 넣고 3시간에 걸쳐 적하하여, 중합 반응이 일어났다. 이 동안, 중합 반응 용액을 교반하고 온도를 110℃로 유지했다.

다음으로, 톨루엔 5부, n-부틸 아세테이트 5부 및 t-부틸 퍼옥시-2-에틸 헥사네이트 0.2부로 제조된 중합 개시제 용액을 중합 반응 용액의 온도를 110℃로 유지하면서 2시간에 걸쳐 적하하였다. 이후, 중합 반응 용액의 온도를 80℃로 낮추고, 톨루엔 33부와 n-부틸 아세테이트 10부를 차례로 첨가하여, 아크릴 수지 용액(아크릴 수지 니스) a를 얻었다. 이 아크릴 수지 용액 a의 수지 고형성분 함량은 50%였고, 질량 평균 분자량은, 겔 투과 크로마토그래피를 이용한 측정 결과를 그 폴리스티렌 기준 당량으로 변환하여 49,000이었다. 수지 고형분은 다음과 같이 계산했다.

수지 고형성분 함량(%) = (Y/X) × 100

상기 식에서, X는 아크릴 수지 용액 a의 시료 양(g)이고, Y는 110℃에서 3시간 동안 건조 오븐에서 건조된 후 아크릴 수지 용액 a의 시료의 양이다.

(아크릴 수지 용액 b)

교반기, 온도계, 환류관, 적하 깔때기, 질소 주입관 및 서모스탯이 있는 가열 장치를 구비한 중합 반응기에 크실렌 20부와 MIBK 10부를 넣고, 교반하면서, 온도를 점차 130℃까지 증가시켰다. 다음으로, 메틸 메타크릴레이트 61부, 스티렌 15부, 2-하이드록시 에틸 메타크릴레이트 2.5부, 에틸 헥실 아크릴레이트 20부 및 메타크릴산 1.5부의 단량체 혼합물 용액과, 크실렌 20부, MIBK 10부 및 t-부틸 퍼옥시-2-에틸 헥사네이트 1.1부로 제조된 중합 개시제 용액을 각각 별도의 적하 깔때기에 넣고 3시간에 걸쳐 적하하여, 중합 반응이 일어났다. 이 동안, 중합 반응 용액을 교반하고 온도를 130℃로 유지했다.

다음으로, 크실렌 10부, MIBK 5부 및 t-부틸 퍼옥시-2-에틸 헥사네이트 0.4부로 제조된 중합 개시제 용액을 중합 반응 용액의 온도를 130℃로 유지하면서 2시간에 걸쳐 적하하였다. 이후, 중합 반응 용액의 온도를 80℃로 낮추고, 크실렌 10부와 MIBK 15부를 차례로 첨가하여, 아크릴 수지 용액(아크릴 수지 니스) b을 얻었다. 이 아크릴 수지 용액 b의 수지 고형성분 함량은 50%였고, 질량 평균 분자량은, 겔 투과 크로마토그래피를 이용한 측정 결과를 그 폴리스티렌 기준 당량으로 변환하여 16,000이었다. 수지 고형성분 함량은 아크릴 수지 용액 a과 같은 방법으로 계산했다.

(희석 용제)

메틸 에틸 케톤, 에틸 아세테이트, n-부틸 아세테이트 및 디이소부틸 케톤을 사용하여, 세 가지 타입의 희석 용제인, 표 1에 기재된 α, β 및 γ를 제조했다.

	희석 용제 α	희석 용제 β	희석 용제 γ
메틸 에틸 케톤(%)	23	23	23
에틸 아세테이트(%)	39	19	51
n-부틸 아세테이트(%)	6	6	6
디이소부틸 케톤(%)	32	52	20

[실시예]

(실시예 1)

시판의 ABS 수지 플레이트(검정, 길이 20cm, 폭 15cm, 두께 0.1cm) 4개를 도장하려는 물품(16)으로서 준비하고, 각 수지 플레이트의 전면을 이소프로필 알코올로 닦았다. 한편, 자기화된 직사각형 시트형의 자석(11)의 중심부(한 변이 65mm이고 두께가 2.1mm인 정사각형)를 원형으로 구멍을 내어, 시트형 자석(12)(직경 40mm)을 시트형 자석(11)으로부터 분리하고, 그 시트형 자석(12)을 뒤집어서, 시트형 자석(11)을 분리하여 생긴 구멍(15)으로 복귀시켜 맞물리고, 이것을 복수의 시트형 자석으로 하였다. 즉, 시트형 자석(11)의 내주면(14)과 시트형 자석(12)의 외주면(13)이 서로 접한 시트형 자석을 사용했다. 도료를 도포하기 전에 시트형 자석(12)의 N극측이 ABS 수지 플레이트의 후면과 접하도록 접착 테이프를 사용하여 하나의 ABS 수지 플레이트 후면에 시트형 자석(11과 12)을 붙였다. 이것을 모양을 갖는 도막의 시편으로 사용했다. 나머지 세 개의 ABS 수지 플레이트를 사용하여 도포한 후 30초, 60초 및 90초일 때의 도료의 점도를 측정했다. 상술한 도료(A) 100부와 희석 용제 α 100부를 혼합하고 교반하여 실시예 1에 따른 모양 형성용 도료를 제조했다. 이 모양 형성용 도료의 도포시의 불휘발분은 8.5%였다.

다음으로, 온도가 20℃이고 상대 습도(RH)가 65%인 분위기에서 스프레이건(spray gun)(상표명: 와이더(Wider) 100, 아네스트 이와타사제)을 사용하여, 건조된 필름 두께가 약 10㎛가 되도록 상술한 4개의 ABS 수지 플레이트의 전면에 모양 형성용 도료를 스프레이하여 도포했다. 모양을 갖는 도막용 시편을 상술한 분위기에 10분 동안 두었다. 한편, 점도를 측정하기 위한 세 개의 ABS 수지 플레이트에 대해서는, 상술한 분위기에서 스프레이하여 도포한 후 30초, 60초 및 90초가 지난 직후 도막(17)을 긁어내고, 기밀 상태에서 RR 타입 점도계와 RL 타입 점도계(상표명: VISCOMETER CONTROLLER RC-500, 모두 토키 상요사제)를 사용하여, 도료의 점도를 측정했다. 측정 방법은 "스프링 완화 측정(spring relaxation measurement)"으로, 60초 동안 0.1(1/초)의 전단 속도로 20℃에서 도료의 점도를 측정했다. 그 결과가 표 2에 나타나 있다. 표 2에 도시된 바와 같이, 도포한 후 30초일 때의 도료(도막)의 점도는 76,000mPa.s이고, 도포한 후 60초일 때의 도료의 점도는 220,000mPa.s이며, 도포한 후 90초일 때의 도료의 점도는 너무 높아서, 상술한 점도계를 사용하여 측정하는 것이 불가능했다.

모양을 갖는 상술한 도막용 시편에 대하여, 10분 동안 방치한 후 건조 필름 두께가 약 30㎛가 되도록 클리어 도료를 도포하고, 10분 동안 방치한 후 그 시편을 건조 오븐에 넣고 80℃에서 30분 동안 건조시켰다. ABS 수지 프레이트의 후면에 부착된 자석을 클리어 도료를 도포한 후 제거했다. 상술한 클리어 도료로는, 교반된 주제(main agent)(상표명: R240 CI, 니폰 비 케미컬사제) 100부, 경화제(상표명: R255, 니폰 비 케미컬사제) 16부 및 희석 용제(상표명: R240용 희석 시너, 니폰 비 케미컬사제) 30부의 혼합물을 사용했다.

이렇게 얻어진 모양을 갖는 도막에 대해, 뚜렷함, 깊이감, 이동감, 및 도막 표면의 평활성을 하기 표준(도료 설계자 및 디자인 담당자를 포함하여 10명의 시각적 판단에 따라 얻은 값의 평균값)에 기초하여 평가하였다. 또한, 도막의 접착성은 후술하는 방법에 따라 측정하였다. 그 결과를 표 2에 나타낸다.

(뚜렷함)

1: 모양의 경계부가 매우 분명하게 관찰되었음.

2: 모양의 경계부가 분명하게 관찰되었음.

3: 모양의 경계부가 다소 분명치 않았음.

4: 모양의 경계부가 뚜렷하지 않았음.

(깊이감)

1: 모양에서 깊이가 관찰되고 우수한 깊이감이 제공되었음.

2: 모양에서 깊이가 관찰되고 양호한 깊이감이 제공되었음.

3: 모양에서 깊이가 충분히 관찰되지 않고 충분한 깊이감이 제공되지 않았음.

4: 모양에서 깊이가 관찰되지 않고 깊이감이 부족했음.

(이동감)

1: 눈을 다른 위치로 옮길 때, 모양의 경계부의 이동이 관찰되고, 모양이 현저히 바뀌었음.

2: 눈을 다른 위치로 옮길 때, 모양의 경계부의 이동이 충분히 관찰되었음.

3: 눈을 다른 위치로 옮기더라도, 모양의 경계부의 이동이 충분히 관찰되지 않았음.

4: 눈을 다른 위치로 옮기더라도, 모양의 경계부의 이동이 관찰되지 않고, 모양이 거의 바뀌지 않았음.

(도막 표면의 평활성)

2: 도막 전면이 평활하고 양호하였음.

4: 도막 전면에 거친감이 있고, 양호하지 않았음.

(접착성)

국제 규격인 ISO 4628-5(일본 산업 규격인 JIS K5600-8-5)를 따라 2mm 변의 정사각형 100개가 만들어지도록 표면 위에서 커터로 도막을 절단했다. 다음으로, 접착 테이프를 정사각형의 윗면에 붙인 후 힘있게 뜯어내는 접착 박리 시험을 행하고, 다음 기준에 따라 판단했다.

2: 정사각형이 박리되지 않았음.

4: 하나 이상의 정사각형이 박리되었음.

(실시예 2 내지 10과, 비교예 1 내지 6)

실시예 2 내지 10과 비교예 1 내지 6에서는, 도료의 타입, 희석 용제의 타입, 시트형 자석의 형태, 시트형 자석의 배열 및 시트형 자석의 배치 타이밍을 표 2와 표 3에 기재한 바와 같이 설정한 것을 제외하고, 실시예 1과 같은 방식으로 시험을 수행했다. 비교예 1은 도막(1)의 점도가 너무 초기 단계에서 증가하는 적절하지 않은 경우를 나타낸다. 비교예 2와 3은 도막(17)의 점도가 너무 낮아지는 적절하지 않은 경우를 나타낸다. 비교예 4는 시트형 자석(12)만이 배치된 경우를 나타낸다. 비교예 5는 시트형 자석(12)만이 배치되고 도막(17)의 점도는 낮은 경우를 나타낸다. 비교예 6은 N형 시트형 자석(12)만이 배치된 경우를 나타낸다.

표 2와 표 3에서 시트형 자석이 "N형"인 경우는, 다음의 시트형 자석(11과 12)을 사용했다. 즉, 자기화되지 않은 직사각형 시트형의 자석(11)의 중심부를, N형 시트형 자석(12)이 제조되도록 N형으로 구멍을 낸 다음, 시트형 자석(11과 12)을 자기화했다. 이때, 시트형 자석(11과 12)을, 시트형 자석(11)의 자기력선과 시트형 자석(12)의 자기력선이 서로 다른 방향으로 뻗도록 자기화했다. 다음으로, 시트형 자석(11)의 분리로 인해 생긴 구멍(15)으로 시트형 자석(12)을 복귀시켜 맞물렸다. 시트형 자석(11과 12)의 배열이 표 2와 표 3에서 "전면"인 경우는, 도료를 도포한 후 ABS 수지 플레이트의 전면의 도막 위 1mm 거리에 시트형 자석(11과 12)을 배치한다.

다음으로, 실시예 1과 같은 방법으로, 얻어진 도막(17)의 뚜렷함, 깊이, 이동감, 도막 표면의 평활성 및 접착성을 측정했다. 결과는 표 2와 표 3에 나타내었다. 또한, 실시예 7에서 도료 도포 후 경과된 시간(초)과 도료의 점도와의 관계가 도 4에 도시되어 있다. 이 도 4로부터, 도포 후 60초까지 도료의 점도가 낮고, 60초와 90초 사이에서 지수적으로 증가하는 것이 분명하다. 실시예 9에서 도료 도포 후 경과된 시간(초)과 도료의 점도와의 관계도 도 4에 도시되어 있다. 그 결과로부터, 도포 후 60초까지 도료의 점도가 낮고, 60초와 90초 사이에서 지수적으로 증가하는 것을 볼 수 있다.

표 2와 표 3에 도시된 바와 같이, 뚜렷함, 깊이감, 및 이동감은 실시예 1 내지 8에서 모두 우수했다. 이는, 시트형 자석(11과 12)이 서로 접한 상태로 위치하고, 자기력선(18)의 극값이 시트형 자석(11과 12) 사이의 접촉부(19) 위에 있으며, 이러한 위치의 도막(17)에서 자성 입자(23)가 도막 표면에 실질적으로 평행하게 배향되어 있고, 시트형 자석(11과 12) 사이의 접촉부(19)의 자성 입자(23)로부터 반사된 광은 같은 방향으로 배향되어 있기 때문인 것으로 생각된다. 실시예 9와 10에서는, 뚜렷함, 깊이감, 및 이동감이 도료 타입의 차이와 도포 후 도료의 점도 변화 때문에 실시예 1 내지 8보다 약간 낮지만, 충분한 장식적인 느낌이 얻어진다.

비교예 1에서는, 도막(17)의 점도가 극히 높고, 모양(21)의 뚜렷함이 불충분하며, 도막 전면의 평활성이 부족했다. 비교예 2와 3에서는, 도막(17)의 점도가 낮고, 모양(21)의 뚜렷함, 깊이감 및 이동감이 모두 불량했다. 비교예 4에서는, 시트형 자석(12)만이 배열되고, 실시예 3에 비해 뚜렷함이 부족했으며, 깊이감과 이동감 또한 불량했다. 비교예 5에서는, 시트형 자석(12)만이 배열되고, 도막(17)의 점도가 낮았으며, 모양(21)의 뚜렷함, 깊이감 및 이동감이 모두 부족했다. 비교예 6에서는, N형 시트형 자석(12)만이 배열되었고, 실시예 5에 비해 뚜렷함이 부족하고, 깊이감과 이동감이 또한 불량했다. 따라서, 시트형 자석(11과 12)이 서로 접한 배열과, 도료의 점도 변화의 적절성 양면에서 조건을 만족해야 하는 것이 분명하다.

상술한 바와 같이, 본 발명은, 자성 입자를 함유하는 도막 위에 뚜렷함, 깊이감, 및 이동감을 갖는 우수한 모양을 형성할 수 있는, 모양 형성 장치 및 모양 형성 방법을 제공하는 효과가 있다.

Claims

인접한 복수의 시트형 자석의 전면의 자극과 후면의 자극이 인접한 시트형 자석 간에 서로 다르도록 각각의 시트형 자석의 측면이 서로 접촉하고 있고,

상기 인접한 시트형 자석은, 자기화 전의 플라스틱제 마그네트 시트로부터 미리 정해진 전후 비대칭 모양을 따라 분리한 분리 마그네트 시트를 원(元) 마그네트 시트와 다른 자력선 방향으로 자기화하고, 자기화후의 분리 마그네트 시트를 원 마그네트 시트의 분리 자국에 복귀시켜 맞물림으로써 형성되고,

플레이크 형상의 자성 입자를 함유하는 도료를 도장하려는 물품 위에 도포하여 형성된 도막의 면을 따라 상기 복수의 시트형 자석이 배열되고, 그 복수의 시트형 자석에 의해 도막에 자기장이 인가되며, 그 자기장에 의해 상기 도막 중의 자성 입자가 배향되고, 각각의 시트형 자석의 접촉부에서 자성 입자가 도막의 전면에 평행하게 배향되며, 적어도 각각의 시트형 자석의 접촉부 위의 자성 입자에 의해 도막에 모양이 형성되도록 구성되어 있는 것을 특징으로 하는

모양 형성 장치의 제조 방법.
제 1항에 있어서,

상기 모양은, 인접한 시트형 자석의 접촉부 부근에서의 각 시트형 자석의 자극 사이에서 폐쇄되는(closed) 자기장에 의해 배향된 자성 입자에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 모양 형성 장치의 제조 방법.
제 1항에 있어서,

상기 인접한 시트형 자석의 자극 사이에서 폐쇄되는 자기력선의 극값(extreme value)은, 상기 인접한 시트형 자석의 접촉부 위에 위치하는 것을 특징으로 하는 모양 형성 장치의 제조 방법.
삭제
삭제
제 1항 내지 제 3항 중 어느 한 항에 있어서,

상기 도장하려는 물품은 시트형인 것을 특징으로 하는 모양 형성 장치의 제조 방법.
제 1항 내지 제 3항 중 어느 한 항에 있어서,

상기 도막의 표면은 평평한 것을 특징으로 하는 모양 형성 장치의 제조 방법.
플레이크 형상의 자성 입자를 함유하는 도료를 도장하려는 물품 위에 도포하여 형성된 도막의 전면을 따라 복수의 시트형 자석을 서로 인접하도록 배열하는 단계와,

상기 복수의 시트형 자석에 의해 도막에 자기장이 인가되고, 그 자기장에 의해 상기 도막 중의 자성 입자가 배향되며, 각각의 시트형 자석의 접촉부에서 자성 입자가 도막의 전면에 평행하게 배향되고, 적어도 각각의 시트형 자석의 접촉부 위의 자성 입자에 의해 상기 도막에 모양이 형성되는 단계를 구비하고,

상기 복수의 시트형 자석은, 인접한 시트형 자석의 전면의 자극과 후면의 자극이 인접한 시트형 자석 간에 서로 다르고 또한 각각의 시트형 자석의 측면이 서로 접촉하도록 배열되고,

상기 도료는, 열가소성 수지와, 비점이 50℃ 이상 100℃ 이하인 저비점 용제와, 비점이 100℃보다 높고 200℃ 이하인 고비점 용제를 더 함유하며,

상기 도료는, 온도가 15∼35℃이고 상대습도가 40∼90%의 분위기 하에서, 도장하려는 물품에 도료를 도포하고나서 20초∼60초후에 있어서의 도료의 스프링 완화 측정법에 의한 전단 속도를 0.1(1/sec)로 한 때의 점도가 2,000mPa.s∼500,000mPa.s이고, 도포한 후 60초를 넘어 120초후까지의 사이에서의 도료의 점도가 100,000mPa.s 이상이며, 도포한 후 60초를 넘어 120초후까지의 사이에서의 도료의 점도가 도포후 20초∼60초후에 있어서의 도료의 점도보다 크게 설정되어 있는 것을 특징으로 하는 모양 형성 방법.
제 8항에 있어서,

상기 모양은, 인접한 시트형 자석의 접촉부 부근에서의 각 시트형 자석의 자극 사이에서 폐쇄되는 자기장에 의해 배향된 자성 입자에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 모양 형성 방법.
제 8항 또는 제 9항에 있어서,

상기 인접한 시트형 자석의 자극 사이에서 폐쇄되는 자기력선의 극값은, 인접한 시트형 자석의 접촉부 위에 위치하는 것을 특징으로 하는 모양 형성 방법.
제 8항 또는 제 9항에 있어서,

상기 열가소성 수지는, 비닐 아세테이트계 수지, 아크릴계 수지, 또는 셀룰로오스 아세테이트 부티레이트 수지인 것을 특징으로 하는, 모양 형성 방법.
제 8항 또는 제 9항에 있어서,

상기 도료의 불휘발분은 5 질량%∼15 질량%인 것을 특징으로 하는, 모양 형성 방법.
제 8항 또는 제 9항에 있어서,

상기 도료는 착색제로서 염료를 함유하는 것을 특징으로 하는, 모양 형성 방법.
제 8항 또는 제 9항에 있어서,

상기 물품은 시트형인 것을 특징으로 하는, 모양 형성 방법.
제 8항 또는 제 9항에 있어서,

상기 도막의 전면은 평평한 것을 특징으로 하는, 모양 형성 방법.
제 8항 또는 제 9항에 있어서,

상기 고비점 용제는, 비점이 100℃보다 높고 150℃ 이하인 제 1 고비점 용제와, 비점이 150℃보다 높고 200℃ 이하인 제 2 고비점 용제를 함유하는 것을 특징으로 하는, 모양 형성 방법.
제 16항에 있어서,

상기 제 1 고비점 용제는 5∼10질량%이며, 상기 제 2 고비점 용제는 20∼55질량%이며, 상기 저비점 용제는 40∼75질량%인 것을 특징으로 하는, 모양 형성 방법.
자성 입자를 함유하는 도료를 도장하려는 물품 위에 도포하여 형성된 도막의 전면을 따라 복수의 시트형 자석을 서로 인접하도록 배열하는 단계와,

상기 복수의 시트형 자석에 의해 도막에 자기장이 인가되고, 그 자기장에 의해 상기 도막 중의 자성 입자가 배향되며, 각각의 시트형 자석의 접촉부에서 자성 입자가 도막의 전면에 평행하게 배향되고, 적어도 각각의 시트형 자석의 접촉 부 위의 자성 입자에 의해 도막에 모양이 형성되는 단계를 구비하고,

상기 복수의 시트형 자석은, 인접한 시트형 자석의 전면의 자극과 후면의 자극이 인접한 시트형 자석 간에 서로 다르고 또한 각각의 시트형 자석의 측면이 서로 접촉하도록 배열되는 모양 형성 방법

에 사용되는 도료로서,

상기 도료는, 편평형의 자성 입자와, 열가소성 수지와, 비점이 50℃ 이상 100℃ 이하인 저비점 용제와, 비점이 100℃보다 높고 200℃ 이하인 고비점 용제를 함유하고,

상기 도료는, 온도가 15∼35℃이고 상대습도가 40∼90%의 분위기 하에서, 도장하려는 물품에 도료를 도포하고나서 20초∼60초후에 있어서의 도료의 스프링 완화 측정법에 의한 전단 속도를 0.1(1/sec)로 한 때의 점도가 2,000mPa.s∼500,000mPa.s이고, 도포한 후 60초를 넘어 120초후까지의 사이에서의 도료의 점도가 100,000mPa.s 이상이며, 도포한 후 60초를 넘어 120초후까지의 사이에서의 도료의 점도가 도포후 20초∼60초후에 있어서의 도료의 점도보다 크게 설정되어 있음을 특징으로 하는 도료.
제 18항에 있어서,

상기 열가소성 수지는, 비닐 아세테이트계 수지, 아크릴계 수지, 또는 셀룰로오스 아세테이트 부티레이트 수지인 것을 특징으로 하는 도료.
제 18항에 있어서,

상기 도료의 불휘발분은 5 질량%∼15 질량%인 것을 특징으로 하는 도료.
제 18항에 있어서,

상기 도료는 착색제로서 염료를 함유하는 것을 특징으로 하는 도료.
제 18항에 있어서,

상기 고비점 용제는, 비점이 100℃보다 높고 150℃ 이하인 제 1 고비점 용제와, 비점이 150℃보다 높고 200℃ 이하인 제 2 고비점 용제를 함유하는 것을 특징으로 하는 도료.
제 22항에 있어서,

상기 제 1 고비점 용제는 5∼10질량%이며, 상기 제 2 고비점 용제는 20∼55질량%이며, 상기 저비점 용제는 40∼75질량%인 것을 특징으로 하는 도료.