KR100950483B1 - 셋업/홀드 타임 측정 장치 - Google Patents

셋업/홀드 타임 측정 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR100950483B1
KR100950483B1 KR1020080061905A KR20080061905A KR100950483B1 KR 100950483 B1 KR100950483 B1 KR 100950483B1 KR 1020080061905 A KR1020080061905 A KR 1020080061905A KR 20080061905 A KR20080061905 A KR 20080061905A KR 100950483 B1 KR100950483 B1 KR 100950483B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
signal
data
response
unit
test
Prior art date
Application number
KR1020080061905A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20100001828A (ko
Inventor
백창기
Original Assignee
주식회사 하이닉스반도체
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 하이닉스반도체 filed Critical 주식회사 하이닉스반도체
Priority to KR1020080061905A priority Critical patent/KR100950483B1/ko
Priority to US12/290,762 priority patent/US8116155B2/en
Priority to JP2008306704A priority patent/JP2010009735A/ja
Publication of KR20100001828A publication Critical patent/KR20100001828A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100950483B1 publication Critical patent/KR100950483B1/ko
Priority to US13/346,308 priority patent/US8437207B2/en

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C29/00Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
    • G11C29/02Detection or location of defective auxiliary circuits, e.g. defective refresh counters
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C11/00Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/21Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
    • G11C11/34Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
    • G11C11/40Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors
    • G11C11/401Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells
    • G11C11/4063Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing
    • G11C11/407Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing for memory cells of the field-effect type
    • G11C11/4076Timing circuits
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C11/00Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/21Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
    • G11C11/34Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
    • G11C11/40Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors
    • G11C11/401Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells
    • G11C11/4063Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing
    • G11C11/407Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing for memory cells of the field-effect type
    • G11C11/409Read-write [R-W] circuits 
    • G11C11/4093Input/output [I/O] data interface arrangements, e.g. data buffers
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C29/00Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
    • G11C29/02Detection or location of defective auxiliary circuits, e.g. defective refresh counters
    • G11C29/022Detection or location of defective auxiliary circuits, e.g. defective refresh counters in I/O circuitry
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C29/00Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
    • G11C29/02Detection or location of defective auxiliary circuits, e.g. defective refresh counters
    • G11C29/023Detection or location of defective auxiliary circuits, e.g. defective refresh counters in clock generator or timing circuitry
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C29/00Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
    • G11C29/04Detection or location of defective memory elements, e.g. cell constructio details, timing of test signals
    • G11C29/08Functional testing, e.g. testing during refresh, power-on self testing [POST] or distributed testing
    • G11C29/12Built-in arrangements for testing, e.g. built-in self testing [BIST] or interconnection details
    • G11C29/12015Built-in arrangements for testing, e.g. built-in self testing [BIST] or interconnection details comprising clock generation or timing circuitry
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C29/00Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
    • G11C29/04Detection or location of defective memory elements, e.g. cell constructio details, timing of test signals
    • G11C29/50Marginal testing, e.g. race, voltage or current testing
    • G11C29/50012Marginal testing, e.g. race, voltage or current testing of timing

Abstract

본 발명은 외부클럭신호를 카운트 신호에 의해 지연시키고, 테스트 신호에 응답하여 상기 지연된 외부클럭신호로부터 내부클럭신호 및 데이터 신호를 생성하는 데이터 생성부; 상기 내부클럭신호에 동기하여 상기 데이터 신호를 버퍼링한 신호를 래치하는 데이터 래치; 상기 테스트 신호에 응답하여 상기 데이터 래치부에서 래치된 데이터 신호로부터 플래그신호를 생성하는 플래그신호 생성부; 및 상기 플래그신호에 응답하여 상기 카운트 신호를 카운팅하는 카운터를 포함하는 셋업/홀드 타임 측정 장치를 제공한다.
Figure R1020080061905
셋업/홀드 타임, 내부클럭신호

Description

셋업/홀드 타임 측정 장치{DATA SETUP/HOLD TIME MEASUREMENT DEVICE}
본 발명은 반도체 메모리 장치에 관한 것으로, 더욱 구체적으로는 데이터의 셋업/홀드 타임을 효율적으로 측정할 수 있도록 한 셋업/홀드 타임 측정 장치에 관한 것이다.
최근, 마이크로 프로세서의 동작 속도가 빨라짐에 따라 외부클럭에 동기하여 데이터 신호를 입출력하는 동기식 디램(SDRAM)이 사용되고 있다. 이는 디램이 마이크로 프로세서의 동작 속도를 따라잡기에는 역부족이므로, 디램과 마이크로 프로세서의 속도 갭을 작게하여 시스템 성능을 개선하기 위함이다.
동기식 디램(SDRAM)은 외부 클럭 신호에 동기된 내부 클럭 신호를 이용하여 데이터의 입출력을 행한다. 이러한 동기식 디램(SDRAM)은 내부 클럭 신호에 따라 데이터의 입출력이 행해지기 때문에, 고속으로의 데이터 전송이 가능해진다.
한편, 동기식 디램(SDRAM)에서 정상적으로 데이터를 리드/라이트 하기 위해서는 내부 클럭 신호에 대해 정상적인 셋업/홀드 타임(setup/hold time)을 확보하 는 것이 중요하다. 여기서, 셋업 타임(setup time)은 입력되는 데이터들이 외부클럭 신호를 기준으로 일정시간 전에 인가되어지는 시간을 의미하고, 홀드 타임(hold time)은 입력되는 신호들이 외부 클럭 신호를 기준으로 일정시간 유지되는 시간을 의미한다. 즉, 셋업 타임(setup time) 및 홀드 타임(hold time)은 데이터의 유효 윈도우(data valid window)를 기준으로 앞, 뒤 시간을 의미한다.
종래의 경우 데이터의 셋업/홀드 타임(setup/hold time)의 측정은 외부 장비에서 입력데이터와 클럭신호 간의 지연구간을 변화시켜가면서, 리드/라이트 동작을 통해 입력되는 데이터와 출력패드로 출력되는 데이터의 값을 비교하는 방식으로 수행되었다.
그런데, 이와 같은 셋업/홀드 타임(setup/hold time) 측정 방식은 입력데이터와 클럭신호 간의 지연구간을 변화시키기 위한 외부 장비를 필요로 하고, 입력되는 데이터와 출력패드로 출력되는 데이터의 값을 비교하기 위해서는 리드/라이트 동작이 수행되어야 하므로 효율성이 떨어지는 문제가 있었다.
본 발명은 테스트 신호에 따라 외부클럭 신호로부터 데이터 신호와 내부클럭 신호를 생성하고, 리드/라이트 동작 없이 버퍼링된 데이터의 상태에 따라 셋업/홀드 타임을 측정할 수 있도록 한 셋업/홀드 타임 측정 장치를 개시한다.
이를 위해 본 발명은 외부클럭신호를 카운트 신호에 의해 지연시키고, 테스트 신호에 응답하여 상기 지연된 외부클럭신호로부터 내부클럭신호 및 데이터 신호를 생성하는 데이터 생성부; 상기 내부클럭신호에 동기하여 상기 데이터 신호를 버퍼링한 신호를 래치하는 데이터 래치; 상기 테스트 신호에 응답하여 상기 데이터 래치부에서 래치된 데이터 신호로부터 플래그신호를 생성하는 플래그신호 생성부; 및 상기 플래그신호에 응답하여 상기 카운트 신호를 카운팅하는 카운터를 포함하는 셋업/홀드 타임 측정 장치를 제공한다.
본 발명에서, 상기 데이터 생성부는 상기 외부클럭신호를 상기 카운트 신호에 의해 결정된 지연구간만큼 지연시키는 지연부; 및 상기 테스트 신호에 응답하여 상기 외부클럭신호 및 상기 지연부의 출력신호로부터 상기 내부클럭신호 및 데이터 신호를 생성하는 멀티플렉서를 포함한다.
본 발명에서, 상기 지연부는 상기 카운트 신호에 응답하여 선택적으로 인에이블되는 다수의 지연소자를 포함하되, 상기 지연부의 지연구간은 상기 다수의 지연소자 중 인에이블된 지연소자의 수에 의해 결정되는 것이 바람직하다.
본 발명에서, 상기 멀티플렉서는 상기 테스트 신호에 응답하여 상기 외부클럭신호 또는 상기 지연부의 출력신호를 선택적으로 상기 내부클럭신호로 전달하는 제1 전달부; 및 상기 테스트 신호에 응답하여 상기 외부클럭신호 또는 상기 지연부의 출력신호를 선택적으로 상기 데이터 신호로 전달하는 제2 전달부를 포함한다.
본 발명에서, 상기 데이터 래치는 상기 내부클럭신호를 버퍼링한 신호에 응답하여 상기 데이터 신호를 버퍼링한 신호를 래치하여 구동신호를 생성하는 구동신호 생성부; 및 상기 구동신호에 응답하여 출력노드를 구동하는 구동부를 포함한다.
본 발명에서, 상기 데이터 래치는 상기 출력노드의 신호를 래치하는 래치; 및 리셋신호에 응답하여 상기 출력노드의 레벨을 설정하는 리셋소자를 더 포함한다.
본 발명에서, 상기 플래그신호 생성부는 상기 테스트 신호에 응답하여 상기 데이터 래치부에서 래치된 데이터 신호가 기설정된 레벨인 경우 인에이블되는 상기 플래그신호를 생성하는 것이 바람직하다.
본 발명은 상기 플래그신호 및 상기 테스트 신호에 응답하여 상기 카운트 신호를 패드로 출력하는 출력부를 더 포함한다.
본 발명에서, 상기 출력부는 상기 플래그신호에 응답하여 상기 카운트 신호를 전달하는 전달부; 및 상기 테스트 신호에 응답하여 상기 전달부의 출력신호를 래치하는 래치부를 포함한다.
또한, 본 발명은 다수의 카운트 신호에 응답하여 선택적으로 인에이블되는 다수의 지연소자를 포함하여, 외부클럭신호를 소정구간 지연시키는 지연부; 테스트 신호에 응답하여 상기 외부클럭신호 또는 상기 지연부의 출력신호를 선택적으로 전달하여 내부클럭신호 및 데이터 신호를 생성하는 멀티플렉서; 상기 데이터 신호를 버퍼링하여 다수의 내부데이터 신호를 생성하는 다수의 버퍼; 상기 내부클럭신호에 동기하여 상기 다수의 내부데이터 신호를 래치하여 다수의 샘플링데이터 신호를 추출하는 데이터래치; 상기 테스트 신호에 응답하여 상기 다수의 샘플링데이터 신호로부터 제1 및 제2 플래그신호를 생성하는 플래그신호 생성부; 및 상기 제1 및 제2 플래그신호에 응답하여 상기 다수의 카운트 신호를 카운팅하는 카운터를 포함하는 셋업/홀드 타임 측정 장치를 제공한다.
이하, 실시예를 통하여 본 발명을 더욱 상세히 설명하기로 한다. 이들 실시예는 단지 본 발명을 예시하기 위한 것이며, 본 발명의 권리 보호 범위가 이들 실시예에 의해 제한되는 것은 아니다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 셋업/홀드 타임 측정 장치의 구성을 도시한 블럭도이다.
도시된 바와 같이, 본 실시예에 따른 셋업/홀드 타임 측정 장치는 데이터 생성부(1), 클럭버퍼(2), 제1 내지 제N 데이터버퍼(3), 제1 내지 제N 데이터래치(4), 플래그신호 생성부(5), 카운터(6), 출력부(7) 및 패드(8)로 구성된다.
도 2를 참고하면 데이터 생성부(1)는 지연부(10) 및 멀티플렉서(12)로 구성된다.
지연부(10)는 제1 내지 제M 지연소자(delay<1:M>)로 구성되어, 제1 내지 제M 지연소자(delay<1:M>)는 각각 제1 내지 제M 카운트 신호(COUNT<1:M>)에 응답하여 인에이블된다. 지연부(10)는 외부클럭(CLK)을 소정 구간 지연시켜 지연클럭(CLKd)을 생성하는데, 지연부(10)의 지연구간은 제1 내지 제M 지연소자(delay<1:M>) 중 제1 내지 제M 카운트 신호(COUNT<1:M>)에 따라 인에이블된 지연소자의 수에 의해 결정된다. 예를 들어, 제1 내지 제M 지연소자(delay<1:M>)가 각각 단위지연구간을 갖고, 제1 내지 제M 카운트 신호(COUNT<1:M>)에 의해 제1 내지 제M 지연소자(delay<1:M>) 중 K개의 지연소자가 인에이블되는 경우 지연부(10)의 지연구간은 단위지연구간의 K배가 된다.
도 3을 참고하면 멀티플렉서(12)는 제1 전달부(120) 및 제2 전달부(122)로 구성된다.
제1 전달부(120)는 제2 테스트 신호(TEST<2>)에 응답하여 외부클럭(CLK) 또는 지연클럭(CLKd)을 선택적으로 전달하는 인버터(IV11, IV12)와, 제1 테스트 신호(TEST<1>)와 인버터(IV11, IV12)의 출력신호를 입력받아 부정논리곱 연산을 수행하여 제1 내부클럭신호(clk1)를 생성하는 낸드게이트(ND10)로 구성된다.
제2 전달부(122)는 제2 테스트 신호(TEST<2>)에 응답하여 외부클럭(CLK) 또는 지연클럭(CLKd)을 선택적으로 전달하는 인버터(IV14, IV15)와, 제1 테스트 신호(TEST<1>)와 인버터(IV14, IV15)의 출력신호를 입력받아 부정논리곱 연산을 수행하여 데이터 신호(din1)를 생성하는 낸드게이트(ND11)로 구성된다.
클럭버퍼(2)는 제1 내부클럭신호(clk1)를 버퍼링하여 제2 내부클럭신호(clk2)를 생성한다. 클럭버퍼(2)는 일반적인 클럭버퍼 회로로 구현된다.
제1 내지 제N 데이터버퍼(3)는 데이터 신호(din1)를 입력받아, 각각 제1 내지 제N 내부데이터 신호(din2<1:N>)를 생성한다. 제1 내지 제N 데이터버퍼(3)는 일반적인 데이터버퍼 회로로 구현되며, 본 실시예에서 제1 내지 제N 데이터버퍼(3)의 위치는 각각 다르게 설정되는 것이 바람직하다. 이는 반도체 메모리 장치에서 다양한 회로에 포함된 다수의 데이터버퍼들을 구현하기 위함이다. 이와 같이, 제1 내지 제N 데이터버퍼(3)의 위치를 다양하게 설정함으로써, 데이터 신호(din1)가 전송되는 거리가 다르게 되고, 이에 따라 제1 내지 제N 데이터버퍼(3)에서 생성되는 제1 내지 제N 내부데이터 신호(din2)의 지연구간도 다양하게 설정된다.
도 4를 참고하면 제1 내지 제N 데이터래치(4)는 제2 내부클럭신호(clk2)에 응답하여 제1 내지 제N 내부데이터 신호(din2<1:N>)를 래치하여 풀업신호(PU) 및 풀다운신호(PD)를 생성하는 구동신호 생성부(40)와, 풀업신호(PU) 및 풀다운신호(PD)에 응답하여 노드(nd40)를 구동하는 구동부(42)와, 리셋신호(RESET)에 응답하여 노드(nd40)를 풀업구동하는 리셋소자(44) 및 노드(nd40)의 신호를 래치하여 제1 내지 제N 샘플링데이터 신호(DATA<1:N>)를 생성하는 래치(46)로 구성된다. 제1 내지 제N 데이터래치(4)는 동일한 회로적 구성을 가지므로, 도 4에서와 같이 N개의 회로를 하나의 도면으로 표현하였다.
도 5를 참고하면 플래그신호 생성부(5)는 제1 내지 제N 샘플링데이터 신호(DATA<1:N>)를 입력받아 부정논리곱 연산을 수행하는 낸드게이트(ND50)와, 제1 및 제2 테스트 신호(TEST<1:2>)에 응답하여 낸드게이트(ND50)의 출력신호를 래치하여 제1 플래그신호(FLAG1)를 생성하는 래치(51)와, 제1 내지 제N 샘플링데이터 신호(DATA<1:N>)를 입력받아 부정논리합 연산을 수행하는 노어게이트(NR50)와, 제1 및 제2 테스트 신호(TEST<1:2>)에 응답하여 노어게이트(NR50)의 출력신호를 래치하여 제2 플래그신호(FLAG2)를 생성하는 래치(53)로 구성된다. 래치(51) 및 래치(53)는 제1 및 제2 테스트 신호(TEST<1:2>)에 응답하여 선택적으로 동작하는데, 제1 테스트 신호(TEST<1>)가 하이레벨인 상태에서 제2 테스트 신호(TEST<2>)가 로우레벨인 경우 래치(51)가 동작하며, 제2 테스트 신호(TEST<2>)가 하이레벨인 경우 래치(53)이 동작한다.
카운터(6)는 제1 플래그신호(FLAG1) 및 제2 플래그신호(FLAG2)에 응답하여 제1 내지 제M 카운트 신호(COUNT<1:M>)를 카운팅한다. 본 실시예의 카운터(6)는 제1 플래그신호(FLAG1)가 하이레벨 또는 제2 플래그신호(FLAG2)가 로우레벨인 경우 카운팅 동작을 중단하고, 제1 플래그신호(FLAG1)가 로우레벨 또는 제2 플래그신호(FLAG2)가 하이레벨인 경우 카운팅 동작을 수행하도록 구현한다. 예를 들어, 제1 내지 제M 카운트 신호(COUNT<1:M>)가 '00,...,01'인 상태에서 제1 플래그신호(FLAG1)가 로우레벨 또는 제2 플래그신호(FLAG2)가 하이레벨인 상태로 입력되면 카운터(6)는 제1 내지 제M 카운트 신호(COUNT<1:M>)를 '00,...,11' 상태로 카운팅한다. 즉, 제1 내지 제M 카운트 신호 중 하이레벨로 인에이블된 신호의 수를 증가시킨다.
도 6을 참고하면 출력부(7)는 전달부(70)와 래치부(72)로 구성된다.
전달부(70)는 제1 플래그신호(FLAG1)에 응답하여 제1 내지 제M 카운트 신호(COUNT<1:M>)를 전달하는 전달게이트(T70)와, 제2 플래그신호(FLAG2)에 응답하여 제1 내지 제M 카운트 신호(COUNT<1:M>)를 전달하는 전달게이트(T71)로 구성된다. 전달게이트(T70)는 제1 플래그신호(FLAG1)가 하이레벨인 경우 제1 내지 제M 카운트 신호(COUNT<1:M>)를 전달하고, 전달게이트(T71)는 제2 플래그신호(FLAG2)가 로우레벨인 경우 제1 내지 제M 카운트 신호(COUNT<1:M>)를 전달한다.
래치부(72)는 제1 및 제2 테스트 신호(TEST<1:2>)에 응답하여 전달게이트(T70)의 출력신호를 래치하는 래치(720)와, 제1 및 제2 테스트 신호(TEST<1:2>)에 응답하여 전달게이트(T71)의 출력신호를 래치하는 래치(722)로 구성된다. 래치부(72)에 있어서, 제1 테스트 신호(TEST<1>)가 하이레벨인 상태에서, 제2 테스트 신호(TEST<2>)가 로우레벨인 경우 래치(720)가 동작하고, 제2 테스트 신호(TEST<2>)가 하이레벨인 경우 래치(722)가 동작한다.
이와 같이 구성된 셋업/홀드 타임 측정 장치의 동작을 도 7 및 도 8을 참고하여 살펴보면 다음과 같다.
도 7에 도시된 바와 같이, 제1 테스트 신호(TEST<1>)가 하이레벨이고, 제2 테스트 신호(TEST<2>)가 로우레벨인 경우에 있어 셋업/홀드 타임 측정 장치의 동작을 살펴보면 다음과 같다.
우선, 데이터 생성부(1)는 외부클럭(CLK)을 입력받아 제1 내부클럭신호(clk1) 및 데이터 신호(din1)를 생성한다.
좀 더 구체적으로, 지연부(10)는 외부클럭(CLK)을 소정 구간 지연시켜 지연클럭(CLKd)을 생성한다. 이때, 지연부(10)의 지연구간은 제1 내지 제M 지연소자(delay<1:M>) 중 제1 내지 제M 카운트 신호(COUNT<1:M>)에 의해 인에이블된 지연소자의 수에 따라 결정된다. 예를 들어, 제1 내지 제M 카운트 신호(COUNT<1:M>) 중 제1 내지 제K 카운트 신호(COUNT<1:K>)가 하이레벨인 경우 제1 내지 제K 지연소자(delay<1:K>)가 인에이블되므로, 지연부(10)의 지연구간은 제1 내지 제K 지연소자(delay<1:K>) 각각의 지연구간(즉, 단위지연구간)의 K배로 설정된다. 본 실시예의 경우 초기상태에서 지연부(10)의 지연구간은 d로 설정된 경우로 가정하였다.
멀티플렉서(12)는 제1 및 제2 테스트 신호(TEST<1:2>)에 응답하여 지연부(10)에서 생성된 지연클럭(CLKd)과 외부클럭(CLK)을 제1 내부클럭신호(clk1) 또는 데이터 신호(din1)로 선택적으로 전달한다. 앞서, 설명한 바와 같이, 제1 테스트 신호(TEST<1>)는 하이레벨이고, 제2 테스트 신호(TEST<2>)는 로우레벨 이므로, 인버터(IV11, IV14)가 턴온되어, 외부클럭(CLK)은 데이터 신호(din1)로 출력되고, 지연클럭(CLKd)은 제1 내부클럭신호(clk1)로 출력된다.
다음으로, 클럭버퍼(2)는 제1 내부클럭신호(clk1)를 버퍼링하여 제2 내부클럭신호(clk2)를 생성한다. 또한, 제1 내지 제N 데이터버퍼(3)는 데이터 신호(din1)를 입력받아, 각각 제1 내지 제N 내부데이터 신호(din2<1:N>)를 생성한다. 도 7에 도시된 바와 같이, 제1 내지 제N 내부데이터 신호(din2<1:N>)는 제1 내지 제N 데이터버퍼(3)의 위치에 따라 다양하게 형성되는데, 이는 앞서 설명한 바와 같이, 제1 내지 제N 데이터버퍼(3)에 입력되는 데이터 신호(din1)가 서로 다른 지연구간의 영향을 받으며 전송되어 오기 때문이다.
다음으로, 제1 내지 제N 데이터래치(4)는 제2 내부클럭신호(clk2)의 라이징 에지에 동기하여 제1 내지 제N 내부데이터 신호(din2<1:N>)를 래치하여 제1 내지 제N 샘플링데이터 신호(DATA<1:N>)를 생성한다. 도 7에 도시된 바와 같이, 제2 내부클럭신호(clk2)의 라이징에지에서 제1 내지 제N-1 내부데이터 신호(din2<1:N-1>)는 하이레벨인데 반해, 제N 내부데이터 신호(din2<N>)는 로우레벨이므로, 제1 내지 제N-1 샘플링데이터 신호(DATA<1:N-1>)는 하이레벨이되고, 제N 샘플링데이터 신호(DATA<N>)는 로우레벨이된다.
다음으로, 플래그신호 생성부(5)는 제1 내지 제N 샘플링데이터 신호(DATA<1:N>)를 입력받아 제1 플래그신호(FLAG1)를 생성한다. 즉, 하이레벨의 제1 테스트 신호(TEST<1>)와 로우레벨의 제2 테스트 신호(TEST<2>)에 의해 래치(51)가 동작하고, 낸드게이트(ND50)는 로우레벨의 제N 샘플링데이터 신호(DATA<N>)에 의해 로우레벨의 제1 플래그신호(FLAG1)를 생성한다.
다음으로, 카운터(6)는 로우레벨의 제1 플래그신호(FLAG1)를 입력받아 제1 내지 제M 카운트 신호(COUNT<1:M>)를 카운팅한다. 예를 들어, 제1 내지 제M 카운트 신호(COUNT<1:M>) 중 제1 내지 제K 카운트 신호(COUNT<1:K>)가 하이레벨인 상태에서 로우레벨의 제1 플래그신호(FLAG1)가 입력되는 경우 카운터(6)는 카운팅 동작을 수행하여, 제1 내지 제K+1 카운트 신호(COUNT<1:K+1>)가 하이레벨이 된다. 따라서, 제1 내지 제M 지연소자(delay<1:M>) 중 인에이블되는 지연소자의 수가 K+1개가 되어 지연부(10)의 지연구간은 증가한다.
카운터(6)의 카운팅 동작은 제1 내지 제N 샘플링데이터 신호(DATA<1:N>)가 모두 하이레벨로 생성되어 하이레벨의 제1 플래그신호(FLAG1)가 생성될 때까지 반복되어 수행된다.
하이레벨의 제1 플래그신호(FLAG1)가 생성되면 출력부(7)의 전달게이트(T70)가 턴온되고, 래치(720)는 하이레벨의 제1 테스트 신호(TEST<1>)와 로우레벨의 제2 테스트 신호(TEST<2>)에 의해 동작하므로 제1 내지 제M 카운트 신호(COUNT<1:M>)가 패드(8)를 통해 출력된다. 출력된 제1 내지 제M 카운트 신호(COUNT<1:M>) 중 하이레벨로 인에이블된 신호의 수를 통해 지연부(10)의 지연구간을 확인할 수 있고, 이에 따라 셋업/홀드 타임을 측정할 수 있다.
도 8에 도시된 바와 같이, 제1 테스트 신호(TEST<1>)가 하이레벨이고, 제2 테스트 신호(TEST<2>)가 하이레벨인 경우에 있어 셋업/홀드 타임 측정 장치의 동작을 살펴보면 다음과 같다.
우선, 데이터 생성부(1)는 외부클럭(CLK)을 입력받아 제1 내부클럭신호(clk1) 및 데이터 신호(din1)를 생성한다.
좀 더 구체적으로, 지연부(10)는 외부클럭(CLK)을 소정 구간 지연시켜 지연클럭(CLKd)을 생성한다. 이때, 지연부(10)의 지연구간은 제1 내지 제M 지연소자(delay<1:M>) 중 제1 내지 제M 카운트 신호(COUNT<1:M>)에 의해 인에이블된 지연소자의 수에 따라 결정된다. 예를 들어, 제1 내지 제M 카운트 신호(COUNT<1:M>) 중 제1 내지 제K 카운트 신호(COUNT<1:K>)가 하이레벨인 경우 제1 내지 제K 지연소자(delay<1:K>)가 인에이블되므로, 지연부(10)의 지연구간은 제1 내지 제K 지연소자(delay<1:K>) 각각의 지연구간(즉, 단위지연구간)의 K배로 설정된다. 본 실시예의 경우 초기상태에서 지연부(10)의 지연구간은 d로 설정된 경우로 가정하였다.
멀티플렉서(12)는 제1 및 제2 테스트 신호(TEST<1:2>)에 응답하여 지연부(10)에서 생성된 지연클럭(CLKd)과 외부클럭(CLK)을 제1 내부클럭신호(clk1) 또는 데이터 신호(din1)로 선택적으로 전달한다. 앞서, 설명한 바와 같이, 제1 테스트 신호(TEST<1>) 및 제2 테스트 신호(TEST<2>)는 하이레벨 이므로, 인버터(IV12, IV15)가 턴온되어, 외부클럭(CLK)은 제1 내부클럭신호(clk1)로 출력되고, 지연클럭(CLKd)은 데이터 신호(din1)로 출력된다.
다음으로, 클럭버퍼(2)는 제1 내부클럭신호(clk1)를 버퍼링하여 제2 내부클럭신호(clk2)를 생성한다. 또한, 제1 내지 제N 데이터버퍼(3)는 데이터 신호(din1)를 입력받아, 각각 제1 내지 제N 내부데이터 신호(din2<1:N>)를 생성한다. 도 8에 도시된 바와 같이, 제1 내지 제N 내부데이터 신호(din2<1:N>)는 제1 내지 제N 데이터버퍼(3)의 위치에 따라 다양하게 형성되는데, 이는 앞서 설명한 바와 같이, 제1 내지 제N 데이터버퍼(3)에 입력되는 데이터 신호(din1)가 서로 다른 지연구간의 영향을 받으며 전송되어 오기 때문이다.
다음으로, 제1 내지 제N 데이터래치(4)는 제2 내부클럭신호(clk2)의 라이징 에지에 동기하여 제1 내지 제N 내부데이터 신호(din2<1:N>)를 래치하여 제1 내지 제N 샘플링데이터 신호(DATA<1:N>)를 생성한다. 도 8에 도시된 바와 같이, 제2 내부클럭신호(clk2)의 라이징에지에서 제1 내지 제N-1 내부데이터 신호(din2<1:N-1>)는 로우레벨인데 반해, 제N 내부데이터 신호(din2<N>)는 하이레벨이므로, 제1 내지 제N-1 샘플링데이터 신호(DATA<1:N-1>)는 로우레벨이되고, 제N 샘플링데이터 신호(DATA<N>)는 하이레벨이된다.
다음으로, 플래그신호 생성부(5)는 제1 내지 제N 샘플링데이터 신호(DATA<1:N>)를 입력받아 제2 플래그신호(FLAG2)를 생성한다. 즉, 하이레벨의 제1 테스트 신호(TEST<1>)와 하이레벨의 제2 테스트 신호(TEST<2>)에 의해 래치(53)가 동작하고, 노어게이트(NR50)는 하이레벨의 제N 샘플링데이터 신호(DATA<N>)에 의해 하이레벨의 제2 플래그신호(FLAG2)를 생성한다.
다음으로, 카운터(6)는 하이레벨의 제2 플래그신호(FLAG2)를 입력받아 제1 내지 제M 카운트 신호(COUNT<1:M>)를 카운팅한다. 예를 들어, 제1 내지 제M 카운트 신호(COUNT<1:M>) 중 제1 내지 제K 카운트 신호(COUNT<1:K>)가 하이레벨인 상태에서 하이레벨의 제2 플래그신호(FLAG2)가 입력되는 경우 카운터(6)는 카운팅 동작을 수행하여, 제1 내지 제K+1 카운트 신호(COUNT<1:K+1>)가 하이레벨이 된다. 따라서, 제1 내지 제M 지연소자(delay<1:M>) 중 인에이블되는 지연소자의 수가 K+1개가 되어 지연부(10)의 지연구간은 증가한다.
카운터(6)의 카운팅 동작은 제1 내지 제N 샘플링데이터 신호(DATA<1:N>)가 모두 로우레벨로 생성되어 로우레벨의 제2 플래그신호(FLAG2)가 생성될 때까지 반복되어 수행된다.
로우레벨의 제2 플래그신호(FLAG2)가 생성되면 출력부(7)의 전달게이트(T71)가 턴온되고, 래치(722)는 하이레벨의 제1 테스트 신호(TEST<1>)와 하이레벨의 제2 테스트 신호(TEST<2>)에 의해 동작하므로 제1 내지 제M 카운트 신호(COUNT<1:M>)가 패드(8)를 통해 출력된다. 출력된 제1 내지 제M 카운트 신호(COUNT<1:M>) 중 하이레벨로 인에이블된 신호의 수를 통해 지연부(10)의 지연구간을 확인할 수 있고, 이 에 따라 셋업/홀드 타임을 측정할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 셋업/홀드 타임 측정 장치의 구성을 도시한 블럭도이다.
도 2는 도 1에 도시된 데이터 생성부의 구성을 도시한 블럭도이다.
도 3은 도 2에 도시된 멀티플렉서의 회로도이다.
도 4는 도 1에 도시된 데이터래치의 회로도이다.
도 5는 도 1에 도시된 플래그신호 생성부의 회로도이다.
도 6은 도 1에 도시된 출력부의 회로도이다.
도 7 및 도 8은 도 1에 도시된 셋업/홀드 타임 측정 장치의 동작을 설명하기 위한 타이밍도이다.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
1: 데이터 생성부 10: 지연부
12: 멀티플렉서 2: 클럭버퍼
3: 제1 내지 제N 데이터버퍼 4: 제1 내지 제N 데이터래치
5: 플래그신호 생성부 6: 카운터
7: 출력부 8: 패드

Claims (23)

  1. 외부클럭신호를 카운트 신호에 의해 지연시키고, 테스트 신호에 응답하여 상기 지연된 외부클럭신호로부터 내부클럭신호 및 데이터 신호를 생성하는 데이터 생성부;
    상기 내부클럭신호에 동기하여 상기 데이터 신호를 버퍼링한 신호를 래치하는 데이터 래치;
    상기 테스트 신호에 응답하여 상기 데이터 래치부에서 래치된 데이터 신호로부터 플래그신호를 생성하는 플래그신호 생성부; 및
    상기 플래그신호에 응답하여 상기 카운트 신호를 카운팅하는 카운터를 포함하는 셋업/홀드 타임 측정 장치.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 데이터 생성부는
    상기 외부클럭신호를 상기 카운트 신호에 의해 결정된 지연구간만큼 지연시키는 지연부; 및
    상기 테스트 신호에 응답하여 상기 외부클럭신호 및 상기 지연부의 출력신호로부터 상기 내부클럭신호 및 데이터 신호를 생성하는 멀티플렉서를 포함하는 셋업/홀드 타임 측정 장치.
  3. 제 2 항에 있어서, 상기 지연부는 상기 카운트 신호에 응답하여 선택적으로 인에이블되는 다수의 지연소자를 포함하되, 상기 지연부의 지연구간은 상기 다수의 지연소자 중 인에이블된 지연소자의 수에 의해 결정되는 셋업/홀드 타임 측정 장치.
  4. 제 2 항에 있어서, 상기 멀티플렉서는
    상기 테스트 신호에 응답하여 상기 외부클럭신호 또는 상기 지연부의 출력신호를 선택적으로 상기 내부클럭신호로 전달하는 제1 전달부; 및
    상기 테스트 신호에 응답하여 상기 외부클럭신호 또는 상기 지연부의 출력신호를 선택적으로 상기 데이터 신호로 전달하는 제2 전달부를 포함하는 셋업/홀드 타임 측정 장치.
  5. 제 1 항에 있어서, 상기 데이터 래치는
    상기 내부클럭신호를 버퍼링한 신호에 응답하여 상기 데이터 신호를 버퍼링한 신호를 래치하여 구동신호를 생성하는 구동신호 생성부; 및
    상기 구동신호에 응답하여 출력노드를 구동하는 구동부를 포함하는 셋업/홀드 타임 측정 장치.
  6. 제 5 항에 있어서, 상기 데이터 래치는
    상기 출력노드의 신호를 래치하는 래치; 및
    리셋신호에 응답하여 상기 출력노드의 레벨을 설정하는 리셋소자를 더 포함하는 셋업/홀드 타임 측정 장치.
  7. 제 1 항에 있어서, 상기 플래그신호 생성부는 상기 테스트 신호에 응답하여 상기 데이터 래치부에서 래치된 데이터 신호가 기설정된 레벨인 경우 인에이블되는 상기 플래그신호를 생성하는 셋업/홀드 타임 측정 장치.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 플래그신호 및 상기 테스트 신호에 응답하여 상기 카운트 신호를 패드로 출력하는 출력부를 더 포함하는 셋업/홀드 타임 측정 장치.
  9. 제 8 항에 있어서, 상기 출력부는
    상기 플래그신호에 응답하여 상기 카운트 신호를 전달하는 전달부; 및
    상기 테스트 신호에 응답하여 상기 전달부의 출력신호를 래치하는 래치부를 포함하는 셋업/홀드 타임 측정 장치.
  10. 다수의 카운트 신호에 응답하여 선택적으로 인에이블되는 다수의 지연소자를 포함하여, 외부클럭신호를 소정구간 지연시키는 지연부;
    테스트 신호에 응답하여 상기 외부클럭신호 또는 상기 지연부의 출력신호를 선택적으로 전달하여 내부클럭신호 및 데이터 신호를 생성하는 멀티플렉서;
    상기 데이터 신호를 버퍼링하여 다수의 내부데이터 신호를 생성하는 다수의 버퍼;
    상기 내부클럭신호에 동기하여 상기 다수의 내부데이터 신호를 래치하여 다수의 샘플링데이터 신호를 추출하는 데이터래치;
    상기 테스트 신호에 응답하여 상기 다수의 샘플링데이터 신호로부터 제1 및 제2 플래그신호를 생성하는 플래그신호 생성부; 및
    상기 제1 및 제2 플래그신호에 응답하여 상기 다수의 카운트 신호를 카운팅하는 카운터를 포함하는 셋업/홀드 타임 측정 장치.
  11. 제 10 항에 있어서, 상기 지연부의 지연구간은 상기 다수의 지연소자 중 인에이블되는 지연소자의 수에 의해 결정되는 셋업/홀드 타임 측정 장치.
  12. 제 10 항에 있어서, 상기 멀티플렉서는
    상기 테스트 신호에 응답하여 상기 외부클럭신호 또는 상기 지연부의 출력신호를 선택적으로 상기 내부클럭신호로 전달하는 제1 전달부; 및
    상기 테스트 신호에 응답하여 상기 외부클럭신호 또는 상기 지연부의 출력신호를 선택적으로 상기 데이터 신호로 전달하는 제2 전달부를 포함하는 셋업/홀드 타임 측정 장치.
  13. 제 10 항에 있어서, 상기 다수의 버퍼는
    상기 데이터 신호를 버퍼링하여 제1 내부데이터 신호를 생성하는 제1 버퍼; 및
    상기 데이터 신호를 버퍼링하여 제2 내부데이터 신호를 생성하는 제2 버퍼를 포함하는 셋업/홀드 타임 측정 장치.
  14. 제 13 항에 있어서, 상기 데이터 래치는
    상기 내부클럭신호를 버퍼링한 신호에 응답하여 상기 제1 내부데이터 신호를 래치하여 제1 샘플링데이터 신호를 추출하는 제1 데이터래치; 및
    상기 내부클럭신호를 버퍼링한 신호에 응답하여 상기 제2 내부데이터 신호를 래치하여 제2 샘플링데이터 신호를 추출하는 제2 데이터래치를 포함하는 셋업/홀드 타임 측정 장치.
  15. 제 14 항에 있어서, 상기 제1 데이터 래치는
    상기 내부클럭신호를 버퍼링한 신호에 응답하여 상기 제1 내부데이터 신호를 래치하여 구동신호를 생성하는 구동신호 생성부; 및
    상기 구동신호에 응답하여 출력노드를 구동하는 구동부를 포함하는 셋업/홀드 타임 측정 장치.
  16. 제 14 항에 있어서, 상기 제2 데이터 래치는
    상기 내부클럭신호를 버퍼링한 신호에 응답하여 상기 제2 내부데이터 신호를 래치하여 구동신호를 생성하는 구동신호 생성부; 및
    상기 구동신호에 응답하여 출력노드를 구동하는 구동부를 포함하는 셋업/홀드 타임 측정 장치.
  17. 제 14 항에 있어서, 상기 플래그신호 생성부는
    상기 테스트 신호에 응답하여 상기 제1 및 제2 샘플링데이터 신호가 모두 기설정된 레벨인 경우 인에이블되는 상기 제1 및 제2 플래그신호를 생성하는 셋업/홀드 타임 측정 장치.
  18. 제 15 항에 있어서, 상기 플래그신호 생성부는
    상기 제1 및 제2 샘플링데이터 신호를 입력받아 논리연산을 수행하는 제1 논리소자;
    상기 테스트 신호에 응답하여 상기 제1 논리소자의 출력신호를 래치하여 상기 제1 플래그신호로 전달하는 제1 래치;
    상기 제1 및 제2 샘플링데이터 신호를 입력받아 논리연산을 수행하는 제2 논리소자; 및
    상기 테스트 신호에 응답하여 상기 제2 논리소자의 출력신호를 래치하여 상기 제2 플래그신호로 전달하는 제2 래치를 포함하는 셋업/홀드 타임 측정 장치.
  19. 제 18 항에 있어서, 상기 제1 논리소자는 부정 논리곱 연산을 수행하고, 상기 제2 논리소자는 부정 논리합 연산을 수행하는 셋업/홀드 타임 측정 장치.
  20. 제 18 항에 있어서, 상기 제1 및 제2 래치는 상기 테스트 신호에 응답하여 선택적으로 동작하는 셋업/홀드 타임 측정 장치.
  21. 제 10 항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 플래그신호 및 상기 테스트 신호에 응답하여 상기 카운트 신호를 패드로 출력하는 출력부를 더 포함하는 셋업/홀드 타임 측정 장치.
  22. 제 21 항에 있어서, 상기 출력부는
    상기 제1 플래그신호에 응답하여 상기 카운트 신호를 전달하는 제1 전달소자;
    상기 제2 플래그신호에 응답하여 상기 카운트 신호를 전달하는 제2 전달소자;
    상기 테스트 신호에 응답하여 상기 제1 전달소자의 출력신호를 래치하는 제1 래치; 및
    상기 테스트 신호에 응답하여 상기 제2 전달소자의 출력신호를 래치하는 제2 래치를 포함하는 셋업/홀드 타임 측정 장치.
  23. 제 22 항에 있어서, 상기 제1 및 제2 래치는 상기 테스트 신호에 응답하여 선택적으로 동작하는 셋업/홀드 타임 측정 장치.
KR1020080061905A 2008-06-27 2008-06-27 셋업/홀드 타임 측정 장치 KR100950483B1 (ko)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020080061905A KR100950483B1 (ko) 2008-06-27 2008-06-27 셋업/홀드 타임 측정 장치
US12/290,762 US8116155B2 (en) 2008-06-27 2008-11-03 Apparatus for measuring data setup/hold time
JP2008306704A JP2010009735A (ja) 2008-06-27 2008-12-01 セットアップ/ホールドタイム測定装置
US13/346,308 US8437207B2 (en) 2008-06-27 2012-01-09 Apparatus for measuring data setup/hold time

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020080061905A KR100950483B1 (ko) 2008-06-27 2008-06-27 셋업/홀드 타임 측정 장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20100001828A KR20100001828A (ko) 2010-01-06
KR100950483B1 true KR100950483B1 (ko) 2010-03-31

Family

ID=41447235

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020080061905A KR100950483B1 (ko) 2008-06-27 2008-06-27 셋업/홀드 타임 측정 장치

Country Status (3)

Country Link
US (2) US8116155B2 (ko)
JP (1) JP2010009735A (ko)
KR (1) KR100950483B1 (ko)

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100950483B1 (ko) * 2008-06-27 2010-03-31 주식회사 하이닉스반도체 셋업/홀드 타임 측정 장치
KR101013581B1 (ko) 2008-08-06 2011-02-14 라종주 전기 피부 미용기
RU2559219C1 (ru) 2011-06-14 2015-08-10 Чон Чу НА Устройство и способ для улучшения кожи, используя ra-эффект или ra плюс-эффект
KR20160104478A (ko) 2015-02-26 2016-09-05 에스케이하이닉스 주식회사 반도체장치 및 이를 포함하는 반도체시스템
KR101653508B1 (ko) * 2015-11-27 2016-09-01 인하대학교 산학협력단 딜레이 체인과 대칭 mux를 이용한 플립­플롭 성능 테스트 방법 및 장치
CN105845179B (zh) * 2016-04-19 2019-10-11 上海华虹宏力半导体制造有限公司 存储器的数据建立时间的测量电路和测量方法
US10552169B2 (en) * 2017-03-17 2020-02-04 Sandisk Technologies Llc On-die signal calibration
KR20200106732A (ko) * 2019-03-05 2020-09-15 에스케이하이닉스 주식회사 반도체장치
CN113740718A (zh) * 2020-05-29 2021-12-03 深圳市中兴微电子技术有限公司 一种时序单元建立时间的测量方法和测量电路
CN113740717A (zh) * 2020-05-29 2021-12-03 深圳市中兴微电子技术有限公司 一种时序单元保持时间的测量方法和测量电路
CN116072183B (zh) * 2023-04-06 2023-08-22 长鑫存储技术有限公司 写入转换电路和存储器

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20040055381A (ko) * 2002-12-21 2004-06-26 주식회사 하이닉스반도체 셋업/홀드 타임 제어 장치
KR20060008678A (ko) * 2004-07-23 2006-01-27 주식회사 하이닉스반도체 셋업/홀드 타임 제어회로

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100214435B1 (ko) * 1990-07-25 1999-08-02 사와무라 시코 동기식 버스트 엑세스 메모리
JP2871567B2 (ja) 1995-12-08 1999-03-17 日本電気株式会社 半導体集積回路
US6097230A (en) 1997-12-08 2000-08-01 Texas Instruments Deutschland Gmbh Clock-independent latch setup-and-hold time in a combined D-type latch and flip-flop
US6489819B1 (en) * 1998-10-27 2002-12-03 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Clock synchronous semiconductor memory device allowing testing by low speed tester
JP4263818B2 (ja) * 1999-09-20 2009-05-13 富士通マイクロエレクトロニクス株式会社 半導体集積回路
JP2003043117A (ja) * 2001-08-02 2003-02-13 Fujitsu Ltd 半導体集積回路
JP3686039B2 (ja) 2002-01-21 2005-08-24 松下電器産業株式会社 半導体集積回路装置およびその使用方法
US7155630B2 (en) * 2002-06-25 2006-12-26 Micron Technology, Inc. Method and unit for selectively enabling an input buffer based on an indication of a clock transition
JP4229652B2 (ja) * 2002-07-19 2009-02-25 株式会社ルネサステクノロジ 半導体回路装置
US7453255B2 (en) * 2003-11-20 2008-11-18 Logicvision, Inc. Circuit and method for measuring delay of high speed signals
JP4783567B2 (ja) * 2004-12-21 2011-09-28 Okiセミコンダクタ株式会社 半導体装置
KR100950483B1 (ko) * 2008-06-27 2010-03-31 주식회사 하이닉스반도체 셋업/홀드 타임 측정 장치
US7795939B2 (en) * 2008-12-29 2010-09-14 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method and system for setup/hold characterization in sequential cells

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20040055381A (ko) * 2002-12-21 2004-06-26 주식회사 하이닉스반도체 셋업/홀드 타임 제어 장치
KR20060008678A (ko) * 2004-07-23 2006-01-27 주식회사 하이닉스반도체 셋업/홀드 타임 제어회로

Also Published As

Publication number Publication date
US20090323447A1 (en) 2009-12-31
US8116155B2 (en) 2012-02-14
US8437207B2 (en) 2013-05-07
JP2010009735A (ja) 2010-01-14
KR20100001828A (ko) 2010-01-06
US20120106266A1 (en) 2012-05-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100950483B1 (ko) 셋업/홀드 타임 측정 장치
KR101132800B1 (ko) 데이터입력회로
US7975162B2 (en) Apparatus for aligning input data in semiconductor memory device
KR101930779B1 (ko) 반도체 메모리 회로 및 이를 이용한 데이터 처리 시스템
KR101113331B1 (ko) 데이터입력회로
US8064277B2 (en) Control circuit of read operation for semiconductor memory apparatus
JP2002352583A (ja) 同期式半導体メモリ装置のデータ入力回路及びデータ入力方法
KR100907016B1 (ko) 반도체 메모리 장치의 데이터 입력 회로 및 그 제어 방법
US8928371B2 (en) Deserializers
CN101494088A (zh) 半导体集成电路器件及测试其的方法
KR20170098539A (ko) 데이터 정렬 장치
KR20150142851A (ko) 동작 타이밍 마진을 개선할 수 있는 반도체 장치
KR20140026046A (ko) 데이터입력회로
KR100728556B1 (ko) 반도체 메모리 장치의 데이터 출력 회로
KR20150062472A (ko) 반도체 집적회로
KR20140052417A (ko) 직병렬변환기
US8634245B2 (en) Control circuit of read operation for semiconductor memory apparatus
KR100992004B1 (ko) 반도체 메모리 장치의 도메인 크로싱 회로
US6643217B2 (en) Semiconductor memory device permitting early detection of defective test data
US9058859B2 (en) Data output circuit
KR101047002B1 (ko) 데이터버퍼 제어회로 및 반도체 메모리 장치
KR101049415B1 (ko) 셀 불량 테스트회로
KR101914297B1 (ko) 직병렬변환기
KR20090103497A (ko) 데이터 입력 버퍼
KR20040093814A (ko) 데이터 얼라인 마진이 향상된 동기식 메모리 장치

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130225

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140221

Year of fee payment: 5

LAPS Lapse due to unpaid annual fee