KR100943360B1 - 정전 흡착 전극의 보수 방법 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (12)
- 기재(41)의 표면을 피복하는 피막이 형성되고, 그 피막은, 전극층(43)과, 그 전극층보다 하층의 제 1 절연층(42)과, 상기 전극층보다 상층의 제 2 절연층(44)을 포함하도록 구성되어 있고, 상기 전극층에 전압을 인가함으로써 기판을 흡착 유지하는 정전 흡착 전극의 보수 방법으로서,불량 부위와 그 주위의 피막을 절삭하여 제거하는 절삭 공정과,상기 절삭에 의해 제거된 부분에 새로운 보수 피막을 형성하는 피막 재생 공정을 포함하되,상기 제 2 절연층에는 복수의 볼록부가 형성되어 있고, 상기 보수 피막에 형성되는 볼록부의 높이는, 상기 제 2 절연층에 형성된 볼록부의 높이보다 낮은 것을 특징으로 하는 정전 흡착 전극의 보수 방법.
- 기재의 표면을 피복하는 피막이 형성되고, 그 피막은, 전극층과, 그 전극층보다 하층의 제 1 절연층과, 상기 전극층보다 상층의 제 2 절연층을 포함하도록 구성되어 있고, 상기 전극층에 전압을 인가함으로써 기판을 흡착 유지하는 정전 흡착 전극의 보수 방법으로서,불량 부위와 그 주위의 전극층을 포함한 상기 피막을 절삭하여 제거하는 절삭 공정과,상기 절삭에 의해 제거된 부분에 절연 재료(60, 62, 64)로 이루어지는 보수 피막을 형성하는 피막 재생 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 정전 흡착 전극의 보수 방법.
- 삭제
- 제 2 항에 있어서,상기 절연 재료로서, 수지를 이용하는 것을 특징으로 하는 정전 흡착 전극의 보수 방법.
- 삭제
- 제 1 항에 있어서,상기 절삭 공정에서는, 상기 전극층을 절삭하지 않도록 상기 피막을 절삭해서 오목부를 형성하는 것을 특징으로 하는 정전 흡착 전극의 보수 방법.
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 기재의 표면을 피복하는 피막이 형성되고, 그 피막은, 전극층과, 그 전극층보다 하층의 제 1 절연층과, 상기 전극층보다 상층의 제 2 절연층을 포함하도록 구성되어 있고, 상기 전극층에 전압을 인가함으로써 기판을 흡착 유지하는 정전 흡착 전극의 보수 방법으로서,상기 제 2 절연층의 표면층을 전체적으로 소정의 두께로 제거하는 공정과,상기 표면층이 제거된 부분에 절연 재료로 이루어지는 보수 피막을 용사에 의해 형성하는 피막 재생 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 정전 흡착 전극의 보수 방법.
- 기재의 표면을 피복하는 피막이 형성되고, 그 피막은, 전극층과, 그 전극층보다 하층의 제 1 절연층과, 상기 전극층보다 상층의 제 2 절연층을 포함하도록 구성되어 있고, 상기 전극층에 전압을 인가함으로써 기판을 흡착 유지하는 정전 흡착 전극의 보수 방법으로서,상기 정전 흡착 전극의 측부를 피복하는 측부 절연층의 전체 주위를 제거하는 공정과,상기 측부 절연층이 제거된 부분에 새로운 측부 절연층을 용사에 의해 형성하는 피막 재생 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 정전 흡착 전극의 보수 방법.
- 기재의 표면을 피복하는 피막이 형성되고, 그 피막은, 전극층과, 그 전극층보다 하층의 제 1 절연층과, 상기 전극층보다 상층의 제 2 절연층을 포함하도록 구성되어 있고, 상기 전극층에 전압을 인가함으로써 기판을 흡착 유지하는 정전 흡착 전극의 보수 방법으로서,상기 피막을 모두 제거하는 공정과,상기 피막이 제거된 부분에 상기 피막과 같은 구성의 새로운 피막을 용사에 의해 형성하는 피막 재생 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 정전 흡착 전극의 보수 방법.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006197557A JP5019811B2 (ja) | 2006-07-20 | 2006-07-20 | 静電吸着電極の補修方法 |
JPJP-P-2006-00197557 | 2006-07-20 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20080009028A KR20080009028A (ko) | 2008-01-24 |
KR100943360B1 true KR100943360B1 (ko) | 2010-02-18 |
Family
ID=39042374
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020070073145A KR100943360B1 (ko) | 2006-07-20 | 2007-07-20 | 정전 흡착 전극의 보수 방법 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5019811B2 (ko) |
KR (1) | KR100943360B1 (ko) |
CN (2) | CN101625954B (ko) |
TW (2) | TW200811990A (ko) |
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- 2006-07-20 JP JP2006197557A patent/JP5019811B2/ja active Active
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2007
- 2007-07-19 TW TW096126388A patent/TW200811990A/zh unknown
- 2007-07-19 TW TW099124917A patent/TW201044496A/zh unknown
- 2007-07-20 CN CN200910151468XA patent/CN101625954B/zh active Active
- 2007-07-20 KR KR1020070073145A patent/KR100943360B1/ko active IP Right Grant
- 2007-07-20 CN CNB2007101361933A patent/CN100541756C/zh active Active
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CN100541756C (zh) | 2009-09-16 |
CN101110384A (zh) | 2008-01-23 |
JP2008028052A (ja) | 2008-02-07 |
JP5019811B2 (ja) | 2012-09-05 |
TWI351072B (ko) | 2011-10-21 |
TWI343618B (ko) | 2011-06-11 |
TW200811990A (en) | 2008-03-01 |
KR20080009028A (ko) | 2008-01-24 |
CN101625954A (zh) | 2010-01-13 |
CN101625954B (zh) | 2011-05-11 |
TW201044496A (en) | 2010-12-16 |
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Legal Events
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A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
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FPAY | Annual fee payment |
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FPAY | Annual fee payment |
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FPAY | Annual fee payment |
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FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160119 Year of fee payment: 7 |
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FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170119 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180202 Year of fee payment: 9 |
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FPAY | Annual fee payment |
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FPAY | Annual fee payment |
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