TW201044496A - Repairing method of electrostatic sucking electrode - Google Patents

Description

201044496 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明是有關靜電吸附電極的修補方法，詳細是例如 有關在平面直角顯示器（Flat Panel Display; FPD)等的 製造過程中，爲了吸附保持玻璃基板等的基板而使用之靜 電吸附電極的修補方法。 9 Q 【先前技術】 在FPD的製造過程中，對被處理體的玻璃基板進行 乾蝕刻或濺鑛、CVD( Chemical Vapor Deposition)等的 . 電漿處理。例如，在處理室內配置一對的平行平板電極（ • 上部電極及下部電極），在作爲下部電極機能的基座（基 板載置台）載置玻璃基板後，將處理氣體導入處理室內， 且在電極的至少一方施加高頻電力，而於電極間形成高頻 電場，藉由此高頻電場來形成處理氣體的電漿，對玻璃基 Q 板施以電漿處理。此時，玻璃基板是藉由設於基座上的靜 • 電吸附電極來吸附固定。 . 如此的靜電吸附電極，有例如在藉由鋁等的導電性材 料所形成的基材上，依序積層絕緣層、電極層及絕緣層的 構造爲人所知，此情況，可藉由對該電極層施加電壓來使 庫倫力發生而吸附固定玻璃基板。 在上述構造的靜電吸附電極中，例如因絕緣破壊或器 ' 具的落下等，而於靜電吸附電極的表面或電極層中發生裂 紋或缺失等的破損時，若放置不管，則會成爲大幅度降低 -5- 201044496 吸附性能的原因。因此’提案將靜電吸附電極的電極層分 離成複數，藉此即使一部份發生絕緣破壊’還是能夠確保 吸附性能，或提案可只部份更換不良部份（例如、專利文 獻 1、2 )。 但，實際上像上述專利文獻1、2那樣電極層被預先 分割形成的構成的靜電吸附電極幾乎未被實用化。因此， 在靜電吸附電極發生破損時’通常是更換靜電吸附電極全 體，不進行部份修補。其理由是部份修補時，破損部位的 修補不適當時不僅靜電吸附電極的機能回復不夠無法取得 満足的吸附保持性能，而且還有可能從修補處發生異常放 電等。 並且，靜電吸附電極的破損，例如有淺裂紋、到達電 極層的深裂紋、大裂紋、涉及廣範圍的多數個小裂紋等各 種的類型存在，所以難以藉由一個修補方法來對應所有類 型的破損。 基於以上理由，以往就算是發生小裂紋等，還是會進 行靜電吸附電極全體的更換，造成使配備靜電吸附電極的 蝕刻裝置等的基板處理裝置的維修成本増加之一因素。 [專利文獻1]特開平5 -29 1 562號公報（圖1等） [專利文獻2]特開2005-51217號公報（圖3等） 【發明內容】 (發明所欲解決的課題） 本發明是有鑑於上述實情而硏發者，其課題是在於提 -6 - 201044496 供一種可簡易且適當地進行靜電吸附電極的破損部位的修 補之修補方法。 (用以解決課題的手段） 爲了解決上述課題，本發明的第1觀點是在於提供一 種靜電吸附電極的修補方法，係形成覆蓋基材的表面之被 膜’該被膜係構成包含電極層、及比該電極層更下層的第 Q 1絕緣層、及比上述電極層更上層的第2絕緣層，對上述 電極層施加電壓，藉此吸附保持基板之靜電吸附電極的修 補方法，其特徵係包含： 切削不良部位及其周圍的被膜而除去之切削工程；及 - 在藉由上述切削而除去的部份形成新的修補被膜之被 膜再生工程。 在上述第1觀點中’可藉由絕緣材料來形成上述修補 被膜，或積層絕緣材料及導電性材料來形成上述修補被膜 Q 。該等的情況，上述絕緣材料可使用與構成上述第1絕緣 層及上述第2絕緣層的材料相異的材質。 - 此外，在上述切削工程，切削上述被膜而形成凹部， 在上述被膜再生工程，藉由熔射來進行上述凹部之上述修 補被膜的形成。此情況，最好在上述切削工程，以不切削 上述電極層的方式來形成上述凹部，或以全體成爲傾斜狀 的方式來形成上述凹部。 ' 另外，靜電吸附電極較理想是使用於平面直角顯示器 的製造之靜電吸附電極，此情況，可爲吸附保持玻璃基板 201044496

[發明的效果] 若利用本發明的修補方法，則當靜電吸附電極的被膜 發生破損時，可對應於破損的程度以簡易的方法來進行部 份修補。藉此’可不必更換靜電吸附電極全體，降低維修 成本。在吸附保持大型的 F P D基板的靜電吸附電極中， 不用全體更換，可部份修補，藉此可節省的成本亦大，因 此特別有利。 【實施方式】 以下’ 一邊參照圖面，一邊說明有關本發明的較佳形 態。圖1是表示可適用本發明的修補方法之具備靜電吸附 電極的基板處理裝置之一例，亦即電漿蝕刻裝置的剖面圖 。如圖1所示，電漿蝕刻裝置1是對呈矩形的被處理體亦 即FPD用玻璃基板等的基板G進行蝕刻之電容耦合型平 行平板電漿蝕刻裝置。在此，FPD例如爲液晶顯示器（ LCD)、發光二極體（LED)顯示器、電激發光（Electro Luminescence ; EL) 顯示器、螢光顯示管 （Vacuum Fluorescent Display; VFD)、電漿顯示器面板（PDP)等 。另外’本發明的基板處理裝置並非限於電漿蝕刻裝置。 此電漿蝕刻裝置1具有例如表面被施以防蝕鈍化鋁（ alum ite )處理（陽極氧化處理）的鋁所構成之呈角筒形 狀的處理室2。在此處理室2內的底部設有由絕緣材料所 -8 - 201044496 構成的角柱狀的絕緣板3，在此絕緣板3上設 基板G的基座4。基板載置台的基座4具有基j 及設於基座基材4a上之作爲靜電吸附電極的靑 。另外，基座基材4a的外周是藉由絕緣材5 〇 靜電吸盤40是呈平面視矩形，具有由鋁 材料所構成的基材41。在此基材41的上面， 0 層有第1絕緣層42、電極43及第2絕緣層44 盤4 0是由直流電源2 6經給電線2 7來施加直 1絕緣層42與第2絕緣層44之間的電極43，

. 用庫倫力來靜電吸附基板G。在靜電吸盤40 2絕緣層44的上面）形成有吸附保持基板G 面50(參照圖2〜圖8)。 在上述絕緣板3及基座基材4a、以及靜電 成有貫通該等的氣體通路9。經由此氣體通路 Q 熱氣體、例如He氣體等至被處理體的基板G白 - 亦即’供給至氣體通路9的傳熱氣體是經 座基材4a與靜電吸盤40的基材41之境界的 9a來一旦擴散於水平方向後，通過形成於靜電 的氣體供給連通穴9b，從靜電吸盤40的表面 板G的背側。如此一來，基座4的冷熱會被傳 ，基板G會被維持於所定的溫度。 ' 在基座基材4a的內部設有傳熱媒體室10 媒體室10中’例如氟素系液體等的傳熱媒體 有用以載置 奎基材4a、 爭電吸盤40 所絕緣被覆 等的導電性 由下依序積 。此靜電吸 流電壓至第 藉此例如利 的上面（第 的基板保持 :吸盤40形 9來供給傳 勺背面。 由形成於基 氣體集中處 吸盤40內 來噴出至基 達至基板G 。在此傳熱 會經由傳熱 -9 - 201044496 媒體導入管l〇a來導入，且經由傳熱媒體排出管1 〇b 出而循環，藉此例如其冷熱會從基座基材4a經由上 熱媒體來對基板G傳熱。 在上述基座4的上方，設有與該基座4平行對向 作爲上部電極機能的淋浴頭1 1。淋浴頭1 1是被支撐 理室2的上部，在內部具有內部空間1 2，且在與基 對向的面形成有吐出處理氣體的複數個吐出孔13。 浴頭1 1會被接地，與基座4 一起構成一對的平行平 極。 在淋浴頭11的上面設有氣體導入口 14，在此氣 入口 1 4連接有處理氣體供給管1 5，在此處理氣體供 1 5經由閥1 6及質量流控制器1 7來連接處理氣體供 1 8。由處理氣體供給源1 8來供給蝕刻用的處理氣體 理氣體，例如可使用鹵素（halogen )系的氣體、〇2 、Ar氣體等、通常在此領域所被使用的氣體。 在上述處理室2的側壁下部連接有排氣管19, 排氣管19連接排氣裝置20。排氣裝置20具備渦輪 泵等的真空泵，藉此可將處理室2內抽真空至所定的 環境。並且，在處理室2的側壁設有基板搬出入口 及開閉該基板搬出入口 2 1的閘閥22，在開啓該閘昆 的狀態下，基板G可搬送於隣接的放置腔體（Load )室（未圖示）之間。 在基座4連接有用以供給高頻電力的給電線23 此給電線2 3連接整合器2 4及高頻電源2 5。從高頻 來排 述傳 具有 於處 座4 此淋 板電 體導 給管 給源 。處 氣體 在此 分子 減壓 21、 ^ 22 Lock ，在 電源 -10- 201044496 25，例如供給1 3.56 MHz的高頻電力至基座4。 其次，說明有關如此構成的電漿蝕刻裝置1的處理動 作。首先，被處理體的基板G是在閘閥22開放後，從未 圖示的放置腔體（Load Lock)室經由基板搬出入口 21來 搬入至處理室2內，載置於形成在基座4上的靜電吸盤 40上。此情況，基板G的交接是經由設成插通於基座4 的內部可從基座4突出的升降銷（未圖示）來進行。然後 0 ，閘閥22會被關閉，藉由排氣裝置20來將處理室2內抽 真空至所定的真空度。 然後，閥1 6會被開放，處理氣體會從處理氣體供給 - 源18藉由質量流控制器17來一面調整其流量，一面通過 處理氣體供給管15、氣體導入口 14來導入至淋浴頭11 的內部空間12，且經由吐出孔13來對基板G均一地吐出 ，將處理室2內的壓力維持於所定的値。 在此狀態下高頻電力會從高頻電源25經由整合器24 Q 來施加於基座4，藉此，在作爲下部電極的基座4與作爲 - 上部電極的淋浴頭1 1之間產生高頻電場，解離處理氣體 . 而電漿化，藉此對基板G施以蝕刻處理。此時，由直流 電源26來對靜電吸盤40的電極43施加所定的電壓，藉 此基板G會例如利用庫倫力來吸附保持於靜電吸盤40。 並且，經由氣體通路9來將傳熱氣體供給至基板G的背 面側，藉此可效率佳進行溫度調節。 如此施以蝕刻處理後，停止來自高頻電源25之高頻 電力的施加，停止氣體導入後，將處理室2內的壓力減壓 -11 - 201044496 至所定的壓力。然後’閘閥2 2會被開放’基板G會經由 基板搬出入口 21來從處理室2內搬出至未圖示的放置腔 體（Load Lock )室，藉此完成基板G的蝕刻處理。如此 ，可藉由靜電吸盤40來靜電吸附基板G’且一邊溫度調 節，一邊進行基板G的蝕刻處理。 其次，一邊參照圖2〜圖8，一邊進行有關本發明的 修補方法的詳細説明。 <第1實施形態> 圖2是表示靜電吸盤40的破損狀態的模式。在圖2 中，以符號A所圍繞的部位是表示在第2絕緣層44的表 面附近產生淺裂紋1 00的狀態。又，以符號B所圍繞的部 位是表示發生到達第2絕緣層44與電極43的境界之裂紋 100a的狀態。如此止於第2絕緣層44內較輕度的破損發 生時’修補的程度亦輕微即可。以下，舉例說明裂紋1〇〇 的修補。 圖3 ( a )〜（e )是表示用以修補裂紋1 〇 〇的工序。 圖3 ( a )是擴大顯示圖2的符號A的部份，亦即裂紋1 〇 〇 。裂紋100是從靜電吸盤40表面的基板保持面50往基材 41形成於第2絕緣層4 4的厚度方向，但未到達電極4 3， 止於桌2絕緣層44的途中。在如此的破損（裂紋1〇〇) 修補時’如圖3 ( b )所示，首先例如利用門型切削機等 的切削手段201來切削裂紋1 〇〇的周圍，形成凹部5 i。 此凹部5 1較理想是以不到達電極43的方式形成，且形成 -12- 201044496 傾斜狀（硏缽狀）。 其次，如圖3 ( c)所示，利用熔射裝置2 0 2，以能夠 塡埋凹部51的方式來熔射絕緣物60。此絕緣物60較理 想是使用與第2絕緣層44同樣的絕緣材料例如礬土（ A 1 203 )等的陶瓷，但亦可使用與第2絕緣層44相異種類 的絕緣材料例如環氧系、聚矽氧烷（silicone )系等.的合 成樹脂等。 0 又’亦可在凹部51內例如藉由手工來充塡絕緣物60 。此情況，最好是使用具備絕緣性及接合性雙方的絕緣材 料，例如環氧系、聚砂氧院系等的合成樹脂。藉由在凹部 5 1中充塡具有接合性的合成樹脂等的絕緣物，可在電漿 飩刻裝置1的使用現場進行應急處置，極力減少因靜電吸 盤40的不良所引起之電漿蝕刻裝置1的停機時間。如此 在凹部51中埋入絕緣物60的修補方法，作爲在電漿蝕刻 裝置1的使用現場的應急處置’利用價値高，但除了應急 Q 處置以外’例如可適用於修補處的面積較小的情形時。 • 其次，如圖3 ( d )所示，在凹部51被埋入後，利用 - 切削手段201等來使藉由熔射所形成的絕緣物60的隆起 部份表面平坦化。藉此，如圖3 ( e )所示，形成與第2 絕緣層44的表面大略面一致的修補被膜61，完成破損部 位的修補。另外，修補被膜6 1的表面只要不比第2絕緣 層44的表面還要突出即可。 若利用本實施形態，則可藉由不良部位切削的除去及 修補被膜61的形成等的簡易方法來進行靜電吸盤々ο的部 -13- 201044496 份修補。因此，不必因部份的不良而更換靜電吸盤4〇的 全體，可大幅度降低維修成本。 並且，將本實施形態的修補方法利用於電漿蝕刻裝置 1的使用現場的應急修補，可極力減少配備靜電吸盤40 的蝕刻裝置等的基板處理裝置的停機時間。 另外，在修補到達第2絕緣層44與電極43的境界之 裂紋l〇la (圖2的符號B)時，在圖3(b)中，只要切 削至凹部5 1的底露出電極43爲止即可，此情況的形狀， 最好是切削部份（凹部5 1 )的壁不垂直，且從電極43到 第2絕緣層44表面的距離長，切削成可確保充分的絕緣 性能的形狀。上述以外可按照圖3 ( b )〜（e )的程序來 進行修補。 <第2實施形態> 圖4(a)是在圖2中以符號C所圍繞的範圍的擴大 圖，表示從第2絕緣層44的表面經由電極43來到達第1 絕緣層42的深度之裂紋1 〇 i的狀態。另外，在第i絕緣 層42中發生耐壓不良時亦相同。 當貫通電極43而到達第i絕緣層42的深度之裂紋 1 〇 1發生時’如圖4 ( b )所示，利用切削手段201，從表 面起切削第2絕緣層44、電極43、及第1絕緣層42，而 形成凹部52。此凹部52是形成比第丨實施形態的修補方 法的凹部5 1更深’且大徑。另外，當裂紋丨〇丨被形成更 深’形成於第1絕緣層42的厚度方向全部時，只要切削 14 - 201044496 至凹部52的底露出基材41爲止即可。 藉由切削加工來形成凹部52時，最好是以凹部52能 夠從其底部往第2絕緣層44的表面側擴開之方式，全體 形成傾斜狀（硏缽狀）。亦即，凹部5 2的側壁5 2 a不是 從凹部52的底起垂直上升，而是以超過90度的所定角度 Θ傾斜形成。此角度Θ雖亦隨凹部52的深度而有所差異 ，但較理想是例如約1 3 5度。藉由如此使凹部5 2的側壁 0 5 2a傾斜’可充分取得側壁52a的距離（亦即，從電極43 側往靜電吸盤40表面的長度），因此可使修補處的絕緣 耐性提升。另外’凹部52只要全體爲形成傾斜形狀即可 ’例如亦可在傾斜的側壁5 2 a途中具有被水平切削的部份 〇 其次’如圖4 ( c )所示，利用熔射裝置2 0 2，以能夠 塡埋凹部52的方式，依序熔射絕緣物62、導電性膜63、 絕緣物64 ’而形成積層熔射膜。此時，絕緣物62，64可 〇 使用與第1絕緣層42及第2絕緣層44相同的材料、例如 - 攀土（ Al2〇3 )等的陶瓷，但亦可使用與第1絕緣層42或 第2絕緣層44相異種類的絕緣材料例如氧化鉻（Zr〇2 ) 、2 氧化鎂—氧化较（magnesia_silica) ( M2S ； 2MgO · Sl〇2)、氟化釔（YF3)等。並且’導電性膜63可使用與 電極4 3相同的材料例如鎢（W)、鉬（Μ 〇 )等。 又’亦可不形成導電性膜63，在凹部52內例如藉由 手工只充塡絕緣物。此情況，最好是使用具備絕緣性及接 合性雙方的絕緣材料，例如使用環氧系、聚矽氧烷系等的 -15- 201044496 合成樹脂爲佳。 如此只埋入絕緣物的修補方法，作爲在電漿蝕刻裝置 1的使用現場的應急處置，利用價値高，但除了應急處置 以外’例如可適用於修補處的面積較小的情形時。 其次’在凹部52被埋入後，如圖4 ( d )所示，利用 切削手段2 0 1來切削比第2絕緣層4 4的上面更隆起的絕 緣物64，而使表面平坦化。藉此，如圖4 ( e )所示，形 成與第2絕緣層44的表面大略面一致的修補被膜65，完 成破損部位的修補。另外，修補被膜6 5的表面只要不比 第2絕緣層44的表面還要突出即可。 本實施形態亦與第1實施形態同樣，可藉由不良部位 切削的除去及修補被膜的形成等的簡易方法來進行靜電吸 盤4 0的部份修補，因此不必因部份的不良而更換靜電吸 盤40的全體，可大幅度降低維修成本。並且，藉由在凹 部5 2中充塡絕緣物，亦可進行電漿蝕刻裝置1的使用現 場的應急修補，可極力減少因靜電吸盤40的不良所引起 的電漿蝕刻裝置1的停機時間。 另外，在上述第1實施形態及第2實施形態中，在靜 電吸盤40的基板保持面50 (第2絕緣層44的表面）， 爲了支撐基板G的下面，而形成有多數個凸部（小突起 )53時，如圖5所示，最好是新形成的修補被膜6 1 (或 修補被膜65 )的凸部54的高度hi比在第2絕緣層44的 表面原本形成的凸部53的高度ho更低。這是因爲若藉由 修補所新形成的凸部54的高度h 1比周邊未被修補的領域 -16- 201044496 中所形成的凸部53的高度ho更高，則基板G下面的支 撐高度會形成不均一，而有可能引起触刻不均等處理內容 的不均一。 <第3實施形態> 圖6 ( a )是有關靜電吸盤4〇的破損的其他例’表示 在第2絕緣層44的表面附近的廣範圍（同圖中’以符號 0 D所示的部位）發生複數的淺裂紋1 〇2之狀態。此情況， 如圖6(b)所示，由第2絕緣層44的表面來全體進行切 削，將形成有裂紋1 02的第2絕緣層44的表面層除去所 定的厚度。 其次，如圖6 ( c )所示，利用熔射裝置202來對除 去第2絕緣層44的表面層之後的表面進行熔射，在第2 絕緣層44的表面從新形成修補被膜66，藉此完成修補。 此時的熔射材料較理想是使用與第2絕緣層44同様材質 Q 的絕緣材料例如礬土（ai2〇3)等的陶瓷。又，熔射材料 ' 亦可使用與第2絕緣層44相異種類的絕緣材料例如氧化 鉻（Zr02) 、2 氧化鎂二氧化矽（M2S;2Mg0.Si02)、 氟化釔（yf3 )等。 本實施形態中’亦藉由第2絕緣層44的表面層的切 削之除去及熔射之修補被膜的形成等的簡易方法來進行靜 電吸盤40的部份修補’因此可部份修補靜電吸盤4〇，不 必更換靜電吸盤4〇的全體，可大幅度降低維修成本。 -17- 201044496 <第4實施形態> 圖7 ( a )是有關靜電吸盤40的破損狀態的其他例， 表示在被覆靜電吸盤4 〇的側部（同圖中以符號E、符號F 所示的部位）之側部絕緣層45中發生裂紋l〇3a ’ 103b的 狀態。在側部絕緣層45中發生裂紋l〇3a ’ 103b時，如圖 7 ( b )所示，利用切削手段2 01來將側部絕緣層4 5予以 全周圍性切削，除取包含形成有裂紋1 0 3 a ’ 1 0 3 b的部位 之靜電吸盤40的側部的被膜全體。 其次，如圖7 ( c )所示’利用熔射裝置2 0 2來對被 除去側部絕緣層45的靜電吸盤4〇進行熔射’從新形成側 部絕緣層67，藉此完成修補。形成該側部絕緣層67時的 熔射材料較理想是使用與原本的側部絕緣層45同様材質 的絕緣材料例如礬土（ A 1 203 )等的陶瓷。又’熔射材料 亦可使用與原本的側部絕緣層45相異種類的絕緣材料例 如氧化銷（Zr02 ) 、2氧化鎂二氧化矽（M2S ; 2MgO ·

Si〇2 )、氟化釔（YF3 )等。 在此，將側部絕緣層45予以全周圍性地除去，而形 成側部絕緣層67的理由是如以下所述。圖8 ( a )是表示 以部份的熔射或絕緣物的埋入等的局部修補方法來修補圖 7 ( a)的符號E及符號F所示部位的裂紋l〇3a，！ 03 b時 之修補後的狀態模式要部平面圖。如該圖8 ( a )所示， 在側部絕緣層45中進行裂紋l〇3a，l〇3b的局部修補時， 在絕緣物6 〇 a與其周圍未修補的側部絕緣層4 5之間形成 有境界L。一旦如此從電極4 3側往靜電吸盤4 0的外部形 -18- 201044496 成有境界L，則容易沿著此境界L而發生電性的洩 此，最好是選擇如此的境界L不會被形成的修補方 是本實施形態中有關側部絕緣層45是不進行局部 ’而是採用一旦將側部絕緣層45予以全周圍性剥 如圖8 ( b )的網狀模樣所示，從新形成側部絕緣層 _ 方法。 本實施形態中’亦藉由側部絕緣層45的切削 0 及熔射之新側部絕緣層67的形成等的簡易方法來 電吸盤40的部份修補，因此可部份修補靜電吸盤 必更換靜電吸盤40的全體，可大幅度降低維修成才 <第5實施形態> 圖9 ( a )是有關靜電吸盤40的破損的其他例 在靜電吸盤40的被覆層全體、亦即第1絕緣層42 43、第2絕緣層44及側部絕緣層45的全體發生多 Q 紋104之狀態。如此，在靜電吸盤40的被覆層全 • 圍發生多數個裂紋時，如圖9 ( b )所示，利用切 201來切削被覆層至基材41露出爲止，將被覆層 部除去。 其次，如圖9 ( c )所示，利用熔射裝置2 02 覆層全部除去的基材41進行熔射，在基材41的表 形成被覆層。亦即，在基材41的上面，從新將第 層68、電極69、第2絕緣層70分別依序熔射而積 ，再形成側部絕緣層71，而完成修補。另外，在 漏。因 法，於 的修補 離後， 67的 之除去 進行靜 40 -不 ，表示 、電極 數個裂 體廣範 肖!1手段 予以全 來對被 面從新 1絕緣 層形成 從新被 • 19 - 201044496 形成的電極6 9從直流電源2 6配設給電線2 7。此時，使 用於第1絕緣層68、第2絕緣層70、側部絕緣層7 1的形 成之熔射材料，最好是使用與原本的各絕緣層同樣材質的 絕緣材料例如礬土（ A 1 2 Ο3 )等的陶瓷。又，熔射材料亦 可使用其他種類的絕緣材料例如氧化銷（Zr〇2 ) 、2氧化 鎂二氧化矽（M2S; 2MgO· Si〇2)、氟化釔（YF3)等。 本實施形態中，以上述程序來再生被覆層，而不必更 換靜電吸盤4〇的全體，可再利用基材41，因此比更換全 體時更能降低維修成本。 以上，舉幾個實施形態說明本發明，但本發明並非限 於上述實施形態，亦可實施各種的變形。例如，有關本發 明的處理裝置，雖是以對下部電極施加高頻電力的RIE型 態的電容耦合型平行平板電漿蝕刻裝置爲例來進行説明， 但亦可爲對上部電極供給高頻電力的型態，且不限於電容 稱合型’亦可爲電感稱合型。並且，非限於触刻裝置，例 如亦可適用於進行灰化、CVD成膜等其他種類的電漿處 理裝置。 又，被處理基板並非限於FPD用玻璃基板，亦可爲 半導體晶圓。 【圖式簡單說明】 圖1是表示設有可適用本發明的修補方法的靜電吸盤 之電漿蝕刻裝置的剖面圖。 圖2是供以說明可藉由本發明的修補方法來修補之產 -20- 201044496 生破損的靜電吸盤的剖面圖。 圖3是表示本發明的第1實施形態之修補方法的工序 圖面。 圖4是表示本發明的第2實施形態之修補方法的工序 圖面。 圖5是說明形成於靜電吸盤的表面之凸部的擴大圖。 圖6是表示本發明的第3實施形態之修補方法的工序 圖面。 圖7是表示本發明的第4實施形態之修補方法的工序 圖面。 圖8是說明側部絕緣層的修補態樣的圖面，（a )是 局部修補後的狀態要部平面圖，（b )是全周圍的修補後 的狀態平面圖。 圖9是表示本發明的第5實施形態之修補方法的工序 圖面。 - 【主要元件符號說明】 1 :電漿蝕刻裝置 2 :處理室 3 :絕緣披 4 :基座 5 :絕緣材 1 1 :淋浴頭 2〇 :排氣裝置 -21 - 201044496 2 5 :局頻電源 4 0 :靜電吸盤 4 1 :基材 42 :第1絕緣層 43 :電極 44 :第2絕緣層 45 :側部絕緣層 50 :基板保持面 6 0，6 0 a :絕緣物 61， 65， 66， 67， 68， 69， 70， 71:修補被膜 100， 100a， 101， 102， 103a， 103b， 104:裂紋 -22-

Claims (1)

1. 201044496 七、申請專利範圍： 1· 一種靜電吸附電極的修補方法，係形成覆蓋基材 (41)的表面之被膜，該被膜係構成包含電極層（43)、 及比該電極層更下層的第1絕緣層（42)、及比上述電極 層更上層的第2絕緣層（44)，對上述電極層施加電壓， 藉此吸附保持基板之靜電吸附電極的修補方法，其特徵係 包含： Q 切削不良部位及其周圍的被膜而除去之切削工程；及 在藉由上述切削而除去的部份形成新的修補被膜之被 膜再生工程， 在上述第2絕緣層形成複數的凸部，形成於上述修補 ' 被膜的凸部的高度係比形成於上述第2絕緣層的凸部的高 度更低。 2. —種靜電吸附電極的修補方法，係形成覆蓋基材 的表面之被膜，該被膜係構成包含電極層、及比該電極層 G 更下層的第1絕緣層、及比上述電極層更上層的第2絕緣 ' 層’對上述電極層施加電壓，藉此吸附保持基板之靜電吸 - 附電極的修補方法，其特徵係包含： 切削不良部位及包含其周圍的電極層的上述被膜而除 去之切削工程；及 在藉由上述切削來除去的部分形成由絕緣材料（60、 62' 64)所構成的修補被膜之被膜再生工程。 3 .如申請專利範圍第2項之靜電吸附電極的修補方 法’其中，上述絕緣材料爲使用樹脂。 -23- 201044496 4·如申請專利範圍第1項之靜電吸附電極的修補方 法’其中’在上述切削工程’係不切削上述電極層的方式 來切削上述被膜，而形成凹部。 5 . —種靜電吸附電極的修補方法，係形成覆蓋基材 的表面之被膜’該被膜係構成包含電極層、及比該電極層 更下層的第1絕緣層、及比上述電極層更上層的第2絕緣 層’對上述電極層施加電壓，藉此吸附保持基板之靜電吸 附電極的修補方法，其特徵係包含： 以全體所定的厚度來除去上述第2絕緣層的表面層之 工程；及 在被除去上述表面層的部分，藉由熔射來形成由絕緣 材料所構成的修補被膜之被膜再生工程。 6. 一種靜電吸附電極的修補方法，係形成覆蓋基材 的表面之被膜，該被膜係構成包含電極層、及比該電極層 更下層的第1絕緣層、及比上述電極層更上層的第2絕緣 層，對上述電極層施加電壓，藉此吸附保持基板之靜電吸 附電極的修補方法，其特徵係包含： 除去被覆上述靜電吸着電極的側部之側部絕緣層的全 周圍之工程；及 在被除去上述側部絕緣層的部分，藉由熔射來形成新 的側部絕緣層之被膜再生工程。 7. 一種靜電吸附電極的修補方法’係形成覆蓋基材 的表面之被膜，該被膜係構成包含電極層、及比該電極層 更下層的第1絕緣層、及比上述電極層更上層的第2絕緣 -24- 201044496 層，對上述電極層施加電壓，藉此吸附保持基板之靜電吸 附電極的修補方法，其特徵係包含： 將上述被膜全部除去之工程；及 在被除去上述被膜的部分，藉由熔射來形成與上述被 膜同構成的新的被膜之被膜再生工程。

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