CN113667919A - 一种用于lcd和amoled干刻下部电极的再生工艺 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种用于LCD和AMOLED干刻下部电极的再生工艺，包括以下步骤：S11，将需要再生的电极从干刻设备中拆卸下来；S12，去除电极表面原有陶瓷涂层的表层部分；S13，用遮蔽材料对电极背面和侧面进行遮蔽；S14，对电极表面进行喷砂；S15，用热喷涂方法在电极表面覆上一层陶瓷涂层；S16，完成喷涂后去除S13中的遮蔽材料；S17，对喷涂的陶瓷涂层进行封孔；S18，对电极表面进行加工，使所述电极表面四周形成一个凸起；S19，将电极与干刻设备重新组装。通过本发明中所描述的工艺再生后的干刻下部电极，其表面陶瓷层的绝缘性、致密性、硬度等性能与新品一致，再生后使用寿命可延长至6个月左右，且可重复再生，可显著降低面板厂家采购新品电极的频率，降低其成本。

Description

一种用于LCD和AMOLED干刻下部电极的再生工艺
技术领域
本发明涉及电极的再生工艺，尤其涉及一种用于LCD和AMOLED干刻下部电极的再生工艺。
背景技术
在LCD和AMOLED面板的制作过程中，其中的一道核心工序为干刻。干刻时，玻璃基板会被置于下部电极之上，然后在干刻设备中通入卤化物气体，通过电磁场在下部电极和上部电极之间形成等离子体，以在玻璃基板上的薄膜层中刻蚀出需要的微观结构。
在上述的干刻过程中，由于卤化物气体的高腐蚀性，以及由其形成的等离子体的高化学活性，下部电极会持续受到侵蚀，同时玻璃基板上被刻蚀的材料也会沉积在下部电极之上，因此，下部电极的表面性能会不断下降，在使用一段时间后，将会引起玻璃基板上出现颗粒物、在玻璃基板上留下印痕、以及划伤玻璃基板等问题，不能再满足干刻过程的需求。为此，面板厂家需要每隔一定时间，用净化布、百洁布等辅以酒精、丙酮对下部电极进行清洁和保养。但即便如此，下部电极的使用寿命依然有限，通常在满产的情况下只能使用半年左右，之后将需要更换新的电极。但下部电极的加工工艺复杂、精度要求高，目前由日本和韩国的几家公司垄断技术，所以不停更换新的电极对面板生产厂家来说是个巨大的成本负担。
发明内容
为克服上述缺点，本发明的目的在于提供一种LCD和AMOLED干刻下部电极的再生工艺。通过本工艺再生的下部电极具有媲美新品的性能和使用寿命，从而可显著降低面板厂家的成本压力。为了达到以上目的，本发明采用的技术方案是：一种用于LCD和AMOLED干刻下部电极的再生工艺，包括以下步骤：
S11，拆解：将需要再生的电极从干刻设备中拆卸下来；
S12，除膜：去除电极表面原有陶瓷涂层的表层部分；
S13，遮蔽：用遮蔽材料对电极背面和侧面进行遮蔽；
S14，喷砂：对电极表面进行喷砂；
S15，喷涂：用热喷涂方法在电极表面覆上一层陶瓷涂层；
S16，去除遮蔽材料：完成喷涂后去除S13中的遮蔽材料；
S17，封孔：用封孔剂对喷涂的陶瓷涂层进行封孔；
S18，精加工：加工电极表面，使其在表面四周形成一个凸起；
S19，组装：将电极与干刻设备重新组装。
优选地，S11中,将需要再生的电极从干刻设备中拆卸下来，并去除背板及其它部件(如果有)。
优选地，S12中,将电极转移并固定于平面治具上，再连同平面治具一起转移至龙门加工中心，调整其平面度至50微米以内，然后用金刚石刀具去除电极表面原有陶瓷涂层的表层部分，去除的厚度为100～600微米。
优选地，S13中,将电极转移至台车上，对电极背面和侧面进行遮蔽，防止其在后续的喷砂和喷涂工艺中受到损伤或附着陶瓷涂层，遮蔽材料为耐热胶。
优选地，S14中，喷砂用的材料为60～120目白刚玉，喷砂压力为0.4～1kgf，喷砂后的基材表面粗糙度增大至3μm以上，从而增加喷涂后陶瓷层在电极表面的附着力。
优选地，S15中，用热喷涂在电极表面覆上一层陶瓷涂层，从而在电极表面形成一个耐高压、耐等离子刻蚀的绝缘保护层，采用的热喷涂方法为大气等离子喷涂，喷涂使用的材料为纯度99.99％以上、直径在10～100μm的氧化铝粉末，喷涂厚度为300～800μm，用以形成等离子的气体为氩气和氦气，气体流量分别为10～100NLPM和1～10NLPM(NLPM英文全称为normal liter per minute)。
优选地，S17中，所述封孔剂为环氧树脂或者硅酮类封孔剂。
优选地，S18中，所述凸起的高度为10～150μm，宽度为5～20mm，表面的粗糙度在1μm以内。
若所述电极表面存在浮点，还包括以下步骤：
S21,浮点遮蔽治具准备：准备所述浮点的喷涂遮蔽治具；
S22,遮蔽：用遮蔽材料对电极背面、侧面和表面四周的凸起进行遮蔽；
S23,喷砂：对电极表面进行喷砂；
S24,浮点治具遮蔽：将S21中准备的遮蔽治具粘贴于电极表面凹陷处；
S25,浮点喷涂：在电极表面凹陷处覆上一层陶瓷浮点；
S26,去除遮蔽：除去浮点遮蔽治具；
优选地，S21中,所述遮蔽治具由4-8片带通孔的不锈钢片拼接而成，通孔直径等于浮点直径，通孔间距等于浮点间距，通孔数量等于浮点数量。
优选地，S22中,对电极背面、侧面和表面四周的凸起进行遮蔽的遮蔽材料为耐高温胶带，所述耐高温胶带，易于粘贴和撕下，且撕下来不在电极背面或侧面留下印痕。
优选地，S23中,喷砂用的材料为60～120目白刚玉，喷砂压力为0.4～1kgf。喷砂后的基材表面粗糙度增大至3μm以上，从而增加喷涂后陶瓷层在电极表面的附着力。
优选地，S24中,将S21中准备的遮蔽治具用耐高温双面胶粘贴于电极表面凹陷处，并用耐热胶将拼接处及治具四周边缘遮蔽。
优选地，S25中,用热喷涂在电极表面凹陷处覆上一层陶瓷浮点，所述热喷涂方法为大气等离子喷涂，喷涂使用的材料为纯度99.99％以上、直径在10～100μm的氧化铝粉末，形成的浮点高度低于表面周边凸起0～50微米，用以形成等离子的气体为氩气和氦气，气体流量分别为10～100NLPM和1～10NLPM(NLPM英文全称为normal liter per minute)。
优选地，S26中，除去所有的遮蔽胶带和浮点遮蔽治具。
本发明的有益效果是：通过本发明中所描述的工艺再生后的干刻下部电极，其表面陶瓷层的绝缘性、致密性、硬度等性能与新品一致，再生后使用寿命可延长至6个月左右，且可重复再生，因此可显著降低面板厂家采购新品电极的频率，降低其成本。
附图说明
图1为本发明一较佳实施例不带浮点的电极的再生流程；
图2为本发明一较佳实施例的带浮点的电极的再生流程；
图3为本发明一较佳实施例的没有浮点的G6 AMOLED干刻下部电极再生前后实物照片；
图4为本发明一较佳实施例的带浮点的G5 LCD干刻下电极再生前后实物照片。
具体实施方式
下面结合附图对本发明的较佳实施例进行详细阐述，以使本发明的优点和特征能更易于被本领域技术人员理解，从而对本发明的保护范围做出更为清楚明确的界定。
实施方式一
如图1所示G6 AMOLED面板干刻的下部电极，这类电极表面四周有凸起，但无浮点，再生前后的实物如图3所示。电极的再生工艺步骤如下：
S1.将需要再生的电极从干刻设备中拆卸下来，并去除背板及其它部件。
S2.将电极转移并固定于平面治具上，再连同平面治具一起转移至龙门加工中心，调整其平面度至50微米以内，然后用金刚石刀具去除电极表面原有陶瓷涂层的表层部分，去除的厚度为600微米。
S3.将电极转移至台车上，用耐热胶对电极背面和侧面进行遮蔽，防止其在后续的喷砂和喷涂工艺中受到损伤或附着陶瓷涂层。
S4.对电极表面进行喷砂，以增加表面的粗糙度。喷砂用的材料为60目白刚玉，喷砂压力为0.4kgf，喷砂后的基材表面粗糙度增大至3μm以上。
S5.用大气等离子喷涂的方法在电极表面覆上一层氧化铝陶瓷层，喷涂使用的氧化铝为纯度99.99％以上、直径在10～100μm的粉末，喷涂厚度为800μm；喷涂时，用以形成等离子的气体为氩气和氦气，气体流量分别为30NLPM和5NLPM。喷涂后出去遮蔽胶带。
S6.对喷涂的氧化铝陶瓷涂层进行封孔,采用的封孔剂为硅酮类封孔剂。
S7.用龙门加工中心加工电极表面，使其在表面四周形成一个凸起。所述凸起的高度为60μm，宽度为8mm,表面的粗糙度在1μm以内。
S8.将电极与背板和其它部件按拆卸前的样子重新组装。
实施方式二
流程如图2所示，用于G5 LCD面板干刻的下部电极。这类电极表面四周有凸起，中间有浮点，浮点直径为2mm，间距为5mm，再生前后的实物如图4所示。电极的再生工艺如下：
S1.将需要再生的电极从干刻设备中拆卸下来，并去除其它部件。
S2.将电极转移并固定于平面治具上，再连同平面治具一起转移至龙门加工中心，调整其平面度至50微米以内，然后用金刚石刀具去除电极表面原有陶瓷涂层的表层部分，去除的厚度为300微米。
S3.将电极转移至台车上，用遮蔽材料对电极背面和侧面进行遮蔽，防止其在后续的喷砂和喷涂工艺中受到损伤或附着陶瓷涂层，此处使用的遮蔽材料为耐热胶。
S4.对电极表面进行喷砂，以增加表面的粗糙度，喷砂用的材料为80目白刚玉，喷砂压力为0.6kgf，喷砂后的基材表面粗糙度增大至3μm以上，从而增加喷涂后陶瓷层在电极表面的附着力。
S5.用大气等离子喷涂的方法在电极表面覆上一层氧化铝陶瓷层，喷涂使用的氧化铝为纯度99.99％以上、直径在10～100μm的粉末，喷涂厚度为400μm，喷涂时用以形成等离子的气体为氩气和氦气，气体流量分别为30NLPM和3NLPM。喷涂后除去遮蔽材料。
S6.对喷涂的氧化铝陶瓷涂层进行封孔，采用的封孔剂为环氧树脂。
S7.用龙门加工中心加工电极表面，使其在表面四周形成一个凸起，凸起的高度为120μm，宽度为10mm，表面的粗糙度在1微米以内。
S8.按以下步骤加工浮点:
S81.准备浮点喷涂的遮蔽治具，遮蔽治具由4片带通孔的不锈钢片拼接而成。通孔直径等于浮点直径2mm，通孔间距等于浮点间距5mm，通孔数量等于浮点数量(约1000个)。
S82.对电极背面、侧面、表面四周的凸起处进行遮蔽，遮蔽材料为高温胶带。
S83.对电极表面进行喷砂，以增加表面的粗糙度。喷砂用的材料为60目白刚玉，喷砂压力为0.5kgf。喷砂后的基材表面粗糙度增大至3μm以上，从而增加喷涂后陶瓷层在电极表面的附着力。
S84.将S81中准备的遮蔽治具用耐高温双面胶粘贴于电极表面凹陷处，并用耐热胶将拼接处及治具四周边缘遮蔽。
S85.用大气等离子喷涂的方法在电极表面凹陷处覆上一层陶瓷浮点，喷涂使用的材料为纯度99.99％以上、直径在10～100μm的氧化铝粉末，形成的浮点高度为80微米。喷涂时，用以形成等离子的气体为氩气和氦气，气体流量分别为30NLPM和3NLPM。
S86.除去所有的遮蔽胶带和浮点遮蔽治具。
通过以上工艺再生的电极，其陶瓷层可在1kV的电压下保持良好的绝缘性(电阻超过300兆欧)，同时陶瓷层的致密性达到95％以上、硬度在900HV左右，这些数据均与新品一致。再生后，电极可使用3～6个月，且可以重复再生。
以上实施方式只为说明本发明的技术构思及特点，其目的在于让熟悉此项技术的人了解本发明的内容并加以实施，并不能以此限制本发明的保护范围，凡根据本发明精神实质所做的等效变化或修饰，都应涵盖在本发明的保护范围内。

Claims (10)

1.一种用于LCD和AMOLED干刻下部电极的再生工艺，包括以下步骤：
S11，拆解：将需要再生的电极从干刻设备中拆卸下来；
S12，除膜：去除电极表面原有陶瓷涂层的表层部分；
S13，遮蔽：用遮蔽材料对电极背面和侧面进行遮蔽；
S14，喷砂：对电极表面进行喷砂；
S15，喷涂：用热喷涂方法在电极表面覆上一层陶瓷涂层；
S16，去除遮蔽材料：完成喷涂后去除S13中的遮蔽材料；
S17，封孔：用封孔剂对喷涂的陶瓷涂层进行封孔；
S18，精加工：对电极表面进行加工，使所述电极表面四周形成一个凸起；
S19，组装：将电极与干刻设备重新组装。
2.根据权利要求1所述的一种用于LCD和AMOLED干刻下部电极的再生工艺，还包括以下步骤：
S21,浮点遮蔽治具准备：准备电极表面浮点的喷涂遮蔽治具；
S22,遮蔽：用遮蔽材料对电极背面、侧面和表面四周的所述凸起进行遮蔽；
S23,喷砂：对电极表面进行喷砂；
S24,浮点治具遮蔽：将S21中准备的遮蔽治具粘贴于电极表面凹陷处；
S25,浮点喷涂：在电极表面所述凹陷处覆上一层陶瓷浮点；
S26,去除遮蔽治具：除去浮点遮蔽治具。
3.根据权利要求1所述的一种用于LCD和AMOLED干刻下部电极的再生工艺，其特征在于：S12中,去除的电极表层厚度为100～600μm。
4.根据权利要求1所述的一种用于LCD和AMOLED干刻下部电极的再生工艺，其特征在于：S14中，喷砂用的材料为60～120目白刚玉，喷砂压力为0.4～1kgf，喷砂后的基材表面粗糙度为3μm以上。
5.根据权利要求1所述的一种用于LCD和AMOLED干刻下部电极的再生工艺，其特征在于：S15中，所述热喷涂方法为大气等离子喷涂，所述大气等离子喷涂使用的材料为氧化铝粉末，所述氧化铝粉末的纯度为99.99％以上，直径为10～100μm，所述大气等离子喷涂的喷涂厚度为300～800μm。
6.根据权利要求5所述的一种用于LCD和AMOLED干刻下部电极的再生工艺，其特征在于：所述大气等离子喷涂用以形成等离子的气体为氩气和氦气，所述氩气的气体流量为10～100NLPM，所述氦气的气体流量为1～10NLPM。
7.根据权利要求1所述的一种用于LCD和AMOLED干刻下部电极的再生工艺，其特征在于：S17中，采用的封孔剂为环氧树脂或硅酮类封孔剂。
8.根据权利要求1所述的一种用于LCD和AMOLED干刻下部电极的再生工艺，其特征在于：S18中，所述凸起的高度为10～150μm，宽度为5～20mm，表面的粗糙度在1μm以内。
9.根据权利要求2所述的一种用于LCD和AMOLED干刻下部电极的再生工艺，其特征在于：S23中，喷砂用的材料为60～120目白刚玉，喷砂压力为0.4～1kgf，喷砂后的基材表面粗糙度为3μm以上。
10.根据权利要求2所述的一种用于LCD和AMOLED干刻下部电极的再生工艺，其特征在于：S25中,用热喷涂方法在电极表面凹陷处覆上一层陶瓷浮点，所述热喷涂方法为大气等离子喷涂，所述大气等离子喷涂使用的材料为氧化铝粉末，所述氧化铝粉末的纯度为99.99％以上、直径为10～100μm；所述浮点高度低于表面周边所述凸起0～50μm；所述大气等离子喷涂用以形成等离子的气体为氩气和氦气；所述氩气的气体流量为10～100NLPM，所述氦气的气体流量为1～10NLPM。
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