CN115863134A - 一种下部电极放电损伤修复方法 - Google Patents
一种下部电极放电损伤修复方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN115863134A CN115863134A CN202211594546.5A CN202211594546A CN115863134A CN 115863134 A CN115863134 A CN 115863134A CN 202211594546 A CN202211594546 A CN 202211594546A CN 115863134 A CN115863134 A CN 115863134A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- shaped hole
- half part
- meltallizing
- area
- electrode layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Electrical Discharge Machining, Electrochemical Machining, And Combined Machining (AREA)
Abstract
本发明公开了一种下部电极放电损伤修复方法，在电介质层上出现放电损伤的区域研磨T型孔；第一步遮蔽与喷砂，对T型孔的上半部进行遮蔽并对未遮蔽区域进行喷砂；第一步熔射，对未遮蔽区域进行熔射；初次打磨，对成型在电极层表面的熔射材料进行打磨至露出电极层；第二步遮蔽与喷砂，对T型孔的上半部进行遮蔽并对未遮蔽区域进行喷砂；第二步熔射，对未遮蔽区域进行熔射以在T型孔中形成连续的电极层；第三步遮蔽，对T型孔的上半部进行遮蔽；第三步熔射，对未遮蔽区域进行熔射以填充所述T型孔的上半部；再次打磨，对S8中熔射后的上电介质层表面进行打磨。本发明在对下部电极进行维修的同时可以显著缩短维修周期，节约维修成本。
Description
技术领域
本发明涉及领域，尤其涉及一种下部电极放电损伤修复方法。
背景技术
干刻是在LCD或OLED面板制作过程中的一道核心工序。在这个过程中，需要通过下部电极来固定玻璃基板。下部电极的基本结构如图1所示，主要包括金属基材、电介质层(电介质层包括下电介质层以及上电介质层)、电极层、氦气孔、lift-pin孔、氦气流道以及冷却液流道。使用时，在干刻设备的腔体中会形成等离子体，下部电极的电极层上会施加一个3KV左右的高压以在电极层与玻璃基板之间产生静电吸附力。由于使用过程中高压的存在，静电卡盘经常出现因放电而导致其电介质层被击穿以及金属基材受到损伤的现象，因而丧失了储存静电的能力，并因此失去了其吸附的性能。
当发生放电后，静电卡盘不能再吸附玻璃基板，因而需要对下部电极进行维修。目前采用的方法一般以全再生的方式进行维修，即需要将金属基材上的涂层整体都除去，再重新通过等离子熔射的方式，分别制作下电介质层、电极层、上电介质层，随后通过研磨、精加工等步骤，形成所需的涂层厚度和形状。但这种维修方式需要消耗比较多的材料来制作涂层，且加工周期长(一般需要30天左右的工期)，因此维修成本很高。
因此，需要提供一种下部电极放电损伤修复方法来解决上述问题。
发明内容
为克服上述缺点，本发明的目的在于提供一种下部电极放电损伤修复方法，在对下部电极进行维修的同时可以显著缩短维修周期，节约因放电所产生的下部电极的维修成本。
为了达到以上目的，本发明采用的技术方案是：一种下部电极放电损伤修复方法，包括以下步骤：
S1：研磨开孔，在电介质层上出现放电损伤的区域，用刀具研磨一个截面为T形的T型孔，所述T型孔位于电极层以上的部分为其上半部，位于电极层与金属基材上表面之间的部分为其下半部，所述T型孔的下半部孔径大于放电损伤区域的直径；
S2：第一步遮蔽与喷砂，对T型孔的上半部进行遮蔽并对未遮蔽区域进行喷砂，未遮蔽区域的直径大于T型孔的下半部孔径，小于T型孔的上半部孔径；
S3：第一步熔射，对S2中未遮蔽区域进行熔射以填充所述T型孔的下半部，所述T型孔的下半部填充高度低于电极层下表面；
S4：初次打磨，除去S2中的遮蔽物，对成型在电极层表面的熔射材料进行打磨至露出电极层；
S5：第二步遮蔽与喷砂，对T型孔的上半部进行遮蔽并对未遮蔽区域进行喷砂，未遮蔽区域的直径大于T型孔的下半部孔径，小于T型孔的上半部孔径；
S6：第二步熔射，对S5中未遮蔽区域进行熔射以在T型孔中形成连续的电极层；
S7：第三步遮蔽，除去S5中的遮蔽物，对T型孔的上半部进行遮蔽，未遮蔽区域的直径大于T型孔的上半部孔径；
S8：第三步熔射，对S7中未遮蔽区域进行熔射以填充所述T型孔的上半部，所述T型孔的上半部填充高度高于上电介质层表面；
S9：再次打磨，除去S7中的遮蔽物，对S8中熔射后的上电介质层表面进行打磨，使其与原上电介质层表面齐平。
下部电极包括金属基材、电介质层以及电极层，所述电介质层包括上电介质层以及下电介质层，所述电极层位于下电介质层以及上电介质层之间。
进一步的，S1中，先研磨所述T型孔的下半部，再研磨其上半部，T型孔的下半部孔径比放电损伤区域的直径大1～2mm，T型孔的上半部孔径比下半部孔径大2～5mm，所述T型孔贯穿电极层开设。所述T型孔的下半部孔径大于放电损伤区域的直径，从而确保能够将放电损伤的材料完全去除。
本发明需要依次进行下电介质层、电极层以及上电介质层的熔射，且修补电极层的熔射范围要比修补下电介质层的熔射范围大，因此将放电损伤区域研磨成截面为T形的T型孔能使后续的熔射操作更便捷。
进一步的，所述S2中未遮蔽区域的直径比T型孔的下半部直径大0.5mm，所述S2与S5中喷砂压力为0.4～1MPa，喷砂材料为40#～100#白刚玉。
S2中未遮蔽区域的直径比T型孔的下半部直径大是为了保证S3中熔射时能够充分覆盖到全部的T型孔的下半部。若未遮蔽区域直径比T型孔的下半部直径小，就会出现T型孔下半部有些被遮住了，无法实现完全熔射填充。而若遮蔽成与T型孔的下半部一样大，人工手动遮蔽在操作上很难实现。
进一步的，所述S3中T型孔的下半部填充高度比电极层下表面低20μm，所述S8中T型孔的上半部填充高度比上电介质层高表面20μm。S3中预留20μm的空间为后续的电极层修复留下空间，S8中熔射填充高度高于上电介质层表面则为了保证上电介质层被完全填充，保证上电介质层的修复效率。
进一步的，所述S3、S6以及S8中的熔射方法均为大气等离子熔射，S3与S8中熔射所使用的材料均与原电介质层材料一致，S6中熔射所使用的材料与原电极层材料一致。
进一步的，所述S5中未遮蔽区域的直径比T型孔的下半部孔径小0.5mm，保证电极层能被完全修复，不会出现被遮蔽而熔射填充修复的区域。
进一步的，S6中电极层的熔射高度为30～50μm。
本发明的有益效果：
本发明通过研磨开孔缩小放电损伤后需要修复的区域，无需将金属基材上的涂层整体去除，有效降低修复所需的材料损耗，节约因放电所产生的下部电极的维修成本；只进行局部维修，有效减少了喷砂和熔射的时间，并且不需要后续的机加工，因此可将工期从30天左右缩减到5天左右，显著缩短维修周期。
附图说明
图1为下部电极整体结构示意图；
图2为下部电极放电损伤部分结构示意图；
图3为本发明S1步骤研磨形成T型孔的下部电极结构示意图；
图4为本发明S2与S3中遮蔽与熔射完成后下部电极结构示意图；
图5为本发明S4打磨步骤后形成的下部电极结构示意图；
图6为本发明S5与S6中遮蔽与熔射完成后下部电极结构示意图；
图7为本发明S7与S8中遮蔽与熔射完成后下部电极结构示意图；
图8为本发明一实施例中修复完成后的下部电极结构示意图；
图中：1、金属基材；2、电介质层；21、上电介质层；22、下电介质层；3、电极层；4、遮蔽区域；5、熔射区域。
具体实施方式
下面结合附图对本发明的较佳实施例进行详细阐述，以使本发明的优点和特征能更易于被本领域技术人员理解，从而对本发明的保护范围做出更为清楚明确的界定。
参见附图1至8所示，本实施例中的一种下部电极放电损伤修复方法，包括以下步骤：
S1：研磨开孔，在电介质层2上出现放电损伤的区域，用刀具研磨一个截面为T形的T型孔，所述T型孔位于电极层3以上的部分为其上半部，位于电极层3与金属基材1上表面之间的部分为其下半部，所述T型孔的下半部孔径大于放电损伤区域的直径，确保能够将放电损伤的材料完全去除；
S2：第一步遮蔽与喷砂，对T型孔的上半部进行遮蔽并对未遮蔽区域4进行喷砂，未遮蔽区域4的直径大于T型孔的下半部孔径，小于T型孔的上半部孔径；
S3：第一步熔射，对S2中未遮蔽区域4进行熔射以填充所述T型孔的下半部，所述T型孔的下半部填充高度低于电极层3下表面，以留出后续熔射填充电极层的空间。
S4：初次打磨，除去S2中的遮蔽物，对成型在电极层3表面的熔射材料进行打磨至露出电极层3；
S5：第二步遮蔽与喷砂，对T型孔的上半部进行遮蔽并对未遮蔽区域4进行喷砂，未遮蔽区域4的直径大于T型孔的下半部孔径，小于T型孔的上半部孔径；
其中，未遮蔽区域的粗糙度增大至3μm以上。喷砂是为了给电极层3的熔射修补做准备，能够将电极层3上面残留的电介质材料彻底去除，同时注意不要将电极层材料完全去除，新熔射的电极层3只要把原有的电极层3连通起来即可。如果有部分电介质层2残留在原来的电极层3上面的话，新熔射上去的电极层3与原来的电极层3就有可能被绝缘，这样会影响下部电极使用过程中的吸附性能。
同时熔射新的电极层3的时候未遮蔽区域的范围应比T型孔的上半部分小，若比上半部分大的话，就会有部分电极层3材料会覆盖到T型孔的周边，这样还需要把这部分材料去除掉，反而增加了工作量。
S6：第二步熔射，对S5中未遮蔽区域4进行熔射以在T型孔中形成连续的电极层3；实现对电极层3的修复。
S7：第三步遮蔽，除去S5中的遮蔽物，对T型孔的上半部进行遮蔽，未遮蔽区域4的直径大于T型孔的上半部孔径；以使T型孔的上半部能被完全熔射填充修复。
S8：第三步熔射，对S7中未遮蔽区域4进行熔射以填充所述T型孔的上半部，所述T型孔的上半部填充高度高于上电介质层21表面；
S9：再次打磨，除去S7中的遮蔽物，对S8中熔射后的上电介质层21表面进行打磨，使其与原上电介质层21表面齐平。
下部电极包括金属基材1、电介质层2以及电极层3，所述电介质层2包括上电介质层21以及下电介质层22，所述电极层3位于下电介质层22以及上电介质层21之间。
S1中，先研磨所述T型孔的下半部，再研磨其上半部，T型孔的下半部孔径比放电损伤区域的直径大1～2mm，T型孔的上半部孔径比下半部孔径大2～5mm，所述T型孔贯穿电极层3开设。所述T型孔的下半部孔径大于放电损伤区域的直径，从而确保能够将放电损伤的材料完全去除。
本发明需要依次进行下电介质层22、电极层3以及上电介质层21的熔射，且修补电极层3的熔射范围要比修补下电介质层22的熔射范围大，因此将放电损伤区域研磨成截面为T形的T型孔能使后续的熔射操作更便捷。
所述S2中未遮蔽区域4的直径比T型孔的下半部直径大0.5mm，所述S2与S5中喷砂压力为0.4～1MPa，喷砂材料为40#～100#白刚玉。
S2中未遮蔽区域4的直径比T型孔的下半部直径大是为了保证S3中熔射时能够充分覆盖到全部的T型孔的下半部。若未遮蔽区域4直径比T型孔的下半部直径小，就会出现T型孔下半部有些被遮住了，无法实现完全熔射填充。而若遮蔽成与T型孔的下半部一样大，人工手动遮蔽在操作上很难实现。
所述S3中T型孔的下半部填充高度比电极层3下表面低20μm，所述S8中T型孔的上半部填充高度比上电介质层21高表面20μm。S3中预留20μm的空间为后续的电极层3修复留下空间，S8中熔射填充高度高于上电介质层21表面则为了保证上电介质层21被完全填充，保证上电介质层21的修复效率。
所述S3、S6以及S8中的熔射方法均为大气等离子熔射，S3与S8中熔射所使用的材料均与原电介质层材料一致，S6中熔射所使用的材料与原电极层3材料一致。
所述S5中未遮蔽区域4的直径比T型孔的下半部孔径小0.5mm，保证电极层3能被完全修复，不会出现被遮蔽而熔射填充修复的区域。
S6中电极层3的熔射高度为30～50μm。
以上实施方式只为说明本发明的技术构思及特点，其目的在于让熟悉此项技术的人了解本发明的内容并加以实施，并不能以此限制本发明的保护范围，凡根据本发明精神实质所做的等效变化或修饰，都应涵盖在本发明的保护范围内。
Claims (7)
1.一种下部电极放电损伤修复方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1：研磨开孔，在电介质层上出现放电损伤的区域，用刀具研磨一个截面为T形的T型孔，所述T型孔位于电极层以上的部分为其上半部，位于电极层与金属基材上表面之间的部分为其下半部，所述T型孔的下半部孔径大于放电损伤区域的直径；
S2：第一步遮蔽与喷砂，对T型孔的上半部进行遮蔽并对未遮蔽区域进行喷砂，未遮蔽区域的直径大于T型孔的下半部孔径，小于T型孔的上半部孔径；
S3：第一步熔射，对S2中未遮蔽区域进行熔射以填充所述T型孔的下半部，所述T型孔的下半部填充高度低于电极层下表面；
S4：初次打磨，除去S2中的遮蔽物，对成型在电极层表面的熔射材料进行打磨至露出电极层；
S5：第二步遮蔽与喷砂，对T型孔的上半部进行遮蔽并对未遮蔽区域进行喷砂，未遮蔽区域的直径大于T型孔的下半部孔径，小于T型孔的上半部孔径；
S6：第二步熔射，对S5中未遮蔽区域进行熔射以在T型孔中形成连续的电极层；
S7：第三步遮蔽，除去S5中的遮蔽物，对T型孔的上半部进行遮蔽，未遮蔽区域的直径大于T型孔的上半部孔径；
S8：第三步熔射，对S7中未遮蔽区域进行熔射以填充所述T型孔的上半部，所述T型孔的上半部填充高度高于上电介质层表面；
S9：再次打磨，除去S7中的遮蔽物，对S8中熔射后的上电介质层表面进行打磨，使其与原上电介质层表面齐平。
2.根据权利要求1所述的一种下部电极放电损伤修复方法，其特征在于：S1中，先研磨所述T型孔的下半部，再研磨其上半部，T型孔的下半部孔径比放电损伤区域的直径大1～2mm，T型孔的上半部孔径比下半部孔径大2～5mm，所述T型孔贯穿电极层开设。
3.根据权利要求1所述的一种下部电极放电损伤修复方法，其特征在于：所述S2中未遮蔽区域的直径比T型孔的下半部直径大0.5mm，所述S2与S5中喷砂压力为0.4～1MPa，喷砂材料为40#～100#白刚玉。
4.根据权利要求1所述的一种下部电极放电损伤修复方法，其特征在于：所述S3中T型孔的下半部填充高度比电极层下表面低20μm，所述S8中T型孔的上半部填充高度比上电介质层高表面20μm。
5.根据权利要求1所述的一种下部电极放电损伤修复方法，其特征在于：所述S3、S6以及S8中的熔射方法均为大气等离子熔射，S3与S8中熔射所使用的材料均与原电介质层材料一致，S6中熔射所使用的材料与原电极层材料一致。
6.根据权利要求1所述的一种下部电极放电损伤修复方法，其特征在于：所述S5中未遮蔽区域的直径比T型孔的下半部孔径小0.5mm。
7.根据权利要求1所述的一种下部电极放电损伤修复方法，其特征在于：S6中电极层的熔射高度为30～50μm。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202211594546.5A CN115863134A (zh) | 2022-12-13 | 2022-12-13 | 一种下部电极放电损伤修复方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202211594546.5A CN115863134A (zh) | 2022-12-13 | 2022-12-13 | 一种下部电极放电损伤修复方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN115863134A true CN115863134A (zh) | 2023-03-28 |
Family
ID=85672288
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202211594546.5A Pending CN115863134A (zh) | 2022-12-13 | 2022-12-13 | 一种下部电极放电损伤修复方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN115863134A (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN116936315A (zh) * | 2023-07-12 | 2023-10-24 | 安徽高芯众科半导体有限公司 | 一种下部电极半再生生产工艺 |
-
2022
- 2022-12-13 CN CN202211594546.5A patent/CN115863134A/zh active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN116936315A (zh) * | 2023-07-12 | 2023-10-24 | 安徽高芯众科半导体有限公司 | 一种下部电极半再生生产工艺 |
| CN116936315B (zh) * | 2023-07-12 | 2024-06-07 | 安徽高芯众科半导体有限公司 | 一种下部电极半再生生产工艺 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN115863134A (zh) | 一种下部电极放电损伤修复方法 | |
| CN102136413B (zh) | 倒角基板布线方法 | |
| EP2065926A1 (en) | Feeding structure of electrostatic chuck, method for producing the same, and method for regenerating feeding structure of electrostatic chuck | |
| JP4286025B2 (ja) | 石英治具の再生方法、再生使用方法および半導体装置の製造方法 | |
| KR20100085907A (ko) | 정전 척 장치에서의 가스공급구조의 제조방법 및 정전 척 장치 가스공급구조 및 정전 척 장치 | |
| CN103474395B (zh) | 一种tsv平坦化方法 | |
| US20040081746A1 (en) | Method for regenerating container for plasma treatment, member inside container for plasma treatment, method for preparing member inside container for plasma treatment, and apparatus for plasma treatment | |
| Takizawa et al. | Conductive interconnections through thick silicon substrates for 3D packaging | |
| CN112521183A (zh) | 一种干式刻蚀工艺用陶瓷件的熔射方法 | |
| CN107262428A (zh) | 一种半导体设备EncoreTa装置部件清洗保护治具及其洗净方法 | |
| US6479944B2 (en) | Plasma display panel, fabrication apparatus for the same, and fabrication process thereof | |
| KR20220024839A (ko) | 플라즈마 에칭 시스템 | |
| JP2018182094A (ja) | ウェーハの搬出方法 | |
| JP5583074B2 (ja) | ガス絶縁開閉装置及びその製造方法 | |
| CN109112458B (zh) | 一种干刻下部电极的再生工艺预处理方法 | |
| CN104576280A (zh) | 等离子体处理腔室及其去夹持装置和方法 | |
| JP2004087266A (ja) | 薄型表示装置用基板の製造方法 | |
| CN110303383A (zh) | 一种磁流变辅助大气等离子体抛光硅基元件方法 | |
| CN107342222A (zh) | 一种用gpp芯片制造超高频高压二极管的方法 | |
| KR20160055991A (ko) | 플라즈마 처리 장치용 내부재 및 이의 제조 방법 | |
| KR102504152B1 (ko) | 마스킹 구조체 및 이를 이용한 플라즈마 에칭용 전극의 재생 방법 | |
| CN115976452A (zh) | 一种等离子体环境下抑制磁体表面放电的处理方法 | |
| CN115547784A (zh) | 下部电极的上电介质层的加工方法和下部电极的制作工艺 | |
| KR20160055989A (ko) | 플라즈마 처리 장치용 내부재 및 이의 제조 방법 | |
| CN116168999A (zh) | 一种下部电极的给电部及其制作和组装工艺 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination |