KR100921288B1 - 전자 디바이스의 제조 방법 및 그의 제조 방법에 적합한도포액 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (25)
- 유기물을 포함하는 층이 적어도 2층 이상으로 적층된 전자 디바이스의 제조 방법이며, 유기물, 금속 및 금속 산화물의 조합, 유기물 및 금속의 조합, 유기물 및 금속 산화물의 조합 중 어느 하나를 포함하는 도포액 A를 이용하여 제1층(혼합층)을 형성한 후, 유기물을 포함하는 도포액 B를 이용하여 제2층을 적층하는 것을 특징으로 하는 전자 디바이스의 제조 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 전자 디바이스는 한 쌍의 전극 사이에 유기물을 포함하는 층이 적어도 2층 이상 적층되어 있고,상기 한 쌍의 전극의 한쪽 전극 상에 직접 또는 다른 층을 개재하여 유기물, 금속 및 금속 산화물의 조합, 유기물 및 금속의 조합, 유기물 및 금속 산화물의 조합 중 어느 하나를 포함하는 도포액 A를 도포하여 제1층(혼합층)을 제막하는 제1 공정, 및상기 제1 공정에서 제막한 혼합층 상에 직접 유기물을 포함하는 도포액 B를 도포하여 제2층의 유기층을 제막하는 제2 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 디바이스의 제조 방법.
- 제2항에 있어서, 상기 한 쌍의 전극 중 적어도 한쪽의 전극이 ITO인 것을 특징으로 하는 전자 디바이스의 제조 방법이며,상기 ITO 전극 상에 직접 유기물, 금속 및 금속 산화물의 조합, 유기물 및 금속의 조합, 유기물 및 금속 산화물의 조합 중 어느 하나를 포함하는 도포액 A를 도포하여 제1층(혼합층)을 제막하는 제1 공정, 및상기 제1 공정에서 제막한 혼합층 상에 직접 유기물을 포함하는 도포액 B를 도포하여 제2층의 유기층을 제막하는 제2 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 디바이스의 제조 방법.
- 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 유기물이 유기 반도체인 것을 특징으로 하는 전자 디바이스의 제조 방법.
- 제4항에 있어서, 상기 도포액 A에 포함되는 유기 반도체가 홀 주입 재료, 홀 수송 재료, 홀 주입 수송 재료에서 선택되는 어느 하나인 것을 특징으로 하는 전자 디바이스의 제조 방법.
- 제4항에 있어서, 상기 도포액 A에 포함되는 유기 반도체가 전자 주입 재료, 전자 수송 재료, 전자 주입 수송 재료에서 선택되는 어느 하나인 것을 특징으로 하는 전자 디바이스의 제조 방법.
- 제4항에 있어서, 상기 도포액 A에 포함되는 유기 반도체가 홀·전자 수송 재료인 것을 특징으로 하는 전자 디바이스의 제조 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 도포액 A에 포함되는 금속이 인듐, 주석, 아연, 티탄 중 어느 하나 이상을 이용하는 것을 특징으로 하는 전자 디바이스의 제조 방법.
- 제8항에 있어서, 상기 도포액 A에 포함되는 금속이 인듐, 주석 중 어느 하나 이상을 이용하는 것을 특징으로 하는 전자 디바이스의 제조 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 도포액 A에 포함되는 금속 산화물이 인듐 산화물, 주석 산화물, 인듐·주석 산화물, 아연 산화물, 인듐·아연 산화물, 티탄 산화물, 및 이들 중 어느 하나의 산화물에 금속을 도핑한 산화물 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 전자 디바이스의 제조 방법.
- 제10항에 있어서, 상기 도포액 A에 포함되는 금속 산화물이 인듐 산화물, 주석 산화물, 인듐·주석 산화물 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 전자 디바이스의 제조 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 도포액 B에 포함되는 유기물이 발광 재료인 것을 특징으로 하는 전자 디바이스의 제조 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 도포액 A 및 도포액 B에 이용하는 용매가 유기 용매인 것을 특징으로 하는 전자 디바이스의 제조 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 전자 디바이스가 유기 전계 발광 소자인 것을 특징으 로 하는 전자 디바이스의 제조 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 전자 디바이스가 유기 박막 태양 전지인 것을 특징으로 하는 전자 디바이스의 제조 방법.
- 전자 디바이스의 유기물을 포함하는 층 중 하나를 형성하기 위한 도포액이며,유기물, 금속 및 금속 산화물의 조합, 유기물 및 금속의 조합, 유기물 및 금속 산화물의 조합 중 어느 하나를 포함하고,상기 유기물이 유기 반도체 재료를 포함하고,상기 유기물의 함유량이 용매 이외의 고형분 중량에 대하여 20 중량% 이상 80 중량% 이하인 것을 특징으로 하는 도포액.
- 전자 디바이스의 유기물을 포함하는 층 중 하나를 형성하기 위한 도포액이며,유기물, 금속 및 금속 산화물의 조합, 유기물 및 금속의 조합, 유기물 및 금속 산화물의 조합 중 어느 하나를 포함하고,상기 유기물이 홀 주입 재료 또는 홀 수송 재료 또는 홀 주입 기능과 홀 수송 기능을 갖는 홀 주입 수송 재료를 포함하고,상기 유기물의 함유량이 용매 이외의 고형분 중량에 대하여 20 중량% 이상 80 중량% 이하인 것을 특징으로 하는 도포액.
- 전자 디바이스의 유기물을 포함하는 층 중 하나를 형성하기 위한 도포액이며,유기물, 금속 및 금속 산화물의 조합, 유기물 및 금속의 조합, 유기물 및 금속 산화물의 조합 중 어느 하나를 포함하고,상기 유기물이 전자 주입 재료 또는 전자 수송 재료 또는 전자 주입 기능과 전자 수송 기능을 갖는 전자 주입 수송 재료를 포함하고,상기 유기물의 함유량이 용매 이외의 고형분 중량에 대하여 20 중량% 이상 80 중량% 이하인 것을 특징으로 하는 도포액.
- 전자 디바이스의 유기물을 포함하는 층 중 하나를 형성하기 위한 도포액이며,유기물, 금속 및 금속 산화물의 조합, 유기물 및 금속의 조합, 유기물 및 금속 산화물의 조합 중 어느 하나를 포함하고,상기 유기물이 홀 수송 재료와 전자 수송 재료의 양쪽의 기능을 갖는 재료, 또는 이들 양 재료의 혼합물을 포함하고,상기 유기물의 함유량이 용매 이외의 고형분 중량에 대하여 20 중량% 이상 80 중량% 이하인 것을 특징으로 하는 도포액.
- 제16항 내지 제19항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 전자 디바이스가 유기 전계 발광 소자인 것을 특징으로 하는 도포액.
- 제16항에 있어서, 상기 전자 디바이스가 유기 박막 태양 전지인 것을 특징으 로 하는 도포액.
- 제16항에 있어서, 상기 유기물이 저분자계 유기물인 것을 특징으로 하는 도포액.
- 제16항에 있어서, 상기 금속이 인듐, 주석, 아연, 티탄 중 어느 하나 이상을 포함하고,상기 금속 산화물이 인듐 산화물, 주석 산화물, 인듐·주석 산화물, 아연 산화물, 인듐·아연 산화물, 티탄 산화물, 및 이들 각 금속 산화물 중 어느 하나에 금속을 도핑한 산화물 중 어느 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 도포액.
- 제16항에 있어서, 상기 금속이 인듐, 주석 중 어느 하나 이상을 포함하고,상기 금속 산화물이 인듐 산화물, 주석 산화물, 인듐·주석 산화물, 및 이들 각 금속 산화물 중 어느 하나에 금속을 도핑한 산화물 중 어느 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 도포액.
- 적어도 한쪽의 전극이 ITO를 포함하는 한 쌍의 전극 사이에, 유기물을 포함하는 층이 적어도 2층 이상 적층된 유기 EL 소자의 제조 방법이며,ITO로 구성되는 한쪽의 전극 상에 직접, 홀 주입 재료, 홀 수송 재료, 홀 주입 수송 재료, 전자 주입 재료, 전자 수송 재료 및 전자 주입 수송 재료로부터 선택되는 어느 1종의 유기물, Sn, In, Sn의 산화물, In의 산화물, 인듐·주석 산화물(ITO) 중 어느 하나로부터 선택되는 1종 이상의 무기물, 및 유기 용매를 포함하는 도포액 A를 도포하여 제1층을 제조하는 제1 공정, 및상기 제1층 상에 직접, 발광 재료 및 유기 용매를 포함하는 도포액 B를 도포하여 제2층을 제조하는 제2 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자의 제조 방법.
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WO2010072562A1 (en) * | 2008-12-23 | 2010-07-01 | Solvay Sa | Process for producing a component layer for organic light emitting diodes |
DE102009022117A1 (de) * | 2009-05-20 | 2010-11-25 | Siemens Aktiengesellschaft | Material für eine Lochtransportschicht mit p-Dotierung |
WO2010137509A1 (en) * | 2009-05-29 | 2010-12-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, lighting device, and electronic appliance |
JP5578996B2 (ja) * | 2009-09-11 | 2014-08-27 | 富士フイルム株式会社 | 光電変換素子及びその製造方法、光センサ、並びに撮像素子及びそれらの駆動方法 |
US20120132272A1 (en) | 2010-11-19 | 2012-05-31 | Alliance For Sustainable Energy, Llc. | Solution processed metal oxide thin film hole transport layers for high performance organic solar cells |
CN103548171B (zh) * | 2011-05-20 | 2016-08-24 | 国立大学法人山形大学 | 有机电子器件及其制造方法 |
JP6461599B2 (ja) * | 2011-06-22 | 2019-01-30 | ノヴァレッド ゲーエムベーハー | 電子装置 |
KR101684041B1 (ko) * | 2012-02-15 | 2016-12-07 | 국립대학법인 야마가타대학 | 유기 일렉트로 루미네센스 소자 |
CN106463626B (zh) | 2013-03-07 | 2020-11-13 | 可持续能源联盟有限责任公司 | 电荷选择性传输层薄膜的制备方法 |
GB2514818B (en) | 2013-06-05 | 2015-12-16 | Cambridge Display Tech Ltd | Polymer and organic electronic device |
CN104167491B (zh) * | 2014-07-02 | 2017-10-17 | 苏州大学 | 一种金属氧化物水溶性薄膜的制备方法 |
CN105244447B (zh) * | 2015-09-01 | 2018-09-14 | 华南理工大学 | 一种平面异质结有机发光二极管及其制备方法 |
CN105261706B (zh) * | 2015-09-01 | 2018-07-10 | 华南理工大学 | 一种平面异质结敏化的有机荧光发光二极管及其制备方法 |
KR102507947B1 (ko) * | 2015-10-15 | 2023-03-09 | 삼성전자주식회사 | 케이스 및 이를 포함하는 전자 장치 |
CN107195791B (zh) * | 2017-05-03 | 2019-01-01 | 武汉华星光电技术有限公司 | 有机发光显示装置 |
KR102244800B1 (ko) * | 2017-12-11 | 2021-04-26 | 주식회사 엘지화학 | 유기 발광 소자 및 이의 제조방법 |
KR102540847B1 (ko) * | 2018-03-14 | 2023-06-05 | 삼성전자주식회사 | 전계 발광 소자 및 이를 포함하는 표시 장치 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08330073A (ja) * | 1995-03-27 | 1996-12-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 有機発光素子及びその製造方法 |
JPH10162955A (ja) | 1996-11-28 | 1998-06-19 | Seiko Precision Kk | 有機el素子の製造方法 |
KR19990054473A (ko) * | 1997-12-26 | 1999-07-15 | 김덕중 | 안정성이 우수한 유기전기발광소자 |
KR20030012559A (ko) * | 2001-08-01 | 2003-02-12 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 화합물 유도체 박막을 포함하는 유기 전계 발광 소자및 그 소자의 제조 방법 |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CA1086410A (en) | 1977-08-02 | 1980-09-23 | Ching W. Tang | Organic photovoltaic elements |
US4281053A (en) | 1979-01-22 | 1981-07-28 | Eastman Kodak Company | Multilayer organic photovoltaic elements |
US20030148024A1 (en) * | 2001-10-05 | 2003-08-07 | Kodas Toivo T. | Low viscosity precursor compositons and methods for the depositon of conductive electronic features |
JP2000077185A (ja) | 1998-08-28 | 2000-03-14 | Asahi Chem Ind Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
US6274412B1 (en) * | 1998-12-21 | 2001-08-14 | Parelec, Inc. | Material and method for printing high conductivity electrical conductors and other components on thin film transistor arrays |
JP3503579B2 (ja) * | 1999-12-08 | 2004-03-08 | 日本電気株式会社 | 有機el素子及びその製造方法 |
WO2004029128A2 (en) * | 2002-09-24 | 2004-04-08 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Water dispersible polythiophenes made with polymeric acid colloids |
US7012364B2 (en) | 2002-10-01 | 2006-03-14 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Organic electroluminescent display |
JP4432358B2 (ja) | 2003-05-01 | 2010-03-17 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置の製造方法 |
KR100632632B1 (ko) * | 2004-05-28 | 2006-10-12 | 삼성전자주식회사 | 나노 결정의 다층 박막 제조 방법 및 이를 이용한유·무기 하이브리드 전기 발광 소자 |
GB2433512B (en) | 2004-10-11 | 2009-06-03 | Cambridge Display Tech Ltd | Polar semiconductive hole transporting material |
JP4306599B2 (ja) | 2004-12-15 | 2009-08-05 | セイコーエプソン株式会社 | パターン形成基板、電気光学装置及び電気光学装置の製造方法 |
US9179518B2 (en) | 2004-12-24 | 2015-11-03 | Cambridge Display Technology Limited | Light emissive device |
DE112006000495B4 (de) * | 2005-03-01 | 2017-11-09 | The Regents Of The University Of California | Mehrschichtige Licht emittierende Polymer-Diode für Festkörper Beleuchtungs-Anwendungen |
-
2007
- 2007-11-26 TW TW096144834A patent/TW200838008A/zh unknown
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Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08330073A (ja) * | 1995-03-27 | 1996-12-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 有機発光素子及びその製造方法 |
JPH10162955A (ja) | 1996-11-28 | 1998-06-19 | Seiko Precision Kk | 有機el素子の製造方法 |
KR19990054473A (ko) * | 1997-12-26 | 1999-07-15 | 김덕중 | 안정성이 우수한 유기전기발광소자 |
KR20030012559A (ko) * | 2001-08-01 | 2003-02-12 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 화합물 유도체 박막을 포함하는 유기 전계 발광 소자및 그 소자의 제조 방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2009026730A (ja) | 2009-02-05 |
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US8101230B2 (en) | 2012-01-24 |
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Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
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