JP4432358B2 - 電気光学装置の製造方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、電気光学装置の製造方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
近年、有機蛍光材料等の発光材料をインク化し、当該インク(組成物)を基材上に吐出するインクジェット法により、発光材料のパターニングを行う方法を採用して、陽極及び陰極の間に該発光材料からなる発光層が挟持された構造のカラー表示装置、特に発光材料として有機発光材料を用いた有機EL(エレクトロルミネッセンス)表示装置の開発が行われている。特に、画素毎を区画する隔壁を基板上に設け、この隔壁で囲まれた領域内に上記発光材料を吐出するならば、基板上に正確に上記発光層を形成することができる(特許文献1参照)。
【0003】
【特許文献1】
特開2000−323276号公報
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
上記発光材料のパターニング方法としてインクジェット法を採用することで、上記発光材料の無駄を無くし、低コストで迅速に有機EL表示装置を得ることができる。しかし、例えば5インチ以上の大型の有機EL表示装置の製造に上記インクジェット法を適用する場合には、大型化した画素領域に対してインク組成物を吐出すると、画素領域(隔壁に囲まれた領域)内をインク組成物で埋めることができず、形成される発光層の膜厚や平坦性に不均一が生じるおそれがある。
【0005】
本発明は、上記課題を解決するために成されたものであって、インクジェット方式を用いた機能層の形成に好適に用いることができ、基板を大型化した場合にも均一性に優れる機能層を容易に形成することができる電気光学装置の製造方法を提供することを目的としている。
【0006】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、本発明の電気光学装置は、支持基板上に配列形成された複数の画素領域を備えた電気光学装置であって、前記支持基板上に前記画素領域毎を区画する主隔壁と、前記画素領域内を複数の領域に分割する分割壁と、前記分割壁に区画された領域内に形成された機能層とを備えたことを特徴としている。
この構成によれば、前記機能層を液体吐出法により作製する電気光学装置の製造方法を適用することで、画素領域を大型化した場合にも、均一な膜厚の機能層を容易に形成することができる電気光学装置を提供することができる。上記液体吐出法では、上記機能層形成用の液状組成物を、液滴吐出装置等の吐出ヘッドから吐出して支持基板上の所定位置に配置し、この液状組成物を乾燥させることで所望の組成を有する機能層を形成するようになっているが、本発明の構成によれば、上記画素領域毎を区画する主隔壁に加え、画素領域内をさらに複数の領域に区画する分割壁を備えていることで、パネルの大型化に伴って大型化した画素領域に対しても、均一かつ正確に上記液状組成物を吐出配置することができる。
尚、本明細書において、「画素領域」とは、本発明に係る電気光学装置における最小表示単位に対応する平面領域を指し、本発明を適用したEL装置や液晶装置においては、1つの画素電極により駆動される表示領域に対応する。
【0007】
本発明の電気光学装置では、前記分割壁に囲まれた領域が、前記画素領域の長さ方向に沿う平面形状とされた構成とすることが好ましい。
この構成によれば、前記主隔壁及び分割壁に囲まれた領域に対し、上記液滴吐出装置を用いて液状組成物を吐出する場合に、当該領域の延在方向に沿って吐出ヘッドを走査しながら液状組成物の吐出を行えば、吐出ヘッドの走査方向に対して交差する方向を短くでき、この方向への液状組成物の広がりを抑えることができるので、前記領域内において液状組成物の配置に偏りを生じ難くなる。これにより、形成される機能層を平坦化し易く、製造容易性に優れる電気光学装置を提供できる。
【0008】
本発明の電気光学装置では、前記分割壁が絶縁性の材料からなることが好ましい。この構成によれば、上記機能層が複数の薄膜を積層してなる構成である場合に、前記薄膜どうしの導通を効果的に防止することができ、信頼性に優れる電気光学装置を提供することができる。
【0009】
本発明の電気光学装置では、前記機能層が、有機EL層である構成とすることができる。この構成によれば、前記有機EL層の膜厚均一性、及び平坦性に優れ、高画質の有機EL装置を提供することができる。
【0010】
本発明の電気光学装置では、前記有機EL層が、正孔注入層と発光層とを有することが好ましい。このような構成とすることで高効率の有機EL装置を提供することができる。
【0011】
本発明の電気光学装置では、前記主隔壁及び/又は分割壁の表面が撥インク性を有することが好ましい。この構成によれば、上記液体吐出法による機能層の形成に際して、液状吐出物を正確かつ容易に定点配置することが可能な電気光学装置を提供することができる。
【0012】
本発明の電気光学装置では、前記分割壁の高さが、前記主隔壁の高さより低く形成されている構成とすることもできる。この構成によれば、前記液体吐出法による機能層の形成に際して、液状吐出物が主隔壁から溢れて隣接する画素領域へ混入するのを防止し得る電気光学装置を提供できる。また、画素領域内において、前記機能層及び分割壁を覆う薄膜を形成する場合に、係る薄膜のステップカバレッジの確保が容易になり、信頼性に優れる電気光学装置を実現できる。
【0013】
次に、本発明の電気光学装置用基板は、支持基板上に配列形成された複数の画素領域を備えた電気光学装置用基板であって、前記支持基板上に前記画素領域毎を区画する主隔壁と、前記主隔壁に囲まれる領域内をさらに複数の領域に分割する分割壁とを備えたことを特徴とする。
この構成によれば、液体吐出法により液状組成物を基板上に吐出して機能層を形成する電気光学装置の製造方法に用いて好適な電気光学装置用基板を提供することができる。
【0014】
本発明の電気光学装置用基板では、前記主隔壁及び/又は分割壁に囲まれる領域に色材層が形成された構成とすることもできる。この構成によれば、色材層の膜厚均一性、及び平坦性に優れるカラーフィルタを備えた電気光学装置用基板を提供することができる。
【0015】
次に、本発明の電気光学装置の製造方法は、支持基板上に配列形成された複数の画素領域を備えた電気光学装置の製造方法であって、前記支持基板上に前記画素領域毎を区画する主隔壁と、前記画素領域内を複数の領域に分割する分割壁とを形成する隔壁形成工程と、前記分割壁に区画された領域内に、機能層形成用の液状組成物を液滴吐出装置にて滴下する機能層形成工程とを含むことを特徴とする。
係る製造方法によれば、前記画素領域内を複数領域に区画すべく分割壁を形成するので、パネルの大型化に伴い画素領域が大型化した場合にも、比較的狭い領域内に、上記液状組成物を配置することができるので、滴下領域における液状組成物の配置に偏りを生じ難く、これにより、膜厚の均一性に優れる機能層を形成することができる。そして、画素領域の特性が均一で、信頼性に優れる電気光学装置を製造することができる。
【0016】
次に、本発明の電気光学装置の製造方法では、前記隔壁形成工程において、前記主隔壁及び/又は分割壁を、撥インク性を有する材料を用いて形成することが好ましい。
この製造方法によれば、上記液体吐出法による機能層の形成に際して、液状吐出物を正確かつ容易に定点配置することが可能である。
【0017】
次に、本発明の電気光学装置の製造方法では、前記主隔壁及び/又は分割壁の表面に、撥インク性を付与する工程を含むこともできる。
この製造方法によっても、上記液体吐出法による機能層の形成に際して、液状吐出物を正確かつ容易に定点配置することが可能である。
【0018】
次に、本発明の電気光学装置の製造方法では、前記機能層形成工程において、前記分割壁に囲まれる領域の長さ方向に沿って、前記液状組成物を順次滴下することもできる。
この製造方法によれば、吐出ヘッドの走査方向に対して交差する方向への液状組成物の広がりを抑えることができるので、前記領域内において液状組成物の配置に偏りを生じ難くなる。これにより、形成される機能層を平坦化し易くなる。
【0019】
次に、本発明の電気光学装置の製造方法では、前記機能層が有機EL層である構成とすることもできる。
この製造方法によれば、有機EL層の膜厚均一性及び平坦性に優れる有機EL装置を容易に製造することができる。
【0020】
次に、本発明の電気光学装置の製造方法は、前記隔壁形成工程において、前記主隔壁を形成する工程と、前記分割壁を形成する工程のうち、少なくとも一方の工程が、隔壁形成用の液状組成物を液滴吐出装置にて滴下する工程であることもできる。
この製造方法によれば、前記隔壁形成工程を液体吐出法により行うので、前記機能層形成工程と合わせて、製造工程を効率化することができる。また、分割壁の平面形状の変更にも容易かつ柔軟に対応できるという利点が得られる。
【0021】
本発明の電気光学装置の製造方法では、前記隔壁形成工程において、前記分割壁の高さを前記主隔壁より低く形成するもできる。
この製造方法によれば、前記機能層形成工程において、液状吐出物が主隔壁から溢れて隣接する画素領域へ混入するのを容易に防止することができる。また、画素領域内において、前記機能層及び分割壁を覆う薄膜を形成する場合に、係る薄膜のステップカバレッジの確保が容易になるという利点もある。
【0022】
【発明の実施の形態】
(有機EL装置)
以下、図面を参照して、本発明に係る有機EL装置及びその製造方法、並びに電子機器の一実施形態について説明する。なお、参照する各図において、図面上で認識可能な大きさとするために縮尺は各層や各部材ごとに異なる場合がある。
【0023】
図1は、本発明に係る電気光学装置の一実施形態であるアクティブマトリクス型の有機EL装置の模式図である。また、図示する有機EL装置1は、薄膜トランジスタを用いたアクティブ型の駆動方式を採用している。
有機EL装置1は、基板2の上に回路素子として薄膜トランジスタを含む回路素子部14、画素電極(陽極)111、有機EL層(発光層)を含む有機機能層(機能層)110、対向電極(陰極)12及び封止部3等を順次積層した構造からなる有機EL素子をマトリクス状に複数配置したものである。
【0024】
基板2としては、本実施形態ではガラス基板が用いられている。基板2は、ガラス基板の他にもシリコン基板、石英基板、セラミックス基板、プラスチック基板、プラスチックフィルム基板等、電機光学装置や回路基板に用いられる公知の様々な基板が適用される。この基板2の表面(図1における下面)は、外光の反射を抑制する減反射処理が施してあることが好ましい。基板2の表面に減反射処理を施すことによって外光の反射を抑制できるので本有機EL装置1のコントラストを向上させることが可能となる。基板2内には、発光領域としての複数の画素領域Aがマトリクス状に配列形成されており、カラー表示を行う場合、例えば、赤色(R)、緑色(G)、青色(B)の各色に対応する画素領域Aが所定の配列で配置されている。すなわち、本明細書において「画素領域」とは、EL装置1の最小表示単位を指す。
前記各画素領域Aには、画素電極111が配置され、その近傍には信号線132、電源線133、走査線131及び図示しない他の画素電極用の走査線等が配置されている。画素領域Aの平面形状は、図示するような矩形の他に円形、長円形など任意の形状が適用される。
【0025】
また、封止部3は、水や酸素の浸入を防ぐことによって陰極12あるいは有機機能層110の酸化を防止するものであり、基板2に塗布される封止樹脂及び基板2に貼り合わされる封止基板3b(封止缶)等を含む。封止樹脂の材料としては、例えば、熱硬化樹脂あるいは紫外線硬化樹脂等が用いられ、特に、熱硬化樹脂の一種であるエポシキ樹脂が好ましく用いられる。封止樹脂は、基板2の周縁に環状に塗布されており、例えば、マイクロディスペンサ等によって塗布される。封止基板3bは、ガラスや金属等からなり、基板2と封止基板3bとは封止樹脂を介して貼り合わされる。
【0026】
図2は、上記有機EL装置1の回路構造を示している。この図2において、基板2上には複数の走査線131と、走査線131に対して交差する方向に延びる複数の信号線132と、信号線に並列に延びる複数の電源線133とが配線されている。また、走査線131及び信号線132の各交点毎に上記画素領域Aが形成されている。信号線132には、例えば、シフトレジスタ、レベルシフタ、ビデオライン及びアナログスイッチを含むデータ側駆動回路103が接続されている。また、走査線131にはシフトレジスタ及びレベルシフタを含む走査側駆動回路104が接続されている。
【0027】
画素領域Aには走査線131を介して走査信号がゲート電極に供給されるスイッチング用の薄膜トランジスタ123と、このスイッチング用の薄膜トランジスタ123を介して信号線132から供給される画像信号を保持する保持容量135と、保持容量135によって保持された画像信号がゲート電極に供給される駆動用の薄膜トランジスタ124と、この駆動用の薄膜トランジスタ124を介して電源線133に電気的に接続したときに電源線133から駆動電流が流れ込む画素電極(陽極)111と、画素電極111と陰極12との間に挟み込まれる有機機能層110とが設けられている。有機機能層110は、有機EL素子としての発光層を含む。
【0028】
画素領域Aでは走査線131が駆動されてスイッチング用の薄膜トランジスタ123がオンとなると、そのときの信号線132の電位が保持容量135に保持され、この保持容量135の状態に応じて駆動用の薄膜トランジスタ124の導通状態が決まる。また、駆動用の薄膜トランジスタ124のチャネルを介して電源線133から画素電極111に電流が流れ、さらに有機機能層110を通じて陰極12に電流が流れる。そして、このときの電流量に応じて有機機能層110が発光する。
【0029】
図3は、上記有機EL装置1における1画素領域Aを示す平面構成図である。図3に示す平面構成図では、図1に示す有機機能層110や対向電極12、回路素子部14等はその図示を省略している。図3に示すように、本実施形態の画素領域Aでは、画素電極111の周縁部を取り囲んで平面視略矩形枠状の主隔壁112cが形成されており、この主隔壁112cに囲まれた領域の短辺方向中央部を上下に横断する分割壁112dにより、画素領域Aが2つの領域に区画されている。
【0030】
図4は、図3に示すG−G線に沿う画素領域Aの断面構造を拡大した図である。上述のように有機EL装置1は、基板2上にTFTなどの回路等が形成された回路素子部14と、画素電極111及び有機機能層110が形成された発光素子部11と、陰極12とが順次積層されて構成されている。この有機EL装置1では有機機能層110から基板2側に発した光が回路素子部14及び基板2を透過して基板2の下側(観測者側)に放出されると共に、有機機能層110から基板2の反対側に発した光が陰極12によって反射されて回路素子部14及び基板2を透過して基板2の下側(観測者側)に放出されるようになっている。
【0031】
回路素子部14には基板2上にシリコン酸化膜からなる下地保護膜2cが形成され、この下地保護層2c上に多結晶シリコンからなる島状の半導体膜141が形成されている。なお、半導体膜141にはソース領域141a及びドレイン領域141bが高濃度Pイオン打ち込みによって形成されている。なお、Pが導入されなかった部分がチャネル領域141cとなっている。さらに回路素子部14には、下地保護膜2c及び半導体膜141を覆う透明なゲート絶縁膜142が形成され、ゲート絶縁膜142上にはAl、Mo、Ta、Ti、W等からなるゲート電極143(走査線)が形成され、ゲート電極143及びゲート絶縁膜142上には透明な第1層間絶縁膜144aと第2層間絶縁膜144bが形成されている。ゲート電極143は半導体膜141のチャネル領域141cに対応する位置に設けられている。また、第1、第2層間絶縁膜144a,144bを貫通して半導体膜141のソース、ドレイン領域141a,141bにそれぞれ接続されるコンタクトホール145,146が形成されている。
【0032】
そして、第2層間絶縁膜144b上には、ITO等からなる透明な画素電極111が所定の形状にパターニングされて形成され、一方のコンタクトホール145がこの画素電極111に接続されている。このようにして、回路素子部14には各画素電極111に接続された駆動用のスイッチング用の薄膜トランジスタ123が形成されている。なお、回路素子部14には上述した保持容量135及び駆動用の薄膜トランジスタ124も形成されているが、図3ではこれらの図示を省略している。
【0033】
発光素子部11は、複数の画素電極111上の各々に積層された有機機能層110と、有機機能層110同士の間に配されて各有機機能層110を画素領域毎に区画する主隔壁112cと、画素領域Aを横断して形成され、上記有機機能層110を画素領域内で分割する分割壁112dとを主体として構成されている。有機機能層110上には陰極12が配置されている。
発光素子である有機EL素子は、画素電極111、陰極12及び有機機能層110等を含んで構成される。ここで、画素電極111は、ITOにより形成されてなり、平面視略矩形状にパターニングされて形成されている。この画素電極111の厚さは、50〜200nmの範囲が好ましく、特に150nm程度が良い。
【0034】
主隔壁112cは、図4に示すように基板2側に位置する無機物バンク層112aと基板2から離れて位置する有機物バンク層112bとが積層されて構成されている。無機物バンク層112aは、例えば、SiO2、TiO2等の無機材料からなる。また、有機物バンク層112bは、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂等の耐熱性、耐溶媒性のあるレジストから形成されている。また、分割壁112dは、画素電極111上にその主要部が形成されており、上記有機物バンク層112bと同層に、同一材料で形成されている。また、本実施形態の場合、分割壁112dと有機物バンク層112b(主隔壁)とが、基板2に対してほぼ同一の高さに形成されている。
【0035】
有機機能層110は、画素電極111上に積層された正孔注入/輸送層110aと、正孔注入/輸送層110a上に隣接して形成された発光層(有機EL層)110bと、発光層110b及びバンク部112上かつ全面に亘って形成された電子注入/輸送層110cとから構成されている。正孔注入/輸送層110aは、正孔を発光層110bに注入する機能を有すると共に、正孔を正孔注入/輸送層110a内部において輸送する機能を有する。電子注入/輸送層110cは、電子を発光層110bに注入する機能を有すると共に、電子を電子注入/輸送層110c内部において輸送する機能を有する。このような正孔注入/輸送層110a、を画素電極111と発光層110aの間に設け、電子注入/輸送層110cを陰極12と発光層110bの間に設けることによって発光層110bの発光効率、寿命等の素子特性が向上する。また、発光層110bでは、正孔注入/輸送層110aから注入された正孔と、電子注入/輸送層110cから注入される電子が発光層110bで再結合し、発光が得られる。
【0036】
図4では、発光層110bとして、赤色(R)に発光する赤色発光層110b1を図示しているが、本実施形態の有機EL装置1は、緑色(G)に発光する緑色発光層と、青色(B)に発光する青色発光層とを合わせ、発光する波長帯域が互いに異なる3種類の発光層を備えている。これらの発光層は、所定の配列(例えばストライプ状)で配置されている。
【0037】
次に、陰極12は、発光素子部11の全面に形成されており、電子注入/輸送層110cに電子を注入する役割を果たす。この陰極12は、カルシウム層12aとアルミニウム層12bとが積層されて構成されている。カルシウム層の層厚は例えば2〜50nmの範囲が好ましい。また、アルミニウム層12bは、発光層110bから発せられた光を基板2側に反射させるもので、Al膜の他、Ag膜、AlとAgの積層膜等からなることが好ましい。また、その厚さは、例えば100〜1000nmの範囲が好ましい。
【0038】
以上の構成を備えた有機EL装置1では、図3及び図4に示すように、主隔壁112cに囲まれる画素領域をさらに複数の領域A1,A2に区画する分割壁112dが設けられていることで、パネルの大型化に伴い画素領域を大型化した場合にも、インクジェット法(液体吐出法)による有機機能層110の形成を効率的に行うことができる。つまり、大型の画素領域に対して、インクジェット法を用いて上記有機機能層形成用の液状組成物の滴下を行った場合には、滴下された液状組成物の広がる面積が大きいこと、及び画素領域を区画するバンク層(隔壁)表面には、通常撥インク性が付与されていることから、画素領域全体に均一に液状組成物が配置されず、乾燥時に機能層の膜厚に不均一を生じるおそれがある。これに対して、本実施形態に係る有機EL装置1では、画素領域Aを2つの領域A1,A2に分割する分割壁112dが形成されていることで、比較的狭い領域内で液状組成物の滴下を行うことができるため、液状組成物の配置を正確かつ均一に行うことができ、もって形成される有機機能層110の膜厚均一性を向上させることが可能である。
このように、本実施形態の有機EL装置1は、その製造に際して、膜厚の均一性、及び画素領域の被覆性に優れる有機機能層110をインクジェット法により形成することができるので、製造容易性に優れ、大型パネルの量産に好適な構成を備えた有機EL装置とされている。
【0039】
上記実施形態では、分割壁112dの高さを、主隔壁112cとほぼ同等の高さに形成しているが、分割壁112dは、主隔壁112cに対して低く形成することもできる。すなわち、インクジェット法による上記液状組成物の滴下に際して、例えば、上記領域A1に滴下された液状組成物が分割壁を乗り越えて隣接する領域A2側へ一部混入したとしても、前記両領域A1,A2は同一の画素領域に含まれる領域であるため、両者における液状組成物の混入が生じたとしても表示特性上問題を生じることはない。また、前記有機機能層として相当の膜厚を有する層を形成する必要がある場合には、主隔壁112cの頂部近傍まで上記液状組成物を充填する必要があるが、分割壁112dを主隔壁112cより低く形成しておけば、液状組成物が主隔壁112cを乗り越える以前に分割壁112dを乗り越えるので、隣接する画素領域間での液状組成物の混入防止という点で有利な構成となる。
【0040】
上記実施の形態では、画素領域Aの長さ方向(図3上下方向)に延在する分割壁112dを備えた有機EL装置1について説明したが、本発明に係る分割壁112dの構成は、上記実施の形態に限定されず、画素領域Aのサイズや、インクジェット法において有機機能層形成用の液状組成物を吐出する吐出ヘッドの構成に応じて、種々の形態をとることができる。この分割壁112dの他の構成例について、図5ないし図8を参照して以下に説明する。図5ないし図8は、本構成例における有機EL装置の1画素領域Aを示す平面構成図である。これらの図において、主隔壁112c、分割壁112d、及び画素電極111以外は、その図示を省略しているが、実際には、各画素領域は図1と同様の構成を備えている。
【0041】
図5に示す例では、画素領域Aの周縁部に沿って平面視略矩形枠状の主隔壁112cが形成され、画素領域Aの中央部を通って図示左右方向に横断する分割壁112dが形成されており、これらの主隔壁112cと分割壁112dとにより画素領域Aが2つの領域A1,A2に分割されている。
【0042】
次に、図6(a)に示す例では、画素領域Aの周縁部に沿って平面視略矩形枠状の主隔壁112cが形成され、画素領域Aを図示左右方向に横断する2本の分割壁112d,112dが、互いに略平行に等間隔で形成されており、これらの主隔壁112cと分割壁112d,112dとによって画素領域Aが、ほぼ同一の平面形状を有する3つの領域A1〜A3に分割されている。
図6(b)に示す例では、画素領域Aの周縁部に沿って平面視略矩形枠状の主隔壁112cが形成され、画素領域Aを図示上下方向に横断する2本の分割壁112d,112dが互いに略平行に等間隔で形成されており、これらの主隔壁112cと分割壁112d,112dとによって画素領域Aが、ほぼ同一の平面形状を有する3つの領域A1〜A3に分割されている。
【0043】
次に、図7(a)に示す例では、画素領域Aの周縁部に沿って平面視略矩形枠状の主隔壁112cが形成され、画素領域Aの中央部を通って図示上下左右方向に横断する平面視略十字状の分割壁112dが形成されており、これらの主隔壁112cと分割壁112dとによって画素領域Aが、ほぼ同一の平面形状を有する4つの領域A1〜A4に分割されている。
図7(b)に示す例では、画素領域Aの周縁部に沿って平面視略矩形枠状の主隔壁112cが形成され、画素領域Aを図示上下方向に横断する3本の分割壁112d,112dが互いに略平行に等間隔で形成されており、これらの主隔壁112cと分割壁112d…とによって画素領域Aが、ほぼ同一の平面形状を有する4つの領域A1〜A3に分割されている。
【0044】
次に、図8(a)に示す例では、画素領域Aの周縁部に沿って平面視略矩形枠状の主隔壁112cが形成されるとともに、画素領域Aの中央部を通る平面視略格子状の分割壁112dが形成されており、これらの主隔壁112cと分割壁112dとによって画素領域Aが、ほぼ同一の平面形状を有する6つの領域A1〜A6に分割されている。
図8(b)に示す例では、画素領域Aの周縁部に沿って平面視略矩形枠状の主隔壁112cが形成され、画素領域Aを横断する平面視略格子状の分割壁112dが形成されており、これらの主隔壁112cと分割壁112dとによって画素領域Aが、ほぼ同一の平面形状を有する9つの領域A1〜A9に分割されている。
【0045】
(有機EL装置の製造方法)
次に、上記有機EL装置1を製造する方法について図9〜図12を参照して説明する。
本実施形態の製造方法は、(1)隔壁形成工程、(2)正孔注入/輸送層形成工程、(3)発光層形成工程、(4)電子注入/輸送層形成工程、(5)陰極形成工程及び(6)封止工程等を有する。なお、ここで説明する製造方法は一例であって、必要に応じてその他の工程が追加されたり、上記の工程の一部が除かれたりする。本実施形態において、(2)正孔注入/輸送層形成工程、(3)発光層形成工程は、本発明に係る機能層形成工程を成し、液滴吐出装置を用いた液体吐出法(インクジェット法)を用いて行われる。
なお、基板2上には、それぞれ先の図4に示した、スイッチング用及び駆動用の薄膜トランジスタ123,124を含む回路素子部14、及び画素電極111がすでに形成されているものとする。
【0046】
(1)隔壁形成工程
図9に示すように、画素電極111が形成された基板2上に、主隔壁112c(無機物バンク層112a及び有機物バンク層112b)及び分割壁112dを形成する。上記無機物バンク層112aは、例えば、SiO2、TiO2等の無機物膜を材料として用いることができる。これらの材料は、例えばCVD法、コート法、スパッタ法、蒸着法等によって形成される。更に、無機物バンク層112aの膜厚は50〜200nmの範囲が好ましく、特に150nmがよい。
【0047】
無機物バンク層112aは、層間絶縁層144及び画素電極111の全面に無機物膜を形成し、その後無機物膜をフォトリソグラフィ法等によりパターニングすることにより、開口部を有する無機物バンク層112aとして形成することができる。この開口部は、画素電極111の電極面111aの形成位置に対応するものである。このとき、無機物バンク層112aは画素電極111の周縁部と重なるように形成される。図4に示すように、画素電極111の周縁部と無機物バンク層112aとが重なるように無機物バンク層112aを形成することにより、発光層110の発光領域を制御することができる。
【0048】
次に、図9に示すように、上記無機物バンク層112a上に有機物バンク層112bを形成する。本実施形態の製造方法では、この工程において同時に、画素電極111の所定位置(先の実施形態では画素電極111を図示上下方向に横切る位置)に、分割壁112dを形成する。
有機物バンク層112b、及び分割壁112dとして、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂等の耐熱性、耐溶剤性を有する材料を用いる。これらの材料を用い、有機物バンク層112b、分割壁112dをフォトリソグラフィ技術等によりパターニングして形成される。すなわち、上記無機物バンク層112aの開口部と対応する位置が開口されて上記有機物バンク層112bが形成されるとともに、有機物バンク層112bにより囲まれる領域を2つの領域に区画する分割壁112dが形成される。
【0049】
上記有機物バンク層112aの開口部は、図4及び図9に示すように、無機物バンク層112aに形成された開口部より広く形成する事が好ましい。更に、有機物バンク層112bは図示のようにテーパーを有する形状が好ましく、有機物バンク層112bの最低面では画素電極111の幅より狭く、有機物バンク層112bの最上面では画素電極111の幅とほぼ同一の幅に形成する事が好ましい。すなわち、テーパーを有する有機物バンク層112bの側壁が、底部側で画素電極111の中央部側へ延出された形状とすることが好ましい。
また、分割壁112dの側壁部についても、有機物バンク層112bと同様のテーパー形状を有して形成されることが好ましい。
【0050】
なお、有機物バンク層112bの厚さは、0.1〜3.5μmの範囲が好ましく、特に2μm程度がよい。このような範囲とする理由は以下の通りである。
すなわち、厚さが0.1μm未満では、後述する正孔注入/輸送層及び発光層の合計厚より有機物バンク層112bが薄くなり、発光層110bが有機物バンク層112bの開口部から溢れてしまうおそれがあるので好ましくない。また、厚さが3.5μmを越えると、有機物バンク層112bの開口部による段差が大きくなり、これらのバンク層を覆って形成される陰極12のステップカバレッジが確保できなくなるので好ましくない。また、有機物バンク層112bの厚さを2μm以上にすれば、陰極12と駆動用の薄膜トランジスタ123との絶縁を高めることができる点で好ましい。
【0051】
上記工程において、分割壁112dは、有機物バンク層112bよりも低く形成することができる。このように分割壁112dを相対的に低く形成することで、後述の機能層形成工程において上記開口部に液状組成物を滴下した際に、液状組成物が有機物バンク層112bを乗り越えて隣の画素領域に混入するのを防止しやすくなる。また、画素領域内において陰極12のステップカバレッジを確保し易くなるという利点もある。
【0052】
尚、上記工程では、有機物バンク層112bと、分割壁112dとを同一の工程で形成することにより、工程の効率化を図っているが、これら有機物バンク層112bと分割壁112dとは、別々の工程にて、互いに異なる材料を用いて形成することもできる。
【0053】
また、上記有機物バンク層112b、及び分割壁112dを形成する工程は、アクリル樹脂やポリイミド樹脂等を含む液状組成物を液滴吐出装置により滴下して、基板2上の所定位置に定点配置する液体吐出法により形成することもできる。
【0054】
(2)正孔注入/輸送層形成工程
次に、図9に示すように、画素電極111が形成された基板2上に、正孔注入/輸送層110aを形成する。正孔注入/輸送層形成工程では、液体吐出法を用いることにより、正孔注入/輸送層形成材料を含む組成物を画素電極111上に吐出する。その後に乾燥処理及び熱処理を行い、画素電極111上に正孔注入/輸送層110aを形成する。なお、この正孔注入/輸送層形成工程を含め、以降の工程は、例えば窒素雰囲気、アルゴン雰囲気等の不活性ガス雰囲気で行うことが好ましい。
【0055】
液体吐出法による正孔注入/輸送層の形成手順としては、液体を吐出するための吐出ヘッドHに、正孔注入/輸送層の材料を含有する組成物インクを充填し、吐出ヘッドの吐出ノズルを、バンク部112の開口部内に位置する画素電極111に対向させ、吐出ヘッドと基板2とを相対移動させながら、吐出ノズルから1滴当たりの液量が制御されたインク滴dを吐出する。その後、吐出後のインク滴を乾燥処理して組成物インクに含まれる極性溶媒(液体材料)を蒸発させることにより、正孔注入/輸送層が形成される。
【0056】
ここで用いる組成物としては、例えば、ポリエチレンジオキシチオフェン(PEDOT)等のポリチオフェン誘導体とポリスチレンスルホン酸(PSS)等の混合物を、極性溶媒に溶解させた組成物を用いることができる。極性溶媒としては、例えば、例えば、イソプロピルアルコール(IPA)、ノルマルブタノール、γ−ブチロラクトン、N−メチルピロリドン(NMP)、1,3−ジメチル−2−イミダゾリジノン(DMI)及びその誘導体、カルビト−ルアセテート、ブチルカルビト−ルアセテート等のグリコールエーテル類、ジエチレングリコール等を挙げることができる。より具体的な組成物の組成としては、PEDOT:PSS混合物(PEDOT/PSS=1:20):11重量%、PSS:2重量%、ジエチレングリコール:50重量%、純水:37重量%のものを例示できる。なお、組成物の粘度は2〜20cPs程度が好ましく、特に4〜15cPs程度が良い。
【0057】
(3)発光層形成工程
次に、図9及び図10に示すように、正孔注入/輸送層110aが積層された画素電極111上に発光層110bを形成する。図9では、主隔壁112c及び分割壁112dに囲まれる開口部内に組成物インクを充填し、続いて図10のように赤色発光層110b1、110b1を形成する。ここでは液体吐出法により、発光層用材料を含む組成物インクを正孔注入/輸送層110a上に吐出し、その後に乾燥処理及び熱処理して、主隔壁112c及び分割壁112dに囲まれた開口部内に各色発光層110b、110b1を形成している。
【0058】
発光層形成工程では、正孔注入/輸送層110aの再溶解を防止するために、発光層形成の際に用いる組成物インクの溶媒として、正孔注入/輸送層110aに対して不溶な無極性溶媒を用いる。この場合、無極性溶媒に対する正孔注入/輸送層110aの表面の濡れ性を高めるために、発光層形成の前に表面改質工程を行うのが好ましい。表面改質工程は、例えば上記無極性溶媒と同一溶媒又はこれに類する溶媒を液体吐出法、スピンコート法又はディップ法等により正孔注入/輸送層110a上に塗布した後に乾燥することにより行う。なお、ここで用いる表面改質用溶媒は、組成物インクの無極性溶媒と同一なものとして例えば、シクロヘキシルベンゼン、ジハイドロベンゾフラン、トリメチルベンゼン、テトラメチルベンゼン、イソプロピルビフェニル等を例示でき、組成物インクの無極性溶媒に類するものとしては、例えばトルエン、キシレン等を例示することができる。
【0059】
液体吐出法による発光層の形成手順としては、まず赤色発光層の形成に際しては、図9に示すように、吐出ヘッドHに赤色発光層110b1を形成する材料を含有する組成物インクを充填し、吐出ヘッドHの吐出ノズルを、主隔壁112c及び分割壁112dに囲まれる開口部内に位置する赤色用の正孔注入/輸送層110aに対向させ、吐出ヘッドHと基板2とを相対移動させながら、吐出ノズルから1滴当たりの液量が制御されたインク滴を吐出する。吐出されたインク滴は、正孔注入/輸送層110a上に広がって開口部内に満たされる。続いて、吐出後のインク滴を乾燥処理することにより組成物インクに含まれる無極性溶媒が蒸発し、赤色発光層110b1が形成される。
赤色発光層110b1を形成する発光材料としては、例えばローダミンおよびその誘導体などの有機EL材料からなるものを用いることができる。一方、無極性溶媒としては、正孔注入/輸送層に対して不溶なものが好ましく、例えば、シクロヘキシルベンゼン、ジハイドロベンゾフラン、トリメチルベンゼン、テトラメチルベンゼン、イソプロピルビフェニル等を用いることができる。
【0060】
続いて、正孔注入/輸送層110aが積層された赤色以外の画素電極111の上にも、それぞれの発光層110bを形成する。この発光層形成工程は、前述した赤色発光層形成工程と同様の手順で行われる。なお、緑色発光層を形成する発光材料としては、例えばキナクリドンおよびその誘導体などの有機EL材料からなるものを用いることができ、青色発光層を形成する発光材料としては、例えばジスチリルビフェニルおよびその誘導体、クマリンおよびその誘導体、テトラフェニルブタジエンおよびその誘導体などの有機EL材料からなるものを用いることができる。
【0061】
また、上記(2)正孔注入/輸送層形成工程、及び(3)発光層形成工程では、図3に示した領域(開口部)A1、A2の延在方向(図示上下方向)に沿って吐出ヘッドHを走査し、組成物インクの滴下を行うことが好ましい。このようにして分割壁112dにより区画された領域A1,A2の形状に沿って吐出ヘッドHを走査することで、滴下されたインク組成物が、上記開口部内で不均一に配置されるのを効果的に防止することができ、もって良好な膜厚均一性を有する正孔注入/輸送層、及び発光層を形成することが可能である。
【0062】
(4)電子注入/輸送層形成工程
次に、図11に示すように、発光層110b及びバンク層112の全面に電子注入/輸送層110cを形成する。電子注入/輸送層110cは、蒸着法、スパッタ法、CVD法等で形成することが好ましく、特に蒸着法で形成することが、熱による発光層110bの損傷を防止できる点で好ましい。
【0063】
(5)陰極形成工程
次に、図12に示すように、画素電極(陽極)111と対をなす陰極12を形成する。即ち、各色発光層110b及び有機物バンク層112b(主隔壁112c)、分割壁112dを含む基板2上の領域全面に、カルシウム層12aとアルミニウム層12bとを順次積層して陰極12を形成する。これにより、各色発光層110bの形成領域全体に、陰極12が積層され、赤色、緑色、青色の各色に対応する有機EL素子がそれぞれ形成される。
【0064】
陰極12は、例えば蒸着法、スパッタ法、CVD法等で形成することが好ましく、特に蒸着法で形成することが、熱による発光層110bの損傷を防止できる点で好ましい。また陰極12上に、酸化防止のためにSiO2、SiN等の保護層を設けても良い。
【0065】
(6)封止工程
最後に、有機EL素子(発光素子)が形成された基板2と封止基板3b(図1参照)とを封止樹脂を介して封止する。例えば、熱硬化樹脂または紫外線硬化樹脂からなる封止樹脂を基板2の周縁部に塗布し、封止樹脂上に封止基板3bを配置する。封止工程は、窒素、アルゴン、ヘリウム等の不活性ガス雰囲気で行うことが好ましい。大気中で行うと、陰極12にピンホール等の欠陥が生じていた場合にこの欠陥部分から水や酸素等が陰極12に侵入して陰極12が酸化されるおそれがあるので好ましくない。
【0066】
この後、基板2の配線に陰極12を接続するとともに、基板2上あるいは外部に設けられる駆動IC(駆動回路)に回路素子部14(図1参照)の配線を接続することにより、本実施形態の有機EL装置1が完成する。
【0067】
このように、本実施形態に係る製造方法では、(1)隔壁形成工程において、画素領域毎を区画する主隔壁112c(無機物バンク層112a、有機物バンク層112b)を形成するとともに、画素領域内を区画する分割壁112dを形成するので、パネルの大型化により画素領域を大型化した場合にも、後の(2)正孔注入/輸送層形成工程、(3)発光層形成工程での液体吐出法において、滴下された組成物インクの配置に偏りが生じるのを効果的に防止でき、もって膜厚均一性に優れる有機機能層110を形成することが可能であり、係る製造方法によれば、発光特性が均一な画素が配列された高画質の表示が可能な有機EL装置を容易に製造することができる。また、分割壁112dにより区画された領域に対して、その延在方向に沿って吐出ヘッドを走査しながら上記組成物インクを滴下するならば、さらに組成物インクの配置の偏りを効果的に防止でき、より膜厚均一性に優れる有機機能層の形成が可能である。
また、上述した製造方法のうち、(2)正孔注入/輸送層形成工程、(3)発光層形成工程においては、一貫して液体吐出法が用いられるので工程の簡略化を図ることができる。
【0068】
(カラーフィルタ)
上記では、本発明に係る電気光学装置の一実施形態として有機EL装置を挙げて示したが、本発明は、電気光学装置に用いるカラーフィルタの構成要素となる膜の形成にも適用することができる。図13は基板P上に形成されるカラーフィルタを示す図であり、図14はカラーフィルタの製造手順を示す図である。
【0069】
図13に示すように、本例では長方形形状の基板P上に生産性を向上させる観点から複数個のカラーフィルタ領域251をマトリクス状に形成する。これらカラーフィルタ領域251は、後で基板Pを切断することにより、液晶表示装置等に適合するカラーフィルタとして用いることができる。カラーフィルタ領域251は、R(赤)の液状体組成物、G(緑)の液状体組成物、及びB(青)の液状体組成物をそれぞれ所定のパターン、本例では従来公知のストライプ型で形成される。なお、この形成パターンとしては、ストライプ型の他に、モザイク型、デルタ型、あるいはスクウェア型などでもよい。そして、RGBそれぞれの液状体組成物には上述した界面活性剤が添加されている。
【0070】
このようなカラーフィルタ領域251を形成するには、まず図14(a)に示すように透明の基板Pの一方の面に対し、上記各色毎の色材層の領域を区画する平面視略格子状の主隔壁261が形成される。この主隔壁261の形成方法は、スピンコート後に露光、現像することによる。そして、この主隔壁261に囲まれる領域をさらに分割する分割壁262が形成される。図14(a)では、図3に示した平面形状を有していることとして、主隔壁261,261間に紙面に垂直に延在する分割壁262を図示している。この分割壁262の平面形状は、先の有機EL装置の実施形態で述べた構成例をいずれも適用することが可能である。
次いで、主隔壁261及び分割壁262の格子で囲まれる領域内部にインクが配置される。このとき、主隔壁261及び分割壁262は撥液性を有することが好ましい。また、主隔壁261はブラックマトリクスとして機能することが好ましく、分割壁262はブラックマトリクスとして機能させるか、あるいは充填されるインクと同色に形成することが好ましい。
【0071】
次に、図14(b)に示すように、前記液滴吐出ヘッドから液状体組成物の液滴254が吐出され、フィルタエレメント253に着弾する。吐出する液滴254の量については、加熱工程における液状体組成物の体積減少を考慮した十分な量とする。このようにして基板P上の全てのフィルタエレメント253に液滴254を充填したら、ヒータを用いて基板Pが所定の温度(例えば70℃程度)となるように加熱処理される。この加熱処理により、液状体組成物の溶媒が蒸発して液状体組成物の体積が減少する。この体積現状の激しい場合には、カラーフィルタとして十分な膜厚が得られるまで、液滴吐出工程と加熱工程とを繰り返す。この処理により、液状体組成物に含まれる溶媒が蒸発して、最終的に液状体組成物に含まれる固形分のみが残留して膜化し、図14(c)に示すようなカラーフィルタ(色材層)255となる。
【0072】
次いで、基板Pを平坦化し、且つカラーフィルタ255を保護するために、図14(d)に示すようにカラーフィルタ255やバンク252を覆って基板P上に保護膜256を形成する。この保護膜256の形成にあたっては、スピンコート法、ロールコート法、リッピング法などの方法を採用することができるが、カラーフィルタ255と同様に、液体吐出法により行うこともできる。
次いで、図14(e)に示すようにこの保護膜256の全面に、スパッタ法や真空蒸着法などによって透明導電膜257を形成する。その後、透明導電膜257をパターニングし、図14(f)に示すように画素電極258をフィルタエレメント253に対応させてパターニングする。なお、液状表示パネルの駆動にTFT(Thin Film Transistor)を用いる場合には、このパターニングは不用となる。
【0073】
本実施形態では、カラーフィルタ255を形成する際に本発明の製造方法を適用できる。すなわち、各カラーフィルタ255を形成すべき領域において、主隔壁261により各色毎を区画するととともに、分割壁262により、先の主隔壁261により区画された領域をさらに複数の領域に区画し、これら分割壁262及び主隔壁261により囲まれる領域にカラーフィルタ255を形成する。このような製造方法を適用することで、パネルの大型化に伴い画素領域が大型化された場合にも、上記分割壁262を有していることで、比較的狭い領域内に前記インクを滴下することができるため、インクの配置を正確に行うことができるとともに、形成された色材層の膜厚の均一性に優れたカラーフィルタ基板(電気光学装置用基板)を製造することができる。
【0074】
(電子機器)
図15は、本発明の電子機器の一実施形態を示している。本実施形態の電子機器は、上述した有機EL装置1を表示手段として備えている。図15は、携帯電話の一例を示した斜視図で、符号1000は携帯電話本体を示し、符号1001は上記の有機EL装置1を用いた表示部を示している。このように本発明の電気光学装置に係る有機EL装置を表示手段として備える電子機器は、良好な発光寿命及び発光特性を得ることができる。
【0075】
【実施例】
以下、実施例により本発明をさらに詳細に説明する。
本実施例では、先の実施形態の構成を備えた有機EL装置を、本発明に係る製造方法により作成した。ガラス基板2上に、素子部14等を形成したのち、ITOからなる画素電極111をパターニングして形成し、さらに無機物バンク層112a(主隔壁)をSiO2を用いて、有機物バンク層112b(主隔壁)、及び分割壁112dをアクリル樹脂を用いて、それぞれフォトリソグラフィ技術を用いてパターン形成した。また、本例においてバンク径(無機物バンク層112aの開口径)は、形成する画素サイズに応じて適宜変更し、有機物バンク層112b及び分割壁112dの高さは2μmとした。また、上記主隔壁112c及び分割壁112dの平面形状を種々に変えて作製した。それぞれの平面形状は、図3、図5(実施例1)、図6(実施例2)、図7(実施例3)、図8(a)(実施例4)、図8(b)(実施例5)に示す形状とした。また、比較のために、主隔壁112cのみを形成し、画素領域のサイズを変えたものを2種類(比較例1,比較例2)作製した。各実施例及び比較例の有機EL装置の画素サイズ、及びバンク数(画素領域Aの分割数)を以下の表1に示す。
【0076】
また、上記主隔壁112c及び分割壁112dに囲まれる領域内に、正孔注入/輸送材料のインク組成物の滴下を行うに先立ち、大気圧プラズマによりアクリル樹脂からなる有機物バンク層112b及び分割壁112dの表面を撥インク処理した。この大気圧プラズマ処理の条件は、大気圧下で、パワー300W、電極−基板間距離1mm、酸素プラズマ処理では酸素ガス流量80ccm、ヘリウムガス流量10SLM、テーブル搬送速度10mm/sで行い、続けて、CF4プラズマ処理では、CF4ガス流量100ccm、ヘリウムガス流量10SLM、テーブル搬送速度5mm/sで行った。
【0077】
上記プラズマ処理による表面処理後、以下の表2に示した正孔注入/輸送層用インク組成物を、液滴吐出装置の吐出ヘッド(1ヘッド中180個×2列でノズルが配置されたものを用いた)から吐出し、パターン塗布した。その際の吐出量は、膜厚が800Åになるように調整した。次いで、真空中(1Torr(133Pa))、25℃、20分の乾燥条件で上記インク組成物に含まれる溶媒を除去し、その後、大気中200℃(ホットプレート上)、10分の熱処理を行い、図9に示すような正孔注入/輸送層110aを形成した。
【0078】
次に、以下の(化1)〜(化5)に示すような発光層用材料を表3〜表5に示す組成として用い、液滴吐出装置の吐出ヘッドから吐出し、パターン塗布した。その際の吐出量は、膜厚が800Åになるように調整した。次いで、真空中(1Torr(133Pa))、25℃、20分の乾燥条件で上記インク組成物に含まれる溶媒を除去し、赤色、緑色、青色の各色の発光層110bを形成した。
【0079】
次に、上記にて得られた実施例1〜5及び、比較例1,2の各有機EL装置について、画素領域内(主隔壁112c及び分割壁112dに囲まれる領域内)におけるインクの濡れ性を、顕微鏡観察により行った。その結果を表1に併記する。表1に示すように、本発明に係る製造方法を用いて作製された実施例1ないし5の有機EL装置では、いずれもバンク内にインクが均一に充填されており、良好な膜厚均一性を有する正孔注入/輸送層、及び発光層を形成できることが確認された。これに対して、主隔壁112cのみを形成した比較例1,2の有機EL装置では、バンク内に滴下したインクに偏りが生じ、均一な膜厚に正孔注入/輸送層、及び発光層を形成することができなかった。
【0080】
【表1】
【0081】
【表2】
【0082】
【表3】
【0083】
【表4】
【0084】
【表5】
【0085】
【化1】
【0086】
【化2】
【0087】
【化3】
【0088】
【化4】
【0089】
【化5】
【図面の簡単な説明】
【図1】 図1は、実施形態の有機EL装置を示す斜視構成図。
【図2】 図2は、同、回路構成図。
【図3】 図3は、同、1画素領域を示す平面構成図。
【図4】 図4は、同、断面構成図。
【図5】 図5は、同、1画素領域の他の例示す平面構成図。
【図6】 図6は、同、1画素領域の他の例示す平面構成図。
【図7】 図7は、同、1画素領域の他の例示す平面構成図。
【図8】 図8は、同、1画素領域の他の例示す平面構成図。
【図9】 図9は、有機EL装置の製造方法を示す断面工程図。
【図10】 図10は、有機EL装置の製造方法を示す断面工程図。
【図11】 図11は、有機EL装置の製造方法を示す断面工程図。
【図12】 図12は、有機EL装置の製造方法を示す断面工程図。
【図13】 図13は、実施形態のカラーフィルタの構成図。
【図14】 図14は、同、断面工程図。
【図15】 図15は、電子機器の斜視構成図。
【符号の説明】
1 有機EL装置(電気光学装置)、112a 無機物バンク層(主隔壁)、112b 有機物バンク層(主隔壁)、112c 主隔壁、112d 分割壁、110 有機機能層(機能層)、110a 正孔注入/輸送層、110b(発光層)
Claims (5)
- 支持基板上に配列形成された複数の画素領域を備えた電気光学装置の製造方法であって、
前記支持基板上に前記画素領域毎を一方向に長い平面形状に区画する主隔壁と、前記画素領域内を複数の領域に分割する分割壁とを形成する隔壁形成工程と、
前記分割壁に区画された複数の領域内に、機能層形成用の液状組成物を液滴吐出装置にて滴下する機能層形成工程と
を含み、
前記隔壁形成工程では、前記分割壁を平面視で前記画素領域の長手方向又は短手方向に沿って形成すると共に、前記複数の領域を前記長手方向に長い形状に形成し、
前記機能層形成工程において、前記複数の領域の前記長手方向に沿って、前記液状組成物を順次滴下することを特徴とする電気光学装置の製造方法。 - 前記隔壁形成工程において、前記主隔壁及び/又は分割壁を、撥インク性を有する材料を用いて形成することを特徴とする請求項1に記載の電気光学装置の製造方法。
- 前記主隔壁及び/又は分割壁の表面に、撥インク性を付与する工程を含むことを特徴とする請求項1に記載の電気光学装置の製造方法。
- 前記隔壁形成工程において、
前記主隔壁を形成する工程と、前記分割壁を形成する工程のうち、少なくとも一方の工程が、隔壁形成用の液状組成物を液滴吐出装置にて滴下する工程であることを特徴とする請求項1ないし3のいずれか1項に記載の電気光学装置の製造方法。 - 前記隔壁形成工程において、前記分割壁の高さを前記主隔壁より低く形成することを特徴とする請求項1ないし4のいずれか1項に記載の電気光学装置の製造方法。
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