JPWO2017204150A1 - 有機el表示パネル、有機el表示装置、及び、その製造方法 - Google Patents
有機el表示パネル、有機el表示装置、及び、その製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JPWO2017204150A1 JPWO2017204150A1 JP2018519531A JP2018519531A JPWO2017204150A1 JP WO2017204150 A1 JPWO2017204150 A1 JP WO2017204150A1 JP 2018519531 A JP2018519531 A JP 2018519531A JP 2018519531 A JP2018519531 A JP 2018519531A JP WO2017204150 A1 JPWO2017204150 A1 JP WO2017204150A1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- pixel
- organic
- display panel
- light emitting
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 27
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 515
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 claims abstract description 37
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims abstract description 23
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 97
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 68
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 51
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 claims description 5
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 3
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims 1
- 239000000976 ink Substances 0.000 description 93
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 77
- 230000008569 process Effects 0.000 description 34
- -1 polyethylene Polymers 0.000 description 31
- 239000010408 film Substances 0.000 description 28
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 23
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 23
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 22
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 21
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 20
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 20
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 18
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 18
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 14
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 12
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 10
- 238000009736 wetting Methods 0.000 description 10
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 9
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 9
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 8
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 8
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 8
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 8
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 8
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 8
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 8
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 8
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 7
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 7
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 7
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 7
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 7
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 6
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 6
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 5
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 5
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 5
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 5
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 4
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 4
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 4
- 239000005022 packaging material Substances 0.000 description 4
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 4
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 3
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 3
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 3
- NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N o-biphenylenemethane Natural products C1=CC=C2CC3=CC=CC=C3C2=C1 NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 3
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 3
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 3
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 3
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 3
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000599 Cr alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 150000004696 coordination complex Chemical class 0.000 description 2
- HPDFFVBPXCTEDN-UHFFFAOYSA-N copper manganese Chemical compound [Mn].[Cu] HPDFFVBPXCTEDN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000006059 cover glass Substances 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N fluoranthrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=C22)=C3C2=CC=CC3=C1 GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 2
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 2
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- QGKMIGUHVLGJBR-UHFFFAOYSA-M (4z)-1-(3-methylbutyl)-4-[[1-(3-methylbutyl)quinolin-1-ium-4-yl]methylidene]quinoline;iodide Chemical class [I-].C12=CC=CC=C2N(CCC(C)C)C=CC1=CC1=CC=[N+](CCC(C)C)C2=CC=CC=C12 QGKMIGUHVLGJBR-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- NSMJMUQZRGZMQC-UHFFFAOYSA-N 2-naphthalen-1-yl-1H-imidazo[4,5-f][1,10]phenanthroline Chemical compound C12=CC=CN=C2C2=NC=CC=C2C2=C1NC(C=1C3=CC=CC=C3C=CC=1)=N2 NSMJMUQZRGZMQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005725 8-Hydroxyquinoline Substances 0.000 description 1
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical group [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004709 Chlorinated polyethylene Substances 0.000 description 1
- WDECIBYCCFPHNR-UHFFFAOYSA-N Chrysene Natural products C1=CC=CC2=CC=C3C4=CC=CC=C4C=CC3=C21 WDECIBYCCFPHNR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001182 Mo alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910015202 MoCr Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- YNPNZTXNASCQKK-UHFFFAOYSA-N Phenanthrene Natural products C1=CC=C2C3=CC=CC=C3C=CC2=C1 YNPNZTXNASCQKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 1
- 229930182556 Polyacetal Natural products 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 1
- PJANXHGTPQOBST-VAWYXSNFSA-N Stilbene Natural products C=1C=CC=CC=1/C=C/C1=CC=CC=C1 PJANXHGTPQOBST-VAWYXSNFSA-N 0.000 description 1
- XBDYBAVJXHJMNQ-UHFFFAOYSA-N Tetrahydroanthracene Natural products C1=CC=C2C=C(CCCC3)C3=CC2=C1 XBDYBAVJXHJMNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000641 acridinyl group Chemical class C1(=CC=CC2=NC3=CC=CC=C3C=C12)* 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Natural products C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BBEAQIROQSPTKN-UHFFFAOYSA-N antipyrene Natural products C1=CC=C2C=CC3=CC=CC4=CC=C1C2=C43 BBEAQIROQSPTKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 1
- ZYGHJZDHTFUPRJ-UHFFFAOYSA-N benzo-alpha-pyrone Natural products C1=CC=C2OC(=O)C=CC2=C1 ZYGHJZDHTFUPRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N chromium nickel Chemical compound [Cr].[Ni] VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000013065 commercial product Substances 0.000 description 1
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- 229960000956 coumarin Drugs 0.000 description 1
- 235000001671 coumarin Nutrition 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000000313 electron-beam-induced deposition Methods 0.000 description 1
- ZSWFCLXCOIISFI-UHFFFAOYSA-N endo-cyclopentadiene Natural products C1C=CC=C1 ZSWFCLXCOIISFI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VPUGDVKSAQVFFS-UHFFFAOYSA-N hexabenzobenzene Natural products C1=C(C2=C34)C=CC3=CC=C(C=C3)C4=C4C3=CC=C(C=C3)C4=C2C3=C1 VPUGDVKSAQVFFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- CWQXQMHSOZUFJS-UHFFFAOYSA-N molybdenum disulfide Chemical compound S=[Mo]=S CWQXQMHSOZUFJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N naphthalene-acid Natural products C1=CC=CC2=CC=CC=C21 UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001120 nichrome Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N nonaoxidotritungsten Chemical compound O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1 QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 1
- 238000001579 optical reflectometry Methods 0.000 description 1
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 1
- 239000012860 organic pigment Substances 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 150000004866 oxadiazoles Chemical class 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 229960003540 oxyquinoline Drugs 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229920000172 poly(styrenesulfonic acid) Polymers 0.000 description 1
- 229920001707 polybutylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920002098 polyfluorene Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 1
- 229920006324 polyoxymethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 229940005642 polystyrene sulfonic acid Drugs 0.000 description 1
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 1
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 1
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- JEXVQSWXXUJEMA-UHFFFAOYSA-N pyrazol-3-one Chemical class O=C1C=CN=N1 JEXVQSWXXUJEMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003219 pyrazolines Chemical class 0.000 description 1
- RQGPLDBZHMVWCH-UHFFFAOYSA-N pyrrolo[3,2-b]pyrrole Chemical compound C1=NC2=CC=NC2=C1 RQGPLDBZHMVWCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WVIICGIFSIBFOG-UHFFFAOYSA-N pyrylium Chemical class C1=CC=[O+]C=C1 WVIICGIFSIBFOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 239000005060 rubber Substances 0.000 description 1
- 229910052701 rubidium Inorganic materials 0.000 description 1
- IGLNJRXAVVLDKE-UHFFFAOYSA-N rubidium atom Chemical compound [Rb] IGLNJRXAVVLDKE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 230000002269 spontaneous effect Effects 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000021286 stilbenes Nutrition 0.000 description 1
- 239000013589 supplement Substances 0.000 description 1
- 239000002352 surface water Substances 0.000 description 1
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 229920002725 thermoplastic elastomer Polymers 0.000 description 1
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 150000005075 thioxanthenes Chemical class 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 1
- 150000003852 triazoles Chemical class 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920006305 unsaturated polyester Polymers 0.000 description 1
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KAKZBPTYRLMSJV-UHFFFAOYSA-N vinyl-ethylene Natural products C=CC=C KAKZBPTYRLMSJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
- 238000003079 width control Methods 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
- G09F9/00—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
- G09F9/30—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements
- G09F9/302—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements characterised by the form or geometrical disposition of the individual elements
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
- G09F9/00—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
- G09F9/30—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/10—Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
- H05B33/22—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of auxiliary dielectric or reflective layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/14—Carrier transporting layers
- H10K50/15—Hole transporting layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/14—Carrier transporting layers
- H10K50/16—Electron transporting layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/1201—Manufacture or treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/124—Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/805—Electrodes
- H10K59/8051—Anodes
- H10K59/80515—Anodes characterised by their shape
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
- H10K71/13—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating using printing techniques, e.g. ink-jet printing or screen printing
- H10K71/135—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating using printing techniques, e.g. ink-jet printing or screen printing using ink-jet printing
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/302—Details of OLEDs of OLED structures
- H10K2102/3023—Direction of light emission
- H10K2102/3026—Top emission
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/126—Shielding, e.g. light-blocking means over the TFTs
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
- H10K59/38—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising colour filters or colour changing media [CCM]
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
Description
有機EL表示パネルの光取り出し効率を向上させる手法として、例えば、特許文献2に開示されているように、リフレクタ(反射構造)を有する構造をとる手法がある。特許文献2では、各画素を構成するサブ画素のそれぞれにリフレクタを備える構造であるが、よりリフレクタの効果を向上させるため、サブ画素内に複数のリフレクタを備える構造が検討されている。この場合、下部電極と機能層との間に画素内絶縁層を設け、サブ画素内にリフレクタを備えるマイクロ画素を複数形成する方法で、リフレクタ構造が形成できる。
本開示の一態様に係る有機EL表示パネルは、複数の画素が行列状に配された有機EL表示パネルであって、各画素は、下部電極を含む下部層、画素内絶縁層、発光層を含む塗布型の機能層、上部電極の順に積層されてなり、前記下部層は、前記画素内絶縁層に被覆されない露出部分を有し、前記画素内絶縁層は、前記露出部分の周囲において、前記上部電極方向に延びるとともに画素周縁方向に拡がる傾斜面を有し、前記下部層を平面視したときの前記露出部分の形状は、複数の長尺形状の組み合わせからなることを特徴とする。
1 回路構成
1.1 表示装置1の回路構成
以下では、実施の形態に係る有機EL表示装置1(以後、「表示装置1」とする)の回路構成について、図1を用い説明する。
表示パネル10における、複数の有機EL素子は、R(赤)、G(緑)、B(青)に発光する3色のサブ画素(不図示)から構成される。各サブ画素100seの回路構成について、図2を用い説明する。
本実施の形態に係る表示パネル10について、図面を用いて説明する。なお、図面は模式図であって、その縮尺は実際とは異なる場合がある。
0.5≦D/Wl≦2.0
また、壁面の傾斜角Rは、(Wh−Wl)/2Dにより定義される。
表示パネル10における有機EL素子100の構成を図5〜7の模式断面図を用いて説明する。図5は図4(b)におけるA1−A1で、図6はA2−A2で、図7はB−Bにおいてそれぞれ切断した模式断面図である。
図5に示すように、下部基板100p上には、ゲート電極101、102が互いに間隔をあけて形成され、ゲート電極101、102および基板100xの表面を被覆するように、ゲート絶縁層103が形成されている。ゲート絶縁層103上には、ゲート電極101、102のそれぞれに対応してチャネル層104、105が形成されている。そして、チャネル層104、105およびゲート絶縁層103の表面を被覆するように、チャネル保護層106が形成されている。
(1)画素電極層119
層間絶縁層118上には、サブ画素単位で画素電極層119が設けられている。画素電極層119は、発光層123へキャリアを供給するためのものであり、例えば、陽極として機能した場合には、発光層123へホールを供給する。また、パネル10はトップエミッション型であるため、画素電極層119は、光反射性を有する。画素電極層119の形状は、矩形形状をした平板上であり、行方向に間隔δXをあけて、間隙522zのそれぞれにおいて列方向にδYをあけて基板100x上に配されている。また、層間絶縁層118における接続電極層117の上方に開設されたコンタクトホール118aを通して、画素電極層119の接続凹部119cと接続電極層117とが接続されている。これにより、接続電極層117を介して画素電極層119とTFTのソースS1とが接続される。接続凹部119cは、画素電極層119の一部を基板100x方向に凹入された構造である。
行列上に配されている画素電極層119の少なくとも端縁を被覆するように絶縁物からなる絶縁層122が形成されている。
列バンク522Yは、絶縁層122Y上方に列方向に延伸して行方向に複数並設されている。列バンク522Yは、発光層123の材料となる有機化合物を含んだインクの行方向への流動を堰き止めて形成される発光層123の行方向外縁を規定するものである。列バンク522Yは、画素電極層119の行方向における外縁部119a3、a4上方に存在し、画素電極層119の一部と重なった状態で形成されている。列バンク522Yの形状は、行方向に延伸する線状であり、列方向に平行に切った断面は上方を先細りとする順テーパー台形状である。列バンク522Yは絶縁層122Xと直交する行方向に沿った状態で設けられており、列バンク522Yは絶縁層122Xの上面よりも高い位置に上面を有する。
絶縁層122、列バンク522Y、及び開口122z内における画素電極層119上には、ホール注入層120、ホール輸送層121が順に積層され、ホール輸送層121はホール注入層120に接触している。ホール注入層120、ホール輸送層121は、画素電極層119から注入されたホールを発光層123へ輸送する機能を有する。
表示パネル10は、列バンク122Yとその間隙522zとが交互に多数並んだ構成を有する。列バンク122Yにより規定された間隙522zには、ホール輸送層121の上面に発光層123が列方向に延伸して形成されている。発光領域100aRに対応する赤色間隙522zR、発光領域100aGに対応する緑色間隙522zG、発光領域100aBに対応する青色間隙522zBには、それぞれ各色に発光する発光層123が形成されている。
列バンク522Y上および列バンク522Yにより規定された間隙522z内には、発光層123の上に電子輸送層124が形成されている。また、本例では、発光層123から露出する各列バンク522Y上にも配されている。電子輸送層124は、対向電極層125から注入された電子を発光層123へ輸送する機能を有する。
電子輸送層124を被覆するように対向電極層125が積層形成されている。対向電極層125については、表示パネル10全体に連続した状態で形成され、ピクセル単位あるいは数ピクセル単位でバスバー配線に接続されていてもよい(図時を省略)。対向電極層125は、画素電極層119と対になって発光層123を挟むことで通電経路を作り、発光層123へキャリアを供給するものであり、例えば、陰極として機能した場合は、発光層123へ電子を供給する。対向電極層125は、電子輸送層124の表面に沿って形成され、各発光層123に共通の電極となっている。
対向電極層125を被覆するように、封止層126が積層生成されている。封止層126は、発光層123が水分や空気などに触れて劣化することを抑制するためのものである。封止層126は、対向電極層125の上面を覆うように、表示パネル10前面にわたって設けられている。封止層126の材料としては、表示パネル10がトップエミッション型であるため、例えば、窒化シリコン、酸窒化シリコンなどの光透過性材料が用いられる。
封止層126のZ軸方向上方には、上部基板130のZ軸方向下側の主面にカラーフィルタ層128および遮光層129が形成されたCF基板131が配されており、接合層127により接合されている。接合層127は、基板100xから封止層126までの各層からなる背面パネルとCF基板131とを貼り合わせるとともに、各層が水分や空気に晒されることを防止する機能を有する。
接合層127の上に、上部基板130にカラーフィルタ層128、遮光層129が形成されたCF基板131が設置・接合されている。上部基板130には、表示パネル10がトップエミッション型であるため、例えば、カバーガラス、透明樹脂フィルムなどの光透過性材料が用いられる。また、上部基板130により、表示パネル10の剛性向上、水分や空気などの侵入防止などを図ることができる。
上部基板130には画素の各色発光領域100aに対応する位置にカラーフィルタ層128が形成されている。カラーフィルタ層128は、R、G、Bに対応する波長の可視光を透過させるために設けられる透明層であり、各色画素から出射された光を透過させて、その色度を矯正する機能を有する。例えば、本例では、赤色間隙522zR内の発光領域100aR、緑色間隙522zG内の発光領域100aG、青色間隙522zB内の発光領域100aBの上方に、赤色、緑色、青色のフィルタ層128R、128G、128Bが各々形成されている。カラーフィルタ層128は、具体的には、例えば、複数の開口部を画素単位で行列上に形成したカラーフィルタ形成用のカバーガラスからなる上部基板130に対し、カラーフィルタ材料および溶媒を含有したインクを塗布する工程により形成される。
上部基板130には、各画素の発光領域100a間の境界に対応する位置に遮光層129が形成されている。
図5、6、7に示す各部の構成材料について、一例を示す。
基板100x0は、公知のTFT基板の材料を用いることができる
下部基板100pとしては、例えば、ガラス基板、石英基板、シリコン基板、硫化モリブデン、銅、亜鉛、アルミニウム、ステンレス、マグネシウム、鉄、ニッケル、金、銀などの金属基板、ガリウム砒素基などの半導体基板、プラスチック基板等を採用することができる。
画素電極層119は、金属材料から構成されている。トップエミッション型の本実施の形態に係る表示パネル10の場合には、その表面部が高い反射性を有することが好ましい。本実施の形態に係る表示パネル10では、画素電極層119は、金属層、合金層、透明導電膜の中から選択される複数の膜を積層させた構造であってもよい。金属層としては、例えば、銀(Ag)またはアルミニウム(Al)を含む金属材料から構成することができる。合金層としては、例えば、APC(銀、パラジウム、銅の合金)、ARA(銀、ルビジウム、金の合金)、MoCr(モリブデンとクロムの合金)、NiCr(ニッケルとクロムの合金)等を用いることができる。透明導電層の構成材料としては、例えば、酸化インジウムスズ(ITO)や酸化インジウム亜鉛(IZO)などを用いることができる。
絶縁層122は、絶縁性材料から構成された層であり、例えば、窒化シリコン(SiN)、酸窒化シリコン(SiON)などの無機材料を用い形成される。
列バンク522Yは、樹脂等の有機材料を用い形成されており絶縁性を有する。列バンク522Yの形成に用いる有機材料の例としては、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、ノボラック型フェノール樹脂等があげられる。列バンク522Yは、有機溶剤耐性を有することが好ましい。さらに、列バンク522Yは、製造工程中において、エッチング処理、ベーク処理など施されることがあるので、それらの処理に対して過度に変形、変質などをしないような耐性の高い材料で形成されることが好ましい。また、表面に撥水性をもたせるために、表面をフッ素処理することもできる。また、列バンク522Yの形成にフッ素を含有した材料を用いてもよい。
ホール注入層120は、例えば、銀(Ag)、モリブデン(Mo)、クロム(Cr)、バナジウム(V)、タングステン(W)、ニッケル(Ni)、イリジウム(Ir)などの酸化物、あるいは、PEDOT(ポリチオフェンとポリスチレンスルホン酸との混合物)などの導電性ポリマー材料からなる層である。
ホール輸送層121は、例えば、ポリフルオレンやその誘導体、あるいはポリアリールアミンやその誘導体などの高分子化合物などを用いることができる。
発光層123は、上述のように、ホールと電子とが注入され再結合されることにより励起状態が生成され発光する機能を有する。発光層123の形成に用いる材料は、湿式印刷法を用い製膜できる発光性の有機材料を用いることが必要である。
電子輸送層124は、例えば、オキサジアゾール誘導体(OXD)、トリアゾール誘導体(TAZ)、フェナンスロリン誘導体(BCP、Bphen)などを用い形成されている。
対向電極層125は、例えば、酸化インジウムスズ(ITO)若しくは酸化インジウム亜鉛(IZO)などを用い形成される。また、銀(Ag)又はアルミニウム(Al)などを薄膜化した電極を用いてもよい。
封止層126は、発光層123などの有機層が水分に晒されたり、空気に晒されたりすることを抑制する機能を有し、例えば、窒化シリコン(SiN)、酸窒化シリコン(SiON)などの透光性材料を用い形成される。また、窒化シリコン(SiN)、酸窒化シリコン(SiON)などの材料を用い形成された層の上に、アクリル樹脂、シリコーン樹脂などの樹脂材料からなる封止樹脂層を設けてもよい。
接合層127の材料は、例えば、樹脂接着剤等からなる。接合層127は、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂などの透光性材料樹脂材料を採用することができる。
上部基板130としては、例えば、ガラス基板、石英基板、プラスチック基板等の透光性材料を採用することができる。
カラーフィルタ層128としては、公知の樹脂材料(例えば市販製品として、JSR株式会社製カラーレジスト)等を採用することができる。
遮光層129としては、紫外線硬化樹脂(例えば紫外線硬化アクリル樹脂)材料を主成分とし、これに黒色顔料を添加してなる樹脂材料からなる。黒色顔料としては、例えば、カーボンブラック顔料、チタンブラック顔料、金属酸化顔料、有機顔料などの遮光性材料を採用することができる。
表示パネル10の製造方法について、図面を用い説明する。図8(a)〜(e)、図9(a)〜(c)、図10(a)〜(c)は、有機EL表示パネル10の製造における各工程での状態を示す図4(b)におけるA1−A1と同じ位置で切断した模式断面図であり、図12(a)〜(d)、図13(a)〜(d)は、有機EL表示パネル10の製造における各工程での状態を示す図4(b)におけるB−Bと同じ位置で切断した模式断面図である。
先ず、ソース電極107、110およびドレイン電極108、109までが形成された基板100x0を準備する(図8(a))。基板100x0は、公知のTFTの製造方法により製造することができる。
層間絶縁層118における接続電極層117上にコンタクト孔を開設し、画素電極層119を形成する(図8(e))。画素電極層119の形成は、スパッタリング法あるいは真空蒸着法などを用い金属膜を形成した後、フォトリソグラフィ法およびエッチング法を用いパターニングすることでなされる。なお、画素電極層119は、接続電極層117と電気的に接続された状態となる。
CVD法を用いて酸化金属、窒化金属(例えば、窒化シリコン(SiN)、酸窒化シリコン(SiON))からなるフォトレジスト膜122Rを形成した後(図9(a)、図12(a))、乾燥し、溶媒をある程度揮発させてから、所定の開口部が施されたフォトマスクPMを重ね、その上から紫外線照射を行い感光性樹脂等からなるフォトレジストにフォトマスクPMが有するパターンを転写する(図9(b)、図12(b))。
列バンク522Yの形成は、先ず、絶縁層122上に、スピンコート法などを用い、列バンク522Yの構成材料(例えば、感光性樹脂材料)からなる膜522YRを積層形成する(図9(c)、図12(c))。そして、樹脂膜をパターニングして間隙522zを開設して列バンク522Yを形成する(図12(d))。間隙522zの形成は、樹脂膜の上方にマスクを配して露光し、その後で現像することによりなされる。列バンク522Yは、絶縁層122Yの上面に沿って列方向に延設され、行方向に間隙522zを介して並設される。
画素電極層119、絶縁層122、列バンク522Y上に対して、ホール注入層120、ホール輸送層121を形成する(図10(a)、図13(a))。ホール注入層120、ホール輸送層121は、スパッタリング法を用い酸化金属(例えば、酸化タングステン)からなる膜を形成した後、フォトリソグラフィ法およびエッチング法を用い各画素単位にパターニングしてもよい。
列バンク522Yで規定された各間隙522z内に、ホール輸送層121側から順に、発光層123、および電子輸送層124を積層形成する。
インクジェット法を用いて、発光層6を形成する工程を量産的に行う方法について説明する。図14(a)、(b)は、基板に対して発光層形成用のインクを塗布する工程を示す図であり、(a)は列バンク522Y間の間隙522zに一様に塗布する場合、(b)は絶縁層122Xと122Yとで規定される格子状の領域に塗布する場合である。
絶縁層122Xと122Yとで規定される格子状の領域に塗布する。
発光層123は、発光領域100aだけでなく、隣接する非発光領域100bまで連続して延伸されてもよい。このようにすると、発光層123の形成時に、発光領域100aに塗布されたインクが、非発光領域100bに塗布されたインクを通じて列方向に流動でき、列方向の画素間でその膜厚を平準化することができる。但し、非発光領域100bでは、絶縁層122Xによって、インクの流動が程良く抑制される。よって、列方向に大きな膜厚むらが発生しにくく画素毎の輝度むらが改善される。
スパッタリング法などを用い電子輸送層124を形成する。その後、電子輸送層124を被覆するように、対向電極層125および封止層126を順に積層形成する(図10(c)、図13(d))。対向電極層125および封止層126は、CVD法、スパッタリング法などを用い形成できる。
次に、図面を用いてCF基板131の製造工程を例示する。図16(a)〜(f)は、有機EL表示パネル10の製造におけるCF基板131製造の各工程での状態を示す模式断面図である。
次に、有機EL表示パネルの製造におけるCF基板131と背面パネルとの貼り合わせ工程について説明する。図11(a)〜(b)は、図4(b)におけるA1−A1と同じ位置で切断した模式断面図、図15(a)〜(b)は、図4(b)におけるB−Bと同じ位置で切断した模式断面図である。
図17、図18を用いて、実施の形態に係るリフレクタ構造と、従来のリフレクタ構造とにおける、光取り出し効率、および、インクの濡れ拡がりを比較して説明する。
図17(f)は、本実施の形態に係るサブ画素100seを平面視したものであり、絶縁層122は、図19(a)に示すような形状となる(以下、「サンプルF」と参照する)。
一方、図17(a)は、従来のリフレクタ構造によるサブ画素100seAを示したものである(以下、「サンプルA」と参照する)。サンプルAに係るリフレクタ構造においては、絶縁層122Aにおいて、切頭正四角錐形の開口122zAが複数開設されている。より具体的には、平面視したときに正方形となる切頭正四角錐形の開口122zAが48個、X方向に3列、Y方向に16列となるように等間隔に設置されている。この48個の開口122zAの部分が発光領域100aとなる。なお、サンプルFの各開口122zでは、列方向の幅は行方向の幅の20倍(20:1)であるのに対し、サンプルAの各開口122zAでは、列方向の幅と行方向の幅は等しい(1:1)。なお、サンプルAとサンプルFではサブ画素100seの形状は同一であるため、行方向の幅においては、サンプルAの各開口122zAと各開口122zとで略同程度である。
リフレクタの光取り出し効率は、サンプルAに対しサンプルFでは光の取り出し効率は低下するものの、その程度はおよそ1.4/1.6倍程度と、リフレクタの効果を大きく損なうものではない。これは、以下の理由が考えられる。リフレクタの光取り出し効率は、反射構造となる、開口122zの周囲の傾斜面122tの面積が大きいほど高くなる。そのため、開口の列方向の幅と行方向における幅が近いほど高い。そのため、サンプルAでは、リフレクタとして好適な構造となるため、光の取り出し効率が高い。これに対し、サンプルFでは、行方向に延伸する絶縁層122の桟がサブ画素100seの列方向の両端にしか存在しないため、行方向に延伸する傾斜面の面積が小さく、光取り出し効率はサンプルAよりも低くなる。一方で、サンプルFでは、列方向において発光領域100aと列方向に延伸する傾斜面の面積とが共にサンプルAよりも大きくなる。そのため、光取り出し効率が大きく損なわれなかったものと考えられる。
インクの濡れ拡がりについて、同量のインクを用いて機能層を形成する実験を行い、形成された機能層の面積から濡れ割合を比較した。その結果を図18に示す。インクの濡れ割合は、サンプルAでは24%であったのに対し、サンプルFでは75%と大きく向上した。これは、以下の理由が考えられる。サンプルAでは、開口122zAの間にある桟の数も面積も多く、インクの流動性が妨げられる。また、開口122zAの面積が小さいため、インクの表面張力により、毛管現象によってインクが各開口122zA内部に留まったまま隣接する開口に流れ込みづらく、インクが濡れ拡がりにくいことが考えられる。一方、サンプルFでは、列方向にインクの流動性を妨げる桟が存在しないため、容易に列方向にインクが流れる。また、開口122zが列方向に延伸する長尺形状であるため、インクが列方向によって自発的に流れるため、インクの列方向の流れが毛管現象によって妨げられることがない。
以上の結果に鑑みると、サンプルFでは、サンプルAと比べ、光の取り出し効率は少し低下するものの、インクの濡れ性が向上する。すなわち、実施の形態に係るサブ画素100seの構造では、塗布型の機能層の膜厚を均一化し、未濡れを抑止する効果が大きい。したがって、実施の形態に係る発光パネルでは、塗布型の機能層を有する有機ELパネルにおいて、光取り出し効率の向上と、機能層の膜厚均一化による高効率化、長寿命化とを両立させることができる。
実施の形態に係るサンプルFでは、絶縁層122の開口122z1、z2、z3は列方向(図3のY方向)に延伸するスリット状の開口であるとしたが、他の開口形状においても検討を行った。
サンプルFでは、開口は列方向(図3のY方向)に延伸するスリット状の開口であることから、列方向に延伸する長さが異なる構成について検討を行った。サンプルFでは、開口122zの列方向の長さが行方向の長さの20倍であったが、開口122zDの列方向の長さが行方向の長さの5倍であるサンプルD(図17(d))、および、開口122zBの列方向の長さが行方向の長さの2倍であるサンプルB(図17(b))についても検討を行った。なお、開口122z、122zB、122zDの行方向の幅は略同一である。
一方で、開口の延伸方向とインクの濡れ性および光取り出し効率との確認を行うため、行方向に延伸する開口について検討を行った。そこで、サンプルDに対し、開口122zEの行方向の長さが列方向の長さの5倍であるサンプルE(図17(e))、および、サンプルBに対し、開口122zCの行方向の長さが列方向の長さの2倍であるサンプルC(図17(c))について検討を行った。なお、開口122zC、122zEの列方向の幅は略同一である。
さらに、開口の形状が同一方向の長尺形状の組み合わせ以外の場合についても検討を行った。
以上説明したように、画素内絶縁層の開口の形状は、複数の長尺形状を組み合わせた形状であれば、インクの濡れ拡がりが改善されることが明らかとなった。ここで、画素内絶縁層の開口の形状が複数の長尺形状の組み合わせであるとは、1つのサブ画素100seに係る絶縁層122において、2以上の長尺形状の開口122zが互いに間隔をあけて、または、その一部が重複するように、存在することをいう。このような構成により、塗布型の機能層形成時にインクの濡れ拡がりが改善され、機能層の膜厚を均一化することができ、発光効率とパネル寿命の向上に寄与する。さらに、リフレクタの効果を得ることができるため、さらに、輝度の向上にも奏功する。
実施の形態では、本実施の形態に係る表示パネル10を説明したが、本発明は、その本質的な特徴的構成要素を除き、以上の実施の形態に何ら限定を受けるものではない。例えば、各実施の形態に対して当業者が思いつく各種変形を施して得られる形態や、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で各実施の形態における構成要素及び機能を任意に組み合わせることで実現される形態も本発明に含まれる。以下では、そのような形態の一例として、パネル10の変形例を説明する。
実施の形態に係る表示パネル10では、サブ画素100seには、赤色画素、緑色画素、青色画素の3種類があったが、本発明はこれに限られない。例えば、発光層が1種類でありサブ画素が1種類のみであってもよいし、発光層が赤、緑、青、黄色に発光する4種類であり、サブ画素が4種類であってもよい。また、1種類のサブ画素が2以上の発光層を有していてもよく、例えば、黄色に発光するサブ画素が赤色発光層と緑色発光層とを備えていてもよい。また、カラーフィルタとの組み合わせにより、発光層の種類数より多い種類のサブ画素を実現してもよく、例えば、白色の発光層と、赤色透過フィルタ、緑色透過フィルタ、青色透過フィルタのそれぞれとを組み合わせて、赤色画素、緑色画素、青色画素のそれぞれを実現してもよい。また、単位画素100eは必ずしも複数のサブ画素100seからなる必要はない。例えば、単位画素100eは1のサブ画素100seからなり、単位画素100eが実施の形態に係るサブ画素100seと同一の構造を有していてもよい。
以上で説明した実施の形態は、いずれも本発明の好ましい一具体例を示すものである。実施の形態で示される数値、形状、材料、構成要素、構成要素の配置位置及び接続形態、工程、工程の順序などは一例であり、本発明を限定する主旨ではない。また、実施の形態における構成要素のうち、本発明の最上位概念を示す独立請求項に記載されていない工程については、より好ましい形態を構成する任意の構成要素として説明される。
10 有機EL表示パネル
100 有機EL素子
100e 単位画素
100se サブ画素
100a 自己発光領域
100b 非自己発光領域
100x 基板(TFT基板)
100p 下部基板
101 ゲート電極
102 ゲート絶縁層
104、105 チャネル層
106 チャネル保護層
107、110 ソース電極
108、109 ドレイン電極
111 ソース下部電極
112 ドレイン下部電極
113 コンタクトプラグ
116 パッシベーション層
117 接続電極層
118 層間絶縁層
119 画素電極層
119a1、a2、a3、a4 外縁部
119b コンタクト領域(コンタクトウインドウ)
119c 接続凹部
120 ホール注入層
121 ホール輸送層
122、122X、122Y 絶縁層
122z 間隙
122w 桟
123 発光層
124 電子輸送層
125 対向電極層
126 封止層
127 接合層
128 カラーフィルタ層
129 遮光層
129X 行遮光層
129Y 列遮光層
130 上部基板
131 CF基板
522Y 列バンク
522z 間隙
Claims (9)
- 複数の画素が行列状に配された有機EL表示パネルであって、
各画素は、下部電極を含む下部層、画素内絶縁層、発光層を含む塗布型の機能層、上部電極の順に積層されてなり、
前記下部層は、前記画素内絶縁層に被覆されない露出部分を有し、
前記画素内絶縁層は、前記露出部分の周囲において、前記上部電極方向に延びるとともに画素周縁方向に拡がる傾斜面を有し、
前記下部層を平面視したときの前記露出部分の形状は、複数の長尺形状の組み合わせからなる、
有機EL表示パネル。 - 前記下部層を平面視したとき、行方向に複数の露出部分が並び、
前記露出部分のそれぞれは、列方向に延伸する
請求項1の有機EL表示パネル。 - 前記下部層を平面視したとき、前記列方向に複数の露出部分が並ぶ
請求項2の有機EL表示パネル。 - 前記下部層を平面視したとき、列方向に複数の露出部分が並び、
前記露出部分のそれぞれは、行方向に延伸する
請求項1の有機EL表示パネル。 - 前記下部層を平面視したとき、前記行方向に複数の露出部分が並ぶ
請求項4の有機EL表示パネル。 - 前記下部層を平面視したときの前記露出部分の形状は、列方向に延伸する複数の長尺形状のそれぞれが、その一部において、行方向に延伸する1以上の長尺形状と重なった形状である
請求項1の有機EL表示パネル。 - 前記下部層を平面視したときの前記露出部分の形状は、行方向に延伸する複数の長尺形状のそれぞれが、その一部において、列方向に延伸する1以上の長尺形状と重なった形状である
請求項1の有機EL表示パネル。 - 請求項1から7のいずれか1項に記載の有機EL表示パネルを備えた有機EL表示装置。
- 複数の画素が行列状に配された有機EL表示パネルの製造方法であって、
基板を準備し、
前記基板上に行列上に配され光反射材料からなる複数の画素電極層を形成し、
前記基板及び前記画素電極上に絶縁層を形成し、
前記絶縁層における前記画素電極層上方に、前記画素電極層を露出させる開口であって、前記画素電極層を平面視したときに複数の長尺形状の組み合わせからなり、周囲に上方に延びるとともに画素周縁方向に拡がる傾斜面を有する開口をフォトリソグラフィ法により形成し、
前記複数の画素電極層のそれぞれの上方に、発光層の材料を含むインクを塗布して乾燥することにより、少なくとも前記複数の開口内に前記発光層を含む機能層を形成し、
前記複数の発光層上に透光性の対向電極層を形成する
有機EL表示パネルの製造方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016103705 | 2016-05-24 | ||
JP2016103705 | 2016-05-24 | ||
PCT/JP2017/019003 WO2017204150A1 (ja) | 2016-05-24 | 2017-05-22 | 有機el表示パネル、有機el表示装置、及び、その製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2017204150A1 true JPWO2017204150A1 (ja) | 2019-03-14 |
Family
ID=60412347
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018519531A Pending JPWO2017204150A1 (ja) | 2016-05-24 | 2017-05-22 | 有機el表示パネル、有機el表示装置、及び、その製造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20190206287A1 (ja) |
JP (1) | JPWO2017204150A1 (ja) |
CN (1) | CN109156064A (ja) |
WO (1) | WO2017204150A1 (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11022728B2 (en) * | 2017-03-30 | 2021-06-01 | Sharp Kabushiki Kaisha | Display device |
JP6976571B2 (ja) * | 2018-02-23 | 2021-12-08 | 株式会社Joled | 有機el表示パネルの製造方法、及び有機el表示パネル |
JP6807350B2 (ja) * | 2018-05-30 | 2021-01-06 | 株式会社Joled | 有機el表示パネル、有機el表示装置、及び、有機el表示パネルの製造方法 |
CN110379844B (zh) * | 2019-08-22 | 2021-07-20 | 昆山国显光电有限公司 | 显示面板、显示装置及显示面板制备方法 |
US20230062563A1 (en) * | 2020-01-30 | 2023-03-02 | Sharp Kabushiki Kaisha | Display device |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004192977A (ja) * | 2002-12-12 | 2004-07-08 | Hitachi Ltd | 発光素子およびこの発光素子を用いた表示装置 |
JP2004335180A (ja) * | 2003-05-01 | 2004-11-25 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置、電気光学装置用基板、及び電気光学装置の製造方法 |
JP2006164846A (ja) * | 2004-12-09 | 2006-06-22 | Nikon Corp | メモリカードスロット装置および電子機器 |
JP2007311236A (ja) * | 2006-05-19 | 2007-11-29 | Seiko Epson Corp | デバイス、膜形成方法及びデバイスの製造方法 |
WO2009133680A1 (ja) * | 2008-04-28 | 2009-11-05 | パナソニック株式会社 | 表示装置およびその製造方法 |
JP2012203226A (ja) * | 2011-03-25 | 2012-10-22 | Toppan Printing Co Ltd | 光学素子及びその製造方法 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100721569B1 (ko) * | 2004-12-10 | 2007-05-23 | 삼성에스디아이 주식회사 | 칼라필터층을 갖는 유기전계발광소자 |
JP5690280B2 (ja) * | 2009-10-15 | 2015-03-25 | パナソニック株式会社 | 表示パネル装置及びその製造方法 |
JP5879575B2 (ja) * | 2011-09-02 | 2016-03-08 | 株式会社Joled | 表示パネルの製造方法 |
TWI674671B (zh) * | 2013-05-28 | 2019-10-11 | 日商新力股份有限公司 | 顯示裝置及電子機器 |
WO2016092881A1 (ja) * | 2014-12-09 | 2016-06-16 | 株式会社Joled | 表示装置および電子機器 |
CN109315049B (zh) * | 2016-05-11 | 2021-10-08 | 株式会社日本有机雷特显示器 | 显示装置和电子设备 |
US10692946B2 (en) * | 2016-05-18 | 2020-06-23 | Joled Inc. | Organic EL display panel and method for producing same |
WO2017213012A1 (ja) * | 2016-06-09 | 2017-12-14 | 株式会社Joled | 有機el表示パネル及びその製造方法 |
JP6811741B2 (ja) * | 2018-04-18 | 2021-01-13 | 株式会社Joled | 有機el表示パネル、有機el表示装置、及び、有機el表示パネルの製造方法 |
JP6807350B2 (ja) * | 2018-05-30 | 2021-01-06 | 株式会社Joled | 有機el表示パネル、有機el表示装置、及び、有機el表示パネルの製造方法 |
-
2017
- 2017-05-22 CN CN201780031727.8A patent/CN109156064A/zh active Pending
- 2017-05-22 US US16/304,133 patent/US20190206287A1/en not_active Abandoned
- 2017-05-22 JP JP2018519531A patent/JPWO2017204150A1/ja active Pending
- 2017-05-22 WO PCT/JP2017/019003 patent/WO2017204150A1/ja active Application Filing
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004192977A (ja) * | 2002-12-12 | 2004-07-08 | Hitachi Ltd | 発光素子およびこの発光素子を用いた表示装置 |
JP2004335180A (ja) * | 2003-05-01 | 2004-11-25 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置、電気光学装置用基板、及び電気光学装置の製造方法 |
JP2006164846A (ja) * | 2004-12-09 | 2006-06-22 | Nikon Corp | メモリカードスロット装置および電子機器 |
JP2007311236A (ja) * | 2006-05-19 | 2007-11-29 | Seiko Epson Corp | デバイス、膜形成方法及びデバイスの製造方法 |
WO2009133680A1 (ja) * | 2008-04-28 | 2009-11-05 | パナソニック株式会社 | 表示装置およびその製造方法 |
JP2012203226A (ja) * | 2011-03-25 | 2012-10-22 | Toppan Printing Co Ltd | 光学素子及びその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20190206287A1 (en) | 2019-07-04 |
WO2017204150A1 (ja) | 2017-11-30 |
CN109156064A (zh) | 2019-01-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US10312308B2 (en) | Organic light emitting device and method for manufacturing same | |
JP6612446B2 (ja) | 有機el表示パネル及びその製造方法 | |
US10720478B2 (en) | Organic EL display panel, organic EL display device, and organic EL display panel manufacturing method | |
CN110391347B (zh) | 有机el显示面板及其制造方法、有机el显示装置 | |
JP6688701B2 (ja) | 有機el表示パネル、及び有機el表示パネルの製造方法 | |
JP6807350B2 (ja) | 有機el表示パネル、有機el表示装置、及び、有機el表示パネルの製造方法 | |
JP2018206710A (ja) | 有機el表示パネル及び有機el表示パネルの製造方法 | |
JP7421284B2 (ja) | 表示パネル、および、表示パネルの製造方法 | |
JP6692900B2 (ja) | 有機el表示パネル及びその製造方法 | |
JP2017054601A (ja) | 有機el素子、それを用いた有機el表示パネル、及び有機el表示パネルの製造方法 | |
JP6947375B2 (ja) | 有機el表示パネル、及び有機el表示パネルの製造方法 | |
WO2017204150A1 (ja) | 有機el表示パネル、有機el表示装置、及び、その製造方法 | |
JP2019145464A (ja) | 有機el表示パネルの製造方法、及び有機el表示パネル | |
JP2018129265A (ja) | 有機el表示パネル、及び有機el表示パネルの製造方法 | |
US9640592B2 (en) | Method for forming functional layer of organic light-emitting device and method for manufacturing organic light-emitting device | |
JP2018133242A (ja) | 有機el表示パネル、及び有機el表示パネルの製造方法 | |
JP6019372B2 (ja) | 発光素子及び発光パネル | |
JP2020030933A (ja) | 有機el表示パネル、及び有機el表示パネルの製造方法 | |
JP2020035713A (ja) | 有機el表示パネル | |
JP2018156882A (ja) | 有機el表示パネル、及び有機el表示パネルの製造方法 | |
JP2019133835A (ja) | 有機el表示パネル及び有機el表示パネルの製造方法 | |
JP7412999B2 (ja) | 有機el表示パネル、及び有機el表示パネルの製造方法 | |
JP2018018784A (ja) | 有機el表示パネル |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20181101 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20191224 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20200225 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20200602 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20201201 |