KR100906060B1 - 이미지 센서 및 그 제조방법 - Google Patents

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Abstract

실시예에 따른 이미지 센서는, 단위픽셀을 포함하는 반도체 기판; 상기 반도체 기판 상에 단위픽셀 별로 배치된 금속배선을 포함하는 층간 절연막; 상기 층간 절연막 상에 단위픽셀 별로 배치되고 서로 다른 크기로 형성된 복수의 하부전극; 상기 하부전극을 포함하는 층간 절연막 상에 배치된 포토다이오드; 및 상기 포토다이오드 상에 단위픽셀 별로 배치된 컬러필터를 포함한다.
이미지 센서, 포토다이오드, 마이크로렌즈

Description

이미지 센서 및 그 제조방법{Image Seonsor and Method for Manufacturing thereof}
실시예에서는 이미지 센서 및 그 제조방법이 개시된다.
이미지 센서는 광학적 영상(Optical Image)을 전기 신호로 변환시키는 반도체 소자로서, 크게 전하결합소자(charge coupled device:CCD) 이미지 센서와 씨모스(Complementary Metal Oxide Silicon:CMOS) 이미지 센서(CIS)를 포함한다.
씨모스 이미지 센서는 단위 화소 내에 포토다이오드와 모스트랜지스터를 형성시킴으로써 스위칭 방식으로 각 단위 화소의 전기적 신호를 순차적으로 검출하여 영상을 구현한다.
씨모스 이미지 센서는 빛 신호를 받아서 전기신호로 바꾸어 주는 포토다이오드(Photo diode) 영역과 이 전기 신호를 처리하는 트랜지스터 영역이 수평으로 배치되는 구조이다.
수평형 씨모스 이미지 센서에 의하면 포토다이오드와 트랜지스터가 기판 상에 상호 수평으로 인접하여 형성된다.
이에 따라, 포토다이오드 형성을 위한 추가적인 영역이 요구된다. 이에 따라 포토다이오드의 필 팩터(fill factor) 영역을 감소시키고 레졀루션(Resolution)의 가능성을 제한한다.
실시예는 트랜지스터 회로와 포토다이오드의 수직형 집적을 제공할 수 있는 이미지 센서 및 그 제조방법을 제공한다.
또한, 실시예는 레졀루션(Resolution)과 센서티버티(sensitivity)가 함께 개선될 수 있는 이미지 센서 및 그 제조방법을 제공한다.
또한, 실시예는 수직형의 포토다이오드를 채용하면서 크로스 토크 및 노이즈 발생을 방지할 수 있는 이미지센서 및 그 제조방법을 제공하고자 한다.
실시예에 따른 이미지 센서는, 단위픽셀을 포함하는 반도체 기판; 상기 반도체 기판 상에 단위픽셀 별로 배치된 금속배선을 포함하는 층간 절연막; 상기 층간 절연막 상에 단위픽셀 별로 배치되고 서로 다른 크기로 형성된 복수의 하부전극; 상기 하부전극을 포함하는 층간 절연막 상에 배치된 포토다이오드; 및 상기 포토다이오드 상에 단위픽셀 별로 배치된 컬러필터를 포함한다.
실시예에 따른 이미지 센서의 제조방법은, 반도체 기판 상에 단위픽셀 별로 형성된 금속배선을 포함하는 층간 절연막을 형성하는 단계; 상기 층간 절연막 상에 단위픽셀 별로 형성되고 서로 다른 크기를 가지는 복수의 하부전극을 형성하는 단계; 상기 하부전극을 포함하는 층간 절연막 상에 포토다이오드를 형성하는 단계; 및 상기 포토다이오드 상에 단위픽셀 별로 컬러필터를 형성하는 단계를 포함한다.
실시예에 따른 이미지센서 및 그 제조방법에 의하면 트랜지스터 회로(circuitry)와 포토다이오드의 수직형 집적을 제공할 수 있다.
또한, 실시예에 의하면 트랜지스터 회로(circuitry)와 포토다이오드의 수직형 집적에 의해 필팩터(fill factor)를 100%에 근접시킬 수 있다.
또한, 실시예에 의하면 종래기술보다 수직형 집적에 의해 같은 픽셀 사이즈에서 높은 센서티버티(sensitivity)를 제공할 수 있다.
또한, 실시예에 의하면 종래기술보다 같은 레졀류션(Resolution)을 위해 공정비용을 감축할 수 있다.
또한, 실시예에 의하면 각 단위 픽셀은 센서티버티(sensitivity)의 감소 없이 보다 복잡한 회로(circuitry)를 구현할 수 있다.
또한, 실시예에 의해 집적될 수 있는 추가적인 온칩 회로(on-chip circuitry)는 이미지센서의 퍼포먼스(performance)를 증가시키고, 나아가 소자의 소형화 및 제조비용을 절감을 획득할 수 있다.
또한, 실시예에 의하면 수직형의 포토다이오드를 채용하면서 크로스 토크 및 노이즈를 방지할 수 있다.
실시예에 따른 이미지 센서 및 그 제조방법을 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
실시예의 설명에 있어서, 각 층의 "상/위(on/over)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, 상/위(on/over)는 직접(directly)와 또는 다른 층을 개재하 여(indirectly) 형성되는 것을 모두 포함한다.
도면에서 각층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기는 실제크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다.
도 6은 실시예에 따른 이미지 센서의 단면도이다.
도 6을 참조하여, 제1 및 제2 픽셀(A,B)을 포함하는 반도체 기판(10) 상에는 제1 및 제2 금속배선(31,32)을 포함하는 층간 절연막(20)이 배치되어 있다.
상기 반도체 기판(10) 상에는 포토다이오드와 연결되어 수광된 광전하를 전기신호를 변환하기 위한 씨모스 회로(미도시)가 제1 및 제2 픽셀(A,B)에 각각 형성될 수 있다.
상기 층간 절연막(20)은 복수의 층으로 형성될 수 있고, 상기 제1 및 제2 금속배선(31,32)은 제1 및 제2 픽셀(A,B)과 연결되도록 상기 층간 절연막(20) 내부에 각각 배치될 수 있다.
상기 층간 절연막(20) 상부에는 상기 제1 및 제2 금속배선(31,32)과 연결되도록 서로 다른 크기를 가지는 제1 및 제2 하부전극(41,42)이 배치된다. 예를 들어, 상기 제1 하부전극(41)은 상기 제2 하부전극(42)보다 작은 크기로 형성될 수 있다. 또는 도 9에 도시된 바와 같이, 상기 제2 하부전극(42)은 상기 제1 하부전극(41)보다 작은 크기로 형성될 수 있다.
상기 제1 및 제2 하부전극(41,42)을 포함하는 층간 절연막(20) 상에 포토다이오드가 배치된다. 상기 포토다이오드는 제1 도전형 전도층(50), 진성층(60) 및 제2 도전형 전도층(70)으로 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 도전형 전도층(50)은 N형 실리콘층이고, 상기 진성층(60)은 비정질 실리콘층이고, 상기 제2 도전형 전도층(70)은 P형 실리콘층으로 형성될 수 있다.
상기와 같이 상기 제1 및 제2 하부전극(41,42) 중 어느 하나가 작게 형성되면 상기 제1 및 제2 하부전극(41,42)의 이격거리가 넓어지게 된다. 따라서, 상기 포토다이오드에서 생성된 광전자가 인접 픽셀로 전달되는 것을 방지하여 이미지 센서의 크로스 토크를 개선할 수 있다.
상기 포토다이오드 상에는 상부전극(80)이 배치된다. 예를 들어, 상기 상부전극(80)은 ITO(indium tin oxide), CTO(cardium tin oxide), ZnO2 중 어느 하나로 형성될 수 있다.
상기 상부전극(80) 상에 제1 및 제2 컬러필터(91,92)가 배치된다. 상기 제1 컬러필터(91)는 그린 컬러필터이고, 상기 제2 컬러필터(92)는 레드 또는 블루 컬러필터 일 수 있다. 따라서, 상기 제1 픽셀(A) 상에는 그린 컬러필터가 배치되고 상기 제2 픽셀(B) 상에는 레드 또는 블루 컬러필터가 배치될 수 있다.
도 8을 참조하여, 상기 제1 컬러필터(91) 상에 마이크로 렌즈(110)가 배치된다. 또는 도 9에 도시된 바와 같이, 상기 제2 컬러필터(92) 상에 마이크로 렌즈(120)가 배치될 수 있다.
즉, 상기 마이크로 렌즈는 상기 제1 및 제2 하부전극(41,42) 중 작게 형성된 하부전극 상부의 컬러필터 상에 배치될 수 있다. 따라서, 상기 마이크로 렌즈에 의하여 제1 및 제2 하부전극(41,42) 중 작게 형성된 하부전극에 해당하는 포토다이오 드의 집광율이 향상되어 이미지 센서의 광특성을 향상시킬 수 있다.
이하, 도 1 내지 도 8을 참조하여 실시예에 따른 이미지 센서의 제조방법을 설명한다.
도 1을 참조하여, 제1 픽셀(A) 및 제2 픽셀(B)을 포함하는 반도체 기판(10) 상에 제1 및 제2 금속배선(31,32)을 포함하는 층간 절연막(20)이 형성된다.
상기 반도체 기판(10) 상에는 후술되는 포토다이오드와 연결되어 수광된 광전하를 전기신호를 변환하는 씨모스 회로(미도시)가 제1 및 제2 픽셀(A, B)에 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 씨모스 회로는 3Tr, 4Tr 및 5Tr 중의 하나일 수 있다.
상기 제1 및 제2 픽셀(A,B)을 포함하는 상기 반도체 기판(10) 상부에는 전원라인 또는 신호라인과의 접속을 위하여 제1 및 제2 금속배선(31,32)을 포함하는 층간 절연막(20)이 형성되어 있다.
상기 층간 절연막(20)은 복수의 층으로 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 층간 절연막(20)은 질화막 또는 산화막으로 형성될 수 있다.
또한, 상기 제1 및 제2 금속배선(31,32)도 복수의 층으로 형성될 수 있다. 상기 제1 금속배선(31)은 제1 픽셀(A)과 연결되고, 상기 제2 금속배선(32)은 제2 픽셀(B)과 연결된다. 상기 제1 및 제2 금속배선(31,32)은 포토다이오드에서 생성된 전자를 하부의 씨모스 회로로 전달하는 역할을 한다. 도시되지는 않았지만, 상기 제1 및 제2 금속배선(31,32)은 상기 반도체 기판(10)의 하부의 불순물 영역과 접속될 수 있다.
상기 제1 및 제2 금속배선(31,32)은 상기 층간 절연막(20)을 관통하여 복수개로 형성될 수 있다. 상기 제1 및 제2 금속배선(31,32)은 금속, 합금 또는 살리사이드를 포함하는 다양한 전도성 물질로 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 제2 및 제2 금속배선(31,32)은 알루미늄, 구리, 코발트 또는 텅스텐등으로 형성될 수 있다.
도 2를 참조하여, 상기 층간 절연막(20) 상에 하부전극층(40)이 형성된다. 상기 하부전극층(40)은 상기 층간 절연막(20) 상에 형성되어 상기 제1 및 제2 금속배선(31,32)과 전기적으로 연결될 수 있다. 예를 들어, 상기 하부전극층(40)은 Cr, Ti, TiW 및 Ta과 같은 금속으로 형성될 수 있다.
그리고, 상기 하부전극층(40)을 단위픽셀 별로 패터닝하기 위하여 상기 하부전극층(40) 상에 제1 및 제2 포토레지스트 패턴(210, 220)이 형성된다. 상기 제1 및 제2 포토레지스트 패턴(210, 220)은 상기 제1 및 제2 금속배선(31,32)에 대응하는 영역의 상기 하부전극층(40)을 가리도록 형성된다.
상기 제1 및 제2 포토레지스트 패턴(210, 220)은 각각 다른 너비로 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 포토레지스트 패턴(210)은 상기 제2 포토레지스트 패턴(220)보다 작은 크기로 형성될 수 있다. 또는 상기 제1 포토레지스트 패턴(210)은 상기 제2 포토레지스트 패턴(220)보다 크게 형성될 수 있다.
이후, 상기 제1 및 제2 포토레지스트 패턴(210,220)을 식각 마스크로 상기 하부전극층(40)을 식각한다.
도 3을 참조하여, 상기 층간 절연막(20) 상에 제1 하부전극(41) 및 제2 하부 전극(42)이 단위픽셀 별로 형성된다. 상기 제1 하부전극(41)은 상기 제1 금속배선(31)과 연결되고 상기 제2 하부전극(42)은 상기 제2 금속배선(32)과 연결될 수 있다. 특히, 상기 제1 하부전극(41)은 상기 제2 하부전극(42)보다 작은 크기로 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 하부전극(41)은 상기 제2 하부전극(42) 보다 10~75% 작은 크기로 형성될 수 있다.
상기 제1 하부전극(41)이 상기 제2 하부전극(42)보다 작은 크기로 형성되어, 상기 제1 및 제2 하부전극(41,42) 상에 포토다이오드가 형성되었을 때 입사광의 크로스 토크를 방지할 수 있다.
도 4를 참조하여, 상기 제1 및 제2 하부전극(41,42)을 포함하는 층간 절연막(20) 상에 포토다이오드가 형성된다.
실시예에서는 포토 다이오드는 NIP 다이오드(NIP diode)를 사용한다. 상기 NIP 다이오드는 금속, n형 비정질 실리콘층(n-type amorphous silicon), 진성 비정질 실리콘층(intrinsic amorphous silicon), p형 비정질 실리콘층(p-type amorphous silicon)이 접합된 구조로 형성되는 것이다.
상기 NIP 다이오드는 p형 실리콘층과 금속 사이에 순수한 반도체인 진성 비정질 실리콘층이 접합된 구조의 광 다이오드로서, 상기 p형과 금속 사이에 형성되는 진성 비정질 실리콘층이 모두 공핍영역이 되어 전하의 생성 및 보관에 유리하게 된다.
실시예에서는 포토 다이오드로서 NIP 다이오드를 사용하며 상기 다이오드의 구조는 P-I-N 또는 N-I-P, I-P 등의 구조로 형성될 수 있다. 실시예에서는 N-I-P 구조의 포토 다이오드가 사용되는 것을 예로 하며, 상기 n형 비정질 실리콘층은 제1 도전형 전도층(50), 진성 비정질 실리콘층은 진성층(60), 상기 p형 비정질 실리콘층은 제2 도전형 전도층(70)이라 칭하도록 한다.
상기 포토다이오드를 형성하는 방법에 대하여 설명하면 다음과 같다.
상기 층간 절연막(20) 상에 제1 도전형 전도층(50)이 형성된다. 경우에 따라서, 상기 제1 도전형 전도층(50)은 형성되지 않고 이후의 공정이 진행될 수도 있다.
상기 제1 도전형 전도층(50)은 실시예에서 채용하는 N-I-P 다이오드의 N층의 역할을 할 수 있다. 즉, 상기 제1 도전형 전도층(50)은 N 타입 도전형 전도층일 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 제1 도전형 전도층(50) 상에 진성층(intrinsic layer)(60)이 형성된다. 상기 진성층(60)은 실시예에서 채용하는 N-I-P 다이오드의 I층의 역할을 할 수 있다. 상기 진성층(60)은 비정질 실리콘(intrinsic amorphous silicon)을 이용하여 형성될 수 있다.
여기서, 상기 진성층(60)은 상기 제1 도전형 전도층(50)의 두께보다 약 10~1,000배 정도의 두꺼운 두께로 형성될 수 있다. 이는 상기 진성층(60)의 두께가 두꺼울수록 핀 다이오드의 공핍영역이 늘어나 많은 양의 광전하를 보관 및 생성하기에 유리하기 때문이다.
상기 진성층(60) 상에 제2 도전형 전도층(70)이 형성된다. 상기 제2 도전형 전도층(70)은 상기 진성층(60)의 형성과 연속공정으로 형성될 수 있다. 상기 제2 도전형 전도층(60)은 실시예에서 채용하는 N-I-P 다이오드의 P층의 역할을 할 수 있다. 즉, 상기 제2 도전형 전도층(70)은 P 타입 도전형 전도층일 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
따라서, 상기 반도체 기판(10) 상에 형성된 제1 픽셀(A) 및 제2 픽셀(B)과 상기 포토다이오드가 수집형 집적을 이루어 상기 포토다이오드의 필팩터를 100%에 근접시킬 수 있다.
도 5를 참조하여, 상기 포토다이오드가 형성된 반도체 기판(10) 상에 상부전극(80)이 형성된다.
상기 상부전극(80)은 빛의 투과성이 좋고 전도성이 높은 투명전극으로 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 상부전극(80)은 ITO(indium tin oxide), CTO(cardium tin oxide), ZnO2 중 어느 하나로 형성될 수 있다.
도 6을 참조하여, 상기 상부전극(80) 상에 제1 및 제2 컬러필터(91,92)가 형성된다. 상기 제1 및 제2 컬러필터(91,92)는 염색된 포토레지스트를 사용하며 각각의 단위픽셀마다 형성되어 입사하는 빛으로부터 색을 분리해 낸다.
상기 제1 픽셀(A) 상에 제1 컬러필터(91)가 형성되고, 상기 제2 픽셀(B) 상에 제2 컬러필터(92)가 형성된다. 예를 들어, 상기 제1 컬러필터는 그린(Green)이고 제2 컬러필터는 레드(Red)일 수 있다. 또한, 도시되지는 않았지만 제3 컬러필터는 블루(Blue) 일 수 있다.
따라서, 상기 제1 컬러필터(91)를 통과한 빛은 포토다이오드, 제1 하부전극(41) 및 제1 금속배선(31)을 통해 제1 픽셀(A)로 전달되고, 상기 제2 컬러필 터(92)를 통과한 빛은 포토다이오드, 제2 하부전극(42) 및 제2 금속배선(32)을 통해 제2 픽셀(B)로 전달된다. 이때, 상기 제1 하부전극(41) 및 상기 제2 하부전극(42)은 각각 다른 크기로 형성되고 상기 제1 및 제2 하부전극(41,42) 사이의 이격거리로 인하여 상기 포토다이오드에서 생성된 광전자는 해당하는 제1 및 제2 하부전극(41,42)으로 전달될 수 있다. 즉, 상기 제1 하부전극(41)이 상기 제2 하부전극(42)보다 작은 크기로 형성되어 이격거리가 넓어지므로 상기 포토다이오드는 단위픽셀별로 분리될 수 있다. 따라서, 상기 포토다이오드에서 발생된 광전자가 인접 하부전극으로 이동하는 것을 방지하여 크로스 토크를 개선할 수 있게 된다.
도 7은 상기 제1,제2 픽셀(A,B) 상에 형성된 제1,제2 하부전극(41,42) 및 제1,제2 컬러필터(91,92)의 면적을 나타내기 위한 평면도이다.
도 7에 도시된 바와 같이, 상기 제1 픽셀(A) 상의 제1 하부전극(41)은 상기 제2 픽셀(B) 상의 제2 하부전극(42)보다 작은 크기로 형성되어 있다. 또한, 상기 제3 픽셀(C) 상의 하부전극도 상기 제1 픽셀(A) 보다 작은 크기로 형성될 수 있다.
도 8을 참조하여, 상기 제1 컬러필터(91) 상에 마이크로 렌즈(110)가 형성된다. 상기 마이크로 렌즈(110)는 상기 제1 컬러필터(91) 상에만 형성되어 입사광을 상기 포토다이오드로 집광한 후 상기 제1 하부전극(41)으로 전달할 수 있다.
상기 제1 하부전극(41)은 상기 제2 하부전극(42)보다 상대적으로 작은 크기로 형성되어 있으므로 상기 제1 하부전극(41)으로 전달되는 광전자는 상기 제2 하부전극(42)에 비하여 적은 양 일 수 있다. 이를 극복하기 위하여, 상기 제1 컬러필터(91) 상에 상기 마이크로 렌즈(110)를 형성하면 상기 제1 하부전극(41)에 해당하 는 포토다이오드 영역에 많은 양의 빛이 모아지므로 제1 하부전극(41)으로 전달되는 광전자의 양은 상대적으로 많아질 수 있다.
도 9 및 도 10은 다른 실시예에 따른 이미지 센서를 나타내는 단면도 및 평면도이다.
도 9 및 도 10을 참조하여, 상기 제1 픽셀(A) 상의 제1 하부전극(141)은 상기 제2 픽셀(B) 상의 제2 하부전극(142)보다 큰 크기로 형성된다. 또한, 상기 제1 하부전극(141)은 상기 제3 픽셀(C)의 하부전극보다 크게 형성될 수 있다. 상기 제1 하부전극(141)이 상기 제2 하부전극(142)보다 상대적으로 크게 형성되어 상기 제1 하부전극(141)과 상기 제2 하부전극(142) 사이에는 갭이 발생된다.
상기와 같이 상기 제1 하부전극(141)과 상기 제2 하부전극(142) 사이에 이격거리에 의하여 상기 포토다이오드는 단위픽셀 별로 분리될 수 있다. 따라서, 상기 포토다이오드에서 발생된 광전자는 해당하는 하부전극으로 이동할 수 있으므로 이미지 센서의 크로스 토크를 방지할 수 있다.
또한, 상기 제2 컬러필터(92) 상에 마이크로 렌즈(120)가 형성될 수 있다. 상기 마이크로 렌즈(120)에 의하여 상기 제2 하부전극(142)에 해당하는 포토다이오드 영역의 집광율이 향상되어 상기 제2 하부전극(142)으로 전달되는 광전자의 양은 상대적으로 많아질 수 있다.
실시예에 따른 이미지 센서의 제조방법에 의하면, 포토다이오드의 광전자를 하부의 회로로 전달하는 제1 및 제2 하부전극이 서로 다른 크기로 형성되어 이격거리가 넓어지므로 크로스 토크를 개선할 수 있다.
또한, 상기 제1 및 제2 하부전극 중 작은 크기로 형성된 하부전극 상에 마이크로 렌즈가 형성되어 이미지 특성을 향상시킬 수 있다.
이상에서 설명한 실시예는 전술한 실시예 및 도면에 의해 한정되는 것이 아니고, 본 실시예의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경할 수 있다는 것은 본 실시예가 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다.
도 1 내지 도 6은 실시예에 따른 이미지 센서의 제조공정을 나타내는 단면도이다.
도 7은 도 6의 평면도이다.
도 8은 도 6에 마이크로 렌즈가 형성된 것을 도시한 단면도이다.
도 9는 다른 실시예에 따른 이미지 센서의 단면도이다.
도 10은 도 9의 평면도이다.

Claims (10)

  1. 삭제
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 단위픽셀을 포함하는 반도체 기판;
    상기 반도체 기판 상에 단위픽셀 별로 배치된 금속배선을 포함하는 층간 절연막;
    상기 층간 절연막 상에 단위픽셀 별로 배치되고 서로 다른 크기로 형성된 복수의 하부전극;
    상기 하부전극을 포함하는 층간 절연막 상에 배치되고 비정질 실리콘으로 형성된 포토다이오드; 및
    상기 포토다이오드 상에 단위픽셀 별로 배치된 컬러필터를 포함하고,
    상기 하부전극 중 어느 하나는 나머지 하나 보다 작은 크기로 형성되고,
    상기 하부전극 중 작은 크기로 형성된 하부전극에 대응하는 상기 컬러필터 상에는 마이크로 렌즈가 배치된 이미지 센서.
  6. 삭제
  7. 삭제
  8. 삭제
  9. 삭제
  10. 반도체 기판 상에 단위픽셀 별로 형성된 금속배선을 포함하는 층간 절연막을 형성하는 단계;
    상기 층간 절연막 상에 단위픽셀 별로 형성되고 서로 다른 크기를 가지는 복수의 하부전극을 형성하는 단계;
    상기 하부전극을 포함하는 층간 절연막 상에 비정질 실리콘을 증착하여 포토다이오드를 형성하는 단계; 및
    상기 포토다이오드 상에 단위픽셀 별로 컬러필터를 형성하는 단계를 포함하고,
    상기 하부전극 중의 어느 하나는 나머지 하나보다 작은 크기로 형성되고,
    상기 하부전극 중 작은 크기로 형성된 하부전극에 대응하는 상기 컬러필터 상에 마이크로 렌즈를 형성하는 단계를 포함하는 이미지 센서의 제조방법.
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