KR100892743B1 - 분광타원계를 사용한 박막층 구조의 해석방법 - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명에 따른 청구항 27에 기재된 분광타원계를 사용한 박막 다층구조의 해석방법은, 청구항 13 또는 또는 청구항 14에 기재된 분광타원계를 사용한 박막 다층구조의 해석방법에 있어서, 상기 해석 페이즈 2에서 EBLMC를 행하는 순서는, n층 구조중의 재료에 있어서, 광학정수가 가장 미지의 재료부터 순서를 정하여 행하는 것으로, 해석 페이즈 2의 해석단계의 수는 층수에 상관없이, 적어도 1에서 n까지 가능하도록 구성되어 있다.
Claims (28)
- 분광타원계를 사용한 계측대상 기판상의 초박막 및 박막 계측방법에 있어서,계측대상 기판상의 박막을, 입사광의 파장을 바꾸어 각 파장 λi마다의 입사광과 반사광의 편광의 변화를 나타내는 측정 스펙트럼 ψE(λi)와 ΔE(λi)를 얻는 ψE, ΔE 스펙트럼 측정 스텝,상기 기판의 복소굴절율(N0(n0, k0)), 기판상의 박막의 막두께(d) 및 복소굴절율(N(n,k))을 분산식을 사용하여 가정하고, 더욱 예상되는 범위내에 있는 복수의 막두께(d±mΔd) 및 예상되는 범위내에 있는 복수의 입사각(Φ±mΔΦ) 을 설정하는 스텝,상기 입사각과 막두께의 조합에 근거하여, 분산식(DSP)의 파라메터를 피팅하는 스텝,상기 피팅에 의해 얻어진 각 ψM(λi)와 ΔM(λi) 중에서 상기 ψE(λi)와 ΔE(λi)의 차이가 가장 적어지는 막두께(dbest)와 입사각(φbest)의 조합을 설정한 모델의 피팅결과(DSPbest)를 선택하는 제 1 스텝 및상기 제 1 스텝에서 선택된 입사각도(φbest)를 확정치로 하여, 막두께(dbest)와 분산식(DSPbest)을 피팅하는 제 2 스텝으로 구성된 분광타원계를 사용한 계측대상 기판상의 초박막 및 박막 계측방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 제 1 및 제 2 스텝에서, 상기 차이가 가장 적은 것을 선택하는 스텝은, 피팅한 것과 측정치의 평균이승오차(χ2)를 구하여, 가장 작은 평균이승오차(χ2)의 것으로 결정하는 것인 분광타원계를 사용한 초박막 및 박막 계측방법.
- 분광타원계를 사용한 계측대상 기판상의 초박막 및 박막 계측방법에 있어서,계측대상 기판상의 박막을, 입사광의 파장을 바꾸어 각 파장 λi마다의 입사광과 반사광의 편광의 변화를 나타내는 측정 스펙트럼 ψE(λi)와 ΔE(λi)를 얻는 ψE, ΔE 스펙트럼 측정 스텝,기판상의 박막이 미시적으로 불균일하거나 또는 여러개의 재료가 섞여 있는 경우, 상기 기판의 복소굴절율(N0(n0, k0)), 기판상의 박막의 막두께(d) 및 복소굴절율(N(n,k))을 유효매질근사 (EMA)를 이용하기 위하여, 여러개의 분산식 또는 리퍼런스 데이터를 사용하여 가정하여 모델을 설정하는 스텝,예상되는 범위내에 있는 복수의 막두께(d±mΔd) 및 상기 모델에서 이용한 분산식 등의 예상되는 범위내에 있는 복수의 혼합비(Vf±mΔVf), 예상되는 범위내에 있는 복수의 입사각도(Φ±mΔΦ)를 설정하는 스텝,상기 입사각과 막두께와 혼합비의 조합에 근거하여 분산식의 파라메터를 피팅하는 스텝,상기 피팅에 의해 얻어진 각 ψM(λi)와 ΔM(λi) 중에서 상기 ψE(λi)와 ΔE(λi)의 차가 가장 적어지는 막두께(dbest)와 입사각(φbest), 혼합비(Vfbest)의 조합을 설정한 모델의 피팅결과(DSPbest)를 선택하는 제 1 스텝 및상기 제 1 스텝에서 선택된 입사각도(φbest)를 확정치로 하여, 막두께(dbest)와 혼합비(Vfbest), 분산식(DSPbest)을 피팅하는 제 2 스텝으로 구성된 분광타원계를 사용한 계측대상 기판상의 초박막 및 박막 계측방법.
- 분광타원계를 사용한 계측대상 기판상의 초박막 및 박막 계측방법에 있어서,계측대상 기판상의 박막을, 입사광의 파장을 바꾸어 각 파장 λi마다의 입사광과 반사광의 편광의 변화를 나타내는 측정 스펙트럼 ψE(λi)와 ΔE(λi)를 얻는 ψE, ΔE 스펙트럼 측정 스텝 및예상되는 범위내에 있는 복수의 측정조건(Zj)마다, 청구항 1 또는 청구항 3의 제 2 스텝까지를 행하고, 각 측정조건마다에서 얻어진 결과 중에서, 분산식의 파라메터나 혼합비가, 설정한 최대·최소치 사이에 들어 있는 조합 중에서, 평균이승오차(χ2)가 가장 좋은 것을 선택하는 제 3 스텝으로 구성된 분광타원계를 사용한 계측대상 기판상의 초박막 및 박막 계측방법.
- 계측대상 기판상의 극박막 2층구조를, 입사광의 파장을 바꾸어 각 파장 λi마다의 입사광과 반사광의 편광의 변화를 나타내는 측정 스펙트럼 ψE(λi)와 ΔE(λi)를 얻는 ψE, ΔE 스펙트럼 측정 단계,극박막 2층 구조의 기판의 복소굴절율(N0(n0, k0)) 및 각 박막의 재료(Mat1, Mat2)의 예상되는 복소굴절율(N1(n1, k1), N2(n2, k2)), 각 층의 막두께(d1, d2)를 이용하여, 여러개의 모델을 설정하는 제 1 스텝, 상기 각 모델마다 상기 측정 스펙트럼과의 피팅을 행하는 제 2 스텝, 및 상기 각 모델마다 피팅한 결과, 최저평균 이승오차(χ2)의 값을 가지는 모델 또는 미리 설정한 막두께의 최대, 최소치 안에 들어 있는 평균이승오차(χ2)가 가장 낮은 모델의 결과(d1(best),d2(best))를 결정하는 제 3 스텝으로 이루어지는 해석 제 1 단계,해석 제 1 단계에서 얻어진 결과를, 새로운 모델의 초기값으로 설정하는 제 1 스텝, 상기 설정된 결과 중 어느 한 쪽의 층의 두께(d1(best) 또는 d2(best))를 중심값으로 하여, 그 둘레의 복수점마다, 다른 한 쪽의 층(d2(best)또는 d1(best))에서 극소치 계산법(BLMC:Best Local Minimum Calculation)을 사용하여 피팅하는 제 2 스텝, 및 상기 복수점에서 행한 극소치 계산법(BLMC)의 결과로부터 최저평균이승오차(χ2)의 값 또는, 미리 설정한 막두께, 분산식 파라메터, 입사각의 각각의 최대, 최소치 안에 들어있는 평균이승오차(χ2)가 가장 낮은 모델을 선택하는 제 3 스텝으로 이루어지는 해석 제 2 단계,해석 제 2 단계에서 얻어진 결과를 이용하여 최종적인 피팅을 행하는 제 1 스텝, 상기 피팅에서 얻어진 결과를 확인하는 제 2 스텝, 및 이 결과를 보존하는 제 3 스텝으로 이루어지는 해석 제 3 단계로 구성된 분광타원계를 사용한 극박막 2층 구조의 해석방법.
- 제 5 항에 있어서,상기 해석 제 2 단계의 제 2 스텝에서, 극소치 계산법(BLMC)을 사용하여 피팅하는 층을 결정할 때는, 2층구조안의 재료에 있어서, 광학정수를 좀더 모르는 쪽의 층을 선택하는 분광타원계를 사용한 극박막 2층 구조의 해석방법.
- 제 5 항 또는 제 6 항에 있어서,2층구조 안의 재료에 있어서 광학정수를 좀더 알고 있는 쪽의 해석 제 1 단계 제 3 스텝에서 얻어진 막두께를 중심값으로 하여, 그 전후 수 % 내지 수십 %까지의 범위내에서, 각각의 설정된 막두께마다에, 또 다른 한 층에 대하여 극소치 계산법(BLMC)을 행하는 해석 제 2 단계 제 2 스텝 및해석 제 2 단계 제 3 스텝을 함께 행하는 해석인 광범위 극소치 계산법(EBLMC: Extended Best Local Minimum Calculation)을 사용한 극박막 2층 구조의 해석방법.
- 계측대상 기판상의 극박막 2층구조를, 입사광의 파장을 바꾸어 각 파장 λi마다의 입사광과 반사광의 편광의 변화를 나타내는 측정 스펙트럼 ψE(λi)와 ΔE(λi)를 얻는 ψE, ΔE 스펙트럼 측정 단계,1, 2층 중 어느 한 층이 불균일 또는 불연속적이고, 여러개의 재료가 혼합되어 있는 경우, 유효매질근사를 사용하여 모델을 설정하고, 극박막 2층구조의 기판의 복소굴절율(N0(n0, k0)) 및 각 박막의 재료(Mat1, Mat2)의 예상되는 복소굴절율(N1(n1, k1), N2(n2, k2)), 혼합비(Vf1, Vf2), 각 층의 막두께(d1, d2)를 이용하여, 여러개의 모델을 설정하는 제 1 스텝, 상기 각 모델마다 상기 측정 스펙트럼과의 피팅을 행하는 제 2 스텝, 및 상기 각 모델마다 피팅한 결과, 최저평균 이승오차(χ2)의 값을 가지는 모델 또는 미리 설정한 막두께와 혼합비의 각각의 최대, 최소치 중에 들어 있는 평균이승오차(χ2)가 가장 낮은 모델의 결과(d1(best),d2(best), Vf(best))를 결정하는 제 3 스텝으로 이루어지는 해석 제 1 단계,상기 해석 제 1 단계에서 얻어진 막두께·혼합비의 결과를 새로운 모델의 초기값으로 하여 미지의 분산식이 들어 있는 쪽 층의 해석 제 1 단계 제 3 스텝에서 얻어진 막두께값을 근거로, 예상되는 범위내에 있는 막두께((d1±mΔd1) 또는 (d2±mΔd2))를 설정하고, 또 다른 한 층의 막두께에 대해서도, 해석 제 1 단계 제 3 스텝에서 얻어진 값을 중심으로 하여, 그 둘레의 복수점((d2±mΔd2) 또는 (d1±mΔd1))을 설정하며, 또한 해석 제 1 단계 제 3 스텝에서 얻어진 혼합비의 값을 중심값으로 하여, 그 둘레의 복수점(Vf±mΔVf)을 설정하는 제 1 스텝, 혼합비 복수점(Vf±mΔVf)과 미지의 분산식이 들어 있는 층의 또 다른 한 층의 막두께 복수점((d2±mΔd2) 또는 (d1±mΔd1))의 조합 안에서, 각각 미지의 분산식이 들어 있는 층에 대하여 극소치 계산법(BLMC)을 행하는 제 2 스텝, 및 혼합비와 미지의 분산식이 들어 있는 층의 또 다른 한 층의 막두께의 조합마다에서 얻어지는 결과 중에서, 최저평균이승오차(χ2)의 값 또는 미리 설정한 막두께, 분산식 파라메터, 혼합비, 입사각의 각각의 최대, 최소치 사이에 들어 있는 평균이승오차(χ2)의 값을 가지는 조합을 선택하는 제 3 스텝으로 이루어지는 해석 제 2 단계,상기 해석 제 2 단계 제 3 스텝에서 얻어진 값을 근거로, 양쪽막두께, 혼합비 및 분산식의 파라메터의 피팅 또는, 양쪽막두께, 혼합비의 피팅을 행하는 제 1 스텝, 상기 피팅에서 얻어진 결과를 확인하는 제 2 스텝 및 이 결과를 보존하는 제 3 스텝으로 이루어지는 해석 제 3 단계로 구성된 분광타원계를 사용한 극박막 2층 구조의 해석방법.
- 제 5 항 또는 제 8 항에 있어서,계측대상 기판상의 극박막 2층구조를, 입사광의 파장을 바꾸어 각 파장 λi마다의 입사광과 반사광의 편광의 변화를 나타내는 측정 스펙트럼 ψE(λi)와 ΔE(λi)를 얻는 ψE, ΔE 스펙트럼 측정단계 및예상되는 범위내에 있는 복수의 측정조건(Zi)마다에 청구항 5, 8의 해석 제 1 단계 또는 제 2 단계 제 3 스텝까지를 행하고, 각 측정조건마다에서 얻어지는 결과 중에서, 최저평균 이승오차(χ2)의 값 또는 분산식 파라메터나 혼합비가, 설정된 최대, 최소치 사이에 들어 있는 조합 중에서, 평균이승오차(χ2)의 값이 가장 좋은 것을 선택하는 제 1 또는 제 2 단계 제 4 스텝으로 구성된 분광타원계를 사용한 극박막 2층구조의 해석방법.
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- 분광타원계를 사용한 박막 3층구조의 해석방법으로서,분광타원계를 사용하여 측정데이터를 얻는 분광측정 페이즈,박막 3층구조의 초기 모델을 결정하는 해석 페이즈 1, 및상기 초기 모델에 대하여, 3층구조 중의 주목층의 미지의 정수를 광범위 극소치 계산법(EBLMC)으로 결정하는 제 1 단계와, 상기 결정된 정수를 채용하여, 다른 층의 정수를 광범위 극소치 계산법(EBLMC)에 의해 결정하는 제 2 단계를 포함하는 해석 페이즈 2로 구성된 분광타원계를 사용한 극박막 3층구조의 해석방법.
- 분광타원계를 사용한 박막 3층구조의 해석방법으로서,분광타원계를 사용하여 측정데이터를 얻는 분광측정 페이즈,박막 3층구조의 초기 모델을 결정하는 해석 페이즈 1,상기 초기 모델에 대하여, 3층구조 중의 주목층의 미지의 정수를 광범위 극소치 계산법(EBLMC)으로 결정하는 제 1 단계와, 상기 결정된 정수를 채용하여, 다른 층의 정수를 광범위 극소치 계산법(EBLMC)에 의해 결정하는 제 2 단계를 포함하는 해석 페이즈 2, 및상기 해석 페이즈 2에서 얻은 모델에 대하여 최종 피팅을 행하고, 결과를 확인하여 보존하는 해석 페이즈 3으로 구성된 분광타원계를 사용한 극박막 3층구조의 해석방법.
- 분광타원계를 사용한 박막 n층구조의 해석방법으로서,분광타원계를 사용하여 측정데이터를 얻는 분광측정 페이즈,박막 n층구조의 초기 모델을 결정하는 해석 페이즈 1, 및박막 n층구조의 초기 모델에 대하여, n층구조 중의 주목층의 미지의 정수를 광범위 극소치 계산법(EBLMC)에 의해 결정하는 해석 페이즈 2로 구성된 분광타원계를 사용한 박막 n층구조의 해석방법.
- 분광타원계를 사용한 박막 n층구조의 해석방법으로서,분광타원계를 사용하여 측정데이터를 얻는 분광측정 페이즈,박막 n층구조의 초기 모델을 결정하는 해석 페이즈 1,상기 초기 모델에 대하여, n층구조 중의 주목층의 미지의 정수를 광범위 극소치 계산법(EBLMC)으로 결정하는 해석 페이즈 2 및상기 해석 페이즈 2에서 얻은 모델에 대하여 최종 피팅을 행하고, 결과를 확인하여 보존하는 해석 페이즈 3으로 구성된 분광타원계를 사용한 박막 n층구조의 해석방법.
- 제 11 항 내지 제 14 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 미지의 정수는 각 층의 막두께, 미지재료의 광학정수, 또한 혼합비인 분광타원계를 사용한 박막 3층 또는 n층 구조의 해석방법.
- 제 11 항 내지 제 14 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 분광측정 페이즈는 계측대상 기판상의 박막 3층 또는 n층 구조에 대하여, 입사광의 파장을 바꾸어 각 파장 λi마다의 입사광과 반사광의 편광의 변화를 나타내는 측정 스펙트럼 ψE(λi)와 ΔE(λi)를 얻는 ψE, ΔE 스펙트럼 측정스텝 및상기 ψE, ΔE 스펙트럼 측정스텝에서 얻어진 데이터를 보존하는 보존 스텝을 포함하는 분광타원계를 사용한 박막다층 구조의 해석방법.
- 제 11 항 내지 제 14 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 해석 페이즈 1에서는 복수의 모델로부터 피팅에 의해, 해석의 대상이 되는 실제 샘플에 가장 잘 맞는다고 판단되는 1개의 가장 좋은 근사 모델(Best First Approximation Model 이하, BFAM)을 선택하거나, 이미 알고 있는 데이터로부터 가정한 초기 모델을 설정하는 페이즈로서,상기 가장 좋은 근사 모델(BFAM)을 선택하는 경우에는,생각할 수 있는 모델을 복수 종류 설정하는 제 1 스텝,상기 복수 종류의 모델에 대하여 막두께, 혼합비, 입사각도에 대하여 피팅하는 제 2 스텝 및상기 제 2 스텝의 결과로부터 평균이승오차(χ2)의 값이 가장 낮은 모델 또는 미리 설정된 막두께, 혼합비, 입사각도의 최대치와 최소치 사이에 들어 있는 최저평균이승오차(χ2)의 값의 모델을 선정하는 제 3 스텝으로 이루어지는 분광타원계를 사용한 박막 다층구조의 해석방법.
- 제 11 항에 있어서,상기 해석 페이즈 2의 제 1 단계는, 상기 결정된 초기 모델에 있어서, 3층 또는 n층 구조중의 가장 미지의 재료층(주목층)의 광학정수를 분산식 하나에 치환하는 제 1 스텝,상기 설정된 주목층 이외의 임의의 층(1~(n-1))의 막두께나 혼합비 등을, 복수점에 걸쳐 선택하여 각 점에 대하여 주목층의 광범위 극소치 계산법(EBLMC)을 행하는 제 2 스텝, 및상기 제 2 스텝의 광범위 극소치 계산법(EBLMC)의 결과로부터 평균이승오차(χ2)의 값이 가장 낮은 모델 또는 미리 설정된 막두께나 혼합비, 분산식 파라메터, 입사각 등의 최대치와 최소치 사이에 들어 있는 최저평균이승오차(χ2)의 값의 모델을 선정하는 제 3 스텝을 포함하는 분광타원계를 사용한 박막 다층구조의 해석방법.
- 제 11 항 내지 제 14 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 해석 페이즈 2의 제 2~t 단계는, 상기 전단계에서 얻어진 주목층의 광학정수를 거의 기지로 하고, 그 이외의 층 중에서 가장 미지의 재료층을 새로운 주목층으로 하여, 제 18 항에서의 제 1 스텝 내지 제 3 스텝을 행하는 분광타원계를 사용한 박막 다층구조의 해석방법.
- 제 11 항 또는 제 12 항에 있어서,상기 해석 페이즈 2에서 광범위 극소치 계산법(EBLMC)을 행하는 순서는, 3층 구조중의 재료에 있어서, 광학정수가 가장 미지의 재료부터 순서를 정하여 행하는 것으로, 해석 페이즈 2의 해석단계의 수는 층수에 상관없이, 적어도 1에서 3까지 가능한 분광타원계를 사용한 박막 다층구조의 해석방법.
- 제 11 항 내지 제 14 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 해석 페이즈 2에서 평균이승오차(χ2)가 가장 좋은 결과를 선택한 경우, 미리 설정된 각 층의 막두께나 분산식 파라메터, 혼합비, 입사각도의 각각의 최대·최저치의 범위내에 있는 것이 확인되지 않는 경우에는, 해석 페이즈 2를 필요한 횟수, 반복하여 행하는 분광타원계를 사용한 박막 다층구조의 해석방법.
- 제 12 항 또는 제 14 항에 있어서,상기 해석 페이즈 3은 상기 해석 페이즈 2에서 얻은 모델의 임의의 파라메터에 대하여 최종 피팅을 행하고, 결과를 확인하여 보존하는 페이즈인 분광타원계를 사용한 박막 다층구조의 해석방법.
- 제 12 항 또는 제 14 항에 있어서,해석 페이즈 3의 스텝 1의 피팅 결과가 미리 설정한 최대치와 최소치의 범위내이 있는 것이 스텝 2에서 확인되지 않는 경우에는, 해석 페이즈 1로 되돌아가 다시 해석하는 분광타원계를 사용한 박막 다층구조의 해석방법.
- 제 11 항 내지 제 14 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 해석 페이즈 1에서, 주목층으로 유효매질근사를 사용하여 초기 모델을 결정한 후, 해석 페이즈 2의 제 1 단계에서, 이 층에 여러개의 재료가 혼합되어 있다고 하여 유효매질근사를 계속 사용하며, 이 때 이 주목층 안의 여러개의 재료 중 적어도 하나를 분산식으로 나타내는 제 1 스텝 및상기 설정된 주목층 이외의 임의의 층(1~(n-1))의 막두께나 혼합비 등을 복수점에 걸쳐 선택하여, 각 점에 대하여 주목층의 혼합비를 바꾸면서 이 층에 대하여 광범위 극소치 계산법(EBLMC)을 행하는 제 2 스텝을 포함하는 분광타원계를 사용한 박막 다층구조의 해석방법.
- 제 11 항 내지 제 14 항 중 어느 한 항에 있어서,계측대상 기판상의 다층구조를, 입사광의 파장을 바꾸어 각 파장 λi마다의 입사광과 반사광의 편광의 변화를 나타내는 측정 스펙트럼 ψE(λi)와 ΔE(λ i)를 얻는 ψE, ΔE 스펙트럼 분광측정 페이즈 및예상되는 범위내에 있는 복수의 측정조건(Zi)마다에, 해석 페이즈 1 제 3 스텝, 또한 해석 페이즈 2 해석 제 t 단계 제 3 스텝까지를 행하며, 각 측정조건마다에서 얻어지는 결과 중에서, 최저평균이승오차(χ2)의 값 또는 분산식의 파라메터나 혼합비, 입사각도가, 설정된 최대, 최소치의 사이에 들어가있는 조합 중에서, 평균이승오차(χ2)의 값이 가장 좋은 것을 선택하는 제 4 스텝으로 구성되는 분광타원계를 사용한 박막 다층구조의 해석방법.
- 제 11 항 내지 제 14 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 해석 페이즈 1, 2, 3에서의 상기 차이가 가장 적은 것을 선택하는 스텝은, 피팅한 것과, 측정치의 평균이승오차(χ2)를 구하여, 가장 작은 평균이승오차(χ2)의 것 또는 미리 설정된 막두께, 분산식 파라메터, 혼합비, 입사각의 변화량의 각각의 최대·최소치 안에 들어 있는 가장 작은 평균이승오차(χ2)의 것으로 결정하는 것인 분광타원계를 사용한 박막 다층구조의 해석방법.
- 제 13 항 또는 제 14 항에 있어서,상기 해석 페이즈 2에서 광범위 극소치 계산법(EBLMC)을 행하는 순서는, n층 구조중의 재료에 있어서, 광학정수가 가장 미지의 재료부터 순서를 정하여 행하는 것으로, 해석 페이즈 2의 해석단계의 수는 층수에 상관없이, 적어도 1에서 n까지 가능한 분광타원계를 사용한 박막 다층구조의 해석방법.
- 제 12 항 내지 제 14 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 해석 페이즈 2의 제 1 단계는, 상기 결정된 초기 모델에 있어서, 3층 또는 n층 구조중의 가장 미지의 재료층(주목층)의 광학정수를 분산식 하나에 치환하는 제 1 스텝,상기 설정된 주목층 이외의 임의의 층(1~(n-1))의 막두께나 혼합비 등을, 복수점에 걸쳐 선택하여 각 점에 대하여 주목층의 광범위 극소치 계산법(EBLMC)을 행하는 제 2 스텝, 및상기 제 2 스텝의 광범위 극소치 계산법(EBLMC)의 결과로부터 평균이승오차(χ2)의 값이 가장 낮은 모델 또는 미리 설정된 막두께나 혼합비, 분산식 파라메터, 입사각 등의 최대치와 최소치 사이에 들어 있는 최저평균이승오차(χ2)의 값의 모델을 선정하는 제 3 스텝을 포함하는 분광타원계를 사용한 박막 다층구조의 해석방법.
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