JPH1140635A - 半導体多層膜の層厚評価方法 - Google Patents
半導体多層膜の層厚評価方法Info
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- JPH1140635A JPH1140635A JP20997197A JP20997197A JPH1140635A JP H1140635 A JPH1140635 A JP H1140635A JP 20997197 A JP20997197 A JP 20997197A JP 20997197 A JP20997197 A JP 20997197A JP H1140635 A JPH1140635 A JP H1140635A
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- Japan
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- thickness
- ellipsometry
- pattern
- layer thickness
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体多層膜の各層の厚さを非破壊で精度よ
く評価できるようにし、信憑性の高い膜厚データを得ら
れるようにする。 【解決手段】 本発明に係る半導体多層膜の層厚評価方
法は、半導体多層膜の各層の層厚を分光エリプソメトリ
法で評価する方法において、前記半導体多層膜の各層毎
に、層厚の設定値を中心値としてその前後に層厚を変化
させた場合の、それぞれのエリプソメトリパターンをシ
ミュレーションにより求め、層厚に対してエリプソメト
リパターンが敏感な波長領域を各層毎に決定し、前記半
導体多層膜を構成する各層毎に、その層を除く層の層厚
パラメータを固定し、前記測定されたエリプソメトリパ
ターンの前記決定された敏感な波長領域を選択して各層
毎にシミュレーションフィットする工程を、前記半導体
多層膜の全層にわたって行うことを特徴とするものであ
る。図１から本発明による評価値はＴＥＭ評価値に近似
しており、従来による評価値よりもはるかに信憑性が高
いことが明らかである。
く評価できるようにし、信憑性の高い膜厚データを得ら
れるようにする。 【解決手段】 本発明に係る半導体多層膜の層厚評価方
法は、半導体多層膜の各層の層厚を分光エリプソメトリ
法で評価する方法において、前記半導体多層膜の各層毎
に、層厚の設定値を中心値としてその前後に層厚を変化
させた場合の、それぞれのエリプソメトリパターンをシ
ミュレーションにより求め、層厚に対してエリプソメト
リパターンが敏感な波長領域を各層毎に決定し、前記半
導体多層膜を構成する各層毎に、その層を除く層の層厚
パラメータを固定し、前記測定されたエリプソメトリパ
ターンの前記決定された敏感な波長領域を選択して各層
毎にシミュレーションフィットする工程を、前記半導体
多層膜の全層にわたって行うことを特徴とするものであ
る。図１から本発明による評価値はＴＥＭ評価値に近似
しており、従来による評価値よりもはるかに信憑性が高
いことが明らかである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、２種以上の半導体
薄膜の積層構造について、各層の厚さを分光エリプソメ
トリで解析する半導体多層膜の層厚評価方法に関する。
薄膜の積層構造について、各層の厚さを分光エリプソメ
トリで解析する半導体多層膜の層厚評価方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体多層膜の各層の厚さを非破壊で評
価することは、ＩＣ製作プロセス開始前のウエハ選別を
可能とするため非常に重要である。例えば、ヘテロ構造
電界効果トランジスタ（ＨＦＥＴ）の作製に用いる半導
体多層膜（ＩｎＧａＰ／ＧａＡｓ／ＩｎＧａＰ／ＩｎＧ
ａＡｓ／ＧａＡｓｓｕｂ．）について、分光エリプソメ
トリ法により各層の厚さを非破壊で評価できる。
価することは、ＩＣ製作プロセス開始前のウエハ選別を
可能とするため非常に重要である。例えば、ヘテロ構造
電界効果トランジスタ（ＨＦＥＴ）の作製に用いる半導
体多層膜（ＩｎＧａＰ／ＧａＡｓ／ＩｎＧａＰ／ＩｎＧ
ａＡｓ／ＧａＡｓｓｕｂ．）について、分光エリプソメ
トリ法により各層の厚さを非破壊で評価できる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来、実測さ
れたエリプソメトリパターンを、広い波長領域（３００
〜７５０ｎｍ）で全層同時にシミュレーションフィット
しても、信憑性の高い層厚データは得られなかった。こ
の様子を図１に示す。図１には、Ａ、Ｂ、Ｃの３つの試
料の各々の各層の厚さについて、透過電子顕微鏡観察
（ＴＥＭ）による評価値と、従来の分光エリプソメトリ
（ＳＥ）による評価値等とが対比して示されている。図
１から明らかなように、上述した従来法でのＳＥによる
評価値は、ＴＥＭによる評価値からかけ離れており、そ
の信憑性に問題がある。
れたエリプソメトリパターンを、広い波長領域（３００
〜７５０ｎｍ）で全層同時にシミュレーションフィット
しても、信憑性の高い層厚データは得られなかった。こ
の様子を図１に示す。図１には、Ａ、Ｂ、Ｃの３つの試
料の各々の各層の厚さについて、透過電子顕微鏡観察
（ＴＥＭ）による評価値と、従来の分光エリプソメトリ
（ＳＥ）による評価値等とが対比して示されている。図
１から明らかなように、上述した従来法でのＳＥによる
評価値は、ＴＥＭによる評価値からかけ離れており、そ
の信憑性に問題がある。
【０００４】本発明の目的は、半導体多層膜の各層の厚
さを分光エリプソメトリ法で評価する場合において、測
定されたエリプソメトリパターンのシミュレーションフ
ィット方法を改善して、信憑性の高い層厚データを得る
ことができる半導体多層膜の層厚評価方法を提供するこ
とである。
さを分光エリプソメトリ法で評価する場合において、測
定されたエリプソメトリパターンのシミュレーションフ
ィット方法を改善して、信憑性の高い層厚データを得る
ことができる半導体多層膜の層厚評価方法を提供するこ
とである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、半導体多層膜
の各層の層厚を分光エリプソメトリ法で評価する方法に
おいて、前記半導体多層膜の各層毎に、層厚の設定値を
中心値としてその前後に層厚を変化させた場合の、それ
ぞれのエリプソメトリパターンをシミュレーションによ
り求め、層厚に対してエリプソメトリパターンが敏感な
波長領域を各層毎に決定し、前記半導体多層膜を構成す
る各層毎に、その層を除く層の層厚パラメータを固定
し、前記測定されたエリプソメトリパターンの前記決定
された敏感な波長領域を選択して各層毎にシミュレーシ
ョンフィットする工程を、前記半導体多層膜の全層にわ
たって行うようにし、上記目的を達成している。
の各層の層厚を分光エリプソメトリ法で評価する方法に
おいて、前記半導体多層膜の各層毎に、層厚の設定値を
中心値としてその前後に層厚を変化させた場合の、それ
ぞれのエリプソメトリパターンをシミュレーションによ
り求め、層厚に対してエリプソメトリパターンが敏感な
波長領域を各層毎に決定し、前記半導体多層膜を構成す
る各層毎に、その層を除く層の層厚パラメータを固定
し、前記測定されたエリプソメトリパターンの前記決定
された敏感な波長領域を選択して各層毎にシミュレーシ
ョンフィットする工程を、前記半導体多層膜の全層にわ
たって行うようにし、上記目的を達成している。
【０００６】
【発明の実施の形態】本発明では、層厚に敏感なエリプ
ソメトリパターンの波長領域が、各層毎に異なることを
利用する。すなわち、解析すべき半導体多層膜につい
て、エリプソメトリパターンのシミュレーションを、各
層毎に層厚を変えて実行し、各層毎にエリプソメトリパ
ターンの敏感な波長領域をまず明らかにする。次に、実
測したエリプソメトリパターンについて、最適な波長領
域を選択して各層毎にシミュレーションフィットして、
層厚を求める。この場合必要があれば、半導体層の組成
をＸ線回析によって別途決定し、エリプソメトリパター
ンのシミュレーションフィットに反映させるようにす
る。
ソメトリパターンの波長領域が、各層毎に異なることを
利用する。すなわち、解析すべき半導体多層膜につい
て、エリプソメトリパターンのシミュレーションを、各
層毎に層厚を変えて実行し、各層毎にエリプソメトリパ
ターンの敏感な波長領域をまず明らかにする。次に、実
測したエリプソメトリパターンについて、最適な波長領
域を選択して各層毎にシミュレーションフィットして、
層厚を求める。この場合必要があれば、半導体層の組成
をＸ線回析によって別途決定し、エリプソメトリパター
ンのシミュレーションフィットに反映させるようにす
る。
【０００７】すなわち、本発明の実施の形態を、図２に
示す半導体多層膜の層厚測定を例に説明する。まず、エ
リプソメトリパターン（ｃｏｓ( Δ) ）を層厚を変えて
各層毎にシミュレーションした。本実施例では、エリプ
ソスペクトルの測定は、Ｓｏｐｒａ社製ＭＯＳＳ Ｍｏ
ｄｅｌ”ＥＳ４Ｃ”を用いた。ＥＳ４Ｃは光源としてＸ
ｅランプを使用しており、入射光は回転偏向子を透過し
試料に照射されるようになっている。今回、照射角度は
ほぼ７５．１°に設定し、ビーム径は３ｍｍ程度の楕円
であった。反射光はアナライザーを透過し、偏光測定の
精度に優れた高コントラストなグレーティングとプリズ
ム併用のダブルモノクロメータにより分光した。３００
ｎｍ〜７５０ｎｍの波長領域の分散光をフォトマルチプ
ライヤー管で検出し、Ｈａｄａｍａｒｄ変換によりｃｏ
ｓΔを得た。エリプソデータの解析およびシミュレーシ
ョンには、Ｗｏｏｌｌｍａｎ社製のＷｖａｓｅ３２を使
用した。ところで、これまで、ＩｎＧａＰの光学定数
（ｎ，ｋ）は報告されていないことから、ＧａＡｓ基板
上に５０ｎｍのＩｎｘＧａＰ（Ｉｎｘ＝０．５）を成長
させ、光学定数を求めた。図２に示される如く、ＩｎＧ
ａＰ最表面層１０は、層厚の設定値が２０ｎｍ、Ｘ
In（Ｉｎの組成率、以下同じ）の設定値が０．５となっ
ている。また、ＧａＡｓ層１１の層厚の設定値は３ｎｍ
となっており、ＩｎＧａＰバリア層１２の層厚の設定値
は１２ｎｍ、ＸInの設定値は０．５となっている。さら
に、ＩｎＧａＡｓチャネル層１３の層厚の設定値は９．
５ｎｍ、ＸInの設定値は０．１５となっており、ＧａＡ
ｓ層１４の層厚の設定値は１０ｎｍとなっている。
示す半導体多層膜の層厚測定を例に説明する。まず、エ
リプソメトリパターン（ｃｏｓ( Δ) ）を層厚を変えて
各層毎にシミュレーションした。本実施例では、エリプ
ソスペクトルの測定は、Ｓｏｐｒａ社製ＭＯＳＳ Ｍｏ
ｄｅｌ”ＥＳ４Ｃ”を用いた。ＥＳ４Ｃは光源としてＸ
ｅランプを使用しており、入射光は回転偏向子を透過し
試料に照射されるようになっている。今回、照射角度は
ほぼ７５．１°に設定し、ビーム径は３ｍｍ程度の楕円
であった。反射光はアナライザーを透過し、偏光測定の
精度に優れた高コントラストなグレーティングとプリズ
ム併用のダブルモノクロメータにより分光した。３００
ｎｍ〜７５０ｎｍの波長領域の分散光をフォトマルチプ
ライヤー管で検出し、Ｈａｄａｍａｒｄ変換によりｃｏ
ｓΔを得た。エリプソデータの解析およびシミュレーシ
ョンには、Ｗｏｏｌｌｍａｎ社製のＷｖａｓｅ３２を使
用した。ところで、これまで、ＩｎＧａＰの光学定数
（ｎ，ｋ）は報告されていないことから、ＧａＡｓ基板
上に５０ｎｍのＩｎｘＧａＰ（Ｉｎｘ＝０．５）を成長
させ、光学定数を求めた。図２に示される如く、ＩｎＧ
ａＰ最表面層１０は、層厚の設定値が２０ｎｍ、Ｘ
In（Ｉｎの組成率、以下同じ）の設定値が０．５となっ
ている。また、ＧａＡｓ層１１の層厚の設定値は３ｎｍ
となっており、ＩｎＧａＰバリア層１２の層厚の設定値
は１２ｎｍ、ＸInの設定値は０．５となっている。さら
に、ＩｎＧａＡｓチャネル層１３の層厚の設定値は９．
５ｎｍ、ＸInの設定値は０．１５となっており、ＧａＡ
ｓ層１４の層厚の設定値は１０ｎｍとなっている。
【０００８】そして、ＩｎＧａＰ最表面層１０のエリプ
ソメトリパターンは、膜厚の上記設定値２０ｎｍを中心
値としてその前後（１８ｎｍ〜２２ｎｍの範囲）に膜厚
を変化させ、シミュレーションして求めた。図３の符号
ａは、このＩｎＧａＰ最表面層１０のエリプソメトリパ
ターンを示している。また、ＧａＡｓ層１１のエリプソ
メトリパターンは、膜厚の上記設定値３ｎｍを中心値と
してその前後（１ｎｍ〜５ｎｍの範囲）に膜厚を変化さ
せ、シミュレーションして求めた。図３の符号ｂは、こ
のＧａＡｓ層１１のエリプソメトリパターンを示してい
る。
ソメトリパターンは、膜厚の上記設定値２０ｎｍを中心
値としてその前後（１８ｎｍ〜２２ｎｍの範囲）に膜厚
を変化させ、シミュレーションして求めた。図３の符号
ａは、このＩｎＧａＰ最表面層１０のエリプソメトリパ
ターンを示している。また、ＧａＡｓ層１１のエリプソ
メトリパターンは、膜厚の上記設定値３ｎｍを中心値と
してその前後（１ｎｍ〜５ｎｍの範囲）に膜厚を変化さ
せ、シミュレーションして求めた。図３の符号ｂは、こ
のＧａＡｓ層１１のエリプソメトリパターンを示してい
る。
【０００９】さらに、ＩｎＧａＰバリア層１２のエリプ
ソメトリパターンは、膜厚の上記設定値１２．０ｎｍを
中心値としてその前後（１０ｎｍ〜１４ｎｍの範囲）に
膜厚を変化させ、シミュレーションして求めた。図３の
符号ｃは、このＩｎＧａＰバリア層１２のエリプソメト
リパターンを示している。図３における符号ａないしｃ
で示される曲線から、エリプソメトリパターンの敏感な
波長領域が、ＩｎＧａＰ最表面層１０で３５０〜８００
ｎｍ、ＧａＡｓ層１１で３５０〜７００ｎｍ、ＩｎＧａ
Ｐバリア層１２で３５０〜８００ｎｍであることがわか
る。
ソメトリパターンは、膜厚の上記設定値１２．０ｎｍを
中心値としてその前後（１０ｎｍ〜１４ｎｍの範囲）に
膜厚を変化させ、シミュレーションして求めた。図３の
符号ｃは、このＩｎＧａＰバリア層１２のエリプソメト
リパターンを示している。図３における符号ａないしｃ
で示される曲線から、エリプソメトリパターンの敏感な
波長領域が、ＩｎＧａＰ最表面層１０で３５０〜８００
ｎｍ、ＧａＡｓ層１１で３５０〜７００ｎｍ、ＩｎＧａ
Ｐバリア層１２で３５０〜８００ｎｍであることがわか
る。
【００１０】中でも特に、図３に示される様に、ＩｎＧ
ａＰ最表面層１０で５００〜７００ｎｍ、ＧａＡｓ層１
１で３５０〜７００ｎｍ、ＩｎＧａＰバリア層１２で３
５０〜７００ｎｍの波長領域がより敏感であった。
ａＰ最表面層１０で５００〜７００ｎｍ、ＧａＡｓ層１
１で３５０〜７００ｎｍ、ＩｎＧａＰバリア層１２で３
５０〜７００ｎｍの波長領域がより敏感であった。
【００１１】図４に、ＩｎＧａＡｓチャネル層１３の厚
さとＸInを変えた場合について示す。図４において、ａ
は、ＩｎＧａＡｓチャネル層（n - ＩｎＧａＡｓ層）１
３の膜厚の上記設定値９．５ｎｍを中心値としてその前
後（７．５ｎｍ〜１１．５ｎｍの範囲）に膜厚を変化さ
せ、シミュレーションして求めたＩｎＧａＡｓチャネル
層１３のエリプソメトリパターンである。また、図４に
おいてｂは、ＸInを０．１３〜０．１９の範囲において
変化させシミュレーションして求めたＩｎＧａＡｓチャ
ネル層１３のエリプソメトリパターンである。
さとＸInを変えた場合について示す。図４において、ａ
は、ＩｎＧａＡｓチャネル層（n - ＩｎＧａＡｓ層）１
３の膜厚の上記設定値９．５ｎｍを中心値としてその前
後（７．５ｎｍ〜１１．５ｎｍの範囲）に膜厚を変化さ
せ、シミュレーションして求めたＩｎＧａＡｓチャネル
層１３のエリプソメトリパターンである。また、図４に
おいてｂは、ＸInを０．１３〜０．１９の範囲において
変化させシミュレーションして求めたＩｎＧａＡｓチャ
ネル層１３のエリプソメトリパターンである。
【００１２】図４により、ＩｎＧａＡｓチャネル層１３
についてのエリプソメトリパターンの敏感な波長領域は
４５０〜６００ｎｍであることがわかる。さらに、Ｉｎ
ＧａＡｓチャネル層１３については、その厚さ、ＸInと
もに同じ波長領域でエリプソメトリパターンに影響する
こともわかる。これは、エリプソメトリパターンからだ
けではＩｎＧａＡｓチャネル層１３の厚さとＸInを一緒
に解析できないことを意味する。そこで、Ｘ線回折法に
よりＩｎＧａＡｓチャネル層１３のＸInを決定した後、
実測したエリプソメトリパターンのシミュレーションフ
ィットを行った。
についてのエリプソメトリパターンの敏感な波長領域は
４５０〜６００ｎｍであることがわかる。さらに、Ｉｎ
ＧａＡｓチャネル層１３については、その厚さ、ＸInと
もに同じ波長領域でエリプソメトリパターンに影響する
こともわかる。これは、エリプソメトリパターンからだ
けではＩｎＧａＡｓチャネル層１３の厚さとＸInを一緒
に解析できないことを意味する。そこで、Ｘ線回折法に
よりＩｎＧａＡｓチャネル層１３のＸInを決定した後、
実測したエリプソメトリパターンのシミュレーションフ
ィットを行った。
【００１３】具体的には、まず、半導体多層膜のＸ線回
折パターンをＩｎＧａＡｓチャネル層１３のＩｎ組成を
変えてシミュレーションし、これらと実測パターンとの
比較から、ＩｎＧａＡｓチャネル層１３のＸInを０．１
５と決定した。次に、分光エリプソメトリパターンのシ
ミュレーションフィットについて、第一に５００〜７０
０ｎｍの波長領域にてＩｎＧａＰ最表面層１０の層厚を
最適化した。このとき、他の層厚は上記設定値に固定し
た。なお、本実施例では、Ｘ線回折の測定には、Ｐｈｉ
ｌｉｐｓ社製のＭａｔｅｒｉａｌ Ｒｅｓｅａｒｃｈ
Ｄｉｆｆｒａｃｔ ｍｅｔｅｒ（ＭＲＤ）を用いた。Ｍ
ＲＤ装置のＸ線源としてＣｕ- Ｋα線を使用し、面方位
（２２０）ゲルマニウムの４結晶モノクロメータによ
り、発散角度１２°の単色Ｘ線を得た。Ｘ線回折シミュ
レーションは、Ｐｈｉｌｉｐｓ社製のＨｉｇｈｔ Ｒｅ
ｓｏｌｕｔｉｏｎｓ Ｓｉｍｕｌａｔｉｏｎ ｐｒｏｇ
ｒａｍ（ＨＲＳ）を用いた。
折パターンをＩｎＧａＡｓチャネル層１３のＩｎ組成を
変えてシミュレーションし、これらと実測パターンとの
比較から、ＩｎＧａＡｓチャネル層１３のＸInを０．１
５と決定した。次に、分光エリプソメトリパターンのシ
ミュレーションフィットについて、第一に５００〜７０
０ｎｍの波長領域にてＩｎＧａＰ最表面層１０の層厚を
最適化した。このとき、他の層厚は上記設定値に固定し
た。なお、本実施例では、Ｘ線回折の測定には、Ｐｈｉ
ｌｉｐｓ社製のＭａｔｅｒｉａｌ Ｒｅｓｅａｒｃｈ
Ｄｉｆｆｒａｃｔ ｍｅｔｅｒ（ＭＲＤ）を用いた。Ｍ
ＲＤ装置のＸ線源としてＣｕ- Ｋα線を使用し、面方位
（２２０）ゲルマニウムの４結晶モノクロメータによ
り、発散角度１２°の単色Ｘ線を得た。Ｘ線回折シミュ
レーションは、Ｐｈｉｌｉｐｓ社製のＨｉｇｈｔ Ｒｅ
ｓｏｌｕｔｉｏｎｓ Ｓｉｍｕｌａｔｉｏｎ ｐｒｏｇ
ｒａｍ（ＨＲＳ）を用いた。
【００１４】第二に最適化されたＩｎＧａＰ最表面層１
０の層厚とＩｎＧａＡｓチャネル層１３の設定層厚とを
入力し、３５０ｎｍ〜７００ｎｍの波長領域にてＧａＡ
ｓ層１１とＩｎＧａＰバリア層１２の層厚を最適化し
た。最後に４５０〜６００ｎｍにてＩｎＧａＡｓチャネ
ル層１３の層厚を最適化した。
０の層厚とＩｎＧａＡｓチャネル層１３の設定層厚とを
入力し、３５０ｎｍ〜７００ｎｍの波長領域にてＧａＡ
ｓ層１１とＩｎＧａＰバリア層１２の層厚を最適化し
た。最後に４５０〜６００ｎｍにてＩｎＧａＡｓチャネ
ル層１３の層厚を最適化した。
【００１５】図１に、分光エリプソメトリによる評価値
を、上記の波長領域を用いて各層毎にシミュレーション
フィットして求めた場合（本発明）と、広い波長領域
（３００〜７５０ｎｍ）で全層同時にシミュレーション
フィットして求めた場合（従来）を示す。従来法による
評価値がＴＥＭ評価値からかけ離れているのに対し、本
発明による評価値はＴＥＭ評価値に近似しており、はる
かに信憑性が高いことが明らかである。なお、図１にお
いて、試料ＣのＩｎＧａＰ最表面層１０のＴＥＭで求め
た膜厚の欄の７．０〜１０．０は、ＩｎＧａＰ最表面層
１０の膜厚が７．０〜１０．０の範囲内にあることを示
している。
を、上記の波長領域を用いて各層毎にシミュレーション
フィットして求めた場合（本発明）と、広い波長領域
（３００〜７５０ｎｍ）で全層同時にシミュレーション
フィットして求めた場合（従来）を示す。従来法による
評価値がＴＥＭ評価値からかけ離れているのに対し、本
発明による評価値はＴＥＭ評価値に近似しており、はる
かに信憑性が高いことが明らかである。なお、図１にお
いて、試料ＣのＩｎＧａＰ最表面層１０のＴＥＭで求め
た膜厚の欄の７．０〜１０．０は、ＩｎＧａＰ最表面層
１０の膜厚が７．０〜１０．０の範囲内にあることを示
している。
【００１６】
【発明の効果】本発明の層厚評価方法によれば、半導体
多層膜の各層の厚さを非破壊で精度よく評価できるた
め、信憑性の高い膜厚データを得ることができる。
多層膜の各層の厚さを非破壊で精度よく評価できるた
め、信憑性の高い膜厚データを得ることができる。
【図１】半導体多層膜の各層の厚さの透過電子顕微鏡観
察（ＴＥＭ）による評価値と、本発明及び従来の分光エ
リプソメトリ（ＳＥ）による評価値とを比較して示す図
表である。
察（ＴＥＭ）による評価値と、本発明及び従来の分光エ
リプソメトリ（ＳＥ）による評価値とを比較して示す図
表である。
【図２】ヘテロ構造電界効果トランジスタ（ＨＦＥＴ）
の作製に用いる半導体多層膜を示す模式図である。
の作製に用いる半導体多層膜を示す模式図である。
【図３】半導体多層膜の各層をシミュレーションしたエ
リプソメトリパターンを示す図であり、符号ａないしｃ
は各々ＩｎＧａＰ最表面層の厚さを変化させた場合、Ｇ
ａＡｓ層の厚さを変化させた場合、ＩｎＧａＰバリア層
の厚さを変化させた場合のものを示している。
リプソメトリパターンを示す図であり、符号ａないしｃ
は各々ＩｎＧａＰ最表面層の厚さを変化させた場合、Ｇ
ａＡｓ層の厚さを変化させた場合、ＩｎＧａＰバリア層
の厚さを変化させた場合のものを示している。
【図４】半導体多層膜の各層をシミュレーションしたエ
リプソメトリパターンであり、ａはＩｎＧａＡｓチャネ
ル層の厚さを変化させた場合、ｂはＩｎＧａＡｓチャネ
ル層のＩｎ組成を変化させた場合のものを示している。
リプソメトリパターンであり、ａはＩｎＧａＡｓチャネ
ル層の厚さを変化させた場合、ｂはＩｎＧａＡｓチャネ
ル層のＩｎ組成を変化させた場合のものを示している。
１０ ＩｎＧａＰ最表面層 １１ ＧａＡｓ層 １２ ＩｎＧａＰバリア層 １３ ＩｎＧａＡｓチャネル層
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体多層膜の各層の層厚を分光エリプ
ソメトリ法で評価する方法において、前記半導体多層膜
の各層毎に、層厚の設定値を中心値としてその前後に層
厚を変化させた場合の、それぞれのエリプソメトリパタ
ーンをシミュレーションにより求め、層厚に対してエリ
プソメトリパターンが敏感な波長領域を各層毎に決定
し、前記半導体多層膜を構成する各層毎に、その層を除
く層の層厚パラメータを固定し、前記測定されたエリプ
ソメトリパターンの前記決定された敏感な波長領域を選
択して各層毎にシミュレーションフィットする工程を、
前記半導体多層膜の全層にわたって行うことを特徴とす
る半導体多層膜の層厚評価方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20997197A JPH1140635A (ja) | 1997-07-18 | 1997-07-18 | 半導体多層膜の層厚評価方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20997197A JPH1140635A (ja) | 1997-07-18 | 1997-07-18 | 半導体多層膜の層厚評価方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1140635A true JPH1140635A (ja) | 1999-02-12 |
Family
ID=16581720
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20997197A Pending JPH1140635A (ja) | 1997-07-18 | 1997-07-18 | 半導体多層膜の層厚評価方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1140635A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999054924A1 (fr) * | 1998-04-21 | 1999-10-28 | Hitachi, Ltd. | Dispositif et procede permettant de mesurer l'epaisseur d'un film mince, et procede et dispositif de production d'un film mince utilisant les premiers |
| WO2003023373A1 (fr) * | 2001-09-06 | 2003-03-20 | Horiba, Ltd. | Procede pour analyser une structure stratifiee en film mince au moyen d'un ellipsometre spectroscopique |
| JP2005528625A (ja) * | 2002-06-03 | 2005-09-22 | ティンバー テクノロジーズ，インコーポレイティド | 集積回路の光学測定における波長の選択 |
| JP2007510312A (ja) | 2003-10-28 | 2007-04-19 | ティンバー テクノロジーズ，インコーポレイティド | 半導体ウェハ上に形成された構造の方位角走査 |
-
1997
- 1997-07-18 JP JP20997197A patent/JPH1140635A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999054924A1 (fr) * | 1998-04-21 | 1999-10-28 | Hitachi, Ltd. | Dispositif et procede permettant de mesurer l'epaisseur d'un film mince, et procede et dispositif de production d'un film mince utilisant les premiers |
| US6806970B2 (en) | 1998-04-21 | 2004-10-19 | Hitachi, Ltd. | Thin film thickness measuring method and apparatus, and method and apparatus for manufacturing a thin film device using the same |
| WO2003023373A1 (fr) * | 2001-09-06 | 2003-03-20 | Horiba, Ltd. | Procede pour analyser une structure stratifiee en film mince au moyen d'un ellipsometre spectroscopique |
| US7196793B2 (en) | 2001-09-06 | 2007-03-27 | Horiba, Ltd. | Method for analyzing thin-film layer structure using spectroscopic ellipsometer |
| JP2005528625A (ja) * | 2002-06-03 | 2005-09-22 | ティンバー テクノロジーズ，インコーポレイティド | 集積回路の光学測定における波長の選択 |
| US7474993B2 (en) | 2002-06-03 | 2009-01-06 | Timbre Technologies, Inc. | Selection of wavelengths for integrated circuit optical metrology |
| JP2007510312A (ja) | 2003-10-28 | 2007-04-19 | ティンバー テクノロジーズ，インコーポレイティド | 半導体ウェハ上に形成された構造の方位角走査 |
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