KR100881305B1 - 포지티브형 레지스트 조성물, 레지스트 패턴 형성 방법 및 화합물 - Google Patents

포지티브형 레지스트 조성물, 레지스트 패턴 형성 방법 및 화합물 Download PDF

Info

Publication number
KR100881305B1
KR100881305B1 KR1020077019433A KR20077019433A KR100881305B1 KR 100881305 B1 KR100881305 B1 KR 100881305B1 KR 1020077019433 A KR1020077019433 A KR 1020077019433A KR 20077019433 A KR20077019433 A KR 20077019433A KR 100881305 B1 KR100881305 B1 KR 100881305B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
group
formula
alkyl group
integer
independently
Prior art date
Application number
KR1020077019433A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20070101351A (ko
Inventor
다이주 시오노
다쿠 히라야마
히데오 하다
Original Assignee
도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 filed Critical 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤
Publication of KR20070101351A publication Critical patent/KR20070101351A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100881305B1 publication Critical patent/KR100881305B1/ko

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/0045—Photosensitive materials with organic non-macromolecular light-sensitive compounds not otherwise provided for, e.g. dissolution inhibitors
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/0047—Photosensitive materials characterised by additives for obtaining a metallic or ceramic pattern, e.g. by firing
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
    • G03F7/0392—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
    • G03F7/0392—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition
    • G03F7/0397—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition the macromolecular compound having an alicyclic moiety in a side chain
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S430/00—Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
    • Y10S430/1053—Imaging affecting physical property or radiation sensitive material, or producing nonplanar or printing surface - process, composition, or product: radiation sensitive composition or product or process of making binder containing
    • Y10S430/1055—Radiation sensitive composition or product or process of making
    • Y10S430/106—Binder containing

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

산해리성 용해 억제기를 가지며, 산의 작용에 의해 알칼리 용해성이 증대되는 기재 성분 (A) 와, 노광에 의해 산을 발생시키는 산발생제 성분 (B) 를 함유하는 레지스트 조성물에 있어서, 상기 기재 성분 (A) 가, 2 이상의 페놀성 수산기를 가지며 분자량이 300∼2500 인 하기 일반식 (Ⅰ) 로 표시되는 다가 페놀 화합물에서 상기 페놀성 수산기의 수소 원자의 일부 또는 전부가 하기 일반식 (Ⅱ) 로 표시되는 산해리성 용해 억제기 (Ⅱ) 로 치환되어 있는 화합물 (A1) 을 함유하는 포지티브형 레지스트 조성물.
[화학식 1]
Figure 112008054275825-pct00034
[화학식 2]

Description

포지티브형 레지스트 조성물, 레지스트 패턴 형성 방법 및 화합물{POSITIVE-WORKING RESIST COMPOSITION, METHOD FOR RESIST PATTERN FORMATION AND COMPOUND}
본 발명은, 포지티브형 레지스트 조성물, 그 포지티브형 레지스트 조성물을 사용하는 레지스트 패턴 형성 방법, 및 그 포지티브형 레지스트 조성물용으로서 바람직한 화합물에 관한 것이다.
본원은, 2005 년 2 월 25 일에 일본국 특허청에 출원된 일본 특허출원 2005-50721호에 기초하는 우선권을 주장하고, 그 내용을 여기에 원용한다.
최근, 반도체 소자나 액정 표시 소자의 제조에 있어서는, 리소그래피 기술의 진보에 따라 급속하게 패턴의 미세화가 진행되고 있다.
미세화의 수법으로는, 일반적으로, 노광 광원의 단파장화가 실시되고 있다. 구체적으로는, 종래에는, g 선, i 선으로 대표되는 자외선이 사용되고 있었지만, 현재는, KrF 엑시머 레이저나, ArF 엑시머 레이저를 사용한 반도체 소자의 양산이 개시되고 있다. 또한, 이들 엑시머 레이저보다 단파장인 F2 엑시머 레이저, 전자선, EUV (극자외선) 나 X 선 등에 대해서도 검토되고 있다.
또, 미세한 치수의 패턴을 형성할 수 있는 패턴 형성 재료의 하나로서, 막형성능을 갖는 기재 성분과, 노광에 의해 산을 발생시키는 산발생제 성분을 함유하는 화학 증폭형 레지스트가 알려져 있다. 화학 증폭형 레지스트에는, 노광에 의해 알칼리 가용성이 저하되는 네거티브형과, 노광에 의해 알칼리 가용성이 증대되는 포지티브형이 있다.
종래, 이러한 화학 증폭형 레지스트의 기재 성분으로는 폴리머가 사용되고 있고, 예를 들어 폴리히드록시스티렌 (PHS) 이나 그 수산기의 일부를 산해리성 용해 억제기로 보호한 수지 등의 PHS 계 수지, (메트)아크릴산 에스테르로부터 유도되는 공중합체나 그 카르복시기의 일부를 산해리성 용해 억제기로 보호한 수지 등이 사용되고 있다.
그러나, 이러한 패턴 형성 재료를 사용하여 패턴을 형성한 경우, 패턴의 상면이나 측벽의 표면에 거칠함 (러프니스) 이 발생하는 문제가 있다. 예를 들어 레지스트 패턴 측벽 표면의 러프니스, 즉 라인 에지 러프니스 (LER) 는, 홀 패턴에 있어서의 홀 주위의 변형이나, 라인 앤드 스페이스 패턴에 있어서의 라인폭의 편차 등의 원인이 되므로, 미세한 반도체 소자의 형성 등에 악영향을 줄 우려가 있다.
이러한 문제는, 패턴 치수가 작을수록 중대해진다. 그 때문에, 예를 들어 전자선이나 EUV 에 의한 리소그래피에서는, 수 10㎚ 의 미세한 패턴 형성을 목표로 하고 있기 때문에, 현 상황의 패턴 러프니스를 초과하는 극저 러프니스가 요구되고 있다.
그러나, 일반적으로 기재 성분으로서 사용되고 있는 폴리머는, 분자 사이즈 (1 분자당의 평균 제곱 반경) 가 수 ㎚ 전후로 크다. 패턴 형성의 현상 공정에서, 현상액에 대한 레지스트의 용해 거동은 통상, 기재 성분 1 분자 단위로 실시되므로, 기재 성분으로서 폴리머를 사용하는 한, 추가적인 러프니스의 저감은 매우 곤란하다.
이러한 문제에 대하여, 극저 러프니스를 목표로 한 재료로서, 기재 성분으로서 저분자 재료를 사용하는 레지스트가 제안되어 있다. 예를 들어 특허문헌 1, 2 에는, 수산기 등의 알칼리 가용성기를 가지며, 그 일부 또는 전부가 산해리성 용해 억제기로 보호된 저분자 재료가 제안되어 있다. 이러한 저분자 재료는, 저분자량이기 때문에 분자 사이즈가 작고, 러프니스를 저감시킬 수 있을 것으로 예상된다.
특허 문헌 1 : 일본 공개특허공보 2002-099088호
특허 문헌 2 : 일본 공개특허공보 2002-099089호
발명의 개시
발명이 해결하고자 하는 과제
그러나, 실제로는, 이러한 재료를 사용하여 러프니스가 저감된 고해상성 패턴, 예를 들어 90㎚ 보다 미세한 패턴을 실제로 사용할 수 있는 레벨로 형성하는 것은 곤란하다. 예를 들어, 패턴 그 자체를 형성할 수 없다는 (패턴 형성능이 낮다) 문제나, 패턴을 형성할 수 있었다고 해도, 러프니스가 충분히 저감되지 않았거나, 그 형상을 충분히 유지할 수 없는 (패턴 유지능이 낮다) 등의 문제가 있다.
본 발명은, 상기 사정을 감안하여 이루어진 것으로, 러프니스가 저감된 고해상성 레지스트 패턴을 형성할 수 있는 포지티브형 레지스트 조성물 및 레지스트 패턴 형성 방법, 그리고 그 포지티브형 레지스트 조성물용으로서 바람직한 화합물을 제공하는 것을 목적으로 한다.
과제를 해결하기 위한 수단
본 발명자들은, 예의 검토한 결과, 특정한 구조와 분자량을 갖는 다가 페놀 화합물의 페놀성 수산기를 특정한 산해리성 용해 억제기로 보호한 화합물에 의해 상기 과제가 해결되는 것을 찾아내어, 본 발명을 완성시켰다.
즉, 본 발명의 제 1 양태 (aspect) 는, 산해리성 용해 억제기를 가지며, 산의 작용에 의해 알칼리 용해성이 증대되는 기재 성분 (A) 와, 노광에 의해 산을 발생시키는 산발생제 성분 (B) 를 함유하는 포지티브형 레지스트 조성물에 있어서,
상기 기재 성분 (A) 가, 2 이상의 페놀성 수산기를 가지며 분자량이 300∼2500 인 하기 일반식 (Ⅰ) 로 표시되는 다가 페놀 화합물에서 상기 페놀성 수산기의 수소 원자의 일부 또는 전부가 하기 일반식 (Ⅱ) 로 표시되는 산해리성 용해 억제기 (Ⅱ) 로 치환되어 있는 화합물 (A1) 을 함유하는 포지티브형 레지스트 조성물이다.
[화학식 1]
Figure 112007061617169-pct00001
[식 (Ⅰ) 중, R11∼R17 은 각각 독립적으로 탄소수 1∼10 의 알킬기, 또는 방향족 탄화수소기이고, 그 구조 중에 헤테로 원자를 함유해도 되고 ; g, j 는 각각 독립적으로 1 이상의 정수이고, k, q 는 0 또는 1 이상의 정수이고, 또한 g+j+k+q 가 5 이하이고 ; h 는 1 이상의 정수이고, l, m 은 각각 독립적으로 0 또는 1 이상의 정수이고, 또한 h+l+m 이 4 이하이고 ; i 는 1 이상의 정수이고, n, o 는 각각 독립적으로 0 또는 1 이상의 정수이고, 또한 i+n+o 가 4 이하이고 ; p 는 0 또는 1 이고 ; X 는 하기 일반식 (Ⅰa) 로 표시되는 기이다]
[화학식 2]
Figure 112007061617169-pct00002
[식 (Ⅰa) 중, R18, R19 는 각각 독립적으로 탄소수 1∼10 의 알킬기, 또는 방향족 탄화수소기이고, 그 구조 중에 헤테로 원자를 함유해도 되고 ; r, y, z 는 각각 독립적으로 0 또는 1 이상의 정수이고, 또한 r+y+z 가 4 이하이다]
[화학식 3]
Figure 112007061617169-pct00003
[식 (Ⅱ) 중, R1 은 직사슬상의 탄소수 1∼5 의 저급 알킬기이고, 그 구조 중에 헤테로 원자를 함유해도 되고 ; R2 는 수소 원자 또는 탄소수 1∼5 의 저급 알킬기이다]
또한, 본 발명의 제 2 양태는, 상기 제 1 양태의 포지티브형 레지스트 조성물을 사용하여 기판 상에 레지스트막을 형성하는 공정, 상기 레지스트막을 노광하는 공정, 상기 레지스트막을 현상하여 레지스트 패턴을 형성하는 공정을 포함하는 레지스트 패턴 형성 방법이다.
또한, 본 발명의 제 3 양태는, 2 이상의 페놀성 수산기를 가지며 분자량이 300∼2500 인 하기 일반식 (Ⅰ) 로 표시되는 다가 페놀 화합물에서 상기 페놀성 수산기의 수소 원자의 일부 또는 전부가 하기 일반식 (Ⅱ) 로 표시되는 산해리성 용해 억제기 (Ⅱ) 로 치환되어 있는 화합물이다.
[화학식 4]
Figure 112007061617169-pct00004
[식 (Ⅰ) 중, R11∼R17 은 각각 독립적으로 탄소수 1∼10 의 알킬기, 또는 방향족 탄화수소기이고, 그 구조 중에 헤테로 원자를 함유해도 되고 ; g, j 는 각각 독립적으로 1 이상의 정수이고, k, q 는 0 또는 1 이상의 정수이고, 또한 g+j+k+q 가 5 이하이고 ; h 는 1 이상의 정수이고, l, m 은 각각 독립적으로 0 또는 1 이상의 정수이고, 또한 h+l+m 이 4 이하이고 ; i 는 1 이상의 정수이고, n, o 는 각각 독립적으로 0 또는 1 이상의 정수이고, 또한 i+n+o 가 4 이하이고 ; p 는 0 또는 1 이고 ; X 는 하기 일반식 (Ⅰa) 로 표시되는 기이다]
[화학식 5]
Figure 112007061617169-pct00005
[식 (Ⅰa) 중, R18, R19 는 각각 독립적으로 탄소수 1∼10 의 알킬기, 또는 방향족 탄화수소기이고, 그 구조 중에 헤테로 원자를 함유해도 되고 ; r, y, z 는 각각 독립적으로 0 또는 1 이상의 정수이고, 또한 r+y+z 가 4 이하이다]
[화학식 6]
Figure 112007061617169-pct00006
[식 (Ⅱ) 중, R1 은 직사슬상의 탄소수 1∼5 의 저급 알킬기이고, 그 구조 중에 헤테로 원자를 함유해도 되고 ; R2 는 수소 원자 또는 탄소수 1∼5 의 저급 알킬기이다]
또, 본 발명에 있어서, 「노광」 은 방사선의 조사 전반을 포함하는 개념으로 한다.
발명의 효과
본 발명에 의해, 러프니스가 저감된 고해상성 레지스트 패턴을 형성할 수 있는 포지티브형 레지스트 조성물 및 레지스트 패턴 형성 방법, 그리고 그 포지티브형 레지스트 조성물용으로서 바람직한 화합물이 제공된다.
발명을 실시하기 위한 최선의 형태
《화합물》
본 발명의 화합물 (이하, 화합물 (A1) 이라고 한다) 은, 2 이상의 페놀성 수산기를 가지며 분자량이 300∼2500 인 상기 일반식 (Ⅰ) 로 표시되는 다가 페놀 화합물 (이하, 다가 페놀 화합물 (Ⅰ) 이라고 하는 경우가 있다) 에서 상기 페놀성 수산기의 수소 원자의 일부 또는 전부가 상기 일반식 (Ⅱ) 로 표시되는 산해리성 용해 억제기 (Ⅱ) 로 치환되어 있는 화합물이다.
화합물 (A1) 에 있어서는, 노광에 의해 산을 발생시키는 산발생제 성분 (B) 와 함께 레지스트 조성물에 배합된 경우, 노광에 의해 그 산발생제 성분 (B) 로부터 발생한 산이 작용하면, 산해리 용해 억제기 (Ⅱ) 가 해리되고, 화합물 (A1) 전체가 알칼리 불용성에서 알칼리 가용성으로 변화된다.
·다가 페놀 화합물 (Ⅰ)
일반식 (Ⅰ) 중, R11∼R17 은, 각각 독립적으로, 탄소수 1∼10 의 직사슬상, 분기상 또는 고리형 알킬기, 또는 방향족 탄화수소기이다.
알킬기로는, 탄소수 1∼5 의 직사슬상 또는 분기상의 저급 알킬기 또는 탄소수 5∼6 의 고리형 알킬기가 바람직하다. 그 저급 알킬기로는, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 이소부틸기, tert-부틸기, 펜틸기, 이소펜틸기, 네오펜틸기 등의 직사슬상 또는 분기상의 알킬기를 들 수 있다. 그 고리형 알킬기로는 시클로헥실기, 시클로펜틸기 등을 들 수 있다.
방향족 탄화수소기로는, 탄소수가 6∼15 인 것이 바람직하고, 예를 들어 페닐기, 톨릴기, 자일릴기, 메시틸기, 펜에틸기, 나프틸기 등을 들 수 있다.
이들 알킬기 또는 방향족 탄화수소기는, 그 구조 중에 산소 원자, 질소 원자, 황 원자 등의 헤테로 원자를 함유해도 된다.
g, j 는 각각 독립적으로 1 이상, 바람직하게는 1∼2 의 정수이고, k, q 는 각각 독립적으로 0 또는 1 이상, 바람직하게는 0 또는 1 이상이고, 2 를 초과하지 않는 정수이고, 또한 g+j+k+q 가 5 이하이다.
h 는 1 이상, 바람직하게는 1∼2 의 정수이고, l, m 은 각각 독립적으로 0 또는 1 이상, 바람직하게는 0 또는 1 이상이고, 2 를 초과하지 않는 정수이고, 또한 h+l+m 이 4 이하이다.
i 는 1 이상, 바람직하게는 1∼2 의 정수이고, n, o 는 각각 독립적으로 0 또는 1 이상, 바람직하게는 0 또는 1 이상이고, 2 를 초과하지 않는 정수이고, 또한 i+n+o 가 4 이하이다.
p 는 0 또는 1 이고, 바람직하게는 1 이다.
X 는 상기 일반식 (Ⅰa) 로 표시되는 기이다.
식 (Ⅰa) 중, R18, R19 의 알킬기 또는 방향족 탄화수소기로는, 상기 R11∼R17 의 알킬기 또는 방향족 탄화수소기와 동일한 것을 들 수 있다. 그 중에서도, R18, R19 로는, 본 발명의 효과 면에서 메틸기가 바람직하다.
r, y, z 는 각각 독립적으로 0 또는 1 이상의 정수이고, 또한 r+y+z 가 4 이하이다. 그 중에서도, r 이 1 이고, 또한 y+z 가 1 인 것이 바람직하다.
이들 중에서도, 러프니스가 저감된 고해상성의 패턴을 형성할 수 있는 점에서, p 가 1 이고, R11 이 저급 알킬기 또는 시클로알킬기이고, 또한 j 가 1 이고, R12 가 저급 알킬기이고, 또한 k 가 1 이고, g 가 1 인 화합물 (Ⅰ-1) 이 바람직하다. 특히, 화합물 (Ⅰ-1) 에 있어서의 q 와 l 과 m 과 n 과 o 가 0 이고, h 와 i 가 모두 1 이고, r 이 1 이고, R18 이 저급 알킬기이고, 또한 z 가 1 이고, y 가 0 인 화합물이 바람직하다.
다가 페놀 화합물 (Ⅰ) 로는, 예를 들어 하기 식 (Ⅰ-11) 또는 (Ⅰ-12) 로 표시되는 화합물 등을 예시할 수 있다.
[화학식 7]
Figure 112007061617169-pct00007
본 발명에 있어서, 다가 페놀 화합물 (Ⅰ) 은, 분자량이 300∼2500 일 필요가 있고, 바람직하게는 450∼1500, 보다 바람직하게는 500∼1200 이다. 분자량이 상기 범위 내인 것에 의해, 러프니스가 저감되고, 해상성이 우수한 패턴을 형성할 수 있다. 또, 레지스트 패턴의 프로파일 형상이 양호하다.
다가 페놀 화합물 (Ⅰ) 은, 분자량의 분산도 (Mw/Mn) 가 1.5 이하이면, 본 발명의 효과가 더욱 우수하므로 바람직하다. 이것은, 다가 페놀 화합물 (Ⅰ) 이, 분산도가 1.5 이하라는 좁은 분자량 분포를 가짐으로써, 포지티브형 레지스트 조성물 중에, 화합물 (A1) 로서, 다가 페놀 화합물 (Ⅰ) 에 있어서의 페놀성 수산기의 수소 원자가 산해리성 용해 억제기로 치환되어 있는 수 (보호수) 가 상이한 복수의 화합물이 함유되어 있어도, 각 화합물의 알칼리 용해성이 비교적 균일하게 되기 때문인 것으로 생각된다. 분산도는 작을수록 바람직하고, 보다 바람직하게는 1.4 이하, 가장 바람직하게는 1.3 이하이다.
또, 분산도란 통상 폴리머 등의 다분산계의 화합물에 사용되는 것이지만, 단분산의 화합물이어도, 제조시에 있어서의 부생물이나 잔류하는 출발 물질 등의 불순물의 존재에 의해, 겔 투과 크로마토그래피 (GPC) 등으로 분석했을 때, 겉보기 상, 그 분자량에 분포가 발생하는 경우가 있다. 즉, 단분산 화합물의 경우에 분산도가 1 이라는 것은 순도가 100% 인 것을 의미하고, 분산도가 클수록 불순물의 양이 많다.
본 발명에 있어서, 분산도는, 이러한 겉보기 상의 분자량 분포를 나타내는 화합물에 관해서, 일반적으로 사용되고 있는 폴리머의 질량 평균 분자량 (Mw) 및 수평균 분자량 (Mn) 의 측정 방법, 예를 들어 GPC 등에 의해 Mw 및 Mn 을 측정하고, Mw/Mn 비를 구함으로써 산출할 수 있다.
분산도는, 최종 목적 생성물인 다가 페놀 화합물 (Ⅰ) 을 합성한 후, 반응 부생성물이나 불순물을 정제 제거하거나, 분자량 분별 처리 등의 공지된 방법에 의해 불필요한 분자량 부분을 제거하여 조절할 수 있다.
다가 페놀 화합물 (Ⅰ) 은, 그 수산기의 수소 원자가 전혀 산해리성 용해 억제기로 치환되어 있지 않은 상태에 있어서, 스핀 코트법에 의해 어모퍼스 (비정질) 막을 형성할 수 있는 재료이다.
여기에서, 스핀 코트법은 일반적으로 사용되고 있는 박막 형성 수법의 하나이고, 어모퍼스막이란 결정화되지 않은 광학적으로 투명한 막을 의미한다.
다가 페놀 화합물 (Ⅰ) 이 스핀 코트법에 의해 어모퍼스막을 형성할 수 있는 재료인지의 여부는, 8 인치 실리콘 웨이퍼 상에 스핀 코트법에 의해 형성한 도막이 전체면 투명한지의 여부에 의해 판별할 수 있다. 보다 구체적으로는, 예를 들어 이하와 같이 하여 판별할 수 있다. 먼저, 당해 다가 페놀 화합물 (Ⅰ) 에, 일반적으로 레지스트 용제에 사용되고 있는 용제를 사용하여, 예를 들어 락트산 에틸/프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트=40/60 (질량비) 의 혼합 용제 (이하, EM 이라고 약기한다) 를, 농도가 14 질량% 가 되도록 용해하고, 초음파 세정기를 사용하여 초음파 처리 (용해 처리) 를 실시하여 용해시킨다. 이어서, 그 용액을, 웨이퍼 상에 1500rpm 으로 스핀 코트하고, 임의로 건조 베이크 (PAB, Post Applied Bake) 를 110℃, 90 초의 조건에서 실시하고, 이 상태에서, 육안으로 투명한 막이 얻어졌는지를 판별함으로써, 어모퍼스막이 형성되어 있는지를 확인한다. 또, 투명하지 않은 흐린 막은 어모퍼스막은 아니다.
또한, 다가 페놀 화합물 (Ⅰ) 은, 상기 서술한 바와 같이 하여 형성되는 어모퍼스막이 안정성이 양호한 것이 바람직하고, 예를 들어 상기 PAB 후, 실온 환경 하에서 2 주간 방치한 후에도 투명한 상태, 즉 어모퍼스 상태가 유지되어 있는 것이 바람직하다.
·산해리성 용해 억제기 (Ⅱ)
식 (Ⅱ) 중, R1 은 직사슬상의 탄소수 1∼5 의 저급 알킬기이고, 그 저급 알킬기로는, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, n-부틸기, 이소부틸기, n-펜틸기를 들 수 있다.
R1 의 저급 알킬기는, 그 구조 중에, 산소 원자, 질소 원자, 황 원자 등의 헤테로 원자를 함유해도 된다. 즉, R1 의 저급 알킬기로는, 수소 원자의 일부 또는 전부가 헤테로 원자를 함유하는 기 (헤테로 원자 그 자체의 경우도 포함한다) 로 치환되어 있어도 되는 직사슬상 알킬기, 그 알킬기의 탄소원자의 일부가 헤테로 원자로 치환되어 있는 기 등이 포함된다. 헤테로 원자로는, 산소 원자, 황 원자, 질소 원자, 불소 원자 등을 들 수 있다. 또, 본 발명에 있어서, 「알킬기」 는, 특별히 기재가 없는 한, 1 가의 포화 탄화수소기를 의미한다.
「헤테로 원자를 함유하는 기」 로는, 헤테로 원자 자체이어도 되고, 또한, 헤테로 원자와 탄소 원자 및/또는 수소 원자로 이루어지는 기, 예를 들어 알콕시기 등이어도 된다.
수소 원자의 일부 또는 전부가 헤테로 원자로 치환된 알킬기의 예로는, 예를 들어 수소 원자의 일부 또는 전부가 불소 원자로 치환된 불소화 저급 알킬기, 동일한 탄소 원자에 결합된 2 개의 수소 원자가 1 개의 산소 원자로 치환된 기 (즉 카르보닐기 (C=O) 를 갖는 기), 동일한 탄소 원자에 결합된 2 개의 수소 원자가 1 개의 황 원자로 치환된 기 (즉 티오카르보닐 (C=S) 을 갖는 기) 등을 들 수 있다.
「알킬기의 탄소 원자의 일부가 헤테로 원자로 치환되어 있는 기」 로는, 예를 들어 탄소 원자가 질소 원자로 치환되어 있는 예 (예를 들어, 그 구조 중에 -CH2- 를 함유하는 직사슬상 알킬기에 있어서 그 -CH2- 가 -NH- 로 치환된 기) 나, 탄소 원자가 산소 원자로 치환되어 있는 예 (예를 들어, 그 구조 중에 -CH2- 를 함유하는 직사슬상 알킬기에 있어서 그 -CH2- 가 -O- 로 치환된 기) 등을 들 수 있다.
본 발명에 있어서, R1 로는, 본 발명의 효과 면에서, 에틸기가 특히 바람직하다.
R2 는 수소 원자 또는 탄소수 1∼5 의 저급 알킬기이고, 그 저급 알킬기로는, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 이소부틸기, tert-부틸기, 펜틸기, 이소펜틸기, 네오펜틸기 등의 직사슬상 또는 분기상 알킬기를 들 수 있다. R2 로는, 공업상 입수하기 쉬운 점에서, 수소 원자 또는 메틸기가 바람직하고, 특히 메틸기가 바람직하다.
산해리성 용해 억제기 (Ⅱ) 로는, 예를 들어 1-에톡시에틸기, 1-에톡시메틸기, 1-메톡시에틸기, 1-메톡시메틸기, 1-메톡시프로필기, 1-에톡시프로필기, 1-n-부톡시에틸기, 1-펜타플루오로에톡시에틸기, 1-트리플루오로메톡시에틸기, 1-트리플루오로메톡시메틸기 등을 들 수 있다.
본 발명에 있어서, 화합물 (A1) 은, 본 발명의 효과를 저해하지 않는 범위에서, 산해리성 용해 억제기 (Ⅱ) 이외의 산해리성 용해 억제기 (Ⅲ) 에 의해, 그 페놀성 수산기의 수소 원자의 일부가 치환되어 있어도 된다. 이러한 산해리성 용해 억제기 (Ⅲ) 으로는, 특별히 제한은 없고, KrF 나 ArF 용 화학 증폭형 레지스트 조성물에 사용되는 히드록시스티렌계 수지, (메트)아크릴레이트계 수지 등에 있어서 제안되어 있는 것 중에서 적절히 선택하여 사용할 수 있다. 또, 「(메트)아크릴레이트」 란, 아크릴레이트와, 메타크릴레이트의 일방 또는 양방을 의미한다.
구체적으로는, 1-분기상 또는 고리형 알킬옥시알킬기, 제 3 급 알킬기, 제 3 급 알킬옥시카르보닐기, 제 3 급 알킬옥시카르보닐알킬기, 고리형 에테르기 등을 들 수 있다.
1-분기상 또는 고리형 알킬옥시알킬기로는, 상기 일반식 (Ⅱ) 에 있어서의 R1 이 분기상 또는 고리형 알킬기인 기에 상당하는 기를 들 수 있다.
분기상 알킬기로서, 구체적으로는 이소프로필기, 이소부틸기, tert-부틸기, 이소펜틸기, 네오펜틸기, tert-펜틸기 등을 들 수 있다.
고리형 알킬기로서, 구체적으로는 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 아다만틸기, 노르보르닐기, 이소보르닐기, 트리시클로데카닐기, 테트라시클로도데카닐기 등을 들 수 있다.
제 3 급 알킬기로서, 구체적으로는 tert-부틸기, tert-아밀기 등의 사슬형의 제 3 급 알킬기, 2-메틸-2-아다만틸기, 2-에틸-2-아다만틸기 등의, 지방족 다환식기를 포함하는 제 3 급 알킬기 등을 들 수 있다. 여기에서, 본 명세서 및 청구의 범위에 있어서의 「지방족」 이란, 방향족에 대한 상대적인 개념으로서, 방향족성을 가지지 않는 기, 화합물 등을 의미한다. 「지방족 고리형기」 는, 방향족성을 가지지 않는 단환식기 또는 다환식기인 것을 의미하고, 포화 또는 불포화 중 어느 것이어도 되는데, 통상은 포화인 것이 바람직하다.
제 3 급 알킬옥시카르보닐기, 제 3 급 알킬옥시카르보닐알킬기에 있어서의 제 3 급 알킬기로는, 상기와 동일한 것을 들 수 있다.
제 3 급 알킬옥시카르보닐기로서, 구체적으로는 tert-부틸옥시카르보닐기, tert-아밀옥시카르보닐기 등을 들 수 있다.
제 3 급 알킬옥시카르보닐알킬기로서, 구체적으로는 tert-부틸옥시카르보닐메틸기, tert-아밀옥시카르보닐메틸기 등을 들 수 있다.
고리형 에테르기로서, 구체적으로는 테트라히드로피라닐기, 테트라히드로푸라닐기 등을 들 수 있다.
화합물 (A1) 은, 예를 들어 다가 페놀 화합물 (Ⅰ) 의 페놀성 수산기의 수소 원자의 일부 또는 전부를, 주지된 방법에 의해, 산해리성 용해 억제기 (산해리성 용해 억제기 (Ⅱ) 와 임의의 그 밖의 산해리성 용해 억제기 (Ⅲ) 중 적어도 산해리성 용해 억제기 (Ⅱ)) 로 치환함으로써 제조할 수 있다.
《포지티브형 레지스트 조성물》
본 발명의 포지티브형 레지스트 조성물은, 산해리성 용해 억제기를 가지며, 산의 작용에 의해 알칼리 용해성이 증대되는 기재 성분 (A) (이하, (A) 성분이라고 하는 경우가 있다) 와, 노광에 의해 산을 발생시키는 산발생제 성분 (B) (이하, (B) 성분이라고 하는 경우가 있다) 를 함유하는 것이다.
상기 (A) 성분에 있어서는, 노광에 의해 상기 (B) 성분으로부터 발생한 산이 작용하면, 산해리성 용해 억제기가 해리되고, 이에 의해 (A) 성분 전체가 알칼리 불용성에서 알칼리 가용성으로 변화된다. 그 때문에, 레지스트 패턴의 형성에 있어서, 그 레지스트 조성물로 이루어지는 레지스트막을 선택적으로 노광하면, 또는 노광에 추가하여 노광 후 가열하면, 노광부는 알칼리 가용성으로 바뀌는 한편, 미노광부는 알칼리 불용성 그대로 변화되지 않기 때문에, 알칼리 현상함으로써 포지티브형 레지스트 패턴을 형성할 수 있다.
본 발명의 포지티브형 레지스트 조성물에 있어서는, (A) 성분이, 상기 본 발명의 화합물 (A1) 을 함유할 필요가 있다.
화합물 (A1) 은, 1 종 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 병용해도 된다.
화합물 (A1) 로서 2 종 이상의 화합물, 예를 들어 다가 페놀 화합물 (Ⅰ) 의 구조가 동일하고, 또한 산해리성 용해 억제기 (산해리성 용해 억제기 (Ⅱ) 와 임의의 그 밖의 산해리성 용해 억제기 중 적어도 산해리성 용해 억제기 (Ⅱ)) 에 의해 그 수소 원자가 치환되어 있는 (이하, 간단히 「페놀성 수산기가 보호되어 있다」 고 하는 경우가 있다) 페놀성 수산기의 수 (보호수) 가 상이한 복수의 화합물 (이하, 「상이한 복수의 화합물」 이라고 하는 경우가 있다) 을 함유하는 경우, 각 상이한 복수의 화합물의 보호수가 가까울수록 본 발명의 효과가 우수하여 바람직하다.
화합물 (A1) 에 있어서의 각 상이한 복수의 화합물의 비율은, 역상 크로마토그래피 등의 수단에 의해 측정할 수 있다.
또한, 각 상이한 복수의 화합물에 있어서의 보호수는, 다가 페놀 화합물 (Ⅰ) 의 페놀성 수산기를 상기 산해리성 용해 억제기로 보호할 때의 조건 등에 따라 조절할 수 있다.
(A) 성분 중, 화합물 (A1) 의 비율은, 40 질량% 를 초과하는 것이 바람직하고, 50 질량% 를 초과하는 것이 보다 바람직하고, 80 질량% 를 초과하는 것이 더욱 바람직하고, 가장 바람직하게는 100 질량% 이다.
(A) 성분 중의 화합물 (A1) 의 비율은, 역상 크로마토그래피 등의 수단에 의해 측정할 수 있다.
(A) 성분은, 상기 다가 페놀 화합물 (Ⅰ) 에 있어서의 상기 페놀성 수산기가 산해리성 용해 억제기에 의해 전혀 보호되어 있지 않은 것, 즉 다가 페놀 화합물 (Ⅰ) 그 자체를 함유하고 있어도 된다.
(A) 성분 중, 다가 페놀 화합물 (Ⅰ) 의 비율은 적을수록 바람직하고, 60 질량% 이하인 것이 보다 바람직하고, 50 질량% 이하인 것이 보다 바람직하고, 10 질량% 이하인 것이 더욱 바람직하고, 가장 바람직하게는 0 질량% 이다. 다가 페놀 화합물 (Ⅰ) 이 60 질량% 이하인 것에 의해, 본 발명의 효과가 더욱 향상된다.
(A) 성분 중의 다가 페놀 화합물 (Ⅰ) 의 비율은, 예를 들어 겔 투과 크로마토그래프 (GPC) 에 의해 다가 페놀 화합물 (Ⅰ) 을 제거하는 등에 의해 조정할 수 있다.
(A) 성분 중의 다가 페놀 화합물 (Ⅰ) 의 비율은, 역상 크로마토그래피 등의 수단에 의해 측정할 수 있다.
(A) 성분에 있어서, (A) 성분 중의 페놀성 수산기의 보호율, 즉, 산해리성 용해 억제기로 보호된 페놀성 수산기 및 산해리성 용해 억제기로 보호되어 있지 않은 페놀성 수산기의 합계량에 대한 산해리성 용해 억제기로 보호된 페놀성 수산기의 비율은, 다가 페놀 화합물 (Ⅰ) 의 구조나 페놀성 수산기의 수, 원하는 각종 리소그래피 특성 등을 고려하여 적절히 결정할 수 있다. 예를 들어, 해상성, 러프니스 저감 효과를 고려하면, 5∼50 몰% 가 바람직하고, 7∼45 몰% 가 보다 바람직하고, 15∼45 몰% 가 더욱 바람직하다.
(A) 성분은, 추가로, 본 발명의 효과를 저해하지 않는 범위에서, 지금까지 화학 증폭형 레지스트층의 기재 성분으로서 제안되어 있는 임의의 수지 성분을 함유하고 있어도 된다.
이러한 수지 성분으로는, 예를 들어 종래의 화학 증폭형 KrF 용 포지티브형 레지스트 조성물, ArF 용 포지티브형 레지스트 조성물 등의 베이스 수지로서 제안되어 있는 것을 들 수 있고, 레지스트 패턴 형성시에 사용하는 노광 광원의 종류에 따라 적절히 선택할 수 있다.
본 발명의 포지티브형 레지스트 조성물 중, (A) 성분의 함유량은 형성하고자 하는 레지스트막 두께에 따라 조정하면 된다.
(B) 성분으로는, 특별히 한정되지 않고, 지금까지 화학 증폭형 레지스트용 산발생제로서 제안되어 있는 것을 사용할 수 있다. 이러한 산발생제로는, 지금까지, 요오드늄염이나 술포늄염 등의 오늄염계 산발생제, 옥심술포네이트계 산발생제, 비스알킬 또는 비스아릴술포닐디아조메탄류, 폴리(비스술포닐)디아조메탄류 등의 디아조메탄계 산발생제, 니트로벤질술포네이트계 산발생제, 이미노술포네이트계 산발생제, 디술폰계 산발생제 등 다종의 것이 알려져 있다.
오늄염계 산발생제로는, 하기 일반식 (b-1) 또는 (b-2) 로 표시되는 화합물을 들 수 있다.
[화학식 8]
Figure 112007061617169-pct00008
[식 중, R1''∼R3'', R5''∼R6'' 는, 각각 독립적으로 아릴기 또는 알킬기를 나타내고 ; R4'' 는, 직사슬, 분기 또는 고리형 알킬기 또는 불소화 알킬기를 나타내고 ; R1''∼R3'' 중 적어도 1 개는 아릴기를 나타내고, R5''∼R6'' 중 적어도 1 개는 아릴기를 나타낸다]
식 (b-1) 중, R1''∼R3'' 는 각각 독립적으로 아릴기 또는 알킬기를 나타낸다. R1''∼R3'' 중, 적어도 1 개는 아릴기를 나타낸다. R1''∼R3'' 중, 2 이상이 아릴기인 것이 바람직하고, R1''∼R3'' 의 전부가 아릴기인 것이 가장 바람직하다.
R1''∼R3'' 의 아릴기로는, 특별히 제한은 없고, 예를 들어 탄소수 6∼20 의 아릴기로서, 그 아릴기는, 그 수소 원자의 일부 또는 전부가 알킬기, 알콕시기, 할로겐 원자 등으로 치환되어 있어도 되고, 치환되어 있지 않아도 된다. 아릴기로는, 저가로 합성 가능한 점에서, 탄소수 6∼10 의 아릴기가 바람직하다. 구체적으로는, 예를 들어 페닐기, 나프틸기를 들 수 있다.
상기 아릴기의 수소 원자가 치환되어 있어도 되는 알킬기로는, 탄소수 1∼5 의 알킬기가 바람직하고, 메틸기, 에틸기, 프로필기, n-부틸기, tert-부틸기인 것이 가장 바람직하다.
상기 아릴기의 수소 원자가 치환되어 있어도 되는 알콕시기로는, 탄소수 1∼5 의 알콕시기가 바람직하고, 메톡시기, 에톡시기가 가장 바람직하다.
상기 아릴기의 수소 원자가 치환되어 있어도 되는 할로겐 원자로는, 불소 원자인 것이 바람직하다.
R1''∼R3'' 의 알킬기로는, 특별히 제한은 없고, 예를 들어 탄소수 1∼10 의 직사슬상, 분기상 또는 고리형 알킬기 등을 들 수 있다. 해상성이 우수한 점에서, 탄소수 1∼5 인 것이 바람직하다. 구체적으로는, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 이소부틸기, n-펜틸기, 시클로펜틸기, 헥실기, 시클로헥실기, 노닐기, 데카닐기 등을 들 수 있고, 해상성이 우수하고, 또한 저가로 합성 가능한 점에서 바람직한 것으로서 메틸기를 들 수 있다.
이들 중에서, R1''∼R3'' 는 전부 페닐기인 것이 가장 바람직하다.
R4'' 는, 직사슬, 분기 또는 고리형 알킬기 또는 불소화 알킬기를 나타낸다.
상기 직사슬 또는 분기의 알킬기로는, 탄소수 1∼10 인 것이 바람직하고, 탄소수 1∼8 인 것이 더욱 바람직하고, 탄소수 1∼4 인 것이 가장 바람직하다.
상기 고리형 알킬기로는, 상기 R1'' 로 나타낸 고리형기로서, 탄소수 4∼15 인 것이 바람직하고, 탄소수 4∼10 인 것이 더욱 바람직하고, 탄소수 6∼10 인 것이 가장 바람직하다.
상기 불소화 알킬기로는, 탄소수 1∼10 인 것이 바람직하고, 탄소수 1∼8 인 것이 더욱 바람직하고, 탄소수 1∼4 인 것이 가장 바람직하다. 또한, 그 불화 알킬기의 불소화율 (알킬기 중의 불소 원자의 비율) 은, 바람직하게는 10∼100%, 더욱 바람직하게는 50∼100% 이고, 특히 수소 원자를 전부 불소 원자로 치환한 것이 산의 강도가 강해지므로 바람직하다.
R4'' 로는, 직사슬 또는 고리형 알킬기, 또는 불소화 알킬기인 것이 가장 바람직하다.
식 (b-2) 중, R5''∼R6'' 는 각각 독립적으로 아릴기 또는 알킬기를 나타낸다. R5''∼R6'' 중, 적어도 1 개는 아릴기를 나타낸다. R5''∼R6'' 의 전부가 아릴기인 것이 바람직하다.
R5''∼R6'' 의 아릴기로는, R1''∼R3'' 의 아릴기와 동일한 것을 들 수 있다.
R5''∼R6'' 의 알킬기로는, R1''∼R3'' 의 알킬기와 동일한 것을 들 수 있다.
이들 중에서, R5''∼R6'' 는 전부 페닐기인 것이 가장 바람직하다.
식 (b-2) 중의 R4'' 로는 상기 식 (b-1) 의 R4'' 와 동일한 것을 들 수 있다.
오늄염계 산발생제의 구체예로는, 디페닐요오드늄의 트리플루오로메탄술포네이트 또는 노나플루오로부탄술포네이트, 비스(4-tert-부틸페닐)요오드늄의 트리플루오로메탄술포네이트 또는 노나플루오로부탄술포네이트, 트리페닐술포늄의 트리플루오로메탄술포네이트, 그 헵타플루오로프로판술포네이트 또는 그 노나플루오로부탄술포네이트, 트리(4-메틸페닐)술포늄의 트리플루오로메탄술포네이트, 그 헵타플루오로프로판술포네이트 또는 그 노나플루오로부탄술포네이트, 디메틸(4-히드록시나프틸)술포늄의 트리플루오로메탄술포네이트, 그 헵타플루오로프로판술포네이트 또는 그 노나플루오로부탄술포네이트, 모노페닐디메틸술포늄의 트리플루오로메탄술포네이트, 그 헵타플루오로프로판술포네이트 또는 그 노나플루오로부탄술포네이트,디페닐모노메틸술포늄의 트리플루오로메탄술포네이트, 그 헵타플루오로프로판술포네이트 또는 그 노나플루오로부탄술포네이트, (4-메틸페닐)디페닐술포늄의 트리플루오로메탄술포네이트, 그 헵타플루오로프로판술포네이트 또는 그 노나플루오로부탄술포네이트, (4-메톡시페닐)디페닐술포늄의 트리플루오로메탄술포네이트, 그 헵타플루오로프로판술포네이트 또는 그 노나플루오로부탄술포네이트, 트리(4-tert-부틸)페닐술포늄의 트리플루오로메탄술포네이트, 그 헵타플루오로프로판술포네이트 또는 그 노나플루오로부탄술포네이트, 디페닐(1-(4-메톡시)나프틸)술포늄의 트리플루오로메탄술포네이트, 그 헵타플루오로프로판술포네이트 또는 그 노나플루오로부탄술포네이트 등을 들 수 있다. 또한, 이들 오늄염의 음이온부가 메탄술포네이트, n-프로판술포네이트, n-부탄술포네이트, n-옥탄술포네이트로 치환한 오늄염도 사용할 수 있다.
또한, 상기 일반식 (b-1) 또는 (b-2) 에 있어서, 음이온부를 하기 일반식 (b-3) 또는 (b-4) 로 표시되는 음이온부로 치환한 것도 사용할 수 있다 (양이온부는 (b-1) 또는 (b-2) 와 동일).
[화학식 9]
Figure 112007061617169-pct00009
[식 중, X'' 는, 적어도 1 개의 수소 원자가 불소 원자로 치환된 탄소수 2∼6 의 알킬렌기를 나타내고 ; Y'', Z'' 는 각각 독립적으로 적어도 1 개의 수소 원자가 불소 원자로 치환된 탄소수 1∼10 의 알킬기를 나타낸다]
X'' 는, 적어도 1 개의 수소 원자가 불소 원자로 치환된 직사슬상 또는 분기상 알킬렌기이고, 그 알킬렌기의 탄소수는 2∼6 이고, 바람직하게는 탄소수 3∼5, 가장 바람직하게는 탄소수 3 이다.
Y'', Z'' 는, 각각 독립적으로 적어도 1 개의 수소 원자가 불소 원자로 치환된 직사슬상 또는 분기상 알킬기이고, 그 알킬기의 탄소수는 1∼10 이고, 바람직하게는 탄소수 1∼7, 보다 바람직하게는 탄소수 1∼3 이다.
X'' 의 알킬렌기의 탄소수 또는 Y'', Z'' 의 알킬기의 탄소수는, 상기 탄소수의 범위 내에서, 레지스트 용매로의 용해성도 양호한 등의 이유에 의해 작을수록 바람직하다.
또한, X'' 의 알킬렌기 또는 Y'', Z'' 의 알킬기에 있어서, 불소 원자로 치환되어 있는 수소 원자의 수가 많을수록, 산의 강도가 강해지고, 또한 파장 200㎚ 이하의 고에너지광이나 전자선에 대한 투명성이 향상되기 때문에 바람직하다. 그 알킬렌기 또는 알킬기 중의 불소 원자의 비율, 즉 불소화율은, 바람직하게는 70∼100%, 더욱 바람직하게는 90∼100% 이고, 가장 바람직하게는, 모든 수소 원자가 불소 원자로 치환된 퍼플루오로알킬렌기 또는 퍼플루오로알킬기이다.
본 발명에 있어서, 옥심술포네이트계 산발생제란, 하기 일반식 (B-1) 로 표시되는 기를 적어도 1 개 갖는 화합물로서, 방사선의 조사에 의해 산을 발생시키는 특성을 갖는 것이다. 이러한 옥심술포네이트계 산발생제는, 화학 증폭형 레지스트 조성물용으로서 다용되고 있기 때문에, 임의로 선택하여 사용할 수 있다.
[화학식 10]
Figure 112007061617169-pct00010
(식 (B-1) 중, R21, R22 는 각각 독립적으로 유기기를 나타낸다)
본 발명에 있어서, 유기기는, 탄소 원자를 함유하는 기이고, 탄소 원자 이외의 원자 (예를 들어 수소 원자, 산소 원자, 질소 원자, 황 원자, 할로겐 원자 (불소 원자, 염소 원자 등) 등) 를 갖고 있어도 된다.
R21 의 유기기로는, 직사슬, 분기 또는 고리형 알킬기 또는 아릴기가 바람직하다. 이들 알킬기, 아릴기는 치환기를 갖고 있어도 된다. 그 치환기로는, 특별히 제한은 없고, 예를 들어 불소 원자, 탄소수 1∼6 의 직사슬, 분기 또는 고리형 알킬기 등을 들 수 있다. 여기에서, 「치환기를 갖는다」 란, 알킬기 또는 아릴기의 수소 원자의 일부 또는 전부가 치환기로 치환되어 있는 것을 의미한다.
알킬기로는, 탄소수 1∼20 이 바람직하고, 탄소수 1∼10 이 보다 바람직하고, 탄소수 1∼8 이 더욱 바람직하고, 탄소수 1∼6 이 특히 바람직하고, 탄소수 1∼4 가 가장 바람직하다. 알킬기로는, 특히 부분적 또는 완전히 할로겐화된 알킬기 (이하, 할로겐화 알킬기라고 하는 경우가 있다) 가 바람직하다. 또, 부분적으로 할로겐화된 알킬기란, 수소 원자의 일부가 할로겐 원자로 치환된 알킬기를 의미하고, 완전히 할로겐화된 알킬기란, 수소 원자의 전부가 할로겐 원자로 치환된 알킬기를 의미한다. 할로겐 원자로는, 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자 등을 들 수 있고, 특히 불소 원자가 바람직하다. 즉, 할로겐화 알킬기는, 불소화 알킬기인 것이 바람직하다.
아릴기는, 탄소수 4∼20 이 바람직하고, 탄소수 4∼10 이 보다 바람직하고, 탄소수 6∼10 이 가장 바람직하다. 아릴기로는, 특히 부분적 또는 완전히 할로겐화된 아릴기가 바람직하다. 또, 부분적으로 할로겐화된 아릴기란, 수소 원자의 일부가 할로겐 원자로 치환된 아릴기를 의미하고, 완전히 할로겐화된 아릴기란, 수소 원자의 전부가 할로겐 원자로 치환된 아릴기를 의미한다.
R21 로는, 특히 치환기를 갖지 않는 탄소수 1∼4 의 알킬기, 또는 탄소수 1∼4 의 불소화 알킬기가 바람직하다.
R22 의 유기기로는, 직사슬, 분기 또는 고리형 알킬기, 아릴기 또는 시아노기가 바람직하다. R22 의 알킬기, 아릴기로는, 상기 R21 에서 예시한 알킬기, 아릴기와 동일한 것을 들 수 있다.
R22 로는, 특히 시아노기, 치환기를 갖지 않는 탄소수 1∼8 의 알킬기, 또는 탄소수 1∼8 의 불소화 알킬기가 바람직하다.
옥심술포네이트계 산발생제로서, 더욱 바람직한 것으로는, 하기 일반식 (B-2) 또는 (B-3) 으로 표시되는 화합물을 들 수 있다.
[화학식 11]
Figure 112007061617169-pct00011
[식 (B-2) 중, R31 은, 시아노기, 치환기를 갖지 않는 알킬기 또는 할로겐화 알킬기이다. R32 는 아릴기이다. R33 은 치환기를 갖지 않는 알킬기 또는 할로겐화 알킬기이다]
[화학식 12]
Figure 112007061617169-pct00012
[식 (B-3) 중, R34 는 시아노기, 치환기를 갖지 않는 알킬기 또는 할로겐화 알킬기이다. R35 는 2 또는 3 가의 방향족 탄화수소기이다. R36 은 치환기를 갖지 않는 알킬기 또는 할로겐화 알킬기이다. p 는 2 또는 3 이다]
상기 일반식 (B-2) 에 있어서, R31 의 치환기를 갖지 않는 알킬기 또는 할로겐화 알킬기는, 탄소수가 1∼10 인 것이 바람직하고, 탄소수 1∼8 이 보다 바람직하고, 탄소수 1∼6 이 가장 바람직하다.
R31 로는, 할로겐화 알킬기가 바람직하고, 불소화 알킬기가 보다 바람직하다.
R31 에 있어서의 불소화 알킬기는, 알킬기의 수소 원자가 50% 이상 불소화되어 있는 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 70% 이상, 더욱 바람직하게는 90% 이상 불소화되어 있는 것이 바람직하다.
R32 의 아릴기로는, 페닐기, 비페닐 (biphenyl) 기, 플루오레닐 (fluorenyl) 기, 나프틸기, 안트라실 (anthracyl) 기, 페난트릴기 등의, 방향족 탄화수소의 고리에서 수소 원자를 1 개 제거한 기, 및 이들 기의 고리를 구성하는 탄소 원자의 일부가 산소 원자, 황 원자, 질소 원자 등의 헤테로 원자로 치환된 헤테로아릴기 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 플루오레닐기가 바람직하다.
R32 의 아릴기는, 탄소수 1∼10 의 알킬기, 할로겐화 알킬기, 알콕시기 등의 치환기를 갖고 있어도 된다. 그 치환기에 있어서의 알킬기 또는 할로겐화 알킬기는, 탄소수가 1∼8 인 것이 바람직하고, 탄소수 1∼4 가 더욱 바람직하다. 또, 그 할로겐화 알킬기는 불소화 알킬기인 것이 바람직하다.
R33 의 치환기를 갖지 않는 알킬기 또는 할로겐화 알킬기는, 탄소수가 1∼10 인 것이 바람직하고, 탄소수 1∼8 이 보다 바람직하고, 탄소수 1∼6 이 가장 바람직하다.
R33 으로는, 할로겐화 알킬기가 바람직하고, 부분적 또는 완전히 불소화된 알킬기가 바람직하다.
R33 에 있어서의 불소화 알킬기는, 알킬기의 수소 원자가 50% 이상 불소화되어 있는 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 70% 이상, 더욱 바람직하게는 90% 이상 불소화되어 있는 것이, 발생하는 산의 강도가 높아지기 때문에 바람직하다. 가장 바람직하게는, 수소 원자가 100% 불소 치환된 완전 불소화 알킬기이다.
상기 일반식 (B-3) 에 있어서, R34 의 치환기를 갖지 않는 알킬기 또는 할로겐화 알킬기로는, 상기 R31 의 치환기를 갖지 않는 알킬기 또는 할로겐화 알킬기와 동일한 것을 들 수 있다.
R35 의 2 또는 3 가의 방향족 탄화수소기로는, 상기 R32 의 아릴기로부터 추가로 1 또는 2 개의 수소 원자를 제거한 기를 들 수 있다.
R36 의 치환기를 갖지 않는 알킬기 또는 할로겐화 알킬기로는, 상기 R33 의 치환기를 갖지 않는 알킬기 또는 할로겐화 알킬기와 동일한 것을 들 수 있다.
p 는 바람직하게는 2 이다.
옥심술포네이트계 산발생제의 구체예로는, α-(p-톨루엔술포닐옥시이미노)-벤질시아니드, α-(p-클로로벤젠술포닐옥시이미노)-벤질시아니드, α-(4-니트로벤젠술포닐옥시이미노)-벤질시아니드, α-(4-니트로-2-트리플루오로메틸벤젠술포닐옥시이미노)-벤질시아니드, α-(벤젠술포닐옥시이미노)-4-클로로벤질시아니드, α-(벤젠술포닐옥시이미노)-2,4-디클로로벤질시아니드, α-(벤젠술포닐옥시이미노)-2,6-디클로로벤질시아니드, α-(벤젠술포닐옥시이미노)-4-메톡시벤질시아니드, α-(2-클로로벤젠술포닐옥시이미노)-4-메톡시벤질시아니드, α-(벤젠술포닐옥시이미노)-티엔-2-일아세토니트릴, α-(4-도데실벤젠술포닐옥시이미노)-벤질시아니드, α-[(p-톨루엔술포닐옥시이미노)-4-메톡시페닐]아세토니트릴, α-[(도데실벤젠술포닐옥시이미노)-4-메톡시페닐]아세토니트릴, α-(토실옥시이미노)-4-티에닐시아니드, α-(메틸술포닐옥시이미노)-1-시클로펜테닐아세토니트릴, α-(메틸술포닐옥시이미노)-1-시클로헥세닐아세토니트릴, α-(메틸술포닐옥시이미노)-1-시클로헵테닐아세토니트릴, α-(메틸술포닐옥시이미노)-1-시클로옥테닐아세토니트릴, α-(트리플루오로메틸술포닐옥시이미노)-1-시클로펜테닐아세토니트릴, α-(트리플루오로메틸술포닐옥시이미노)-시클로헥실아세토니트릴, α-(에틸술포닐옥시이미노)-에틸아세토니트릴, α-(프로필술포닐옥시이미노)-프로필아세토니트릴, α-(시클로헥실술포닐옥시이미노)-시클로펜틸아세토니트릴, α-(시클로헥실술포닐옥시이미노)-시클로헥실아세토니트릴, α-(시클로헥실술포닐옥시이미노)-1-시클로펜테닐아세토니트릴, α-(에틸술포닐옥시이미노)-1-시클로펜테닐아세토니트릴, α-(이소프로필술포닐옥시이미노)-1-시클로펜테닐아세토니트릴, α-(n-부틸술포닐옥시이미노)-1-시클로펜테닐아세토니트릴, α-(에틸술포닐옥시이미노)-1-시클로헥세닐아세토니트릴, α-(이소프로필술포닐옥시이미노)-1-시클로헥세닐아세토니트릴, α-(n-부틸술포닐옥시이미노)-1-시클로헥세닐아세토니트릴, α-(메틸술포닐옥시이미노)-페닐아세토니트릴, α-(메틸술포닐옥시이미노)-p-메톡시페닐아세토니트릴, α-(트리플루오로메틸술포닐옥시이미노)-페닐아세토니트릴, α-(트리플루오로메틸술포닐옥시이미노)-p-메톡시페닐아세토니트릴, α-(에틸술포닐옥시이미노)-p-메톡시페닐아세토니트릴, α-(프로필술포닐옥시이미노)-p-메틸페닐아세토니트릴, α-(메틸술포닐옥시이미노)-p-브로모페닐아세토니트릴 등을 들 수 있다.
또한, 하기 화학식으로 표시되는 화합물을 들 수 있다.
[화학식 13]
Figure 112007061617169-pct00013
또한, 상기 일반식 (B-2) 또는 (B-3) 으로 표시되는 화합물 중, 바람직한 화합물의 예를 하기에 나타낸다.
[화학식 14]
Figure 112007061617169-pct00014
[화학식 15]
Figure 112007061617169-pct00015
상기 예시 화합물 중에서도, 하기 3 개의 화합물이 바람직하다.
[화학식 16]
Figure 112007061617169-pct00016
[화학식 17]
Figure 112007061617169-pct00017
[화학식 18]
Figure 112007061617169-pct00018
디아조메탄계 산발생제 중, 비스알킬 또는 비스아릴술포닐디아조메탄류의 구체예로는, 비스(이소프로필술포닐)디아조메탄, 비스(p-톨루엔술포닐)디아조메탄, 비스(1,1-디메틸에틸술포닐)디아조메탄, 비스(시클로헥실술포닐)디아조메탄, 비스(2,4-디메틸페닐술포닐)디아조메탄 등을 들 수 있다.
또한, 폴리(비스술포닐)디아조메탄류로는, 예를 들어 이하에 나타내는 구조를 갖는 1,3-비스(페닐술포닐디아조메틸술포닐)프로판 (A=3 의 경우), 1,4-비스(페닐술포닐디아조메틸술포닐)부탄 (A=4 의 경우), 1,6-비스(페닐술포닐디아조메틸술포닐)헥산 (A=6 의 경우), 1,10-비스(페닐술포닐디아조메틸술포닐)데칸 (A=10 의 경우), 1,2-비스(시클로헥실술포닐디아조메틸술포닐)에탄 (B=2 의 경우), 1,3-비스(시클로헥실술포닐디아조메틸술포닐)프로판 (B=3 의 경우), 1,6-비스(시클로헥실술포닐디아조메틸술포닐)헥산 (B=6 의 경우), 1,10-비스(시클로헥실술포닐디아조메틸술포닐)데칸 (B=10 의 경우) 등을 들 수 있다.
[화학식 19]
Figure 112007061617169-pct00019
본 발명에 있어서는, 그 중에서도 (B) 성분으로서 불소화 알킬술폰산 이온 또는 알킬술폰산 이온을 음이온으로 하는 오늄염을 사용하는 것이 바람직하다.
(B) 성분으로는, 1 종의 산발생제를 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 조합하여 사용해도 된다.
(B) 성분의 함유량은, (A) 성분 100 질량부에 대하여 0.5∼30 질량부, 바람직하게는 1∼10 질량부가 된다. 상기 범위로 함으로써 패턴 형성이 충분히 실시된다. 또한, 균일한 용액이 얻어지고, 보존 안정성이 양호해지므로 바람직하다.
[임의 성분]
포지티브형 레지스트 조성물에는, 레지스트 패턴 형상, 보존 경시 안정성 (post exposure stability of the latent image formed by the pattern-wise exposure of the resist layer) 등을 향상시키기 위해, 추가로 임의의 성분으로서, 질소 함유 유기 화합물 (D) (이하, (D) 성분이라고 한다) 를 배합시킬 수 있다.
이 (D) 성분은, 이미 다종 다양한 것이 제안되어 있기 때문에, 공지된 것으로부터 임의로 사용하면 되고, 예를 들어 n-헥실아민, n-헵틸아민, n-옥틸아민, n-노닐아민, n-데실아민 등의 모노알킬아민 ; 디에틸아민, 디-n-프로필아민, 디-n-헵틸아민, 디-n-옥틸아민, 디시클로헥실아민 등의 디알킬아민 ; 트리메틸아민, 트리에틸아민, 트리-n-프로필아민, 트리-n-부틸아민, 트리-n-헥실아민, 트리-n-펜틸아민, 트리-n-헵틸아민, 트리-n-옥틸아민, 트리-n-노닐아민, 트리-n-데카닐아민, 트리-n-도데실아민 등의 트리알킬아민 ; 디에탄올아민, 트리에탄올아민, 디이소프로판올아민, 트리이소프로판올아민, 디-n-옥탄올아민, 트리-n-옥탄올아민 등의 알킬알코올아민을 들 수 있다. 이들 중에서도, 특히 제 2 급 지방족 아민이나 제 3 급 지방족 아민이 바람직하고, 탄소수 5∼10 의 트리알킬아민이 더욱 바람직하고, 트리-n-옥틸아민이 가장 바람직하다.
이들은 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 조합하여 사용해도 된다.
(D) 성분은, (A) 성분 100 질량부에 대하여 통상 0.01∼5.0 질량부의 범위에서 사용된다.
본 발명의 포지티브형 레지스트 조성물에는, 상기 (D) 성분의 배합에 의한 감도 열화의 방지, 또한 레지스트 패턴 형상, 보존 경시 안정성 등의 향상을 목적으로, 추가로 임의의 성분으로서 유기 카르복실산 또는 인의 옥소산 또는 그 유도체 (E) (이하, (E) 성분이라고 한다) 를 함유시킬 수 있다. 또, (D) 성분과 (E) 성분은 병용할 수도 있고, 어느 1 종을 사용할 수도 있다.
유기 카르복실산으로는, 예를 들어 말론산, 시트르산, 말산, 숙신산, 벤조산, 살리실산 등이 바람직하다.
인의 옥소산 또는 그 유도체로는, 인산, 인산 디-n-부틸에스테르, 인산 디페닐에스테르 등의 인산 또는 그들의 에스테르와 같은 유도체, 포스폰산, 포스폰산 디메틸에스테르, 포스폰산-디-n-부틸에스테르, 페닐포스폰산, 포스폰산 디페닐에스테르, 포스폰산 디벤질에스테르 등의 포스폰산 및 그들의 에스테르와 같은 유도체, 포스핀산, 페닐포스핀산 등의 포스핀산 및 그들의 에스테르와 같은 유도체를 들 수 있고, 이들 중에서 특히 포스폰산이 바람직하다.
(E) 성분은, (A) 성분 100 질량부당 0.01∼5.0 질량부의 비율로 사용된다.
본 발명의 포지티브형 레지스트 조성물에는, 추가로 원하는 바에 따라 혼화성이 있는 첨가제, 예를 들어 레지스트막의 성능을 개량하기 위한 부가적 수지, 도포성을 향상시키기 위한 계면 활성제, 용해 억제제, 가소제, 안정제, 착색제, 할레이션 방지제, 염료 등을 적절히 첨가 함유시킬 수 있다.
본 발명의 포지티브형 레지스트 조성물은, 상기 (A) 성분 및 (B) 성분, 그리고 각종 임의 성분을 유기 용제에 용해시켜 제조할 수 있다.
유기 용제로는, 사용하는 각 성분을 용해하고, 균일한 용액으로 할 수 있는 것이면 되고, 종래 화학 증폭형 레지스트의 용제로서 공지된 것 중에서 임의의 것을 1 종 또는 2 종 이상 적절히 선택하여 사용할 수 있다.
예를 들어, γ-부티로락톤 등의 락톤류나, 아세톤, 메틸에틸케톤, 시클로헥사논, 메틸이소아밀케톤, 2-헵타논 등의 케톤류, 에틸렌글리콜, 에틸렌글리콜모노아세테이트, 디에틸렌글리콜, 디에틸렌글리콜모노아세테이트, 프로필렌글리콜, 프로필렌글리콜모노아세테이트, 디프로필렌글리콜, 또는 디프로필렌글리콜모노아세테이트의 모노메틸에테르, 모노에틸에테르, 모노프로필에테르, 모노부틸에테르 또는 모노페닐에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 (PGMEA) 등의 다가 알코올류 및 그 유도체나, 디옥산과 같은 고리형 에테르류나, 락트산 메틸, 락트산 에틸 (EL), 아세트산 메틸, 아세트산 에틸, 아세트산 부틸, 피루브산 메틸, 피루브산 에틸, 메톡시프로피온산 메틸, 에톡시프로피온산 에틸 등의 에스테르류 등을 들 수 있다.
이들 유기 용제는 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상의 혼합 용제로서 사용해도 된다.
또, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 (PGMEA) 와 극성 용제를 혼합한 혼합 용매는 바람직하다. 그 배합비 (질량비) 는, PGMEA 와 극성 용제의 상용성 등을 고려하여 적절히 결정하면 되는데, 바람직하게는 1:9∼9:1, 보다 바람직하게는 2:8∼8:2 의 범위 내로 하는 것이 바람직하다.
보다 구체적으로는, 극성 용제로서 EL 을 배합하는 경우에는, PGMEA:EL 의 질량비가 바람직하게는 1:9∼9:1, 보다 바람직하게는 2:8∼8:2 이면 바람직하다.
또한, 유기 용제로서, 그 외에는, PGMEA 및 EL 중에서 선택되는 적어도 1 종과 γ-부티로락톤의 혼합 용제도 바람직하다. 이 경우, 혼합 비율로는, 전자와 후자의 질량비가 바람직하게는 70:30∼95:5 가 된다.
유기 용제의 사용량은 특별히 한정되지 않지만, 기판 등에 도포 가능한 농도로, 도포막 두께에 따라 적절히 설정되는 것인데, 일반적으로는 레지스트 조성물의 고형분 농도 2∼20 질량%, 바람직하게는 5∼15 질량% 의 범위 내가 되도록 사용된다.
《레지스트 패턴 형성 방법》
본 발명의 레지스트 패턴 형성 방법은, 상기 본 발명의 포지티브형 레지스트 조성물을 사용하여 기판 상에 레지스트막을 형성하는 공정, 상기 레지스트막을 노광하는 공정, 상기 레지스트막을 현상하여 레지스트 패턴을 형성하는 공정을 포함한다.
보다 구체적으로는, 예를 들어 이하와 같은 레지스트 패턴 형성 방법에 의해 레지스트 패턴을 형성할 수 있다. 즉, 먼저 실리콘 웨이퍼와 같은 기판 상에, 상기 포지티브형 레지스트 조성물을 스피너 등으로 도포하고, 임의로 프리베이크 (PAB) 를 실시하여 레지스트막을 형성한다. 형성된 레지스트막을, 예를 들어 전자선 묘화 장치, EUV 노광 장치 등의 노광 장치를 사용하여, 마스크 패턴을 통한 노광, 또는 마스크 패턴을 통하지 않은 전자선의 직접 조사에 의한 묘화 등에 의해 선택적으로 노광한 후, PEB (노광 후 가열) 를 실시한다.
이어서, 알칼리 현상액을 사용하여 현상 처리한 후, 린스 처리하여, 기판 상의 현상액 및 그 현상액에 의해 용해된 레지스트 조성물을 씻어 흘려버리고, 건조시켜 레지스트 패턴을 얻는다.
이들 공정은, 주지된 수법을 사용하여 실시할 수 있다. 조작 조건 등은, 사용하는 포지티브형 레지스트 조성물의 조성이나 특성에 따라 적절히 설정하는 것이 바람직하다.
노광 광원은, 특별히 한정되지 않고, ArF 엑시머 레이저, KrF 엑시머 레이저, F2 엑시머 레이저, EUV (극자외선), VUV (진공 자외선), 전자선, X 선, 연 X 선 등의 방사선을 사용하여 실시할 수 있다. 특히, 본 발명에 관련되는 포지티브형 레지스트 조성물은, 전자선 또는 EUV, 특히 전자선에 대하여 유효하다.
또, 경우에 따라서는, 상기 알칼리 현상 후 포스트베이크 공정을 포함해도 되고, 기판과 레지스트막 사이에는, 유기계 또는 무기계 반사 방지막을 형성해도 된다.
상기 서술한 바와 같이, 본 발명의 화합물 (A1), 그 화합물 (A1) 을 함유하는 포지티브형 레지스트 조성물, 및 그 포지티브형 레지스트 조성물을 사용하는 레지스트 패턴 형성 방법에 의하면, 러프니스가 저감된 고해상성 레지스트 패턴을 형성할 수 있다.
또한, 본 발명에 의하면, 상기 효과에 추가하여 감도의 향상 효과도 얻어진다.
러프니스가 저감되는 이유로는, 화합물 (A1) 이, 다가 페놀 화합물 (Ⅰ) 을 기본 골격으로 하고, 그 페놀성 수산기를 산해리성 용해 억제기 (Ⅱ) 로 보호한 구조를 갖는 것에 의해, 그 화합물 (A1) 을 함유하는 포지티브형 레지스트 조성물을 사용하여 얻어지는 레지스트막의 현상액에 대한 용해 거동이 보다 균일해지기 때문인 것으로 추측된다.
즉, 기재 성분으로서 고분자 (분자 사이즈가 수 ㎚ 전후로 큰 폴리머) 를 사용하는 종래의 레지스트는, 예를 들어 레지스트막을 형성하기 위한 스핀 코팅 과정에서, 친수성이 높은 분자끼리, 소수성이 높은 분자끼리가 각각 부분적으로 국재화 (局在化) 되고, 그에 의해 레지스트막 중의 (B) 성분 등의 각종 성분의 분포에도 편차가 생긴다. 또한, 고분자 화합물에 있어서는, 산해리성 용해 억제기의 해리의 정도에 불균일이 발생하기 쉽다. 그 때문에, 노광부와 미노광부의 계면에서, 발생한 산에 의한 산해리성 용해 억제기의 해리 (탈보호 반응) 가 진행될 때의 진행도가 균일하지 않거나, 탈보호 반응 후의 각 기재 성분의 분자의 알칼리 용해성에 편차가 생기고, 레지스트막의 용해 속도에도 편차가 생기는 등에 의해 러프니스가 커져 있었던 것으로 생각된다.
이것에 대하여, 본 발명에 있어서는, 화합물 (A1) 이 상기 구조를 갖는 것에 의해, 그 화합물 (A1) 을 함유하는 포지티브형 레지스트 조성물을 사용하여 얻어지는 레지스트막의 성질 (친수성이나 소수성, 결정성 등) 이 균일하게 되고, 또한, 산해리성 용해 억제기 (Ⅱ) 가 해리되기 쉽게 되어 있고, 노광시에 산해리성 용해 억제기의 해리가 균일하게 발생하기 쉽다고 생각된다. 즉, 균일한 막을 형성할 수 있음과 함께 산해리성 용해 억제기도 균일하게 해리되기 때문에, 현상액에 대한 용해 거동이 보다 균일해져 러프니스가 저감될 수 있을 것으로 생각된다.
이하, 본 발명의 실시예를 설명하지만, 본 발명의 범위는 이들 실시예에 한정되는 것은 아니다.
합성예 1 (전구체 화합물의 합성)
이하에 나타내는 전구체 화합물을 하기의 순서로 합성하였다.
[화학식 20]
Figure 112007061617169-pct00020
질소 분위기하, 환류 냉각기와 온도계 및 교반기를 구비한 1L 용량의 4 구 플라스크에 살리실알데히드 244.0g (2.0 몰) 을 칭량하고, 75% 인산 수용액 244.0g 을 실온에서 30 분에 걸쳐 적하하여 혼합하였다. 그 혼합액 중에 2,6-비스(히드록시메틸)-4-메틸페놀 84.0g (0.5 몰) 을 60℃ 에서 6 시간에 걸쳐 분말체를 간헐적으로 첨가하고, 그 후 17 시간 교반을 계속하였다. 이 반응액에 메틸이소부틸케톤 366.0g 을 첨가하여 분액하고, 수층 235.0g 을 추출하였다. 그 후, 16% 수산화나트륨 수용액 80.6g 으로 중화시킨 후, 물 150g 을 첨가하여 80℃ 에서 수세 분액을 실시하였다. 또한 2 회 동일한 조작으로 수세 분액을 실시한 후, 160℃ 까지 감압 농축시키고, 그 잔류물에 120℃ 에서 메틸이소부틸케톤 94.0g, 추가로 110℃ 에서 톨루엔 470.0g 을 첨가하여 정석 (晶析) 을 실시하였다. 결정을 여과 분리하여 웨트 (wet) 케이크 160.6g 을 얻었다. 이 웨트 (wet) 케이크를 다시 1L 용량의 4 구 플라스크에 넣고, 메틸이소부틸케톤 240.0g 을 첨가하여 용해시켰다. 그 후, 130℃ 까지 상압 농축시키고, 거기에 톨루엔 184.0g 을 첨가하여 다시 115℃ 까지 상압 농축시켰다. 그 잔류물에 톨루엔 240.0g 을 첨가 하여 정석을 실시하였다. 결정을 여과 분리하고, 목적물 (전구체 화합물) 89.7g (수율 47.7%) 을 얻었다 (동정 LC-MS (액체 크로마토그래피-질량 분석), Mw : 375 (APCI (Atmospheric Pressure Chemical Ionization : 대기압 화학 이온화) 법)).
표 1 에 그 전구체 화합물의 동위체 수소 핵자기 공명 (1H-NMR) (400MHz, 용매 DMSO-d6 (중디메틸술폭시드)) 을 나타낸다.
Figure 112007061617169-pct00021
합성예 2 (화합물 (1) 의 합성)
이하에 나타내는 화합물 (1) 을 하기의 순서로 합성하였다.
[화학식 21]
Figure 112007061617169-pct00022
3-메틸-6-시클로헥실페놀 376.2g (1.98㏖), 메탄올 92.8g 을 4 구 플라스크에 넣고, 거기에 30℃ 에서 염산 가스 58.4g 을 불어 넣은 후, 메탄올 338.4g 을 첨가하고, 이어서 합성예 1 에서 얻은 전구체 화합물 169.2g (0.45㏖) 을 40℃ 에서 1 시간 30 분에 걸쳐 첨가하여 반응을 실시하였다. 그 후, 40℃ 에서 2 시간 후 교반 반응을 실시하였다 (후교반 1 시간 정도로 결정이 석출).
이어서 16 질량% 수산화나트륨 수용액 400.1g 으로 중화를 실시하고, 60℃ 까지 승온시키고, 톨루엔 500g, 시클로헥산 500g 을 첨가한 후, 25℃ 까지 냉각시키고, 여과하여 조 (粗) 결정을 얻었다. 이 조결정과 아세트산 프로필 975g, 물 400g 을 4 구 플라스크에 넣고, 70℃ 까지 승온 용해시킨 후, 10 분간 정치 (靜置) 하여 수층을 추출하고, 추가로 물 60g 을 첨가하고, 동일한 조작으로 수세, 분액을 실시하였다. 그 후, 상압에서 농축시키고 777g 증류시켜 톨루엔 800g 을 첨가하였다. 이것을 25℃ 까지 냉각시키고, 여과, 건조를 거쳐 담황색 분말의 목적물 373.9g 을 얻었다.
순도 97.9% (HPLC : 고속 액체 크로마토그래피), 융점 271.8℃ (DSC : 시차 주사 열량계 peaktop), 수율 75.5% (대 5-({3-[(3-포르밀-4-히드록시페닐)메틸]-2-히드록시-5-메틸페닐}메틸)-2-히드록시벤즈알데히드)
(동정)
LC-MS 에 의해, 목적으로 하는 분자량인 것을 확인하였다 (APC1).
표 2 에 그 화합물 (1) 의 1H-NMR (400MHz, 용매 DMSO-d6) 을 나타낸다.
Figure 112007061617169-pct00023
합성예 3 (화합물 (2) 의 합성)
10g 의 화합물 (1) 을 테트라히드로푸란 (THF) 50g 에 용해하고, 에틸비닐에테르 1.5g 을 첨가하여 실온 (r.t.) 에서 10 시간 교반하였다. 반응 종료 후, 물/아세트산 에틸로 추출 정제를 실시하고, 분리된 아세트산 에틸 용액을 황산 나트륨으로 건조시킨 후, 감압 농축시켜 9.5g 의 화합물 (2) 를 얻었다.
화합물 (2) 의 보호율 (화합물 (1) 중의 페놀성 수산기의 수소 원자가 1-에톡시에틸기로 치환되어 있는 비율, 1H-NMR 에 의해 산출) 은 20.1 몰% 이었다.
Figure 112007061617169-pct00024
[화학식 22]
Figure 112007061617169-pct00025
[식 (2) 중, R 은 수소 원자 또는 1-에톡시에틸기이다]
실시예 1, 비교예 1
표 3 에 나타내는 각 성분을 혼합, 용해시켜 포지티브형 레지스트 조성물 용액을 얻었다.
Figure 112007061617169-pct00026
표 3 에 있어서, [ ] 내의 수치는 배합량 (질량부) 을 나타낸다.
수지 (3) : 폴리히드록시스티렌 (질량 평균 분자량 (Mw)=8000, Mw/Mn=2.65) 의 수산기의 37.4 몰% 를 1-에톡시에틸기로 치환한 수지
PAG1 : 트리페닐술포늄노나플루오로부탄술포네이트
Amine1 : 트리-n-옥틸아민
용제 1 : PGMEA/EL=6/4 (질량비) 의 혼합 용제
이어서, 얻어진 포지티브형 레지스트 조성물 용액을 사용하여 이하의 평가를 실시하였다. 그 결과를 표 4 에 나타낸다.
<감도>
포지티브형 레지스트 조성물 용액을, 헥사메틸디실라잔 처리를 실시한 8 인치 실리콘 기판 상에 스피너를 사용하여 균일하게 도포하고, 110℃ 에서 90 초간 베이크 처리 (PAB) 를 실시하여 레지스트막 (막두께 150㎚) 을 형성하였다.
그 레지스트막에 대하여, 전자선 묘화기 HL-800D (VSB) (Hitachi 사 제조) 를 사용하고, 가속 전압 70kV 에서 묘화 (노광) 를 실시하고, 110℃ 에서 90 초간 베이크 처리 (PEB) 를 실시하고, 테트라메틸암모늄히드록시드 (TMAH) 의 2.38 질량% 수용액 (23℃) 을 사용하여 60 초간의 현상을 실시한 후, 순수로 30 초간 린스하여 라인 앤드 스페이스 (L/S) 패턴을 형성하였다.
100㎚ 의 L/S 패턴이 1:1 로 형성되는 노광량 Eop (μC/㎠) 를 구하였다.
<해상성>
상기 Eop 에서의 한계 해상도 (㎚) 를, 주사형 전자 현미경 S-9220 (Hitachi 사 제조) 을 사용하여 구하였다.
<표면 러프니스>
포지티브형 레지스트 조성물 용액을, 헥사메틸디실라잔 처리를 실시한 8 인치 실리콘 기판 상에 스피너를 사용하여 균일하게 도포하고, 110℃ 에서 90 초간 베이크 처리 (PAB) 를 실시하여 레지스트막 (막두께 160㎚) 을 형성하였다.
그 레지스트막에 대하여, 전자선 묘화기 HL-800D (VSB) (Hitachi 사 제조) 를 사용하고, 가속 전압 70kV 에서 10μC/㎠ 의 노광량으로 노광하고, 110℃ 에서 90 초간의 베이크 처리 (PEB) 를 실시하고, TMAH 의 2.38 질량% 수용액 (23℃) 을 사용하여, 현상 후 막두께가 초기 막두께의 약 50% 가 되는 현상 시간 (실시예 1 은 60 초간, 비교예 1 은 15 초간) 으로 현상한 후, 순수로 30 초간 린스하였다.
린스 후, 레지스트막의 표면을, AFM (원자간력 현미경 : Veeco Instrument Inc. 사 제조 di NanoScope Ⅳ/D5000) 에 의해 관찰하여 가로 세로 1㎛ 당 제곱 평균 표면 조도 Rms (㎚) 를 구하였다.
Figure 112007061617169-pct00027
상기 결과로부터 명확한 바와 같이, 화합물 (2) 를 사용한 실시예 1 의 포지티브형 레지스트 조성물은, 해상성이 높고, 또한 표면 러프니스도 작았다. 표면 러프니스가 작기 때문에, 레지스트 패턴을 형성했을 때의 패턴 측벽의 러프니스 (LER) 도 저감될 것으로 기대된다. 또한, 감도도 높았다.
한편, 수지 (3) 을 사용한 비교예 1 은, 해상성은 높지만, 표면 러프니스가 상당히 컸다. 또한, 감도도 낮았다.
본 발명은, 러프니스가 저감된 고해상성 레지스트 패턴을 형성할 수 있는 포지티브형 레지스트 조성물 및 레지스트 패턴 형성 방법, 그리고 그 포지티브형 레지스트 조성물용으로서 바람직한 화합물을 제공할 수 있다.

Claims (5)

  1. 산해리성 용해 억제기를 가지며, 산의 작용에 의해 알칼리 용해성이 증대되는 기재 성분 (A) 와, 노광에 의해 산을 발생시키는 산발생제 성분 (B) 를 함유하는 포지티브형 레지스트 조성물에 있어서,
    상기 기재 성분 (A) 가, 2 이상의 페놀성 수산기를 가지며 분자량이 300∼2500 인 하기 일반식 (Ⅰ) 로 표시되는 다가 페놀 화합물에서 상기 페놀성 수산기의 수소 원자의 일부 또는 전부가 하기 일반식 (Ⅱ) 로 표시되는 산해리성 용해 억제기 (Ⅱ) 로 치환되어 있는 화합물 (A1) 을 함유하는 포지티브형 레지스트 조성물.
    [화학식 1]
    Figure 112008054275825-pct00028
    [식 (Ⅰ) 중, R11∼R17 은 각각 독립적으로 탄소수 1∼10 의 알킬기, 또는 방향족 탄화수소기이고, 그 구조 중에 헤테로 원자를 함유해도 되고 ; g, j 는 각각 독립적으로 1 이상의 정수이고, k, q 는 0 또는 1 이상의 정수이고, 또한 g+j+k+q 가 5 이하이고 ; h 는 1 이상의 정수이고, l, m 은 각각 독립적으로 0 또는 1 이상의 정수이고, 또한 h+l+m 이 4 이하이고 ; i 는 1 이상의 정수이고, n, o 는 각각 독립적으로 0 또는 1 이상의 정수이고, 또한 i+n+o 가 4 이하이고 ; p 는 1 이고 ; X 는 하기 일반식 (Ⅰa) 로 표시되는 기이다]
    [화학식 2]
    Figure 112008054275825-pct00029
    [식 (Ⅰa) 중, R18, R19 는 각각 독립적으로 탄소수 1∼10 의 알킬기, 또는 방향족 탄화수소기이고, 그 구조 중에 헤테로 원자를 함유해도 되고 ; r, y, z 는 각각 독립적으로 0 또는 1 이상의 정수이고, 또한 r+y+z 가 4 이하이다]
    [화학식 3]
    Figure 112008054275825-pct00030
    [식 (Ⅱ) 중, R1 은 직사슬상의 탄소수 1∼5 의 저급 알킬기이고, 그 구조 중에 헤테로 원자를 함유해도 되고, R2 는 수소 원자 또는 탄소수 1∼5 의 저급 알킬기이다]
  2. 제 1 항에 있어서,
    추가로 질소 함유 유기 화합물 (D) 를 함유하는 포지티브형 레지스트 조성물.
  3. 제 1 항에 기재된 포지티브형 레지스트 조성물을 사용하여 기판 상에 레지스트막을 형성하는 공정, 상기 레지스트막을 노광하는 공정, 상기 레지스트막을 현상하여 레지스트 패턴을 형성하는 공정을 포함하는 레지스트 패턴 형성 방법.
  4. 제 2 항에 기재된 포지티브형 레지스트 조성물을 사용하여 기판 상에 레지스트막을 형성하는 공정, 상기 레지스트막을 노광하는 공정, 상기 레지스트막을 현상하여 레지스트 패턴을 형성하는 공정을 포함하는 레지스트 패턴 형성 방법.
  5. 2 이상의 페놀성 수산기를 가지며 분자량이 300∼2500 인 하기 일반식 (Ⅰ) 로 표시되는 다가 페놀 화합물에서 상기 페놀성 수산기의 수소 원자의 일부 또는 전부가 하기 일반식 (Ⅱ) 로 표시되는 산해리성 용해 억제기 (Ⅱ) 로 치환되어 있는 화합물.
    [화학식 4]
    Figure 112008054275825-pct00031
    [식 (Ⅰ) 중, R11∼R17 은 각각 독립적으로 탄소수 1∼10 의 알킬기, 또는 방향족 탄화수소기이고, 그 구조 중에 헤테로 원자를 함유해도 되고 ; g, j 는 각각 독립적으로 1 이상의 정수이고, k, q 는 0 또는 1 이상의 정수이고, 또한 g+j+k+q 가 5 이하이고 ; h 는 1 이상의 정수이고, l, m 은 각각 독립적으로 0 또는 1 이상의 정수이고, 또한 h+l+m 이 4 이하이고 ; i 는 1 이상의 정수이고, n, o 는 각각 독립적으로 0 또는 1 이상의 정수이고, 또한 i+n+o 가 4 이하이고 ; p 는 1 이고 ; X 는 하기 일반식 (Ⅰa) 로 표시되는 기이다]
    [화학식 5]
    Figure 112008054275825-pct00032
    [식 (Ⅰa) 중, R18, R19 는 각각 독립적으로 탄소수 1∼10 의 알킬기, 또는 방향족 탄화수소기이고, 그 구조 중에 헤테로 원자를 함유해도 되고 ; r, y, z 는 각각 독립적으로 0 또는 1 이상의 정수이고, 또한 r+y+z 가 4 이하이다]
    [화학식 6]
    Figure 112008054275825-pct00033
    [식 (Ⅱ) 중, R1 은 직사슬상의 탄소수 1∼5 의 저급 알킬기이고, 그 구조 중에 헤테로 원자를 함유해도 되고, R2 는 수소 원자 또는 탄소수 1∼5 의 저급 알킬기이다]
KR1020077019433A 2005-02-25 2006-02-09 포지티브형 레지스트 조성물, 레지스트 패턴 형성 방법 및 화합물 KR100881305B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2005-00050721 2005-02-25
JP2005050721A JP4397834B2 (ja) 2005-02-25 2005-02-25 ポジ型レジスト組成物、レジストパターン形成方法および化合物

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20070101351A KR20070101351A (ko) 2007-10-16
KR100881305B1 true KR100881305B1 (ko) 2009-02-03

Family

ID=36927233

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020077019433A KR100881305B1 (ko) 2005-02-25 2006-02-09 포지티브형 레지스트 조성물, 레지스트 패턴 형성 방법 및 화합물

Country Status (5)

Country Link
US (1) US7504196B2 (ko)
JP (1) JP4397834B2 (ko)
KR (1) KR100881305B1 (ko)
TW (1) TWI315449B (ko)
WO (1) WO2006090591A1 (ko)

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2005081062A1 (ja) * 2004-02-20 2005-09-01 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. パターン形成材料用基材、ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法
JP3946715B2 (ja) * 2004-07-28 2007-07-18 東京応化工業株式会社 ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法
JP4468119B2 (ja) * 2004-09-08 2010-05-26 東京応化工業株式会社 レジスト組成物およびレジストパターン形成方法
JP4837323B2 (ja) * 2004-10-29 2011-12-14 東京応化工業株式会社 レジスト組成物、レジストパターン形成方法および化合物
TWI494697B (zh) * 2004-12-24 2015-08-01 Mitsubishi Gas Chemical Co 光阻用化合物
US7981588B2 (en) * 2005-02-02 2011-07-19 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Negative resist composition and method of forming resist pattern
JP5138157B2 (ja) * 2005-05-17 2013-02-06 東京応化工業株式会社 ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法
JP4813103B2 (ja) 2005-06-17 2011-11-09 東京応化工業株式会社 化合物、ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法
JP4732038B2 (ja) 2005-07-05 2011-07-27 東京応化工業株式会社 化合物、ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法
WO2007034719A1 (ja) * 2005-09-20 2007-03-29 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. 化合物およびその製造方法、ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法
JP2009227613A (ja) * 2008-03-24 2009-10-08 Jsr Corp アレーン系化合物
JP5542412B2 (ja) * 2009-10-28 2014-07-09 東京応化工業株式会社 ポジ型レジスト組成物、レジストパターン形成方法、高分子化合物

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06266109A (ja) * 1993-03-15 1994-09-22 Fuji Photo Film Co Ltd ポジ型感光性組成物
JPH10274845A (ja) 1997-03-31 1998-10-13 Fuji Photo Film Co Ltd ポジ型感光性組成物
JPH11167199A (ja) 1997-12-03 1999-06-22 Fuji Photo Film Co Ltd ポジ型フォトレジスト組成物
KR100231242B1 (ko) 1995-10-09 1999-11-15 가나가와 지히로 화학증폭 포지형 레지스트 조성물

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3239772B2 (ja) * 1995-10-09 2001-12-17 信越化学工業株式会社 化学増幅ポジ型レジスト材料
US6037098A (en) * 1997-03-31 2000-03-14 Fuji Photo Film Co., Ltd. Positive photosensitive composition
JP2002099088A (ja) 2000-09-26 2002-04-05 Yasuhiko Shirota 感放射線性組成物
JP2002099089A (ja) 2000-09-26 2002-04-05 Yasuhiko Shirota 感放射線性組成物

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06266109A (ja) * 1993-03-15 1994-09-22 Fuji Photo Film Co Ltd ポジ型感光性組成物
KR100231242B1 (ko) 1995-10-09 1999-11-15 가나가와 지히로 화학증폭 포지형 레지스트 조성물
JPH10274845A (ja) 1997-03-31 1998-10-13 Fuji Photo Film Co Ltd ポジ型感光性組成物
JPH11167199A (ja) 1997-12-03 1999-06-22 Fuji Photo Film Co Ltd ポジ型フォトレジスト組成物

Also Published As

Publication number Publication date
TWI315449B (en) 2009-10-01
KR20070101351A (ko) 2007-10-16
TW200641522A (en) 2006-12-01
US20080145784A1 (en) 2008-06-19
US7504196B2 (en) 2009-03-17
WO2006090591A1 (ja) 2006-08-31
JP4397834B2 (ja) 2010-01-13
JP2006235310A (ja) 2006-09-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100881305B1 (ko) 포지티브형 레지스트 조성물, 레지스트 패턴 형성 방법 및 화합물
KR100934891B1 (ko) 레지스트 조성물, 레지스트 패턴 형성 방법 및 화합물
KR100941343B1 (ko) 화합물, 포지티브형 레지스트 조성물 및 레지스트 패턴형성 방법
JP2007031402A (ja) 多価フェノール化合物、化合物、ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法
KR100990353B1 (ko) 화합물 및 그 제조 방법, 포지티브형 레지스트 조성물 및레지스트 패턴 형성 방법
JP4813103B2 (ja) 化合物、ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法
EP1882982B1 (en) Positive resist composition and method of forming resist pattern
KR100864395B1 (ko) 포지티브형 레지스트 조성물, 레지스트 패턴 형성 방법 및화합물
JP5031277B2 (ja) ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法
KR100973449B1 (ko) 포지티브형 레지스트 조성물, 레지스트 패턴 형성 방법
KR100902535B1 (ko) 포지티브형 레지스트 조성물 및 레지스트 패턴 형성 방법
JP5124322B2 (ja) 化合物、酸発生剤、レジスト組成物及びレジストパターン形成方法
JP4855293B2 (ja) ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法
JP4846332B2 (ja) 化合物およびその製造方法、低分子化合物、ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法
JP5128105B2 (ja) 化合物、ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法
JP4823578B2 (ja) 多価フェノール化合物、化合物、ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法
JP2007070562A (ja) 高分子化合物、ネガ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法
JP2007039381A (ja) 化合物、ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法
JP5373124B2 (ja) 化合物
JP4890166B2 (ja) ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法
JP2006347892A (ja) 化合物、ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法
JP2008065282A (ja) ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法
JP2008309887A (ja) ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法
JP2008162968A (ja) 化合物、ネガ型レジスト組成物およびパターン形成方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130111

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140107

Year of fee payment: 6

LAPS Lapse due to unpaid annual fee