리소그래피 장치는 기판상에, 일반적으로는 기판의 타겟부상에 원하는 패턴을 적용시키는 기계이다. 리소그래피 장치는, 예를 들어 집적 회로(IC)의 제조시에 사용될 수 있다. 그 상황에서, 대안적으로 마스크 또는 레티클이라 칭하는 패터닝 디바이스가 IC의 개별층상에 형성될 회로 패턴을 생성하기 위해 사용될 수 있다. 이 패턴은 기판(예컨대, 실리콘 웨이퍼)상의 (예를 들어, 1개 또는 수개의 다이의 부분을 포함하는) 타겟부상으로 전사(transfer)될 수 있다. 패턴의 전사는, 통상적으로 기판상에 제공된 방사선-감응재(레지스트)층상으로의 이미징(imaging)을 통해 수행된다. 일반적으로, 단일 기판은 연속하여 패터닝되는 인접한 타겟부들의 네트워크를 포함할 것이다. 공지된 리소그래피 장치는, 한번에 타겟부상의 전체 패턴을 노광함으로써 각각의 타겟부가 조사(irradiate)되는, 소위 스테퍼, 및 방사선 빔을 통해 주어진 방향("스캐닝"- 방향)으로 패턴을 스캐닝하는 한편, 이 방향과 평행 또는 역-평행하게 기판을 동기적으로 스캐닝함으로써 각각의 타겟부가 조사되는, 소위 스캐너를 포함한다. 또한, 기판상에 패턴을 임프린트(imprint)함으로써, 패터닝 디바이스로부터 기판으로 패턴을 전사할 수도 있다.
리소그래피 투영 장치에서, 투영 시스템의 최종 요소와 기판 사이의 공간을 채우기 위해 비교적 높은 굴절률을 가지는 액체(예를 들어, 물)에 리소그래피 투영 장치 내 기판을 침지(immerse)시키는 것이 제안되었다. 이것의 핵심은, 노광 방사선이 액체내에서 보다 짧은 파장을 가지기 때문에 보다 작은 피처들을 이미징할 수 있다는 것에 있다. (또한, 액체의 효과는, 상기 시스템의 유효 NA를 증가시키고 초점심도(depth of focus)를 증가시키는 것으로도 간주될 수 있다.) 고체 입자들(예를 들어, 석영)이 부유(suspend)되어 있는 물을 포함하는 다른 침지 액체들이 제안되었다.
하지만, 액체의 배스(bath)내에 기판 또는 기판과 기판 테이블을 담그는(submersing) 것(예를 들어, 본 명세서에서 전문이 인용참조되고 있는 미국 특허 제 4,509,852호 참조)은, 스캐닝 노광 중에 가속되어야만 하는 큰 몸체의 액체가 존재한다는 것을 의미한다. 이는 추가적인 또는 보다 강력한 모터들을 필요로 하며, 액체내에서의 난류(turbulence)는 바람직하지 않고 또한 예측할 수 없는 효과들을 초래할 수 있다.
제안된 해결책 중 하나는, 액체 한정 시스템(liquid confinement system)을 이용하여, 액체 공급 시스템이 기판의 국부적인 영역에만 그리고 투영 시스템의 최종 요소와 기판 사이에 액체를 제공하는 것이다(일반적으로, 기판은 투영 시스템의 최종 요소보다 큰 표면적을 가진다). 이렇게 배치시키기 위해서 제안된 한가지 방 법이 PCT 특허 출원 공개 제 WO 99/49504호에 개시되어 있으며, 그 전문이 본 명세서에서 인용참조되고 있다. 도 2 및 도 3에 예시된 바와 같이, 액체는 1 이상의 유입구(IN)에 의하여, 바람직하게는 최종 요소에 대한 기판의 이동방향을 따라 기판상으로 공급되며, 투영 시스템 아래를 통과한 후에는 1 이상의 유출구(OUT)에 의하여 제거된다. 즉, 기판이 -X 방향으로 요소의 밑에서 스캐닝되기 때문에, 액체는 상기 요소의 +X 쪽에서 공급되고 -X 쪽에서 흡수(take up)된다. 도 2는, 액체가 유입구(IN)를 통하여 공급되고 저압력원에 연결된 유출구(OUT)에 의하여 요소의 다른 쪽상에서 흡수되는 배치를 개략적으로 도시한다. 도 2의 예시에서, 액체는 최종 요소에 대한 기판의 이동 방향을 따라 공급되나, 반드시 이와 같을 필요는 없다. 최종 요소 주위에 위치된 유입구들 및 유출구들의 방위 및 개수는 다양할 수 있으며, 도 3에는 양쪽에 유출구를 갖는 유입구의 4개의 세트들이 최종 요소 주위에 규칙적인 패턴으로 제공되는 일례가 예시되어 있다.
국부적인 액체 공급 시스템을 사용한 또다른 침지 리소그래피 해결책을 도 4에 도시한다. 액체는, 투영 시스템(PL)의 어느 한 쪽 상의 두 그루브(groove) 유입구(IN)에 의해 공급되며, 유입구(IN)의 외부로 방사상으로 배치되어 있는 다수의 개별 유출구(OUT)에 의해 제거된다. 유입구(IN) 및 유출구(OUT)는, 중심에 있으며 이를 통해 투영 빔이 투영되는 홀(hole)을 갖는 플레이트 내에 배치될 수 있다. 액체는 투영 시스템(PL)의 한쪽 상의 한 그루브 유입구(IN)에 의해 공급되고, 투영 시스템(PL)의 다른 쪽 상의 다수의 개별 출구(OUT)에 의해 제거되어, 투영 시스템(PL) 및 기판(W) 사이에 액체 박막 흐름을 유발한다. 사용하는 유입구(IN) 및 유출구(OUT)를 어떻게 조합할 것인지의 선택은, 기판(W)의 이동 방향에 따라 좌우될 수 있다(유입구(IN) 및 유출구(OUT)의 다른 조합은 사용하지 않음(inactive)).
제안된, 또다른 해결책은, 투영 시스템의 최종 요소 및 기판 테이블 사이 공간 경계의 적어도 일부를 따라 연장되는 배리어 부재를 액체 공급 시스템에 제공하는 것이다. 배리어 부재는, Z 방향(광학 축 방향)으로 다소 상대적 이동이 가능하다 할지라도, XY 면에서는 투영 시스템에 대해 실질적으로 정적이다. 배리어 부재 및 기판 표면 간에 시일(seal)이 형성된다. 일실시예에서, 시일은 기체 시일(gas seal)과 같은 비접촉 시일이다. 이러한 시스템은, 본 명세서에서 전문이 인용참조되고 있는 미국 특허 출원 공개 제 US 2004-0207824호에 개시되어 있다.
각각 본 명세서에서 전문이 인용참조되고 있는 유럽 특허 출원 공개 제 EP 1420300호 및 미국 특허 출원 공개 제 US 2004-0136494호에, 트윈 또는 듀얼 스테이지 침지 리소그래피 장치에 대한 아이디어가 개시되어 있다. 이러한 장치에, 기판 지지용 테이블이 두 개 제공되어 있다. 제 1 위치의 테이블을 사용하여 침지 액체 없이 레벨링 측정을 실시하고, 제 2 위치의 테이블을 사용하여 노광을 실시한다(이 때 침지 액체가 존재한다). 선택적으로, 장치는 노광 및 측정 위치 간에 이동가능한 단 하나의 테이블을 갖는다.
침지 리소그래피에서의 문제점 중 하나는 침지 액체 내에 버블이 존재하는 것이다. 투영 빔의 통로가 버블을 포함하는 침지 액체의 영역을 통과하는 경우, 이는 기판 상에 투영된 패터닝된 이미지의 품질에 해롭게 작용할 수 있다.
버블은 다수의 이유로 침지 액체 내에 존재할 수 있다. 첫째로는 예를 들어, 침지 공간이 액체로 충전되는 경우 모든 기체가 액체로 대체되지는 않는다는 것이다.
거시적 피처(macroscopic feature)는, 기판이 침지 시스템을 가로질러 통과하기 위해 걸리는 시간 내에 침지 시스템 및 기판 간의 갭이 모세관 충전(capillary filling)되는 것을 막을 수 있다. 이 결과, 기체가 갭 내에 트래핑될 수 있다. 액체의 표면 장력은 트래핑된 기체 부피를 버블 내로 잡아당기며, 버블은, 일단 버블의 부력이 갭의 표면에 기체 버블을 유지하는(holding) 침지 액체의 표면 장력을 초과하면 떠오를 것이다. 침지 공간의 벽 내에 갭이 존재하면, 공간이 액체 내에 침지되는 경우에도 기체의 버블이 남아있을 수 있는 트랩이 제공될 수 있다.
거친 표면은 또한 갭의 모세관 충전을 막을 수 있으나, 미시적 규모 상에서는 아니다. 침지 액체는 거친 표면의 돌출부(projections)와 접촉하지만, 표면의 윤곽을 완전히 적시지는 않는다. 표면의 거칠기 정도는 표면 장력으로 인한 힘과 비례하며, 따라서 기체 버블은 더 쉽게 트래핑된다. 침지 액체 층이 거친 표면 상에 통과함에 따라, "유효 접촉각" 또는 액체가 표면과 만나는 각은 매끄러운 표면에서보다 더 다양하고, 따라서 접촉각이 감소되는 경우에, 즉 표면 상의 돌출의 원위부가 돌출의 근위부 전에 액체와 만나 돌출의 상류 근위부에 기체의 코너(corner)를 남기는 경우에, 기체가 더 많이 트래핑될 것으로 보인다.
둘째로는, 예를 들어 버블이 온도 또는 에너지 또는 다른 인자의 변화로 인해 자발적으로 형성될 수 있다. 선택적으로 또는 부가적으로, 기체(예를 들어 공 기)는, 예를 들어 온도 강하와 함께 시스템의 압력이 떨어지면 시스템 내로 흡인될 수 있다. 레지스트 및 기판의 표면 상에 사용된 다른 화학제들이, 포말 형성(foaming)을 유발하거나 온도 또는 에너지의 변화를 일으키면서 침지 액체 또는 방사선과 반응할 수 있거나, 화학적으로 기체 버블을 생성할 수 있다.
세째로, 예를 들어, 기판이 침지 시스템 또는 방사선 시스템에 대해 이동하는 경우에 기체를 또한 트래핑할 수 있는, 기판의 표면으로부터 과도한 침지 액체를 제거하도록 구성된 1 이상의 도랑들(gutters)이 존재할 수 있다. 또한, 이들 도랑은 너무 많은 액체가 손실되도록 할 수 있으며, 그 결과 액체 수준이 총체적으로 저하된다.
기체가 액체로 대체되지 않을 수 있는 방법이 도 11a에 도시되어 있다. 기판(W) 및 기판 테이블(WT) 사이에, 예를 들어, 침지 시스템(12) 하에 갭이 통과하는 매번마다 액체로 충전되는 갭이 존재한다. 기체 나이프(15)는 침지 시스템(12)에 대한 액체 및 오염물의 통로를 깨끗이 하는 역할을 한다. 그러나, 기체 나이프(15) 하에 액체-충전된 갭이 통과하는 경우, 액체 드롭렛(droplet)(D)은 기판(W) 및 기판 테이블(WT)의 표면 상에 스프레이(spray up)될 수 있다. 기판(W) 표면의 친액체성(liquidphilic)(예를 들어 친수성) 또는 소액체성(liquidphobic)(예를 들어 소수성) 성질에 따라, 드롭렛(D)의 표면은 기판 표면과 더 크거나 더 작은 각을 형성한다. 액체 프론트(front)(F)는 또한, 기판(W) 표면이 액체 프론트에 대해 측면으로 이동하므로(화살표는 기판(W)을 포함하는 기판 테이블(WT)의 이동 방향을 지시한다), 기판(W) 표면과 소정 각을 이룬다. 도 10은 액체 프론트(F) 및 드롭 렛(D)의 상대적 위치를 도시한다. 액체의 만나는 각(meeting angles)은, 상대적으로 이동하는 액체 프론트(F) 및 드롭렛(D) 표면 사이에 소량의 기체가 트래핑 되도록 할 수 있으며, 따라 침지 액체 내에 기체 버블(B)을 초래할 수 있다.
버블은 기판테이블 및 기판 사이, 센서 상이나 주변, 또는 기판의 스캔들 사이에 침지 시스템을 밀봉하기 위해 사용되는 폐쇄(closing) 플레이트 주변에 형성될 수 있다. 이어서 버블은, 아마도 투영된 이미지의 품질에 영향을 미치면서, 기판으로부터 탈착(detach)되어 침지 액체 내에서 떠오르거나, 심지어 투영 시스템의 최종 광학 요소까지 떠오를 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 리소그래피 장치를 개략적으로 도시한다. 상기 장치는:
방사선 빔(B)(예를 들어, UV 방사선 또는 DUV 방사선)을 컨디셔닝하도록 구성된 조명시스템(일루미네이터)(IL);
패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크)(MA)를 지지하도록 구성되고, 특정 파라미터들에 따라 패터닝 디바이스를 정확히 위치시키도록 구성된 제1위치설정기(PM)에 연결된 지지 구조체(예를 들어, 마스크 테이블)(MT);
기판(예를 들어, 레지스트-코팅된 웨이퍼)(W)을 잡아주도록 구성되고, 특정 파라미터들에 따라 기판을 정확히 위치시키도록 구성된 제2위치설정기(PW)에 연결된 기판 테이블(예를 들어, 웨이퍼 테이블)(WT); 및
기판(W)의 타겟부(예를 들어 1 이상의 다이를 포함)(C)에 패터닝 디바이스(MA)에 의하여 방사선 빔(B)에 부여된 패턴을 투영하도록 구성된 투영시스템(예를 들어, 굴절 투영 렌즈 시스템)(PS)을 포함한다.
조명시스템은, 방사선의 지향, 성형 또는 조절을 위하여, 다양한 형태의 광학 구성요소들, 예컨대 굴절, 반사, 자기, 전자기, 정전기 또는 다른 형태의 광학 구성요소들, 또는 그 조합을 포함할 수 있다.
지지 구조체는, 패터닝 디바이스의 방위, 리소그래피 장치의 디자인, 및 예를 들어 패터닝 디바이스가 진공 환경에서 유지되는지의 여부와 같은 여타의 조건들에 의존하는 방식으로 패터닝 디바이스를 유지한다. 지지 구조체는 패터닝 디바이스를 유지하기 위해 기계적, 진공, 정전기, 또는 여타의 클램핑 기술들을 이용할 수 있다. 지지 구조체는 예를 들어 필요에 따라 고정되거나 이동할 수 있는 프레임 또는 테이블일 수 있다. 지지 구조체는 패터닝 디바이스가, 예를 들어 투영시스템에 대해, 원하는 위치에 있을 것을 보장할 수 있다. 본 명세서의 "레티클" 또는 "마스크"라는 어떠한 용어의 사용도 "패터닝 디바이스"와 같은 좀 더 일반적인 용어 와 동의어로도 간주될 수 있다.
본 명세서에서 사용되는 "패터닝 디바이스"라는 용어는, 예를 들어 기판의 타겟부에 패턴을 생성하기 위해서, 방사선 빔의 단면에 소정 패턴을 부여하는데 사용될 수 있는 임의의 디바이스를 의미하는 것으로 폭넓게 해석되어야 한다. 방사선 빔에 부여된 패턴은, 예를 들어, 상기 패턴이 위상-시프팅 피처(phase-shifting feature)들 또는 소위 어시스트 피처(assist feature)들을 포함하는 경우, 기판의 타겟부내의 원하는 패턴과 정확히 일치하지 않을 수도 있다는 것을 유의한다. 일반적으로, 방사선 빔에 부여된 패턴은 집적 회로와 같이 타겟부에 생성될 디바이스내의 특정 기능층에 해당할 것이다.
패터닝 디바이스는 투과형 또는 반사형일 수 있다. 패터닝 디바이스의 예로는 마스크, 프로그래밍가능한 거울 어레이 및 프로그래밍가능한 LCD 패널을 포함한다. 마스크는 리소그래피 분야에서 잘 알려져 있으며, 바이너리형, 교번 위상-시프트형 및 감쇠 위상-시프트형 마스크와 다양한 하이브리드 마스크 형식도 포함한다. 프로그래밍가능한 거울 어레이의 일례는 작은 거울들의 매트릭스 구성을 채택하며, 그 각각은 입사하는 방사선 빔을 상이한 방향으로 반사시키도록 개별적으로 기울어질 수 있다. 기울어진 거울들은 거울 매트릭스에 의해 반사되는 방사선 빔에 소정 패턴을 부여한다.
본 명세서에서 사용되는 "투영시스템"이라는 용어는, 사용되는 노광방사선에 대하여, 또는 침지 유체의 사용 또는 진공의 사용과 같은 다른 인자들에 대하여 적절하다면, 굴절, 반사, 카타디옵트릭, 자기, 전자기 및 정전기 광학 시스템들을 포 함하는 임의의 타입의 투영시스템을 내포하는 것으로서 폭넓게 해석되어야 한다. 본 명세서의 "투영 렌즈"라는 용어의 어떠한 사용도 "투영시스템"과 같은 좀 더 일반적인 용어와 동의어로도 간주될 수 있다.
본 명세서에 도시된 바와 같이, 상기 장치는 (예를 들어, 투과 마스크를 채택하는) 투과형이다. 선택적으로, 상기 장치는 (예를 들어, 상기 언급된 바와 같은 형태의 프로그래밍가능한 거울 어레이를 채택하거나, 반사 마스크를 채택하는) 반사형이 될 수도 있다.
리소그래피 장치는 2개(듀얼 스테이지)이상의 기판 테이블 (및/또는 2이상의 지지 구조체)을 갖는 형태일 수도 있다. 이러한 "다수 스테이지" 기계에서는 추가 테이블이 병행하여 사용될 수 있으며, 또는 1 이상의 테이블이 노광에 사용되고 있는 동안 1 이상의 테이블에서는 준비작업 단계가 수행될 수 있다.
도 1을 참조하면, 일루미네이터(IL)는 방사선 소스(S0)로부터 방사선 빔을 수용한다. 예를 들어, 상기 소스가 엑시머 레이저인 경우, 상기 소스 및 리소그래피 장치는 별도의 개체일 수도 있다. 이러한 경우, 상기 소스는 리소그래피 장치의 일부분을 형성하는 것으로 간주되지 않으며, 상기 방사선 빔은, 예를 들어 적절한 지향 거울 및/또는 빔 익스팬더를 포함하는 빔 전달 시스템(BD)의 도움으로, 소스(SO)로부터 일루미네이터(IL)로 통과된다. 다른 경우, 예를 들어 상기 소스가 수은 램프인 경우, 상기 소스는 리소그래피 장치의 통합부일 수 있다. 상기 소스(SO) 및 일루미네이터(IL)는, 필요하다면 빔 전달 시스템(BD)과 함께 방사선 시스템이라고도 칭해질 수 있다.
일루미네이터(IL)는 방사선 빔의 각도 세기 분포를 조정하는 조정기(AD)를 포함할 수도 있다. 일반적으로, 일루미네이터의 퓨필 평면내의 세기 분포의 적어도 외반경 및/또는 내반경 크기(통상적으로, 각각 σ-외측 및 σ-내측이라 함)가 조정될 수 있다. 또한, 일루미네이터(IL)는 인티그레이터(IN) 및 콘덴서(CO)와 같이 다양한 다른 구성요소들을 포함할 수 있다. 일루미네이터는 그 단면에 원하는 균일성과 세기 분포를 가지기 위해, 방사선의 빔을 컨디셔닝하는데 사용될 수 있다.
상기 방사선 빔(B)은, 지지 구조체(예를 들어, 마스크 테이블(MT))상에 유지되어 있는 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크(MA))상에 입사되며, 패터닝 디바이스에 의해 패터닝된다. 패터닝 마스크(MA)를 가로질렀으면, 상기 방사선 빔(B)은 투영시스템(PS)을 통과하여 기판(W)의 타겟부(C)상에 상기 빔을 포커스한다. 제 2 위치설정기(PW) 및 위치 센서(IF), (예컨대, 간섭계 디바이스, 리니어 인코더 또는 용량성 센서)의 도움으로, 기판 테이블(WT)은, 예를 들어 방사선 빔(B)의 경로내에 상이한 타겟부(C)들을 위치시키도록 정확하게 이동될 수 있다. 이와 유사하게, 제 1 위치설정기(PM) 및 또 다른 위치센서(도 1에 명확히 도시되지 않음)는, 예를 들어 마스크 라이브러리로부터의 기계적인 회수 후에, 또는 스캔하는 동안, 방사선 빔(B)의 경로에 대해 패터닝 디바이스(MA)를 정확히 위치시키는데 사용될 수 있다. 일반적으로, 지지 구조체(MT)의 이동은, 장-행정 모듈(long-stroke module)(개략 위치설정) 및 단-행정 모듈(short-stroke module)(미세 위치설정)의 도움을 받아 실현될 수 있으며, 이는 제 1 위치설정기(PM)의 일부분을 형성한다. 이와 유사하게, 기판 테이블(WT)의 이동도, 장-행정 모듈 및 단-행정 모듈을 이용하여 실현될 수 있으며, 이는 제 2 위치설정기(PW)의 일부분을 형성한다. (스캐너와는 대조적으로) 스테퍼의 경우, 상기 지지 구조체(MT)는 단지 단-행정 액추에이터에만 연결되거나 고정될 수도 있다. 패터닝 디바이스(MA) 및 기판(W)은 패터닝 디바이스 정렬 마크(M1, M2) 및 기판 정렬 마크(P1, P2)를 이용하여 정렬될 수 있다. 비록, 예시된 기판 정렬 마크들이 지정된 타겟부(dedicated target portion)들을 차지하지만, 그들은 타겟부들간의 공간들내에 위치될 수도 있다(이들은 스크라이브-레인 정렬 마크들(scribe-lane alignment marks)로 알려져 있다). 이와 유사하게, 패터닝 디바이스(MA)상에 1 이상의 다이가 제공되는 상황들에서는, 패터닝 디바이스 정렬 마크들이 다이들 사이에 위치될 수도 있다.
서술된 장치는 다음의 모드들 중 1 이상에 사용될 수 있다:
1. 스텝 모드에서, 지지 구조체(MT) 및 기판 테이블(WT)은 기본적으로 정지상태로 유지되는 한편, 방사선 빔에 부여되는 전체 패턴은 한번에 타겟부(C)상에 투영된다(즉, 단일 정적 노광(single static exposure)). 이후, 기판 테이블(WT)은 다른 타겟부(C)가 노광될 수 있도록 X 및/또는 Y 방향으로 시프트된다. 스텝 모드에서, 노광 필드의 최대 크기는 단일 정적 노광시에 이미징되는 타겟부(C)의 크기를 제한한다.
2. 스캔 모드에서, 지지 구조체(MT) 및 기판 테이블(WT)은, 방사선 빔에 부여되는 패턴이 타겟부(C)상에 투영되는 동안에 동기적으로 스캐닝(즉, 단일 동적 노광(single dynamic exposure))된다. 지지 구조체(MT)에 대한 기판 테이블(WT)의 속도 및 방향은 확대(축소) 및 투영시스템(PS)의 이미지 반전 특성에 의하여 결정 될 수 있다. 스캔 모드에서, 노광 필드의 최대 크기는 단일 동적 노광시 타겟부의 (스캐닝되지 않는 방향으로의) 폭을 제한하는 반면, 스캐닝 동작의 길이는 타겟부의 (스캐닝 방향으로의) 높이를 결정한다.
3. 또 다른 모드에서, 지지 구조체(MT)는 프로그래밍가능한 패터닝 디바이스를 유지하여 기본적으로 정지된 상태로 유지되며, 방사선 빔에 부여된 패턴이 타겟부(C)상에 투영되는 동안, 기판 테이블(WT)이 이동되거나 스캐닝된다. 이 모드에서는, 일반적으로 펄스화된 방사선 소스(pulsed radiation source)가 채용되며, 프로그래밍가능한 패터닝 디바이스는 기판 테이블(WT)이 각각 이동한 후, 또는 스캔동안의 연속 방사선 펄스들 사이에 필요에 따라 업데이트된다. 이 작동 모드는 상기 언급된 바와 같은 형태의 프로그래밍가능한 거울 어레이와 같은 프로그래밍가능한 패터닝 디바이스를 이용하는 마스크없는 리소그래피(maskless lithography)에 용이하게 적용될 수 있다.
또한, 상술된 모드들의 조합 및/또는 변형, 또는 완전히 다른 사용 모드들을 채용할 수 있다.
침지 액체 내의 버블 형성을 처리하는 한 방법은 제 1 위치에서 버블이 형성되는 것을 막는 것이다. 이는 표면을 매끄럽게 하고 공간이 액체 내에 침지될 때 기체 버블이 트래핑될 수 있는 영역을 감소시킴으로써 수행될 수 있다.
이를 수행하는 한가지 방법은 기판 테이블 내의 갭을 예방하거나 감소시키는 것이다. 갭은 기판 테이블의 홀들 내에 위치하는 대상물 및 홀들의 측면 사이에 존재한다. 기판 테이블 내 또는 기판 테이블 상에 위치될 수 있는 대상물은 기판, 1 이상의 센서들, 및 센서(들) 및/또는 기판에 대한 1 이상의 커버 플레이트들을 포함한다. 갭들이 있는 이유는, 기판 및 센서들이 제거가능할 필요가 있거나 제거가능해야 하고, 쉽게 대체되어야 할 필요가 있거나 대체되어야 한다는 것이다. 따라서, 기판 테이블 내 또는 기판 테이블 상의 대상물이 쉽게 제거되거나 및/또는 교환되기 위해 사용되는 특정 허용오차(tolerances)가 존재한다. 이 허용오차는 약 0.5 mm가 될 수 있다. 그러나, 버블 형성을 감소시키기 위한 일실시예에서, 갭은 0.1 mm 까지 감소되고 및/또는 갭의 수가 감소된다.
갭 크기를 감소시키기 위한 한 방법은 커버 플레이트를 사용하는 것이다. 커버 플레이트는, 커버하려는 대상물 뿐 아니라 대상물 주위의 임의의 갭도 커버하도록 하는 크기로 만들어질 수 있다. 커버 플레이트는 리소그래피 장치가 수용할 수 있는 높이 단계(height step)보다 크지 않은 최대 두께를 가져야 한다.
기판과 1 이상의 주변 센서들과 같은 수개의 대상물을 커버하기 위해 단일 커버 플레이트가 사용될 수 있다. 이로써 센서 및 기판 사이의 갭은 커버 플레이트에 의해 커버된다. 커버 플레이트는, 대상물이 기판 테이블 내 홀 안으로 떨어짐에 따라 커버 플레이트가 자동적으로 대상물 뿐 아니라 주변 홀을 커버함으로써 임의의 갭을 커버하도록(covering up), 커버하려는 대상물과 통합(integral)될 수 있다. 대상물에 따라, 커버 플레이트는 방사선에 대해 투과성(transparent)일 수 있으며 예를 들어 석영으로 만들어질 수 있다. 커버 플레이트는 센서와 통합되지 않고 방사선 빔에 대해 투과성일 수 있다. 이는 예를 들어 기판 테이블의 모두 또는 일부분을 커버하는 박막(pellicle)이 될 수 있으나, 미크론 두께이고, 따라서 방사 선에 대해 투과성이다. 박막은 기판 테이블의 외부에 부착될 수 있다.
커버 플레이트는 상이한 방식으로 만들어질 수 있다. 도 8에 도시된 바와 같은 분할된(segmented) 커버 플레이트는 서로에 대해 슬라이딩되는 수개의 일부분을 가질 수 있으며, 이에 따라 형태 및 크기가 변하고 상이한 기판 테이블 상의 갭의형태 및 크기를 커버하도록 적합화 가능하다(adaptable). 이 경우, 분할된 플레이트의 측면은 좁은 허용오차를 갖는다. 이들은, 분절들 간의 갭들이 좁고 이들 간의 접촉이 원활한 것을 보장하도록 폴리싱된다. 침지 액체는, 예를 들어 진공을 사용하여 커버 아래로부터 액체를 추출함으로써 분절들 간의 갭 내에 정체(stagnant) 액체 포켓들을 피할 수 있다 할지라도, 분절들에 대한 자가-윤활(self-lubricating) 시스템을 제공한다.
선택적으로, 커버 플레이트는 가요성 또는 신축성(stretchable)이 될 수 있다. 이 때 커버 플레이트는 커버하려는 대상물 및 임의의 주변 갭 상에 고정될 수 있다. 선택적으로 또는 부가적으로, 커버 플레이트에는, 대상물이 기판 테이블 내의 홀 안으로 삽입될 수 있는 신축성 홀이 제공될 수 있다. 일단 대상물이 삽입되면 신축성 홀은 원래의 형태로 되돌아가고, 커버 플레이트 내 홀은 효과적으로 폐쇄된다. 도 8은 기판(W)의 가장자리 주위 커버 플레이트(CP)의 세 분절을 도시한다. 상이한 분절들은 각각 기판 테이블 상에서 센서를 커버할 수 있다.
분절들 간에 갭이 존재하지 않는다면 분할된 커버 플레이트는 잘 작동해야 한다. 이는 예를 들어 테논(tenon) 및 홈(groove) 시스템을 사용함으로써 용이하게 될 수 있다. T-형 갭이 단순한 U-형 갭보다 더 많은 버블들을 생성할 수 있으며, 따라서 분할된 커버 플레이트의 분절들은 침지 시스템 내에서 버블 생성이 심화되는 것을 피하도록 주의깊게 함께 연결되어야 한다는 것을 유념해야 한다.
선택적으로 또는 부가적으로, 커버 플레이트 또는 기판 또는 심지어 센서는 기판 상으로의 투영 과정동안에 이동될 수 있다. 갭의 동적 최소화는 도 9a 및 9b에 도시되며, 기판에 대한 투영 시스템 및 침지 공간의 위치에 따라 좌우될 수 있다. 기판(W)(또는 센서(TIS))의 커버 플레이트(CP)는, 침지 공간이 기판 테이블에 대해 어디에 있는지를 나타내는 센서를 사용하거나 타임테이블(timetable)과 연계된 액추에이터를 사용하여 이동될 수 있다. 갭은 침지 공간이 기판 테이블의 이 부분 상에 있는 때에만 최소화될 필요가 있다. 갭 나이프는 침지 액체에 노출되는 사이에 기판 테이블의 표면에서 액체를 제거하고, 이를 통해 표면이 재침지되는 경우 기체 버블의 위험에 기여한다. 기체 나이프가 기판 테이블의 전체 표면을 건조시키므로, 갭은 침지 공간과 접촉되기 전에 액체로 미리-충전될 수 없다.
선택적으로, 갭의 수를 최소화하기 위해, 센서(TIS) 및/또는 기판(W)은 기판 테이블(WT) 내에 홀을 공유할 수 있다.
기판 테이블 내 또는 기판 테이블 상에 대상물을 위치시키기 위해 요구되는 갭의 크기를 최소화하는 한 방법은, 기판 테이블(WT) 내 홀의 경사진(예를 들어 원뿔) 표면과 조화되는 경사진(예를 들어 원뿔) 가장자리로 성형된 센서(TIS)(또는 기판 테이블 내 또는 기판 테이블 상의 기판(W) 또는 임의의 다른 대상물)를 갖는 것이다. 이는 도 7에 도시되어 있다. 센서(TIS)는 효과적으로 자가-센터링(self-centering)하므로 갭이 그다지 요구되지 않는다. 이는 표면적을 거의 제공하지 않 고 버블에 대한 트랩을 그다지 제공하지 않는다. 자가-센터링 센서를 사용하면 갭보다는 높이 단계가 생길 수 있다. 이 때 리소그래피 장치는 기판 테이블의 스캔동안 높이 단계를 고려할 수 있도록 적합화될 것이다.
대체 방법은 또한, 기판 테이블, 및 기판 테이블 내 또는 기판 테이블 상의 기판 또는 센서 또는 임의의 다른 대상물 간의 갭을 브릿징하는 커버 플레이트의 일부로서의 막(membrane)을 사용하는 것이다. 이 막은 스티커를 포함할 수 있다. 스티커는, 기판 테이블 및 투영 시스템에 꼭 맞는 한 임의의 적합한 두께, 예를 들어 5 내지 50 미크론이 될 수 있다.
스티커를 사용하는 일례는 폐쇄 플레이트에서이다. 일단 기판이 대체되었으면 폐쇄 플레이트는 기판 상으로 낮춰지고 이어서 침지 시스템 아래에 위치되어 침지 액체가 계속 밀봉되게 하므로, 기판 교환물들 간에 사용되는 폐쇄 플레이트 주위의 홈은 버블을 포함하기 쉽다. 이런 방식으로 침지 시스템의 벽이 이동하는 것은 버블이 형성되는 큰 이유이다. 따라서, 폐쇄 플레이트(CLD)의 최상부 표면은, 상부 표면(20)이 기판 테이블 내에 실제 위치하는 폐쇄 플레이트의 일부 주위에 있는 어떤 홈을 커버하도록, 돌출부와 함께 도 9b에 도시된 바와 같이 연장될 수 있다. 기판 테이블 내 홀이 폐쇄 플레이트의 연장된 상부 표면에 의해 밀봉되므로, 폐쇄 플레이트는 진공을 사용하여 기판 테이블 내에 유지될 수 있으며, 따라서 버블의 문제는 감소 또는 제거된다. 일실시예에서, 연장된 표면(20)은, 에칭에 의해 제조된 유리 고체 피스(piece)로 만들어지는 얇은 원형 층, 또는 폐쇄 플레이트 상의 스티커가 될 수 있다. 스티커는, 높이 단계가 침지 시스템에 대해 문제를 유발 하지 않도록 10 내지 20 ㎛가 될 수 있다. 이 때 폐쇄 플레이트는 가압된 기체의 펄스를 연장된 표면 아래에 적용함으로써 떼어낼 수 있다.
스티커는 기판 및 커버 플레이트 간의 갭을 커버하기 위해 사용될 수 있다. 이는 유리, 금속 또는 플라스틱 또는 임의의다른 적합한 비반응성 물질로 제조될 수 있다. 스티커는 접착제, 액체 박막, 또는 진공으로 인한 흡인으로 고정될 수 있다. 선택적으로, 이는 기판 또는 커버 플레이트(또는 센서 또는 폐쇄 플레이트)의 통합부가 될 수 있다.
도 10을 참조하여, 기체 버블을 유발하는 기판의 표면 상의 액체의 드롭렛(D)의 문제가 도시된다(및 앞서 기재되어 있다). 기판 상의 드롭렛(D)을 처리하기 위한 몇가지 방법이 있다.
한가지 방법은, 액체 프론트(F)가 기판(W)에 대해 그다지 각이 없고 드롭렛(D) 및 액체 프론트(F) 사이에 기체가 트랩되는 공간이 거의 없도록, 침지 시스템에 대해 보다 느리게 움직이는 기판 테이블을 갖는 것이다.
선택적으로 또는 부가적으로, 드롭렛(D) 및 기판(W) 간의 각이 거의 예각이아니어서 두 액체 표면들(D, F) 간에 기체가 거의 트랩되지 않도록 드롭렛(D)의 형태가 변화될 수 있다. 이를 수행하는 한가지 방법은 기판의 표면을 보다 친액체성으로 만들어, 드롭렛(D)의 표면이 기체가 트랩될 수 있는 예각보다 기판에 대해 수직 또는 심지어 둔각에 가깝도록 하는 것이다.
상기된 바와 같이, 액체 드롭렛(D)은, 기판 및 기판 테이블 사이의 갭 내에 기체를 지향하고, 이에 따라 도 11a에 도시된 바와 같이 기판 테이블 표면 및 기판 표면 상으로 액체가 "튀도록(splash out)" 하는 기체 나이프로부터 기판 표면 상에 생성될 수 있다. 일실시예에서, 기체 나이프는 기판 표면의 스캔에서 액체 프론트를 선행할 수 있으며, 따라서 침지 시스템의 액체 프론트가 기판 표면 상의 동일한 지점에 도달하기 직전에 액체 드롭렛이 생성될 수 있다. 이는 도 11a에서 화살표의 방향으로 도시된다.
이러한 문제점을 극복하기 위한 한가지 방법은 도 11b에 도시되며, 가장자리 쪽으로보다 기판의 중심부 쪽으로 스캔하는 것이다. 도 11b에서, 기판(W) 및 기판 테이블(WT)은 기판(W)의 가장자리로부터 이의 중심부 쪽으로 스캐닝이 일어나도록 위치가 역전된다. 기체 나이프에 대한 기판의 이동 방향 때문에, 기판의 가장자리가 기체 나이프 아래에 통과함에 따라, 기판의 표면 상에 스프레이하는 드롭렛은 기체 나이프에 의해 전방으로 밀린다. 이 실시예에서 이들 드롭렛(D)은 액체 프론트(F)의 통로로 날리는(blow) 것이 아니라, 도 11b의 드롭렛(D)에 포개지는 화살표에 도시된 바와 같이 기체 나이프에 의해 액체 프론트(F)의 앞으로 효과적으로 날린다.
버블은 대부분 기판의 가장자리와 가장 가까운 다이 상이나 다이 근처에서 발생할 수 있다. 기판(W)의 모든 내부 다이들을 일차적으로 노광함으로써 스캐닝 방향에 대한 상기 적합화(adaptation)가 더욱 개선될 수 있다. 이어서 외부 다이들이 노광된다. 이런 식으로, 가장자리 다이를 노광하기 위한 "긴(long)" 노광 여정을 선택함으로써, 기판 가장자리 상에 이리 저리 움직임으로써 생성된 버블들이 노광 전에 없어지도록(escape) 최대 시간이 주어진다. 이 방법은 기판의 가장자리에 서 발생되는 버블들의 수를 감소시키기에 유용할 수 있다.
기판 및 기판 테이블 간의 갭으로부터 액체 드롭렛을 스프레이하는 것의 문제점에 대한 또다른 가능한 해결책은, 예를 들어 배수(drain) 흐름이 효과적이 되도록 보장함으로써, 갭 내에 어떤 액체도 남지 않도록 보장하는 것이다. 그러나, 이는 앞서 기재된 바와 같이 기체가 갭 내에 트래핑되고 침지 시스템 안으로 떠오를 위험이 있다. 기체 나이프 및 액체 프론트 사이에 갭의 재충전이 요구될 수 있다.
침지 시스템 내에서 액체 프론트 및 기체 나이프 간의 거리를 최소화하면 버블 생성을 여전히 초래할 수 있으나, 기판의 바로 그 가장자리 근처의 짧은 거리 상에서만이며, 따라서 아마도 기판의 더 큰 일부 상에서는 오차가 감소한다.
본 명세서에서 센서를 참조하여, 이는 전달(transmission) 이미지 센서(TIS), 스폿(spot) 센서, 집적화 렌즈 간섭계 센서(integrated lens interferometer sensor)(ILIAS), 및/또는 슬릿 센서를 포함할 수 있으며, 1 이상의 검출기를 포함하는 센서를 포함할 수 있는 것으로 이해된다. 예를 들어, TIS는 8개의 검출기를 포함할 수 있으며, 이는 모두 함께 또는 개별적으로 커버 플레이트에 의해 커버될 수 있다. 이들 센서들은 이미지 위치, 방사선량, 수차(aberrations), 편광, 및/또는 다른 이미지 품질 파라미터를 측정하기 위해, 및 또는 선택적으로 기판을 정렬하기 위해 사용될 수 있다.
이런 방식으로, 노광된 기판 상의 최소 선량(minimum dose) 오차 및 뒤틀림(distortion) 또는 블랭크 스폿(blank spots)과 같은 버블들로 인한 오차들이 감 소될 수 있다.
본 명세서에서는, IC의 제조에 있어서 리소그래피 장치의 특정 사용예에 대하여 언급되지만, 본 명세서에서 서술된 리소그래피 장치는 집적 광학 시스템, 자기 도메인 메모리용 유도 및 검출 패턴, 평판 디스플레이(flat-panel display), 액정 디스플레이(LCD), 박막 자기 헤드 등의 제조와 같이 다른 응용예들을 가질 수도 있음을 이해하여야 한다. 당업자라면, 이러한 대안적인 적용예와 관련하여, 본 명세서의 "웨이퍼" 또는 "다이"와 같은 용어의 어떠한 사용도 각각 "기판" 또는 "타겟부"와 같은 좀 더 일반적인 용어와 동의어로 간주될 수도 있음을 이해할 것이다. 본 명세서에서 언급되는 기판은, 노광 전후에, 예를 들어 트랙(전형적으로, 기판에 레지스트층을 도포하고 노광된 레지스트를 현상하는 툴), 메트롤로지 툴 및/또는 검사툴에서 처리될 수 있다. 적용가능하다면, 이러한 기판 처리 툴과 다른 기판 처리 툴에 본 명세서의 기재내용이 적용될 수 있다. 또한, 예를 들어 다층 IC를 생성하기 위하여 기판이 한번 이상 처리될 수 있으므로, 본 명세서에 사용되는 기판이라는 용어는 이미 여러번 처리된 층들을 포함한 기판을 칭할 수도 있다.
본 명세서에서 사용되는 "방사선" 및 "빔"이란 용어는 (예를 들어, 파장이 약 365, 248, 193, 157 또는 126㎚인) 자외(UV)방사선을 포함하는 모든 타입의 전자기 방사선을 포괄한다.
본 명세서가 허용하는 "렌즈"라는 용어는, 굴절 및 반사 광학 구성요소들을 포함하는 다양한 타입의 광학 구성요소들 중 어느 하나 또는 그 조합을 나타낼 수 있다.
이상, 본 발명의 특정 실시예들이 서술되었지만, 본 발명은 서술된 것과 다르게 실시될 수도 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 예를 들어, 본 발명은 상기에 개시된 바와 같은 방법을 설명하는 기계-판독가능한 명령어들의 1 이상의 시퀀스들을 포함하는 컴퓨터 프로그램, 또는 이러한 컴퓨터 프로그램이 저장되는 데이터 저장 매체(예컨대, 반도체 메모리, 자기 또는 광학 디스크)의 형태를 취할 수 있다.
본 발명의 하나 이상의 실시예들은, 특히(배타적이지 않음) 상기 언급된 형태, 또한 침지 액체가 배스의 형태로 또는 기판의 국부적인 표면 영역상에만 제공되는지에 따라, 임의의 침지 리소그래피 장치에 적용될 수 있다. 본 명세서에서 고려되는 바와 같은 액체 공급 시스템은 광범위하게 해석된다. 특정 실시예에서, 이는 투영 시스템 및 기판 및/또는 기판 테이블 사이의 공간에 액체를 제공하는 구조물의 메커니즘 또는 조합이 될 수 있다. 이는, 상기 공간에 액체를 제공하는 1 이상의 구조체들, 1 이상의 액체 유입구들, 1 이상의 기체 유입구들, 1 이상의 기체 유출구들, 및/또는 1 이상의 액체 유출구들의 임의의 조합을 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 공간의 표면은 기판 및/또는 기판 테이블의 일부분일 수도 있거나, 공간의 표면은 기판 및/또는 기판 테이블의 표면을 완전히 덮을 수도 있거나, 공간은 기판 및/또는 기판 테이블을 에워쌀(envelop) 수도 있다. 액체 공급 시스템은, 액체의 위치, 양, 질, 형태, 유량(flow rate) 또는 다른 특징을 조절하기 위하여 1 이상의 요소를 선택적으로 더 포함할 수 있다.
상기 서술내용은 예시를 위한 것이지, 제한하려는 것이 아니다. 따라서, 하 기에 설명되는 청구항들의 범위를 벗어나지 않고 서술된 본 발명에 대한 변형예가 행해질 수도 있음이 당업자에게는 명백할 것이다.