KR100850329B1 - 조명 시스템 및 포토리소그래피 장치 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (14)
- 패턴화되는 기판(5)과;상기 기판(5) 위로 전송될 다수의 패턴(41)을 구비하고, 제1 방향으로 뻗어나가고 패턴 크기 dy를 갖는 하나 이상의 패턴을 포함하는, 레티클(4)과;조명 시스템(20); 및,상기 기판(5) 위에 레티클의 이미지를 투영하고, 수차(NA)를 갖는, 광학 투영 시스템(11);을 포함하고,상기 조명 시스템(20)은,- 전자기 방사선을 방출하는 조명 광원(21)과,- 편광 장치(23)와,- 조명 분포부(6)를 생성하는 장치(3)를 포함하고,중심점(32)과 외부 엣지(33)를 갖는 장치(3)에 의해 생성되는 상기 조명 분포부(6)는, 중심점(32)을 둘러싸면서 형성되고 각 지점의 중심점(32)으로부터 떨어진 거리가 rin 보다 가까운 제1 불투명부(34)와, 외부 엣지(33)에 인접하여 형성되고 중심점(32)으로부터 떨어진 거리가 rout 보다 더 먼 제2 불투명부(35)와, 상기 제1 불투명부(34)와 상기 제2 불투명부(35) 사이에 배치되어 있는 방사선 투과부(36)를 포함하고,상기 편광 장치(23)는 조명 광원(21)과 조명 분포부를 생성하기 위한 장 치(3) 사이에 배치되어 있고, 상기 편광 장치(23)는 국부적으로 변하는 편광 방향(311a, 311b, 311c, 311d)을 갖는 선형 편광된 전자기 방사선을 생성하도록 되어, 적어도 제1 편광 방향(311a) 및 제2 편광 방향(311b)이 생성되고, 상기 제1 편광 방향(311a)은 상기 제2 편광 방향(311b)와 상이하고, 조명 분포부의 광 투과부의 적어도 두 개의 상이한 지점에서의 편광 방향은 이 지점과 조명 분포부의 중심점(32)을 연결하는 라인과 평행하고,상기 제2 불투명부(35)의 반경 rout은 레티클(4)의 패턴 크기 dy와 광학 투영 시스템(11)의 수차(NA)에 의존하여 측정되어, ±1차 회절 차수에 대해, 방사선 투과부(36)를 갖는 조명에 의한 빛의 부분이 광학 투영 시스템(11)의 수차 외부에 놓이는, 포토리소그래피 장치(1).
- 제1항에 있어서,상기 방사선 투과부(36)는 제1폴(31a), 제2폴(31c), 제3폴(31b), 및 제4 폴(31d)을 포함하고,상기 제1 폴(31a) 및 제2 폴(31c)은 제1 방향을 따라 배열되고, 제3 폴(31b) 및 제4 폴(31d)은 제2 방향을 따라 배열되고, 상기 제2 방향은 상기 제1 방향에 수직하고, 각각의 상기 폴 내에서의 전송되는 방사선의 세기는 방사선 투과부(36)의 다른 부분 보다 세고,제1 폴(31a)과 제2 폴(31c)에 의해 전송되는 전자기 방사선의 편광 방향은 제1 방향과 평행하고, 제3 폴(31b)과 제4 폴(31d)에 의해 전송되는 전자기 방사선의 편광 방향은 제2 방향과 평행하는 것을 특징으로 하는 포토리소그래피 장치(1).
- 제2항에 있어서,상기 폴 각각은 원형인 것을 특징으로 하는 포토리소그래피 장치(1).
- 제2항에 있어서,상기 폴 중 하나 이상의 폴은 타원형인 것을 특징으로 하는 포토리소그래피 장치(1).
- 제2항에 있어서,상기 폴 중 하나 이상의 폴은 링의 세그먼트 모양인 것을 특징으로 하는 포토리소그래피 장치(1).
- 제3항에 있어서,제1 폴, 제2 폴, 제3 폴, 제4 폴의 각각의 직경은 rout과 rin의 차이값과 동일한 것을 특징으로 하는 포토리소그래피 장치(1).
- 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,상기 반경 rin은 일정한 것을 특징으로 하는 포토리소그래피 장치(1).
- 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,상기 반경 rout은 일정한 것을 특징으로 하는 포토리소그래피 장치(1).
- 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,제1 방향으로 측정되는 반경 rin,y는 제2 방향으로 측정되는 반경 rin,x와 상이한 것을 특징으로 하는 포토리소그래피 장치(1).
- 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,제1 방향으로 측정되는 반경 rout,y는 제2 방향으로 측정되는 반경 rout,x와 상이한 것을 특징으로 하는 포토리소그래피 장치(1).
- 제1항에 있어서,상기 방사선 투과부는 고리모양이고, 전자기 방사선의 전송된 세기는 방사선 투과부 내에서 일정한 것을 특징으로 하는 포토리소그래피 장치(1).
- 제2항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제2 불투명부(35)의 반경 rout은 레티클(4)의 패턴 크기 dy와 광학 투영 시스템(11)의 수차(NA)에 의존하여 측정되어, +1차 회절 차수에 대해, 제1 폴(31a)을 갖는 조명에 의한 빛은 광학 투영 시스템(11)의 수차 외부에 놓이고, -1차 회절 차수에 대해, 제2 폴(31c)을 갖는 조명에 의한 빛은 광학 투영 시스템(11)의 수차 외부에 놓이는 것을 특징으로 하는 포토리소그래피 장치(1).
- 제2항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제2 불투명부(35)의 반경 rout은 레티클(4)의 패턴 크기 dy와 광학 투영 시스템(11)의 수차(NA)에 의존하여 측정되어, +1차 회절 차수에 대해, 제3 폴(31b)을 갖는 조명에 의한 빛은 광학 투영 시스템(11)의 수차 외부에 놓이고, -1차 회절 차수에 대해, 제4 폴(31d)을 갖는 조명에 의한 빛은 광학 투영 시스템(11)의 수차 외부에 놓이는 것을 특징으로 하는 포토리소그래피 장치(1).
- 제1항 내지 제6항 또는 제11항 중 어느 한 항에 있어서,상기 레티클(4)은 제2 방향으로 뻗어나가고 패턴 크기 dx를 갖는 패턴(41)을 더 포함하고;제1 방향으로 뻗어나가는 제2 불투명부(35)의 반경 rout,y는 레티클(4)의 패턴 크기 dy와 광학 투영 시스템(11)의 수차(NA)에 의존하여 측정되고, 제2 방향으로 뻗어나가는 제2 불투명부(35)의 반경 rout,x는 레티클(4)의 패턴 크기 dx와 광학 투영 시스템(11)의 수차(NA)에 의존하여 측정되고, 따라서 ±1차 회절 차수에 대해, 방사선 투과부(36)를 갖는 조명에 의한 빛의 부분은 광학 투영 시스템(11)의 수차 외부에 놓이는 것을 특징으로 하는 포토리소그래피 장치(1).
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
EP06113941A EP1857879A1 (en) | 2006-05-15 | 2006-05-15 | An illumination system and a photolithography apparatus |
EP06113941.6 | 2006-05-15 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20070110805A KR20070110805A (ko) | 2007-11-20 |
KR100850329B1 true KR100850329B1 (ko) | 2008-08-04 |
Family
ID=37309514
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020070047335A KR100850329B1 (ko) | 2006-05-15 | 2007-05-15 | 조명 시스템 및 포토리소그래피 장치 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20070263192A1 (ko) |
EP (1) | EP1857879A1 (ko) |
JP (1) | JP2007311794A (ko) |
KR (1) | KR100850329B1 (ko) |
DE (1) | DE102007022571B4 (ko) |
TW (1) | TWI409592B (ko) |
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