KR20050108516A - 반도체 기판 노광 장치 - Google Patents

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KR20050108516A
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Abstract

반도체 기판 상에 포토레지스트 패턴을 형성하기 위한 노광 장치에 있어서, 제1 애퍼처 플레이트부는 내부 구경을 형성하는 제1 애퍼처 플레이트 및 외부 구경을 형성하는 제2 애퍼처 플레이트의 조합에 따라 상기 오프 액시스 조명 빔의 폭 조절이 가능하고, 제2 애퍼처 플레이트부는 각각 회전 가능한 다수의 애퍼처 플레이트를 이용하여 다양한 형태의 애퍼처를 형성할 수 있고, 상기 애퍼처를 통해 상기 광을 선택적으로 통과시켜 다양한 형태의 폴을 갖는 오프 액시스 조명 빔으로 형성한다. 따라서 상기 노광 장치는 원하는 형태의 애퍼처를 형성할 수 있다.

Description

반도체 기판 노광 장치{Apparatus for exposing a semiconductor substrate}
본 발명은 반도체 장치를 제조하기 위한 노광 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 반도체 기판 상에 포토레지스트 패턴을 형성하기 위한 노광 장치에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 장치는 반도체 기판으로 사용되는 실리콘웨이퍼 상에 전기적인 회로를 형성하는 팹(Fab) 공정과, 상기 팹 공정에서 형성된 반도체 장치들의 전기적인 특성을 검사하는 EDS(electrical die sorting)공정과, 상기 반도체 장치들을 각각 에폭시 수지로 봉지하고 개별화시키기 위한 패키지 조립 공정을 통해 제조된다.
상기 팹 공정은 다양한 단위 공정들을 포함하며, 상기 단위 공정들은 반도체 기판 상에 전기적 소자를 형성하기 위해 반복적으로 수행된다. 상기 단위 공정들은 증착 공정, 포토리소그래피 공정, 식각 공정, 화학적 기계적 연마 공정, 이온 주입 공정, 세정 공정 등을 포함한다.
상기 포토리소그래피 공정은 증착 공정을 통해 반도체 기판 상에 형성된 막을 전기적 특성을 갖는 패턴으로 형성하기 위한 포토레지스트 패턴을 상기 막 상에 형성하기 위해 수행된다. 상기 포토레지스트 패턴은 상기 패턴을 형성하기 위한 식각 공정에서 마스크로써 사용된다.
상기 포토리소그래피 공정은 반도체 기판 상에 포토레지스트 막을 형성하기 위한 포토레지스트 코팅 공정과, 상기 포토레지스트 막을 경화시키기 위한 베이킹 공정과, 상기 경화된 포토레지스트 막을 포토 마스크를 사용하여 포토레지스트 패턴으로 형성하기 위한 노광 공정 및 현상 공정을 포함한다.
최근, 반도체 장치의 집적도가 높아짐에 따라 반도체 기판 상에 형성되는 패턴들의 크기가 점차 작아지고 있으며, 이에 따라 상기 포토리소그래피 공정의 해상도(resolution) 및 초점 심도(depth of focus; DOF)의 중요성이 더욱 커지고 있다.
상기 해상도 및 초점 심도는 노광 공정에 사용되는 광 빔의 파장 및 투영 렌즈(projection lens)의 수치구경(numerical aperture; NA)에 좌우된다. 현재, 노광 공정에 사용되는 광 빔의 예들은 수은 램프로부터 발생되는 436nm의 파장을 갖는 g-line 광 빔 및 365nm의 파장을 갖는 i-line 광 빔, KrF 엑시머 레이저(excimer laser)로부터 발생되는 248nm의 파장을 갖는 KrF 레이저 빔, ArF 엑시머 레이저로부터 발생되는 198nm의 파장을 갖는 ArF 레이저 빔, F2 엑시머 레이저로부터 발생되는 157nm의 파장을 갖는 F2 레이저 빔 등이 있다.
또한, 패턴의 크기가 작아짐에 따라 포토 마스크를 통과하는 광 빔의 산란 및 회절에 의해 발생하는 포토레지스트 패턴의 왜곡을 방지하기 위한 방법으로 위상 편이 마스크(phase shaft mask; PSM)를 사용하는 방법과 광학적 근접 보상(optical proximity correction; OPC) 방법이 있다.
한편, 해상도를 향상시키기 위하여 투영 렌즈의 수치구경을 증가시키면 초점 심도가 낮아지는 문제점이 발생한다. 오프 액시스 조명(off-axis illumination; OAI)은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 사용되며, 포토 마스크에 의해 회절된 광 빔의 0차와 +1차 광 빔만을 반도체 기판으로 조사함으로써 초점 심도를 향상시키는 방법이다.
오프 액시스 조명으로는 환형 조명(annular illumination), 2중극 조명(dipole illumination), 4중극 조명(quadrupole illumination) 등이 있다. 상기 오프 액시스 조명의 일 예로써, 미합중국 특허 제6,388,736호에는 4중극 조명 패턴을 제공하는 투영 리소그래피 시스템이 개시되어 있다.
도 1은 종래 기술에 따른 반도체 기판 노광 장치를 설명하기 위한 개략적인 구성도이다.
도 1을 참조하면, 노광 장치는 일반적으로 광을 발생하는 광원(light source, 10), 상기 광원(10)으로부터 방사되는 빛을 집속시키는 집광 렌즈 유닛(20), 피사체의 전면에 균일하게 광을 입사시키는 파리눈 렌즈(30), 상기 광을 선택적으로 투과시켜 오프 액시스 조명 빔을 형성하기 위한 애퍼처 플레이트(40), 상기 오프 액시스 조명 빔을 포토 마스크(60)로 유도하기 위한 조명 렌즈(50) 및 상기 포토 마스크(60)를 통과한 오프 액시스 조명 빔을 반도체 기판(90)으로 유도하기 위한 투사 렌즈(70)를 포함한다.
도 2는 도 1에 도시된 애퍼처 플레이트의 개구 형상을 설명하기 위한 도면이다.
도 2를 참조하면, 반도체 제조 공정에 통상적으로 사용되고 있는 애퍼처 플레이트(40)의 애퍼처 형상들이 예시되어 있다. 도면에서 빗금 친 부분이 빛을 차단하는 블로킹 영역이다. 예시된 애퍼처 플레이트(40)의 애퍼처 형상은 그 명칭이 차례대로 서큘러(circular)형, 쿼드러플(quadruple)형, 다이폴(dipole)형 및 고리(annual)형이다. 도시된 것 외에도 다른 형상의 애퍼처 플레이트(40)도 사용되고 있다.
오프 액시스 조명법을 사용하여 최고의 해상도 및 최적의 DOF를 얻기 위해서는 포토 마스크(60)에 레이아웃된 패턴에 따라서 적합한 형상을 가진 애퍼처 플레이트(40)가 필요하다. 즉, 포토 마스크(60)에 레이아웃된 패턴의 크기, 모양 및 간격 등에 따라서 적절한 방향 및 에너지로 빛이 입사되어야 한다. 그래야 높은 해상도와 최적의 DOF를 얻을 수 있고 원하는 형태의 패턴을 웨이퍼 상에 형성시키는 것이 가능하다.
그런데, 현재 집적 회로 제조 공정에 있어서는 하나의 디바이스를 제조하는데 패턴의 형상이 상이한 포토 마스크가 적어도 20 내지 30장이 필요하다. 반면, 애퍼처 플레이트(40)는 투영 노광 장치에 장착되어 있는 몇 개의 애퍼처만을 사용하거나, 장착되어 있는 않은 애퍼처를 가지는 애퍼처 플레이트(40)가 필요한 경우에는 해당 부품을 교체해 주어야 한다.
이와 같이 포토 마스크의 패턴에 따라서 다른 애퍼처를 갖는 애퍼처 플레이트(40)로 바꾸어 주거나 또는 교체해서 사용하는 노광 장치는 다음과 같은 문제점이 있다.
첫째, 사용할 수 있는 애퍼처의 형상이 한정되어 있다. 이미 만들어져 있는 애퍼처를 이용하기 때문에, 다양화되는 포토 마스크의 패턴에 대하여 최적의 형상을 가진 애퍼처를 사용할 수 없다. 지금 현재는 포토 마스크의 패턴에 따라 최선의 형상을 가진 애퍼처를 사용할 뿐, 언제나 최적의 형상을 가진 애퍼처를 사용할 수 없다. 따라서 종래의 방법에 의하면 다양한 패턴에 대하여 최고의 해상도와 최적의 DOF를 구현할 수가 없다.
둘째, 종래 기술에 의하면 비록 최적의 형상을 가진 애퍼처가 존재하여 이를 사용하고자 할 경우에도, 그 애퍼처를 갖는 애퍼처 플레이트(40)가 노광 장치에 장착되어 있지 않은 경우에는 장착되어 있는 기존의 애퍼처 플레이트(40)와 교체를 해주어야 한다. 애퍼처 플레이트(40)의 교체를 위해서는 해당 설비의 가동을 중단해야 한다. 설비의 가동이 중단되면 그 만큼 전체 공정 시간이 길어진다. 공정 시간이 길어지면 생산성은 그 만큼 감소하게 되는 문제가 있다.
상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 목적은 최고의 해상도와 최적의 DOF를 구현하기 위한 다양한 애퍼처를 만들 수 있는 애퍼처 플레이트를 구비하고, 상기 애퍼처 플레이트의 교체도 용이한 노광 장치를 제공하는데 있다.
상기 본 발명의 목적을 달성하기 위하여 본 발명은 포토레지스트 막이 형성된 반도체 기판 상에 제공되는 광을 생성하기 위한 광원과, 상기 광의 경로로부터 이격되어 배치되며, 다수의 애퍼처 플레이트들을 수납하는 라이브러리와, 상기 라이브러리로부터 선택되어 상기 광의 진행 방향에 대하여 각각 수직하도록 배치되며, 내부 구경을 형성하는 제1 애퍼처 플레이트 및 외부 구경을 형성하는 제2 애퍼처 플레이트를 포함하고, 상기 내부 구경 및 외부 구경의 조합에 의해 상기 광을 고리 형태의 오프 액시스 조명 빔으로 형성하기 위한 애퍼처 플레이트부와, 상기 오프 액시스 조명 빔을 소정의 마스크 패턴을 갖는 포토 마스크로 유도하기 위한 조명 렌즈 및 상기 반도체 기판 상에 상기 마스크 패턴과 대응하는 포토레지스트 패턴을 형성하기 위해 상기 포토 마스크를 통과한 상기 오프 액시스 조명 빔을 상기 반도체 기판으로 유도하기 위한 투사 렌즈를 포함하는 것을 특징으로 하는 노광 장치를 제공한다.
상기 라이브러리에 수납된 애퍼처 플레이트들은 서로 다른 다수의 내부 구경들을 갖는 다수의 제1애퍼처 플레이트들과 서로 다른 다수의 외부 구경들을 갖는 다수의 제2애퍼처 플레이트들로 구성된다.
이와 같이 구성된 본 발명에 따른 노광 장치는 상기 라이브러리에서 제1 애퍼처 플레이트 및 제2 애퍼처 플레이트의 구경을 자유롭게 선택할 수 있으므로 상기 광을 원하는 폭을 갖는 고리형 오프 액시스 조명 빔으로 형성할 수 있다.
또한 상기 본 발명의 목적을 달성하기 위하여 본 발명은 포토레지스트 막이 형성된 반도체 기판 상에 제공되는 광을 생성하기 위한 광원과, 상기 광의 경로로부터 이격되어 배치되며, 다수의 애퍼처 플레이트들을 수납하는 제1 라이브러리와, 상기 제1 라이브러리로부터 선택되어 상기 광의 진행 방향에 대하여 각각 수직하도록 배치되며, 내부 구경을 형성하는 제1 애퍼처 플레이트 및 외부 구경을 형성하는 제2 애퍼처 플레이트를 포함하고, 상기 내부 구경 및 외부 구경의 조합에 의해 상기 광을 고리 형태의 오프 액시스 조명 빔으로 형성하기 위한 제1 애퍼처 플레이트부와, 각각 상기 광의 진행 방향에 대하여 수직하며 상기 제1 애퍼처 플레이트부와 인접하도록 배치되며, 상기 광을 다수의 폴을 갖는 오프 액시스 조명 빔으로 형성하기 위한 다수의 개구들을 각각 가지고, 상기 폴의 위치와 크기를 조절하기 위해 상기 광의 중심축을 기준으로 각각 회전 가능한 다수의 애퍼처 플레이트를 포함하는 제2 애퍼쳐 플레이트부와, 상기 오프 액시스 조명 빔을 소정의 마스크 패턴을 갖는 포토 마스크로 유도하기 위한 조명 렌즈 및 상기 반도체 기판 상에 상기 마스크 패턴과 대응하는 포토레지스트 패턴을 형성하기 위해 상기 포토 마스크를 통과한 상기 오프 액시스 조명 빔을 상기 반도체 기판으로 유도하기 위한 투사 렌즈를 포함하는 것을 특징으로 하는 노광 장치를 제공한다.
상기 제1 라이브러리에 수납된 애퍼처 플레이트들은 서로 다른 다수의 내부 구경들을 갖는 다수의 제1 애퍼처 플레이트들과 서로 다른 다수의 외부 구경들을 갖는 다수의 제2 애퍼처 플레이트들로 구성된다.
상기 노광 장치는 상기 광의 경로로부터 이격되어 배치되며, 상기 제2 애퍼처 플레이트부에서 사용되는 서로 다른 형태의 개구가 형성된 다수의 애퍼처 플레이트가 수납되는 제2 라이브러리를 더 포함한다.
상기 노광 장치에서 상기 폴의 형태는 X축 다이폴(X-dipole), Y축 다이폴(Y-dipole), 쿼드러폴(quadrupole), 크로스폴(crosspole) 및 헥사폴(hexapole) 중 어느 하나이다.
또한 상기 노광 장치는 상기 제2 애퍼처 플레이트부에 포함되는 각각의 애퍼처 플레이트의 가장자리를 따라 형성되며, 상기 애퍼처 플레이트들의 회전 각도를 확인하기 위한 눈금부를 더 포함한다. 그리고 상부에 위치한 애퍼처 플레이트에 의해 하부에 위치한 애퍼처 플레이트의 눈금부가 가려지는 것을 방지하기 위해 상기 상부 애퍼처 플레이트의 크기보다 상기 하부 애퍼처 플레이트의 크기가 더 크도록 형성된다.
이와 같이 구성된 본 발명에 따른 노광 장치는 상기 제1 라이브러리로부터 여러 형태의 애퍼처 플레이트를 선택할 수 있고, 상기 선택된 각각의 애퍼처 플레이트가 회전 가능하므로 다양한 형태의 구경을 형성할 수 있다. 즉 폴의 형태를 X축 다이폴(X-dipole), Y축 다이폴(Y-dipole), 쿼드러폴(quadrupole), 크로스폴(crosspole) 및 헥사폴(hexapole) 등으로 형성할 수 있다.
또한 다수의 애퍼처 플레이트를 동시에 회전시킬 수 있으므로 X축 다이폴과 Y축 다이폴을 서로 변환할 수 있고, 쿼드러폴과 크로스폴 역시 서로 변환 가능하다.
그리고 제3 애퍼처 플레이트 및 제4 애퍼처 플레이트는 상기 제2 라이브러리로부터 구경을 자유롭게 선택할 수 있으므로 상기 광을 원하는 폭을 갖는 고리형 오프 액시스 조명 빔으로 형성할 수 있다.
따라서 상기 노광 장치는 제1 애퍼처 플레이트부를 이용하여 다양한 형태의 오프 액시스 조명 빔을 형성할 수 있고 제2 애퍼처 플레이트부를 이용하여 상기 오프 액시스 조명 빔의 폭을 조절할 수 있다. 그러므로 상기 노광 장치는 보다 더 정확하고 세밀하게 구경을 조절할 수 있게 되므로, 패턴 형성 공정의 정밀도를 향상시킬 수 있다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 노광 장치에 대해 상세히 설명한다.
도 3은 본 발명의 바람직한 일실시예에 따른 반도체 기판 노광 장치를 설명하기 위한 개략적인 구성도이다.
도 3을 참조하면, 반도체 기판(190) 상에 포토레지스트 패턴을 형성하기 위한 노광 장치(100)는 광원(110), 집광 렌즈 유닛(condenser lens unit, 120), 파리눈 렌즈 어레이(fly's eye lens array, 130), 애퍼처 플레이트부(aperture plate part, 140), 라이브러리(library, 146), 조명 렌즈(illumination lens, 150), 포토 마스크(160) 및 투사 렌즈(projection lens, 170)를 포함한다.
광원(110)에는 수은 램프(112) 및 수은 램프(112)의 둘레에 배치된 반구형 미러(114)가 포함된다. 수은 램프(112)에서는 특정한 파장의 광이 방사되는데, 집적도의 증가로 그 파장은 계속 짧아지고 있다. 수은 램프(112)로부터 발생되는 광 빔으로는 436nm의 파장을 갖는 g-line 광 빔, 365nm의 파장을 갖는 광 빔 등이 있다.
수은 램프(112)에서 사방으로 방사되는 광은 반구형 미러(114)에 의하여 일 방향으로 방사되게 된다.
도면 부호 195는 광원(110)으로부터 반도체 기판(190) 상의 선택된 부위를 연결하는 광 축(optical axis)을 의미하며, 광 축(195)은 조명 렌즈(150)의 중심 및 투사 렌즈(170)의 중심을 통과한다.
집광 렌즈 유닛(120)은 광원으로부터 방사되는 광을 집속시키며, 파리눈 렌즈 어레이(130)는 피사체의 전면에 균일한 입사가 될 수 있도록 한다.
파리눈 렌즈 어레이(130)를 통과한 광은 조명 렌즈(150)에 도달하기 전에 애퍼처 플레이트부(140)를 통과한다. 애퍼처 플레이트부(140)는 광을 통과시킬 수 있는 개구 영역과 광을 차단하는 블로킹 영역으로 나누어지는데, 애퍼처 플레이트부(140)의 개구 영역은 통상 특정한 형상으로 되어 있다. 오프 액시스 조명법에서는 개구 영역의 특정한 형상(애퍼처 플레이트부(140)의 중심 부분은 막혀 있다)을 이용함으로써 입사광의 수직 부분 즉 0차광을 제거한다. 따라서, 이러한 애퍼처 플레이트부(140)의 개구 영역을 통과하여 조명 렌즈(150) 즉 포토 마스크(160)에 입사되는 광은 수직으로 입사되지 않고 소정의 경사도를 가지고 있다.
오프 액시스 조명법에 사용되는 애퍼처 플레이트부(140)는 파리눈 렌즈 어레이(130)를 통과한 광을 투과시켜 고리형 오프 액시스 조명 빔으로 형성하기 위해 외부 구경을 형성하기 위한 제1 애퍼처 플레이트(142)와 내부 구경을 형성하기 위한 제2 애퍼처 플레이트(144)로 구성된다. 제1 애퍼처 플레이트(142)와 제2 애퍼처 플레이트(144)의 구경에 따라 상기 고리형 오프 액시스 조명 빔의 구경과 폭이 결정된다. 애퍼처 플레이트(140)는 파리눈 렌즈 어레이(130)와 조명 렌즈(150) 사이에 배치된다.
오프 액시스 조명법을 사용하여 최고의 해상도 및 최적의 DOF를 얻기 위해서는 포토 마스크(160)에 레이아웃된 패턴에 따라서 적합한 형상을 가진 애퍼처 플레이트(140)가 필요하다. 즉, 포토 마스크(160)에 레이아웃된 패턴의 크기, 모양 및 간격 등에 따라서 적절한 방향 및 에너지로 광이 입사되어야 한다. 이 경우 높은 해상도와 최적의 DOF를 얻을 수 있고 원하는 형태의 패턴을 웨이퍼 상에 형성시키는 것이 가능하다.
도 4는 도 3에 도시된 제1 애퍼처 플레이트를 설명하기 위한 개략적인 평면도이고, 도 5는 도 3에 도시된 제2 애퍼처 플레이트를 설명하기 위한 개략적인 평면도이며, 도 6은 도 3에 도시된 제1 애퍼처 플레이트와 제2 애퍼처 플레이트가 중복된 상태를 설명하기 위한 개략적인 평도면이다.
도 3 내지 도 6을 참조하면, 애퍼처 플레이트(140)는 제1 애퍼처 플레이트(142)와 제2 애퍼처 플레이트(144)로 구성된다.
제1 애퍼처 플레이트(142)와 제2 애퍼처 플레이트(144)는 각각 상기 광의 진행 방향과 수직하도록 배치된다. 즉 애퍼처 플레이트(140)는 제1 애퍼처 플레이트(142)가 상부에, 제2 애퍼처 플레이트(144)는 하부에 위치하도록 중복 배치된다. 제1 애퍼처 플레이트(142)는 중앙 부위에 원형의 개구 영역이 형성되고, 가장자리 부위에는 광을 차단하기 위한 차단 영역이 형성된다. 제1 애퍼처 플레이트(142)는 고리형 애퍼처의 외부 구경을 형성한다. 제2 애퍼처 플레이트(144)는 중앙 부위에 원형의 차단영역이 형성되고 가장자리 부위에는 개구 영역이 형성된다. 제2 애퍼처 플레이트(144)는 고리형 애퍼처의 내부 구경을 형성한다.
제1 애퍼처 플레이트(142)의 원형의 개구 영역의 지름은 제2 애퍼처 플레이트(144)의 원형의 차단 영역의 지름보다 더 크다. 따라서 제1 애퍼처 플레이트(142)와 제2 애퍼처 플레이트(144)를 서로 겹칩으로써 고리형의 애퍼처 플레이트부(140)를 형성할 수 있다.
라이브러리(146)는 애퍼처 플레이트부(140)의 일측에 구비되며, 다양한 외부 구경을 갖는 다수의 제1 애퍼처 플레이트(142)와 다양한 내부 구경을 갖는 다수의 제2 애퍼처 플레이트(144)를 포함한다. 애퍼처 플레이트부(140)는 라이브러리(146)로부터 임의의 외부 구경을 갖는 제1 애퍼처 플레이트(142)와 임의의 내부 구경을 갖는 제2 애퍼처 플레이트(144)를 선택하여 이를 조합하여 구성한다.
그러므로 라이브러리(146)에서 선택되는 제1 애퍼처 플레이트(142)와 제2 애퍼처 플레이트(144)의 구경에 따라 애퍼처 플레이트부(140)에 의해 형성되는 오프 액시스 조명 빔의 크기와 폭을 자유롭게 조절 가능하다.
애퍼처 플레이트(140)를 통과한 광은 조명 렌즈(150)에 집광이 되어, 포토 마스크(160)에 입사된다. 포토 마스크(160)에는 전사하고자 하는 패턴이 레이 아웃되어 있다. 계속해서 포토 마스크(160)를 통과한 광은 투사 렌즈(projecting lens, 170)를 통과하고, 최종적으로 웨이퍼 스테이지(180)에 놓여 있는 반도체 기판(190)상에 포커싱된다. 이러한 과정을 거침으로써 포토 마스크(160)의 패턴이 반도체 웨이퍼(190) 상에 도포되어 있는 포토레지스트에 전사된다.
도 7은 본 발명의 바람직한 다른 실시예에 따른 반도체 기판 노광 장치를 설명하기 위한 개략적인 구성도이다.
도 7을 참조하면, 반도체 기판(290) 상에 포토레지스트 패턴을 형성하기 위한 노광 장치(200)는 광원(210), 집광 렌즈 유닛(condenser lens unit, 220), 파리눈 렌즈 어레이(fly's eye lens array, 230), 제1 애퍼처 플레이트부(240), 제1 라이브러리(library, 243), 제2 애퍼처 플레이트부(245), 제2 라이브러리(248), 조명 렌즈(illumination lens, 250), 포토 마스크(260) 및 투사 렌즈(projection lens, 270)를 포함한다.
광원(210)에는 수은 램프(212) 및 수은 램프(212)의 둘레에 배치된 반구형 미러(214)가 포함된다. 수은 램프(212)에서는 특정한 파장의 광이 방사되는데, 집적도의 증가로 그 파장은 계속 짧아지고 있다. 수은 램프(212)로부터 발생되는 광 빔으로는 436nm의 파장을 갖는 g-line 광 빔, 365nm의 파장을 갖는 광 빔 등이 있다.
수은 램프(212)에서 사방으로 방사되는 광은 반구형 미러(214)에 의하여 일 방향으로 방사되게 된다.
도면 부호 295는 광원(210)으로부터 반도체 기판(290) 상의 선택된 부위를 연결하는 광 축(optical axis)을 의미하며, 광 축(295)은 조명 렌즈(250)의 중심 및 투사 렌즈(270)의 중심을 통과한다.
집광 렌즈 유닛(220)은 광원으로부터 방사되는 광을 집속시키며, 파리눈 렌즈 어레이(230)는 피사체의 전면에 균일한 입사가 될 수 있도록 한다.
파리눈 렌즈 어레이(230)를 통과한 광은 조명 렌즈(250)에 도달하기 전에 제1 애퍼처 플레이트부(240) 및 제2 애퍼처 플레이트부(245)를 통과한다. 제1 애퍼처 플레이트부(240) 및 제2 애퍼처 플레이트부(245)는 광을 통과시킬 수 있는 개구 영역과 광을 차단하는 블로킹 영역으로 나누어지는데, 제1 애퍼처 플레이트부(240) 및 제2 애퍼처 플레이트부(245)의 개구 영역은 통상 특정한 형상으로 되어 있다. 오프 액시스 조명법에서는 개구 영역의 특정한 형상(제1 애퍼처 플레이트부(240) 및 제2 애퍼처 플레이트부(245)의 중심 부분은 막혀 있다)을 이용함으로써 입사광의 수직 부분 즉 0차광을 제거한다. 따라서, 이러한 제1 애퍼처 플레이트부(240) 및 제2 애퍼처 플레이트부(245)의 개구 영역을 통과하여 조명 렌즈(250) 즉 포토 마스크(260)에 입사되는 광은 수직으로 입사되지 않고 소정의 경사도를 가지고 있다.
오프 액시스 조명법에 사용되는 제1 애퍼처 플레이트부(240) 및 제2 애퍼처 플레이트부(245)는 중앙 부분이 모두 블로킹 영역이기 때문에, 조명 렌즈(250) 즉 포토 마스크(260)에 수직으로 입사되는 광을 제거할 수 있다. 이러한 제1 애퍼처 플레이트부(240) 및 제2 애퍼처 플레이트부(245)의 형상은 통상적으로 포토마스크의 패턴에 따라 달라진다. 왜냐하면, 포토 마스크의 패턴에 따라서 최고의 해상도 및 최적의 DOF를 보여주는 어퍼쳐 형상이 존재하기 때문이다.
제1 애퍼처 플레이트부(240)는 상기 광원(210)으로부터 발생된 빔을 다양한 폴(pole)을 갖는 오프 액시스 조명 빔으로 형성하기 위해 사용된다. 제2 애퍼처 플레이트부(245)는 상기 광원(210)으로부터 발생된 빔을 고리형 오프 액시스 조명 빔으로 형성하기 위해 사용되거나 상기 상기 다양한 폴을 갖는 오프 액시스 조명 빔의 폭을 조절하기 위해 사용된다.
제1 애퍼처 플레이트부(240) 및 제2 애퍼처 플레이트부(245)는 파리눈 렌즈 어레이(230)와 조명 렌즈(250) 사이에 배치된다.
오프 액시스 조명법을 사용하여 최고의 해상도 및 최적의 DOF를 얻기 위해서는 포토 마스크(260)에 레이아웃된 패턴에 따라서 적합한 형상을 가진 애퍼처 플레이트부(240, 245)가 필요하다. 즉, 포토 마스크(260)에 레이아웃된 패턴의 크기, 모양 및 간격 등에 따라서 적절한 방향 및 에너지로 광이 입사되어야 한다. 이 경우 높은 해상도와 최적의 DOF를 얻을 수 있고 원하는 형태의 패턴을 웨이퍼 상에 형성시키는 것이 가능하다.
도 8은 도 7에 도시된 제1 애퍼처 플레이트를 설명하기 위한 개략적인 평면도이고, 도 9는 도 7에 도시된 제2 애퍼처 플레이트를 설명하기 위한 개략적인 평면도이다.
도 7, 도 8 및 도 9를 참조하면, 제1 애퍼처 플레이트부(240)는 제1 애퍼처 플레이트(241)와 제2 애퍼처 플레이트(242)로 구성된다. 제1 애퍼처 플레이트(241)와 제2 애퍼처 플레이트(242)는 각각 상기 광의 진행 방향과 수직하도록 배치된다. 즉 제1 애퍼처 플레이트부(240)는 제1 애퍼처 플레이트(241)가 상부에, 제2 애퍼처 플레이트(242)는 하부에 위치하도록 중복 배치된다. 제1 애퍼처 플레이트(241)에는 일정한 형태의 애퍼처가 형성되고, 제1 애퍼처 플레이트(241)는 상기 광의 진행 방향과 평행한 중심축, 즉 상기 광 축(295)을 기준으로 회전 가능하다. 제2 애퍼처 플레이트(242)에는 제1 애펴쳐 플레이트(241)에 형성된 어퍼쳐와 동일한 형태 또는 다른 형태 어펴쳐가 형성된다. 또한 제2 애퍼처 플레이트(242)는 상기 광 축(295)을 기준으로 회전 가능하다. 제1 애퍼처 플레이트부(240)는 제1 애퍼처 플레이트(241) 및 제2 애퍼처 플레이트(242)의 회전에 의해 애퍼처의 형상이 달라진다.
제1 애퍼처 플레이트(241)는 도 8에 도시된 바와 같이 원반 형태로 상하를 관통하여 다이폴(dipole) 형태의 애퍼처가 형성된다. 상기 다이폴 형태의 애퍼처는 사등분된 고리 형태의 애퍼처가 제1 애퍼처 플레이트(241)의 중심을 기준으로 서로 대칭되도록 2개 형성된다. 제1 애퍼처 플레이트(241)의 가장자리에는 회전 각도를 확인하기 위한 제1 눈금부(241a)가 형성되어 있다. 상기 제1 눈금부(241a)는 다양한 간격으로 형성될 수 있으나 30도 간격으로 형성되는 것이 바람직하다.
제2 애퍼처 플레이트(242)는 도 9에 도시된 바와 같이 원반 형태로 상하를 관통하여 부채꼴 형태의 애퍼처가 형성된다. 상기 부채꼴 형태의 애퍼처는 삼등분된 부채꼴 형태의 애퍼처가 제2 애퍼처 플레이트(242)의 중심을 기준으로 서로 대칭되도록 2개 형성된다. 제2 애퍼처 플레이트(242)의 가장자리에도 회전 각도를 확인하기 위한 제2 눈금부(242a)가 형성되어 있다. 상기 제2 눈금부(242a)는 다양한 간격으로 형성될 수 있으나 30도 간격으로 형성되는 것이 바람직하다.
제2 애퍼처 플레이트(242)의 지름은 제1 애퍼처 플레이트(241)의 지름보다 크게 형성된다. 그 이유는 제1 애퍼처 플레이트(241)의 크기와 제2 애퍼처 플레이트(242)의 크기가 동일할 경우 제1 애퍼처 플레이트(241)와 제2 애퍼처 플레이트(242)의 겹침으로 인해 제2 애퍼처 플레이트(242)의 제2 눈금부(242a)가 제1 애퍼처 플레이트(241)에 의해 가려져 확인이 어렵기 때문이다. 따라서 제2 애퍼처 플레이트(242)의 지름을 제1 애퍼처 플레이트(241)의 지름보다 크게 형성하여 제2 눈금부(242a)를 용이하게 확인한다.
도 10은 도 7에 도시된 제1 애퍼처 플레이트와 제2 애퍼처 플레이트가 중복된 상태를 설명하기 위한 개략적인 평도면이다.
도 10을 참조하면, 제1 애퍼처 플레이트부(240)는 도 8에 도시된 제1 애퍼처 플레이트(241)와 도 9에 도시된 제2 애퍼처 플레이트(242)를 그대로 겹친 형태이다. 이 경우 제1 애퍼처 플레이트부(240)의 애퍼처 형상은 제1 애퍼처 플레이트(241)의 애퍼처 형상과 동일하다. 도 10에 도시된 애퍼처의 형상은 X축 다이폴 형태이다. 이 상태에서 제1 애퍼처 플레이트(241)와 제2 애퍼처 플레이트(242)를 동시에 시계 방향이나 반시계 방향으로 90도 만큼 회전하면 애퍼처 플레이트부(240)의 애퍼처 형상을 X축 다이폴 형태에서 Y축 다이폴 형태로 변형할 수 있다.
제1 라이브러리(243)는 제1 애퍼처 플레이트(140)의 일측에 구비된다. 제1 라이브러리(243)에는 다양한 형태의 애퍼처를 갖는 애퍼처 플레이트들이 보관된다. 포토 마스크(260)에 레이아웃된 패턴에 따라 제1 애퍼처 플레이트부(240)가 적합한 애퍼처 형상을 가지도록 제1 라이브러리(243)로부터 제1 애퍼처 플레이트(241) 및 제2 애퍼처 플레이트(242)가 선택된다.
도 11은 도 7에 도시된 제3 애퍼처 플레이트를 설명하기 위한 개략적인 평면도이고, 도 12는 도 7에 도시된 제4 애퍼처 플레이트를 설명하기 위한 개략적인 평면도이며, 도 13은 도 7에 도시된 제3 애퍼처 플레이트와 제4 애퍼처 플레이트가 중복된 상태를 설명하기 위한 개략적인 평도면이다.
도 11, 도 12 및 도 13를 참조하면, 제2 애퍼처 플레이트부(245)는 제3 애퍼처 플레이트(246)와 제4 애퍼처 플레이트(247)로 구성된다. 제2 애퍼처 플레이트부(245)는 제1 애퍼처 플레이트부(240)의 하부에 인접하도록 구비된다.
제3 애퍼처 플레이트(246)와 제4 애퍼처 플레이트(247)는 각각 상기 광의 진행 방향과 수직하도록 배치된다. 즉 제2 애퍼처 플레이트(245)는 제2 애퍼처 플레이트(246)가 상부에, 제4 애퍼처 플레이트(247)는 하부에 위치하도록 중복 배치된다.
제3 애퍼처 플레이트(246)는 중앙 부위에 원형의 개구 영역이 형성되고, 가장자리 부위에는 광을 차단하기 위한 차단 영역이 형성된다. 제3 애퍼처 플레이트(246)는 고리형 애퍼처의 외부 구경을 형성한다. 제4 애퍼처 플레이트(247)는 중앙 부위에 원형의 차단영역이 형성되고 가장자리 부위에는 개구 영역이 형성된다. 제4 애퍼처 플레이트(247)는 고리형 애퍼처의 내부 구경을 형성한다.
제3 애퍼처 플레이트(246)의 원형의 개구 영역의 지름은 제4 애퍼처 플레이트(247)의 원형의 차단 영역의 지름보다 더 크다. 따라서 제3 애퍼처 플레이트(246)와 제4 애퍼처 플레이트(247)를 서로 겹칩으로써 도 13과 같이 고리형의 제2 애퍼처 플레이트부(245)를 형성할 수 있다.
제2 애퍼처 플레이트부(245)가 고리 형태를 이루므로 제1 애퍼처 플레이트부(240)를 통과한 폴 형태의 오프 액시스 조명 빔의 일부를 차단하여 상기 오프 액시스 조명 빔의 폭을 조절한다.
제2 라이브러리(248)는 제2 애퍼처 플레이트부(245)의 일측에 구비되며, 다양한 외부 구경을 갖는 다수의 제3 애퍼처 플레이트(246)와 다양한 내부 구경을 갖는 다수의 제4 애퍼처 플레이트(247)를 포함한다. 제2 애퍼처 플레이트부(245)는 제2 라이브러리(248)로부터 포토 마스크(260)에 레이아웃된 패턴에 따라서 적합한 형상을 가진 애퍼처를 형성할 수 있는 외부 구경을 갖는 제3 애퍼처 플레이트(246)및 내부 구경을 갖는 제4 애퍼처 플레이트(247)를 선택하여 이를 조합하여 구성한다.
그러므로 제2 라이브러리(248)에서 선택되는 제3 애퍼처 플레이트(246)와 제4 애퍼처 플레이트(247)의 구경에 따라 제1 애퍼처 플레이트부(240)에 의해 형성되는 오프 액시스 조명 빔의 크기와 폭을 자유롭게 조절 가능하다.
상기 도 7에서는 제1 애퍼처 플레이트부(240)가 제2 애퍼처 플레이트부(245)의 상부에 위치하는 것으로 도시되었지만, 경우에 따라서는 제2 애퍼처 플레이트부(245)가 제1 애퍼처 플레이트부(240)의 상부에 배치될 수도 있다.
또한 제1 애퍼처 플레이트부(240)와 제2 애퍼처 플레이트부(245)는 동시에 구비되어 애퍼처를 형성할 수 있지만, 경우에 따라서는 제1 애퍼처 플레이트부(240)만 구비되거나 혹은 제2 애퍼처 플레이트부(245)만 구비되어 애퍼처를 형성할 수도 있다.
도 14 내지 도 16은 도 7에 도시된 애퍼처 형상을 설명하기 위한 개략적인 평면도이다.
도 14에 도시된 애퍼처 플레이트부(240, 245)들은 도 10에 도시된 제1 애퍼처 플레이트부(240)와 도 13에 도시된 제2 애퍼처 플레이트부(245)를 그대로 겹친 형태이다. 다시 말해 제1, 제2, 제3 및 제4 애퍼처 플레이트(241, 242, 246, 247)를 순서대로 겹친 형태이다. 이 경우 전체적인 애퍼처의 형상은 제1 애퍼처 플레이트(241)의 애퍼처 형상에서 제3 애퍼처 플레이트(246)에 의해 상기 애퍼처의 외주연 부위가 차단되고, 제4 애퍼처 플레이트(247)에 의해 상기 애퍼처의 내주연 부위가 차단되어 상기 애퍼처의 폭이 좁아진 형태이다.
도 14에 도시된 애퍼처의 형상은 X축 다이폴 형태이다. 이 상태에서 제1 애퍼처 플레이트(241)와 제2 애퍼처 플레이트(242)를 동시에 시계 방향이나 반시계 방향으로 90도 만큼 회전하면 전체적인 애퍼처 형상을 X축 다이폴 형태에서 Y축 다이폴 형태로 변형할 수 있다.
여기서 제3 애퍼처 플레이트(246) 및 제4 애퍼처 플레이트(247)는 회전되지 않으므로 이후 제1 애퍼처 플레이트(241) 및 제2 애퍼처 플레이트(242)의 회전 동작과는 무관하다. 만약 제3 애퍼처 플레이트(246) 및 제4 애퍼처 플레이트(247)가 회전된다하더라도 회전에 따라 애퍼처의 형상이 변화되지 않으므로 역시 제1 애퍼처 플레이트(241) 및 제2 애퍼처 플레이트(242)의 회전 동작과는 무관하다.
도 15에 도시된 애퍼처 플레이트부(240, 245)들은 도 14에 도시된 제1 애퍼처 플레이트부(240)에서 제1 애퍼처 플레이트(241)는 반시계 방향으로 22.5도 만큼 회전시키고, 제2 애퍼처 플레이트(242)는 시계 방향으로 37.5도 만큼 회전시킨 상태이다. 이 경우 전체적인 애퍼처 형상은 X축 다이폴 형태이다. 하지만 도 15에 도시된 전체적인 애퍼처 형상은 도 14에 도시된 애퍼처 형상보다 크기가 작다. 이 상태에서 제1 애퍼처 플레이트(241)와 제2 애퍼처 플레이트(242)를 동시에 시계 방향이나 반시계 방향으로 90도 만큼 회전하면 애퍼처 플레이트부(240)의 애퍼처 형상을 X축 다이폴 형태에서 Y축 다이폴 형태로 변형할 수 있다.
도 16에 도시된 애퍼처 플레이트부(240, 245)들은 도 14에 도시된 제1 애퍼처 플레이트부(240)에서 제1 애퍼처 플레이트(241)는 회전시키지 않고 고정하고, 제2 애퍼처 플레이트(242)는 시계 방향 또는 반시계 방향으로 90도 만큼 회전시킨 상태이다. 이 경우 애퍼처 플레이트부(240)의 애퍼처 형상은 쿼드러폴 형태이다. 이 상태에서 제1 애퍼처 플레이트(241)와 제2 애퍼처 플레이트(242)를 동시에 시계 방향이나 반시계 방향으로 90도 만큼 회전하면 애퍼처 플레이트부(240)의 애퍼처 형상을 쿼드러폴 형태에서 크로스폴 형태로 변형할 수 있다.
따라서 포토마스크(260)에 레이아웃된 패턴에 따라서 적합한 애퍼처 형상을 형성할 수 있으므로 높은 해상도와 최적의 DOF를 얻을 수 있고, 또한 원하는 형태의 패턴을 반도체 기판(290) 상에 형성시키는 것이 가능하다.
상기 도면에서는 애퍼처 플레이트부(240)를 이용하여 다이폴 또는 쿼드러폴 형태의 애퍼처를 형성하는 것으로 도시되었지만, 제1 라이브러리(243)에서 선택되어지는 제1 애퍼처 플레이트(241)의 애퍼처 형상이나 제2 애퍼처 플레이트(242)의 형상에 따라서는 핵사폴 형태의 애퍼처를 형성할 수도 있다.
애퍼처 플레이트부(240, 245)들을 통과한 광은 조명 렌즈(250)에 집광이 되어, 포토 마스크(260)에 입사된다. 포토 마스크(260)에는 전사하고자 하는 패턴이 레이 아웃되어 있다. 계속해서 포토 마스크(260)를 통과한 광은 투사 렌즈(projecting lens, 270)를 통과하고, 최종적으로 웨이퍼 스테이지(280)에 놓여 있는 반도체 기판(290)상에 포커싱된다. 이러한 과정을 거침으로써 포토 마스크(260)의 패턴이 반도체 웨이퍼(290) 상에 도포되어 있는 포토레지스트에 전사된다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 노광 장치는 다수의 애퍼처 플레이트를 겹치도록 배치하고 각각의 애퍼처 플레이트를 회전시켜 다양한 애퍼처 형상을 구현한다. 또한 상기 노광 장치는 외부 구경을 형성하는 애퍼처 플레이트와 내부 구경을 형성하는 애퍼처 플레이트를 겹치도록 배치하여 구경의 조절이 가능하도록 하고, 상기 구경의 조절을 통해 상기 애퍼처 형상의 폭을 조절할 수 있다. 따라서 포토 마스크의 레이아웃된 패턴에 적합한 애퍼처 형상을 보다 정확하고 세밀하게 구현할 수 있으므로 높은 해상도와 최적의 DOF를 얻을 수 있다.
또한 애퍼처 플레이트의 회전을 통해 애퍼처 형상을 변환이 가능하므로 애퍼처 플레이트의 교체 횟수를 줄일 수 있고, 상기 애퍼처 플레이트를 교체하더라도 상기 노광 장치내의 라이브러리에서 선택하여 교체하므로 상기 애퍼처 플레이트의 교체에 따른 시간을 줄일 수 있다. 그러므로 반도체 장치 제조 공정의 생산성을 향상시킬 수 있다.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
도 1은 종래 기술에 따른 반도체 기판 노광 장치를 설명하기 위한 개략적인 구성도이다.
도 2는 도 1에 도시된 애퍼처의 형상을 설명하기 위한 도면이다.
도 3은 본 발명의 바람직한 일실시예에 따른 반도체 기판 노광 장치를 설명하기 위한 개략적인 구성도이다.
도 4는 도 3에 도시된 제1 애퍼처 플레이트를 설명하기 위한 개략적인 평면도이다.
도 5는 도 3에 도시된 제2 애퍼처 플레이트를 설명하기 위한 개략적인 평면도이다.
도 6은 도 3에 도시된 제1 애퍼처 플레이트와 제2 애퍼처 플레이트가 중복된 상태를 설명하기 위한 개략적인 평도면이다.
도 7은 본 발명의 바람직한 다른 실시예에 따른 반도체 기판 노광 장치를 설명하기 위한 개략적인 구성도이다.
도 8은 도 7에 도시된 제1 애퍼처 플레이트를 설명하기 위한 개략적인 평면도이다.
도 9는 도 7에 도시된 제2 애퍼처 플레이트를 설명하기 위한 개략적인 평면도이다.
도 10은 도 7에 도시된 제1 애퍼처 플레이트와 제2 애퍼처 플레이트가 중복된 상태를 설명하기 위한 개략적인 평도면이다.
도 11은 도 7에 도시된 제3 애퍼처 플레이트를 설명하기 위한 개략적인 평면도이다.
도 12는 도 7에 도시된 제4 애퍼처 플레이트를 설명하기 위한 개략적인 평면도이다.
도 13은 도 7에 도시된 제3 애퍼처 플레이트와 제4 애퍼처 플레이트가 중복된 상태를 설명하기 위한 개략적인 평도면이다.
도 14 내지 도 16은 도 7에 도시된 애퍼처 형상을 설명하기 위한 개략적인 평면도이다.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *
110, 210 : 광원 112, 212 : 수은 램프
114, 214 : 반구형 미러 120, 220 : 집광렌즈 유닛
130, 230 : 플라이아이즈 렌즈 어레이 140 : 애퍼처 플레이트부
142 : 제1 애퍼처 플레이트 144 : 제2 애퍼처 플레이트
146 : 라이브러리 240 : 제1 애퍼처 플레이트부
241 : 제1 애퍼처 플레이트 241a : 제1 눈금부
242 : 제2 애퍼처 플레이트 242a : 제2 눈금부
243 : 제1 라이브러리 245 : 제2 애퍼처 플레이트부
246 : 제3 애퍼처 플레이트 247 : 제4 애퍼처 플레이트
248 : 제2 라이브러리 150, 250 : 조명 렌즈
160, 260 : 포토 마스크 170, 270 : 투사 렌즈
180, 280 : 스테이지 190, 290 : 반도체 기판
195, 295 : 광축

Claims (8)

  1. 포토레지스트 막이 형성된 반도체 기판 상에 제공되는 광을 생성하기 위한 광원;
    상기 광의 경로로부터 이격되어 배치되며, 다수의 애퍼처 플레이트들을 수납하는 라이브러리;
    상기 라이브러리로부터 선택되어 상기 광의 진행 방향에 대하여 각각 수직하도록 배치되며, 내부 구경을 형성하는 제1 애퍼처 플레이트 및 외부 구경을 형성하는 제2 애퍼처 플레이트를 포함하고, 상기 내부 구경 및 외부 구경의 조합에 의해 상기 광을 고리 형태의 오프 액시스 조명 빔으로 형성하기 위한 애퍼처 플레이트부;
    상기 오프 액시스 조명 빔을 소정의 마스크 패턴을 갖는 포토 마스크로 유도하기 위한 조명 렌즈; 및
    상기 반도체 기판 상에 상기 마스크 패턴과 대응하는 포토레지스트 패턴을 형성하기 위해 상기 포토 마스크를 통과한 상기 오프 액시스 조명 빔을 상기 반도체 기판으로 유도하기 위한 투사 렌즈를 포함하는 것을 특징으로 하는 노광 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 라이브러리에 수납된 애퍼처 플레이트들은 서로 다른 다수의 내부 구경들을 갖는 다수의 제1애퍼처 플레이트들과 서로 다른 다수의 외부 구경들을 갖는 다수의 제2애퍼처 플레이트들로 구성되는 것을 특징으로 하는 노광 장치.
  3. 포토레지스트 막이 형성된 반도체 기판 상에 제공되는 광을 생성하기 위한 광원;
    상기 광의 경로로부터 이격되어 배치되며, 다수의 애퍼처 플레이트들을 수납하는 제1 라이브러리;
    상기 제1 라이브러리로부터 선택되어 상기 광의 진행 방향에 대하여 각각 수직하도록 배치되며, 내부 구경을 형성하는 제1 애퍼처 플레이트 및 외부 구경을 형성하는 제2 애퍼처 플레이트를 포함하고, 상기 내부 구경 및 외부 구경의 조합에 의해 상기 광을 고리 형태의 오프 액시스 조명 빔으로 형성하기 위한 제1 애퍼처 플레이트부;
    각각 상기 광의 진행 방향에 대하여 수직하며 상기 제1 애퍼처 플레이트부와 인접하도록 배치되며, 상기 광을 다수의 폴을 갖는 오프 액시스 조명 빔으로 형성하기 위한 다수의 개구들을 각각 가지고, 상기 폴의 위치와 크기를 조절하기 위해 상기 광의 중심축을 기준으로 각각 회전 가능한 다수의 애퍼처 플레이트를 포함하는 제2 애퍼쳐 플레이트부;
    상기 오프 액시스 조명 빔을 소정의 마스크 패턴을 갖는 포토 마스크로 유도하기 위한 조명 렌즈; 및
    상기 반도체 기판 상에 상기 마스크 패턴과 대응하는 포토레지스트 패턴을 형성하기 위해 상기 포토 마스크를 통과한 상기 오프 액시스 조명 빔을 상기 반도체 기판으로 유도하기 위한 투사 렌즈를 포함하는 것을 특징으로 하는 노광 장치.
  4. 제3항에 있어서, 상기 제1 라이브러리에 수납된 애퍼처 플레이트들은 서로 다른 다수의 내부 구경들을 갖는 다수의 제1 애퍼처 플레이트들과 서로 다른 다수의 외부 구경들을 갖는 다수의 제2 애퍼처 플레이트들로 구성되는 것을 특징으로 하는 노광 장치.
  5. 제3항에 있어서, 상기 광의 경로로부터 이격되어 배치되며, 상기 제2 애퍼처 플레이트부에서 사용되는 서로 다른 형태의 개구가 형성된 다수의 애퍼처 플레이트가 수납되는 제2 라이브러리를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 노광 장치.
  6. 제3항에 있어서, 상기 폴의 형태는 X축 다이폴(X-dipole), Y축 다이폴(Y-dipole), 쿼드러폴(quadrupole), 크로스폴(crosspole) 및 헥사폴(hexapole) 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 노광 장치.
  7. 제3항에 있어서, 상기 제2 애퍼처 플레이트부에 포함되는 각각의 애퍼처 플레이트의 가장자리를 따라 형성되며, 상기 애퍼처 플레이트들의 회전 각도를 확인하기 위한 눈금부를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 노광 장치.
  8. 제7항에 있어서, 상부에 위치한 애퍼처 플레이트에 의해 하부에 위치한 애퍼처 플레이트의 눈금부가 가려지는 것을 방지하기 위해 상기 상부 애퍼처 플레이트의 크기보다 상기 하부 애퍼처 플레이트의 크기가 더 크도록 형성되는 것을 특징으로 하는 노광 장치.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR100702792B1 (ko) * 2005-12-02 2007-04-03 동부일렉트로닉스 주식회사 반도체 제조용 노광 장치

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