KR100849126B1 - 불소 함유 환상 화합물, 불소 함유 고분자 화합물, 이를이용한 레지스트 재료 및 패턴 형성 방법 - Google Patents
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- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 127
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 title claims abstract description 96
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 88
- 150000001923 cyclic compounds Chemical class 0.000 title claims abstract description 31
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 title claims description 115
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 title claims description 70
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims description 52
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 35
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 claims abstract description 43
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 claims abstract description 32
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 29
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 claims abstract description 25
- 125000006165 cyclic alkyl group Chemical group 0.000 claims abstract description 24
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims abstract description 20
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 claims abstract description 20
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 claims abstract description 20
- 125000004434 sulfur atom Chemical group 0.000 claims abstract description 19
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 claims abstract description 16
- 239000011203 carbon fibre reinforced carbon Chemical group 0.000 claims abstract description 8
- 125000003342 alkenyl group Chemical group 0.000 claims abstract description 6
- 125000000304 alkynyl group Chemical group 0.000 claims abstract description 6
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 26
- 239000000178 monomer Substances 0.000 claims description 23
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 15
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 claims description 11
- 125000006239 protecting group Chemical group 0.000 claims description 10
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 125000004036 acetal group Chemical group 0.000 claims description 7
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 125000002252 acyl group Chemical group 0.000 claims description 6
- 125000004453 alkoxycarbonyl group Chemical group 0.000 claims description 6
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 6
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 claims description 6
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 claims description 5
- 125000002915 carbonyl group Chemical group [*:2]C([*:1])=O 0.000 claims description 5
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 claims description 5
- 125000001570 methylene group Chemical group [H]C([H])([*:1])[*:2] 0.000 claims description 5
- 125000002947 alkylene group Chemical group 0.000 claims description 4
- 238000007334 copolymerization reaction Methods 0.000 claims description 4
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims description 4
- 125000003808 silyl group Chemical group [H][Si]([H])([H])[*] 0.000 claims description 4
- NAWXUBYGYWOOIX-SFHVURJKSA-N (2s)-2-[[4-[2-(2,4-diaminoquinazolin-6-yl)ethyl]benzoyl]amino]-4-methylidenepentanedioic acid Chemical compound C1=CC2=NC(N)=NC(N)=C2C=C1CCC1=CC=C(C(=O)N[C@@H](CC(=C)C(O)=O)C(O)=O)C=C1 NAWXUBYGYWOOIX-SFHVURJKSA-N 0.000 claims description 3
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims description 3
- 125000000623 heterocyclic group Chemical group 0.000 claims description 2
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 abstract description 2
- -1 silicon oxide Chemical class 0.000 description 71
- 239000010408 film Substances 0.000 description 35
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 33
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 24
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 22
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 22
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 22
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 22
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 22
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 21
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 21
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 19
- BYEAHWXPCBROCE-UHFFFAOYSA-N 1,1,1,3,3,3-hexafluoropropan-2-ol Chemical group FC(F)(F)C(O)C(F)(F)F BYEAHWXPCBROCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N N-Heptane Chemical compound CCCCCCC IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 17
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- OZAIFHULBGXAKX-UHFFFAOYSA-N 2-(2-cyanopropan-2-yldiazenyl)-2-methylpropanenitrile Chemical compound N#CC(C)(C)N=NC(C)(C)C#N OZAIFHULBGXAKX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 125000003367 polycyclic group Chemical group 0.000 description 12
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 12
- 235000010210 aluminium Nutrition 0.000 description 11
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 11
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 11
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 10
- 238000000655 nuclear magnetic resonance spectrum Methods 0.000 description 10
- 238000010992 reflux Methods 0.000 description 10
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 9
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 8
- MUJIDPITZJWBSW-UHFFFAOYSA-N palladium(2+) Chemical compound [Pd+2] MUJIDPITZJWBSW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 8
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 7
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 7
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 7
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 7
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 7
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 6
- 229940125782 compound 2 Drugs 0.000 description 6
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 6
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 6
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000005160 1H NMR spectroscopy Methods 0.000 description 5
- DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N Butyl acetate Natural products CCCCOC(C)=O DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 0 CC(C)C(C**(C)C1C(*(C)C)C(C2)CC1C2C(CC(C(F)(F)F)(C(F)(F)F)O)O)(C(F)(F)F)C(OC(C)(C)C)=O Chemical compound CC(C)C(C**(C)C1C(*(C)C)C(C2)CC1C2C(CC(C(F)(F)F)(C(F)(F)F)O)O)(C(F)(F)F)C(OC(C)(C)C)=O 0.000 description 5
- 238000005481 NMR spectroscopy Methods 0.000 description 5
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 description 5
- 125000005234 alkyl aluminium group Chemical group 0.000 description 5
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 5
- 229940126214 compound 3 Drugs 0.000 description 5
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 5
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 5
- 238000004817 gas chromatography Methods 0.000 description 5
- SYSQUGFVNFXIIT-UHFFFAOYSA-N n-[4-(1,3-benzoxazol-2-yl)phenyl]-4-nitrobenzenesulfonamide Chemical class C1=CC([N+](=O)[O-])=CC=C1S(=O)(=O)NC1=CC=C(C=2OC3=CC=CC=C3N=2)C=C1 SYSQUGFVNFXIIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 125000003518 norbornenyl group Chemical group C12(C=CC(CC1)C2)* 0.000 description 5
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 5
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 5
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 5
- QFLWZFQWSBQYPS-AWRAUJHKSA-N (3S)-3-[[(2S)-2-[[(2S)-2-[5-[(3aS,6aR)-2-oxo-1,3,3a,4,6,6a-hexahydrothieno[3,4-d]imidazol-4-yl]pentanoylamino]-3-methylbutanoyl]amino]-3-(4-hydroxyphenyl)propanoyl]amino]-4-[1-bis(4-chlorophenoxy)phosphorylbutylamino]-4-oxobutanoic acid Chemical compound CCCC(NC(=O)[C@H](CC(O)=O)NC(=O)[C@H](Cc1ccc(O)cc1)NC(=O)[C@@H](NC(=O)CCCCC1SC[C@@H]2NC(=O)N[C@H]12)C(C)C)P(=O)(Oc1ccc(Cl)cc1)Oc1ccc(Cl)cc1 QFLWZFQWSBQYPS-AWRAUJHKSA-N 0.000 description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- UIIMBOGNXHQVGW-UHFFFAOYSA-M Sodium bicarbonate Chemical class [Na+].OC([O-])=O UIIMBOGNXHQVGW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 239000000872 buffer Substances 0.000 description 4
- MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N chlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=CC=C1 MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229940125898 compound 5 Drugs 0.000 description 4
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 4
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 4
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 4
- 239000007870 radical polymerization initiator Substances 0.000 description 4
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 4
- HPALAKNZSZLMCH-UHFFFAOYSA-M sodium;chloride;hydrate Chemical class O.[Na+].[Cl-] HPALAKNZSZLMCH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- VZGDMQKNWNREIO-UHFFFAOYSA-N tetrachloromethane Chemical compound ClC(Cl)(Cl)Cl VZGDMQKNWNREIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 125000002023 trifluoromethyl group Chemical group FC(F)(F)* 0.000 description 4
- AATKCDPVYREEEG-UHFFFAOYSA-N (2-methyl-1-adamantyl) 2-methylprop-2-enoate Chemical compound C1C(C2)CC3CC1C(C)C2(OC(=O)C(C)=C)C3 AATKCDPVYREEEG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 3
- XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N Cyclohexane Chemical compound C1CCCCC1 XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZAFNJMIOTHYJRJ-UHFFFAOYSA-N Diisopropyl ether Chemical compound CC(C)OC(C)C ZAFNJMIOTHYJRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N Propylene glycol Chemical compound CC(O)CO DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QYKIQEUNHZKYBP-UHFFFAOYSA-N Vinyl ether Chemical compound C=COC=C QYKIQEUNHZKYBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 3
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000004292 cyclic ethers Chemical class 0.000 description 3
- MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol Chemical compound OCCOCCO MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- WNAHIZMDSQCWRP-UHFFFAOYSA-N dodecane-1-thiol Chemical compound CCCCCCCCCCCCS WNAHIZMDSQCWRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000706 filtrate Substances 0.000 description 3
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 3
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 3
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 3
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 3
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 3
- CPOFMOWDMVWCLF-UHFFFAOYSA-N methyl(oxo)alumane Chemical compound C[Al]=O CPOFMOWDMVWCLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 3
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 3
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 3
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 3
- 238000010526 radical polymerization reaction Methods 0.000 description 3
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 3
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 3
- SNICXCGAKADSCV-JTQLQIEISA-N (-)-Nicotine Chemical compound CN1CCC[C@H]1C1=CC=CN=C1 SNICXCGAKADSCV-JTQLQIEISA-N 0.000 description 2
- SZUVGFMDDVSKSI-WIFOCOSTSA-N (1s,2s,3s,5r)-1-(carboxymethyl)-3,5-bis[(4-phenoxyphenyl)methyl-propylcarbamoyl]cyclopentane-1,2-dicarboxylic acid Chemical compound O=C([C@@H]1[C@@H]([C@](CC(O)=O)([C@H](C(=O)N(CCC)CC=2C=CC(OC=3C=CC=CC=3)=CC=2)C1)C(O)=O)C(O)=O)N(CCC)CC(C=C1)=CC=C1OC1=CC=CC=C1 SZUVGFMDDVSKSI-WIFOCOSTSA-N 0.000 description 2
- LLWOTXGDASOOFF-UHFFFAOYSA-N (2-ethyl-1-adamantyl) 2-methylprop-2-enoate Chemical compound C1C(C2)CC3CC1C(CC)C2(OC(=O)C(C)=C)C3 LLWOTXGDASOOFF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WSLDOOZREJYCGB-UHFFFAOYSA-N 1,2-Dichloroethane Chemical compound ClCCCl WSLDOOZREJYCGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OCJBOOLMMGQPQU-UHFFFAOYSA-N 1,4-dichlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=C(Cl)C=C1 OCJBOOLMMGQPQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NIMLCWCLVJRPFY-UHFFFAOYSA-N 1-(5-bicyclo[2.2.1]hept-2-enyl)ethanone Chemical compound C1C2C(C(=O)C)CC1C=C2 NIMLCWCLVJRPFY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UNILWMWFPHPYOR-KXEYIPSPSA-M 1-[6-[2-[3-[3-[3-[2-[2-[3-[[2-[2-[[(2r)-1-[[2-[[(2r)-1-[3-[2-[2-[3-[[2-(2-amino-2-oxoethoxy)acetyl]amino]propoxy]ethoxy]ethoxy]propylamino]-3-hydroxy-1-oxopropan-2-yl]amino]-2-oxoethyl]amino]-3-[(2r)-2,3-di(hexadecanoyloxy)propyl]sulfanyl-1-oxopropan-2-yl Chemical compound O=C1C(SCCC(=O)NCCCOCCOCCOCCCNC(=O)COCC(=O)N[C@@H](CSC[C@@H](COC(=O)CCCCCCCCCCCCCCC)OC(=O)CCCCCCCCCCCCCCC)C(=O)NCC(=O)N[C@H](CO)C(=O)NCCCOCCOCCOCCCNC(=O)COCC(N)=O)CC(=O)N1CCNC(=O)CCCCCN\1C2=CC=C(S([O-])(=O)=O)C=C2CC/1=C/C=C/C=C/C1=[N+](CC)C2=CC=C(S([O-])(=O)=O)C=C2C1 UNILWMWFPHPYOR-KXEYIPSPSA-M 0.000 description 2
- YQTCQNIPQMJNTI-UHFFFAOYSA-N 2,2-dimethylpropan-1-one Chemical group CC(C)(C)[C]=O YQTCQNIPQMJNTI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CMAOLVNGLTWICC-UHFFFAOYSA-N 2-fluoro-5-methylbenzonitrile Chemical compound CC1=CC=C(F)C(C#N)=C1 CMAOLVNGLTWICC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LQIIEHBULBHJKX-UHFFFAOYSA-N 2-methylpropylalumane Chemical compound CC(C)C[AlH2] LQIIEHBULBHJKX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NMVXHZSPDTXJSJ-UHFFFAOYSA-L 2-methylpropylaluminum(2+);dichloride Chemical compound CC(C)C[Al](Cl)Cl NMVXHZSPDTXJSJ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 125000003903 2-propenyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])=C([H])[H] 0.000 description 2
- FFWSICBKRCICMR-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-2-hexanone Chemical compound CC(C)CCC(C)=O FFWSICBKRCICMR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XJUZRXYOEPSWMB-UHFFFAOYSA-N Chloromethyl methyl ether Chemical compound COCCl XJUZRXYOEPSWMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AFVFQIVMOAPDHO-UHFFFAOYSA-N Methanesulfonic acid Chemical compound CS(O)(=O)=O AFVFQIVMOAPDHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEQPNABPJHWNSG-UHFFFAOYSA-N Nickel(2+) Chemical compound [Ni+2] VEQPNABPJHWNSG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Natural products C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RAHZWNYVWXNFOC-UHFFFAOYSA-N Sulphur dioxide Chemical compound O=S=O RAHZWNYVWXNFOC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical group C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000002777 acetyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)=O 0.000 description 2
- 125000005595 acetylacetonate group Chemical group 0.000 description 2
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 2
- 125000005396 acrylic acid ester group Chemical group 0.000 description 2
- 125000003647 acryloyl group Chemical group O=C([*])C([H])=C([H])[H] 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 2
- 150000001336 alkenes Chemical class 0.000 description 2
- 238000010539 anionic addition polymerization reaction Methods 0.000 description 2
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 2
- 125000003236 benzoyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C(*)=O 0.000 description 2
- HQMRIBYCTLBDAK-UHFFFAOYSA-M bis(2-methylpropyl)alumanylium;chloride Chemical compound CC(C)C[Al](Cl)CC(C)C HQMRIBYCTLBDAK-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- YNHIGQDRGKUECZ-UHFFFAOYSA-L bis(triphenylphosphine)palladium(ii) dichloride Chemical compound [Cl-].[Cl-].[Pd+2].C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 YNHIGQDRGKUECZ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 125000006226 butoxyethyl group Chemical group 0.000 description 2
- SHOVVTSKTTYFGP-UHFFFAOYSA-L butylaluminum(2+);dichloride Chemical compound CCCC[Al](Cl)Cl SHOVVTSKTTYFGP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 125000004063 butyryl group Chemical group O=C([*])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- HYZXMVILOKSUKA-UHFFFAOYSA-K chloro(dimethyl)alumane;dichloro(methyl)alumane Chemical compound C[Al](C)Cl.C[Al](Cl)Cl HYZXMVILOKSUKA-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- LKRBKNPREDAJJQ-UHFFFAOYSA-M chloro-di(propan-2-yl)alumane Chemical compound [Cl-].CC(C)[Al+]C(C)C LKRBKNPREDAJJQ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 229940125773 compound 10 Drugs 0.000 description 2
- 229940126543 compound 14 Drugs 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FLFGMNFGOKXUQY-UHFFFAOYSA-L dichloro(propan-2-yl)alumane Chemical compound [Cl-].[Cl-].CC(C)[Al+2] FLFGMNFGOKXUQY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- RFUDQCRVCDXBGK-UHFFFAOYSA-L dichloro(propyl)alumane Chemical compound [Cl-].[Cl-].CCC[Al+2] RFUDQCRVCDXBGK-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 229940117389 dichlorobenzene Drugs 0.000 description 2
- YNLAOSYQHBDIKW-UHFFFAOYSA-M diethylaluminium chloride Chemical compound CC[Al](Cl)CC YNLAOSYQHBDIKW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- JGHYBJVUQGTEEB-UHFFFAOYSA-M dimethylalumanylium;chloride Chemical compound C[Al](C)Cl JGHYBJVUQGTEEB-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 2
- 125000005678 ethenylene group Chemical group [H]C([*:1])=C([H])[*:2] 0.000 description 2
- 125000006232 ethoxy propyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])OC([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- 125000003754 ethoxycarbonyl group Chemical group C(=O)(OCC)* 0.000 description 2
- 125000005448 ethoxyethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])OC([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- LZCLXQDLBQLTDK-UHFFFAOYSA-N ethyl 2-hydroxypropanoate Chemical compound CCOC(=O)C(C)O LZCLXQDLBQLTDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- UAIZDWNSWGTKFZ-UHFFFAOYSA-L ethylaluminum(2+);dichloride Chemical compound CC[Al](Cl)Cl UAIZDWNSWGTKFZ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 2
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 2
- 150000002221 fluorine Chemical class 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 2
- 150000008282 halocarbons Chemical class 0.000 description 2
- CATSNJVOTSVZJV-UHFFFAOYSA-N heptan-2-one Chemical compound CCCCCC(C)=O CATSNJVOTSVZJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000003651 hexanedioyl group Chemical group C(CCCCC(=O)*)(=O)* 0.000 description 2
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 2
- RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K iron trichloride Chemical compound Cl[Fe](Cl)Cl RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- GYCHYNMREWYSKH-UHFFFAOYSA-L iron(ii) bromide Chemical compound [Fe+2].[Br-].[Br-] GYCHYNMREWYSKH-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- ZLVXBBHTMQJRSX-VMGNSXQWSA-N jdtic Chemical compound C1([C@]2(C)CCN(C[C@@H]2C)C[C@H](C(C)C)NC(=O)[C@@H]2NCC3=CC(O)=CC=C3C2)=CC=CC(O)=C1 ZLVXBBHTMQJRSX-VMGNSXQWSA-N 0.000 description 2
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 2
- 125000000400 lauroyl group Chemical group O=C([*])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 125000003099 maleoyl group Chemical group C(\C=C/C(=O)*)(=O)* 0.000 description 2
- 125000000346 malonyl group Chemical group C(CC(=O)*)(=O)* 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 125000005397 methacrylic acid ester group Chemical group 0.000 description 2
- 125000001160 methoxycarbonyl group Chemical group [H]C([H])([H])OC(*)=O 0.000 description 2
- 125000004184 methoxymethyl group Chemical group [H]C([H])([H])OC([H])([H])* 0.000 description 2
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 2
- YSTQWZZQKCCBAY-UHFFFAOYSA-L methylaluminum(2+);dichloride Chemical compound C[Al](Cl)Cl YSTQWZZQKCCBAY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- 125000001419 myristoyl group Chemical group O=C([*])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 125000001038 naphthoyl group Chemical group C1(=CC=CC2=CC=CC=C12)C(=O)* 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 229960002715 nicotine Drugs 0.000 description 2
- SNICXCGAKADSCV-UHFFFAOYSA-N nicotine Natural products CN1CCCC1C1=CC=CN=C1 SNICXCGAKADSCV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000003452 oxalyl group Chemical group *C(=O)C(*)=O 0.000 description 2
- 125000001312 palmitoyl group Chemical group O=C([*])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 125000000612 phthaloyl group Chemical group C(C=1C(C(=O)*)=CC=CC1)(=O)* 0.000 description 2
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 239000002685 polymerization catalyst Substances 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 125000001501 propionyl group Chemical group O=C([*])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- GGFBICGBDXVAGX-UHFFFAOYSA-N propylaluminum Chemical compound [Al].[CH2]CC GGFBICGBDXVAGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 2
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 2
- 238000007152 ring opening metathesis polymerisation reaction Methods 0.000 description 2
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000003696 stearoyl group Chemical group O=C([*])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 2
- 125000002730 succinyl group Chemical group C(CCC(=O)*)(=O)* 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N sulfuric acid Substances OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RCSSZBOUAGQERK-UHFFFAOYSA-N tert-butyl 2-(trifluoromethyl)prop-2-enoate Chemical compound CC(C)(C)OC(=O)C(=C)C(F)(F)F RCSSZBOUAGQERK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000000999 tert-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 125000005931 tert-butyloxycarbonyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(OC(*)=O)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 125000005425 toluyl group Chemical group 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- VOITXYVAKOUIBA-UHFFFAOYSA-N triethylaluminium Chemical compound CC[Al](CC)CC VOITXYVAKOUIBA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MCULRUJILOGHCJ-UHFFFAOYSA-N triisobutylaluminium Chemical compound CC(C)C[Al](CC(C)C)CC(C)C MCULRUJILOGHCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N trimethylaluminium Chemical compound C[Al](C)C JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LFXVBWRMVZPLFK-UHFFFAOYSA-N trioctylalumane Chemical compound CCCCCCCC[Al](CCCCCCCC)CCCCCCCC LFXVBWRMVZPLFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WLOQLWBIJZDHET-UHFFFAOYSA-N triphenylsulfonium Chemical compound C1=CC=CC=C1[S+](C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 WLOQLWBIJZDHET-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012953 triphenylsulfonium Substances 0.000 description 2
- CNWZYDSEVLFSMS-UHFFFAOYSA-N tripropylalumane Chemical compound CCC[Al](CCC)CCC CNWZYDSEVLFSMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- 125000003774 valeryl group Chemical group O=C([*])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 2
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 2
- GHYOCDFICYLMRF-UTIIJYGPSA-N (2S,3R)-N-[(2S)-3-(cyclopenten-1-yl)-1-[(2R)-2-methyloxiran-2-yl]-1-oxopropan-2-yl]-3-hydroxy-3-(4-methoxyphenyl)-2-[[(2S)-2-[(2-morpholin-4-ylacetyl)amino]propanoyl]amino]propanamide Chemical compound C1(=CCCC1)C[C@@H](C(=O)[C@@]1(OC1)C)NC([C@H]([C@@H](C1=CC=C(C=C1)OC)O)NC([C@H](C)NC(CN1CCOCC1)=O)=O)=O GHYOCDFICYLMRF-UTIIJYGPSA-N 0.000 description 1
- YEDDVXZFXSHDIB-UHFFFAOYSA-N 1,1,2,2,3,3-hexafluoropropan-1-ol Chemical group OC(F)(F)C(F)(F)C(F)F YEDDVXZFXSHDIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 1,4-Dioxane Chemical compound C1COCCO1 RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WJFKNYWRSNBZNX-UHFFFAOYSA-N 10H-phenothiazine Chemical compound C1=CC=C2NC3=CC=CC=C3SC2=C1 WJFKNYWRSNBZNX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XXXFZKQPYACQLD-UHFFFAOYSA-N 2-(2-hydroxyethoxy)ethyl acetate Chemical compound CC(=O)OCCOCCO XXXFZKQPYACQLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OBETXYAYXDNJHR-UHFFFAOYSA-N 2-Ethylhexanoic acid Chemical compound CCCCC(CC)C(O)=O OBETXYAYXDNJHR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 2-butoxyethanol Chemical compound CCCCOCCO POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethanol Chemical compound CCOCCO ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HXDLWJWIAHWIKI-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxyethyl acetate Chemical compound CC(=O)OCCO HXDLWJWIAHWIKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PURTUPNWTLPILZ-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxypropanoic acid;nickel Chemical compound [Ni].CC(O)C(O)=O.CC(O)C(O)=O PURTUPNWTLPILZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PPPFYBPQAPISCT-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxypropyl acetate Chemical compound CC(O)COC(C)=O PPPFYBPQAPISCT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MKTOIPPVFPJEQO-UHFFFAOYSA-N 4-(3-carboxypropanoylperoxy)-4-oxobutanoic acid Chemical compound OC(=O)CCC(=O)OOC(=O)CCC(O)=O MKTOIPPVFPJEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YCIGYTFKOXGYTA-UHFFFAOYSA-N 4-(3-cyanopropyldiazenyl)butanenitrile Chemical compound N#CCCCN=NCCCC#N YCIGYTFKOXGYTA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 7553-56-2 Chemical compound [I] ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LPEKGGXMPWTOCB-UHFFFAOYSA-N 8beta-(2,3-epoxy-2-methylbutyryloxy)-14-acetoxytithifolin Natural products COC(=O)C(C)O LPEKGGXMPWTOCB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 102100033806 Alpha-protein kinase 3 Human genes 0.000 description 1
- 101710082399 Alpha-protein kinase 3 Proteins 0.000 description 1
- 239000004342 Benzoyl peroxide Substances 0.000 description 1
- OMPJBNCRMGITSC-UHFFFAOYSA-N Benzoylperoxide Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(=O)OOC(=O)C1=CC=CC=C1 OMPJBNCRMGITSC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YBEYGQSVGGWVSG-UHFFFAOYSA-N Br.C(C)P(CC)CC.C(C)P(CC)CC Chemical compound Br.C(C)P(CC)CC.C(C)P(CC)CC YBEYGQSVGGWVSG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PDVAFURCGJRRJQ-UHFFFAOYSA-N C(C)#N.C1(=CC=CC=C1)P(C1=CC=CC=C1)C1=CC=CC=C1.C1(=CC=CC=C1)P(C1=CC=CC=C1)C1=CC=CC=C1.C1(=CC=CC=C1)P(C1=CC=CC=C1)C1=CC=CC=C1 Chemical compound C(C)#N.C1(=CC=CC=C1)P(C1=CC=CC=C1)C1=CC=CC=C1.C1(=CC=CC=C1)P(C1=CC=CC=C1)C1=CC=CC=C1.C1(=CC=CC=C1)P(C1=CC=CC=C1)C1=CC=CC=C1 PDVAFURCGJRRJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DTWNZBROXNLDGB-UHFFFAOYSA-N CC#N.CC#N.Cl.Cl Chemical compound CC#N.CC#N.Cl.Cl DTWNZBROXNLDGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FWQJWGMQZYJFIF-UHFFFAOYSA-M CC([O-])=O.ClC(Cl)CCCCC[Ni+] Chemical compound CC([O-])=O.ClC(Cl)CCCCC[Ni+] FWQJWGMQZYJFIF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- KYPOTCHOVIFPTJ-UHFFFAOYSA-N CO[Ti](OC)(OC)C1(C)C(C)=C(C)C(C)=C1C Chemical compound CO[Ti](OC)(OC)C1(C)C(C)=C(C)C(C)=C1C KYPOTCHOVIFPTJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004970 Chain extender Substances 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LCGLNKUTAGEVQW-UHFFFAOYSA-N Dimethyl ether Chemical compound COC LCGLNKUTAGEVQW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021577 Iron(II) chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021578 Iron(III) chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- YIVJZNGAASQVEM-UHFFFAOYSA-N Lauroyl peroxide Chemical compound CCCCCCCCCCCC(=O)OOC(=O)CCCCCCCCCCC YIVJZNGAASQVEM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000877 Melamine resin Polymers 0.000 description 1
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M Methacrylate Chemical compound CC(=C)C([O-])=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- LSDPWZHWYPCBBB-UHFFFAOYSA-N Methanethiol Chemical compound SC LSDPWZHWYPCBBB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Chemical compound CC(C)CC(C)=O NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Natural products CCC(C)C(C)=O UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021586 Nickel(II) chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- UUWWESGJAUWMRV-UHFFFAOYSA-N OC(CC(C(F)(F)F)(C(F)(F)F)O)C(C1)C2C=CC1C2 Chemical compound OC(CC(C(F)(F)F)(C(F)(F)F)O)C(C1)C2C=CC1C2 UUWWESGJAUWMRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001665 Poly-4-vinylphenol Polymers 0.000 description 1
- 239000004820 Pressure-sensitive adhesive Substances 0.000 description 1
- XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-M Propionate Chemical compound CCC([O-])=O XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DTQVDTLACAAQTR-UHFFFAOYSA-M Trifluoroacetate Chemical compound [O-]C(=O)C(F)(F)F DTQVDTLACAAQTR-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910021550 Vanadium Chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021552 Vanadium(IV) chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- KXKVLQRXCPHEJC-UHFFFAOYSA-N acetic acid trimethyl ester Natural products COC(C)=O KXKVLQRXCPHEJC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XRLHGXGMYJNYCR-UHFFFAOYSA-N acetic acid;2-(2-hydroxypropoxy)propan-1-ol Chemical compound CC(O)=O.CC(O)COC(C)CO XRLHGXGMYJNYCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MQRWBMAEBQOWAF-UHFFFAOYSA-N acetic acid;nickel Chemical compound [Ni].CC(O)=O.CC(O)=O MQRWBMAEBQOWAF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000008065 acid anhydrides Chemical class 0.000 description 1
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 1
- 125000005073 adamantyl group Chemical group C12(CC3CC(CC(C1)C3)C2)* 0.000 description 1
- 239000002318 adhesion promoter Substances 0.000 description 1
- 239000002671 adjuvant Substances 0.000 description 1
- 239000005456 alcohol based solvent Substances 0.000 description 1
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N alumane Chemical class [AlH3] AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ROOXNKNUYICQNP-UHFFFAOYSA-N ammonium peroxydisulfate Substances [NH4+].[NH4+].[O-]S(=O)(=O)OOS([O-])(=O)=O ROOXNKNUYICQNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VAZSKTXWXKYQJF-UHFFFAOYSA-N ammonium persulfate Chemical compound [NH4+].[NH4+].[O-]S(=O)OOS([O-])=O VAZSKTXWXKYQJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001870 ammonium persulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002518 antifoaming agent Substances 0.000 description 1
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 description 1
- 125000002029 aromatic hydrocarbon group Chemical group 0.000 description 1
- 239000003849 aromatic solvent Substances 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 235000019400 benzoyl peroxide Nutrition 0.000 description 1
- 125000001797 benzyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- 238000012662 bulk polymerization Methods 0.000 description 1
- 125000004369 butenyl group Chemical group C(=CCC)* 0.000 description 1
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- SHZIWNPUGXLXDT-UHFFFAOYSA-N caproic acid ethyl ester Natural products CCCCCC(=O)OCC SHZIWNPUGXLXDT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IRVTWLLMYUSKJS-UHFFFAOYSA-N carboxyoxy propyl carbonate Chemical compound CCCOC(=O)OOC(O)=O IRVTWLLMYUSKJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010538 cationic polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 229940061627 chloromethyl methyl ether Drugs 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 229940125797 compound 12 Drugs 0.000 description 1
- 238000013329 compounding Methods 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- 239000003431 cross linking reagent Substances 0.000 description 1
- 125000004093 cyano group Chemical group *C#N 0.000 description 1
- 150000001925 cycloalkenes Chemical class 0.000 description 1
- 125000000753 cycloalkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000000113 cyclohexyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 1
- KZPXREABEBSAQM-UHFFFAOYSA-N cyclopenta-1,3-diene;nickel(2+) Chemical compound [Ni+2].C=1C=C[CH-]C=1.C=1C=C[CH-]C=1 KZPXREABEBSAQM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JAGHDVYKBYUAFD-UHFFFAOYSA-L cyclopenta-1,3-diene;titanium(4+);dichloride Chemical compound [Cl-].[Cl-].[Ti+4].C1C=CC=[C-]1.C1C=CC=[C-]1 JAGHDVYKBYUAFD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 125000000058 cyclopentadienyl group Chemical group C1(=CC=CC1)* 0.000 description 1
- 125000001511 cyclopentyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C1([H])[H] 0.000 description 1
- 125000001559 cyclopropyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C1([H])* 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- LSXWFXONGKSEMY-UHFFFAOYSA-N di-tert-butyl peroxide Chemical compound CC(C)(C)OOC(C)(C)C LSXWFXONGKSEMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003085 diluting agent Substances 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- POLCUAVZOMRGSN-UHFFFAOYSA-N dipropyl ether Chemical compound CCCOCCC POLCUAVZOMRGSN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SZXQTJUDPRGNJN-UHFFFAOYSA-N dipropylene glycol Chemical compound OCCCOCCCO SZXQTJUDPRGNJN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000004821 distillation Methods 0.000 description 1
- ODQWQRRAPPTVAG-GZTJUZNOSA-N doxepin Chemical compound C1OC2=CC=CC=C2C(=C/CCN(C)C)/C2=CC=CC=C21 ODQWQRRAPPTVAG-GZTJUZNOSA-N 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000007720 emulsion polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- ZSWFCLXCOIISFI-UHFFFAOYSA-N endo-cyclopentadiene Natural products C1C=CC=C1 ZSWFCLXCOIISFI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 description 1
- 235000019441 ethanol Nutrition 0.000 description 1
- 125000001301 ethoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])O* 0.000 description 1
- UHKJHMOIRYZSTH-UHFFFAOYSA-N ethyl 2-ethoxypropanoate Chemical compound CCOC(C)C(=O)OCC UHKJHMOIRYZSTH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940116333 ethyl lactate Drugs 0.000 description 1
- MGDOJPNDRJNJBK-UHFFFAOYSA-N ethylaluminum Chemical compound [Al].C[CH2] MGDOJPNDRJNJBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002534 ethynyl group Chemical group [H]C#C* 0.000 description 1
- KTWOOEGAPBSYNW-UHFFFAOYSA-N ferrocene Chemical compound [Fe+2].C=1C=C[CH-]C=1.C=1C=C[CH-]C=1 KTWOOEGAPBSYNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- ALDOUWLIYKWJTN-UHFFFAOYSA-N fluoro(dioxido)borane;nickel(2+) Chemical compound [Ni+2].[O-]B([O-])F ALDOUWLIYKWJTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010528 free radical solution polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-M hexanoate Chemical compound CCCCCC([O-])=O FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 125000004051 hexyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 description 1
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000003999 initiator Substances 0.000 description 1
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011630 iodine Substances 0.000 description 1
- 238000012690 ionic polymerization Methods 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- NMCUIPGRVMDVDB-UHFFFAOYSA-L iron dichloride Chemical compound Cl[Fe]Cl NMCUIPGRVMDVDB-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- PVFSDGKDKFSOTB-UHFFFAOYSA-K iron(3+);triacetate Chemical compound [Fe+3].CC([O-])=O.CC([O-])=O.CC([O-])=O PVFSDGKDKFSOTB-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 239000012948 isocyanate Substances 0.000 description 1
- 150000002513 isocyanates Chemical class 0.000 description 1
- 150000002596 lactones Chemical class 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- FPYJFEHAWHCUMM-UHFFFAOYSA-N maleic anhydride Chemical compound O=C1OC(=O)C=C1 FPYJFEHAWHCUMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 150000007974 melamines Chemical class 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- DCUFMVPCXCSVNP-UHFFFAOYSA-N methacrylic anhydride Chemical compound CC(=C)C(=O)OC(=O)C(C)=C DCUFMVPCXCSVNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940098779 methanesulfonic acid Drugs 0.000 description 1
- BDJSOPWXYLFTNW-UHFFFAOYSA-N methyl 3-methoxypropanoate Chemical compound COCCC(=O)OC BDJSOPWXYLFTNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CZRKJHRIILZWRC-UHFFFAOYSA-N methyl acetate;propane-1,2-diol Chemical compound COC(C)=O.CC(O)CO CZRKJHRIILZWRC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940057867 methyl lactate Drugs 0.000 description 1
- 238000005459 micromachining Methods 0.000 description 1
- 239000012046 mixed solvent Substances 0.000 description 1
- 239000003607 modifier Substances 0.000 description 1
- PDKHNCYLMVRIFV-UHFFFAOYSA-H molybdenum;hexachloride Chemical compound [Cl-].[Cl-].[Cl-].[Cl-].[Cl-].[Cl-].[Mo] PDKHNCYLMVRIFV-UHFFFAOYSA-H 0.000 description 1
- 125000000740 n-pentyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000004123 n-propyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000001971 neopentyl group Chemical group [H]C([*])([H])C(C([H])([H])[H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 229940078494 nickel acetate Drugs 0.000 description 1
- QMMRZOWCJAIUJA-UHFFFAOYSA-L nickel dichloride Chemical compound Cl[Ni]Cl QMMRZOWCJAIUJA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910000480 nickel oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- UQPSGBZICXWIAG-UHFFFAOYSA-L nickel(2+);dibromide;trihydrate Chemical compound O.O.O.Br[Ni]Br UQPSGBZICXWIAG-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 125000006502 nitrobenzyl group Chemical group 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- UMRZSTCPUPJPOJ-KNVOCYPGSA-N norbornane Chemical compound C1C[C@H]2CC[C@@H]1C2 UMRZSTCPUPJPOJ-KNVOCYPGSA-N 0.000 description 1
- JFNLZVQOOSMTJK-KNVOCYPGSA-N norbornene Chemical compound C1[C@@H]2CC[C@H]1C=C2 JFNLZVQOOSMTJK-KNVOCYPGSA-N 0.000 description 1
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 1
- JRZJOMJEPLMPRA-UHFFFAOYSA-N olefin Natural products CCCCCCCC=C JRZJOMJEPLMPRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002811 oleoyl group Chemical group O=C([*])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])/C([H])=C([H])\C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 150000001451 organic peroxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000012074 organic phase Substances 0.000 description 1
- GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N oxonickel Chemical compound [Ni]=O GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HBEQXAKJSGXAIQ-UHFFFAOYSA-N oxopalladium Chemical compound [Pd]=O HBEQXAKJSGXAIQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 229910003445 palladium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PIBWKRNGBLPSSY-UHFFFAOYSA-L palladium(II) chloride Chemical compound Cl[Pd]Cl PIBWKRNGBLPSSY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- INIOZDBICVTGEO-UHFFFAOYSA-L palladium(ii) bromide Chemical compound Br[Pd]Br INIOZDBICVTGEO-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- NFHFRUOZVGFOOS-UHFFFAOYSA-N palladium;triphenylphosphane Chemical compound [Pd].C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 NFHFRUOZVGFOOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- RPESBQCJGHJMTK-UHFFFAOYSA-I pentachlorovanadium Chemical compound [Cl-].[Cl-].[Cl-].[Cl-].[Cl-].[V+5] RPESBQCJGHJMTK-UHFFFAOYSA-I 0.000 description 1
- 125000002255 pentenyl group Chemical group C(=CCCC)* 0.000 description 1
- 150000002978 peroxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000003208 petroleum Substances 0.000 description 1
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 1
- 150000002989 phenols Chemical class 0.000 description 1
- 229950000688 phenothiazine Drugs 0.000 description 1
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- SONNWYBIRXJNDC-VIFPVBQESA-N phenylephrine Chemical compound CNC[C@H](O)C1=CC=CC(O)=C1 SONNWYBIRXJNDC-VIFPVBQESA-N 0.000 description 1
- 229960001802 phenylephrine Drugs 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000768 polyamine Polymers 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 230000000379 polymerizing effect Effects 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 238000004382 potting Methods 0.000 description 1
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 150000003254 radicals Chemical class 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 238000001226 reprecipitation Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 1
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FCQRKDSALKMOGU-UHFFFAOYSA-K rhodium(3+);triphenylphosphane;trichloride Chemical compound Cl[Rh](Cl)Cl.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 FCQRKDSALKMOGU-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- SONJTKJMTWTJCT-UHFFFAOYSA-K rhodium(iii) chloride Chemical compound [Cl-].[Cl-].[Cl-].[Rh+3] SONJTKJMTWTJCT-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 125000002914 sec-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000003548 sec-pentyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
- 238000010557 suspension polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 150000003505 terpenes Chemical class 0.000 description 1
- 235000007586 terpenes Nutrition 0.000 description 1
- OPQYOFWUFGEMRZ-UHFFFAOYSA-N tert-butyl 2,2-dimethylpropaneperoxoate Chemical compound CC(C)(C)OOC(=O)C(C)(C)C OPQYOFWUFGEMRZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AFCAKJKUYFLYFK-UHFFFAOYSA-N tetrabutyltin Chemical compound CCCC[Sn](CCCC)(CCCC)CCCC AFCAKJKUYFLYFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YOUIDGQAIILFBW-UHFFFAOYSA-J tetrachlorotungsten Chemical compound Cl[W](Cl)(Cl)Cl YOUIDGQAIILFBW-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- 125000001412 tetrahydropyranyl group Chemical group 0.000 description 1
- CRHIAMBJMSSNNM-UHFFFAOYSA-N tetraphenylstannane Chemical compound C1=CC=CC=C1[Sn](C=1C=CC=CC=1)(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 CRHIAMBJMSSNNM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XJDNKRIXUMDJCW-UHFFFAOYSA-J titanium tetrachloride Chemical compound Cl[Ti](Cl)(Cl)Cl XJDNKRIXUMDJCW-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- 238000001721 transfer moulding Methods 0.000 description 1
- 150000003918 triazines Chemical class 0.000 description 1
- 125000000026 trimethylsilyl group Chemical group [H]C([H])([H])[Si]([*])(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- NFHRNKANAAGQOH-UHFFFAOYSA-N triphenylstannane Chemical compound C1=CC=CC=C1[SnH](C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 NFHRNKANAAGQOH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JTJFQBNJBPPZRI-UHFFFAOYSA-J vanadium tetrachloride Chemical compound Cl[V](Cl)(Cl)Cl JTJFQBNJBPPZRI-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- UKRDPEFKFJNXQM-UHFFFAOYSA-N vinylsilane Chemical class [SiH3]C=C UKRDPEFKFJNXQM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C33/00—Unsaturated compounds having hydroxy or O-metal groups bound to acyclic carbon atoms
- C07C33/40—Halogenated unsaturated alcohols
- C07C33/44—Halogenated unsaturated alcohols containing rings other than six-membered aromatic rings
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C31/00—Saturated compounds having hydroxy or O-metal groups bound to acyclic carbon atoms
- C07C31/34—Halogenated alcohols
- C07C31/44—Halogenated alcohols containing saturated rings
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C49/00—Ketones; Ketenes; Dimeric ketenes; Ketonic chelates
- C07C49/29—Saturated compounds containing keto groups bound to rings
- C07C49/337—Saturated compounds containing keto groups bound to rings containing hydroxy groups
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C49/00—Ketones; Ketenes; Dimeric ketenes; Ketonic chelates
- C07C49/527—Unsaturated compounds containing keto groups bound to rings other than six-membered aromatic rings
- C07C49/573—Unsaturated compounds containing keto groups bound to rings other than six-membered aromatic rings containing hydroxy groups
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C69/00—Esters of carboxylic acids; Esters of carbonic or haloformic acids
- C07C69/62—Halogen-containing esters
- C07C69/65—Halogen-containing esters of unsaturated acids
- C07C69/653—Acrylic acid esters; Methacrylic acid esters; Haloacrylic acid esters; Halomethacrylic acid esters
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
- C08F14/00—Homopolymers and copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by a halogen
- C08F14/18—Monomers containing fluorine
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C2602/00—Systems containing two condensed rings
- C07C2602/36—Systems containing two condensed rings the rings having more than two atoms in common
- C07C2602/42—Systems containing two condensed rings the rings having more than two atoms in common the bicyclo ring system containing seven carbon atoms
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Abstract
본 발명은 예를 들어 하기 화학식 (1)로 표시되는 불소 함유 환상 화합물에 관한 것이다.
화학식 1
(식 중, R1a는 C1-C25 환상 알킬기, 환상 알케닐기 또는 환상 알키닐기이고; R2 및 R3는 각각 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자이거나, C1-C25의 직쇄상, 분지상 또는 환상 알킬기이고; R1a, R2 및 R3 각각은 불소 원자, 산소 원자, 황 원자, 질소 원자 또는 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 원자단을 포함할 수 있다.)
불소 함유 환상 화합물, 포토 레지스트, 화학 증폭형 레지스트
Description
본 발명은 신규한 불소 함유 환상 화합물 및 불소 함유 고분자 화합물, 상기 불소 함유 환상 화합물 및 불소 함유 고분자 화합물을 이용하는 레지스트 재료에 관한 것이다. 특히, 본 발명은 최근 활발하게 연구되고 있는 화학 증폭 레지스트 재료 및 패턴 형성 방법에 관한 것이다.
최근에, 컴퓨터 등의 디지털 장치의 발전에 의해, 취급하는 연산 데이타와 이차원, 삼차원 화상 데이타의 처리량이 방대해지고 있다. 이러한 정보를 신속하게 처리하기 위해서 대용량으로 고속도의 메모리와 고성능 마이크로 프로세서가 필요하게 되었다. 또한, 인터넷 등 네트워크의 발전에 따라, 광대역화(broadband)가 더욱 가속화되고, 디지털 장치에 요구되는 처리 능력은 점점 증가할 것으로 예측된다.
이러한 요구 사항을 달성하기 위해서, 반도체 소자에 대표되는 각종 소자 장치는, 고밀도 및 고집적화가 더욱 요청된다. 특히, 미세가공을 가능하게 하는 포토리소그래피(photolithography) 기술에 대한 요구는 해마다 엄격해지고 있어, 1G 비 트 이상의 집적도를 가지는 DRAM 제조에는, 최소선 폭 0.13 ㎛이하의 가공 기술이 필요하다. 이에 대응하여, ArF 엑시머 레이저(193 ㎚)를 이용한 포토리소그래피를 이용하기 시작하였다. 미세한 패턴을 형성할 목적으로, F2(157 ㎚)을 이용한 포토리소그래피 개발이 진척되고 있다.
이들의 파장 영역에 있어서는, 통상적으로 레지스트 재료에 이용해 온 노볼락이나 폴리비닐 페놀계의 수지는 빛의 흡수가 지나치게 커서 이용할 수 없다. 따라서, 아크릴계 수지 (예를 들면, 특허문헌 1)이나 사이클로 올레핀계 수지 (예를 들면, 특허문헌 2)가 검토되어 왔다. 그러나, F2(157 ㎚) 파장에서 투명성이 높은 수지는 매우 제한되므로, 불소 수지가 유리한 것은 명확해졌다. 특히, 히드록시기를 포함하는 불소 함유 레지스트 수지는 뛰어난 친수성을 가지는 것이 보고되어, 매우 기대되고 있다 (예를 들면, 비특허문헌 1 및 2).
불소 원자의 도입은 자외선 영역에서의 투명성을 향상시키지만, 이와 동시에 에칭 내성을 저하시킨다. 또한, 중합 반응성에 대해서도, 종래의 노르보넨 고리에 직접 불소 원자나 트리플르오르메틸기가 결합된 단량체는 중합 반응성이 낮아서 수율이 낮거나, 재료로서 충분한 분자량을 얻을 수 없는 많은 문제점이 있었다. 따라서, 이러한 기존 화합물이 발휘할 수 있는 기능은 반드시 충분한 것은 아니다. 따라서, 우수한 고분자를 효율적으로 제공할 수 있는 새로운 단량체 또는 그 원료가 요구되었다.
한편, 반도체 소자 패키지 분야에 있어서는, 일반적으로 에폭시 수지 등이 이용되지만, 프린트 기판에의 설치시, 열 스트레스를 절감하는 것을 목적으로 하는 실링 수지 재료에 소자 기판(Si 기판)의 열팽창 계수에 근접하는 미세한 산화 규소(SiO2) 미립자를 첨가하는 방법이 이용된다. 그러나, 종래의 기술에서는, 열 전도성에 있어서, 금속, 세라믹 등보다 열등한 에폭시 수지를 이용하는 종래 구조의 플라스틱 패키지(plastic package)에서, 방열 특성이 열등하고, 열 저항이 매우 높다. 따라서, 파워 IC 등의 고소비 전력의 IC나, 고속으로 동작하는 IC의 패키지로서는 장기간 신뢰성의 측면에서 불리하였다. 또한, 저응력으로 하기 위해서 수지에 첨가된 SiO2의 미립자는 매우 단단하다. 따라서, 프린트 기판에의 설치시에 발생하는 열응력으로, 소자 표면에 국소적으로 큰 압력을 더하여, 소자를 파괴하는 경우가 발생한다. 다시 말해, 반도체 패키지 분야에 있어서는, 내열성이 높고, 소자표면에 열 응력을 더하기 어려운 재료가 요구되었다 (예를 들면, 특허문헌 3). 실제로는, 단일의 반도체 패키지 재료가 요구 성능을 만족하는 것은 어렵다. 그러므로 다양한 보호 막 등이 병용된다. 한편, 패키지 재료와 보호 막은 일체화되고 서로의 결점을 서로 보충하여 기능을 달성한다고 할 수 있다. 반도체 칩에의 물 및 불순물의 침투를 막기 위해 부동화막이 이용되고, 패키지 재료에 나타나는 응력 집중을 완화하기 위해서 버퍼 도막이 이용된다. 종래, 반도체에 이용되는 절연막이나 보호막 등의 박막 재료는 산화 실리콘 등의 무기 화합물이 주류를 이루었지만, 현재는 폴리이미드 등의 내열성 고분자 재료의 유용성이 인정되고, 절연막, 부동화막, 버퍼 도막 등에 이용된다. 또한, 최근의 반도체의 고집적화, 고속화의 요구에 대하여, 신호의 고속 전송에 대응하는 재료가 요구된다. 고속 전송에서는 신호의 전파 지연이 문제가 되지만, 전파 지연은 재료의 상대 유전율에 비례하기 때문에, 재료의 저유전율화에 유효하다. 현재, 불소 수지가 낮은 유전 상수를 갖는 것이 알려져 있고, 불소 함유 폴리이미드도 유력한 재료의 하나로서 연구되고 있다. 불소 원자를 도입한 수지는 불소가 갖는 방수성, 비밀착성 등의 특이한 성질이 있고, 때로는 목적하는 용도로 이용할 수 있다. 그러나, 때로는 그들의 특이성 때문에 이용하기 어렵다. 최근의 새로운 반도체 응용 제품의 등장에 따라, 반도체 패키지도 다양화된다. 소형화, 박형화, 저유전율화 등의 다양한 요소가 요구되었다. 이를 만족하는 패키지 재료가 요구되었다.
특허 문헌 1: 일본 특허 공개번호 제H10-161313호
특허 문헌 2: 일본 특허 공개번호 제2000-89463호
특허 문헌 3: 일본 특허 공개번호 제H8-241913호
비특허 문헌 1: H. Ito, H. D. Truong, et al, J. Photopolym. Sci. Technol., 16, 523-536(2003)
비특허 문헌 2: Francis Houlihan, Andrew Romano, Ralph R, Dammel, et al, J. Photopolym. Sci. Technol., 16, 581-590(2003)
본 발명의 목적은 신규한 불소 함유 환상 화합물, 불소 함유 고분자 화합물을 제공하고, 자외선 영역에서 근적외선 영역에 이르기까지의 폭넓은 파장 영역에서 높은 투명성이 있고, 기판에의 높은 밀착성 및 막 형성성, 높은 에칭 내성을 갖는 레지스트 재료와, 상기 레지스트 재료를 이용하는 패턴 형성 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은, 반도체 소자용 패키지 재료를 제공하는 것이다.
본 발명자들은 상술한 목적을 달성하기 위해서 검토를 거듭한 결과, 노르보넨 고리 등의 환상 구조와 헥사플르오르이소프로판올 구조를 갖는 신규한 불소 함유 환상 화합물을 발견하였고, 이 화합물 또는 이 화합물로 유도되는 중합성 단량체를 이용하는 중합 또는 공중합에 의해 얻은 불소 함유 고분자 화합물은 폭넓은 파장 영역에서 높은 투명성이 있고, 기판에의 높은 밀착성 및 막 형성성을 갖는 것을 발견하였다. 또한, 이 불소 함유 고분자 화합물은 환상 구조에서 유래하는 높은 에칭 내성을 가지므로, 레지스트 재료로서 유효한 것을 발견하였다. 게다가, 이 불소 함유 고분자 화합물을 이용하는 패턴 형성 방법을 발견하였다. 한편, 이 불소 함유 고분자 화합물은 분자 내에 환상 구조를 가지므로, 내열성이 높고, 헥사플르오르이소프로판올 구조에서 유래하는 양호한 용제 용해성을 가기므로 도포성이 우수하고, 막 형성성이나 성형성도 우수한 것을 발견하여, 본 발명을 완성하였다. 또한, 본 발명자는 상기 불소 함유 고분자 화합물을 그대로 사용하거나, 이것에 경화제를 첨가해서 반도체 소자를 패키지화할 경우에, 소자 기판에의 응력이 매우 작고, 높은 신뢰성을 얻을 수 있는 것도 발견하였다.
본 발명은 신규한 불소 함유 환상 화합물과 불소 함유 고분자 화합물을 제공하고, 자외선 영역에서 근적외선 영역에 이르기까지의 폭넓은 파장 영역에서 높은 투명성을 갖고, 기판에의 높은 밀착성, 막 형성성 및 높은 에칭 내성을 갖는 레지스트 재료와, 상기 레지스트 재료를 이용하는 패턴 형성 방법을 제공한다. 또한, 불소 함유 고분자 화합물은 반도체 소자용 패키지 재료에 적합하다.
이하, 본 발명을 상세하게 설명한다. 본 발명의 하기 화학식 (1) 또는 (2)로 표시되는 불소 함유 환상 화합물은 노르보넨 고리 등의 환상 구조와 헥사플르오르이소프로판올 구조를 갖는 신규한 불소 함유 환상 화합물이다. 일반적으로, 불소 함유량이 증가함에 따라, 자외선 영역에서 근적외선 영역에 이르기까지의 폭넓은 파장 영역에서 투명성이 향상되거나, 굴절율 저하가 유도되는 것이 알려져 있다. 그러나, 불소 함유량이 증가함에 따라, 기판과의 밀착성이 저하되거나 막 형성성도 저하된다. 따라서, 우수한 투명성과 낮은 굴절율을 함께 달성하는 것은 어려웠다. 그러나, 헥사플르오르이소프로판올 구조를 갖는 하기 화학식 1 또는 화학식 2로 표시되는 화합물에 의해, 이로부터 유래된 고분자 화합물이 기판과의 높은 밀착성과 높은 막 형성성을 가질 수 있게 되었다.
본 발명에 의한 상기 화학식 (1) 또는 화학식 (2)로 표시되는 불소 함유 환상 화합물에 있어서, R1a는 C1∼C25의 환상 알킬기, 환상 알케닐기, 환상 알키닐기이다. 환상 골격은 레지스트 재료에 필요한 에칭 내성에 기여하므로 바람직하고, 다환식 골격은 에칭 내성에 대한 기여가 크기 때문에, 더욱 바람직하게 이용될 수 있다. 또한, 분자 내로 환상 구조를 도입함으로써, 이로부터 유도되는 고분자 화합물의 유리 전이 온도(Ｔg)를 증가시킬 수 있다. 고분자 화합물에 포함되는 환상 구조의 비율을 조정함으로써, Ｔg를 조정하는 것도 가능하다. Ｔg는 화학 증폭형 포지티브형 레지스트의 산 확산 속도에 중요한 요소이며, 반도체 소자용 패키지 재료나 버퍼 도막의 분야에서는 열팽창 계수의 감소나 조정을 위한 중요한 요소이다.
한편, 종래의 불소 함유 환상 화합물에서는, 이를 고분자 화합물에 유도하여 레지스트 재료나 반도체용 패키지 재료에 이용하는 것은 없었다.
R2와 R3는 화합물의 성질을 현저하게 손상하지 않는 한 특별히 제한되지 않는다. 이들 각각은 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자이거나, C1∼C25의 직쇄상, 분지상 또는 환상 알킬기이다. R1a 내지 R3는 불소 원자, 산소 원자, 황 원자, 질소 원자 또는 탄소-탄소 이중 결합을 포함하는 원자단을 포함할 수 있다.
본 발명에 의한 하기 화학식 (3)으로 표시되는 불소 함유 환상 화합물은 상기 화학식 (1) 또는 (2)에 따른 화합물로 유도할 수 있는 중합성 단량체다. 불소 원자를 함유하는 것에 의한 유리한 효과, 헥사플르오르이소프로판올 구조를 갖는 것에 의한 유리한 효과, 환상 구조, 특히 다환식의 골격을 갖는 것에 의한 유리한 효과는, 상기 화학식 (1) 또는 (2)와 관련하여 나타낸 바와 같다. 다시 말해서, 하기 화학식 (3)에 있어서, R1b는 C1∼C25의 환상 알킬기, 환상 알케닐기, 환상 알키닐기, 아릴기 또는 복소환상기이며, 불소 원자, 산소 원자, 황 원자, 질소 원자 또는 탄소-탄소이중 결합을 포함하는 원자단을 포함할 수 있다. R2 내지 R7은 이 화합물의 성질을 현저하게 손상하지 않는 한 특별히 제한되지 않는다. 이들 각각은 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자이거나, C1∼C25의 직쇄상, 분지상 또는 환상 알킬기이며, 불소 원자, 산소 원자, 황 원자, 질소 원자 또는 탄소-탄소 이중 결합을 포함하는 원자단을 포함할 수 있다. R8는 카르보닐기, 메틸렌기 또는 단일 결합이다.
본 발명에 의한 화학식 하기 (4) 또는 (5)로 표시되는 불소 함유 환상 화합물은 상기 화학식 1 또는 2에 따른 화합물로부터 유도될 수 있는 중합성 단량체다. 불소 원자를 함유하는 것에 의한 유리한 효과 헥사플르오르이소프로판올 구조를 갖는 것에 의한 유리한 효과, 환상 구조, 특히 다환식의 골격을 갖는 것에 의한 유리한 효과는 상기 화학식 (1) 또는 (2)와 관련하여 나타낸 바와 같다. 다시 말해, 하기 화학식 (4) 또는 (5)에 있어서, R2, R3, R4, R9 내지 R15은 이 화합물의 성질을 현저하게 손상하지 않는 한 특별히 제한되지 않는다. 이들 각각은 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자이거나, C1∼C25의 직쇄상, 분지상 또는 환상 알킬기이며, 불소 원자, 산소원자, 황 원자 또는 질소 원자를 포함할 수 있다. R10과 R11 또는 R12와 R13은 결합하여 환을 형성할 수 있다. 이러한 경우에, 산소, 황, 질소 등의 헤테로 원자를 포함할 수 있는 C1∼C25 알킬렌기이다. a는 0 또는 1, b는 0 내지 2의 정수, c는 0 내지 2의 정수다.
본 발명에 의한 하기 화학식 (6)으로 표시되는 불소 함유 환상 화합물은 상기 화학식 (4) 또는 (5)에 의한 화합물로부터 유도될 수 있는 중합성 단량체이다. 불소 원자를 함유하는 것에 의한 유리한 효과 헥사플르오르이소프로판올 구조를 갖는 것에 의한 유리한 효과, 환상 구조, 특히 다환식의 골격을 갖는 것에 의한 유리한 효과는 상기 화학식 (1) 또는 (2)와 관련하여 나타낸 바와 같다. 다시 말해, 화 학식 (6)에 있어서, R2 내지 R7, R9 내지 R15는 이 화합물의 성질을 현저하게 손상하지 않는 한 특별히 제한되지 않는다. 이들 각각은 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자이거나 C1∼C25의 직쇄상, 분지상 또는 환상 알킬기이며, 불소 원자, 산소원자, 황 원자, 질소 원자를 포함할 수 있다. R10과 R11 또는 R12와 R13 또는 R13과 R14는 결합하여 환을 형성할 수 있다. 이러한 경우에, 이는 산소, 황, 질소 등의 헤테로 원자를 포함할 수 있는 C1∼C25 알킬렌기이다. a는 0 또는 1, b는 0 내지 2의 정수, c는 0 내지 2의 정수다.
본 발명에 의한 하기 화학식 (7) 또는 (8)로 표시되는 불소 함유 환상 화합물은 불소 원자를 함유하는 것에 의한 유리한 효과 헥사플르오르이소프로판올 구조를 갖는 것에 의한 유리한 효과, 환상 구조, 특히 다환식의 골격을 갖는 것에 의한 유리한 효과는 상기 화학식 (1) 또는 (2)와 관련하여 나타낸 바와 같다. 다시 말 해, R2 , R3 및 R4는 화합물의 성질을 현저하게 손상하지 않는 한 특별히 제한되지 않는다. 이들 각각은 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자이거나, C1∼C25의 직쇄상, 분지상 또는 환상 알킬기이며, 불소 원자, 산소원자, 황 원자 또는 질소 원자를 포함할 수 있다.
본 발명에 의한 하기 화학식 (9)로 표시되는 불소 함유 환상 화합물은 상기 화학식 (7) 또는 (8)에 의한 화합물로부터 유도될 수 있는 중합성 단량체이다. 불소 원자를 함유하는 것에 의한 유리한 효과 헥사플르오르이소프로판올 구조를 갖는 것에 의한 유리한 효과, 환상 구조, 특히 다환식의 골격을 갖는 것에 의한 유리한 효과는 상기 화학식 (1) 또는 (2)와 관련하여 나타낸 바와 같다. 다시 말해, 화학식 (9)에 있어서, R2 내지 R7은 이 화합물의 성질을 현저하게 손상하지 않는 한 특별히 제한되지 않는다. 이들 각각은 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자이거나, C1∼C25의 직쇄상, 분지상 또는 환상 알킬기이며, 불소 원자, 산소원자, 황 원자 또는 질소 원자를 포함할 수 있다. R8은 카르보닐기, 메틸렌기 또는 단일 결합이다.
본 발명에 의한 하기 화학식 (10)으로 표시되는 불소 함유 고분자 화합물은 상기 화학식 (3)에 의한 중합성 단량체를 포함하는 방법으로 중합하여 얻은 고분자 화합물이다. 불소 원자를 함유하는 것에 의한 유리한 효과, 헥사플르오르이소프로판올구조를 갖는 것에 의한 유리한 효과, 환상 구조, 특히 다환식 골격을 갖는 것에 의한 유리한 효과는, 상기 화학식 (1) 또는 (2)와 관련하여 나타낸 바와 같다. 다시 말해, 화학식 (10)로 표시되는 반복 단위를 포함하는 것을 특징으로 하는 중 량 평균 분자량 1,000 내지 1,000,000의 불소 함유 고분자 화합물이며, R1b, R2 내지 R8은 이 화합물의 성질을 현저하게 손상하지 않는 한 특별히 제한되지 않고, 상기 화학식 (3)에서 나타낸 바와 같다.
본 발명에 의한 하기 화학식 (11)로 표시되는 불소 함유 고분자 화합물은 상기 화학식 (6)에 의한 중합성 단량체를 포함하는 방법으로 중합하여 얻은 고분자 화합물이다. 불소 원자를 함유하는 것에 의한 유리한 효과, 헥사플르오르이소프로판올 구조를 갖는 것에 의한 유리한 효과, 환상 구조, 특히 다환식 골격을 갖는 것에 의한 유리한 효과는, 상기 화학식 (1) 또는 (2)와 관련하여 나타낸 바와 같다. 다시 말해, 화학식 (11)로 표시되는 반복 단위를 포함하는 것을 특징으로 하는 중량 평균 분자량 1,000 내지 1,000,000의 불소 함유 고분자 화합물이며, 만일 분자량이 이보다도 작을 경우에는 기계적 강도, 막 형성성의 측면에서 불충분하다. 분 자량이 이보다 클 경우에는 용제에 대한 용해성, 막 형성성의 측면에서 바람직하지 못하다. R2 내지 R15는 이 화합물의 성질을 현저하게 손상하지 않는 한 특별히 제한되지 않고, 상기 화학식 (6)에 나타낸 바와 같다.
본 발명에 의한 하기 화학식 (12)로 표시되는 불소 함유 고분자 화합물은 상기 화학식 (9)에 의한 중합성 단량체를 포함하는 방법으로 중합하여 얻은 고분자 화합물이다. 불소 원자를 함유하는 것에 의한 유리한 효과, 헥사플르오르이소프로판올 구조를 갖는 것에 의한 유리한 효과, 환상 구조, 특히 다환식 골격을 갖는 것에 의한 유리한 효과는, 상기 화학식 (1) 또는 (2)와 관련하여 나타낸 바와 같다. 다시 말해, 화학식 (11)로 표시되는 반복 단위를 포함하는 것을 특징으로 하는 중량 평균 분자량 1,000 내지 1,000,000의 불소 함유 고분자 화합물이며, 분자량이 이보다도 작을 경우에는 기계적 강도, 막 형성성 측면에서 불충분하다. 분자량이 이보다 클 경우에는 용제에 대한 용해성, 막 형성성 측면에서 바람직하지 못하다. R2 내지 R8은 이 화합물의 성질을 현저하게 손상하지 않는 한 특별히 제한되지 않고, 상기 화학식 (9)에서 나타낸 바와 같다.
본 발명에 의한 하기 화학식 (13) 또는 (14)로 표시되는 불소 함유 고분자 화합물은 상기 화학식 (4) 또는 (5)에 의한 중합성 단량체를 포함하는 방법으로 중합하여 얻은 고분자 화합물이다. 불소 원자를 함유하는 것에 의한 유리한 효과, 헥사플르오르이소프로판올 구조를 갖는 것에 의한 유리한 효과, 환상 구조, 특히 다환식 골격을 갖는 것에 의한 유리한 효과는, 상기 화학식 (1) 또는 (2)와 관련하여 나타낸 바와 같다. 다시 말해, 화학식 (13) 또는 (14)로 표시되는 반복 단위를 포함하는 것을 특징으로 하는 중량 평균 분자량 1,000 내지 1,000,000의 불소 함유 고분자 화합물이며, 분자량이 이보다 작을 경우에는 기계적 강도, 막 형성성 측면 에서 불충분하다. 분자량이 이보다 클 경우에는 용제에 대한 용해성, 막 형성성 측면에서 바람직하지 못하다. R2 , R3 , R4 및 R9 내지 R15는 이 화합물의 성질을 현저하게 손상하지 않는 한 특별히 제한되지 않고, 상기 화학식 (4) 또는 (5)에서 나타낸 바와 같다.
본 발명에 의한 하기 화학식 (15) 또는 (16)로 표시되는 불소 함유 고분자 화합물은 상기 화학식 (7) 또는 (8)에 의한 중합성 단량체를 포함하는 방법으로 중합하여 얻은 고분자 화합물이다. 불소 원자를 함유하는 것에 의한 유리한 효과, 헥사플르오르이소프로판올 구조를 갖는 것에 의한 유리한 효과, 환상 구조, 특히 다환식 골격을 갖는 것에 의한 유리한 효과는, 상기 화학식 (1) 또는 (2)와 관련하여 나타낸 바와 같다. 다시 말해, 화학식 (15) 또는 (16)으로 표시되는 반복 단위를 포함하는 것을 특징으로 하는 중량 평균 분자량 1,000 내지 1,000,000의 불소 함유 고분자 화합물이며, 분자량이 이보다도 작을 경우에는 기계적 강도, 막 형성성 측면에서 불충분하다. 분자량이 이보다 클 경우에는 용제에 대한 용해성, 막 형성성 측면에서 바람직하지 못하다. R2 , R3 및 R4는 이 화합물의 성질을 현저하게 손 상하지 않는 한 특별히 제한되지 않고, 상기 화학식 (7) 또는 (8)에서 나타낸 바와 같다.
본 발명에 의한 하기 화학식 (17)로 표시되는 반복 단위를 포함하는 것을 특징으로 하는 불소 함유 고분자 화합물은 상기 화학식 (13) 내지 (16)에 의한 중합성 단량체와 α-트리플르오르메틸아크릴산 에스테르를 포함하는 방법으로 중합하여 얻은 한 고분자 화합물이다. 환상 올레핀과 α-트리플르오르메틸아크릴산 에스테르의 공중합체는, 주쇄에 환상 구조를 포함하므로, 내열성이 우수하고, 기계적 강도나 Tg이 높은 재료가 된다. 또한, 공중합 반응에 있어서 결합되는 단량체의 선택이나 조성을 변화하여, 필요로 하는 물성을 갖도록 조정할 수 있다. 불소 원자를 함유하는 것에 의한 유리한 효과, 헥사플르오르이소프로판올 구조를 갖는 것에 의한 유리한 효과, 환상 구조, 특히 다환식 골격을 갖는 것에 의한 유리한 효과는, 상기 화학식 (1) 또는 (2)에 나타낸 바와 같다. 다시 말해, 화학식 (17)으로 표시되는 반복 단위를 포함하는 것을 특징으로 하는 중량 평균 분자량 1,000 내지 1,000,000의 불소 함유 고분자 화합물이며, 분자량이 이보다 작을 경우에는 기계적 강도, 막 형성성의 측면에서 충분하지 않다. 분자량이 이보다 클 경우에는 용제에 대한 용해성, 막 형성성 측면에서 바람직하지 못하다. R16은 이 화합물의 성질을 현저하게 손상하지 않는 한 특별히 제한되지 않는다. 이는 수소 원자, C1∼C25의 직쇄상, 분지상 또는 환상 알킬기이며, 불소 원자, 산소원자, 황 원자, 질소 원자, 히드록시기 또는 헥사플르오르카르비놀기를 포함할 수 있다.
본 발명에 의한 산 불안정기를 갖는 반복 단위를 포함하는 것을 특징으로 하는 고분자 화합물은, 산 불안정기를 갖는 중합성 단량체를 포함하는 방법으로 중합하여 얻은 고분자 화합물이거나, 고분자 화합물의 일부를 산 불안정기로 치환하여 얻은 고분자 화합물이다. 상기 산 불안정기의 예로서는, 광산 발생제(photoacid generater)나 가수 분해 등의 효과로 인해 제거할 수 있는 기라면 특별한 제한 없이 이용할 수 있다. 구체적으로 예로는, 알콕시카르보닐기, 아세탈기, 실릴기, 아실기 등을 들 수 있다. 상기 알콕시카르보닐기의 예로는, tert-부톡시카르보닐기, tert-아밀옥시카르보닐기, 메톡시카르보닐기, 에톡시카르보닐기, i-프로폭시카르보닐기 등을 들 수 있다. 아세탈기의 예로는, 메톡시메틸기, 에톡시에틸기, 부톡시에틸기, 사이클로헥실옥시에틸기, 벤질옥시에틸기, 펜에틸옥시에틸기, 에톡시프로필기, 벤질옥시프로필기, 펜에틸옥시프로필기, 에톡시부틸기, 에톡시이소부틸기 등을 들 수 있다. 또한, 히드록시기에 비닐 에테르를 첨가한 아세탈기를 이용할 수도 있다. 실릴기의 예로는, 트리메틸실릴기, 에틸디메틸실릴기, 메틸디에틸실릴기, 트리에틸실릴기, i-프로필디메틸실릴기, 메틸디-i-프로필실릴기, 트리-i-프로필실릴기, t-부틸디에틸실릴기, 메틸디-t-부틸실릴기, 트리-t-부틸실릴기, 페닐디메틸실릴기, 메틸디페닐실릴기, 트리페닐실릴기 등을 들 수 있다. 아실기의 예로는, 아세틸기, 프로피온일기, 뷰티릴기, 헵탄오일기, 헥산오일기, 발레릴기, 피발로일기, 이소발레일기, 라우로일기, 미리스토일기, 팔미토일기, 스테아로일기, 옥살릴기, 말론일기, 석신일기, 글루타릴기, 아디포일기, 피멜로일기, 수베로일기, 아제라오일기, 세바코일기, 아크릴로일기, 프로피올로일기, 메타크릴로일기, 크로톤오일기, 오레오일기, 말레오일기, 퓨마로일기, 메사콘오일기, 캄포로일기, 벤조일기, 프탈로일기, 이소프탈로일기, 테레프탈로일기, 나프토일기, 톨루오일기, 하이드라트로포일기, 아트로포일기, 신남오일기, 퓨로일기, 테노일기, 니코틴오일기, 이소니코틴오일기 등을 들 수 있다. 또한, 이러한 산 불안정기의 수소원자 일부 또는 전부가 불소원자로 치환된 것을 이용할 수도 있다.
산 불안정기를 이용하는 목적은 그 산 불안정기에 의한 포지티브형 감광성 및 파장 300 nm이하의 원자외선, 엑시머 레이저, X선 등의 고에너지 선 또는 전자선의 노광 후에 알칼리 수용액에서의 용해성을 얻기 위함이다. 그 작용기에서 불소 원자를 갖는 것은 투명성을, 환상 구조를 포함하는 것은 에칭 내성이나 높은 유리 전이점 등의 특성을 제공하기 위함이다. 본 발명의 응용 분야에 따라, 이들을 다르게 이용할 수 있다.
본 발명의 불소 함유 환상 화합물, 불소 함유 고분자 화합물에 있어서, 분자내에 포함되는 히드록시기의 일부 또는 전부를 보호기에 의해 보호할 수 있다. 보 호기의 종류나 보호율을 변경하여 분자의 극성을 변화, 조정하는 것이 가능하다. 이로 인해, 용제에서의 용해성, 기판에의 도포성, 표면 장력, 광산 발생제의 분산성, 산 확산 속도 등을 적절하게 할 수 있다. 상기 보호기는 C1∼C25의 직쇄상, 분지상 또는 환상 탄화수소기 혹은 방향족 탄화수소기이다. 보호기의 예로는, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, 사이클로프로필기, n-프로필기, iso-프로필기, sec-부틸기, tert-부틸기, n-펜틸기, 사이클로펜틸기, sec-펜틸기, 네오펜틸기, 헥실기, 사이클로헥실기, 에틸헥실기, 노르보넨기, 아다만틸기, 비닐기, 알릴기, 부텐일기, 펜텐일닐기, 에티닐기, 페닐기, 벤질기, 4-메톡시벤질기 등을 들 수 있다. 상기 작용기의 일부 또는 전부가 불소 원자로 치환된 것일 수도 있다. 또한, 산소 원자를 포함하는 것의 예로는, 알콕시카르보닐기, 아세탈기, 아실기 등을 들 수 있다. 알콕시카르보닐기의 예로는, tert-부톡시카르보닐기, tert-아밀옥시카르보닐기, 메톡시카르보닐기, 에톡시카르보닐기, i-프록시카르보닐기 등을 들 수 있다. 아세탈기의 예로는, 메톡시메틸기, 메톡시에톡시메틸기, 에톡시에틸기, 부톡시에틸기, 사이클로헥실옥시에틸기, 벤질옥시에틸기, 펜에틸옥시에틸기, 에톡시프로필기, 벤질옥시프로필기, 펜에틸옥시프로필기, 에톡시부틸기, 에톡시이소부틸기의 지환족 에테르와, 테트라하이드로퓨란기, 테트라하이드로피란일기 등의 환상 에테르를 들 수 있다. 아실기의 예로는, 아세틸기, 프로피온일기, 부티릴기, 헵탄오일기, 헥산오일기, 발레릴기, 피발로일기, 이소발레릴기, 라우로일기, 미리스토일기, 팔미토일기, 스테아로일기, 옥살릴기, 말론일기, 석신일기, 글루타릴기, 아디포일기, 피멜로일기, 수베로일기, 아제라오일기, 세바코일기, 아크릴로일기, 프로피올로일기, 메타크릴로일기, 크로콘오일기, 올레오일기, 말레오일기, 퓨마로일기, 메사톤오일기, 캄포로일기, 벤조일기, 프탈로일기, 이소프탈로일기, 테레프탈로일기, 나프토일기, 톨루오일기, 하이드라트로포일기, 아트로포일기, 신남오일기, 퓨로일기, 테노일기, 니코틴오일기, 이소니코틴오일기 등을 들 수 있다. 게다가, 상기 치환기의 수소 원자의 일부 또는 전부가 불소 원자로 치환된 것을 이용할 수도 있다.
또한, 상기 히드록시기 내에 산 불안정성 보호기를 도입할 수도 있다. 이를 레지스트에 이용할 경우, 노광 전후의 용해성을 조정하는 방법으로서 바람직하게 이용할 수 있다. 특히, 헥사플르오르프로판올기는 산성 히드록시기이며, 알카리성의 현상액에 대하여 용해가능한 기로 작용한다. 다시 말해서, 분자 내의 헥사플르오르이소프로판올기를 산 불안정성 보호기를 포함하는 분자에서 보호한 후에 광산 발생제와 혼합하여 레지스트를 제조하고, 이를 노광하여 알칼리 현상이 가능한 포지티브형 레지스트로 작용할 수 있게 한다.
본 발명의 불소 함유 환상 화합물과 불소 함유 고분자 화합물은 포지티브형, 네가티브형, 화학 증폭형 등 어느 형태의 레지스트 재료에 있어서도 유효하다. 용도에 따라 그 혼합량, 혼합 방법을 다르게 하여 이용할 수 있다.
본 발명의 불소 함유 고분자 화합물은, 상기 화학식 (1) 내지 (9)로 나타낸 불소 함유 환상 화합물을 단독 중합하거나, 그것을 포함하여 다른 것과 공중합하여 제조한 것이다. 이들은 상기 화학식 (10) 내지 (17)로 나타낸 것이며, 산 불안정 기를 갖는 반복 단위를 포함하는 것을 특징으로 하는 상기 화학식 (10) 내지 (17) 중의 어느 불소 함유 고분자 화합물이고, 분자 내에 포함되는 히드록시기의 일부 또는 전부가 보호기에 의해 보호되어 있는 것을 특징으로 하는 상기 화학식 (10) 내지 (17) 중의 어느 불소 함유 고분자 화합물이다.
본 발명의 불소 함유 환상 화합물과 공중합 가능한 단량체를 구체적으로 예시하면, 무수 말레인산, 아크릴산 에스테르, 불소 함유 아크릴산 에스테르, 메타크릴산 에스테르, 불소 함유 메타크릴산 에스테르, 스티렌계 화합물, 불소 -함유 스티렌계 화합물, 비닐 에테르, 불소 함유 비닐 에테르, 알릴 에테르, 불소 함유 알릴 에테르, 올레핀, 불소 함유 올레핀, 노르보넨 화합물, 불소 함유 노르보넨 화합물, 이산화황 및 비닐 실란으로부터 선택된 적어도 하나의 단량체와 공중합하는 것이 바람직하다.
본 발명에 따른 고분자 화합물의 중합 방법은 일반적으로 이용되는 방법이라면 특별히 제한되지 않지만, 라디칼 중합, 이온 중합 등이 바람직하다. 어떤 경우에는, 배위 음이온 중합, 리빙 음이온 중합, 양이온 중합, 개환 복분해 중합, 비닐렌 중합, 비닐 첨가 등을 이용할 수도 있다.
라디칼 중합은 라디칼 중합 개시제 또는 라디칼 개시원 존재 하에, 괴상 중합, 용액 중합, 현탁 중합 또는 유화 중합 등의 공지된 중합 방법에 의해, 회분식, 반연속식 또는 연속식으로 수행할 수 있다.
라디칼 중합 개시제는 특별히 제한되지 않는다. 예를 들면, 아조 화합물, 과산화 화합물, 레독스계 화합물이 있다. 특히, 아조비스부티로니트릴, t-부틸페록시피발레이트, 디-t-부틸페록사이드, i-부티릴페록사이드, 라우로일페록사이드, 과산화 숙신산, 디신나밀페록사이드, 디-n-프로필페록시디카보네이트, t-부틸페록시알릴 모노카보네이트, 과산화 벤조일, 과산화 수소, 과황산 암모늄 등이 바람직하다.
중합 반응에 이용되는 반응 용기는 특별히 제한되지 않는다. 또한, 중합 반응에서, 중합 용매를 이용할 수 있다. 중합 용매로서는, 라디칼 중합을 저해하지 않는 것이 바람직하다. 대표적인 것으로서는, 에틸 아세테이트, n-에틸 아세테이트 등의 에스테르계; 아세톤, 메틸 이소부틸 케톤 등의 케톤계; 톨루엔, 사이클로헥산 등의 탄화수소계; 메탄올, 이소프로필 알코올, 에틸렌 글리콜 모노에틸 에테르 등의 등의 알코올계 용매 등이 있다. 또한 물, 에테르계, 환상 에테르계, 불화탄화수소계, 방향족 등의 용매를 이용할 수도 있다. 이러한 용매는 단독 또는 적어도 2종 이상을 혼합하여 이용할 수 있다. 또한, 머캅탄 등과 같은 분자량 조정제를 병용할 수도 있다. 공중합 반응의 온도는 라디칼 중합 개시제 또는 라디칼 중합 개시원에 의해 적절하게 변경된다. 일반적으로, 20 내지 200℃가 바람직하고, 30 내지 140℃가 특히 바람직하다.
한편, 개환 복분해 중합은 공촉매 존재 하에 전이 금속 촉매를 이용하여 수행할 수 있다.
중합 촉매는 특별히 제한되는 것이 아니다. 예를 들면, 티타늄계, 바나듐계, 몰리브덴계, 텅스텐계 촉매가 있고, 특히, 염화 티타늄, 염화 바나듐, 바나듐 트리아세틸아세토나토, 바나듐 비스아세틸아세토나토디클로라이드, 염화 몰리브덴, 염화 텅스텐 등이 바람직하다. 촉매 량은 사용되는 단량체에 대하여 10 mol％ 내지 0.001 mol％의 범위이고, 1 mol% 내지 0.01 mol％의 범위가 바람직하다.
공촉매의 예로는, 알킬알루미늄, 알킬틴 등을 들 수 있다. 특히, 트리메틸알루미늄, 트리에틸알루미늄, 트리프로필알루미늄, 트리이소프로필알루미늄, 트리이소부틸알루미늄, 트리-2-메틸부틸알루미늄, 트리-3-메틸부틸알루미늄, 트리-2-메틸펜틸알루미늄, 트리-3-메틸펜틸알루미늄, 트리-4-메틸펜틸알루미늄, 트리-2-메틸헥실알루미늄, 트리-3-메틸헥실알루미늄, 트리옥틸알루미늄 등의 트리알킬알루미늄류; 디메틸알루미늄 클로라이드, 디에틸알루미늄 클로라이드, 디이소프로필알루미늄 클로라이드, 디이소부틸알루미늄 클로라이드 등의 디알킬알루미늄 할라이드류; 메틸알루미늄 클로라이드, 에틸알루미늄 클로라이드, 에틸알루미늄 디아이도인, 프로필알루미늄 디클로라이드, 이소프로필알루미늄 클로라이드, 부틸알루미늄 디클로라이드, 이소부틸알루미늄 디클로라이드 등의 모노알킬알루미늄 할라이드류; 메틸알루미늄 세스키클로라이드, 에틸알루미늄 세스키클로라이드, 프로필알루미늄 세스키클로라이드, 이소부틸알루미늄 세스키클로라이드 등의 알킬알루미늄 세스키클로라이드류 등의 알루미늄계와, 테트라-n-부틸틴, 테트라페닐틴, 트리페닐틴 등을 예 로 들 수 있다. 공촉매량은 전이 금속 촉매에 대한 몰비로, 100 당량 이하, 바람직하게는 30 당량 이하의 범위이다.
또한, 중합 용매는 중합 반응을 저해하지 않는 한 충분하다. 대표적인 것으로서, 벤젠, 톨루엔, 자일렌, 클로로벤젠, 디클로로벤젠 등의 방향족 탄화수소계; 헥산, 헵탄, 사이클로헥산 등의 탄화수소계; 사염화탄소, 클로로폼, 염화 메틸렌, 1,2-디클로로에탄 등의 할로겐화 탄화수소 등을 예시할 수 있다. 또한, 이러한 용매는 단독 또는 적어도 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다. 반응 온도는, 통상은 -70 내지 200℃가 바람직하고, 특히 -30 내지 60℃가 바람직하다.
비닐렌 중합은, 공촉매 존재 하에, 철, 니켈, 로듐, 팔라듐, 백금 등의 전이 금속 촉매나, 지르코늄, 티타늄, 바나듐, 크롬, 몰리브덴, 텅스텐 등의 금속 촉매를 이용하여 공지된 방법으로 수행할 수 있다.
중합 촉매는 특별히 제한되지 않는다. 예를 들면, 특히, 염화철(II), 염화 철(III), 브롬화철(II), 브롬화철(III), 아세트산철(II), 아세틸아세트산철(III), 페로센, 니켈로센, 아세트산니켈(II), 브롬화니켈, 염화니켈, 아세트산 디클로로헥실니켈, 유산니켈(nickel lactate), 산화니켈, 테트라플르오르붕산염 니켈, 비스(알릴)니켈, 비스(사이클로펜타디에닐)니켈, 니켈(II) 헥사플르오르아세틸아세토나토디하이드레이트, 니켈(II) 아세틸아세토나토테트라하이드레이트, 염화로듐(III), 로듐 트리스(트리페닐포스핀)트리클로라이드, 팔라듐(II) 비스(트리플르오르아세테이트), 팔라듐(II) 비스(아세틸아세토나토), 팔라듐(II) 2-에틸헥사노네이트, 브롬화팔라듐(II), 염화팔라듐(II), 요오드팔라듐(II), 산화팔라듐(II), 모노아세토니 토릴트리스(트리페닐포스핀)팔라듐(II) 테트라플르오르보레이트, 테트라키스(아세토니토릴)팔라듐(II) 테트라플르오르보레이트, 디클로로비스(아세토니토릴)팔라듐(II), 디클로로비스(트리페닐포스핀)팔라듐(II), 디클로로비스(벤조니토릴)팔라듐(II), 팔라듐 아세틸아세토나토, 팔라듐 비스(아세토니트릴)디클로라이드, 팔라듐 비스(디메틸설폭사이드)디클로라이드 및 팔라듐 비스(트리에틸포스핀)하이드로브로마이드 등의 전이 금속이나, 염화 바나듐(IV), 바나듐 트리스아세틸아세토나토, 바나듐 비스아세틸아세토나토디클로라이드, 트리메톡시(펜타메틸사이클로펜타디에닐) 티타늄(IV), 비스(사이클로펜타디에닐)티타늄 디클로라이드, 비스(사이클로펜타디에닐)지크로늄 디클로라이드 등의 전이 금속이 바람직하다. 촉매량은, 사용되는 단량체에 대하여 10 mol％ 내지 0.001 mol%이고、바람직하게는, 1 mol％ 내지 0.01 mol％이다.
공촉매의 예로는, 알킬알루미녹산, 알킬알루미늄 등을 들 수 있다. 특히, 메틸알루미녹산(MAO)이나, 트리메틸알루미늄, 트리에틸알루미늄, 트리프로필알루미늄, 트리이소프로필알루미늄, 트리이소부틸알루미늄, 트리-2-메틸부틸알루미늄, 트리-3-메틸부틸알루미늄, 트리-2-메틸펜틸알루미늄, 트리-3-메틸펜틸알루미늄, 트리-4-메틸펜틸알루미늄, 트리-2-메틸헥실알루미늄, 트리-3-메틸헥실알루미늄, 트리옥틸알루미늄 등의 트리알킬알루미늄류; 디메틸알루미늄 클로라이드, 디에틸알루미늄 클로라이드, 디이소프로필알루미늄 클로라이드, 디이소부틸알루미늄 클로라이드 등의 디알킬알루미늄 할라이드류; 메틸알루미늄 디클로라이드, 에틸알루미늄 디클로 라이드, 에틸알루미늄 디요오드, 프로필알루미늄 디클로라이드, 이소프로필알루미늄 디클로라이드, 부틸알루미늄 디클로라이드, 이소부틸알루미늄 디클로라이드 등의 모노알킬알루미늄 할라이드류; 메틸알루미늄 세스키클로라이드, 에틸알루미늄 세스키클로라이드, 프로필알루미늄 세스키클로라이드, 이소부틸알루미늄 세스키클로라이드 등의 알킬알루미늄 세스키클로라이드류 등을 들 수 있다. 공촉매량은, 메틸알루미녹산의 경우, 알루미늄 환산으로 50 내지 500 당량이다. 다른 알킬알루미늄의 경우, 전이 금속 촉매에 대하여 몰 비로, 100 당량 이하, 바람직하게는 30 당량 이하의 범위이다.
또한, 중합 용매로서는 중합 반응을 저해하지 않으면 충분하다. 대표적인 것으로서, 벤젠, 톨루엔, 자일렌, 클로로벤젠, 디클로로벤젠 등의 방향족 탄화수소계; 헥산, 헵탄, 사이클로헥산 등의 탄화수소계; 사염화탄소, 클로로폼, 염화 메틸렌, 1,2-디클로로에탄 등의 할로겐화 탄화수소 등을 예시할 수 있다. 또한, 이러한 용매는 단독 또는 적어도 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다. 반응 온도는, 통상은 -70 내지 200℃가 바람직하고, 특히 -40 내지 80℃가 바람직하다.
본 발명에 의한 고분자 화합물의 용액 또는 분산액으로부터 유기 용매 또는 물을 제거하는 방법으로서, 재침전, 여과, 감압 하에 열 증류 등의 공정이 가능하다.
본 발명에 의한 불소 함유 고분자 화합물을 박막으로 형성하는 방법으로는,예를 들면, 유기 용매에 용해시켜서 도포하고 건조하는 방법을 이용할 수 있다. 사용하는 유기 용매로는, 고분자 화합물이 가용성이면 특별히 제한되지 않는다. 아세톤, 메틸 에틸 케톤, 사이클로헥사논, 메틸 이소아밀 케톤, 2-헵타논 등의 케톤류; 에틸렌 글리콜, 에틸렌 글리콜 모노아세테이트, 디에틸렌 글리콜, 디에틸렌 글리콜 모노아세테이트, 프로필렌 글리콜, 프로필렌 글리콜 모노아세테이트, 디프로필렌 글리콜 또는 디프로필렌 글리콜 아세테이트의 모노메틸 에테르, 모노에틸 에테르, 모노프로필 에테르, 모노부틸 에테르 및 이들의 유도체; 디옥산 등의 환식 에테르류; 락트산 메틸, 락트산 에틸, 아세트산 메틸, 아세트산 에틸, 아세트산 부틸, 피르빈산 메틸, 피르빈산 에틸, 메톡시프로피온산 메틸, 에톡시프로피온산 에틸 등의 에스테르류; 자일렌, 톨루엔 등의 방향족계 용매; 프레온, 대체 프레온, 퍼플루오르 화합물, 헥사플루오르이소프로필 알코올 등의 불소계 용매; 및 도포성을 높이는 목적으로 비등점이 높고, 약한 용매인 테르펜계 석유 나프타 용매나 파라핀계 용매 등을 이용할 수 있다. 이들은 단독 또는 2종 이상을 혼합하여 이용할 수 있다.
본 발명에 의한 레지스트 재료는 산의 작용에 의해 알칼리 수용액에 대한 용해성을 변화시키는 용해 억제제와 고분자 화합물 모두를 포함하는 것이나, 고분자 화합물에 용해 억제제가 포함된 것이다. 이들은 특히, 포지티브형 레지스트 재료에 적합하다. 최근의 반도체의 미세화에 대응한 248 nm KrF 또는 193 nm ArF 엑시 머 레이저 또는 진공 자외 영역(전형적으로, 157 nm)의 F2 레이저용 포지티브형 레지스트, 전자빔 레지스트, X선용 레지스트에도 매우 적합하다. 즉, 산의 작용에 의해 알칼리성 수용액에 대한 용해성을 변화시키는 용해 억제제는 헥사플르오르카르비놀기의 적어도 하나가 산 불안정기가 되도록 한 것이다. 그 구조는 특별한 제한 없이 이용할 수 있다. 일반적인 산 불안정기는 상술한 산 불안정기이고, 산에 의해 분리되는 작용기이다. 이러한 용해 억제제를 이용한 고분자 화합물은 고에너지선이 조사되기 전에는 알칼리성 수용액에 불용성이거나 난용성이다. 고에너지선을 조사한 것에 의해 광산 발생제로부터 생성된 산에 의해 가수분해되고 알칼리성 수용액에 대해서 용해성을 나타내게 된다.
본 발명의 레지스트 재료에 이용되는 광산 발생제는 특별히 제한되지 않고, 화학 증폭형 레지스트의 산 발생제로 이용되는 것 중에서 임의적으로 선택하여 이용할 수 있다. 이러한 광산 발생제의 예로는 비스설포닐디아조메탄류, 니트로벤질 유도체류, 오늄 염류, 할로겐-함유 트리아진 화합물류, 시아노기-함유 옥심설포네이트 화합물류, 그 외의 옥심설포네이트 화합물 등을 들 수 있다. 이 광산 발생제는 단독 또는 2종 이상을 혼합하여 이용할 수 있다. 그 함유량은 고분자 화합물 100 중량부에 대해서, 통상 0.5 내지 20 중량부 범위에서 선택된다. 만일 이 양이 0.5 중량부 미만이면, 상 성형성이 불충분하고, 20 중량부를 초과하면 균일한 용액이 형성되기 어렵고, 이로 인해 보존 안정성이 저하되는 경향이 있다.
본 발명의 레지스트 재료의 이용 방법으로, 종래 포토레지스트 기술의 레지 스트 패턴 형성 방법을 이용할 수 있다. 즉, 우선 실리콘 웨이퍼 등의 기판에, 레지스트 재료의 용액을 스피너 등을 이용하여 도포한 후, 건조하여 감광층을 형성한다. 이를 노광 장치 등에 의한 고에너지선에 원하는 마스크 패턴을 통해 노광한 후, 가열한다. 이를 현상액, 예를 들면 0.1 내지 10 중량% 테트라메틸암모늄 수산화물 수용액과 같은 알칼리성 수용액 등을 이용하여 현상 처리한다. 이 형성 방법으로 마스크 패턴에 알맞은 패턴을 얻을 수 있다. 또한, 필요하다면, 레지스트 재료와 혼화될 수 있는 첨가물, 예를 들면 첨가 수지, 소광제, 가소제, 안정제, 착색제, 계면활성제, 점착제, 레벨링제, 소포제, 상용화제, 접착 증진제, 산화 방지제 등 여러 가지 첨가제를 포함할 수 있다.
본 발명에 이용되는 고에너지선은 특별히 제한되지 않지만, 특히 미세 가공을 수행하는 경우에, F2 엑시머 레이저, ArF 엑시머 레이저, KrF 엑시머 레이저 또는 연성 X선 등 단파장의 고에너지선의 발생원을 구비한 노광 장치를 이용하는 것이 유효하다. 또한, 광로의 일부에 물이나 불소계의 용매 등의 이용하는 고에너지선의 흡수가 적은 매질을 이용하여 개구수와 유효 파장에서 보다 효율적인 미세 가공을 가능하게 하는 액침 노광 장치를 이용하는 것이 유효하다. 본 레지스트 재료를 이 장치에 이용하는 경우에도 적합하다.
본 발명에 의한 상기 화학식 (10) 내지 (17)로 나타낸 불소 함유 고분자 화 합물, 산 불안정기를 가진 반복 단위를 포함하는 것을 특징으로 하는 상기 화학식 (10) 내지 (17)의 불소 함유 고분자 화합물과, 분자 내에 포함되는 히드록시기의 일부 또는 전부가 보호기에 의해 보호되는 것을 특징으로 하는 상기 화학식 (10) 내지 (17)의 불소 -함유 고분자 화합물은, 반도체 소자용 패키지 재료로서 매우 적합하게 이용할 수 있다. 반도체 소자용 패키지 재료에는, 실링 재료 및 오버코트 재료가 대표적이다. 오버코트 재료로서는 버퍼 코트막, 부동화막 및 이들의 보호막이 대표적이다. 본 발명의 불소 함유 고분자 화합물은 분자 내에 환상 구조를 가지므로, 내열성이 높고, 헥사플르오르이소프로판올 구조에서 유래하는 양호한 용매 용해성을 가져 도포성이 뛰어나고, 막 형성성이나 성형성에도 뛰어나 분자 내에 포함되는 치환기의 종류나 공중합하는 단량체의 종류, 그 조성, 혼합하는 다른 재료와의 배합비, 경화제의 종류 등에 의해 각 용도에 알맞은 물성을 얻을 수 있다.
본 발명에 의한 불소 함유 고분자 화합물에서, 반도체 소자용 패키지 재료로서 매우 적합한 분자량은 Mw 1,000 내지 1,000,000, 바람직하게는 Mw 10,000 내지 500,000의 범위이다. 만일 분자량이 과도하게 작으면 실링재나 보호막의 기계적 강도가 저하하여 결함이 발생하기 쉽다. 또한, 분자량이 과도하게 크면 용제에의 용해성이 저하되거나 막 형성성이나 성형성이 저하되어, 재료 본래의 성능을 충분히 발휘할 수가 없다. 또, 반도체 소자용 패키지 재료에는 적어도 100℃ 이상의 Tg가 필요하고, 150℃ 이상인 것이 바람직하고, 200℃ 이상인 것이 보다 바람직하다. 보다 높은 Tg를 갖기 위해서는, 본 발명의 불소 함유 고분자 화합물을 경화제와 함 께 열처리, 또는 광조사하여 가교 구조를 형성하는 것이 효과적이다. 상기 경화제의 예로는, 유기 과산화물, 이소시아네이트류, 멜라민류, 에폭시류, 폴리아민류, 산무수물류, 다가 페놀류 등을 들 수 있다. 경화 촉매, 경화 조제, 반응성 희석제, 가교제나 사슬 연장제와 혼합하여 이용하는 것도 바람직하다. 경화 방법은 특별히 제한되지 않는다. 열, 빛, 방사선 등 공지된 방법을 이용할 수 있다. 예를 들면, 반도체를 실링하는 경우에, 빛의 투과성의 관점에서, 빛보다 열에 의한 경화를 이용하는 것이 바람직하다. 또한, 화학적, 기계적 또는 전기적 특성을 개선하는 목적으로, 충전제나 다른 수지와 혼합할 수 있고, 이를 이용하는 것은 바람직하다. 반도체 소자를 패키지하는 방법으로는, 공지된 방법을 이용하고 특별히 제한되지 않는다. 예를 들면, 이송 성형법(transfer molding method)에 의한 실링, 포팅(potting)법에 의한 실링, 스핀 코팅, 롤 코팅, 디핑(dipping) 등에 의한 박막 형성 방법을 들 수 있다.
본 발명의 실시 양태는 하기 실시예에 의해 구체적으로 설명될 것이지만, 본 발명은 이에 한정되는 것은 아니다.
실시예
1: 화합물
2
의 합성
SUS에서 제조한 50 ml 고압 멸균기에, 2-아세틸-5-노르보넨 1 (37.0 g), 진한 황산(0.17 g)을 넣고 밀봉하였다. 이것에 헥사플르오르아세톤(65.0 g)의 질량을 재어 넣은 후, 60℃의 오일 배스에서 가열하고 23 시간 교반하였다. 반응 종료 후, 고압 멸균기를 냉각하고, 내용물에 포화 중탄산나트륨 용액을 첨가하고, 톨루엔을 첨가하여 추출하였다. 유기상을 포화 식염수로 세척한 후에 농축하고, 감압 증류하여 무색 투명 액체 23.4 g를 얻었다. 이를 적외선 흡수 스펙트럼(IR), 핵자기 공명 스펙트럼(NMR) 및 가스 크로마토그래피 질량 분석기(GC-MS)로 분석하였다. 이 결과, 화합물 2 의 2종의 이성질체(이성질체 1 및 이성질체 2)의 혼합물이었다. 이성질체 비는, 이성질체 1：이성질체 2 = 75：25이었다.
물성 데이터
화합물 2
IR (cm-1): (이성질체 1 및 이성질체 2의 혼합물): 3294, 3069, 2979, 2947, 2877, 1697, 1448, 1273, 1240, 1198, 1164, 1149, 1099, 1033, 979, 709, 636
1H-NMR(TMS,CDCl3): (이성질체 1): 1.36(m, 1H), 1.52(m, 2H), 1.83(m, 1H), 2.94(q, 2H), 2.97(brs, 1H), 3.14(m, 1H), 3.28(brs, 1H), 5.84(dd,1H), 6.22(dd, 1H), 6.99(s, 1H),
(이성질체 2): 1.31(m, 1H), 1.52(m, 2H), 1.95(m, 1H), 2.97(brs, 1H), 3.00(brs, 1H), 3.06(brs, 1H), 3.14(m, 1H), 6.14(dd,1H), 6.22(dd, 1H), 7.05(s, 1H)
19F-NMR(CFCl3, CDCl3): (이성질체 1): -78.82(q, 3H), -78.63(q, 3H), (이성질체 2): -78.82(q, 3H), -78.63(q, 3H)
GC-MS(EI): (이성질체 1): m/e 302(M+), 237, 217, (이성질체 2): m/e 302(M+), 237, 217
실시예 2: 화합물
3
의 합성
환류 냉각기, 교반자를 구비한 100 ml 둥근 바닥 플라스크에, 화합물 2 (5.2 g)와 에틸 알코올(25 ml)을 넣어 실온에서 교반하면서 NaBH4(0.3 g)를 첨가한 후, 실온에서 30분 동안 교반하였다. 반응 종료 후, 내용물을 희염산(100 ml)에 첨가한 후에, 디이소프로필 에테르(200 ml)를 첨가하여 추출하였다. 두 개의 층을 분리하고, 유기층만을 포화 중탄산나트륨 용액, 포화 식염수로 세척하였다. 결과로 얻은 용액을 농축한 후, n-헵탄으로 재결정하여 백색 결정(2.2 g)을 얻었다. 이를 적외선 흡수 스펙트럼(IR), 핵자기 공명 스펙트럼(NMR) 및 가스 크로마토그래피 질량 분석기(GC-MS)로 분석하였다. 이 결과, 화합물 3 의 4종의 이성질체(이성질체 1 ~ 4)의 혼합물이었다. 이성질체 비는, 이성질체 1：이성질체 2：이성질체 3：이성질체 4 = 64：19：11：6이었다.
물성 데이터
화합물 3
IR (cm-1):(이성질체 1, 2, 3 및 4의 혼합물): 3425, 3068, 2979, 2933, 2908, 2868, 1314, 1281, 1225, 1202, 1166, 1151, 1140, 1052, 1042, 1004, 979, 719
1H-NMR(TMS, CDCl3): (이성질체 1): 0.52(m, 1H), 1.28-1.53(m, 2H), 1.83-2.39 (m, 5H), 2.60-2.99(m, 2H), 3.61(t, 1H), 6.01(dd, 1H), 6.22(s, 1H), 6.27(dd, 1H), (이성질체 2): 0.93(m, 1H), 1.28-1.53(m, 2H), 1.83-2.39 (m, 5H), 2.60-2.99(m, 2H), 3.71(t, 1H), 5.91(dd, 1H), 6.13(s, 1H), 6.27(dd, 1H), (이성질체 3): 0.52(m, 1H), 1.28-1.53(m, 2H), 1.83-2.39 (m, 5H), 2.60-2.99(m, 2H), 4.05(t, 1H), 6.11(dd, 1H), 6.27(s, 1H), 6.27(dd, 1H), (이성질체 4): 1.03(m, 1H), 1.28-1.53(m, 2H), 1.83-2.39 (m, 5H), 2.60-2.99(m, 2H), 3.95(t, 1H), 6.27(s, 1H), 6.27(m, 2H)
19F-NMR(CFCl3, CDCl3): (이성질체 1, 2, 3 및 4의 혼합물): -80.01(q, 3H), -76.08(q, 3H)
GC-MS(EI): (이성질체 1): m/e 304(M+), 286(-H2O), 267(-H2O,-F), 237, (이성질체 2): m/e 304(M+), 286(-H2O), 267(-H2O,-F), 237, (이성질체 3): m/e 304(M+), 286(-H2O), 267(-H2O,-F), 237, (이성질체 4): m/e304(M+), 286(-H2O), 267(-H2O,-F), 237
실시예
3 : 화합물
4
의 합성
환류 냉각기, 교반자를 구비한 100 ml 둥근 바닥 플라스크에, 2-아세틸-5-노르보넨 1 (64 g), 활성 탄소에 5 wt% 팔라듐을 입힌 촉매(Pd/C)(3.4 g), 메틸 알코올(200 ml)을 넣었다. 플라스크 내부를 수소 대기로 바꾸고, 실온에서 14시간 교반하였다. 반응 종료 후, 내용물을 세라이트로 여과하고, 여과액을 감압 증류하여 화합물 4 (53.3 g)를 얻었다.
실시예
4: 화합물
5
의 합성
SUS에서 제조한 50 ml 고압 멸균기에, 화합물 4 (50.0g), 진한 황산(0.41 g)을 넣고 밀봉하였다. 이것에 헥사플르오르아세톤(73.0g)의 질량을 재어 넣고 60℃의 오일 배스에서 가열하고 41시간 교반하였다. 반응 종료 후, 고압 멸균기를 냉각한 후, 내용물에 포화 중탄산나트륨 용액을 첨가하고, 디이소프로필 에테르(200 ml)를 첨가하여 추출하였다. 2층으로 분리하고 유기층만을 포화 식염수로 세척하였다. 결과로 얻은 용액을 농축한 후, 감압 증류하여 무색 투명 액체(92.4 g)를 얻었다. 이를 적외선 흡수 스펙트럼(IR), 핵자기 공명 스펙트럼(NMR) 및 가스 크로마토그래피 질량 분석기(GC-MS)로 분석하였다. 그 결과, 화합물 5 의 2종 이성질체(이성질체 1 및 이성질체 2)의 혼합물이었다. 이성질체 비는, 이성질체 1：이성질체 2 = 70：30이었다.
물성 데이터
화합물 5
IR(cm-1): (이성질체 1 및 2의 혼합물): 3301, 2960, 2877, 1696, 1455, 1367, 1322, 1273, 1238, 1194, 1163, 1027, 977, 719, 697, 651
1H-NMR(CDCl3): (이성질체 1): 1.10-1.70(m, 7H), 1.91(m, 1H), 2.35(t, 1H), 2.50(m, 2H), 2.91(d, 1H), 3.01(d, 1H), 7.07(s, 1H), (이성질체 2): 1.10-1.70(m, 7H), 1.73(m,1H), 2.32(t, 1H), 2.65(t, 1H), 2.81(d, 1H), 2.95(m, 1H), 3.01(d, 1H), 7.06(s, 1H)
19F-NMR(CFCl3, CDCl3): (이성질체 1): -78.82(q, 3H), -78.65(q, 3H), (Isomer 2): -79.07(q, 3H), -78.49(q, 3H)
GC-MS(EI): (이성질체 1): m/e 304(M+), 286(-H2O), 263, 237, (이성질체 2): m/e 304(M+), 286(-H2O), 263, 237
실시예
5: 화합물
6
의 합성
SUS에서 제조한 1,000 ml 고압 멸균기에, 화합물 5 (91.0 g), 활성 탄소에 5 wt% 루테늄을 입힌 촉매(Ru/C)(9.1 g), 디이소프로필 에테르(300 ml)를 넣어 밀봉하였다. 고압 멸균기 내부를 감압한 후, 100℃의 오일 배스에서 가열하였다. 그 후, 고압 멸균기에 수소를 도입하였다. 고압 멸균기 내의 압력이 항상 0.7 내지 1.0 Mpa가 될 수 있도록 도입하는 수소의 양을 조절하면서 14시간 동안 교반하였다. 반응 종료 후, 내용물을 세라이트로 여과하여, 여과액을 농축하였다. 이것을 n-헵탄으로 재결정하여 백색 결정(82.7 g)을 얻었다. 이것을 적외선 흡수 스펙트 럼(IR), 핵자기 공명 스펙트럼(NMR) 및 가스 크로마토그래피 질량 분석기(GC-MS)로 분석하였다. 그 결과, 화합물 6 의 4종의 이성질체(이성질체 1 내지 4)의 혼합물이었다. 이성질체 비는, 이성질체 1：이성질체 2：이성질체 3：이성질체 4 = 37：36：17：10이었다.
물성 데이터
화합물 6
IR(cm-1): (이성질체 1, 2, 3 및 4의 혼합물): 3448, 3093, 2958, 2915, 2867, 1457, 1281, 1227, 1204, 1162, 1152, 1138, 1051, 1019, 994, 930, 850, 716, 671
1H-NMR(CDCl3): (이성질체 1): 0.90-2.42(m, 14H), 3.89(t, 1H), 6.33(s, 1H), (이성질체 2): 0.90-2.42(m, 14H), 3.75(t, 1H), 6.33(s, 1H), (이성질체 3): 0.90-2.42(m, 14H), 4.00(t, 1H), 6.29(s, 1H), (이성질체 4): 0.90-2.42(m, 14H), 4.03(t, 1H), 6.44(s, 1H)
19F-NMR(CFCl3, CDCl3): (이성질체 1): -79.98(q, 3H), -76.08(q, 3H), (이성질체 2): -80.00(q, 3H), -75.99(q, 3H), (이성질체 3): -80.00(q, 3H), -76.02(q, 3H), (이성질체 4): -79.93(q, 3H), -75.99(q, 3H)
GC-MS(EI): (이성질체 1): m/e 306(M+), 288(-H2O), 260, 237), (이성질체 2): m/e 306(M+), 288(-H2O), 260, 237, (이성질체 3): m/e 306(M+), 305, 288(- H2O), 260, 237, (이성질체 4): m/e 306(M+), 304, 288(-H2O), 259, 246
실시예
6: 화합물
7
의 합성
환류 냉각기, 교반자를 구비한 1,000 ml 둥근 바닥 플라스크에, 화합물 6 (64.9g), 메타크릴산 무수물(36.0 g), 메탄설폰산(5.3 g), 톨루엔(325 ml)을 넣었다. 이것을 90℃의 오일 배스에서 가열하고 3시간 교반하였다. 반응 종료 후, 반응 용액을 포화 중탄산나트륨 용액에 첨가하고, 톨루엔 500 ml를 첨가하여 추출하였다. 2층으로 분리하고 유기층만을 포화 식염수로 세척한 후, 페노티아진(0.33 g)을 첨가하였다. 결과로 얻은 용액을 농축하고, 감압 증류하여 무색 투명 액체 63.2 g를 얻었다. 이것을 적외선 흡수 스펙트럼(IR), 핵자기 공명 스펙트럼(NMR) 및 가스 크로마토그래피 질량 분석기(GC-MS)로 분석하였다. 그 결과, 화합물 7 의 4종의 이성질체의 혼합물이었다. 이성질체 비는, 이성질체 1：이성질체 2：이성질체 3：이성질체 4 = 38：34：17：11이었다.
물성 데이터
화합물 7
IR(cm-1): (이성질체 1, 2, 3 및 4의 혼합물): 3301, 2955, 2874, 1688, 2634, 1455, 1203, 1171, 1143, 1050, 1022, 1009, 946, 815, 715, 660
1H-NMR(CDCl3): (이성질체 1): 0.75-1.55(m, 8H), 1.75(m, 1H), 1.95(t, 3H), 2.09-2.45 (m, 4H), 4.91(m, 1H), 5.67(m, 1H), 6.18(m, 1H), 6.21(s, 1H), (이성질체 2): 0.75-1.55(m, 8H), 1.75(m, 1H), 1.97(t, 3H), 2.09-2.45(m, 4H), 4.82(m, 1H), 5.57(s, 1H), 5.67(m, 1H), 6.18(m, 1H), (이성질체 3): 0.75-1.55(m, 8H), 1.75(m, 1H), 1.96(t, 3H), 2.09-2.45(m, 4H), 4.98(m, 1H), 5.67(m, 1H), 6.05(s, 1H), 6.18(m, 1H), (이성질체 4): 0.75-1.55(m, 8H), 1.75(m, 1H), 1.96(t, 3H), 2.09-2.45(m, 4H), 5.11(m, 1H), 5.67(m, 1H), 5.80(s, 1H), 6.18(m, 1H)
19F-NMR(CFCl3, CDCl3): (이성질체 1): -79.29(q, 3H), -77.00(q, 3H), (이성질체 2): -79.09(q, 3H), -77.14(q, 3H), (이성질체 3): -79.00(q, 3H), -77.34(q, 3H), (이성질체 4): -79.09(q, 3H), -77.65(q, 3H)
GC-MS(EI): (이성질체 1): m/e 374(M+), 359, 314, 305(-CF3), 288, (이성질체 2): m/e 374(M+), 359, 333, 316, 305(-CF3), (이성질체 3): m/e 374(M+), 356(-H2O), 305(-CF3), 288, (이성질체 4): m/e 374(M+), 356(-H2O), 305(-CF3), 288
실시예
7: 고분자 화합물
8
의 합성
환류 냉각기, 교반자를 구비한 100 ml 둥근 바닥 플라스크에, 화합물 2 (12.1 g), t-부틸 α-트리플르오르메틸아크릴레이트(7.9 g), 아조비스이소부티로니트릴(AIBN)(0.44 g), n－아세트산 부틸(1.0 ml)을 넣은 후, 플라스크 내부를 질소로 치환하였다. 이것을 60℃의 오일 배스에 가열하고 18시간 교반하였다. 반응 종료 후, n-헥산(600 ml)에 첨가하고 교반한 후 생성한 침전물을 꺼내었다. 이것을 55℃에서 18시간 건조하여, 백색 고체의 고분자 화합물 8 (9.6 g)을 얻었다. 분자량은 GPC(표준 폴리스티렌)로부터 결정하였다. 그 결과는 표 1에 나타내었다.
실시예
8 : 고분자 화합물
9
의 합성
환류 냉각기, 교반자를 구비한 50 ml 둥근 바닥 플라스크에, 화합물 3 (1.5 g), t-부틸 α-트리플루오르메틸아크릴레이트(1.0 g), AIBN(0.20 g), n－아세트산 부틸(1.0 ml)을 넣고, 플라스크 내부를 질소로 치환하였다. 이것을 60℃의 오일 배스에서 가열하고 18시간 교반하였다. 반응 종료 후, 이를 n-헥산(120 ml)에 첨가한 후, 교반한 후 결과로 얻은 침전물을 꺼냈다. 이를 55℃에서 18시간 건조하여, 백색 고체의 고분자 화합물 9 (1.3 g)를 얻었다. 분자량은 GPC(표준 폴리스티렌)로부터 결정하였다. 그 결과를 표 1에 나타냈다.
실시예
9 : 고분자 화합물
10
의 합성
환류 냉각기, 교반자를 갖춘 300 ml의 둥근 바닥 플라스크에, 화합물 7 (10.0g), 메틸아다만틸메타크릴레이트(6.3 g), AIBN(0.35 g), 메틸 에틸 케톤(82 ml), n-도데실머캅탄(0.22 g)을 넣은 후, 플라스크 내부를 질소로 치환하였다. 이를 70℃의 오일 배스에서 가열하고 18시간 교반하였다. 반응 종료 후, n-헥산(600 ml)에 첨가하고 교반한 후 결과로 얻은 침전물을 꺼냈다. 이를 55℃로 18시간 건조하여, 백색 고체의 고분자 화합물 10 (11.7 g)을 얻었다. 분자량은 GPC(표준 폴리스티렌)으로부터 결정되었다. 그 결과를 하기 표 1에 나타내었다.
실시예
10: 고분자 화합물 11, 12의 합성
환류 냉각기, 교반자를 구비한 300 ml 둥근 바닥 플라스크에, 화합물 7 (10.0g), AIBN(0.18 g), 메틸 에틸 케톤(50 ml), n-도데실머캅탄(0.11 g)을 넣은 후, 플라스크 내부를 질소로 치환하였다. 이를 70℃의 오일 배스로 가열하고 18시간 교반하였다. 반응 종료 후, n-헥산(430 ml)에 첨가하고 교반하였다. 결과로 얻은 침전물을 꺼냈다. 이를 55℃에서 18시간 건조하여, 백색 고체의 고분자 화합물 11 (8.7 g)을 얻었다. 분자량은 GPC(표준 폴리스티렌)으로부터 결정되었다. 그 결과를 표 1에 나타내었다.
그 후에, 환류 냉각기, 교반자를 구비한 100 ml 둥근 바닥 플라스크에, 고분자 화합물 11 (2.0 g), 탈수 테트라히드로퓨란(30 ml)을 넣은 후 용해하였다. 플라스크 내부를 질소 분위기로 바꾼 후, 얼음으로 냉각하고, NaH(0.16 g)를 첨가하고 30분간 교반하였다. 게다가, 실온에서 1시간 교반한 후, 클로로메틸 메틸에테르(MOMCl)(0.43 g)를 첨가하여 실온에서 1시간 교반하였다. 반응 종료 후, 용액을 물과 메탄올의 혼합 용매(부피비 1 : 1, 200 ml)에 첨가하였다. 생성된 침전물을 물로 세척하였다. 결과로 얻은 백색 고체를 아세톤(10 ml)에 용해하고 여과하여, 여과액을 n-헥산(200 ml)에 첨가하고 교반하였다. 생성된 침전물을 꺼내었다. 이 를 55℃에서 18시간 건조하여, 백색 고체의 고분자 화합물 12 (1.6 g)를 얻었다. 분자량은, GPC(표준 폴리스티렌)로부터 결정하였다. 그 결과를 하기 표 1에 나타내었다.
실시예
11: 고분자 화합물
13
의 합성
환류 냉각기, 교반자를 구비한 500 ml 둥근 바닥 플라스크에, 화합물 7 (10.0g), 에틸아다만틸메타크릴레이트(6.4 g), MA-3,5-HFA-CHOH(3.6 g), AIBN(0.53 g), 메틸 에틸 케톤(148 ml), n-도데실머캅탄(0.33 g)을 넣은 후, 플라스크 내부를 질소로 교체하였다. 이를 70℃의 오일 배스에서 가열하고 18시간 교반하였다. 반응 종료 후, n-헥산(900 ml)에 첨가하고 교반하였다. 생성된 침전을 꺼내었다. 이를 55℃에서 18시간 건조하여, 백색 고체의 고분자 화합물 13 (17.2 g)을 얻었다. 분자량은 GPC(표준 폴리스티렌)로부터 결정하였다. 그 결과를 하기 표 1에 나타내었다.
실시예
12 : 고분자 화합물
14
의 합성
환류 냉각기, 교반자를 구비한 500 ml 둥근 바닥 플라스크에, 화합물 7 (7.8g), 메틸아다만틸메타크릴레이트(4.9 g), MA-2-HFA-CHOH(4.7 g), 노르보난 락톤 메타크릴레이트(3.1 g), AIBN(0.51 g), 메틸 에틸 케톤(128 ml), n-도데실머캅탄(0.30 g)을 넣은 후, 플라스크 내부를 질소로 치환하였다. 이를 70℃의 오일 배스에서 가열하고 18시간 교반하였다. 반응 종료 후, n-헵탄(800 ml)에 첨가하고 교반하였다. 생성된 침전물을 꺼내었다. 이를 55℃에서 18시간 건조하여, 백색 고체의 고분자 화합물 14 (16.6 g)를 얻었다. 분자량은 GPC(표준 폴리스티렌)로부터 결정하였다. 그 결과를 하기 표 1에 나타내었다.
| 실시예 | 용기에 넣은 단량체 등 | 형성된 고분자중합체 | 수득량 | 분자량 Mw (Mw/Mn) |
| 7 | 화합물 2 12.1 g t-부틸α-트리플르오르메틸아크릴레이트 7.9 g | 고분자중합체 8 | 8.0g | 6,400 (1.42) |
| 8 | 화합물 3 1.5 g t-부틸α-트리플르오르메틸아크릴레이트 1.0 g | 고분자중합체 9 | 1.2g | 7,000 (1.36) |
| 9 | 화합물 7 10.0 g 메틸아다만틸메타크릴레이트 6.3 g | 고분자중합체 10 | 11.7g | 10,200 (1.64) |
| 10 | 화합물 7 10.0 g | 고분자중합체 11 | 8.7g | 16,500 (1.38) |
| 10 | 화합물 11 2.0 g | 고분자중합체 12 | 1.6g | 16,600 (1.37) |
| 11 | 화합물 7 10.0 g 에틸아다만틸메타크릴레이트 6.4 g MA-3,5-HFA-CHOH 13.3 g | 고분자중합체 13 | 17.2g | 14,900 (1.55) |
| 12 | 화합물 7 7.8 g 메틸아다만틸메타크릴레이트 4.9 g MA-2-HFA-CHOH 4.7 g 노르보난 락톤 메타크릴레이트 3.1 g | 고분자중합체 14 | 16.6g | 12,300 (1.51) |
실시예
13
실시예 7 내지 12의 고분자 화합물 8 내지 14 를, 각각 프로필렌 글리콜 메틸 아세테이트에 용해시켜, 고형분 14%가 되도록 조정하였다. 또한, 고분자 화합물 100 중량부에 대하여 산 발생제인 Midori Kagaku Co., Ltd에서 제조한 트리페닐설포늄(TPS105)를 2 중량부가 되도록 용해하여 레지스트 용액을 제조하였다. 이들을 스핀 코팅하였다. 막 두께 250 nm의 빛 투과율을 파장 193 nm에서 측정한 결과, 고분자 화합물 8 , 9, 10 , 11 , 12 , 13 및 14 는 차례로 75.0 %, 74.9 %, 68.8 %, 74.0 %, 72.5 %, 73.1 %, 70.6 %이고, 자외선 영역에서 놓은 투명성을 나타내었다.
그 후에, 모든 레지스트 용액을 구멍 지름 0.2 ㎛의 막 필터로 여과하였다. 각 조성물 용액을 실리콘 웨이퍼 상에 스핀 코팅하고 도포하여 250 nm의 레지스트막을 얻었다. 120℃에서 사전 베이킹을 수행한 후, 포토마스크를 통해 248 nm의 자외선으로 노광하였다. 그 후에, 120℃에서 사후 노광을 수행하였다. 그리고 나서, 2.38 중량% 테트라메틸암모늄 수산화물 수용액을 이용하여 22℃에서 1분간 현상하였다. 그 결과, 각 레지스트 용액으로부터 고해상의 패턴 형상을 얻을 수 있었다. 기판에의 밀착 불량 결함, 막형성 불량 결함, 현상 결함, 에칭 내성 불량에 의한 결함도 거의 찾을 수 없었다.
Claims (29)
- 하기 화학식 (1)로 표시되는 불소 함유 환상 화합물.[화학식 1]
(식 중, R1a는 C1-C25 환상 알킬기, 환상 알케닐기 또는 환상 알키닐기이고,R2 및 R3는 각각 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자이거나, C1-C25의 직쇄상, 분지상 또는 환상 알킬기이고,R1a, R2 및 R3는 각각 독립적으로 불소 원자, 산소 원자, 황 원자, 질소 원자 또는 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 원자단을 포함할 수 있다.) - 하기 화학식 (2)로 표시되는 불소 함유 환상 화합물.[화학식 2]
(식 중, R1a는 C1-C25의 환상 알킬기, 환상 알케닐기 또는 환상 알키닐기이고,R2 내지 R4는 각각 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자이거나, C1-C25의 직쇄상, 분지상 또는 환상 알킬기이고,R1a, R2 내지 R4 각각 불소 원자, 산소 원자, 황 원자, 질소 원자 또는 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 원자단을 포함할 수 있다.) - 하기 화학식 (3)으로 표시되는 불소 함유 환상 화합물.[화학식 3]
(식 중, R1b는 C1-C25의 환상 알킬기, 환상 알케닐기, 환상 알키닐기, 아릴기 또는 복소환기이고, 불소 원자, 산소 원자, 유황 원자, 질소 원자 또는 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 원자단을 포함할 수 있고,R2 내지 R7 각각은 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자이거나, C1-C25의 직쇄상, 분지상 또는 환상 알킬기이고, 불소 원자, 산소 원자, 황 원자, 질소 원자 또는 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 원자단을 포함할 수 있으며,R8는 카르보닐기 또는 메틸렌기, 또는 단일 결합이다.) - 하기 화학식 (4)로 표시되는 불소 함유 환상 화합물.[화학식 4]
(식 중, R2, R3 및 R9 내지 R15는 각각 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자이거나, C1-C25의 직쇄상, 분지상 또는 환상 알킬기이고, 불소 원자, 산소 원자, 황 원자 또는 질소 원자를 포함할 수 있으며,R10와 R11 또는 R12와 R13는 결합하여 환을 형성할 수 있고, 그 경우에는 산소, 황, 질소 또는 헤테로 원자를 포함할 수 있는 C1-C25의 알킬렌기이며,a는 0 또는 1, b는 0 내지 2의 정수이고, c는 0 내지 2의 정수이다.) - 하기 화학식 (5)로 표시되는 불소 함유 환상 화합물.[화학식 5]
(식 중, R2 내지 R4 및 R9 내지 R15는 수소 원자, 할로겐 원자이거나, C1-C25의 직쇄상, 분지상 또는 환상 알킬기이고, 불소 원자, 산소 원자, 황 원자 또는 질소 원자를 포함할 수 있으며,R10과 R11 또는 R12와 R13는 결합하여 환을 형성할 수 있고, 그 경우에는 산소, 황, 질소 또는 헤테로 원자를 포함할 수 있는 C1-C25의 알킬렌기이며,a는 0 또는 1, b는 0 내지 2의 정수이고, c는 0 내지 2의 정수이다.) - 하기 화학식 (6)으로 표시되는 불소 함유 환상 화합물.[화학식 6]
(식 중, R2 내지 R7 및 R9 내지 R15는 수소 원자, 할로겐 원자이거나, C1-C25의 직쇄상, 분지상 또는 환상 알킬기이고, 불소 원자, 산소 원자, 황 원자 또는 질소 원자를 포함할 수 있으며,R8는 카르보닐기 또는 메틸렌기, 또는 단일 결합이며,R10과 R11, R12와 R13 또는 R14와 R15는 결합하여 환을 형성할 수 있고, 그 경우에는 산소, 황, 질소 또는 헤테로 원자를 포함할 수 있는 C1-C25의 알킬렌기이며,a는 0 또는 1, b는 0 내지 2의 정수이고, c는 0 내지 2의 정수이다. - 하기 화학식 (7)로 표시되는 불소 함유 환상 화합물.[화학식 7]
(식 중, R2 및 R3은 각각 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자이거나, C1-C25의 직쇄상, 분지상 또는 환상 알킬기이고, 불소 원자, 산소 원자, 황 원자 또는 질소 원자를 포함할 수 있다.) - 하기 화학식 (8)로 표시되는 불소 함유 환상 화합물.[화학식 8]
(식 중, R2 내지 R4는 각각 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자이거나, C1-C25의 직쇄상, 분지상 또는 환상 알킬기이고, 불소 원자, 산소 원자, 황 원자 또는 질소 원자를 포함할 수 있다.) - 하기 화학식 (9)로 표시되는 불소 함유 환상 화합물.[화학식 9]
(식 중, R2 내지 R7은 각각 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자이거나, C1-C25의 직쇄상, 분지상 또는 환상 알킬기이고, 불소 원자, 산소 원자, 황 원자 또는 질소 원자를 포함할 수 있으며,R8은 카르보닐기 또는 메틸렌기, 또는 단일 결합이다.) - 하기 화학식 (10)으로 표시되는 반복 단위를 포함하는 것을 특징으로 하는 중량 평균 분자량 1,000 내지 1,000,000의 불소 함유 고분자 화합물.[화학식 10]
(식 중, R1b, R2 내지 R8는 제3항에서 정의한 바와 같다.) - 하기 화학식 (11)로 표시되는 반복 단위를 포함하는 것을 특징으로 하는 중량 평균 분자량 1,000 내지 1,000,000의 불소 함유 고분자 화합물.[화학식 11]
(식 중, R2 내지 R15, a, b 및 c는 제6항에서 정의한 바와 같다.) - 하기 화학식 (12)로 표시되는 반복 단위를 포함하는 것을 특징으로 하는 중량 평균 분자량 1,000 내지 1,000,000의 불소 함유 고분자 화합물.[화학식 12]
(식 중, R2 내지 R8는 제9항에서 정의한 바와 같다.) - 하기 화학식 (13)으로 표시되는 반복 단위를 포함하는 것을 특징으로 하는 중량 평균 분자량 1,000 내지 1,000,000의 불소 함유 고분자 화합물.[화학식 13]
(식 중, R2, R3, R9 내지 R15, a, b 및 c는 제4항에서 정의한 바와 같다.) - 하기 화학식 (14)로 표시되는 반복 단위를 포함하는 것을 특징으로 하는 중량 평균 분자량 1,000 내지 1,000,000의 불소 함유 고분자 화합물.[화학식 14]
(식 중, R2 내지 R4, R9 내지 R15, a, b 및 c는 제 5항에서 정의한 바와 같다.) - 하기 화학식 (15)로 표시되는 반복 단위를 포함하는 것을 특징으로 하는 중량 평균 분자량 1,000 내지 1,000,000의 불소 함유 고분자 화합물.[화학식 15]
(식 중, R2 및 R3는 제7항에서 정의한 바와 같다.) - 하기 화학식 (16)으로 표시되는 반복 단위를 포함하는 것을 특징으로 하는 중량 평균 분자량 1,000 내지 1,000,000의 불소 함유 고분자 화합물.화학식 16
(식 중, R2 내지 R4는 제 8항에서 정의한 바와 같다.) - 제4항의 화학식 (4), 제5항의 화학식 (5), 제7항의 화학식 (7) 및 제8항의 화학식 (8) 중 어느 하나로 표시되는 중합성 모노머와, 하기 화학식 17에서 표시되는 반복단위를 일으키는 α-트리플르오르메틸아크릴산에스테르 모노머가 공중합되되, 중량평균분자량이 1,000 ~ 1,000,000이고, 상기 공중합 형태가 교호 또는 랜덤한 것을 특징으로 하는 불소 함유 고분자 화합물.화학식 17
(식 중, R16는 수소 원자이거나, C1-C25의 직쇄상, 분지상 또는 환상 알킬기이고, 불소 원자, 산소 원자, 황 원자, 질소 원자, 히드록시기 또는 헥사플르오르카르비놀기를 포함할 수 있다.) - 제 10항 내지 제 16항 중 어느 한 항에 있어서, 알콕시카르보닐기, 아세탈기, 실릴기 및 아실기 중 적어도 하나의 산불안정기를 포함하는 것을 특징으로 하는 불소 함유 고분자 화합물.
- 제 1항 내지 제 9항 중 어느 한 항에 있어서, 분자 내에 포함되는 히드록시의 일부 또는 전부가 보호기에 의해 보호되는 것을 특징으로 하는 불소 함유 환상 화합물.
- 제 10항 내지 제 16항 중 어느 한 항에 따른 불소 함유 고분자 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 레지스트 재료.
- 제 20항에 따른 레지스트 재료와 광산 발생제를 포함하는 것을 특징으로 하는 화학 증폭형 레지스트 재료.
- 제 20항에 따른 레지스트 재료를 기판상에 도포하는 단계;상기 기판을 열 처리하는 단계;300 nm 이하 파장의 고에너지선 또는 전자빔을 이용하여 포토마스크를 통해 노광하는 단계;상기 노광된 레지스트 막을 열 처리하는 단계; 및현상 처리하는 단계를 적어도 포함하는 것을 특징으로 하는 패턴 형성 방법.
- 제 22항에 있어서, 상기 고에너지선은 F2 엑시머 레이저, ArF 엑시머 레이저, KrF 엑시머 레이저 또는 연성 X선을 이용하는 것을 특징으로 하는 패턴 형성 방법.
- 제10항 내지 제16항 중 어느 한 항에 있어서, 분자 내에 포함되는 히드록시 기의 일부 또는 전부가 보호기에 의해 보호되는 것을 특징으로 하는 불소 함유 고분자 화합물.
- 제17항에 있어서, 알콕시카르보닐기, 아세탈기, 실릴기 및 아실기로 구성되는 군으로부터 선택되는 어느 하나 이상의 산불안정기를 가지는 반복단위를 포함하는 것을 특징으로 하는 불소 함유 고분자 화합물.
- 제17항에 있어서, 분자 내에 포함되는 히드록시기의 일부 또는 전부가 보호기에 의해 보호되는 것을 특징으로 하는 불소 함유 고분자 화합물.
- 제25항에 따른 불소 함유 고분자 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 레지스트 재료.
- 제25항에 따른 레지스트 재료와 광산 발생제를 포함하는 것을 특징으로 하는 화학 증폭형 레지스트 재료.
- 제27항에 따른 레지스트 재료를 기판상에 도포하는 단계;상기 기판을 열 처리하는 단계;300 nm 이하 파장의 고에너지선 또는 전자빔을 이용하여 포토마스크를 통해 노광하는 단계;상기 노광된 레지스트 막을 열 처리하는 단계; 및현상 처리하는 단계를 적어도 포함하는 것을 특징으로 하는 패턴 형성 방법.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2004044142A JP4079893B2 (ja) | 2004-02-20 | 2004-02-20 | 含フッ素環状化合物、含フッ素高分子化合物、それを用いたレジスト材料及びパターン形成方法 |
| JPJP-P-2004-00044142 | 2004-02-20 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20060117361A KR20060117361A (ko) | 2006-11-16 |
| KR100849126B1 true KR100849126B1 (ko) | 2008-07-30 |
Family
ID=34879332
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020067017600A KR100849126B1 (ko) | 2004-02-20 | 2005-02-17 | 불소 함유 환상 화합물, 불소 함유 고분자 화합물, 이를이용한 레지스트 재료 및 패턴 형성 방법 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US7736835B2 (ko) |
| JP (1) | JP4079893B2 (ko) |
| KR (1) | KR100849126B1 (ko) |
| TW (1) | TW200602301A (ko) |
| WO (1) | WO2005080306A1 (ko) |
Families Citing this family (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4448782B2 (ja) * | 2004-03-18 | 2010-04-14 | 富士フイルム株式会社 | 液浸露光用ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法 |
| US7906268B2 (en) | 2004-03-18 | 2011-03-15 | Fujifilm Corporation | Positive resist composition for immersion exposure and pattern-forming method using the same |
| JP4539847B2 (ja) * | 2004-04-09 | 2010-09-08 | 信越化学工業株式会社 | ポジ型レジスト材料並びにこれを用いたパターン形成方法 |
| DE102005046166A1 (de) * | 2005-09-27 | 2007-03-29 | Siemens Ag | Verfahren bzw. System zur Darstellung einer Internetseite auf einer Visualisierungseinrichtung einer industriellen Automatisierungseinrichtung |
| JP5023609B2 (ja) | 2005-09-28 | 2012-09-12 | セントラル硝子株式会社 | 低分子又は中分子有機化合物からなるコーティング材料 |
| JP4983605B2 (ja) * | 2005-12-05 | 2012-07-25 | ダイキン工業株式会社 | α，β−不飽和エステル基を含有する含フッ素ノルボルネン誘導体または含フッ素ノルボルナン誘導体を含む硬化性含フッ素ポリマー組成物 |
| JP4717640B2 (ja) | 2005-12-12 | 2011-07-06 | 東京応化工業株式会社 | 液浸露光用レジスト組成物およびレジストパターン形成方法 |
| JP4912733B2 (ja) * | 2006-02-17 | 2012-04-11 | 東京応化工業株式会社 | 液浸露光用レジスト組成物およびレジストパターン形成方法 |
| US8945808B2 (en) * | 2006-04-28 | 2015-02-03 | International Business Machines Corporation | Self-topcoating resist for photolithography |
| KR101242332B1 (ko) | 2006-10-17 | 2013-03-12 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 레지스트 재료 및 이것을 이용한 패턴 형성 방법 |
| JP4355011B2 (ja) | 2006-11-07 | 2009-10-28 | 丸善石油化学株式会社 | 液浸リソグラフィー用共重合体及び組成物 |
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| JP4073337B2 (ja) * | 2002-02-26 | 2008-04-09 | 富士フイルム株式会社 | 感光性樹脂組成物 |
| US6806026B2 (en) * | 2002-05-31 | 2004-10-19 | International Business Machines Corporation | Photoresist composition |
| JP4073253B2 (ja) | 2002-05-31 | 2008-04-09 | 富士フイルム株式会社 | ポジ型レジスト組成物 |
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| JP4484603B2 (ja) * | 2004-03-31 | 2010-06-16 | セントラル硝子株式会社 | トップコート組成物 |
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-
2004
- 2004-02-20 JP JP2004044142A patent/JP4079893B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2005
- 2005-02-17 US US10/589,807 patent/US7736835B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2005-02-17 KR KR1020067017600A patent/KR100849126B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2005-02-17 WO PCT/JP2005/002400 patent/WO2005080306A1/ja active Application Filing
- 2005-02-18 TW TW094104884A patent/TW200602301A/zh not_active IP Right Cessation
-
2010
- 2010-04-22 US US12/765,305 patent/US8115036B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPH10161313A (ja) * | 1996-11-29 | 1998-06-19 | Fujitsu Ltd | レジスト材料及びレジストパターンの形成方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20060117361A (ko) | 2006-11-16 |
| US8115036B2 (en) | 2012-02-14 |
| US20080003517A1 (en) | 2008-01-03 |
| US7736835B2 (en) | 2010-06-15 |
| JP2005232095A (ja) | 2005-09-02 |
| WO2005080306A1 (ja) | 2005-09-01 |
| JP4079893B2 (ja) | 2008-04-23 |
| US20100204422A1 (en) | 2010-08-12 |
| TWI309640B (ko) | 2009-05-11 |
| TW200602301A (en) | 2006-01-16 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E90F | Notification of reason for final refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130522 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20140521 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20150522 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160526 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170616 Year of fee payment: 10 |
|
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |