KR100791653B1 - 배기 포집 장치 - Google Patents

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Abstract

가스의 배기 경로를 통과하는 배기 가스부터의 석출물을 포집하는 배기 포집 장치(100)에는, 배기 경로를 따라, 내부에 배기 가스를 통과시키는 배기 통로가 구성된 복수의 배기 포집 유닛(110, 120, 130)이 직렬로 배치되어 있다. 각 포집 유닛내의 배기 포집부에는 각각 복수의 충돌판이 마련된다. 상류측의 포집 유닛(110, 120)의 배기 포집부에서의 충돌판은, 그 배기 통로내에 배치된 어떠한 충돌판에 의해서도 차단되는 일없이 그 배기 통로의 축선 방향을 따라서 연속적으로 연장하는 공간이 그 배기 통로내에 존재하도록 배치되어 있고, 하류측의 배기 포집 유닛(130)내의 배기 포집부에서의 충돌판은, 그와 같은 공간이 존재하지 않도록 배치되어 있다. 이 구성에 의하면, 복잡한 제어를 실행하지 않더라도, 반응 부생성물 등의 석출물의 퇴적량의 편재를 억제하여, 또한, 배기 포집 장치의 하류측으로의 석출 성분의 유출를 확실히 저감할 수 있다.

Description

배기 포집 장치 {EXHAUST GAS COLLECTION DEVICE}
본 발명은 배기 포집 장치에 관한 것으로, 특히, 배기 포집 장치의 포집 효율을 높여, 하류측으로의 석출 성분의 유출을 저감하기 위한 배기 포집 장치의 구조에 관한 것이다.
일반적으로, 반도체 제조 장치로서, 기판 상에 박막을 성막하거나, 기판을 에칭하거나 하기 위한 여러 종류의 가스 반응 장치가 이용되고 있다. 이들 가스 반응 장치는, 통상, 가스 공급부와, 이 가스 공급부로부터 가스가 공급되는 밀폐된 가스 반응실과, 이 가스 반응실에 접속된 배기 경로와, 이 배기 경로에 접속된 진공 펌프 등의 배기 장치를 구비하고 있다.
이러한 가스 반응 장치에 있어서는, 가스 반응실로부터 배출된 배기 가스중에서 반응 부생성물이 석출하여, 배기 경로나 배기 장치내에 퇴적하여, 배기 경로의 폐색이나 배기 장치의 고장을 초래한다고 하는 문제점이 있다. 그래서, 배기 경로 도중에 배기 포집 장치를 배치하여, 배기 가스중의 반응 부생성물을 포집하는 것이 실행되고 있다.(예컨대, JP8-13169A, JP8-24503A, JP8-299784A를 참조). 이 러한 종류의 배기 포집 장치로서는, 많은 경우, 케이싱의 내부에 방해판이나 핀(fin)등의 충돌판을 배기 방향과 교차하는 자세로 배치하여, 충돌판에 충돌한 배기 가스가 냉각되는 것에 의해 충돌판의 표면에 소정의 석출물이 퇴적하도록 구성된 충돌형 냉각 포집 장치가 이용되고 있다. 이러한 종류의 충돌형 냉각 포집 장치에서는, 충돌판의 형상이나 배열 형태를 최적화하는 것에 의해, 포집 효율을 향상시켜, 하류측으로의 석출물의 유출을 저감하도록 하고 있다.
한편, 배기 경로를 따라 복수의 배기 포집부를 직렬로 배열시켜 이루어지는 배기 포집 장치도 고안되어 있다(예컨대, JP10-73078A, JP2000-256856A, JP2001-131748A, JP2001-329367A를 참조). 이러한 종류의 배기 포집 장치로서는, 직렬로 배열된 복수의 배기 포집부의 냉각 온도를 서로 다른 온도로 하는 것에 의해, 포집 효율을 높이거나, 다른 석출물을 각각의 배기 포집부에서 포집하거나 하는 것(JP10-73078A, JP2000-256856A, JP2001-329367A), 및, 복수의 배기 포집부에서 각각 석출물의 퇴적량을 분산시키는 것에 의해 메인터넌스성을 향상시키는 것(JP2001-131748A)이 알려져 있다.
전술의 충돌형 냉각 포집 장치에 있어서는, 가스 도입구로부터 장치 내부에 도입된 배기 가스가 배기 통로내에서 충돌판에 접촉하여 급격히 냉각되기 때문에, 가스 도입구의 근방에서 반응 부생성물이 대량으로 부착하고, 배기 통로의 컨덕턴스가 저하하여, 상류에 배치된 가스 반응실의 감압 상태를 유지할 수 없게되거나, 배기 통로의 입구 부근에 폐색이 발생하거나 하여, 그것에 의해 배기 포집 장치의 메인터넌스 빈도가 증대한다고 하는 문제점이 있다.
상기의 문제를 회피하기 위해서는 배기 통로의 냉각 온도를 높게 할 필요가 있지만, 이 배기 통로의 온도를 높게 하면, 배기 포집 장치내에서 반응 부생성물을 충분히 포집할 수 없고, 배기 포집 장치의 하류측에 배치된 배기 장치나 제해 장치내에서 반응 부생성물이 석출하여, 배기 장치나 제해장치의 메인터넌스 주기를 짧게하거나, 고장을 초래하거나 한다는 문제점이 있다.
JP2001-131748A에 개시된 트랩 장치에 있어서는, 배기 가스의 흐름 방향을 따라서 다단으로 배치된 복수의 트랩 부재와, 이들 복수의 트랩 부재를 복수의 그룹으로 분할한 경우에 배기 가스의 흐름 방향의 최하류에 위치하는 그룹을 제외하고 각 그룹마다 독립하여 가열하는 가열 수단과, 이 가열 수단의 발열량을 제어하는 열량 제어부를 마련하고, 이에 의해, 최하류의 트랩 부재에 반응 부생성물을 퇴적시킨 후에, 순차적으로 상류측의 트랩 부재에 반응 부생성물을 퇴적시켜가도록 하여, 복수의 트랩 부재에 있어서의 석출물의 퇴적량의 편재를 방지하고 있다. 그러나, 이 장치에서는, 가열 수단을 시간적으로 제어해야 할 필요가 있기 때문에, 제어 수단이 복잡하게 되고 또한, 배기 가스의 성분에 따라 그 제어 상태를 고도로 관리할 필요가 있다. 또한, 이 구조에서는, 트랩 장치내의 퇴적량의 편재 방지를 주안으로 하고있기 때문에, 최하류에 위치하는 트랩 부재의 한층 더 하류측에서 석출하는 반응 부생성물의 량을 저감하는 것이 어렵다고 하는 문제점이 있다.
본 발명은 상기 문제점에 비추어 행해진 것으로서, 그 목적은, 복잡한 제어를 실행하지 않더라도, 반응 부생성물 등의 석출물의 퇴적량의 편재를 억제하고, 또한, 하류측으로의 석출 성분의 유출을 확실히 저감할 수 있는 배기 포집 장치를 제공하는 것에 있다.
본 발명에 의하면, 가스의 배기 경로를 통과하는 배기 가스로부터의 석출물을 포집하는 배기 포집 장치로서, 상기 배기 경로를 따라, 내부에 배기 가스를 통과시키는 배기 통로가 형성된 복수의 배기 포집부가 직렬로 배치되고, 상기 복수의 배기 포집부는, 배기 가스의 흐름 방향에 관해서 상류측에 배치된 제 1 배기 포집부와, 하류측에 배치된 제 2 배기 포집부를 포함하고, 상기 제 1 배기 포집부에는, 그 배기 통로를 그 배기 통로의 축선 방향을 따라서 흐르는 배기 가스의 흐름을 차단하도록 배치된 복수의 충돌판이 마련되어 있고, 또한, 상기 복수의 충돌판은, 그 배기 통로내에 배치된 어떠한 충돌판에 의해서도 차단되는 일없이 그 배기 통로의 축선 방향을 따라서 연속적으로 연장하는 공간이 그 배기 통로내에 존재하도록 배치되어 있고, 상기 제 2 배기 포집부에는, 그 배기 통로를 그 배기 통로의 축선 방향을 따라서 흐르는 배기 가스의 흐름을 차단하도록 배치된 복수의 충돌판이 마련되어 있고, 또한, 상기 복수의 충돌판은, 그 배기 통로내에 배치된 어떠한 충돌판에 의해서도 차단되는 일없이 그 배기 통로의 축선 방향을 따라서 연속적으로 연장하는 공간이 그 배기 통로내에 존재하지 않도록 배치되어 있는, 배기 포집 장치를 제공한다.
본 발명에 의하면, 상류측에 배비된 배기 포집부에서는, 거기에서의 특정한 충돌판의 배치 형태에 기인하여, 배기 가스의 일부는 충돌판에 충돌하지 않고 배기 통로를 통과함으로써, 석출물의 퇴적량을 억제하고, 배기 통로의 컨덕턴스의 저하나 폐색 상태의 발생을 회피할 수 있다. 한편, 하류측에 배비된 배기 포집부에서는, 거기에서의 특정한 충돌판의 배치 형태에 기인하여, 배기 가스 모두가 충돌판으로부터 영향을 받음으로써, 충돌판에 의한 배기 가스로부터의 석출물의 생성 및 퇴적 작용을 높일 수 있어, 장치 하류측으로 유출되는 석출 성분을 저감할 수 있다. 따라서, 상류측의 배기 포집부의 석출물의 퇴적량이 저감되고, 하류측의 배기 포집부의 석출물의 퇴적량이 증대하는 것에 의해, 복수의 배기 포집부간에 있어서의 석출물의 퇴적량의 편재를 억제할 수 있기 때문에, 메인터넌스 빈도를 저감할 수 있다. 또한, 석출물의 퇴적량의 편재를 억제해도, 하류측의 배기 포집부의 충돌판의 구성에 의해, 장치 하류측으로 유출하는 석출 성분을 저감할 수 있기 때문에, 장치 하류측에 배치되는 배기 장치나 제해 장치 등의 고장을 방지하고, 또한, 이들에 대한 메인터넌스 수고를 경감할 수 있다.
상기 복수의 배기 포집부는, 서로 장착 및 분리가 가능하도록 구성되어 있는 것이 바람직하다. 이것에 의하면, 배기 가스의 성분이나 온도 등의 상황에 따라서, 배기 포집부의 수를 변경하거나, 배기 포집부를 충돌판의 형상이나 배열 형태가 다른 것으로 교환하거나 하는 것이 가능하게 되기 때문에, 석출물의 퇴적 상태를 조정하여, 메인터넌스 빈도의 저감이나 석출 성분의 유출의 삭감에 관련하여 시스템을 최적화할 수 있다.
또한, 본 발명은, 가스의 배기 경로를 통과하는 배기 가스부터의 석출물을 포집하는 배기 포집 장치로서, 상기 배기 경로를 따라, 내부에 배기 가스를 통과시키는 배기 통로가 구성된 복수의 배기 포집부가 직렬로 마련되고, 상기 복수의 배기 포집부는, 배기 가스의 흐름 방향에 관련하여 상류측에 배치된 제 1 배기 포집부와, 하류측에 배치된 제 2 배기 포집부를 포함하고, 상기 제 1 및 제 2 배기 포집부에는 각각 충돌판이 마련되고, 상기 제 2 배기 포집부에서의 배기 통로의 축선과 충돌판이 이루는 각도는, 상기 제 1 배기 포집부에서의 배기 통로의 축선과 충돌판이 이루는 각도보다도 큰, 배기 포집 장치를 제공한다.
본 발명에 의하면, 상류측의 배기 포집부에서의 배기 통로의 축선 방향에 대한 충돌판의 경사각이 작기 때문에, 배기 가스에 접촉하는 배기 통로에 임하는 표면적을 충돌판의 존재에 의해 증대시켜 석출물의 퇴적 작용을 확보할 수 있는 반면, 이 충돌판은 배기 가스의 흐름을 강하게 방해하는 일없이 정류하는 정류판으로서 기능한다. 이 정류판에 의해, 배기 통로내에서의 석출물의 편재 정도를 경감할 수 있고, 또한, 그 퇴적량을 억제할 수 있음으로써, 배기 통로의 컨덕턴스의 저하나 폐색 상태의 발생을 회피할 수 있다. 한편, 하류측에 배치된 배기 포집부에서의 배기 통로의 축선 방향에 대한 충돌판의 경사각이 크기 때문에, 배기 가스의 흐름을 충돌판이 방해하는 것에 의해 효율적으로 석출물이 퇴적한다. 따라서, 상류측의 배기 포집부의 석출물의 퇴적량이 저감되고, 하류측의 배기 포집부의 석출물의 퇴적량이 증대하는 것에 의해, 복수의 배기 포집부간에 있어서의 석출물의 퇴적량의 편재를 억제할 수 있기 때문에, 메인터넌스 빈도를 저감할 수 있다. 또한, 석출물의 퇴적량의 편재를 억제해도, 하류측의 배기 포집부에 마련된 충돌판에 의해, 장치 하류측으로 유출하는 석출 성분을 저감할 수 있기 때문에, 장치 하류측에 배치되는 배기 장치나 제해 장치 등의 고장을 방지하여, 이들에 대한 메인터넌스 수고를 경감할 수 있다. 또한, 상류측의 배기 포집부의 충돌판은, 그 배기 통로의 축선 방향과 평행하게 배치해도 좋다.
이 경우에 있어서, 상기 제 1 및 제 2 배기 포집부는, 한쪽이 다른 쪽의 외측을 둘러싸도록 배치되어, 상기 제 1 배기 포집부와 상기 제 2 배기 포집부와의 사이에, 배기 가스의 흐름 방향을 반전시키는 반전 통로부가 마련되어 있는 것이 바람직하다. 이것에 의하면, 상류측과 하류측의 2개의 배기 포집부를 콤팩트하게, 또한 일체적으로 구성할 수 있다.
이 경우에는 또한, 상기 반전 통로부는, 상기 제 l 및 제 2 배기 포집부를, 그것들의 전체 주위에 걸쳐 접속하는 것이 바람직하다. 이것에 의하면, 반전 통로부에 의해, 상류측의 배기 포집부로부터 하류측의 배기 포집부를 향해서 전 둘레에 걸쳐 배기 가스를 유통시킬 수 있는 것으로부터, 반전 통로부의 통로 단면적을 크게 확보할 수 있음과 동시에, 상류측에 배치된 배기 포집부의 하류측 부분 및 하류측에 배비된 배기 포집부의 상류측 부분에 있어서의 배기 가스의 흐름의 치우침도 저감할 수 있기 때문에, 각부에서의 컨덕턴스의 저하 혹은 배기 통로의 폐색을 방지할 수 있다.
상기 각 발명에 있어서, 상기 충돌판은, 그 충돌판이 배치된 배기 통로내를 가스가 나선 형상으로 흐르도록 배치되어 있는 것이 바람직하다. 이것에 의하면, 배기 통로내에 배기 가스의 선회류를 생기게 할 수 있는 것으로부터, 석출물의 퇴적을 또한 촉진시키는 수 있어, 장치 하류측으로의 석출 성분의 유출을 또한 저감할 수 있다. 이 경우, 선회류는, 나선 형상으로 배열된 복수의 충돌판에 의해서 실현해도 좋고, 혹은, 단일의 나선 형상의 충돌판에 의해 실현해도 좋다.
또한, 본 발명은, 가스 공급부와, 해당 가스 공급부로부터 공급되는 가스를 반응시키는 가스 반응실과, 상기 가스 공급부 혹은 상기 가스 반응실의 배기 경로와, 해당 배기 경로 도중에 배치되는 상기 어느 것인가에 기재된 배기 포집 장치를 구비하는 가스 반응 장치를 제공한다. 이러한 가스 반응 장치로서는, 가스 반응실내에 배치된 기판의 표면에 성막을 실행하는 가스 성막 장치, 기판의 표면을 에칭하는 가스 에칭 장치 등을 들수있다. 특히, 반도체 제조 프로세스에 있어서 이용되는 각종의 반도체 제조 장치에 이용하는 것이 바람직하다.
본 발명에 의하면, 복잡한 제어를 실행하지 않더라도, 반응 부생성물 등의 석출물의 퇴적량의 편재를 억제하고, 또한, 하류측으로의 석출 성분의 유출을 확실히 저감할 수 있는 배기 포집 장치를 실현할 수 있다고 하는 우수한 효과를 성취할 수 있다.
도 1은 본 발명의 1실시형태에 따른 배기 포집 장치의 전체 구성을 나타내는 측면도.
도 2는 도 1에 나타내는 배기 포집 장치의 제 1 포집 유닛의 종단면도.
도 3은 도 1에 나타내는 배기 포집 장치의 제 1 포집 유닛의 내통상에의
핀의 배치를 나타내는 부분 단면도.
도 4는 도 1에 나타내는 제 1 포집 유닛의 횡단면도.
도 5는 도 1에 나타내는 제 2 포집 유닛을 도시하는 도면으로, (a)는 종단면
도, (b)는 횡단면도.
도 6은 도 1에 나타내는 제 3 포집 유닛을 도시하는 도면으로, (a)는 종단면
도, (b)는 횡단면도.
도 7은 본 발명에 의한 가스 반응 장치의 전체 구성을 나타내는 배관도.
(부호의 설명)
100 배기 포집 장치
110 제 1 포집 유닛
120 제 2 포집 유닛
130 제 3 포집 유닛
11X, 11Z, 12X, 13X 배기 통로
11Y 반전 통로부
113 외통
114 내통
114a, 114b, 114c, 115 정류판(충돌판)
116, 124, 134 충돌판
이하, 본 발명의 실시형태를 도시예와 함께 설명한다. 도 1은, 본 실시형태의 배기 포집 장치(100)의 전체 구성을 나타내는 측면도이다. 이 배기 포집 장치(100)는, 가스의 배기 경로를 따라 직렬로 배치된 제 1 포집 유닛(110), 제 2 포집 유닛(120) 및 제 3 포집 유닛(130)을 가진다. 제 1 포집 유닛(110), 제 2 포집 유닛(120) 및 제 3 포집 유닛(130)은 프레임(101)을 거쳐서 일체적으로 결합되어 있다. 따라서 포집 유닛과 프레임(101)과의 결합을 해제하면, 각각의 포집 유닛을 분리할 수 있다. 제 1 포집 유닛(110)의 가스 도입구는, 밸브(102)의 하류측에 접속되어 있다. 밸브(102)는 버터플라이형 밸브로 할 수 있다. 제 1 포집 유닛(110)의 가스 도출구는, U 자형의 배기관(103)을 거쳐서 제 2 포집 유닛(120)의 가스 도입구에 접속되어 있다. 제 2 포집 유닛(120)의 가스 도출구는, 연결 플랜지(104)를 거쳐서 제 3 포집 유닛(130)의 가스 도입구에 접속되어 있다. 제 3 포집 유닛(130)의 하류측에는 밸브(105)가 마련되어 있고. 밸브(105)는, 버터플라이형 밸브로 할 수 있다.
도 2는 제 1 포집 유닛(110)의 내부 구조를 나타내는 종단면도, 도 3은 제 1 포집 유닛(110)의 내부 구조를 나타내는 부분 단면도, 도 4는 제 1 포집 유닛(110)의 횡단면도이다. 도 2는 도 4의 A-B 선에 따른 단면을 나타내고, 도 3은 도 4의 A'-B 선에 따른 외통의 단면 및 내통의 측면을 나타낸다.
제 1 포집 유닛(110)은, 외통(113) 및 내통(114)을 구비한 2중 통구조를 가진다.
외통(113)의 양쪽 단부는 단판(111과 112)에 접속되어, 양쪽 끝이 폐색된 원통형의 케이스를 구성하고 있다. 외통(113)에 있어서의 단판(111)에 가까운 부분에는 가스 도입구(110A)가 형성되어 있다. 외통(113)과 내통(114)과의 사이에는 링 형상의 단면을 가지는 배기 통로(11X)가 형성되어 있다. 외통(113)의 내주면 중, 가스 도입구(110A)보다 단판(112)에 가까운 부분으로서 또한 내통(114)에 대향하고 있는 부분에, 링 형상의 충돌판 내지 핀(도시하지 않음)을 마련할 수 있다. 외통(113)은, 단판(112)측의 내통(114)의 단부를 넘어서 축선 방향으로 연장된 부분을 가지고, 해당 부분에서 구획되는 내부 공간은, 배기 통로(11X)의 하류에 접속된 반전 통로부(11Y)가 된다. 반전 통로부(11Y)는, 그 상류의 배기 통로(11X)에서 트랩된 반응 부생성물이 박리한 것을 받는 기능을 가진다. 도시한 바와 같이, 반전 통로부(11Y)의 주위에 있는 외통(113)의 벽체내에 냉매 통로(113s)를 형성하여, 여기에 물 등의 냉매가 유통하도록 구성해도 좋다. 반전 통로부(11Y)에도, 링 형상의 충돌판 내지 핀(도시하지 않음)을 마련할 수 있다.
내통(114)은, 단판(112)에 지지되지 않고, 단판(111)에 의해 지지되어 있다. 내통(114)의 단판(111)측의 개구는, 단판(111)을 관통하는 구멍을 거쳐서 가스 도출구(110B)에 통해 있다. 내통(114)의 단판(112)측의 개구는, 반전 통로부(11Y)를 거쳐서, 단판(112)에 대향하고 있다. 내통(114)의 벽체의 내부에는, 냉매 통로(114s)가 마련되어 있다. 내통(114)의 외면에는, 배기 통로(11X)에서의 배기 가스의 흐름 방향(도 2 및 도 3에 있어서의 하향의 방향), 즉 내통(114)의 축선 방향(이것은 배기 통로(11X)의 축선 방향이기도 하다)을 따라 연장하는 정류판(114a, 114b, 114c, 114d)이 배치되어 있다. 주의해야 할 것은, 정류판은 내통(114)의 축선 방향을 따라서 연장하는것(즉 배기 통로(11X)의 축선과 정류판(114a, 114b, 114c, 114d)이 이루는 각도가 0도)이 가장 바람직하지만, 정류판이 배치되는 평면과 내통(114)의 축선이 직교하고 있지 않으면 좋다는 것이다. 따라서, 예컨대, 정류판이 배치되는 평면이, 내통(114)의 축선에 대하여 소정의 각도를 이루고 있더라도 좋다. 이와 같이 내통(114)의 축선에 대하여 경사한 정류판을 마련하는 경우에는, 상기 소정의 각도는 작은 쪽이 좋고, 구체적으로는 45도 이하인 것이 바람직하다. 또한, 정류판이 배치되는 면은 곡면이더라도 좋다. 또한, 본원 명세서에 있어서의 실시형태의 설명에 있어서, 배기 통로내의 배기의 흐름에 영향을 미치는 판형상체를 표현하는 용어로서「정류판」 및「충돌판」이라고 하는 2개의 다른 용어가 이용되지만, 양자는, 그 판형상체가 배치된 배기 통로의 축선에 대하여 그 판형상체가 이루는 각도에 의해서만 구별되어 있는 것에 주의해야 한다. 따라서, 양자간에 명료한 구별은 없고, 「정류판」은 배기 통로의 축선에 대하여 0 또는 작은 각도를 이루는 「충돌판」으로서 이해할 수 있다.
도 3에 도시하는 바와 같이, 이들 정류판 중, 가스 도입구(110A)에 가장 가까운 위치에 있는 정류판(114a)은, 내통(114)의 가스 도입구(110A)에 면하고 있지 않은 부분에서 연장하고 있다. 정류판(114a)보다도 가스도입구(110A)로부터 먼 위치에 있는 정류판(114b)은 정류판(114a)보다도 단판(111)에 가까운 위치까지 연장하고 있고, 정류판(114b)보다도 가스 도입구(110A)로부터 먼 위치에 있는 정류판(114c)은 정류판(114b)보다도 단판(111)에 가까운 위치까지 연장하고 있고, 그리 고, 가스 도입구(110A)로부터 가장 먼 위치, 즉 가스 도입구(110A)의 반대측의 위치에 배치된 정류판(114d)은, 정류판(114c)보다도 단판(111)에 가까운 위치까지 연장하고 있다. 이와 같이 가스 도입구(110A)의 근방의 소정 범위내에 정류판을 마련하지 않는 것에 의해, 정류판이 가스 도입구(110A)로부터 도입된 배기 가스의 흐름을 방해하지 않는다.
도 4에 도시하는 바와 같이, 가스 도입구(110A)에 가까운 정류판일수록, 배기 통로(11X)에의 돌출량이 적다. 즉, 정류판(114a)의 돌출량은 정류판(114b)의 그것보다도 적고, 정류판(114b)의 돌출량은 정류판(114c)의 그것보다도 적고, 정류판(114c)의 돌출량은 정류판(114d)의 그것보다도 적다. 이 때문에, 가스 도입구(110A)로부터 도입된 배기 가스가 배기 통로(11X)의 단면 전체로 넓어지기 쉽고, 배기 통로(11X)의 특정 부위(예컨대 가스 도입구(110A)의 근방 부분)에 퇴적물이 집중하여 그곳이 폐색하는 것을 방지할 수 있다.
또한, 정류판(114a, 114b, 114c)에는, 내통(114)의 외주면과의 사이에 슬릿(114ax, 114bx, 114cx)이 마련되어 있다. 이들 슬릿은, 각 정류판의 길이 방향에 간격을 띄워 복수 마련되어 있다. 예시된 실시 형태에 있어서는, 정류판(114d)에는 슬릿은 형성되어 있지 않지만, 정류판(114d)에도 슬릿을 마련해도 좋다. 슬릿(114ax, 114bx, 114cx)을 마련하는 것에 의해, 배기 가스의 일부를 정류판(114a, 114b, 114c)을 통과할 수 있어, 이에 의해 배기 가스가 배기 통로(11X)의 내부를 균등히 흐르기 때문에, 반응 부생성물을 효율적으로 트랩할 수 있다.
또한, 예시된 실시형태에 있어서는, 내통(114)의 외주면상의 각 하나의 모선 상에 하나씩 연속한 정류판(114a, 114b, 114c, 114d)이 마련되어 있지만, 이것에는 한정되지 않는다. 예컨대, 복수의 짧은 정류판을 각 하나의 모선을 따라 (즉 내통(114)의 축선 방향을 따라서)간격을 두고 배치해도 좋다. 또한, 복수의 짧은 정류판을 내통(114)의 외주면상에 격자 형상으로 배열해도 좋다. 그러나, 이들의 짧은 정류판의 각각은, 내통(114)의 축선 방향을 따라서 연장하고 있는 것이 바람직하다.
내통(114)의 내측에는 배기 통로(11Z)가 구획된다. 이 배기 통로(11Z)는, 단판(112)측에 있어서 반전 통로부(11Y)에 개구하는 위치로부터, 가스 도출구(110B)에 임하는 위치까지 직선 형상으로 길게 되어 있다. 배기 통로(11Z)에는, 해당 배기 통로(11Z)의 축선 방향(도 2 및 도 3의 상하 방향)에 대하여 소정의 각도(도시예에서는 90도)를 이루는 복수의 충돌판(116)이 배치되어 있다. 도 2 및 도 4에 도시하는 바와 같이 각 충돌판(116)은, 배기 통로(11Z)의 단면의 일부만을 차폐하는 것 같은 형상을 가지고 있다. 배기 통로(11Z)의 축선 방향에서 본 경우, 어떤 하나의 충돌판(116)이 차폐하는 영역의 적어도 일부는, 그 충돌판(116)과 배기 통로(11Z)의 축선 방향에 관해서 인접하는 충돌판(116)이 차폐하는 영역과 다르다. 예시된 실시형태에 있어서, 복수의 충돌판(116)은, 배기 통로(11Z)의 축선 주위에 각도 위치를 어긋나게 하면서 나선 형상으로 배열되어 있고, 이에 의해 배기 통로(11Z) 내에 배기 가스의 선회류가 발생한다. 도시예에서는, 인접하는 충돌판(116)의 각도 위치는 90도 어긋나 있다. 이들 복수의 충돌판(116)은, 동일한 형상의 판형상체로 이루어져, 내통(114)의 내주면에 부착되어 있다. 충돌판(116)은, 배기 통로(11Z)의 축선에 직교하는 평면상에 배치되는 것이 가장 바람직하다. 그러나, 충돌판(116)이 배치되는 평면과 배기 통로(11Z)의 축선이 이루는 각도는, 상술한 정류판(114a, 114b, 114c, 114d)이 배치되는 평면과 배기 통로(11X)의 축선이 이루는 각도보다 크면 좋고, 바람직하게는 45도보다 크다. 또한, 충돌판(116)이 배치되는 면은 곡면이더라도 좋다.
배기 통로(11Z) 내에 있어서 복수의 충돌판(116)은, 배기 통로(11Z) 내에 배치된 어떠한 충돌판(116)에 의해서도 차단되는 일없이 배기 통로(11Z)의 축선 방향을 따라서 연속적으로 연장하는 공간이 배기 통로(11Z) 내에 존재하도록 배치된다. 이 공간은, 도 4에 있어서는 부호(11Zt)로 표시된 직사각형 내지 정방형을 단면으로 하는 영역으로서 인식할 수 있다. 도시된 실시형태에 있어서는, 공간(11Zt)은 직선적으로 연장하고, 배기 통로(11Z) 내에 도입된 배기 가스의 적어도 일부는, 충돌판(116)에 방해되는 일없이 배기 통로(11Z) 내를 직선적으로 통과할 수 있다. 공간(11Zt)은, 배기 통로(11Z)의 중앙부를 연장하고 있다. 공간(11Zt)을 마련하는 것에 의해, 배기 통로(11Z)에서의 집중적인 포집을 억제하여, 배기 포집 장치(100)의 배기 통로(11Z)보다 하류측의 부분에도 포집을 분담시킨다.
본 실시형태에서는, 외통(113)과 내통(114)의 사이에 구획된 배기 통로(11X)와, 내통(114)의 내부에 구획된 배기 통로(11Z)가, 반전 통로부(11Y)를 거쳐서 연통하고 있다. 특히, 반전 통로부(11Y)는, 배기 통로(11X)와 배기 통로(11Z)를 그들의 둘레 방향 전역에 걸쳐 연통시킨다. 반전 통로부(11Y)는, 내통(114)의 단부보다도 축선 방향으로 연장된 외통(113)의 연장 부분의 내부에 구획되는 공간에서 구성된다. 반전 통로(11Y)에 임하는 외통(113)의 내주면상에도 정류판이 마련되어 있어도 좋다.
도 2에 도시하는 바와 같이, 내통(114)의 벽체 내부에 구성된 냉매 통로(114s)는, 단판(111)의 내부에 형성된 도입 유로(111a)에 파이프(114t)를 거쳐서 연통하고 있다. 이 파이프(114t)는 도입 유로(111a)로부터 냉매 통로(114s)의 내부로 연장하고 있다. 또한, 냉매 통로(114s)는 단판(111)의 내부에 형성된 도출 유로(111b)에 연통하고 있다. 도입 유로(111a)는, 도 1에 나타내는 냉매 도입구(110x)에 접속되고, 도출 유로(111b)는 도 1에 나타내는 냉매 도출구(110y)에 접속되어 있다. 또한, 외통(113)에 있어서의 반전 통로(11Y)의 외측에 배치된 냉매 통로(113s)는, 도 1에 나타내는 냉매 도입구(110z) 및 냉매 도출구(110u)에 접속되어 있다. 이 구성에 의해, 파이프(114t)를 거쳐서 냉매 통로(114s)의 하부에 냉매가 도입되어, 이 냉매가 냉매 통로(114s)의 상부를 향해서 흐르기 때문에, 냉매 통로(114s) 내에서의 냉매의 대류를 억제할 수 있어, 효율적으로 냉각할 수 있다.
이상 설명한 바와 같이, 제 1 포집 유닛(110)에는, 외통(113)과 내통(114)의 사이에 구획되는 배기 통로(11X)를 구비한 하나의 배기 포집부와, 내통(114)의 내부에 구획되는 배기 통로(11Z)를 구비한 다른 하나의 배기 포집부가 마련되어있다. 즉, 배기 통로(11X)는, 배기 통로(11Z)의 주위를 둘러싸듯이 배치되어 있다. 또한, 배기 통로(11X)에는, 배기 가스의 흐름 방향에 따른 자세로 정류판(114a, 114b, 114c, 114d)이 배치되어 있다. 또한, 이 배기 통로(11X)의 하류측에는, 반전 통로부(11Y)를 거쳐서 접속된 배기 통로(11Z)가 구성되고, 이 배기 통로(11Z)에 는, 배기 가스의 흐름을 방해하는 충돌판(116)이 배치되어 있다. 또한, 배기 통로(11X)에서의 배기 가스의 흐름 방향은, 배기 통로(11Z)에서의 배기 가스의 흐름 방향과 반대이다.
다음에, 도 5를 참조하여, 제 2 포집 유닛(120)의 구조에 대하여 설명한다. 이 제 2 포집 유닛(120)은, 가스 도입구(120A)에 임하는 개구를 구비한 단판(121)과, 가스 도출구(120B)에 임하는 개구를 구비한 단판(122)과, 단판(121과 122)에 양쪽 단부가 접속된 외벽(123)을 가진다. 이 외벽(123)의 내부에는 냉매 통로(123s)가 구성되어 있다. 이 냉매 통로(123s)는, 도 1에 나타내는 냉매 도입구(120x) 및 냉매 도출구(120y)에 접속되어 있다.
이 제 2 포집 유닛(120)의 내부에는, 가스 도입구(120A)와 가스 도출구(120B)와의 사이에 배기 통로(12X)가 구획되어 있다. 배기 통로(12X)는 직선 형상으로 구성되어 있다. 단지, 배기 통로(12X)가 나선 형상이나 곡선 형상으로 구성되어 있어도 좋다. 이 배기 통로(12X)에는, 그 통로 단면의 일부만을 차폐하는 충돌판(124)이 배치되어 있다. 도 5의(b)에 도시하는 바와 같이 각 충돌판(124)은, 배기 통로(12X)의 단면의 일부만을 차폐하는 것 같은 형상을 가지고 있다. 배기 통로(12X)의 축선 방향에서 본 경우, 어떤 하나의 충돌판(124)이 차폐하는 영역의 적어도 일부는, 그 충돌판(124)과 배기 통로(12X)의 축선 방향에 관련하여 인접하는 충돌판(124)이 차폐하는 영역과 다르다. 예시된 실시형태에 있어서, 복수의 충돌판(124)은, 배기 통로(12X)의 축선 주위에 각도 위치를 어긋나게 하면서, 나선 형상으로 배열되어 있다. 도시예에서는, 인접하는 충돌판(124)의 각도 위치는 120 도 어긋나 있다. 이들 복수의 충돌판(124)은, 동일한 형상의 판형상체로 이루어져, 외벽(123)의 내주면에 부착되어 있다. 충돌판(124)은, 배기 통로(12X)의 축선에 직교하는 평면상에 배치되는 것이 가장 바람직하다. 그러나, 충돌판(124)이 배치되는 평면과 배기 통로(12X)의 축선이 이루는 각도는, 상술한 정류판(114a, 114b, 114c, 114d)이 배치되는 평면과 배기 통로(11X)의 축선이 이루는 각도보다 크면 좋고, 바람직하게는 45도보다 크다. 또한, 충돌판(124)이 배치되는 면은 곡면이어도 좋다.
배기 통로(12X) 내에서 복수의 충돌판(124)은, 배기 통로(12X) 내에 배치된 어떠한 충돌판(124)에 의해서도 차단되는 일없이 배기 통로(12X)의 축선 방향을 따라서 연속적으로 연장하는 공간이 배기 통로(12X) 내에 존재하도록 배치된다. 이 공간은, 도 5의(b)에 있어서는 부호(12Xt)로 표시된 삼각형 특히 정삼각형을 단면으로 하는 영역으로서 인식할 수 있다. 도시된 실시형태에 있어서는, 공간(12Xt)은 직선적으로 연장하고, 배기 통로(12X) 내에 도입된 배기 가스의 적어도 일부는, 충돌판(124)에 방해되는 일없이 배기 통로(12X) 내를 직선적으로 통과할 수 있다. 공간(12Xt)은, 배기 통로(12X)의 중앙부를 연장하고 있다. 공간(12Xt)을 마련하는 것에 의해, 배기 통로(12X)에서의 집중적인 포집을 억제하여, 배기 포집 장치(100)의 배기 통로(12X)보다 하류측의 부분에도 포집을 분담시킨다.
다음에, 도 6을 참조하여, 제 3 포집 유닛(130)의 구조에 대하여 설명한다. 이 제 3 포집 유닛(130)은, 가스 도입구(130A)에 임하는 개구를 구비한 단판(131)과, 가스 도출구(130B)에 임하는 개구를 구비한 단판(132)과, 단판(131과 132)에 양쪽 단부가 접속된 외벽(133)을 가진다. 이 외벽(133)의 내부에는 냉매 통로(133s)가 구성되어 있다. 이 냉매 통로(133s)는, 도 1에 나타내는 냉매 도입구(130x) 및 냉매 도출구(130y)에 접속되어 있다.
이 제 3 포집 유닛(130)의 내부에는, 상기 가스 도입구(130A)와 가스 도출구(130B)와의 사이에 배기 통로(13X)가 구성되어 있다. 배기 통로(13X)는 직선 형상으로 구성되어 있다. 단지, 배기 통로(13X)가 나선 형상이나 곡선 형상으로 구성되어 있어도 좋다. 이 배기 통로(13X)에는, 그 통로 단면의 일부만을 차폐하는 충돌판(134)이 배치되어 있다. 도 6의(b)에 도시하는 바와 같이 각 충돌판(134)은, 배기 통로(13X)의 단면의 일부만을 차폐하는 것 같은 형상을 가지고 있다. 배기 통로(13X)의 축선 방향에서 본 경우, 어떤 하나의 충돌판(134)이 차폐하는 영역의 적어도 일부는, 그 충돌판(134)과 배기 통로(13X)의 축선 방향에 관련하여 인접하는 충돌판(134)이 차폐하는 영역과 다르다. 예시된 실시형태에 있어서, 복수의 충돌판(134)은, 배기 통로(13X)의 축선 주위에 각도 위치를 어긋나게 하면서, 나선 형상으로 배열되어 있다. 도시예에서는, 인접하는 충돌판(134)의 각도 위치는 120도 어긋나 있다. 이들 복수의 충돌판(134)은, 동일한 형상의 판형상체로 이루어져, 외벽(133)의 내주면에 부착되어 있다. 충돌판(134)은, 배기 통로(13X)의 축선에 직교하는 평면상에 배치되는 것이 가장 바람직하다. 그러나, 충돌판(134)이 배치되는 평면과 배기 통로(13X)의 축선이 이루는 각도는, 상술한 정류판(114a, 114b, 114c, 114d)이 배치되는 평면과 배기 통로(11X)의 축선이 이루는 각도보다 크면 좋고, 바람직하게는 45도보다 크다. 또한, 충돌판(134)이 배치되는 면은 곡면이더라도 좋다.
이 배기 통로(13X) 내에는, 상술한 제 1 포집 유닛(110) 및 제 2 포집유닛(120)에서 존재하고 있었던「어떠한 충돌판에 의해서도 차단되는 일없이 배기 통로의 축선 방향을 따라서 연속적으로 연장하는 공간(11Zt, 12Xt)」과 같은 공간은 존재하지 않는다. 바꾸어 말하면, 배기 통로(13X)에 있어서, 배기 통로(13X)의 축선 방향을 따라서 연장하는 어떠한 선도, 충돌판(134)과 교차한다. 따라서, 배기 통로(13X) 내에 도입된 배기 가스는, 그 일부라도 충돌판(134)에 방해되는 일없이 배기 통로(13X) 내를 통과할 수 없고, 배기 가스의 전부는 충돌판(134)에 의해 편향되면서 배기 통로(13X) 내를 나아간다.
배기 포집 장치(100)에 있어서는, 제 1 포집 유닛(110), 제 2 포집 유닛(120) 및 제 3 포집 유닛(130)이 배기 경로를 따라 순차적으로 배열되어 있다. 상세히 말하면, 제 1 포집 유닛(110)의 배기 통로(11X)에 마련된 배기 포집부, 제 1 포집 유닛(110)의 배기 통로(11Z)에 마련된 배기 포집부, 제 2 포집 유닛(120)의 배기 통로(12X)에 마련된 배기 포집부, 및, 제 3 포집 유닛(130)의 배기 통로(13X)에 마련된 배기 포집부가 배기 경로를 따라서 순차적으로 배열되어 있다.
본 실시형태에서는, 물 등의 냉매를 상기 각 포집 유닛에 유통시키는 것에 의해, 내부를 냉각하고, 고온의 배기 가스를 냉각하는 것에 의해 고형물(반응 부생성물 등)을 석출시켜, 포집하도록 하고 있다. 구체적으로는, 배기 포집 장치의 최하류측에 배치되는 제 3 포집 유닛(130)의 냉매 도입구(130x)로부터 냉매 통로(133s)에 냉매를 공급하고 냉매 도출구(130y)로부터 도출하여, 이 도출된 냉매를 제 3 포집 유닛(130)의 상류측에 배치되는 제 2 포집 유닛(120)의 냉매 도입구(120x)로부터 냉매 통로(123s)에 공급하고 냉매 도출구(120y)로부터 도출하여, 또한 이 도출된 냉매를 배기 포집 장치의 최상류측에 배치되는 제 1 포집 유닛(110)내의 냉매 도입구(110x)로부터 냉매 통로(114s) 내에 공급하고 냉매 도출구(110y)로부터 도출하여, 이 도출된 냉매를 냉매 도입구(110z)로부터 제 1 포집 유닛(110)내의 냉매 통로(113s) 내에 공급하여 냉매 도출구(110u)로부터 도출하고 있다.
이와 같이, 배기 포집 장치(100)의 포집 유닛(110, 120, 130)에 마련되는 냉매 통로(113s, 114s, 123s, 133s)를 직렬로 접속하고, 배기 가스의 흐름 방향에 관련하여 하류측에 배치된 냉매 통로로부터 순차적으로 상류측에 배치된 냉매 통로를 향해서 냉매를 유통시켜 가는 것에 의해, 배기 가스의 흐름 방향에 관련하여 상류측에 배치된 냉매 통로에 의한 냉각 온도가 상대적으로 높고, 하류측에 배치된 냉매 통로에 의한 냉각 온도가 상대적으로 낮게 된다. 따라서, 배기 가스는 배기 경로를 따라 하류측으로 진행함에 따라서 점차 낮은 온도로 냉각되어 가기 때문에, 복수의 배기 포집부에 석출물의 퇴적량을 분산시킬 수 있어, 이것에 의해서 석출물의 퇴적량의 편재를 완화할 수 있기 때문에, 배기 포집 장치(100)의 메인터넌스 빈도를 저감할 수 있다. 또한, 상기한 실시형태에 있어서는, 배기 포집 장치(100)에 유입하는 미반응 가스를 냉각하는 것에 의해 석출 반응을 촉진시키고 있지만, 가스의 종류에 따라서는 미반응 가스를 가열하는 것에 의해 석출 반응을 촉진시킬 수도 있다. 이 경우, 포집 유닛(110, 120, 130)의 냉매 통로(113s, 114s, 123s, 133s에 가열된 매체를 흐르게 하면 좋다. 이 경우도, 배기 가스의 흐름 방향에 관련하여 하류측의 냉매 통로(매체 통로)로부터 순차적으로 상류측의 냉매 통로(매체 통로)를 향해서 가열된 매체를 유통시켜 가는 것에 의해, 석출물의 퇴적량의 편재를 완화할 수 있다.
또한, 본 실시형태에 있어서, 제 1 포집 유닛(110)에 마련된 내외 2개의 배기 포집부 중, 배기 포집부를 구성하는 배기 통로(11Z)에는, 어떠한 충돌판(116)에 의해서도 차단되는 일없이 배기 통로(11Z)의 축선 방향을 따라서 연속적으로 연장하는 공간(11Zt)이 마련되고, 또한, 그 하류측에 배치된 제 2 포집 유닛(120)의 배기 포집부를 구성하는 배기 통로(12X)에는, 어떠한 충돌판(124)에 의해서도 차단되는 일없이 배기 통로(12X)의 축선 방향을 따라서 연속적으로 연장하는 공간(12Xt)이 마련되어 있다. 또한, 가장 하류측에 배치된 제 3 포집 유닛(130)에 마련된 배기 포집부에는 충돌판(134)이 배치되고, 상술한 공간(11Zt, 12Xt)과 같은 공간은 존재하지 않는다.
따라서, 상류측에 배치된 2개의 배기 포집부의 배기 통로(11Z, 12X)에서는, 배기 가스의 일부가 공간(11Zt, 12Xt)을 지나 충돌판(116, 124)에 차단되는 일없이 통과하기 때문에, 배기 가스로부터 석출하는 고형물의 퇴적량이 저감되는 한편, 가장 하류측에 배치된 배기 포집부의 배기 통로(13X)에서는, 배기 가스가 충돌판(134)에 충분히 접촉하여, 여기서 석출한 고형물은 확실히 포착된다. 따라서, 고형물의 퇴적이 상류측에 집중하여, 상류측에 있어서 컨덕턴스의 저하나 배기 통로의 폐색이 발생한다고 하는 것을 억제할 수 있기 때문에, 메인터넌스 빈도를 저 감할 수 있음과 동시에, 하류측의 배기 포집부에서는 확실히 석출물을 포집할 수 있기 때문에, 배기 포집 장치(100)의 하류측에 석출 성분이 유출하는 것을 방지할 수 있다.
본 실시형태에 있어서, 제 1 포집 유닛(110)에 마련된 2개의 배기 포집부 중, 상류측의 배기 포집부를 구성하는 배기 통로(11X)에서는, 배기 가스의 흐름을 방해하지 않는 것 같은 자세로 정류판(114a, 114b, 114c, 114d)이 배치되어 있다. 이 정류판에 의해 배기 통로(11X)의 내표면적이 증대하고, 이 증대한 면적의 내표면에 배기 가스로부터 석출한 고형물을 분산하여 퇴적시킬 수 있다. 또한, 이들 정류판은 배기 가스의 흐름을 흩뜨리지 않은 것 같은 자세로 배치되어 있기 때문에, 배기 경로(11X) 내에서 고형물이 일 부분에 집중하여 퇴적하는 것을 억지할 수 있어, 배기 컨덕턴스의 저하나 배기 경로의 폐색 등을 저감하는 것이 가능하다. 한편, 제 1 포집 유닛(110)의 하류측의 배기 포집부를 구성하는 배기 통로(11Z)에 있어서는, 배기 가스의 흐름을 방해하여 편향시키는 것 같은 형태로 충돌판(116)이 배치되어 있다. 이에 의해, 배기 통로(11Z)에서의 고형물의 포집 효율을 보다 확실히 향상시킬 수 있다.
따라서, 이 제 1 포집 유닛(110)에만 관련해서도 석출물의 퇴적량의 편재를 저감하여 메인터넌스 빈도를 삭감할 수 있고, 또한 제 1 포집 유닛(110)의 하류측으로 유출하는 석출 성분을 저감하는 것이 가능하게 된다.
특히, 제 1 포집 유닛(110)에 있어서는, 상류측의 배기 통로(11X)와 하류측의 배기 통로(11Z)의 사이에 반전 통로부(11Y)가 구성되어 있다. 이 반전 통로 부(11Y)의 폐색을 방지하기 위해서, 반전 통로부(11Y)의 유통 단면적은, 상류측의 배기 통로(11X) 및 하류측의 배기 통로(11Z)의 유통 단면적보다도 커지고 있다. 이것은, 반전 통로부(11Y)에서 배기 가스의 흐름 방향이 반전되어지는 것으로부터, 배기 가스의 대부분이 반전 통로부(11Y)의 내면에 충돌하게 되기 때문에, 포집량이 증대하기 때문이다. 단지, 이 반전 통로부(11Y)에 고형물을 포집하는 핀을 마련하더라도 상관없다.
본 실시형태의 제 1 포집 유닛(110)은, 상술 한 바와 같이 반전 통로부(11Y)를 거쳐서 연통하는 배기 통로(11X) 및 배기 통로(11Z)가 내외 2중으로 형성되어, 배기 통로(11X) 및 배기 통로(11Z) 내에서의 배기 가스의 흐름 방향을 반대로 하고 있기 때문에, 각 배기 통로의 유통 단면적을 확보하면서, 전체를 콤팩트하게 구성할 수 있다.
본 실시형태에 있어서는, 배기 통로(11X)를 구비한 배기 포집부와, 배기 통로(11Z)를 구비한 배기 포집부와, 배기 통로(12X)를 구비한 배기 포집부와, 배기 통로(13X)를 구비한 배기 포집부가 직렬로 배열되어 있지만, 이것과는 다른 형태로 복수의 배기 포집부를 직렬로 배열해도 좋다. 예컨대, 상기 구성에 있어서 제 2 포집 유닛(배기 통로(12X)를 구비한 배기 포집부)와 제 3 포집 유닛(배기 통로(13X)를 구비한 배기 포집부) 중 어느 한쪽을 다른 쪽의 구조와 동일한 구조로 하여도 좋다. 또한, 배기 포집 장치(100)를 제 1 포집 유닛과 제 2 포집 유닛만으로 구성해도 좋고, 혹은 제 1 포집 유닛과 제 3 포집 유닛만으로 구성하더라도 좋다. 또한, 배기 포집 장치(100)를, 배기 통로(11Z)를 구비한 배기 포집부 및 배기 통로(12X)를 구비한 배기 포집부 중 어느 한쪽과, 배기 통로(13X)를 구비한 배기 포집부만으로 구성해도 좋다. 또한, 배기 포집 장치(100)를, 배기 통로(11X)를 구비한 배기 포집부와, 배기 통로(11Z)를 구비한 배기 포집부, 배기 통로(12X)를 구비한 배기 포집부 및 배기 통로(13X)를 구비한 배기 포집부 중 어느 하나만으로 구성해도 좋다.
다음에, 상기의 배기 포집 장치(100)를 구비한 가스 반응 장치의 구성에 대하여 설명한다. 도 7은, 본 실시형태의 가스 반응 장치의 구성예를 나타내는 개략 구성도이다. 이 가스 반응 장치에는, 가스 공급부(1)와, 가스 반응실(2)과, 배기 포집 장치(100 및 3)와, 배기 장치(4)가 마련되어 있다. 가스 공급부(1)는, 액체 원료(예컨대, Pb, Zr, Ti 등의 금속의 유기 화합물(유기 금속)이 액체인 경우에는 그 자체, 혹은, 그것을 유기 용매 등의 용매로 희석한 것, 혹은, 유기 화합물이 고체인 경우에는 유기 용매 등의 용매로 용해시킨 것 등)를 수용하는 원료 용기(1A, 1B, 1C)와, 유기 용매 등의 용매를 수용하는 용매 용기(1D)가 마련되어 있다.
이들 원료 용기(1A~1C) 및 용매 용기(1D)에는, N2, He, Ar 등의 불 활성 가스 그 밖의 가압 가스를 공급하는 가압관(1ax, 1bx, 1cx, 1dx)가 도입되고, 또한, 액체 원료나 용매를 도출하기 위한 도출관(1ay, 1by, 1cy, 1dy)가 도출되고 있다. 도출관(1ay~1dy)은 각각 유량 컨트롤러(1az, 1bz, 1cz, 1dz)를 거쳐서 합류관(1p)에 접속되어 있다. 이 합류관(1p)은 기화기(1E)에 접속되어 있다.
상기의 가압관(1ax~1dx)에 가압 가스를 공급하면, 각 원료 용기(1A~1D)로부 터 액체 원료 또는 용매가 도출관(1ay~1dy)에 압출되어, 유량 컨트롤러(1az~1dz)에서 유량이 조정되어 합류관(1p) 내에 공급된다. 합류관(1p)에는 N2, He, Ar 등의 불활성 가스 그 밖의 캐리어 가스가 공급되어 있고, 이들 캐리어 가스와 상기 액체 원료 혹은 용매가 기액 혼합 상태가 되어 기화기(1E)에 공급된다. 기화기(1E)에서는, 가열된 기화실내에 액체원료가 분무되는 것에 의해, 이 기화실내에서 액체 원료가 기화되어 원료 가스가 생성된다. 원료 가스는 원료 가스 공급관(1q)을 거쳐서 가스 반응실(2)로 보내진다.
또한, 가스 공급부(1)에는, 상기 원료 가스 공급관(1q)과는 별도로 가스 반응실(2)에 접속된 반응 가스 공급관(1r)과, 상기 원료 가스 공급관(1q)에 대하여 가스 반응실(2)의 바로 앞에서 합류하는 캐리어 가스 공급관(1s)이 마련되어 있다. 이 반응 가스 공급관(1r)에 의해, 상기 원료 가스 공급관(1q)에서 공급되는 원료 가스와 반응하여 소정의 반응을 발생시켜야 할 반응 가스(O2, NH4, Cl2 등)가 공급된다.
가스 반응실(2)은, 가열 히터 등의 가열 수단이나, 방전부 등의 방전 수단과 같은 에너지 인가 수단을 구비한 기밀 챔버내에, 가스 도입부(예컨대 샤워헤드와 같은 다수의 가스 도입 구멍을 구비한 부분)(2a)와, 이 가스 도입부(2a)에 대향 배치된 서셉터(2b)가 배치되어 있다. 서셉터(2b)에는 반도체 기판 등으로 구성되는 기판(W)이 탑재된다. 이 실시형태에서는, 가스 도입부(2a)로부터 도입된 원료 가스와 반응 가스는, 기밀 챔버내에서 상기의 에너지 인가 수단에 의해서 인가된 에 너지를 얻어 적절히 반응하여, 기판(W)의 표면 상에 소정의 박막이 성막된다. 여기서, 예컨대, 기판(W) 상에 PZT 박막을 성막하는 경우에는, 기판 온도는 통상 500~700℃ 정도이며, 가스 반응실(2)내로부터 배출되는 배기 가스의 온도는 200℃ 정도가 된다.
기밀 챔버에는 배기관(2p)이 접속되고, 이 배기관(2p)은 상기의 배기 포집 장치(100)에 접속되어 있다. 배기 포집 장치(100)은 배기관(100p)에 접속되고, 이 배기관(100p)은 진공 펌프 등으로 구성되는 배기 장치(4)에 접속되어 있다. 또한, 상기 원료 가스 공급관(1q)은, 가스 반응실(2)에 도입되는 바로 앞에서 바이패스관(2q)에 접속되어 있고, 이 바이패스관(2q)은, 배기 포집 장치(3)에 접속되어 있다. 이 배기 포집 장치(3)는, 바이패스관(3q)을 거쳐서 상기 배기관(100p)에 접속되어 있다.
가스 반응실(2)은, 배기 장치(4)에 의해서 상기 배기관(2p), 배기 포집 장치(100) 및 배기관(100p)을 거쳐서 감압되어, 소정의 압력으로 유지된다. 가스 반응실(2)의 내부에서 상기한 반응이 발생하면, 그 배기 가스는, 도중에 배기 포집 장치(100)로 반응 부생성물이 포집된 후에, 배기 장치(4)로 배출된다. 여기서, 상기 가스 공급부(1)로부터 원료 가스 공급관(1q)에 의해 공급되는 원료 가스는, 당초 그 가스 조성이 안정할 때까지, 및, 가스 반응실(2)의 준비가 완료할 때까지, 혹은, 가스 반응실(2)에 있어서의 반응이 종료한 후에 있어서, 바이패스관(2q), 배기 포집 장치(3) 및 바이패스관(3q)을 지나 배기 장치(4)로 배출된다. 이 때 바이패스에 흐르는 가스는, 가스 반응실(2)을 경유하지 않는 원료 가스 그 자체이다. 이 원료 가스에서도 배기 포집 장치(3)를 이용하는 것에 의해 석출물이 포집된다.
도 7에서는, 본 발명에 따른 배기 포집 장치(100)를 가스 반응실(2)의 배기 경로에 접속한 예를 나타내었지만, 배기 포집 장치(100)를, 상기의 배기 포집 장치(3)와 같이, 상기 가스 공급부(1)에 접속된 배기 경로(바이패스라인)의 도중에 원료 가스를 포집하기 위한 배기 포집 장치로서 이용해도 좋다.
또한, 본 발명의 배기 포집 장치 및 가스 반응 장치는, 상술한 도시예에만 한정되는 것이 아니라, 본 발명의 요지를 일탈하지 않는 범위내에서 여러가지 변경을 더할 수 있는 것은 물론이다. 예컨대, 상기 실시형태의 배기 포집 장치(100)에서는, 각 배기 포집부를 구성하는 통로의 축선이 직선 형상이었으나, 곡선 형상이어도 좋고, 혹은 꺾어 꾸부려져 있어도 좋다.
또한, 상기한 배기 통로에는 모두 복수의 충돌판이 마련되어 있었지만, 이것에 대신하여, 예컨대, 나선의 축선이 배기 통로의 축선 방향과 일치하는 일체형의 나선 형상의 충돌판(스쿠루형 충돌판)을 마련해도 좋다. 이 경우, 이 나선형상의 충돌판의 내주부, 혹은 외주부와 배기 통로의 벽체의 사이에 간격을 마련하여, 상술한 공간(11Zt, 12Xt)과 동일한 공간을 배기 통로내에 마련할 수 있다.
또한, 상기 공간(11Zt, 12Xt)은 모두 배기 통로의 중심부에 구성되어 있지만, 배기 통로의 외주부에 구성해도 좋고, 또한, 충돌판에 관통 구멍을 형성하는 것에 의해 구성해도 상관없다.
또한, 상기의 가스 반응 장치는, 기판 상에 박막을 형성하기 위한 성막 장치 인 경우의 예로서 설명했지만, 이 성막계로서는, TiCl4와 NH3을 반응시켜 TiN 막을 형성할 때에 반응 부생성물로서 NH4Cl가 생성되는 경우, SiH4나 SiH2Cl2와 NH3을 반응시켜 SiN 막을 형성할 때에 반응 부생성물로서 NH4Cl이 생성되는 경우, WF6과 NH3을 반응시켜 WN 막을 형성할 때에 반응 부생성물로서 NH4F가 생성되는 경우, TaCl4와 NH3을 반응시켜 TaN 막을 형성할 때에 반응 부생성물로서 NH4Cl이 생성되는 경우, 그 외, 금속 산화막을 형성하는 경우 등을 들 수 있다. 또한, 포집물로서는 상기 한 바와 같은 반응 부생성물에 한하지 않고, 반응하지 않았던 잉여의 반응 가스를 포집해도 좋다. 또한, 이러한 반도체 장치의 성막 장치 이외의 드라이 에칭 장치 등의 다른 가스 반응 장치 혹은 LCD 용의 장치에 대해서도 동일하게 본 발명을 적용할 수 있다.

Claims (7)

  1. 가스의 배기 경로를 통과하는 배기 가스로부터의 석출물을 포집하는 배기 포집 장치에 있어서,
    상기 배기 경로를 따라, 각각의 내부에 배기 가스를 통과시키는 배기 통로가 형성된 복수의 배기 포집부가 직렬로 배치되고,
    상기 복수의 배기 포집부는, 배기 가스의 흐름 방향에 관련하여 상류측에 배치된 제 1 배기 포집부와, 하류측에 배치된 제 2 배기 포집부를 포함하고,
    상기 제 1 배기 포집부에는, 그 배기 통로의 축선 방향을 따라서 흐르는 배기 가스의 흐름을 차단하도록 배치된 하나 이상의 충돌판이 마련되어 있고, 또한, 상기 충돌판은, 그 배기 통로내에 배치된 어떠한 충돌판에 의해서도 차단되는 일없이 그 배기 통로의 축선 방향을 따라서 연속적으로 연장하는 공간이 그 배기 통로내에 존재하도록 배치되어 있고,
    상기 제 2 배기 포집부에는, 그 배기 통로의 축선 방향을 따라서 흐르는 배기 가스의 흐름을 차단하도록 배치된 복수의 충돌판이 마련되고 있고, 또한, 상기 복수의 충돌판은, 그 배기 통로내에 배치된 어떠한 충돌판에 의해서도 차단되는 일없이 그 배기 통로의 축선 방향을 따라서 연속적으로 연장하는 공간이 그 배기 통로내에 존재하지 않도록 배치되어 있는 것을 특징으로 하는
    배기 포집 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 복수의 배기 포집부는, 서로 장착 및 분리가 가능하도록 구성되어 있는 것을 특징으로 하는
    배기 포집 장치.
  3. 가스의 배기 경로를 통과하는 배기 가스로부터의 석출물을 포집하는 배기 포집 장치에 있어서,
    상기 배기 경로를 따라서, 각각의 내부에 배기 가스를 통과시키는 배기 통로가 형성된 복수의 배기 포집부가 직렬로 마련되고,
    상기 복수의 배기 포집부는, 배기 가스의 흐름 방향에 관련하여 상류측에 배치된 제 1 배기 포집부와, 하류측에 배치된 제 2 배기 포집부를 포함하고,
    상기 제 1 및 제 2 배기 포집부에는 하나 이상의 충돌판이 마련되고,
    상기 제 2 배기 포집부에서의 배기 통로의 축선과 충돌판이 이루는
    각도는, 상기 제 1 배기 포집부에서의 배기 통로의 축선과 충돌판이 이루는 각도보다도 큰것을 특징으로 하는
    배기 포집 장치.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 제 1 및 제 2 배기 포집부는, 한쪽이 다른 쪽의 외측을 둘러싸듯이 배치되고,
    상기 제 1 배기 포집부와 상기 제 2 배기 포집부와의 사이에, 배기 가스의 흐름 방향을 반전시키는 반전 통로부가 마련되어 있는 것을 특징으로 하는
    배기 포집 장치.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 반전 통로부는, 상기 제 1 및 제 2 배기 포집부를, 그것들의 전둘레에 걸쳐 접속하는 것을 특징으로 하는
    배기 포집 장치.
  6. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 충돌판은, 그 충돌판이 배치된 배기 통로내를 가스가 나선 형상으로 흐르도록 배치되어 있는 것을 특징으로 하는
    배기 포집 장치.
  7. 가스 공급부와, 해당 가스 공급부에서 공급되는 가스를 반응시키는 가스 반응실과, 상기 가스 공급부 혹은 상기 가스 반응실의 배기 경로와, 해당 배기 경로 도중에 배치되는 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 기재된 배기 포집 장치를 구비하는 것을 특징으로 하는
    가스 반응 장치.
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Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB0504312D0 (en) * 2005-03-02 2005-04-06 Boc Group Plc Trap device
JP5128168B2 (ja) * 2006-04-24 2013-01-23 三菱電線工業株式会社 排気装置
JP2008082285A (ja) * 2006-09-28 2008-04-10 Techno Takatsuki Co Ltd エアポンプの集塵機構
JP5023646B2 (ja) * 2006-10-10 2012-09-12 東京エレクトロン株式会社 排気系、捕集ユニット及びこれを用いた処理装置
JP2008189504A (ja) * 2007-02-02 2008-08-21 Idemitsu Kosan Co Ltd 改質ユニットおよび燃料電池システム
US8297223B2 (en) * 2007-10-02 2012-10-30 Msp Corporation Method and apparatus for particle filtration and enhancing tool performance in film deposition
JP4615040B2 (ja) * 2008-07-04 2011-01-19 東京エレクトロン株式会社 トラップ装置及び減圧乾燥装置
KR101132605B1 (ko) * 2009-03-13 2012-04-06 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 처리 장치, 트랩 장치, 기판 처리 장치의 제어 방법 및 트랩 장치의 제어 방법
JP5763947B2 (ja) 2011-03-26 2015-08-12 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び回収装置
JP5728341B2 (ja) * 2011-09-13 2015-06-03 東京エレクトロン株式会社 排気トラップ
US9057388B2 (en) * 2012-03-21 2015-06-16 International Business Machines Corporation Vacuum trap
CN102808165A (zh) * 2012-08-09 2012-12-05 北京七星华创电子股份有限公司 粉尘吸附器
US20140116336A1 (en) * 2012-10-26 2014-05-01 Applied Materials, Inc. Substrate process chamber exhaust
JP6468884B2 (ja) * 2014-04-21 2019-02-13 東京エレクトロン株式会社 排気システム
JP6628653B2 (ja) * 2016-03-17 2020-01-15 東京エレクトロン株式会社 トラップ装置及びこれを用いた排気系、並びに基板処理装置
WO2017177398A1 (en) * 2016-04-13 2017-10-19 Applied Materials, Inc. Apparatus for exhaust cooling
KR102306675B1 (ko) 2017-05-19 2021-09-28 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 액체 및 고체 유출물의 수집 및 가스 유출물로의 후속 반응을 위한 장치
US11525185B2 (en) * 2019-09-17 2022-12-13 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Vacuum systems in semiconductor fabrication facilities
US20220339580A1 (en) * 2019-09-24 2022-10-27 University Of Georgia Research Foundation, Inc. Collection and separation systems and methods of use thereof and isotope analysis systems and methods of use thereof
KR102479590B1 (ko) * 2020-12-30 2022-12-21 세메스 주식회사 기판 처리 장치

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0261067A (ja) * 1988-08-26 1990-03-01 Tel Sagami Ltd 熱処理装置
JP2913040B2 (ja) * 1988-08-26 1999-06-28 東京エレクトロン株式会社 トラップ装置
JP3609329B2 (ja) * 1992-09-07 2005-01-12 三菱電機株式会社 窒化膜形成方法
CN2151802Y (zh) * 1993-03-05 1994-01-05 协益塑胶股份有限公司 新型水滴分离器
US5522934A (en) 1994-04-26 1996-06-04 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus using vertical gas inlets one on top of another
JP3276514B2 (ja) * 1994-04-26 2002-04-22 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
JP3547799B2 (ja) 1994-07-19 2004-07-28 富士通株式会社 コールドトラップ及び半導体装置の製造装置
JP3246708B2 (ja) 1995-05-02 2002-01-15 東京エレクトロン株式会社 トラップ装置及びこれを用いた未反応処理ガス排気機構
JP3313553B2 (ja) * 1995-09-29 2002-08-12 株式会社 マーレ テネックス オイルミストセパレータ
US6332925B1 (en) 1996-05-23 2001-12-25 Ebara Corporation Evacuation system
JP3238099B2 (ja) 1996-05-23 2001-12-10 株式会社荏原製作所 真空排気システム
JP2001526543A (ja) 1997-05-20 2001-12-18 ザ プロクター アンド ギャンブル カンパニー 流動性組成物および該流動性組成物の製法
JP2000256856A (ja) * 1999-03-11 2000-09-19 Tokyo Electron Ltd 処理装置及び処理装置用真空排気システム及び減圧ｃｖｄ装置及び減圧ｃｖｄ装置用真空排気システム及びトラップ装置
JP2001131748A (ja) 1999-11-01 2001-05-15 Tokyo Electron Ltd トラップ装置及びトラップ方法
US6743473B1 (en) 2000-02-16 2004-06-01 Applied Materials, Inc. Chemical vapor deposition of barriers from novel precursors
US6488745B2 (en) * 2001-03-23 2002-12-03 Mks Instruments, Inc. Trap apparatus and method for condensable by-products of deposition reactions
JP2004022573A (ja) * 2002-06-12 2004-01-22 Hitachi Kokusai Electric Inc 半導体製造装置
CN1416936A (zh) * 2002-12-05 2003-05-14 成都炉莱特尔净化技术实业有限公司 油烟过滤板

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
JP 12-256856 A(2000.09.19)1부.
JP 2-59002 A(1990.02.28)1부,

Also Published As

Publication number Publication date
US7537628B2 (en) 2009-05-26
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WO2005107922A1 (ja) 2005-11-17
US20070175188A1 (en) 2007-08-02
CN101371958B (zh) 2011-08-17
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US8057564B2 (en) 2011-11-15
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JP2005327761A (ja) 2005-11-24

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