JP6650021B2 - 半導体工程における副産物取込装置 - Google Patents

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Description

本発明は、半導体工程における副産物取込装置に関するものであって、より具体的には、半導体素子の製造工程においてプロセスチャンバーから排出される排ガスに含まれる反応副産物に対し、より効率的に、且つ、より多くの量を取り込んで安全に処理できる、半導体工程における副産物取込装置に関するものである。
通常、半導体の製造工程は、大きく分けて、前工程(fabrication工程)と、後工程(assembly工程)からなり、前工程とは、各プロセスチャンバーの中で、ウエハー(wafer)の上に薄膜を蒸着させ、蒸着した薄膜に対し選択的にエッチングを行うプロセスを繰り返して、所定のパターンを加工することにより、いわゆる半導体チップを製造する工程をいい、一方で、後工程とは、該前工程において製造されたチップを個片化し、リードフレームに結合させることにより、完成品に仕上げる工程をいう。
この際、前記ウエハーの上に薄膜を蒸着させる工程や、ウエハーの上に蒸着した薄膜に対しエッチングを行う工程は、プロセスチャンバー内の高温の環境において、シラン(silane)、アルシン(arsine)、及び塩化ホウ素等の有害ガスや、水素等のプロセスガスを用いて行われ、該工程が行われる間には、プロセスチャンバーの内部において、発火性ガスや、腐食性のある異物、有害性のある有害ガス等が多量発生する。
このため、半導体の製造装置においては、プロセスチャンバーを真空状態にするための真空ポンプの後端に、該プロセスチャンバーから排出される排ガスを浄化して大気へ放出するスクラバー(scrubber)が設けられる。
しかし、プロセスチャンバーから排出される排ガスは、大気に接するか、又は、周りの温度が低すぎると、固形化してパウダー状に変わり、該パウダー状の排ガスは排気ラインに固着することで排気圧を上昇させるとともに、該排ガスが真空ポンプに流入する場合には、真空ポンプの故障を起こすことで排ガスの逆流を招くことから、プロセスチャンバー内のウエハーを汚染させる問題があった。
上記問題点を解決するため、図12に示されたように、プロセスチャンバー1と真空ポンプ3の間には、該プロセスチャンバー1から排出される排ガスをパウダー状に凝着させるパウダートラップ装置が設けられている。
即ち、図10に示されたように、プロセスチャンバー1と真空ポンプ3とはポンピングライン2を介して接続し、該ポンピングライン2には、該プロセスチャンバー1から発生した反応副産物をパウダー状にトラップして溜めるためのトラップ管7が、該ポンピングライン2から分岐して設けられている。
このような従来のパウダートラップ装置の場合、上記プロセスチャンバー1の内部で薄膜の蒸着やエッチングの際に発生した未反応のガスが、該プロセスチャンバー1に比べ低い温度の雰囲気を有するポンピングライン2の方に流入して粉末状のパウダー9に固形化し、該ポンピングライン2から分岐して設けられたトラップ管7に溜まることになる。
ここに、本出願人は、上記のような従来の問題点を解決するため、「半導体製造装置における副産物取込装置」を発明したことがある(韓国登録特許10-0647725号、10-0676927号)。
しかし、上記の半導体製造装置における副産物取込装置には、以下のような問題点があった。
第一に、パウダーの溜まっているトラップ管の取込面積(スペース)が狭いことで、トラップ管に溜まったパウダーを取り除くためにプロセスチャンバーを止める回数が増加するにつれ、プロセスチャンバーの待機時間が増加する。これにより、全体工程に所要する時間(TAT：Turn Around Time)が長くなるため、生産性の低下や製品価格の値上がりの原因となり、トラップ管のクリーニングサイクルが短くなる問題があった。
第二に、半導体工程の集積化により、薄膜の蒸着方法がCVD(Chemical Vapor Deposition)からALD(Atomic Layer Deposition)に切り替えられ、使用される前駆体(precursor)が多様化し、また、ソース(source)の使用量が増加する傾向にある。このため、未反応副産物の量が増え、大量の副産物を取り込めるトラップが求められるが、従来の低用量取込装置は、洗浄のためにプロセスチャンバーの停止回数が増加することから、多くの問題点があり、洗浄サイクルを長くできる高容量の半導体副産物取込装置が求められる。
なお、前述の韓国登録特許10-0647725号、10-0676927号に開示された半導体製造装置の副産物取込装置を単に大きくすることでは、スパイラルプレートが製造しにくくて製造コストが上昇し、また、ハウジングの冷却水のために２重のハウジングが設けられるが、円筒型ハウジングの材料となるチューブが多くなるにつれて製造コストが上昇し、また、総面積の割には、内部の複雑な構造のため、実際に取り込めるスペースが少ない等の問題があった。
韓国登録特許第10-0647725号公報(2006年11月13日) 韓国登録特許第10-0676927号公報(2007年1月25日) 韓国公開特許第10-1024504号公報(2011年3月17日) 韓国登録特許第10-1057086号公報(2011年8月9日)
本発明は、このような従来の諸問題を解決するために考案されたものであって、構造はコンパクトながら、副産物の取込容量は大幅に増えるように改良された半導体製造装置において、該半導体製造装置における副産物取込装置の取替サイクルを大幅に延ばすことが可能で、また、反応副産物を速やかに且つ効率的に長い間に多く取り込め、半導体の製造における生産性や信頼度を大きく向上できる半導体工程副産物取込装置を提供することを、その目的とする。
上記目的を達成するための本発明に係る副産物取込装置は、プロセスチャンバーと真空ポンプの間に設けられ、前記プロセスチャンバーから発生する排ガス内の反応副産物を取り込むための半導体工程副産物取込装置であって、上下の開口部に脱着可能に取り付けられた上板及び下板に、ガス流入孔とガス排出孔が設けられ、内部には、前記プロセスチャンバーから排出される排ガスの流れる通路が形成されたハウジングと、複数の放熱フィンが垂直方向に放射状で配置されており、前記上板の底面に設けられ、前記上板のガス流入孔を通って流入する排ガスを化学的に変化させるに必要なエネルギーを供給するために加熱する一方で、該エネルギーを前記ハウジングの内部スペースで均等に行き渡らせる、セラミック又はインコネルからなるヒータープレートと、前記ハウジングの上板の一側に設けられ、前記ヒータープレートに電源・電圧を供給するヒーター電源供給部と、中央部に大径の垂直方向大量ガス通過孔が開いた四角形状の水平板の上面に、複数の副産物取込部材が該水平板の中心に対して放射状に設けられ、該上板のガス流入口からハウジング内に流入する排ガスの大部分を垂直方向に通らせ、残りの一部分を水平方向へ均等に行き渡らせるとともに、一部の副産物をパウダー状に取り込む第１の上部水平ブラケットと、中央部に開いた大面積の垂直方向大量ガス通過孔の外側に小径の微量ガス通過孔が複数開いており、複数のサポート部材を介して前記第１の上部水平ブラケットの底部から所定の距離だけ離れた位置に設けられ、前記第１の上部水平ブラケットを通って流入する排ガスを水平及び垂直の方向に均等に行き渡らせるとともに、一部の副産物をパウダー状に取り込む第２の上部水平ブラケットと、等脚台形の形状を有し、組み立てられた状態で外側に露出した箇所にのみ複数の垂直方向のガス通過孔が開いた、複数の横方向及び縦方向の垂直板が格子状に組み立てられており、四面が傾斜を有するピラミッド型であり、組み立てのために底部の一部にのみ設けられた係合爪により90°で交差する格子状が維持され、中央部の上部の大部分には通り抜けの排ガス通過スペース部が設けられ、前記第２の上部水平ブラケットと下部水平ブラケットの間に設けられており、前記第２の上部水平ブラケットを介して流入する大部分の排ガスに対しては、該排ガス通過スペース部を通らせ、残りの排ガスに対しては、等脚台形の形状を有する複数の横方向及び縦方向の垂直板に沿って流れ落ちさせつつ一部の副産物をパウダー状に取り込む副産物取込タワーと、複数の四角形ガス通過孔が横方向及び縦方向において数列で開いており、前記副産物取込タワーの底面とウィンドーの上面との間に設けられ、前記副産物取込タワーを通って垂直方向に流入する排ガスをウィンドー側へ誘導するとともに、排ガスに含まれた一部の副産物をパウダー状に取り込む下部水平ブラケットと、複数のガス吸入孔の開いた４つの四角板材が上下面の開口された四角枠状に組み立てられており、上の開口部には前記下部水平ブラケットが設けられ、底面が複数のサポート部材を介してハウジングの下板から所定の距離だけ離れた位置に設けられ、該サポート部材の上部の横方向においては、下部水平ブラケットを通った排ガスがガス取込排出口に直接流入することを防ぐための排ガス垂直流入防止板が設けられており、前記副産物取込タワー及び下部水平ブラケットを通った、又は前記ハウジングの内部スペースを通って横方向から流入され、パウダー状に変化している副産物が、ガス取込排出口側へ直接流入することを防ぐと共に、排ガスのみをガス取込排出口側へ誘導するウィンドーと、前記ウィンドーの内部と、前記ハウジングの下板に設けられたガス排出孔との間で、垂直方向に延在しており、前記下部水平ブラケットのガス通過孔、前記ウィンドーのガス吸入孔、及びウィンドーの底部の隙間を通って流入する排ガスを取り込んで外部へ排出するガス取込排出口と、を含むことを特徴とする。
また、本発明に係る副産物取込装置は、前記第１の上部水平ブラケットの四角形状の水平板に、中央部に設けられた垂直方向大量ガス通過孔の径よりも小さい径を有する複数の微量ガス通過孔が更に開いており、前記第１の上部水平ブラケットの四角形状の水平板の上面に沿って水平方向に移動する排ガスの一部が該複数の微量ガス通過孔を通って、前記第２の上部水平ブラケット及び前記副産物取込タワーの方へ流入することを特徴とする。
また、本発明に係る副産物取込装置は、前記第１の上部水平ブラケットの上面に設けられた前記副産物取込部材が、垂直に立てられて放射状に配設されたガス流路ガイド板と、前記ガス流路ガイド板において所定の間隔を置いて直角方向に交差するように設けられた複数の副産物取込板と、を含むことを特徴とする。
また、本発明に係る副産物取込装置は、前記副産物取込タワーに設けられた、等脚台形の形状を有する複数の横方向及び縦方向の垂直板のうち、前後・左右の側面に位置する2つずつ横縦の垂直板の上端部における係合爪の間には、所定の間隔を置いて「U」字状の複数の副産物取込強化溝が更に設けられ、内側に位置する2つずつ横縦の垂直板の上端部における係合爪の間には、「U」字状の１つの排ガス通過溝が設けられ、且つ、前記横方向の垂直板の底面から垂直方向で上方に向けて、所定の間隔を置いて縦方向垂直板挿入用切り欠溝が設けられ、前記縦方向の垂直板の上面から垂直方向で下方に向けて、所定の間隔を置いて横方向垂直板挿入用切り欠溝が設けられることを特徴とする。
また、本発明に係る副産物取込装置は、前記複数のガス吸入孔の開いたウィンドーの四面において、垂直方向に延在する複数の副産物取込強化板が所定の間隔を置いて更に設けられ、前記副産物取込強化板はウィンドーの四面の外側の面と直角を成すように設けられることを特徴とする。
また、本発明に係る副産物取込装置は、前記ハウジングの上板の内部に、上板がヒータープレートから発生する熱により過熱することを防止することにより、ハウジングの上面と上板の底面との間に設けられるシールやガスケットの損傷を防止すると共に、上板の底面でもパウダーを取り込めるように、冷却水の流れる冷却管が埋め込まれ、前記上板の上面には、該冷却管の両端部にそれぞれ接続する冷却水流入口及び冷却水排出口が設けられることを特徴とする。
また、本発明に係る副産物取込装置は、前記ハウジングの内壁に、該ハウジングの内部を通過する排ガスを渦巻きにさせる複数の過流発生板が垂直方向に所定の間隔を置いて更に設けられることを特徴とする。
また、本発明に係る副産物取込装置は、前記過流発生板の側端面が「−」、
のうちいずれかの形状を有することを特徴とする。
また、本発明に係る副産物取込装置は、前記ハウジングの下板の底面に、垂直方向に延在し、下端部に高さ調節用ボルト兼支持具を有する複数のレッグが更に設けられることを特徴とする。
また、本発明に係る副産物取込装置は、真空ポンプの作動時に発生する吸込力により所定の体積を有する該ハウジングの形状が変化することを防止するために、前記ハウジングの外側の面に、複数のハウジング変形防止リングが垂直方向に所定の間隔を置いて更に設けられることを特徴とする。
また、本発明に係る副産物取込装置は、前記ハウジングの前後側・両側の４面に取っ手が設けられることを特徴とする。
前述のように、本発明の半導体工程における副産物取込装置によると、ガス流入孔とガス排出孔がそれぞれ設けられた上板と下板により上下の開口部が塞がれており、比較的に大きな容積の四角形状を有するハウジングの内部のうち、上板の底面には、流入する排ガスを加熱して均等に行き渡らせるヒータープレートが設けられ、該ハウジングの上部には、第１及び第２の上部水平ブラケットが設けられ、該第２の上部水平ブラケットの底部には、等脚台形の形状を有する複数の横方向及び縦方向の垂直板が格子状に組み立てられており、四面が傾斜を有するピラミッド型であり、底部の一部にのみ設けられた係合爪により90°で交差する格子状が維持され、中央部の上部の大部分には通り抜けの排ガス通過スペース部が設けられ、該第２の上部水平ブラケットを介して流入する大部分の排ガスに対しては、該排ガス通過スペース部を通らせ、残りの排ガスに対しては、等脚台形の形状を有する複数の横方向及び縦方向の垂直板に沿って流れ落ちさせつつ一部の副産物をパウダー状に取り込む副産物取込タワーが設けられ、該副産物取込タワーの底面には下部水平ブラケットが設けられ、該下部水平ブラケットの底面には、複数のガス吸入孔が開いた四角枠状のウィンドーが設けられており、該ウィンドーの内部と該下板のガス排出孔の間にガス取込排出口が設けられることにより、構造はコンパクトながら、副産物の取込容量は大幅に増えて、半導体製造装置における副産物取込装置の取替サイクルを大幅に延ばすことができるだけでなく、反応副産物を速やかに且つ効率的に長い間に多く取り込め、半導体の製造時に、副産物を取り込む効率や、生産性、信頼度を大きく向上できるため、有用である。
本発明の半導体工程における副産物取込装置の取り付け状態を示す斜視図である。 本発明の半導体工程における副産物取込装置の分解斜視図である。 本発明の半導体工程における副産物取込装置の部分分解斜視図である。 本発明の半導体工程における副産物取込装置の副産物取込タワーの分解斜視図である。 本発明の半導体工程における副産物取込装置のウィンドーの分解斜視図である。 本発明の半導体工程における副産物取込装置の正断面図である。 本発明の半導体工程における副産物取込装置の内部において、排ガスが均等に行き渡って流れると同時に、渦巻いて反応副産物を取り込む様子を、(a)側面から示す図、及び、(b)正面から示す図である。 本発明の半導体工程における副産物取込装置の過流発生板に係る各実施例を示す図である。 本発明の半導体工程における副産物取込装置により副産物が取り込まれた後、ヒータープレートと上板の底面、副産物取込タワーの正面と内部、及びウィンドーの外部から、該副産物が取り込まれた様子を撮影した写真である。 従来の副産物取込システムに関する概略的な構成図である。
以下、添付の図面を参照しながら、本発明に係る実施例や作動の態様を詳細に説明する。
本発明を説明するにおいて、関係する公知の機能や構成に関する具体的な説明が本発明の要旨を無用に分かりにくくする恐れがあると判断された場合は、その説明を省略することにする。
図1は、本発明の半導体工程における副産物取込装置の取り付け状態を示す斜視図であり、図2は、本発明の半導体工程における副産物取込装置の分解斜視図であり、 図3は、本発明の半導体工程における副産物取込装置の部分分解斜視図である。
図4は、本発明の半導体工程における副産物取込装置の副産物取込タワーの分解斜視図であり、図5は、本発明の半導体工程における副産物取込装置のウィンドーの分解斜視図であり、図6は、本発明の半導体工程における副産物取込装置の正断面図である。
図7は、本発明の半導体工程における副産物取込装置の内部において、排ガスが均等に行き渡って流れると同時に、渦巻いて反応副産物を取り込む様子を、(a)側面から示す図、及び、(b)正面から示す図であり、図8は、本発明の半導体工程における副産物取込装置の過流発生板に係る各実施例を示す側断面図であり、図9の(a)〜(d)は、本発明の半導体工程における副産物取込装置により副産物が取り込まれた後、ヒータープレートと上板の底面、副産物取込タワーの正面と内部、及びウィンドーの外部から、該副産物が取り込まれた様子を撮影した写真である。
これらによると、本発明は、プロセスチャンバーと真空ポンプの間に設けられ、前記プロセスチャンバーから発生する排ガス内の反応副産物を取り込むための半導体工程副産物取込装置であって、
上下の開口部に脱着可能に取り付けられた上板11及び下板12に、ガス流入孔111とガス排出孔121が設けられ、内部には、前記プロセスチャンバーから排出される排ガスの流れる通路が形成されたハウジング10と、
複数の放熱フィン21が垂直方向に放射状で配置されており、前記上板11の底面に設けられ、前記上板11のガス流入孔111を通って流入する排ガスを化学的に変化させるに必要なエネルギーを供給するために加熱する一方で、該エネルギーを前記ハウジング10の内部スペースで均等に行き渡らせる、セラミック又はインコネルからなるヒータープレート20と、
前記ハウジング10の上板11の一側に設けられ、前記ヒータープレート20に電源・電圧を供給するヒーター電源供給部22と、
中央部に大径の垂直方向大量ガス通過孔311が開いた四角形状の水平板31の上面に、複数の副産物取込部材32が該水平板の中心に対して放射状に設けられ、該上板11のガス流入口111からハウジング10内に流入する排ガスの大部分を垂直方向に通らせ、残りの一部分を水平方向へ均等に行き渡らせるとともに、一部の副産物をパウダー状に取り込む第１の上部水平ブラケット30と、
中央部に開いた大面積の垂直方向大量ガス通過孔41の外側に小径の微量ガス通過孔42が複数開いており、複数のサポート部材18を介して前記第１の上部水平ブラケット30の底部から所定の距離だけ離れた位置に設けられ、前記第１の上部水平ブラケット30を通って流入する排ガスを水平及び垂直の方向に均等に行き渡らせるとともに、一部の副産物をパウダー状に取り込む第２の上部水平ブラケット40と、
等脚台形の形状を有し、組み立てられた状態で外側に露出された箇所にのみ複数の垂直方向のガス通過孔512,522が開いた、複数の横方向及び縦方向の垂直板51a,51b,52a,52bが格子状に組み立てられており、四面が傾斜を有するピラミッド型であり、底部の一部にのみ設けられた係合爪511,521により90°で交差する格子状が維持され、中央部の上部の大部分には通り抜けの排ガス通過スペース部53が設けられ、前記第２の上部水平ブラケット40と下部水平ブラケット60の間に設けられており、前記第２の上部水平ブラケット40を介して流入する大部分の排ガスに対しては、該排ガス通過スペース部53を通らせ、残りの排ガスに対しては、等脚台形の形状を有する複数の横方向及び縦方向の垂直板51a,51b,52a,52bに沿って流れ落ちさせつつ一部の副産物をパウダー状に取り込む副産物取込タワー50と、
複数の四角形のガス通過孔61が横方向及び縦方向において数列で開いており、前記副産物取込タワー50の底面とウィンドー70の上面との間に水平方向で設けられ、前記副産物取込タワー50を通って垂直方向に流入する排ガスをウィンドー70側へ誘導するとともに、排ガスに含まれた一部の副産物をパウダー状に取り込む下部水平ブラケット60と、
複数のガス吸入孔71の開いた４つの四角板材が上下面の開口された四角枠状に組み立てられており、上の開口部には前記下部水平ブラケット60が設けられ、底面が複数のサポート部材18を介してハウジング10の下板12から所定の距離だけ離れた位置に設けられ、該サポート部材の上部の横方向においては、下部水平ブラケット60を通った排ガスがガス取込排出口80側に直接流入することを防ぐための排ガス垂直流入防止板72が設けられており、前記副産物取込タワー50及び下部水平ブラケット60を通った、又は、前記ハウジング10の内部スペースを通って横方向から流入され、パウダー状に変化している副産物が、ガス取込排出口80側へ直接流入することを防ぐと共に、排ガスのみをガス取込排出口80側へ誘導するウィンドー70と、
前記ウィンドー70の内部と、前記ハウジング10の下板12に設けられたガス排出孔121との間で、垂直方向に延在しており、前記下部水平ブラケット60のガス通過孔61、前記ウィンドー70のガス吸入孔71、及びウィンドー70の底部とハウジング10の下板12と間の隙間を通って流入する排ガスを取り込んで外部へ排出するガス取込排出口80と、を含むことを特徴とする。
また、本発明は、前記第１の上部ブラケット30の四角形状の水平板31に、中央部に設けられた垂直方向大量ガス通過孔311の径よりも小さい径を有する複数の微量ガス通過孔312が更に開いており、前記第１の上部ブラケット30の四角形状の水平板31の上面に沿って水平方向に移動する排ガスの一部が該複数の微量ガス通過孔312を通って、前記第２の上部ブラケット40及び前記副産物取込タワー50の方へ流入することを特徴とする。
また、本発明は、前記第１の上部ブラケット30の上面に設けられた前記副産物取込部材32が、垂直に立てられて放射状に配設されたガス流路ガイド板321と、該ガス流路ガイド板321において所定の間隔を置いて直角方向に交差するように設けられた複数の副産物取込板322と、を含むことを特徴とする。
また、本発明は、前記副産物取込タワー50に設けられた、等脚台形の形状を有する複数の横方向及び縦方向の垂直板51a,51b,52a,52bのうち、前後・左右の側面に位置する2つずつ横縦の垂直板51a,52aの上端部における係合爪511,521の間には、所定の間隔を置いて「U」字状の複数の副産物取込強化溝513,523が更に設けられ、内側に位置する2つずつ横縦の垂直板51b,52bの上端部における係合爪511,521の間には、「U」字状の１つの排ガス通過溝514,524が設けられ、且つ、前記横方向の垂直板51a,51bの底面から垂直方向で上方に向けて、所定の間隔を置いて縦方向垂直板挿入用切り欠溝515が設けられ、前記縦方向の垂直板52a,52bの上面から垂直方向で下方に向けて、所定の間隔を置いて横方向垂直板挿入用切り欠溝525が設けられることを特徴とする。
また、本発明は、前記複数のガス吸入孔71の開いたウィンドー70の四面において、垂直方向に延在する複数の副産物取込強化板73が所定の間隔を置いて更に設けられ、前記副産物取込強化板73はウィンドー70の四面の外側の面と直角を成すように設けられることを特徴とする。
また、本発明は、前記ハウジング10の上板11の内部に、上板11がヒータープレート20から発生する熱により過熱することを防止することにより、ハウジング10の上面と上板11の底面との間に設けられるシールやガスケット13の損傷を防止すると共に、上板11の底面でもパウダーを取り込めるように、冷却水の流れる冷却管90が埋め込まれ、前記上板11の上面には、該冷却管90の両端部にそれぞれ接続する冷却水流入口91及び冷却水排出口92が設けられることを特徴とする。
また、本発明は、前記ハウジング10の内壁に、該ハウジング10の内部を通過する排ガスを渦巻きにさせる複数の過流発生板17が垂直方向に所定の間隔を置いて更に設けられることを特徴とする。
また、本発明は、前記過流発生板17の側断面が「−」、
のうちいずれかの形状を有することを特徴とする。
また、本発明は、前記ハウジング10の下板12の底面に、垂直方向に延在し、下端部に高さ調節用ボルト兼支持具141を有する複数のレッグ14が更に設けられることを特徴とする。
また、本発明は、真空ポンプの作動時に発生する吸込力により所定の体積を有する該ハウジング10の形状が変化することを防止するために、前記ハウジング10の外側の面に、複数のハウジング変形防止リング15が垂直方向に所定の間隔を置いて更に設けられることを特徴とする。
また、本発明は、前記ハウジング10の前後側・両側の４面に取っ手16が設けられることを特徴とする。
このように構成された本発明に係る副産物取込装置の作用・効果を、図１〜図9を参照しながら、以下に説明する。
まず、本発明に係る副産物取込装置は、図１〜図3に示したように、構造はコンパクトながら、副産物の取込容量を大幅に増やすため、ハウジング１0、ヒータープレート20、ヒーター電源供給部22、第１の上部水平ブラケット30、第２の上部水平ブラケット40、副産物取込タワー50、下部水平ブラケット60、ウィンドー70、及びガス取込排出口80を含むことにより、半導体製造装置における副産物取込装置の取替サイクルを大幅に延ばすことが可能で、また、反応副産物を速やかに且つ効率的に長い間に多く取り込むことができることを主な技術要素とする。
この際に、多くの構成要素は、チタン(grade1〜4)、SUS304、SUS316、アルミニウム等の素材を用いて製造され、プロセスチャンバーから排出される排ガスによる腐食等を防ぐことができる。
かかる構成要素のうち前記ハウジング10は、図１及び図２に示したように、比較的に大きな容積で中空の四角形状を有し、上部の開口部には、ガス流入孔111を備える上板11が複数のボルト等により脱着可能に取り付けられ、下部の開口部には、ガス排出孔121を備える下板12が複数のボルト等により脱着可能に取り付けられ、また、内部には、半導体製造のためのプロセスチャンバーから排出される排ガスの流れる通路が形成されている。
また、前記ハウジング10の下板12の底面には、垂直方向に延在し、下端部に高さ調節用ボルト兼支持具141を有する複数のレッグ14を更に設けることにより、本発明の副産物取込装置を、場所を問わずに設置することが可能であり、且つ、該高さ調節用ボルト兼支持具141を用いて、比較的に大きな容積を有するハウジング10の水平調整を容易に行うことができる。特に、本発明の副産物取込装置が設けられる床と、ハウジング10の底面との間のスペースを十分に確保できるため、後述するガス取込排出口80への真空ポンプ(図示せず)の接続や、該ガス取込排出口80からの真空ポンプの分離をスムーズに行うことができる。
また、本発明における前記ハウジング10の外側の面に、複数のハウジング変形防止リング15を垂直方向に所定の間隔を置いて更に設けることにより、高い吸込力を有する真空ポンプの作動時に発生する吸込力により所定の体積を有する該ハウジング10の形状が変化することを防止できるため、製品の丈夫さを向上し、製品寿命も大幅に延ばすことができる。
また、本発明では、前記ハウジング10の前後側・両側の４面に取っ手を更に設けることにより、本発明の副産物取込装置を楽で容易に運ぶことができる。
また、前記ヒータープレート20は、排ガスによる腐食を防ぐため、セラミック又はインコネルからなり、上面には複数の放熱フィン21が垂直方向に放射状で配置されており、前記上板11の底面に脱着可能に取り付けられる。
また、前記ヒーター電源供給部22は、前記ヒータープレート20に電源・電圧をスムーズに供給すると共に、メインテナンスを容易にするために前記ハウジング10の上板11の一側に設けられる。
このように、前記ハウジング10の上板11に、ヒータープレート20と、ヒーター電源供給部22を設けることにより、該ハウジング10の上板11を含む内部の上方スペースを加熱すると、プロセスチャンバーから前記上板11のガス流入孔111を介して流入する排ガスが、前記ヒータープレート20を通過し、加熱により大きい化学的変化を起こすと共に、ヒータープレート20の上面に放射状に配置された防熱フィン21の間を通って、後述する第１及び第２の上部水平ブラケット30,40の上部を含め、副産物取込タワー50及びハウジング10の内部スペースに均等に行き渡ることになる。
また、本発明の副産物取込装置の構成要素のうち、前記第１の上部ブラケット30は、図３に示すように、所定の面積を有する四角形状の水平板31の中央部に比較的に大径の垂直方向大量ガス通過孔311が開いており、該垂直方向大量ガス通過孔311の上面には、複数の副産物取込部材32が中心点に対し放射状で設けられている。
このような第１の上部水平ブラケット30は、後述する第２の上部水平ブラケット40の上部から所定の間隔(即ち、高さ)を置いて設けられ、上板11のガス流入口111を介してハウジング10内に流入する排ガスの大部分については、比較的に大径の垂直方向大量ガス通過孔311を介して垂直方向に通らせ、残りの一部分については、水平方向へ均等に行き渡らせると共に、一部の副産物をパウダー状に取り込むことになる。
また、本発明では、前記第1の上部水平ブラケット30の四角形状の水平板31に、中央部に形成された垂直方向大量ガス通過孔311の径に比べて小径を有する複数の微量ガス通過孔312が更に開いてある。
このため、前記第1の上部水平ブラケット30の四角形状の水平板31の上面において副産物取込部材32の間に形成されるスペース部を水平方向に流れる排ガスの一部が、排ガスの流入力や真空ポンプの吸込力等により、複数の微量ガス通過孔312を通って、第２の上部ブラケット40及び副産物取込タワー50の上面の方へ流入することから、排ガスをより均等に行き渡らせられるため、前記第1の上部水平ブラケット30による副産物の取込効率を向上させることができる。
なお、前記第1の上部水平ブラケット30の上面に設けられ、大部分の副産物を直接的に取り込む前記副産物取込部材32は、ガス流路ガイド板321と複数の副産物取込板322が平面視で凡そ
の形状を有するように結合されている。
前記副産物取込部材32の構成要素のうち、前記ガス流路ガイド板321は、長方形の板体の形状を有し、四角形状の水平板31の上面において垂直に立てられて放射状に配設され、流入された排ガスを水平方向に均等に行き渡らせる排ガス流路ガイド機能を行うと共に、パウダー状に変化する副産物を取り込む機能を行う。
また、前記副産物取込部材32の構成要素のうち、複数の副産物取込板322は、前記ガス流路ガイド板321の長さよりも短い長さを有する四角形の板体であり、それぞれ前記ガス流路ガイド板321とは直角で交差するように所定の間隔を置いて結合されることにより、水平方向に流れる排ガスが打つかって該排ガスに大きな摩擦力や回折力を持たせるため、パウダー状の副産物が該副産物取込板322の表面だけでなく、前記ガス流路ガイド板321の表面等にもなるべく多く取り込まれるようにする機能を行う。
なお、本発明の副産物取込装置に用いられる前記第2の上部水平ブラケット40は、図3に示されたように、中央部に大面積の垂直方向大量ガス通過孔41が開いており、該垂直方向大量ガス通過孔41の外側に小径の微量ガス通過孔42が複数開いた、四角形の板体の形状を有する。
このような第2の上部水平ブラケット40は、後述する副産物取込タワー50の上部において水平方向に延在して設けられており、複数のサポート部材18を介して前記第１の上部水平ブラケット30の底部から所定の距離(高さ)だけ離れるように設けられる。
このため、前記第１の上部水平ブラケット30を通って流入する排ガスの大部分は、前記第2の上部水平ブラケット40の垂直方向大量ガス通過孔41及び複数の微量ガス通過孔42を通って、副産物取込タワー50に向けて均等に垂直方向に流れる一方、残りの一部は、水平方向、即ち、上面に沿って横方向へ均等に行き渡たることにより、排ガスの温度が下がり、副産物が表面上にパウダー状に取り込まれることになる。
一方で、本発明の副産物取込装置の構成要素のうち、前記副産物取込タワー50は、図2〜図4に示すように、比較的に高さの高い等脚台形の形状を有し、組み立てられた状態で外側に露出された箇所にのみ複数の垂直方向のガス通過孔512,522が開いた、複数の横方向及び縦方向の垂直板51a,51b,52a,52bが格子状に組み立てられており、四面が傾斜を有するピラミッド型であり、組み立てのために底部の一部にのみ設けられた係合爪511,521により90°で交差する格子状が維持され、中央部の上部の大部分には通り抜けの排ガス通過スペース部53が設けられる。
このような構成を有する前記副産物取込タワー50は、前記第２の上部水平ブラケット40と下部水平ブラケット60の間に設けられており、前記第２の上部水平ブラケット40に開いた前記垂直方向の大量ガス通過孔41及び前記複数の微量ガス通過孔42を通って垂直方向に流入するか、又は、ハウジング10の内部スペースを通って横方向から流入する排ガスの大部分に対しては、排ガス通過スペース部53を通らせ、残りの排ガスに対しては、等脚台形の形状を有する複数の横方向及び縦方向の垂直板51a,51b,52a,52bに沿って流れ落ちさせることにより、排ガスの温度を下げると共に、横方向及び縦方向の垂直板51a,51b,52a,52bの表面だけでなく、垂直方向のガス通過孔512,522の周辺や後述する副産物取込強化溝513,523においても一部の副産物をパウダー状に取り込む機能を行う。
また、本発明の副産物取込装置では、ピラミッドの形状を有する前記副産物取込タワー50を製造するにおいて、等脚台形の形状を有する複数の横方向及び縦方向の垂直板51a,51b,52a,52bのうち、前後・左右の側面の最外面に位置する2つずつ横縦の垂直板51a,52aの上端部における係合爪511,521の間には、所定の間隔を置いて「U」字状の複数の副産物取込強化溝513,523が更に設けられることにより、前後・左右の側面の最外面に位置する2つずつ横縦の垂直板51a,52aに沿って流れ落ちる排ガスの接触面積が、該副産物取込強化溝513,523の方で露出される分だけ大幅に増加するため、半導体の製造時に発生する副産物の取込効率を向上させることができる。
また、本発明の副産物取込装置では、等脚台形の形状を有する複数の横方向及び縦方向の垂直板51a,51b,52a,52bのうち、内側に位置する横縦の垂直板51b,52bの上端部における係合爪511,521の間には、それぞれ「U」字状を有する１つの排ガス通過溝514,524が副産物取込強化溝513,523の幅よりも大きく設けられることにより、ピラミッドの形状を有する前記副産物取込タワー50の中央部に形成される排ガス通過スペース部53の面積を大きくすることが可能であるため、排ガスが前記副産物取込タワー50を通り抜けてパウダー状に変化する副産物の取込量を大きく増加させることができる。
また、本発明の副産物取込装置では、等脚台形の形状を有する複数の横方向及び縦方向の垂直板51a,51b,52a,52bのうち、横方向の垂直板51a,51bの底面から上部に向けて垂直方向に延在する複数の縦方向垂直板挿入用切り欠溝515が所定の間隔を置いて設けられ、且つ、縦方向の垂直板52a,52bの上面から下部に向けて垂直方向に延在する複数の横方向垂直板挿入用切り欠溝525が所定の間隔を置いて設けられることにより、該横方向及び縦方向の垂直板51a,51b,52a,52bのうち、前後・左右の側面の最外面に位置する2つの横縦の垂直板51a,52aは、両端のみにおいて「+」の形状を成して比較的多くの箇所で結合される一方、内側に位置する2つの横縦の垂直板51ｂ,52ｂは、一部のみの箇所で係合爪511,512により90°で交差する格子状の結合が維持される。
このため、本発明の副産物取込装置は、横方向及び縦方向の垂直板51a,51b,52a,52bが互いに大きい結合力を維持し、排ガスは、比較的に大きい体積を有する上方部の排ガス通過スペース部53と、係合爪511,521の結合により形成された下方部の格子型孔を介してスムーズに通る構造であるため、排ガス通過スペース部53と格子型孔を通る過程で発生する温度差により、排ガスに含まれる様々な半導体副産物が、該排ガス通過スペース部53を含め、横方向及び縦方向の垂直板51a,51b,52a,52bの外面や副産物取込強化溝513,523の内部に、図9 (b）に示すように、なるべく多く取り込まれることから、副産物を取り込む効率を更に向上させることができる。
また、本発明の副産物取込装置の構成要素のうち、下部水平ブラケット60は、図3及び図5に示すように、複数の四角形のガス通過孔61が横方向及び縦方向において数列開いた四角形の板体の形状を有し、該下部水平ブラケット60は、前記副産物取込タワー50の底面とウィンドー70の上面との間で水平方向に設けられ、該副産物取込タワー50を通って垂直方向に流入する排ガスを後述するウィンドー70側へ誘導すると共に、排ガスの温度を下げることにより、表面上において副産物がパウダー状に取り込まれるようにする機能を行う。
また、本発明の副産物取込装置の構成要素のうち、ウィンドー70は、図2、図3、及び図5に示すように、複数のガス吸入孔71の開いた4つの四角形板体を、上下面の開口した四角枠の形状に組み立ててあり、上部の開口部には前記下部水平ブラケット60が設けられ、底面がハウジング10の下板12に、複数のサポート部材18を介して所定の距離を離れた状態で設けられている。
また、前記下部水平ブラケット60の底面から所定距離を離れた位置のウィンドー70内のサポート部材18の上方部において、横方向では、該下部水平ブラケット60を通った排ガスがガス取込排出口80側へ直接流入することを防ぐための排ガス垂直流入防止板72が更に設けられている。
このようなウィンドー70は、前記副産物取込タワー50及び下部水平ブラケット60を通って、又は、ハウジング10の内部スペースから横方向で流入して、パウダー状に変化した副産物がガス取込排出口80側へ直接流入することを防ぎ、排ガスのみを該副産物がガス取込排出口80側へ流入させることにより、該ガス取込排出口80がパウダー状の副産物により詰まることや、真空ポンプ等が副産物により故障を起こすこと等を防止する機能を行う。
なお、本発明の副産物取込装置では、前述のように、複数のガス吸入孔71の開いたウィンドー70の四面において、垂直方向に延在する複数の副産物取込強化板73が所定の間隔を置いて更に設けられており、該副産物取込強化板73は、ウィンドー70の四面の外側の面と直角を成すように設けられ、また、該ガス吸入孔71の垂直方向の中心線に併せて設けられることにより、前記ハウジング10の内面及び前記ウィンドー70の側面に沿って流れ落ちる排ガスや、該ウィンドー70のガス吸入孔71から、ガス取込排出口80に設けられているウィンドー70の内側へ流入する排ガスに含められた副産物が、該副産物取込強化板73により、図9の(d)に示すように、パウダー状に大いに取り込まれるため、ウィンドーにより副産物の取込効率が向上する。
また、本発明の副産物取込装置の構成要素のうち、ガス取込排出口80は、管体の形状を有し、前記ウィンドー70の内部と、前記ハウジング10の下板12に設けられたガス排出孔121との間で垂直方向に設けられている。
このようなガス取込排出口80は、前記下部水平ブラケット60のガス通過孔61、ウィンドー70の四面に形成されているガス吸入孔71、及び、ウィンドー70の底部とハウジング10の下板12との間の隙間を通って流入する排ガスに対し、スムーズに吸込・取込をして真空ポンプの層に排出する。
一方で、前記ハウジング10の上板11の底面に、前述のように、単にヒータープレート20を設けて加熱を行う場合、前記上板11が高温に加熱される際に、前記ハウジング10の上面と、前記上板11の底面との間の接触部に対する気密を維持するために設けられるシールやガスケット13が高温により損傷を受ける恐れがある。
そこで、本発明においては、前記ハウジング10の上板11の内部に冷却管90が埋め込まれ、該上板11の上面には、前記冷却管90の両端にそれぞれ接続する冷却水流入口91及び冷却水排出口92が更に設けられる。
このように、前記上板11の内部に冷却管90を設けてから、その中に冷却水を流すと、該上板11がヒータープレート20から発生する熱により過熱することを防止できるため、前記ハウジング10の上面と前記上板11の底面の間に設けられるシールやガスケット13の損傷を防止することができると共に、前記上板11の温度が冷却管90の中を流れる冷却水により大きく下がるため、該上板11の底面だけでなく、ヒータープレート20にも、図9の(a)に示すように、パウダー状の副産物が取り込められ、副産物取込装置の取込効率を更に向上できる。
また、本発明においては、前記ハウジング10の内壁に溶接等により、図８の(a)〜(e)に示すように、側断面が「−」、
のうちいずれかの形状を有するように構成された複数の渦流発生板17が垂直方向に所定の高さを置いて更に設けられる。
このため、ハウジング10の内部において、第２の上部水平ブラケット40と副産物取込タワー50の外側や、下部水平ブラケット60とウィンドー70の外側を介して横方向に移動し、ハウジング10の内壁にぶつかる排ガスが、更に前記渦流発生板17にぶつかって渦巻きになるため、排ガスがハウジング10の内部に留まる時間が増え、排ガスの副産物取込効率を向上できる。
特に、前記ハウジング10の内部温度に比べて低い温度を有する外気に直接当たるハウジング10の内壁に一体として設けられた渦流発生板17の温度も大きく下がるため、前述の構成要素(即ち、ヒータープレート20、第1の上部水平ブラケット30、第2の上部水平ブラケット40、副産物取込タワー50、下部水平ブラケット60、及びウィンドー70)の以外に、前記該渦流発生板17によっても、図9の(c)に示すように、多くの副産物を取り込むことができる。
一方で、図7は、本発明の半導体工程における副産物取込装置の内部において、排ガスが均等に行き渡って流れると同時に、渦巻いて反応副産物を取り込む様子を、(a)側面から示す図、及び、(b)正面から示す図である。
このように、本発明の半導体工程における副産物取込装置によると、取込の容量や効率を大きく向上させるため、半導体製造装置における副産物取込装置の取替サイクルを大幅に延ばすことが可能で、更に半導体製造工程の遅延や製造コストのアップを抑えるだけでなく、反応副産物を速やかに且つ効率的に長い間に多く取り込めるため、半導体の製造時に発生する様々な副産物の取込効率を含め、半導体製造における生産性や信頼度を大きく向上させることが可能である。
前述の実施例は、本発明における特定の望ましい例について説明したものであって、本発明は、かかる実施例や特許請求の範囲に記載された内容に限らず、本発明の技術的思想を逸脱しない限り前述の実施例から様々な変更を加えることが可能というのは、当該発明の属する技術分野における通常の知識を有する者にとっては明白であろう。
10：ハウジング
11：上板
12：下板
13：ガスケット
14：レッグ
15：ハウジング変形防止リング
16：取っ手
17：過流発生板
18：サポート部材
20：ヒータープレート
21：放熱フィン
22：ヒーター電源供給部
30：第１の上部水平ブラケット
31：四角形状の水平板
32：副産物取込部材
40：第２の上部水平ブラケット
41：大量ガス通過孔
42：微量ガス通過孔
50：副産物取込タワー
51a,51b：横方向の垂直板
52a,52b：縦方向の垂直板
53：排ガス通過スペース部
60：下部水平ブラケット
61：ガス通過孔
70：ウィンドー
71：ガス吸入孔
72：排ガス垂直流入防止板
73：副産物取込強化板
80：ガス取込排出口
90：冷却管
91：冷却水流入口
92：冷却水排出口
111：ガス流入孔
121：ガス排出孔
141：高さ調節用ボルト兼支持具
311：大量ガス通過孔
312：微量ガス通過孔
321：ガス流路ガイド板
322：副産物取込板
511,521：係合爪
512,522：ガス通過孔
513,523：副産物取込強化溝
514,524：排ガス通過溝
515,525：垂直板挿入用切り欠溝

Claims (7)

  1. プロセスチャンバーと真空ポンプの間に設けられ、前記プロセスチャンバーから発生する排ガス内の反応副産物を取り込むための半導体工程における副産物取込装置であって、
    上下の開口部に脱着可能に取り付けられた上板及び下板に、ガス流入孔とガス排出孔が設けられ、内部には、前記プロセスチャンバーから排出される排ガスの流れる通路が形成されたハウジングと、
    複数の放熱フィンが垂直方向に放射状で配置されており、前記上板の底面に設けられ、前記上板のガス流入孔を通って流入する排ガスを化学的に変化させるに必要なエネルギーを供給するために加熱する一方で、該エネルギーを前記ハウジングの内部スペースで均等に行き渡らせるヒータープレートと、
    前記ヒータープレートに電源・電圧を供給するヒーター電源供給部と、
    中央部に垂直方向大量ガス通過孔が開いた四角形状の水平板の上面に、複数の副産物取込部材が該水平板の中心に対して放射状に設けられ、該上板のガス流入口からハウジング内に流入する排ガスの大部分を垂直方向に通らせ、残りの一部分を水平方向へ均等に行き渡らせると共に、一部の副産物をパウダー状に取り込む第１の上部水平ブラケットと、
    中央部に開いた大面積の垂直方向大量ガス通過孔の外側に小径の微量ガス通過孔が複数開いており、複数のサポート部材を介して前記第１の上部水平ブラケットの底部から所定の距離だけ離れた位置に設けられ、前記第１の上部水平ブラケットを通って流入する排ガスを水平及び垂直の方向に均等に行き渡らせると共に、一部の副産物をパウダー状に取り込む第２の上部水平ブラケットと、
    等脚台形の形状を有し、組み立てられた状態で外側に露出した箇所にのみ複数の垂直方向のガス通過孔が開いた、複数の横方向及び縦方向の垂直板が格子状に組み立てられており、四面が傾斜を有するピラミッド型であり、組み立てのために底部の一部にのみ設けられた係合爪により90°で交差する格子状が維持され、中央部の上部の大部分には通り抜けの排ガス通過スペース部53が設けられ、前記第２の上部水平ブラケットと下部水平ブラケットの間に設けられており、前記第２の上部水平ブラケットを介して流入する大部分の排ガスに対しては、該排ガス通過スペース部を通らせ、残りの排ガスに対しては、等脚台形の形状を有する複数の横方向及び縦方向の垂直板に沿って流れ落ちさせつつ一部の副産物をパウダー状に取り込む副産物取込タワーと、
    複数の四角形ガス通過孔が横方向及び縦方向において数列で開いており、前記副産物取込タワーの底面とウィンドーの上面との間に設けられ、前記副産物取込タワーを通って垂直方向に流入する排ガスをウィンドー側へ誘導すると共に、排ガスに含まれた一部の副産物をパウダー状に取り込む下部水平ブラケットと、
    複数のガス吸入孔の開いた４つの四角板材が上下面の開口された四角枠状に組み立てられており、上の開口部には前記下部水平ブラケットが設けられ、底面が複数のサポート部材18を介してハウジングの下板から所定の距離だけ離れた位置に設けられ、該サポート部材の上部の横方向においては、下部水平ブラケットを通った排ガスがガス取込排出口に直接流入することを防ぐための排ガス垂直流入防止板が設けられており、前記副産物取込タワー及び下部水平ブラケットを通った、又は、前記ハウジングの内部スペースを通って横方向から流入され、パウダー状に変化している副産物が、ガス取込排出口側へ直接流入することを防ぐと共に、排ガスのみをガス取込排出口側へ誘導するウィンドーと、
    前記ウィンドーの内部と、前記ハウジングの下板に設けられたガス排出孔との間で、垂直方向に延在しており、前記下部水平ブラケットのガス通過孔、前記ウィンドーのガス吸入孔、及びウィンドーの底部の隙間を通って流入する排ガスを取り込んで外部へ排出するガス取込排出口と、を含むことを特徴とする、半導体工程における副産物取込装置。
  2. 前記第１の上部水平ブラケットの四角形状の水平板に、中央部に設けられた垂直方向大量ガス通過孔の径よりも小さい径を有する複数の微量ガス通過孔が更に開いており、前記第１の上部水平ブラケットの四角形状の水平板の上面に沿って水平方向に移動する排ガスの一部が該複数の微量ガス通過孔を通って、前記第２の上部水平ブラケット及び前記副産物取込タワーの方へ流入することを特徴とする、請求項1に記載の半導体工程における副産物取込装置。
  3. 前記第１の上部水平ブラケットの上面に設けられた前記副産物取込部材が、
    垂直に立てられて放射状に配設されたガス流路ガイド板と、
    前記ガス流路ガイド板において所定の間隔を置いて直角方向に交差するように設けられた複数の副産物取込板と、を含むことを特徴とする、請求項1に記載の半導体工程における副産物取込装置。
  4. 前記副産物取込タワーに設けられた、等脚台形の形状を有する複数の横方向及び縦方向の垂直板のうち、前後・左右の側面に位置する2つずつ横縦の垂直板の上端部における係合爪の間には、所定の間隔を置いて「U」字状の複数の副産物取込強化溝が更に設けられ、且つ、内側に位置する2つずつ横縦の垂直板の上端部における係合爪の間には、「U」字状の１つの排ガス通過溝が設けられ、
    前記横方向の垂直板の底面から垂直方向で上方に向けて、所定の間隔を置いて縦方向垂直板挿入用切り欠溝が設けられ、
    前記縦方向の垂直板の上面から垂直方向で下方に向けて、所定の間隔を置いて横方向垂直板挿入用切り欠溝が設けられることを特徴とする、請求項1に記載の半導体工程における副産物取込装置。
  5. 前記複数のガス吸入孔の開いたウィンドーの四面において、垂直方向に延在する複数の副産物取込強化板が所定の間隔を置いて更に設けられ、
    前記副産物取込強化板はウィンドーの四面の外側の面と直角を成すように設けられることを特徴とする、請求項4に記載の半導体工程における副産物取込装置。
  6. 前記ハウジングの上板の内部に、上板がヒータープレートから発生する熱により過熱することを防止することにより、ハウジングの上面と上板の底面との間に設けられるシールやガスケットの損傷を防止すると共に、上板の底面でもパウダーを取り込めるように、冷却水の流れる冷却管が埋め込まれ、
    前記上板の上面には、該冷却管の両端部にそれぞれ接続する冷却水流入口及び冷却水排出口が設けられることを特徴とする、請求項1に記載の半導体工程における副産物取込装置。
  7. 前記ハウジングの内壁に、該ハウジングの内部を通過する排ガスを渦巻きにさせる複数の過流発生板が垂直方向に所定の間隔を置いて更に設けられることを特徴とする、請求項1に記載の半導体工程における副産物取込装置。
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