JP4615040B2 - トラップ装置及び減圧乾燥装置 - Google Patents

トラップ装置及び減圧乾燥装置 Download PDF

Info

Publication number
JP4615040B2
JP4615040B2 JP2008175450A JP2008175450A JP4615040B2 JP 4615040 B2 JP4615040 B2 JP 4615040B2 JP 2008175450 A JP2008175450 A JP 2008175450A JP 2008175450 A JP2008175450 A JP 2008175450A JP 4615040 B2 JP4615040 B2 JP 4615040B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
tank
gas
trap
baffle plate
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2008175450A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2010016215A (ja
Inventor
隆之 鎮守
高広 古家
健吾 溝崎
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Priority to JP2008175450A priority Critical patent/JP4615040B2/ja
Priority to KR1020090060455A priority patent/KR20100004883A/ko
Publication of JP2010016215A publication Critical patent/JP2010016215A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4615040B2 publication Critical patent/JP4615040B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70908Hygiene, e.g. preventing apparatus pollution, mitigating effect of pollution or removing pollutants from apparatus
    • G03F7/70916Pollution mitigation, i.e. mitigating effect of contamination or debris, e.g. foil traps
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/16Coating processes; Apparatus therefor
    • G03F7/168Finishing the coated layer, e.g. drying, baking, soaking
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/38Treatment before imagewise removal, e.g. prebaking
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70808Construction details, e.g. housing, load-lock, seals or windows for passing light in or out of apparatus
    • G03F7/70841Constructional issues related to vacuum environment, e.g. load-lock chamber

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Atmospheric Sciences (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Separating Particles In Gases By Inertia (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Drying Of Solid Materials (AREA)

Description

本発明は、蒸気を含むガスから蒸気を凝縮させて分離するトラップ装置およびこれを用いる減圧乾燥装置に関する。
たとえば液晶ディスプレイ(LCD)等のフラットパネルディスプレイ(FPD)製造のフォトリソグラフィー工程では、ガラス基板等の被処理基板上に塗布したレジスト液をプリベーキングに先立って適度に乾燥させるために減圧乾燥装置が用いられている。
この種の減圧乾燥装置は、たとえば特許文献1に記載されるように、上面が開口しているトレーまたは底浅容器型の下部チャンバと、この下部チャンバの上面に気密に密着または嵌合可能に構成された蓋状の上部チャンバとを有している。下部チャンバの中にはステージが配設されており、このステージ上に基板を水平に載置してから、チャンバを閉じ(上部チャンバを下部チャンバに密着させ)、チャンバ内を減圧して乾燥処理を行うようにしている。
チャンバの排気口には真空ポンプが接続されている。この真空ポンプが作動して真空排気を開始すると、チャンバ内が減圧状態になり、この減圧下で基板上のレジスト液膜から有機溶剤(たとえばシンナー)が蒸発し、有機溶剤蒸気が他のガスと一緒にチャンバの排気口から排気管を通って真空ポンプに吸い込まれる。チャンバ内は、有機溶剤の気化熱によって室温が下がり、たとえば処理開始前の室温から10℃付近まで下がる。
一方、真空ポンプに吸い込まれた排ガスは、ポンプ内で飽和蒸気圧を超えない程度に(通常は大気圧位まで)圧縮され、約100℃〜150℃まで高温になる。こうして、高温の圧縮された不飽和の排ガスが真空ポンプより吐き出され、排気ダクト等の排気路を通って工場備え付けの排気処理装置へ送られる。その際に問題となるのは、真空ポンプから排気処理装置までの排気路は全長が数10mを超えるのが通常であり、その途中で排ガスが冷えて有機溶剤蒸気が凝縮つまり液化すると、排気路の所々(排気ダクトの継目等)で有機溶剤の液が外に漏れてしまうことである。
そこで、排気ラインにおいて真空ポンプと排気ダクトとの間に、排ガス中の有機溶剤蒸気を凝縮させて分離するトラップ装置を設けている。図9および図10に、レジスト塗布直後の減圧乾燥処理で用いられている従来の代表的なトラップ装置を示す。
図9に示すトラップ装置は、縦型円筒状のタンク200内の中心部に排ガス導入管202の出口(ガス噴出口)202aを横向きに配置するとともに、タンク200内の上部に排ガス取り出し管204の入口(ガス吸い込み口)204aを横向きに配置している。
排ガス導入管202の入口は真空ポンプ(図示せず)の出側に接続されており、排ガス取り出し管204の出口は排気ダクト(図示せず)を介して排気ポンプ(図示せず)の入側に接続されている。
タンク200の中で、ガス噴出口202aとガス吸い込み口204aとの間には複数枚たとえば3枚の邪魔板206,208,210が多段に配置されている。これらの邪魔板206,208,210には所定の部位に1つまたは複数の開口部206a,208a,210aがそれぞれ形成されている。タンク200の側壁は二重管構造で中が冷却水流路212になっており、この冷却水流路212の下端部および上端部に冷却水導入口214および冷却水排出口216がそれぞれ設けられている。また、タンク200の底には排液用のドレイン口218が設けられている。
このトラップ装置において、排気ライン上流側の真空ポンプより排ガス導入管202を通って送られてきた高温の圧縮された排ガスは、タンク200内でガス噴出口202aより横向きに噴出されて拡散し、断熱膨張により温度を下げるとともに、タンク200の内壁面や邪魔板206,208,210等と接触して冷やされ、排ガスに含まれている有機溶剤蒸気の一部が凝縮して液化する。液化した有機溶剤はタンク200の底に落ちてドレイン口218から排出される。タンク200内で凝縮しなかった有機溶剤蒸気は、他の排ガスと一緒にガス吸い込み口204aから排ガス取り出し管204の中に吸い込まれ、下流側の排気ダクトへ送られる。
図10に示すトラップ装置は、横型円筒状のタンク220を少し斜めに傾けて配設し、タンク220の高い方の一端部に排ガス導入管222を接続するとともに、タンク220の低い方の他端部に排ガス取り出し管224を接続する。そして、タンク220の中には中心軸に沿って往路は螺旋状に延びて帰路は直線状に延びる冷却管226を収容している。また、タンク220の最下部付近の底にドレイン口228を設けている。
このトラップ装置において、排気ライン上流側の真空ポンプより排ガス導入管222を通って送られてきた高温の圧縮ガスは、タンク220内に導入されると拡散して、断熱膨張により温度を下げるとともに、冷却管226によっても更に冷やされ、排ガスに含まれている有機溶剤蒸気の一部が凝縮して液化する。液化した有機溶剤はドレイン口228から排出される。タンク220内で凝縮しなかった有機溶剤蒸気は、他の排ガスと一緒に排ガス取り出し管224を通って下流側の排気ダクトへ送られる。
特開2000−181079
しかしながら、上記のような従来のトラップ装置はいずれも、排ガス中の有機溶剤蒸気を凝縮して分離する蒸気捕獲率または気液分離率が低く(最大40%程度)、相当量の有機溶剤蒸気を分離できないまま取り逃がしており、下流側で冷えて液化した有機溶剤が排気路内で溜まったり排気ダクトの継目等から外へ漏れるという旧来の問題を十分に解消できていなかった。
本発明は、上記のような従来技術の問題点に鑑みてなされたものであって、蒸気捕獲率または気液分離率を大幅に向上させるトラップ装置を提供することを目的とする。
本発明の別の目的は、減圧乾燥処理に際して真空ポンプより吐き出される排ガスから蒸気を効率よく分離して排気ライン下流側での液溜まりや液漏れを防止するようにした減圧乾燥装置を提供することにある。
上記の目的を達成するために、本発明のトラップ装置は、縦型筒状のタンクと、前記タンク内の中心部に設けられ、前記タンクの内径よりも小さな外径と、前記タンクの底面の近くに配置される入口と、前記タンクの下流側の外部排気路に接続される出口とを有する内部縦型筒体と、前記内部縦型筒体の入口よりも高い位置で前記タンク内に所定の蒸気を含むガスを導入するガス導入部とを有し、前記ガス導入部より前記タンク内に導入された前記ガスが、前記タンクの内壁面に沿って螺旋状に旋回しながら上昇し、前記タンクの天井に当った後、前記内部縦型筒体の外壁面に沿って螺旋状に旋回しながら降下し、前記内部縦型筒体の中をその入口から出口まで通り抜けて前記下流側排気管に送られ、前記蒸気が前記タンク内で凝縮するように構成した。
上記の装置構成においては、蒸気含有ガスの旋回流がタンク内を上下に往復するので、タンクの限られた容積の空間内で可及的に長いガス流路が形成される。このことによって、ガスの断熱膨張の体積、更にはガスのタンクおよび内部縦型円筒体と接触する時間が大きく増加し、ガスの温度が下がる冷却効率、ひいては有機溶剤蒸気が凝縮して液化する気液分離効率が大幅に向上する。
本発明の好適な一態様においては、ガス導入部が、タンクの内壁面に沿ってガスを噴出するノズル部を有する。さらには、このノズル部が、タンクの軸方向と直交する面に対して5°〜45°(最も好ましくは10°〜20°)斜め上方に傾けてガスを噴出する。かかる構成により、タンク内で蒸気含有ガスを上下に往復旋回させて実質的なガス流路を長くなる効果を最大限に高めることができる。
別の好適な一態様においては、内部縦型筒体内に、ガスをその気流の進路を邪魔しながら通過させる邪魔板を軸方向に間隔を空けて複数枚配置する。この場合、内部縦型筒体の中に入ってくるガスの旋回流を邪魔して非旋回流に矯正するように、内部縦型筒体の入口付近に最下段の第1の邪魔板と次段の第2の邪魔板とを近づけて配置するのが好ましく、このようにガスが非旋回流の慣性力で後段の各邪魔板との衝突を繰り返すことによって、気液分離の効果、特にミストの生成効率を更に向上させることができる。
なお、第1の邪魔板が、周回方向に並べて形成された複数の開口部を有する円板からなり、第2の邪魔板が、内部縦型筒体の内径よりも小さく、かつ第1の邪魔板の開口部の外径よりも大きな口径を有する実質的に開口無しの円板からなる構成が好ましい。特に好ましくは、第1の邪魔板の開口部の全開口率が20%〜70%であり、第1および第2の邪魔板の間に形成される流路の第2の邪魔板のエッジ位置における断面積(Sa)と第1の邪魔板の開口部の総面積(Sb)との比(Sa/Sb)が0.4〜0.9である。
別の好適な一態様においては、内部縦型筒体の周壁またはその近くに冷却媒体用の流路を設け、この媒体流路に一定温度の冷却媒体を流す。かかる構成により、内部縦型筒体およびその周囲を冷やし、蒸気の凝縮効率を一層向上させることができる。
また、内部縦型筒体の出口付近または下流側の外部排気路内に、蒸気が凝縮して出来たミストを捕獲するためのミストフィルタを設ける構成も好ましい。この構成によって、下流側排気路へミストが流出するのを確実に防止することができる。
また、タンク内の集液効率を上げるために、タンクの内壁に沿って周回方向に移動する液滴を捕集してタンクの底へ落とすための第1の液捕集部を設ける構成も好ましい。この場合、第1の液捕集部は、好ましくは、タンクの内壁から半径方向内側に突出して縦方向に延びる突条部を有する。
さらに、トラップ装置で排ガスから分離されなかった蒸気が下流側の外部排気路で凝縮する場合を考慮して、外部排気路の内壁面に沿って下流側に移動する液滴を捕集して外部排気路の外へ取り出すための第2の液捕集部を設ける構成も好ましい。この第2の液捕集部は、好適には、外部排気路の内径よりも小さな外径を有する円筒部と、この円筒部の下流側端部で円筒部と外部排気路との隙間を閉塞する環状の底部と、この底部付近に設けられた排液用の第2のドレイン口とを有してよい。
本発明の減圧乾燥装置は、処理液の塗布膜を形成された直後の被処理基板を出し入れ可能に収容する密閉可能なチャンバと、前記基板上の前記塗布膜を乾燥させるために前記チャンバ内を真空排気する真空ポンプと、前記真空ポンプより吐き出される排ガスから蒸気を分離するための本発明のトラップ装置とを有する。
本発明の好適な一態様においては、処理液がレジスト液であり、排ガスに含まれる蒸気が有機溶剤蒸気である。
本発明のトラップ装置によれば、上記のような構成および作用により、蒸気捕獲率または気液分離率を大幅に向上させることができる。また、本発明の減圧乾燥装置によれば、上記のような構成および作用により、減圧乾燥処理に際して真空ポンプより吐き出される排ガスから蒸気を効率よく分離して排気ライン下流側での液溜まりや液漏れを防止することができる。
以下、図1〜図8を参照して本発明の好適な実施の形態を説明する。
図1に、本発明の減圧乾燥装置およびトラップ装置を適用できる一構成例としての塗布現像処理システムを示す。この塗布現像処理システム10は、クリーンルーム内に設置され、たとえばガラス基板を被処理基板とし、LCD製造プロセスにおいてフォトリソグラフィー工程の中の洗浄、レジスト塗布、プリベーク、現像およびポストベーク等の一連の処理を行うものである。露光処理は、このシステムに隣接して設置される外部の露光装置12で行われる。
この塗布現像処理システム10は、中心部に横長のプロセスステーション(P/S)16を配置し、その長手方向(X方向)両端部にカセットステーション(C/S)14とインタフェースステーション(I/F)18とを配置している。
カセットステーション(C/S)14は、システム10のカセット搬入出ポートであり、基板Gを多段に積み重ねるようにして複数枚収容可能なカセットCを水平な一方向(Y方向)に4個まで並べて載置できるカセットステージ20と、このステージ20上のカセットCに対して基板Gの出し入れを行う搬送機構22とを備えている。搬送機構22は、基板Gを1枚単位で保持できる搬送アーム22aを有し、X,Y,Z,θの4軸で動作可能であり、隣接するプロセスステーション(P/S)16側と基板Gの受け渡しを行えるようになっている。
プロセスステーション(P/S)16は、水平なシステム長手方向(X方向)に延在する平行かつ逆向きの一対のラインA,Bに各処理部をプロセスフローまたは工程の順に配置している。
より詳細には、カセットステーション(C/S)14側からインタフェースステーション(I/F)18側へ向う上流部のプロセスラインAには、搬入ユニット(IN PASS)24、洗浄プロセス部26、第1の熱的処理部28、塗布プロセス部30および第2の熱的処理部32が第1の平流し搬送路34に沿って上流側からこの順序で一列に配置されている。
より詳細には、搬入ユニット(IN PASS)24はカセットステーション(C/S)14の搬送機構22から未処理の基板Gを受け取り、所定のタクトで第1の平流し搬送路34に投入するように構成されている。洗浄プロセス部26は、第1の平流し搬送路34に沿って上流側から順にエキシマUV照射ユニット(E−UV)36およびスクラバ洗浄ユニット(SCR)38を設けている。第1の熱的処理部28は、上流側から順にアドヒージョンユニット(AD)40および冷却ユニット(COL)42を設けている。塗布プロセス部30は、上流側から順にレジスト塗布ユニット(COT)44および減圧乾燥ユニット(VD)46を設けている。第2の熱的処理部32は、上流側から順にプリベークユニット(PRE−BAKE)48および冷却ユニット(COL)50を設けている。第2の熱的処理部32の下流側隣に位置する第1の平流し搬送路34の終点にはパスユニット(PASS)52が設けられている。第1の平流し搬送路34上を平流しで搬送されてきた基板Gは、この終点のパスユニット(PASS)52からインタフェースステーション(I/F)18へ渡されるようになっている。
一方、インタフェースステーション(I/F)18側からカセットステーション(C/S)14側へ向う下流部のプロセスラインBには、現像ユニット(DEV)54、ポストベークユニット(POST−BAKE)56、冷却ユニット(COL)58、検査ユニット(AP)60および搬出ユニット(OUT−PASS)62が第2の平流し搬送路64に沿って上流側からこの順序で一列に配置されている。ここで、ポストベークユニット(POST−BAKE)56および冷却ユニット(COL)58は第3の熱的処理部66を構成する。搬出ユニット(OUT PASS)62は、第2の平流し搬送路64から処理済の基板Gを1枚ずつ受け取って、カセットステーション(C/S)14の搬送機構22に渡すように構成されている。
両プロセスラインA,Bの間には補助搬送空間68が設けられており、基板Gを1枚単位で水平に載置可能なシャトル70が図示しない駆動機構によってプロセスライン方向(X方向)で双方向に移動できるようになっている。
インタフェースステーション(I/F)18は、上記第1および第2の平流し搬送路34,64や隣接する露光装置12と基板Gのやりとりを行うための搬送装置72を有し、この搬送装置72の周囲にロータリステージ(R/S)74および周辺装置76を配置している。ロータリステージ(R/S)74は、基板Gを水平面内で回転させるステージであり、露光装置12との受け渡しに際して長方形の基板Gの向きを変換するために用いられる。周辺装置76は、たとえばタイトラー(TITLER)や周辺露光装置(EE)等を第2の平流し搬送路64に接続している。
ここで、この塗布現像処理システムにおける1枚の基板Gに対する全工程の処理手順を説明する。先ず、カセットステーション(C/S)14において、搬送機構22が、ステージ20上のいずれか1つのカセットCから基板Gを1枚取り出し、その取り出した基板Gをプロセスステーション(P/S)16のプロセスラインA側の搬入ユニット(IN PASS)24に搬入する。搬入ユニット(IN PASS)24から基板Gは第1の平流し搬送路34上に移載または投入される。
第1の平流し搬送路34に投入された基板Gは、最初に洗浄プロセス部26においてエキシマUV照射ユニット(E−UV)36およびスクラバ洗浄ユニット(SCR)38により紫外線洗浄処理およびスクラビング洗浄処理を順次施される。スクラバ洗浄ユニット(SCR)38は、平流し搬送路34上を水平に移動する基板Gに対して、ブラッシング洗浄やブロー洗浄を施すことにより基板表面から粒子状の汚れを除去し、その後にリンス処理を施し、最後にエアーナイフ等を用いて基板Gを乾燥させる。スクラバ洗浄ユニット(SCR)38における一連の洗浄処理を終えると、基板Gはそのまま第1の平流し搬送路34を下って第1の熱的処理部28を通過する。
第1の熱的処理部28において、基板Gは、最初にアドヒージョンユニット(AD)40で蒸気状のHMDSを用いるアドヒージョン処理を施され、被処理面を疎水化される。このアドヒージョン処理の終了後に、基板Gは冷却ユニット(COL)42で所定の基板温度まで冷却される。この後も、基板Gは第1の平流し搬送路34を下って塗布プロセス部30へ搬入される。
塗布プロセス部30において、基板Gは最初にレジスト塗布ユニット(COT)44で平流しのままスリットノズルを用いるスピンレス法により基板上面(被処理面)にレジスト液を塗布され、直後に下流側隣の減圧乾燥ユニット(VD)46で減圧乾燥処理を受ける。
塗布プロセス部30を出た基板Gは、第1の平流し搬送路34を下って第2の熱的処理部32を通過する。第2の熱的処理部32において、基板Gは、最初にプリベークユニット(PRE−BAKE)48でレジスト塗布後の熱処理または露光前の熱処理としてプリベーキングを受ける。このプリベーキングによって、基板G上のレジスト膜中に残留していた溶剤が蒸発して除去され、基板に対するレジスト膜の密着性が強化される。次に、基板Gは、冷却ユニット(COL)50で所定の基板温度まで冷却される。しかる後、基板Gは、第1の平流し搬送路34の終点のパスユニット(PASS)52からインタフェースステーション(I/F)18の搬送装置72に引き取られる。
インタフェースステーション(I/F)18において、基板Gは、ロータリステージ74でたとえば90度の方向変換を受けてから周辺装置76の周辺露光装置(EE)に搬入され、そこで基板Gの周辺部に付着するレジストを現像時に除去するための露光を受けた後に、隣の露光装置12へ送られる。
露光装置12では基板G上のレジストに所定の回路パターンが露光される。そして、パターン露光を終えた基板Gは、露光装置12からインタフェースステーション(I/F)18に戻されると、先ず周辺装置76のタイトラー(TITLER)に搬入され、そこで基板上の所定の部位に所定の情報が記される。しかる後、基板Gは、搬送装置72よりプロセスステーション(P/S)16のプロセスラインB側に敷設されている第2の平流し搬送路64の現像ユニット(DEV)54の始点に搬入される。
こうして、基板Gは、今度は第2の平流し搬送路64上をプロセスラインBの下流側に向けて搬送される。最初の現像ユニット(DEV)54において、基板Gは、平流しで搬送される間に現像、リンス、乾燥の一連の現像処理を施される。
現像ユニット(DEV)54で一連の現像処理を終えた基板Gは、そのまま第2の平流し搬送路64に乗せられたまま第3の熱的処理部66および検査ユニット(AP)60を順次通過する。第3の熱的処理部66において、基板Gは、最初にポストベークユニット(POST−BAKE)56で現像処理後の熱処理としてポストベーキングを受ける。このポストベーキングによって、基板G上のレジスト膜に残留していた現像液や洗浄液が蒸発して除去され、基板に対するレジストパターンの密着性が強化される。次に、基板Gは、冷却ユニット(COL)58で所定の基板温度に冷却される。検査ユニット(AP)60では、基板G上のレジストパターンについて非接触の線幅検査や膜質・膜厚検査等が行われる。
搬出ユニット(OUT PASS)62は、第2の平流し搬送路64から全工程の処理を終えてきた基板Gを受け取って、カセットステーション(C/S)14の搬送機構22へ渡す。カセットステーション(C/S)14側では、搬送機構22が、搬出ユニット(OUT PASS)62から受け取った処理済の基板Gをいずれか1つ(通常は元)のカセットCに収容する。
この塗布現像処理システム10においては、塗布プロセス部30内の減圧乾燥ユニット(VD)46に本発明を適用することができる。以下、図2〜図8につき、本発明の好適な実施形態における塗布プロセス部内30の減圧乾燥ユニット(VD)46およびこれに用いられるトラップ装置100の構成および作用を詳細に説明する。
図2に、この実施形態における減圧乾燥ユニット(VD)46の本体要部および排気系の構成を示す。
減圧乾燥ユニット(VD)46の本体は、扁平な直方体形状を有する一体型の減圧可能なチャンバ80からなる。基板搬送方向においてチャンバ80の相対向する一対の側壁には、シャッタまたはゲートバルブ付きの開閉可能な基板搬入口82および基板搬出口84がそれぞれ設けられている。また、基板搬送方向において、チャンバ80の中および外には平流し搬送路34(図1)の一部または一区間を構成するコロ86が敷設されている。
この減圧乾燥ユニット(VD)46には、チャンバ80内で基板Gを搬入または搬出するための高さ位置(コロ86上の位置)と、減圧乾燥処理のための高さ位置(コロ86から上方に浮いた位置)との間で上げ下げするためのリフト機構(図示せず)が備えられている。
チャンバ80の底壁には1つまたは複数の排気口88が設けられている。これらの排気口88は、排気管90を介して真空ポンプ94の入側に接続されている。排気管90の途中には開閉弁92が設けられる。真空ポンプ94の出側は、排気管96を介してトラップ装置100の入側に接続されている。トラップ装置100の出側は、排気管または排気ダクト102を介して工場備え付けの排気ポンプ104の入側に接続されている。排気ポンプ104の出側は排気管106を介して工場備え付けの排ガス処理装置(図示せず)に接続されている。
この排気ラインにおいて、真空ポンプ94は、たとえば油回転ポンプからなり、減圧乾燥処理時にはチャンバ80の室内を大気圧から数十Pa程度まで真空排気し、レジスト塗布膜から蒸発した有機溶剤を他の排ガスと一緒に吸い込む。そして、吸い込んだ排ガスをポンプ内で飽和蒸気圧を超えない程度に(通常は大気圧位まで)圧縮し、高温(約100℃〜150℃)の圧縮された不飽和の排ガスを吐き出す。トラップ装置100は、後述するように、真空ポンプ94から吐き出された排ガスに含まれる有機溶剤蒸気の大部分を凝縮させて分離するように構成されている。なお、チャンバ80の中は、減圧されると、有機溶剤の気化熱によって室温が下がり、たとえば処理開始前の室温から10℃付近まで下がる。
通常、真空ポンプ94およびトラップ装置100はチャンバ80の近くに、たとえば1m〜10m以内の近距離に配置されるが、工場備え付けの排気ポンプ104は数10mあるいは100mを超える遠距離に位置することが多い。
図3に、この実施形態におけるトラップ装置100の構成を示す。このトラップ装置100は、縦型円筒状のタンク120を有し、このタンク120内の中心部にタンク120の内径よりも小さな外径と、タンク120の底面の近くに配置される入口122aと、タンク120の下流側の外部排気路102に接続される出口122bとを有する内部縦型円筒体122とを設けている。タンク120および内部縦型円筒体122の材質はたとえばステンレス鋼である。
さらに、このトラップ装置100は、内部縦型円筒体122の入口122aよりも高い位置でタンク120内に真空ポンプ94(図2)からの排ガスを導入するガス導入部126を備えている。このガス導入部126は、真空ポンプ94からの排気管96に連続しており、タンク120の底部近くでタンク側壁を外から中へ貫通するガス導入管128と、このガス導入管128の先端部を構成し、内部縦型円筒体122の入口122aよりも高い位置で排ガスを噴出するノズル部130とを有している。ガス導入部126(ガス導入管128、ノズル部130)の材質もたとえばステンレス鋼でよい。また、ガス導入管128を貫通させるタンク120側壁の穴はシール部材(図示せず)封止されている。
このトラップ装置100では、後述するようにタンク120の限られた容積の空間内で排ガスの流路を効率よく最大限に長くするために、ガス導入部126のノズル部130を、図3に示すように縦方向ではタンク120の軸と直交する面Hに対して所定角度θだけ斜め上方に向けるとともに、図5に示すように横方向ではタンク120の内壁面に略平行に向けている。ノズル部130の傾斜角度つまりガス噴出方向の傾斜角度θは、5°〜45°の範囲内で設定されてよく、15°付近つまり10°〜20°が最も好ましい。
内部縦型円筒体122内には、排ガスをその気流の進路を邪魔しながら通過させる複数枚(図の例は7枚)の邪魔板132(1)〜132(7)が軸方向に間隔を空けて下からこの順に中心支持軸134に取り付けられている。邪魔板132(1)〜132(7) および中心支持軸134の材質もたとえばステンレス鋼でよい。
より詳細には、図4に示すように、内部縦型円筒体122の入口122aに第1の邪魔板132(1)が配置され、この第1の邪魔板132(1)と近距離の間隔を隔ててその上方に第2の邪魔板132(2)が配置され、その上方に比較的大きな等間隔を置いて第3〜第7の邪魔板132(3)〜132(7)が順次配置されている。
ここで、第1の邪魔板132(1)は、内部縦型円筒体122の内径ないし外径に略等しい口径を有する円板体からなり、周回方向に並べて形成された複数個たとえば6個の扇形開口部136を有している。第2の邪魔板132(2)は、内部縦型円筒体122の内径よりも小さな口径を有する円板体からなり、中心支持軸134を通すための中心孔138を除いて実質的な開口部を1つも有していない。第3の邪魔板132(3)は、内部縦型円筒体122の内径に略等しい口径を有する円板体からなり、周回方向に並べて形成された複数個たとえば6個の扇形開口部136を有している。もっとも、第3の邪魔板132(3)の口径は、組立て・分解やメンテナンスに際して内部縦型円筒体122への挿脱を容易にするために、内部縦型円筒体122の内径より若干小さく選ばれる。
以下、第4および第6の邪魔板132(4),132(6)は第2の邪魔板132(2)と同一形状・サイズを有する開口部無しの円板体からなり、第5および第7の邪魔板132(5),132(7)は第3の邪魔板132(3)と同一形状・サイズを有する開口部付きの円板体からなる。ただし、図4に示すように、第3の邪魔板132(3)と第5の邪魔板132(5)との間、および第5の邪魔板132(5)と第7の邪魔板132(7)との間では、それぞれの扇形開口部136が上下にぴったり重ならないように、周回方向に30°のオフセットをもたせている。
内部縦型円筒体122の出口122b付近には、タンク120内で、特に内部縦型円筒体122の中で発生したミストを捕獲するためのミストフィルタ(またはミストトラップ)140が設けられている。このミストフィルタ140は、たとえばステンレス製の金属メッシュで構成されてよい。
内部縦型円筒体122の周壁は二重管構造で中が冷却水流路142になっている。この冷却水流路142の下端部および上端部に冷却水導入口144および冷却水排出口146がそれぞれ設けられ、これらの冷却水導入口144および冷却水排出口146は冷却水供給管148,150を介して冷却水供給部たとえばチラー装置(図示せず)に接続されている。
タンク120の底面は、緩やかな斜面になっており、その最も低い場所に排液用のドレイン口152が設けられている。このドレイン口152は、主ドレイン管154を介して排液回収部または排液処理部(図示せず)に通じている。後述するように、タンク120の内壁面には、タンク内壁に沿って周回方向に移動する液滴を捕集してタンクの底へ落とすための内部液捕集部156がこのドレイン口152の近くに設けられる(図5)。図5に示すように、この内部液捕集部156は、タンク120の内壁面から半径方向内側に突出して縦方向一直線に延びる突条部158を有している。
また、図3および図6に示すように、外部排気路の排気ダクト102の途中には、上流側からダクト内壁面を伝って流れてくる液を捕集するための二重管構造の外部液捕集部160が設けられている。この外部液捕集部160は、排気ダクト102の内径よりも小さな外径を有する円筒部162と、この円筒部162の下流側端部で円筒部162と排気ダクト102との隙間を閉塞する環状の底部164と、この環状底部164付近に設けられた排液用のドレイン口166とを有する。ドレイン口166は、副ドレイン配管168を介して主ドレイン管154に接続されている。
次に、この実施形態におけるトラップ装置100の作用を説明する。上述したように、減圧乾燥処理時には、減圧状態のチャンバ80内で基板G上のレジスト塗布膜から有機溶剤が蒸発し、これを吸い込んだ真空ポンプ94より高温(100℃〜150℃)の圧縮された不飽和の排ガスが吐き出される。
トラップ装置100においては、タンク120の室内が下流側の排気ダクト102を介して排気ポンプ104に通じているため減圧状態になっており、温度的にはタンク120が室温(約23℃)に、内部縦型円筒体122が冷却水温度(約16℃)にそれぞれ温調されている。かかる状態の下で、上記のような真空ポンプ94からの高温圧縮の排ガスがガス導入部126よりタンク120内に導入される。
ガス導入部126よりタンク120内に導入された排ガスは、図7に連続曲線Aで示すように、ノズル部126aより斜め上方に噴出されると、タンク120の内壁面に沿って螺旋状に旋回しながら上昇し、タンク120の天井に当った後、内部縦型筒体122の外壁面に沿って螺旋状に旋回しながら降下し、内部縦型筒体122の中をその入口から出口まで通り抜けて下流側の排気ダクト102に送られる。
このように、排ガスの旋回流がタンク120内を上下に往復するので、タンク120の限られた容積の空間内で最大限に長い排ガス流路が形成される。このことにより、断熱膨張によって、更にはタンク120および内部縦型円筒体122との接触によって排ガスの温度が下がる冷却効率、ひいては有機溶剤蒸気が凝縮して液化する気液分離効率を著しく向上させることが可能であり、このメカニズムだけでも従来の水冷式トラップ装置を凌ぐ蒸気捕獲率(50%以上)を実現することができる。
さらに、この実施形態のトラップ装置100においては、図8に示すように、内部縦型筒体122の外壁面に沿って螺旋状に旋回しながら降りてきた排ガスが、内部縦型筒体122の中に入った直後に、つまり第1の邪魔板132(1)の開口部136を通り抜けた直後に第2の邪魔板132(2)に勢いよく当たり、ここで旋回流がばらされ、邪魔板132(2)の外周環状開口部170を非旋回流で迂回して上方へ抜ける。その後も、内部縦型筒体122の中で、排ガスは、非旋回流の慣性力で後段の第3〜第7の邪魔板132(3)〜132(7)との衝突を繰り返しながらそれぞれの開口部136または外周環状開口部170を通り抜ける。
このように内部縦型筒体122の中で排ガスが非旋回流の慣性力で第3〜第7の邪魔板132(3)〜132(7)との衝突を繰り返すことによって、気液分離の効果、特にミストの生成効率が更に上がる。そして、内部縦型筒体122内で生成されたミストは出口122b付近でミストフィルタ140に捕獲されるので、下流側の排気ダクト102へ流出することはない。
この実施形態のトラップ装置100は、上記のように内部縦型筒体122内でも高効率の気液分離を行うことによって、装置全体で90%以上の蒸気捕獲率を実現することができる。
上記のように、この実施形態においては、内部縦型筒体122の入口122a付近で排ガスの旋回流を非旋回流に矯正するには、第2の邪魔板132(2)を第1の邪魔板132(1)に適度に近づけて配置する構成が重要である。
かかる近接配置の要件を満たすための一つの目安としては、第1の邪魔板132(1)と第2の邪魔板132(2)との間に形成される流路172の第2の邪魔板132(2)のエッジ位置における断面積Saと第1の邪魔板132(1)の開口部136の総面積Sbとの比(Sa/Sb)が0.4〜0.9であるのが好ましい。なお、第2の邪魔板132(2)の口径(直径)を2r、第1の邪魔板132(1)と第2の邪魔板132(2)との距離間隔をhとすると、上記流路断面積SaはSa=2πrhで表される。また、第1の邪魔板132(1)における開口部136の全開口率は通常20%〜70%に選ばれてよい。
なお、トラップ装置100を通り抜ける間に分離されなかった排ガス中の有機溶剤蒸気は、下流側の排気ダクト102内で冷えて凝縮することがある。そのように排気ダクト102内で凝縮して液化した有機溶剤は排気ダクト102の内壁面を伝って下流側に流れるが、その途中で液捕集部160に捕集され、副ドレイン配管168および主ドレイン管154を通って排液回収部に送られる。
また、タンク120内で凝縮した有機溶剤は、液滴または液流となってタンクの底に集められ、ドレイン口152から排出される。この場合、1回分(基板一枚分)の減圧乾燥処理が終了した後もタンク120の内壁面に付着したまま残る液がある。そして、次回の減圧乾燥処理において真空ポンプ94が作動を開始した直後でチャンバ80内の基板G上のレジスト塗布膜から有機溶剤が未だ蒸発しない間は、トラップ装置100のタンク120には真空ポンプ94より蒸気を含まない圧縮された排ガスが導入され、図5に示すように、この排ガスの風力で残存液174がタンク120の内壁面に沿って周回方向に移動して内部液捕集部156に行き着き、そこで突条部158に沿ってタンク120の底に流れ落ち、すぐ近くのドレイン口152より排出される。このように、タンク120内の排液効率も向上している。
上記のように、この実施形態におけるトラップ装置100は、有機溶剤蒸気捕獲率または気液分離率を大幅に向上させ、これによって有機溶剤の回収率を大幅に向上させることが可能である。また、この実施形態における減圧処理装置(VD)46は、減圧乾燥処理に際して真空ポンプ94より吐き出される排ガスから蒸気を効率よく分離して排気ライン下流側での液溜まりや液漏れを防止し、これによって有機溶剤回収率および環境性能の向上を図ることができる。
以上本発明の好適な実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、その技術的思想の範囲内で種々の変形が可能である。
たとえば、トラップ装置100のタンク120および内部縦型筒体122の形状は、典型的には上記実施形態のように円筒体であるが、縦方向で(中心軸に沿って)口径が適宜変化する筒体とすることも可能である。ミストフィルタ140を下流側排気路102内に設けることも可能である。また、内部縦型筒体122か冷却水流路142を省く構成や、タンク120の壁に冷却水流路または冷却ジャケットを設ける構成も可能である。冷却水以外の冷却媒体も使用可能である。上記実施形態の減圧乾燥ユニット(VD)46における一体型のチャンバ80やコロ(86)搬送方式は一例であり、分割型のチャンバやロボット搬送方式等ももちろん可能である。
本発明のトラップ装置は、上記実施形態のような塗布現像処理システムにおける減圧乾燥処理での使用に限定されるものではなく、蒸気を含むガスから蒸気を凝縮させて分離する任意のアプリケーションに適用可能であり、たとえば空気中の水蒸気を分離除去する空気乾燥法等にも適用可能である。
本発明の適用可能な塗布現像処理システムの構成を示す平面図である。 実施形態における減圧乾燥ユニット(VD)の本体要部および排気系の構成を示す図である。 実施形態におけるトラップ装置の構成を示す断面図である。 実施形態のトラップ装置で使用される複数枚の邪魔板のそれぞれの形状を示す図である。 実施形態のトラップ装置におけるタンク内のガス導入部、液捕集部およびドレイン口の位置関係を示す平面図である。 実施形態のトラップ装置において下流側排気ダクトに設けられる液捕集部の構成および作用を示す断面図である。 実施形態のトラップ装置におけるタンク内の排ガスの旋回流路を模式的に示す斜視図である。 実施形態のトラップ装置における内部縦型筒体の入口付近の構成および作用を示す断面図である。 従来のトラップ装置の一構成例を示す断面図である。 従来のトラップ装置の別の構成例を示す断面図である。
符号の説明
10 塗布現像処理システム
46 減圧乾燥ユニット(VD)
80 チャンバ
94 真空ポンプ
100 トラップ装置
120 タンク
122 内部縦型筒体
126 ガス導入部
130 ノズル部
132(1)〜132(7) 邪魔板
134 中心支持軸
142 冷却水流路
152 ドレイン口
156 内部液捕集部
158 突条部
160 外部液捕集部

Claims (17)

  1. 縦型筒状のタンクと、
    前記タンク内の中心部に設けられ、前記タンクの内径よりも小さな外径と、前記タンクの底面の近くに配置される入口と、前記タンクの下流側の外部排気路に接続される出口とを有する内部縦型筒体と、
    前記内部縦型筒体の入口よりも高い位置で前記タンク内に所定の蒸気を含むガスを導入するガス導入部と
    を有し、
    前記ガス導入部より前記タンク内に導入された前記ガスが、前記タンクの内壁面に沿って螺旋状に旋回しながら天井まで上昇した後、前記内部縦型筒体の外壁面に沿って螺旋状に旋回しながら降下し、前記内部縦型筒体の中をその入口から出口まで通り抜けて前記下流側排気管に送られ、前記蒸気が前記タンク内で凝縮するように構成したトラップ装置。
  2. 前記ガス導入部が、前記タンクの内壁面に沿って前記ガスを噴出するノズル部を有する請求項1に記載のトラップ装置。
  3. 前記ノズル部が、前記タンクの軸方向と直交する面に対して5°〜45°斜め上方に傾けて前記ガスを噴出する請求項2に記載のトラップ装置。
  4. 前記ガス噴出方向の傾斜角度が10°〜20°である請求項3に記載のトラップ装置。
  5. 前記内部縦型筒体内に、前記ガスをその気流の進路を邪魔しながら通過させる邪魔板を軸方向に間隔を空けて複数枚配置する請求項1〜4のいずれか一項記載のトラップ装置。
  6. 前記内部縦型筒体の中に入ってくる前記ガスの旋回流を邪魔して非旋回流に矯正するように、前記内部縦型筒体の入口付近に最下段の第1の邪魔板と次段の第2の邪魔板とを近づけて配置する請求項5に記載のトラップ装置。
  7. 前記第1の邪魔板が、周回方向に並べて形成された複数の開口部を有する円板からなり、
    前記第2の邪魔板が、前記内部縦型筒体の内径よりも小さく、かつ前記第1の邪魔板の開口部の外径よりも大きな口径を有する実質的に開口無しの円板からなる、
    請求項6に記載のトラップ装置。
  8. 前記第1の邪魔板の開口部の全開口率が20%〜70%であり、
    前記第1および第2の邪魔板の間に形成される流路の前記第2の邪魔板のエッジ位置における断面積(Sa)と前記第1の邪魔板の開口部の総面積(Sb)との比(Sa/Sb)が0.4〜0.9である、
    請求項6または請求項7に記載のトラップ装置。
  9. 前記内部縦型筒体の周壁またはその近くに冷却媒体用の流路を設け、前記媒体流路に一定温度の冷却媒体を流す請求項1〜8のいずれか一項に記載のトラップ装置。
  10. 前記内部縦型筒体の出口付近または前記外部排気路内に、前記蒸気が凝縮して出来たミストを捕獲するためのミストフィルタを設ける請求項1〜9のいずれか一項に記載のトラップ装置。
  11. 前記タンクの内壁に沿って周回方向に移動する液滴を捕集して前記タンクの底へ落とすための第1の液捕集部を設ける請求項1〜10のいずれか一項に記載のトラップ装置。
  12. 前記第1の液捕集部は、前記タンクの内壁から半径方向内側に突出して縦方向に延びる突条部を有する請求項11に記載のトラップ装置。
  13. 前記タンクの底面で前記第1の液捕集部の近くに排液用の第2のドレイン口を設ける請求項11または請求項12に記載のトラップ装置。
  14. 前記外部排気路の内壁面に沿って下流側に移動する液滴を捕集して前記外部排気路の外へ取り出すための第2の液捕集部を設ける請求項1〜13のいずれか一項に記載のトラップ装置。
  15. 前記第2の液捕集部が、
    前記外部排気路の内径よりも小さな外径を有する円筒部と、
    前記円筒部の下流側端部で前記円筒部と前記外部排気路との隙間を閉塞する環状の底部と、
    前記底部付近に設けられた排液用の第2のドレイン口と
    を有する請求項14に記載のトラップ装置。
  16. 処理液の塗布膜を形成された直後の被処理基板を出し入れ可能に収容する密閉可能なチャンバと、
    前記基板上の前記塗布膜を乾燥させるために前記チャンバ内を真空排気する真空ポンプと、
    前記真空ポンプより吐き出される排ガスから蒸気を分離するための請求項1〜15のいずれか一項に記載のトラップ装置と、
    を有する減圧乾燥装置。
  17. 前記処理液がレジスト液であり、前記蒸気が有機溶剤蒸気である請求項16に記載の減圧乾燥装置。
JP2008175450A 2008-07-04 2008-07-04 トラップ装置及び減圧乾燥装置 Expired - Fee Related JP4615040B2 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008175450A JP4615040B2 (ja) 2008-07-04 2008-07-04 トラップ装置及び減圧乾燥装置
KR1020090060455A KR20100004883A (ko) 2008-07-04 2009-07-03 트랩 장치 및 감압 건조 장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008175450A JP4615040B2 (ja) 2008-07-04 2008-07-04 トラップ装置及び減圧乾燥装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2010016215A JP2010016215A (ja) 2010-01-21
JP4615040B2 true JP4615040B2 (ja) 2011-01-19

Family

ID=41702039

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008175450A Expired - Fee Related JP4615040B2 (ja) 2008-07-04 2008-07-04 トラップ装置及び減圧乾燥装置

Country Status (2)

Country Link
JP (1) JP4615040B2 (ja)
KR (1) KR20100004883A (ja)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102979700A (zh) * 2012-11-30 2013-03-20 东莞台一盈拓科技股份有限公司 一种用于真空泵的自动排液装置及真空泵
CN107626117A (zh) * 2017-11-10 2018-01-26 大丰鑫源达化工有限公司 一种有机溶剂回收装置
CN112447556A (zh) * 2019-09-03 2021-03-05 芝浦机械电子装置株式会社 液雾回收装置及基板处理装置
WO2021149667A1 (ja) 2020-01-22 2021-07-29 エドワーズ株式会社 排気ガス中の水分処理システム
JP2021128958A (ja) * 2020-02-10 2021-09-02 株式会社Screenホールディングス 熱処理装置および熱処理システム
CN111569535A (zh) * 2020-05-22 2020-08-25 重庆开山压缩机有限公司 一种可精确控制的除水罐
JP2021186785A (ja) * 2020-06-03 2021-12-13 東京エレクトロン株式会社 トラップ装置及び基板処理装置
JP7407756B2 (ja) * 2021-03-12 2024-01-04 東レエンジニアリング株式会社 減圧乾燥装置
WO2022269804A1 (ja) * 2021-06-23 2022-12-29 三菱電機株式会社 スクリュー圧縮機

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0552281U (ja) * 1991-12-24 1993-07-13 三輪精機株式会社 車両用圧縮エアのミスト分捕集装置
JP2001246216A (ja) * 1999-12-28 2001-09-11 Denso Corp 気液分離装置
JP2001269524A (ja) * 2000-03-24 2001-10-02 Kamata Tecnas:Kk 気液分離装置
JP2005085814A (ja) * 2003-09-04 2005-03-31 Tokyo Electron Ltd 減圧乾燥装置、減圧乾燥方法及び捕集装置
JP2005327761A (ja) * 2004-05-12 2005-11-24 Tokyo Electron Ltd 排気捕集装置
JP2008036579A (ja) * 2006-08-09 2008-02-21 Air Water Emoto Kk サイクロン分離装置およびそれを用いた住宅換気用給気フード
JP2009056360A (ja) * 2007-08-30 2009-03-19 Kudo Co Ltd 燃焼炉の集塵構造および燃焼炉

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5439777U (ja) * 1977-08-25 1979-03-16
JP3158044B2 (ja) * 1996-03-25 2001-04-23 シャープ株式会社 サイクロン式湿式電気掃除機
BR9800585A (pt) * 1997-02-10 1999-08-10 North Star Technologies Ltd Processo e aparelho de separação instalação de cozinhar e porção de meios de separação

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0552281U (ja) * 1991-12-24 1993-07-13 三輪精機株式会社 車両用圧縮エアのミスト分捕集装置
JP2001246216A (ja) * 1999-12-28 2001-09-11 Denso Corp 気液分離装置
JP2001269524A (ja) * 2000-03-24 2001-10-02 Kamata Tecnas:Kk 気液分離装置
JP2005085814A (ja) * 2003-09-04 2005-03-31 Tokyo Electron Ltd 減圧乾燥装置、減圧乾燥方法及び捕集装置
JP2005327761A (ja) * 2004-05-12 2005-11-24 Tokyo Electron Ltd 排気捕集装置
JP2008036579A (ja) * 2006-08-09 2008-02-21 Air Water Emoto Kk サイクロン分離装置およびそれを用いた住宅換気用給気フード
JP2009056360A (ja) * 2007-08-30 2009-03-19 Kudo Co Ltd 燃焼炉の集塵構造および燃焼炉

Also Published As

Publication number Publication date
KR20100004883A (ko) 2010-01-13
JP2010016215A (ja) 2010-01-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4615040B2 (ja) トラップ装置及び減圧乾燥装置
TWI355021B (ja)
US10483134B2 (en) Substrate treatment device and substrate treatment method
JP2013045877A (ja) 基板処理装置
JP4802002B2 (ja) 基板の洗浄処理装置及び洗浄処理方法
JPH113851A (ja) 液処理装置及び液処理方法
TW201310568A (zh) 基板處理裝置
JP2003347198A (ja) 基板ベーク装置、基板ベーク方法及び塗布膜形成装置
JP2005210118A (ja) ミニエンバイロンメントの制御およびパージを行うためのステーション
KR102289615B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
WO2017177398A1 (en) Apparatus for exhaust cooling
JP5503435B2 (ja) 基板処理装置、基板処理方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
KR20200111739A (ko) 기판 건조 장치, 기판 건조 방법 및 기억 매체
JP4805384B2 (ja) 基板処理装置
JP2007103638A (ja) 基板処理における排気装置
JP2007019340A (ja) 基板処理装置
TWI718529B (zh) 單晶圓濕處理設備
KR102256549B1 (ko) 멀티스테이지 냉각을 갖는 장치
JP3676957B2 (ja) レジスト剥離装置
JP7407756B2 (ja) 減圧乾燥装置
KR101057086B1 (ko) 반도체 공정에서의 잔류 부산물 포집장치
JP6890617B2 (ja) 気体処理装置および基板処理装置
KR102598124B1 (ko) 기판 세정장치
TW200426891A (en) Apparatus and method for preventing contamination of substrate from condensate liquid
JP2007281311A (ja) 基板処理装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20100527

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20100909

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20101005

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20101019

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131029

Year of fee payment: 3

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees