KR100773398B1 - 오티피 셀 어레이를 구비한 상 변화 메모리 장치 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (22)
- OTP 셀 어레이;상 변화 물질을 갖는 메모리 셀로 이루어진 노말 셀 어레이;노말 모드 시에 상기 노말 셀 어레이를 선택하고, OTP 모드 시에 상기 OTP 셀 어레이를 선택하는 어드레스 디코더;선택된 셀 어레이에 프로그램 전류를 공급하는 쓰기 드라이버; 및상기 OTP 모드로의 진입을 위한 OTP 모드 신호를 발생하고, 상기 OTP 셀 어레이에 대한 프로그램이 금지되도록 상기 쓰기 드라이버에 OTP 금지 신호를 제공하는 OTP 제어 회로를 포함하되,상기 어드레스 디코더는 상기 OTP 모드 신호에 응답하여 상기 OTP 셀 어레이를 선택하고,상기 쓰기 드라이버는 상기 OTP 금지 신호에 응답하여 상기 OTP 셀 어레이에 대한 프로그램 전류의 공급을 차단하는 것을 특징으로 하는 상 변화 메모리 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 OTP 셀 어레이는 상 변화 물질을 갖는 메모리 셀로 이루어진 것을 특징으로 하는 상 변화 메모리 장치.
- 삭제
- 제 1 항에 있어서,상기 OTP 제어 회로는외부 커멘드에 응답하여 상기 OTP 모드 신호를 발생하는 OTP 모드 컨트롤러; 및상기 OTP 모드 신호에 응답하여 상기 OTP 셀 어레이에 대한 프로그램 금지를 위한 상기 OTP 금지 신호를 발생하는 OTP 금지 컨트롤러를 포함하는 것을 특징으로 하는 상 변화 메모리 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 OTP 제어 회로는외부 커맨드에 응답하여 OTP 모드 신호, 제 1 및 제 2 제어 신호를 발생하는 OTP 모드 컨트롤러; 및상기 OTP 모드 신호에 응답하여 동작하고, 상기 제 1 제어 신호에 응답하여 상기 OTP 셀 어레이에 대한 프로그램 금지 정보를 저장하며, 상기 제 2 제어 신호에 응답하여 상기 OTP 셀 어레이에 대한 프로그램 허락 정보를 저장하는 OTP 금지 컨트롤러를 포함하는 것을 특징으로 하는 상 변화 메모리 장치.
- 삭제
- 제 5 항에 있어서,상기 쓰기 드라이버는 상기 프로그램 금지 정보에 응답하여 상기 OTP 셀 어레이에 대한 프로그램 전류의 공급을 차단하는 것을 특징으로 하는 상 변화 메모리 장치.
- 제 5 항에 있어서,상기 쓰기 드라이버는 상기 프로그램 허락 정보에 응답하여 상기 OTP 셀 어레이에 프로그램 전류를 공급하는 것을 특징으로 하는 상 변화 메모리 장치.
- 제 5 항에 있어서,상기 OTP 금지 컨트롤러는 상기 프로그램 금지 정보 또는 상기 프로그램 허락 정보를 저장하기 위한 상 변화 물질을 갖는 메모리 셀을 포함하는 것을 특징으로 하는 상 변화 메모리 장치.
- 제 9 항에 있어서,상기 OTP 금지 컨트롤러의 메모리 셀은 서로 상보적인 데이터를 저장하기 위해 메모리 셀 쌍(pair)으로 구성되는 것을 특징으로 하는 상 변화 메모리 장치.
- 제 5 항에 있어서,상기 OTP 금지 컨트롤러는상기 OTP 모드 신호, 상기 제 1 및 제 2 제어 신호에 응답하여 상기 프로그램 금지 정보 또는 상기 프로그램 허락 정보를 저장하는 저장부;상기 프로그램 금지 정보 또는 상기 프로그램 허락 정보를 센싱하는 센싱부; 및상기 센싱부의 센싱 결과를 래치하는 래치부를 포함하는 것을 특징으로 하는 상 변화 메모리 장치.
- 제 11 항에 있어서,상기 저장부는 상기 프로그램 금지 정보 또는 상기 프로그램 허락 정보를 저장하기 위한 상 변화 물질을 갖는 메모리 셀을 포함하는 것을 특징으로 하는 상 변화 메모리 장치.
- 제 12 항에 있어서,상기 저장부의 메모리 셀은 서로 상보적인 데이터를 저장하기 위해 메모리 셀 쌍(pair)으로 구성되는 것을 특징으로 하는 상 변화 메모리 장치.
- 제 13 항에 있어서,상기 센싱부는 상기 저장부의 메모리 셀 쌍에 저장된 데이터를 비교하고, 상 기 센싱 결과를 상기 래치부에 제공하는 것을 특징으로 하는 상 변화 메모리 장치.
- 상 변화 물질을 갖는 메모리 셀로 이루어진 OTP 셀 어레이;외부 커맨드에 응답하여 OTP 모드 신호, 제 1 및 제 2 제어 신호를 발생하는 OTP 모드 컨트롤러;상기 OTP 모드 신호에 응답하여 상기 OTP 셀 어레이를 구동하는 어드레스 디코더;상기 OTP 모드 신호에 응답하여 동작하고, 상기 제 1 제어 신호에 응답하여 상기 OTP 셀 어레이에 대한 프로그램 금지 정보를 저장하며, 상기 제 2 제어 신호에 응답하여 상기 OTP 셀 어레이에 대한 프로그램 허락 정보를 저장하는 OTP 금지 컨트롤러; 및상기 프로그램 허락 정보에 응답하여 상기 OTP 셀 어레이에 프로그램 전류를 공급하고, 상기 프로그램 금지 정보에 응답하여 상기 OTP 셀 어레이에 대한 프로그램 전류의 공급을 차단하는 쓰기 드라이버를 포함하는 상 변화 메모리 장치.
- 제 15 항에 있어서,상기 OTP 금지 컨트롤러는상기 OTP 모드 신호, 상기 제 1 및 제 2 제어 신호에 응답하여 상기 프로그램 금지 정보 또는 상기 프로그램 허락 정보를 저장하는 저장부;상기 프로그램 금지 정보 또는 상기 프로그램 허락 정보를 센싱하는 센싱부; 및상기 센싱부의 센싱 결과를 래치하는 래치부를 포함하는 것을 특징으로 하는 상 변화 메모리 장치.
- 제 16 항에 있어서,상기 저장부는 상기 프로그램 금지 정보 또는 상기 프로그램 허락 정보를 저장하기 위한 상 변화 물질을 갖는 메모리 셀을 포함하는 것을 특징으로 하는 상 변화 메모리 장치.
- 제 17 항에 있어서,상기 저장부의 메모리 셀은 서로 상보적인 데이터를 저장하기 위해 메모리 셀 쌍(pair)으로 구성되는 것을 특징으로 하는 상 변화 메모리 장치.
- 제 18 항에 있어서,상기 센싱부는 상기 저장부의 메모리 셀 쌍에 저장된 데이터를 비교하고, 상기 센싱 결과를 상기 래치부에 제공하는 것을 특징으로 하는 상 변화 메모리 장치.
- 제 17 항에 있어서,상기 저장부는 상기 저장부의 메모리 셀을 대체하기 위한 리던던시 메모리 셀을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 상 변화 메모리 장치.
- 제 17 항에 있어서,상기 OTP 셀 어레이의 메모리 셀 및 상기 저장부의 메모리 셀은 워드 라인에 연결된 선택 트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 하는 상 변화 메모리 장치.
- 제 17 항에 있어서,상기 OTP 셀 어레이의 메모리 셀 및 상기 저장부의 메모리 셀은 워드 라인에 연결된 다이오드를 포함하는 것을 특징으로 하는 상 변화 메모리 장치.
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020050123325A KR100773398B1 (ko) | 2005-12-14 | 2005-12-14 | 오티피 셀 어레이를 구비한 상 변화 메모리 장치 |
US11/488,010 US7457152B2 (en) | 2005-12-14 | 2006-07-18 | Non-volatile memory devices and systems including phase-change one-time-programmable (OTP) memory cells and related methods |
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Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020050123325A KR100773398B1 (ko) | 2005-12-14 | 2005-12-14 | 오티피 셀 어레이를 구비한 상 변화 메모리 장치 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20070063276A KR20070063276A (ko) | 2007-06-19 |
KR100773398B1 true KR100773398B1 (ko) | 2007-11-05 |
Family
ID=38139108
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020050123325A KR100773398B1 (ko) | 2005-12-14 | 2005-12-14 | 오티피 셀 어레이를 구비한 상 변화 메모리 장치 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7457152B2 (ko) |
KR (1) | KR100773398B1 (ko) |
CN (1) | CN101004948B (ko) |
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Date | Code | Title | Description |
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A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E90F | Notification of reason for final refusal | ||
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GRNT | Written decision to grant | ||
G170 | Re-publication after modification of scope of protection [patent] | ||
FPAY | Annual fee payment |
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