KR100730675B1 - 리소그래피 툴에서 사용되는 가스를 재생하기 위한 방법및 장치 - Google Patents

리소그래피 툴에서 사용되는 가스를 재생하기 위한 방법및 장치 Download PDF

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Abstract

리소그래피 툴에서의 가스를 재생하는 데 사용되는 시스템 및 방법이 제공된다. 제1 챔버는 제1 가스에 기초하여 광을 방사하는 요소를 포함한다. 제2 챔버는 방사된 광을 사용하여 프로세스를 수행하며, 제2 가스를 포함한다. 제1 가스와 제2 가스는 2개의 챔버 사이에서 모이게 되며, 가스들 중 적어도 하나는 저장 디바이스로 펌프질된다. 저장 디바이스로부터, 두 가스 중 적어도 하나는 시스템 내에서나 시스템으로부터 떨어져서 재생되며, 가능하다면 시스템 내에서 재사용된다. 가스록은 제1 챔버를 제2 챔버와 연결할 수 있다. 가스 소스는 가스록 내에서 제1 가스와 제2 가스 사이에 제3 가스를 공급하여, 가스록 내에서 제1 가스가 제2 가스로부터 격리될 수 있도록 한다. 제1, 제2 및/또는 제3 가스는 저장 디바이스로 펌프질될 수 있으며, 재생 디바이스로 그 경로가 제어된다. 제1, 제2 및/또는 제3 가스는 방사 광을 형성하는 데 재사용하기 위해 재생될 수 있다.
리소그래피, 가스, 재생

Description

리소그래피 툴에서 사용되는 가스를 재생하기 위한 방법 및 장치 {METHOD AND APPARATUS FOR RECYCLING GASES USED IN A LITHOGRAPHY TOOL}
본 명세서의 일부로서 참조되며 그 일부를 형성하는 첨부 도면들은 본 발명을 예시하며, 개시 내용과 함께 본 발명의 원리를 설명하는 기능을 추가로 하여, 당업자가 본 발명을 만들고 사용할 수 있도록 한다.
도 1은 본 발명의 실시예들에 따른 리소그래피 시스템을 나타내는 도면.
도 2는 본 발명의 실시예들에 따른 리소그래피 시스템을 나타내는 도면.
도 3은 도 2의 리소그래피 시스템에서 가스록(gaslock)을 통한 가스 흐름을 나타내는 도면.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 리소그래피 시스템을 나타내는 도면.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 방법을 도시하는 플로차트를 나타내는 도면.
도 6은 본 발명의 실시예에 따른 방법을 도시하는 플로차트를 나타내는 도면.
본 발명은 첨부 도면을 참조하여 설명될 것이다. 도면에서, 같은 참조 번호들은 동일하거나 기능적으로 유사한 요소들을 나타낼 것이다. 또한, 참조 번호의 가장 왼쪽 숫자는 참조 번호가 처음 나타나는 도면을 식별할 것이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
100 : 시스템
102 : 웨이퍼 또는 기판
104 : 광원
106 : 빔 컨디셔너
110 : 레티클 또는 마스크
112 : 투영 광학계
본 출원은 2002년 11월 21일 출원된 미국 특허출원 제10/300,898호와 관련된다.
본 출원은 일반적으로 리소그래피 시스템에 관한 것이다. 보다 구체적으로는, 본 발명은 리소그래피 툴에서 사용되는 가스를 재생하는 것에 관한 것이다.
리소그래피는 하나 이상의 기판(예컨대, 반도체 웨이퍼 등)의 표면 상에 형상들(features; 예컨대, 디바이스들)을 생성하는 데 사용되는 프로세스이다. 기판은 평판 디스플레이, 회로 보드, 다양한 집적 회로 등의 제조에 사용되는 기판을 포함할 수 있다. 리소그래피 동안, 기판은 기판 스테이지 상에 위치하며, 기판의 표면 상에 투영되는 이미지에 노출된다. 이미지는 노출 시스템(exposure system)에 의해 형성된다. 노출 시스템은 이미지를 형성하는 데 사용되는 패턴을 가지는 레티클(reticle), 광학계(optics) 및 광원을 포함한다. 레티클은 일반적으로 광원과 기판 사이에 위치한다. 극 자외선(extreme ultraviolet; EUV) 또는 전자 빔 시스템에서, 광원은 광원 진공 챔버 내에 위치하게 되며, 노출 시스템 및 기판은 광학계 진공 챔버 내에 위치하게 된다. 광원 챔버 및 광학계 챔버는 가스록(gaslock)을 통하여 연결될 수 있다.
리소그래피에서, 형상(예컨대, 디바이스)의 크기는 광원의 파장에 기초한다. 상대적으로 높은 디바이스 집적도를 가지는 집적 회로를 생산하고 이에 의해 동작 속도를 향상시키기 위해서는, 상대적으로 작은 형상의 이미지를 만드는 것이 바람직하다. 이러한 작은 형상들을 생성하기 위해서는, 짧은 파장(예컨대, 약 13nm)의 빛을 내보내는 광원이 필요하다. 이러한 방사(radiation)는 EUV 광이라고 불리며, 플라즈마원, 방전원, 전자 축적 링(electron storage rings)으로부터의 싱크로트론 방사(synchrotron radiation) 등에 의해 생성된다.
일부 시스템에서는, 방전 플라즈마 광원을 사용함으로써 EUV 광을 생성한다. 이러한 유형의 광원은 플라즈마를 생성하기 위해 이온화된 타겟 물질(target material) 또는 가스를 사용한다. 예를 들어, 플라즈마에 기초한 광원은 크세논과 같은 가스를 사용할 수 있다. 그러한 경우, 플라즈마는 전기 방전에 의해 형성된다. 일반적으로, EUV 방사광은 13~14nm 범위 내일 수 있다. 다른 시스템에서, EUV 방사광은 레이저 발생 플라즈마원(laser produces plasma sources)으로부터 생성된다. 레이저 발생 플라즈마원에서는, 물질(예컨대, 크세논, 클러스터된 크세논(clustered xenon), 작은 물방울, 얼음 입자, 리튬, 주석 증기 등)이 노즐로 부터 배출될 수 있다. 레이저는 노즐로부터 이격되어 있으며, 플라즈마를 생성하기 위해 물질을 조사하는(irradiate) 펄스를 방출한다. 그 결과, 이러한 플라즈마는 EUV 방사광을 방출한다.
상대적으로 많은 양의 EUV 광을 생성하기 위해서는, 플라즈마가 생성되고 있는 곳(예컨대, 광원 챔버)에서 크세논의 집적도가 비교적 높아야 한다. 이것은 압력을 너무 증가시켜 시스템의 나머지 부분(예컨대, 광학계 챔버)으로 EUV 광을 효율적으로 전송할 수 없게 한다. 그 결과, EUV 광이 움직이는 경로는 진공 상태로 하여야 한다. 대개, 소스 가스들이 EUV 광을 생성한 후에는 소스 가스들을 가능한 빨리 제거하기 위해 큰 진공 펌프들을 사용한다. 불행히도, 장치의 처리량이 높은 상태(high machine throughput)에서는, 비교적 많은 양의 소스 가스들이 펌프에 의해 배출된다. 크세논과 같은 소스 가스의 비용은 상당하며, 소스 가스가 재생되지 않는다면 웨이퍼 당 비용은 더 높아질 것이다. 소스 가스의 재생은, EUV 리소그래피 툴의 나머지 부분으로부터 방출되어 소스 가스와 혼합되는 다른 가스들의 함유에 의해 복잡하게 된다.
따라서, 일부 리소그래피 툴에서는 소스 가스가 매우 얇은 막에 의해 리소그래피 툴의 나머지 부분의 가스들과 분리되어진다. 또한, 그 막은 스펙트럼 필터(spectral filter)로서 기능함으로써 원하지 않는 방사광을 제거한다. 그러나, 높은 처리량과 높은 광 강도를 가지는 리소그래피 툴은 그 막을 파괴하는 높은 열적 부하 때문에 그 막을 포함할 수 없을지도 모른다. 열적 계산(thermal calculations)에 의하며, 그 막은 광원이 켜졌을 때 수증기화 되는 것을 피하기 위 해서 매우 큰 표면 영역을 가져야 한다. 큰 표면의 극단적으로 얇은 막은, 비록 제조가 가능하더라도, 부서지기 쉬운 성질 때문에 실제로는 사용될 수 없다. 만약 막이 제거되면, 소스 챔버와 툴의 나머지 부분의 장벽은 사라져, 가스 혼합이 발생하여 소스 가스 재생 작업이 극히 어려워지며 일부 경우에는 완전히 불가능해진다.
그러므로, 리소그래피 시스템에서 사용되는 가스를 효율적으로 재생하는 방법 및 시스템이 필요해진다.
본 발명의 실시예들은 제1 가스에 기초하여 빛을 방사하는 요소를 포함하는 제1 챔버; 방사된 광을 사용하여 프로세스를 수행하며, 부분 압력의 제2 가스 또는 부분 압력의 혼합 가스를 포함하는 제2 챔버; 적어도 제1 가스를 저장 디바이스 내로 펌프질하기 위해 사용되는 펌프; 및 저장 디바이스로부터 재생 디바이스로 가스의 경로를 제어하기 위해 사용되는 제어기를 포함하는 시스템을 제공한다.
본 발명의 다른 실시예들은 (a) 제1 가스로 광을 발생시키는 단계; (b) 제2 가스로 광학계를 처리(예컨대, 클리닝, 프로텍팅 등)하는 단계; (c) 단계 (a)와 (b) 이후 제1 가스와 제2 가스 중 적어도 하나를 저장 디바이스로 펌프질하는 단계; 및 (d) 제1 가스와 제2 가스 중 적어도 하나의, 저장 디바이스로부터 재생 디바이스로의 경로를 제어하는 단계를 포함하는 방법을 제공한다.
본 발명의 다양한 실시예들의 구조 및 동작 뿐만 아니라 본 발명의 추가 실시예들, 특징들, 장점들은 이하에서 첨부 도면을 참조하여 상세히 설명된다.
특정 구성 및 배열이 논의되지만, 이것은 단지 예시적인 목적을 위한 것이라는 점이 이해되어져야 한다. 당업자라면 본 발명의 사상 및 범위를 벗어나지 않고도 다른 구성 및 배열이 사용될 수 있다는 것을 인식할 것이다. 또한, 당업자에게는 본 발명이 다른 다양한 응용분야에서 사용될 수 있다는 점도 자명할 것이다.
개요
본 발명의 실시예들은 리소그래피 툴에서 가스를 재생하기 위해 사용되는 방법 및 시스템을 제공한다. 제1 챔버는 제1 가스에 기초하여 광을 방사하는 요소를 포함한다. 제2 챔버는 방사된 광을 사용하여 프로세스를 수행하며, 제2 가스를 포함한다. 이들 챔버들에서의 압력은 상당히 낮아서(즉, 거의 완전 진공에 가까움) 본 실시예에서 '가스'라는 단어는 그 진공에서 발견되는 부분 압력의 가스를 의미할 수 있다. 제1 및 제2 가스는 챔버 사이에서 모이게 되며, 가스들 중 적어도 하나는 저장 디바이스로 펌프질된다. 저장 디바이스에서, 두 가스 중 적어도 하나는 시스템 내에서 또는 시스템으로부터 떨어져서 재생되어, 시스템 내에서 재사용될 수 있다. 가스록은 제1 챔버를 제2 챔버로 연결할 수 있다. 이러한 가스록에서, 가스 소스는 제3 가스를 가스록 내의 제1 가스와 제2 가스 사이에 공급하여, 가스록 내에서 제1 가스가 제2 가스와 격리되도록 한다. 제1, 제2 및/또는 제3 가스는 저장 디바이스로 펌프질되어 재생 디바이스로의 경로를 따라 흐른다. 제1, 제2 및/또는 제3 가스는 재사용을 위해 재생될 수 있다.
가스록과 가스를 재생하는 시스템을 포함하는 시스템
도 1은 본 발명의 실시예들에 따라서 웨이퍼 또는 기판(102) 상에 패턴을 형 성하기 위한 시스템(100)을 도시한다. 광원(104; 예컨대 EUV 광원)은 광 빔을 방사하는데, 광 빔은 빔 컨디셔너(beam conditioner; 106)와 조명 광학계(illumination optics)를 통과하여 레티클 또는 마스크(110)로부터 반사된다. 레티클 또는 마스크(110)로부터 반사된 후, 광 빔은 투영 광학계(projection optics; 112)를 통과하는데, 투영 광학계는 레티클 또는 마스크(110)의 표면(114)으로부터의 패턴을 웨이퍼 또는 기판(102)의 표면 상으로 전사하는 데에 사용된다. 본 발명의 사상 및 범위를 벗어나지 않고, 이들 요소의 다른 배열이 사용될 수도 있다.
도 2는 본 발명에 따른 예시적인 시스템(200)의 상세도를 도시한다. 시스템(200)은 제1 챔버(예컨대, 광원 챔버 또는 진공 광원 챔버; 202)와 제2 챔버(예컨대, 광학계 챔버 또는 광학계 진공 챔버; 204)를 포함한다. 제2 챔버(204)는 빔 컨디셔너, 조명 광학계, 레티클, 투영 광학계 및/또는 웨이퍼 중 하나 이상을 포함할 수 있다. 제1 챔버(202)와 제2 챔버(204)는 가스록(206)을 통하여 연결될 수 있다. 기본적으로, 가스록은 제1 가스와 제2 가스 사이를 흐르는 제3 가스(예컨대, 제1 가스와 제2 가스 사이에 장벽을 형성함)에 의해 제1 가스와 제2 가스가 서로 격리된 채로 유지될 수 있도록 한 영역으로서, 제1 가스와 제2 가스의 혼합이나 제1 챔버(202)로부터 제2 챔버(204)로의 물질의 이동 또는 반대 방향의 이동을 억제한다.
전술한 바와 같이, 플라즈마계 광원을 제1 챔버(202) 내에 설치할 경우, 제1 가스 또는 다른 물질(208)[예컨대, 크세논, 리튬 증기, 주석, 크립톤, 수증기, 금 속 타겟(metal traget) 등]이 이온화되어 플라즈마를 생성한다. 제1 가스(208)는 광이 생성되는 동안만 제1 챔버(202)로 공급된다. 다른 시간(예컨대, 대기, 아이들, 보수 또는 다른 모드들) 동안에는, 제1 챔버(202)는 실질적으로 진공 상태이다. 제2 챔버(204)는 제2 가스(예컨대, 헬륨, 아르곤, 수소, 질소 등과 같은 프로세스 가스들; 210)를 포함한다. 제2 가스(210)는 제2 챔버(210)내의 오염을 줄이고, 제2 챔버(210) 내에 위치하는 리소그래피 툴 미러들을 보호하기 위해 사용될 수 있다. 제1 가스(208)와 마찬가지로, 제2 가스(210)도 클리닝 또는 프로텍션이 요구되는 동안에만 공급된다. 다른 시간 동안에는, 제2 챔버(204)는 실질적으로 진공 상태이다. 본 실시예에서, EUV 광은 상당히 짧은 파장(예컨대, 13~14nm)을 가져 일반적으로 광을 흡수하는 상당한 양의 가스를 쉽게 통과할 수 없기 때문에, EUV 광이 전송될 수 있게 하기 위해 챔버들(202와 204) 내에서 진공 상태가 필요하다. 따라서, 진공 상태는 이러한 파장의 광이 쉽게 제2 챔버(204)로 그리고 챔버(204)를 통해 이동할 수 있게 한다.
도 3은 본 발명의 실시예들에 따라서 가스록(206) 내의 가스들의 상호작용을 도시한다. 제1 가스(208)와 제2 가스(210)가 제1 가스 소스(300)와 제2 가스 소스(302)를 통하여 제1 챔버(202)와 제2 챔버(204)로 공급된다. 제3 가스(예컨대, 헬륨, 네온, 질소, 아르곤 등; 304)는 가스 소스(도시되지 않음)로부터 가스록(206) 내의 흡입구(inlet; 306)로 통과되어 진다. 일 실시예에서, 제3 가스(304)는 가스록(206) 내의 흡입구를 지속적으로 통과할 수 있다. 후술할 바와 같이, 제3 가스(304)는 재생 디바이스 단계(예컨대, 정화 및 재생 단계) 동안 제1 가스(208)로부터 쉽게 분리될 수 있도록 선택되어져야 한다. 제1 가스(208)를 정화하고 재생하는 것에 의해, 본 발명의 시스템(200)은 제1 가스(208)가 제2 가스(210)와 혼합되기 때문에 초기 사용 후에 제1 가스(208) (및/또는 제2 가스(210) 및/또는 제3 가스(304))를 버려야 하는 종래의 시스템에 비하여 비용을 줄이게 된다. 제1 가스(208)를 버리는 것은 광이 생성될 때마다 제1 가스(208)의 새로운 공급을 필요로 하며, 이것은 리소그래피 툴의 운영 경비의 상당한 양을 차지한다.
제3 가스(304)의 흐름은 제1 가스(208) 분자들이 화살표(308) 방향으로 움직이도록 강제한다. 유사하게, 제3 가스(304)의 흐름은 제2 가스(210) 분자들이 화살표(310) 방향으로 움직이도록 강제한다. 따라서, 제3 가스(304)는 제1 가스(208)를 제2 가스(210)로부터 분리시킨다. 일 실시예에서, 제1 가스(208)와 제3 가스(304)는 펌프(예컨대, 진공 펌프; 312)를 사용하여 제1 챔버(202)로부터 펌프질된다. 그 후, 제1 가스(208)는 재생 디바이스(314)에서 제3 가스(304)로부터 분리되어, 제1 가스(208)가 방사된 광을 형성하는 데 재사용될 수 있도록 한다. 예를 들어, 제3 가스(304)는 제1 가스(208)의 어는 점(freezing point; 예컨대, 영하 200E C)보다 상당히 높은 어는 점(예컨대, 영하 60E C)을 가지도록 선택될 수 있다. 그러한 경우, 제3 가스(304)는 응고되어 제1 가스(208)로부터 분리되며, 재생 디바이스(314)로부터 제거된다. 다양한 실시예들에서, 제1 가스(208)는 재생 디바이스(314)로부터 직접 재사용되거나 가스 소스(300)로 전송될 수 있다.
대안적인 실시예에서는, 제어기(316)가 제1 가스(208)와 제3 가스(304)를 저 장소(318)로 보내는데 사용될 수 있는데, 여기서 저장소(318)는 시스템(200)의 내부 또는 외부에 있거나 시스템(200)을 수용하는 위치일 수 있다. 재생 디바이스(320)는 저장소(318)와 가스 소스(300) 및/또는 제3 가스(304)를 방사하는 가스 소스 사이에 연결될 수 있다. 재생 디바이스(320)는 재생 디바이스(314)와 유사한 기능을 수행할 수 있다. 재생 디바이스(320)가 "오프-사이트(off-site)"인 일 실시예에서, 저장소(318)는 "오프-사이트" 위치로 이동될 수 있거나, 가스들이 저장소(318)로부터 제거되어 "오프-사이트" 위치로 보내질 수 있다. 다양한 실시예에서 제3 가스(304)가 재생 디바이스(314 또는 320)를 나와서 재사용되거나 버려질 수 있다는 점이 이해되어야 할 것이다. 또한, 비록 도시되지는 않았으나, 당업계에서 알려진 바와 같이, 제2 가스(210)도 유사하거나 기능적으로 유사한 디바이스를 사용하여 재생될 수 있다는 점이 이해되어야 할 것이다.
가스록이 없이 가스를 재생하는 시스템
도 4는 본 발명의 실시예에 따라 가스록을 포함하지 않는 시스템의 일부를 도시한다. 본 실시예에서는, 제1 가스(208)와 제2 가스(210)가 모이는 곳에서 제3 가스가 첨가되지 않는다. 제1 가스(208)와 제2 가스(210)는 제1 가스 소스(400)와 제2 가스 소스(402)를 통하여 제1 챔버(202)와 제2 챔버(204)로 공급된다. 두 가지 가스는 모두 자신들이 모이는 영역으로부터 진공 펌프(408)에 의해 제거되어 도관(conduit; 404)을 통하여 저장 디바이스(406)로 이동한다. 그 후, 제어기(410)에 기초하여, 가스들은 재생 디바이스(412)를 사용하여 시스템(200) 내에서 재생되거나 재생 디바이스(414)를 사용하여 시스템(200) 밖에서 재생된다. 두 재생 디바 이스(412와 414)는 모두 전술한 바와 같은 재생 디바이스(314)와 유사한 기능을 수행할 수 있다. 만약 제1 가스(208)와 제2 가스(210)가 각각 재생 디바이스(414)에 의해 "오프-사이트" 재생될 경우, 저장소(406)는 재생 디바이스(414)로 수송되거나 제1 가스(208)와 제2 가스(210)가 각각 저장소(406)로부터 또다른 컨테이너로 회수되어 재생 디바이스(414)로 수송된다. 재생은 전술된 프로세스와 유사하게 일어난다. 비록 제1 가스(208)가 가장 재사용될 것 같으나, 제2 가스(210)는 일반적으로 보다 저렴한 가스이기 때문에 버려지거나 공급원(402)으로 다시 그 경로가 제어될 수 있다.
제1, 제2 및/또는 제3 가스를 재생하여 재사용함으로써, 극적인 비용 절약이 가능해질 수 있다. 이것은 특히 EUV 리소그래피 시스템에서 웨이퍼 제조 비용의 상당 부분이 이들 비교적 비싼 가스를 공급하는 데 사용되기 때문이다.
리소그래피 시스템에서 사용되는 가스를 재생하기 위한 방법
도 5는 본 발명에 따른 방법(500)을 도시하는 플로차트를 보여준다. 단계 502에서, 광(예컨대, 극 자외선 광)이 제1 가스(예컨대, 크세논, 리튬 증기, 주석, 크립톤, 및 수증기)에 의해 생성된다. 단계 504에서, 제2 가스(예컨대, 헬륨, 아르곤, 수소 및 질소)에 의해 광학계 처리(클리닝 및 보호 등)가 수행된다. 단계 506에서, 제1 가스와 제2 가스 사이를 흐르는 제3 가스(예컨대, 헬륨, 네온 및 질소)에 의해 제1 가스가 제2 가스로부터 분리된다(즉 격리된다).
도 6은 본 발명에 따른 방법(600)을 도시하는 플로차트를 보여준다. 단계 602에서, 광(예컨대, 극 자외선 광)이 제1 가스(예컨대, 크세논, 리튬 증기, 주석, 크립톤, 및 수증기)에 의해 생성된다. 단계 604에서, 제2 가스(예컨대, 헬륨, 아르곤, 수소 및 질소)에 의해 광학계 처리(클리닝 및 보호 등)가 수행된다. 단계 602와 단계 604는 노출 프로세스 동안 동시에 진행될 수 있다는 것에 주의해야 한다. 단계 606에서, 제1 가스와 제2 가스 중 적어도 하나가 저장 디바이스로 전송된다. 단계 608에서, 저장 디바이스에 저장된 제1 가스와 제2 가스 중 적어도 하나가 재생된다.
이상에서 설명된 바와 같이, 본 발명에 따르면 리소그래피 시스템에서 사용되는 가스를 효율적으로 재생하는 방법 및 시스템이 제공된다.
본 발명의 다양한 실시예가 앞에서 설명되었지만, 이들은 단지 예시의 목적으로 설명된 것일 뿐 제한을 하려는 것은 아니라는 점이 이해되어야 한다. 본 발명의 사상과 범위를 벗어나지 않고 형태나 세부사항에서 다양한 변화가 가해질 수 있다는 점은 당업자에게 자명할 것이다. 따라서, 본 발명의 폭과 범위는 전술된 예시적인 실시예들에 의해 제한되어서는 아니되며, 단지 다음의 특허청구범위와 그들의 균등범위에 따라서만 정의되어야 한다.

Claims (42)

  1. 제1 가스를 사용하여 광을 생성하는 요소를 포함하는 제1 챔버와,
    상기 생성된 광을 사용하여 리소그래피 프로세스를 수행하며, 제2 가스를 포함하는 제2 챔버와,
    상기 제1 가스와 상기 제2 가스가 모이는 영역에서 상기 제1 가스와 상기 제2 가스 사이를 흐르는 제3 가스에 의해 형성되는 가스록(gas lock)과,
    적어도 상기 제1 가스를 저장 디바이스 내로 펌프질하는 펌프와,
    가스가 상기 저장 디바이스로부터 재생 디바이스로 경로를 따라 흐르도록 하는 제어기
    를 포함하는 시스템.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1 가스는 크세논, 리튬 증기, 주석, 크립톤 및 수증기로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 시스템.
  3. 제1항에 있어서, 상기 제2 가스는 헬륨, 아르곤, 수소 및 질소로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 시스템.
  4. 제1항에 있어서, 상기 펌프와 상기 재생 디바이스는 상기 제1 챔버 외부에 위치하는 시스템.
  5. 제1항에 있어서, 상기 재생 디바이스는 상기 시스템의 외부에 위치하는 시스 템.
  6. 제1항에 있어서, 상기 요소는 극 자외선 광(extreme ultraviolet light)을 방사하는 시스템.
  7. 제1항에 있어서, 상기 제1 챔버는 플라즈마 광원을 수용하는 시스템.
  8. 제7항에 있어서, 상기 플라즈마 광원은 극 자외선 광을 생성하는 시스템.
  9. 제1 가스를 사용하여 광을 생성하는 요소를 포함하는 제1 챔버와,
    상기 생성된 광을 사용하여 리소그래피 프로세스를 수행하며, 제2 가스를 포함하는 제2 챔버와,
    상기 제1 가스와 상기 제2 가스가 모이는 영역으로부터 상기 제1 가스와 상기 제2 가스 모두를 제거하는 펌프와,
    가스가 상기 저장 디바이스로부터 재생 디바이스로 경로를 따라 흐르도록 하는 제어기
    를 포함하는 시스템.
  10. 제9항에 있어서, 상기 제1 가스와 상기 제2 가스 모두는 재생되고 재사용되는 시스템.
  11. 삭제
  12. 제1항에 있어서, 상기 제3 가스는 헬륨, 네온 및 질소로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 시스템.
  13. 제1항에 있어서, 상기 펌프는 상기 제1 가스와 상기 제3 가스를 상기 제1 챔버로부터 펌프질하고, 상기 재생 디바이스는 상기 제1 가스를 상기 제3 가스로부터 분리하여 상기 제1 가스가 상기 방사된 광을 형성하는 데 재사용되도록 하는 시스템.
  14. 제1항에 있어서, 상기 펌프와 상기 재생 디바이스는 상기 제1 챔버 외부에 위치하는 시스템.
  15. 제1항에 있어서, 상기 재생 디바이스는 상기 시스템 외부에 있는 시스템.
  16. 제1 가스를 사용하여 광을 생성하는 광원 챔버와,
    제2 가스를 가지는 리소그래피 광학계 챔버와,
    상기 광원 챔버와 상기 광학계 챔버를 연결하기 위한 수단과,
    상기 제1 가스와 상기 제2 가스가 모이는 영역에서 상기 제1 가스와 상기 제2 가스 사이를 흐르는 제3 가스에 의해 형성되는 가스록과,
    상기 제1 가스와 상기 제2 가스 중 적어도 하나를 저장 디바이스로 펌프질하기 위한 수단과,
    상기 제1 가스와 상기 제2 가스 중 적어도 하나가 상기 저장 디바이스에 저장된 후에 상기 저장된 가스를 재생 디바이스로의 경로를 따라 흐르도록 하는 수단
    을 포함하는 시스템.
  17. 제16항에 있어서, 상기 제1 가스는 크세논, 리튬 증기, 주석, 크립톤 및 수증기로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 시스템.
  18. 제16항에 있어서, 상기 제2 가스는 헬륨, 아르곤, 수소 및 질소로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 시스템.
  19. 제16항에 있어서, 상기 펌프와 상기 재생 디바이스는 상기 광원 챔버 외부에 위치하는 시스템.
  20. 제16항에 있어서, 상기 재생 디바이스는 상기 시스템의 외부에 위치하는 시스템.
  21. 제16항에 있어서, 상기 광원 챔버는 극 자외선 광을 생성하는 광원을 포함하는 시스템.
  22. 제16항에 있어서, 상기 광원 챔버는 플라즈마 광원을 수용하는 시스템.
  23. 제22항에 있어서, 상기 플라즈마 광원은 극 자외선 광을 생성하는 시스템.
  24. 제1 가스를 사용하여 광을 생성하는 광원 챔버와,
    제2 가스를 가지는 리소그래피 광학계 챔버와,
    상기 광원 챔버와 상기 광학계 챔버를 연결하기 위한 수단과,
    상기 제1 가스와 상기 제2 가스가 모이는 영역으로부터 상기 제1 가스와 상기 제2 가스 모두를 제거하는 펌프용 수단과,
    상기 제1 가스와 상기 제2 가스 중 적어도 하나가 상기 저장 디바이스에 저장된 후에 상기 저장된 가스를 재생 디바이스로의 경로를 따라 흐르도록 하는 수단
    을 포함하는 시스템.
  25. 제16항에 있어서, 상기 제1 가스와 상기 제2 가스 모두는 재생되고 재사용되는 시스템.
  26. 삭제
  27. 제16항에 있어서, 상기 제3 가스는 헬륨, 네온 및 질소로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 시스템.
  28. 제16항에 있어서, 상기 펌프용 수단은 상기 제1 가스와 상기 제3 가스를 상기 광원 챔버로부터 펌프질하고, 상기 재생 디바이스는 상기 제1 가스를 상기 제3 가스로부터 분리하여 상기 제1 가스가 상기 방사된 광을 형성하는 데 재사용되도록 하는 시스템.
  29. 제16항에 있어서, 상기 펌프용 수단과 상기 재생 디바이스는 상기 광원 챔버 외부에 위치하는 시스템.
  30. 제16항에 있어서, 상기 재생 디바이스는 상기 시스템 외부에 있는 시스템.
  31. (a) 제1 가스로 광을 생성하는 단계와,
    (b) 제2 가스로 광학계를 처리하는 단계와,
    (c) 상기 제1 가스와 상기 제2 가스 사이를 흐르는 제3 가스에 의해 상기 제1 가스를 상기 제2 가스로부터 분리하는 단계와,
    (d) 상기 단계 (a),(b) 및 (c) 이후에, 상기 제1 가스와 상기 제2 가스 중 적어도 하나를 저장 디바이스로 펌프질하는 단계와,
    (e) 상기 제1 가스와 상기 제2 가스 중 적어도 하나가 재생 디바이스로의 경로를 따라 흐르도록 하는 단계
    를 포함하는 방법.
  32. 제31항에 있어서, 상기 제1 가스는 크세논, 리튬 증기, 주석, 크립톤 및 수증기로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 방법.
  33. 제31항에 있어서, 상기 제2 가스는 헬륨, 아르곤, 수소 및 질소로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 방법.
  34. 삭제
  35. 제31항에 있어서, 상기 제3 가스는 헬륨, 네온 및 질소로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 방법.
  36. 제31항에 있어서, 상기 제3 가스를 상기 저장 디바이스 내에 저장하는 단계를 더 포함하는 방법.
  37. 제36항에 있어서, 상기 제1 가스를 상기 제3 가스로부터 분리하는 단계와 상기 제1 가스를 재생하는 단계를 더 포함하는 방법.
  38. 제31항에 있어서, 상기 생성 단계 (a)는 극 자외선 광을 생성하는 방법.
  39. 제31항에 있어서, 상기 처리 단계 (b)는 광학계 챔버 내의 오염을 줄이는 방법.
  40. 제31항에 있어서, 상기 처리 단계 (b)는 광학계 챔버 내의 광학계를 보호하는 방법.
  41. (a) 제1 가스로 광을 생성하는 단계와,
    (b) 제2 가스로 광학계를 처리하는 단계와,
    (c) 상기 제1 가스를 상기 제2 가스로부터 분리하고 상기 제1 가스를 재생하는 단계
    를 포함하는 방법.
  42. 제31항에 있어서, 상기 처리 단계는 부분압의 상기 제2 가스를 사용하는 단계를 포함하는 방법.
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