KR100720022B1

KR100720022B1 - 저반사부재

Info

Publication number: KR100720022B1
Application number: KR1020000062830A
Authority: KR
Inventors: 다루이시도모히로; 히가시겐사쿠
Original assignee: 가부시키가이샤 도모에가와 세이시쇼
Priority date: 1999-10-29
Filing date: 2000-10-25
Publication date: 2007-05-18
Also published as: TW553830B; JP3657869B2; US6572973B1; KR20010051230A; JP2001194505A

Abstract

본 발명은, 반사방지효과를 달성하기 위한 충분한 저굴절율을 나타내고, 또한 범용의 용매에 의한 솔벤트 코팅에 의해 비교적 저온에서 제작되며, 높은 밀착성과 내찰상성을 갖는 저굴절율층을 가진 저반사부재를 제공하는 것을 목적으로 한다.

상기 목적을 달성하기 위한 해결 수단은, 투명지지베이스체와 그보다 낮은 굴절율을 갖는 저굴절율층을 갖는 저반사부재에 있어서, 저굴절율층은, 특정의 가수분해성 실란화합물 및/또는 그 가수분해물과, 인산류, 술폰산류 및 이산화규소융제로부터 선택되는 1가지 이상으로 이루어지는 경화촉진성분을 함유하는 혼합물이 경화된 것으로 한다.

Description

저반사부재{Low reflection member}

도 1은 LCD의 일예를 나타내는 개략단면도이다.

<부호의 설명>

10 저굴절율층

18 편광판

본 발명은 액정 디스플레이(LCD), 플라즈마 디스플레이(PDP), CRT, EL 등의 화상표시장치 등에 바람직하게 이용되는, 외광의 반사방지성이 뛰어난 저반사부재에 관한 것이다.

각종 화상표시장치 등에 있어서는, 외광의 반사를 방지하기 위하여, 저반사부재를 마련하는 것이 행해지고 있다.

필름 또는 유리 등으로 이루어지는 투명지지베이스체의 최외층에, 그 베이스체보다 낮은 굴절율의 물질로 이루어지는 저굴절율층을 가시광파장의 1/4의 광학막두께로 형성하면, 간섭에 의해 반사율이 저하한다는 것이 알려져 있다.

저반사부재의 구성으로는, 베이스체의 적어도 한쪽면에 저굴절율층만을 단층 으로 형성하는 것과, 베이스체의 적어도 한쪽면에 고굴절율층, 저굴절율층을 순차적으로 적층하여 다층구성으로 하는 것이 있다. 양호한 반사방지기능을 발현하기 위한 각층의 굴절율 및 두께에 대하여는, 공지의 계산식으로 산출할 수 있다. 「박막·광디바이스」(요시다 사다후미, 야지마 히로요시 저, 도쿄대학 출판회)에 의하면, 입사광이 저굴절율층에 수직으로 입사하는 경우에는, 광을 반사하지 않고, 또한 100% 투과하기 위한 조건은 다음의 관계식을 만족하면 된다고 되어 있다. 또한, 식중의 n₁은 저굴절율층의 굴절율, n_s는 베이스체 또는 고굴절율층의 굴절율, d₁은 저굴절율층의 두께, λ₀는 광의 파장을 나타낸다.

n₁ ²=n_s

n₁d₁=λ₀/4

광의 반사를 100% 방지하기 위해서는, 상기 수학식 1에 있어서, 저굴절율층의 굴절율이 하층(베이스체 또는 고굴절율층)의 굴절율의 제곱근이고, 또한 저굴절율층의 두께가 상기 수학식 2에 있어서 수학식 1에서 선택한 저굴절율층의 굴절율과 광의 파장으로부터 계산되는 값이 될 필요가 있다.

수학식 1에 있어서, 통상 사용되는 베이스체 또는 고굴절율층의 굴절율(n_s)은 1.45∼2.10의 범위에 있으므로, 이에 적합한 저굴절율층의 굴절율(n₁)은 1.20∼1.45가 된다. 수학식 2에 있어서 가시광영역에서의 반사율을 최저로 하는 경우, 두께(d₁)는 100nm정도가 적당하다.

그런데, 반사방지막의 대부분은 진공증착법이나 스파터링법 등 진공하에서의 성막법에 의해 형성되고 있는데, 베이스체에 플라스틱필름을 선택한 경우에는 베이스체의 열변형온도가 낮기 때문에, 충분히 가열할 수 없어, 얻어지는 반사방지막은 베이스체와의 밀착성이 충분하지 않다. 또한, 이들 방법을 적용할 수 있는 부재가 비교적 소형인 것에 한정되고, 더구나 연속생산에는 적합하지 않는 데다가, 생산비용이 높다는 결점이 있었다. 지금까지 안경렌즈 등에는 이러한 진공성막법에 의해 반사방지막이 부여되어 왔다.

한편, 최근에 있어서는, LCD, PDP, CRT, EL로 대표되는 화상표시장치(이하, 이를 「디스플레이」라 한다)는, 텔레비젼이나 컴퓨터를 비롯하여, 다양한 분야에서 활발하게 사용되고 있으며, 눈부신 발전을 이루어 왔다. 이러한 디스플레이의 개발은, 화상의 고세밀화, 고화질화, 및 저가격화에 주력되어 있으며, 그 흐름으로부터 반사방지에 대한 요구도 강해지고 있다. 따라서, 대면적화 및 연속생산이 가능함과 동시에 저비용화가 가능한 솔벤트 코팅에 의해 생산되는 저반사부재의 개발이 주목받고 있다.

이와 같은 저반사부재의 요구특성은, 굴절율이 1.45 이하인 것은 당연하지만, 이 밖에 디스플레이의 최표면이라는 조건에서의 사용에 견디기 위하여, 높은 밀착성·내찰상성이 요구된다. 그러나, 지금까지의 저반사부재의 대부분은 저굴절율화에만 주목해 왔으며, 내찰상성은 반드시 좋다고는 할 수 없었다.

솔벤트 코팅에 의해 저굴절율층을 얻는 수단으로는, 크게 불소를 포함하는 재료에 의해 저굴절율화를 도모하는 방법과, 막의 표면에 미립자등을 퇴적시켜 구멍을 마련하여 공기의 혼입에 의해 저굴절율화를 도모하는 방법으로 나누어진다.

저굴절율층을 구성하는 재료별로 분류하면, 크게 가수분해성 실란화합물을 졸겔반응에 의해 경화시키는 방법(공개특허공보 (A) 평9-24575호), 불소계 유기재료를 사용하는 방법(공개특허공보(A) 평2-19801호), 저굴절율의 미립자를 사용하는 방법의 세가지로 나누어진다. 또한, 상기 세가지의 조합으로서, 불소계 유기재료와 가수분해성 실란화합물을 조합한 방법(공개특허공보(A) 평7-331115호), 불소계 유기재료와 저굴절율 미립자를 조합한 방법(공개특허공보(A) 평6-230201호), 가수분해성 실란화합물과 저굴절율 미립자를 조합한 방법(공개특허공보(A) 평8-211202호) 등이 제안된 바 있다.

그러나 어떤 방법에 있어서도 베이스체로서 플라스틱필름을 선택하였을 경우, 실용상 충분한 반사방지특성과 내찰상성, 생산성을 구비한 것은 없다.

예컨대, 저굴절율 미립자를 사용하는 방법은, 바인더의 비율이 많아지면 굴절율이 높아져 충분한 반사방지성이 얻기 어려워지고, 바인더가 적으면 막강도가 저하하여 사용할 수 없게 된다.

불소계 유기재료를 사용하는 방법은 주로 불소함유 아크릴화합물의 라디칼 중합물이 사용되고 있는데, 라디칼중합계의 화합물은 공기중의 산소에 의해 중합이 저해되어, 충분히 경화된 막이 얻어지지 않아 경도가 부족하고, 또한 경화시의 부피수축이 크며, 베이스체와의 밀착성부족이나 박리라는 문제가 있다.

가수분해성 실란화합물을 사용하는 방법은, 고온 또는 장시간의 경화가 필요하며, 베이스체를 손상하거나, 건조공정에 시간이 걸려 제조비용이 많아지는 등의 문제가 있다.

본 발명은, 상기 문제를 해결하기 위해 이루어진 것으로서, 반사방지효과를 달성하기 위한 충분한 저굴절율을 나타내고, 또한 범용의 용매에 의한 솔벤트 코팅에 의해 비교적 저온에서 제작되며, 높은 밀착성과 내찰상성을 갖는 저굴절율층을 가진 저반사부재를 제공하는 것을 목적으로 한다.

본 발명의 저반사부재는, 투명지지베이스체와, 상기 투명지지베이스체보다 낮은 굴절율을 갖는 저굴절율층을 갖는 저반사부재에 있어서, 저굴절율층은, 가수분해성 실란화합물 및/또는 그 가수분해물과, 인산류, 술폰산류 및 이산화규소융제로부터 선택되는 1가지 이상으로 이루어지는 경화촉진성분을 함유하는 혼합물이 경화된 것으로서, 가수분해성 실란화합물은, 하기 화학식 1로 나타내어지는 실란화합물, 화학식 2로 나타내어지는 실란화합물, 화학식 3으로 나타내어지는 화합물 또는 중합물로부터 선택되어지는 적어도 1가지인 것을 특징으로 하는 것이다.

R¹ _a-SiX_4-a 0≤a≤2

X₃Si-R²-SiX₃

Y-(Si(OR³)₂O)_n-Y

(X는 Cl, Br, NCO, OR⁴ 중 어느 하나를 나타낸다. Y는 H 또는 탄소수가 1∼20인 유기그룹을 나타낸다. R¹, R², R³, R⁴는 탄소수가 1∼20인 유기그룹을 나타낸다. n은 1∼30의 정수를 나타낸다.)

여기서, 저굴절율층은, 가수분해성 실란화합물 및/또는 그 가수분해물을 100중량부에 대하여, 경화촉진성분을 1∼30중량부 함유하는 혼합물의 경화물인 것이 바람직하다.

또한, 가수분해성 실란화합물은, 4개의 가수분해그룹을 갖는 실란화합물과, 하기 화학식 4 또는 화학식 5로 나타내어지는 실란화합물 중 어느 하나 또는 두 개의 혼합물인 것이 바람직하다.

R⁵ _a-SiX_4-a 1≤a≤2

X₃Si-R⁶-SiX₃

(X는 Cl, Br, NCO, OR⁴ 중 어느 하나를 나타낸다. R⁵와 R⁶는 적어도 하나의 불소원자를 포함하는 유기그룹을 나타낸다.)

또한, 인산류로는 오르토인산 및 메타인산이 바람직하며, 술폰산류로는 벤젠술폰산 또는 파라톨루엔술폰산이 바람직하다.

또한, 저굴절율층과 투명지지베이스체와의 사이에, 고굴절율층을 마련할 수도 있다.

투명지지베이스체로서 편광판을 사용할 수도 있다.

이하, 본 발명을 보다 상세하게 설명하기로 한다.

본 발명의 저반사부재에 있어서의 저굴절율층은, 가수분해성 실란화합물 및/또는 그 가수분해물과, 인산류, 술폰산류 및 이산화규소융제로부터 선택되는 1가지 이상으로 이루어지는 경화촉진성분을 함유하는 혼합물이 경화된 것이다.

경화되어 반사방지막이 되는 혼합물의 주성분인 가수분해성 실란화합물은, 하기 화학식 1, 화학식 2로 나타내어지는 실란화합물, 및 하기 화학식 3으로 나타내어지는 화합물 또는 중합물로부터 선택된다.

[화학식 1]

R¹ _a-SiX_4-a 0≤a≤2

[화학식 2]

X₃Si-R²-SiX₃

[화학식 3]

Y-(Si(OR³)₂O)_n-Y

(X는 Cl, Br, NCO, OR⁴ 중 어느하나를 나타낸다. Y는 H 또는 탄소수가 1∼20(바람직하기로는 5∼12)인 유기그룹을 나타낸다. R¹, R², R³, R⁴는 탄소수가 1∼20(바람직하기로는 5∼12)인 유기그룹을 나타낸다. n은 1∼30의 정수를 나타낸다.)

이들은 범용의 용매 중에서 또는 도막 중에서, 수분의 존재하에 가수분해하여 두 개 이상의 실라놀기를 발생시키는 것인데, 특히 도막강도의 향상에는 규소원자가 4개인 가수분해기를 갖는 실란화합물(일반식 [1]; a=0, 일반식[3])이 바람직하며, 굴절율을 저하시키기 위해서는, 플루오로알킬실란화합물(일반식 [4], [5])이 바람직하고, 이들의 특성을 균형있게 취하기 위하여는 그들을 혼합하여 사용하는 것이 보다 바람직하다.

[화학식 4]

R⁵ _a-SiX_4-a 1≤a≤2

[화학식 5]

X₃Si-R⁶-SiX₃

규소원자가 4개인 가수분해그룹을 갖는 실란화합물로는, 테트라메톡시실란, 테트라에톡시실란, 테트라(1-프로폭시)실란, 테트라(2-프로폭시)실란, 테트라(1-부톡시)실란, 테트라클로로실란, 테트라브로모실란, 테트라이소시아네이트실란, 디메톡시실록산올리고머, 디에톡시실록산올리고머 등을 들 수 있는데, 이들에 한정되는 것은 아니다.

또한, 플루오로 알킬실란화합물로는, 3,3,3-트리플루오로프로필트리메톡시실란, 3,3,3-트리플루오로프로필트리에톡시실란, 3,3,3-트리플루오로프로필트리프로폭시실란, 3,3,3-트리플루오로프로필트리클로로실란, 3,3,3-트리플루오로프로필트리이소시아네이트실란, 1H, 1H, 2H, 2H-테트라하이드로퍼플루오로헥실트리메톡시실란, 1H, 1H, 2H, 2H-테트라하이드로퍼플루오로헥실트리에톡시실란, 1H, 1H, 2H, 2H-테트라하이드로퍼플루오로헥실트리프로폭시실란, 1H, 1H, 2H, 2H-테트라하이드로퍼플루오로헥실트리클로로실란, 1H, 1H, 2H, 2H-테트라하이드로퍼플루오로헥실트리이소시아네이트실란, 1H, 1H, 2H, 2H-테트라하이드로퍼플루오로노닐트리메톡시실란, 1H, 1H, 2H, 2H-테트라하이드로퍼플루오로노닐트리에톡시실란, 1H, 1H, 2H, 2H-테트라하이드로퍼플루오로노닐트리프로폭시실란, 1H, 1H, 2H, 2H-테트라하이드로퍼플루오로노닐트리클로로실란, 1H, 1H, 2H, 2H-테트라하이드로퍼플루오로노닐트리이소시아네이트실란, 1H, 1H, 2H, 2H-테트라하이드로퍼플루오로데실트리메톡시실란, 1H, 1H, 2H, 2H-테트라하이드로퍼플루오로데실트리에톡시실란, 1H, 1H, 2H, 2H-테트라하이드로퍼플루오로데실트리프로폭시실란, 1H, 1H, 2H, 2H-테트라하이드 로퍼플루오로데실트리클로로실란, 1H, 1H, 2H, 2H-테트라하이드로퍼플루오로데실트리이소시아네이트실란, 1-헵타플루오로이소프로폭시프로필트리메톡시실란, 1-헵타플루오로이소프로폭시프로필트리에톡시실란, 1-헵타플루오로이소프로폭시프로필트리프로폭시실란, 1-헵타플루오로이소프로폭시프로필트리클로로실란, 1-헵타플루오로이소프로폭시프로필트리이소시아네이트실란, 1,4-비스(트리메톡시실릴)-2,2,3,3-테트라플루오로부탄, 1,5-비스(트리메톡시실릴)-2,2,3,3,4,4-헥사플루오로펜탄 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 굴절율, 반응성, 용매용해성의 관점으로부터 1H, 1H, 2H, 2H-테트라하이드로퍼플루오로데실트리에톡시실란이 바람직하다.

이들 분자중에 4개의 가수분해그룹을 갖는 실란화합물 및 플루오로 알킬실란화합물은, 저굴절율층의 굴절율과 막강도의 균형을 잡기 위하여, 적당히 혼합하여 사용하는 것이 바람직하다. 이 때의 혼합비는 실란화합물의 종류에 따라 다르기 때문에 일률적으로 말할 수는 없으나, 분자중에 4개의 가수분해그룹을 갖는 실란화합물 100중량부에 대하여, 플루오로 알킬 실란화합물은 1∼500중량부, 더욱 바람직하기로는 20∼300중량부가 바람직하게 이용된다.

본 발명에서는 실란화합물에 특정의 경화촉진성분, 즉, 인산류, 술폰산류, 이산화규소융제 중 어느 하나 또는 병용하여 부가함으로써 실란화합물의 경화막의 내찰상성을 향상시킨다.

인산류로는, 오르토인산, 메타인산, 폴리인산 등 어느 것이어도 좋으나, 오르토인산 또는 메타인산이 바람직하며, 특히 통상 70∼90%의 수용액으로서 시판되고 있는 인산(오르토인산)이 바람직하게 사용된다. 이것은 특별히 단리(單離)하지 않고 그대로 사용한다.

또한 무수인산(5산화2인산)과 물을 부가하여, 반응계중에서 인산을 발생시켜도 좋다.

인산류는 도료중에서 산성을 이루며, 가수분해된 실란화합물을 안정화할 수 있다.

술폰산류로는, 용매에 가용성이면 여러가지의 것을 적용할 수 있으며, 예컨대, 벤젠술폰산, 파라톨루엔술폰산, 트리플루오로파라톨루엔술폰산, 메탄술폰산, 트리플루오로메탄술폰산, 에탄술폰산, 프로판술폰산, 1-나프틸술폰산, 2-나프틸술폰산 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 벤젠술폰산이나 파라톨루엔술폰산이 바람직하다.

2산화규소융제는, 2산화규소글래스의 융제로서 사용될 수 있는 것이면, 특별히 한정되지 않으나, 도료화하기 위해서는, 끓는점이 50∼150℃인 극성용제에 적어도 0.01% 이상 용해할 필요가 있다.

이와 같은 이산화규소융제로는, 질산나트륨, 질산칼륨, 황산칼륨, 황산나트륨, 규불화수소산, 규불화칼륨, 규불화나트륨, 규불화리튬, 붕불화수소산, 붕불화칼륨, 붕불화나트륨, 붕불화리튬, 불화나트륨, 염화나트륨 등을 들 수 있는데, 이들에 한정되는 것은 아니다.

또한, 이산화규소융제가 도료중에서 산성을 이루는 것이라면, 가수분해된 실란화합물을 안정화할 수 있기 때문에, 보다 바람직하다.

이들 이산화규소융제는, 판상이나 괴상의 글래스에서는, 첨가량 1%에 대하여 융점이 수℃로부터 수십℃ 저하할 뿐인데, 본 발명의 저굴절율층과 같이 1μm이하의 최표면층에는 훨씬 큰 영향을 주어, 100℃라는 저온가열로도 미세한 결함이 용융되어 균일해지게 된다. 이 때문에 내찰상성은 현저하게 향상된다.

이들 인산류, 술폰산류, 이산화규소융제의 첨가에 의해 얻어지는 막의 강도는, 통상 실란화합물의 경화에 사용되는 염산, 말레산, 트리스아세틸아세토네이토알루미늄(Ⅲ) 착체 등에 비하여 매우 높아진다.

이러한 인산류, 술폰산류, 이산화규소융제의 작용기구는 해명되어 있지 않으나, 아마도 산으로서의 삼차원 가교의 촉진작용과 함께, 경화물의 가교구조중에 들어감으로써 응력완화작용을 발현하여 막강도를 높이고 있는 것이라고 생각된다.

이 경화촉진성분의 첨가량은, 주성분인 가수분해성 실란화합물 및/또는 그 가수분해물 100중량부에 대하여, 1∼30중량부의 범위에서 사용된다. 첨가량이 1중량부보다 적은 경우, 도막강도의 향상효과가 충분히 얻어지지 않는다. 또한 30중량부보다 많으면 경화물의 가교도가 너무 낮아져 도막강도는 약해진다. 5∼25중량부이면 보다 바람직하다.

이들 경화촉진성분은, 실란화합물과 혼합한 다음, 직접도포·제막(製膜)하는 것도 가능하나, 실란화합물에 미리 물을 부가하여 가수분해한 다음, 경화촉진성분을 부가하여 도포·제막하여도 좋다. 이러한 경우에는, 실란화합물-물-용제혼합물 또는 여기에 미량의 강산(염산 등)을 부가한 것을 조정후, 실온에서 몇시간 내지 며칠동안 방치하고, 도공용 농도로 희석하여, 경화촉진성분을 부가하여 도공·제막한다. 또한, 물의 부존재하에서 실란화합물을 옥살산 등의 실란중합촉매를 사용하 여 올리고머로 만든 다음, 경화촉진성분을 부가하여 도포·제막하여도 좋다. 이러한 경우에는, 실란화합물-용제-카르복실산 촉매혼합물을 실온으로부터 100℃의 범위에서 가열함으로써 행하며, 다른 경우와 마찬가지로 희석후, 경화촉진성분을 부가하여 사용한다.

본 발명의 저반사부재에 있어서의 투명지지베이스체로는, 예컨대, 글래스, 플라스틱필름, 플라스틱판 등이 예시된다. LCD, CRT 표면에 사용하는 경우에는, 생산성 및 비용, 중량의 점에서 필름인 것이 바람직하다. 그 구체적인 예로는, 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET, 굴절율 n=1.65), 트리아세틸셀룰로오스(TAC, n=1.50), 폴리카보네이트(PC, n=1.58), 폴리스티렌(n=1.60), 폴리염화비닐(n=1.53), 셀로판, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌 등의 각종 수지필름을 들 수 있다. 그 중에서도, PET, TAC, PC가 바람직하게 사용된다. 투명지지베이스체의 투명성은 높을수록 바람직하며, 구체적으로 광선투과율로서는 80%이상, 보다 바람직하기로는 90%이상이 좋다. 투명지지베이스체의 두께는, 경량화의 관점으로는 얇은 편이 바람직하나, 생산성을 고려하면, 필름의 경우에는 10∼200μm의 범위의 것이 바람직하다.

또한, 광선투과율은, 일본공업규격(JIS)K-6714에 기초하여 측정되는 것이다. 구체적으로는, 먼저, 폭이 약 13mm, 길이가 약 40mm인 시험편을 5개 작성한다. 그리고, 공기를 기준으로 하여 투과율 100%눈금을 맞춘 다음, 각 시험편에 대하여 450, 550 및 650nm의 각파장의 광선을 투과시켜, 각각의 분광투과율을 읽고, 각시험편의 최대투과율의 평균값을 광선투과율로 하였다.

또한, 투명지지베이스체에, 코로나처리, 플라즈마처리, 스퍼터링처리 등의 표면처리나, 계면활성제, 실란커플링제 등의 도포를 행함으로써, 본 발명의 저굴절율층을 형성하는 도료의 누출성, 및 경화후의 저굴절율층과의 밀착성을 개선할 수 있다.

본 발명의 저반사부재는 이하의 도료제조, 도공, 건조 및 중합, 경화의 과정에 의해 제작된다.

도료는, 임의의 용매에 상기 실란화합물을 용해하고, 필요에 따라 가수분해 또는 올리고머화한 다음, 상기 경화촉진성분을 혼합함으로써 제조할 수 있다. 이러한 경우, 목적으로 하는 도공막두께를 얻기 위해 실란화합물의 농도를, 통상 0.1∼50중량% 정도, 바람직하기로는 0.5∼30중량% 정도로 제조한다. 용매로는, 적어도 가수분해된 실란화합물을 용해할 수 있는 극성용매를 포함하고 있을 필요가 있다. 또한 건조시의 휘발성이라는 점에서 끓는점이 50∼150℃인 용매가 사용된다. 이와 같은 용제로는 메탄올, 에탄올, 1-프로판올, 2-프로판올, 부탄올, 에틸렌글리콜, 에틸렌글리콜모노메틸에테르, 에틸렌글리콜모노에틸에테르 등의 1가 또는 다가알콜류, 아세톤, 메틸에틸케톤, 메틸이소부틸케톤 등의 케톤류, 초산메틸, 초산에틸, 초산프로필, 초산부틸 등의 에스테르류, 클로로포름, 염화메틸렌, 트리클로로에틸렌 등의 할로겐화 탄화수소류 등이 이용되는데, 이들에 한정되는 것은 아니다. 또한, 상기 용매는 단독, 또는 혼합하여 사용할 수 있다.

상기 제조한 도료를 사용하여, 도공 또는 인쇄방법에 의해 투명지지베이스체의 한쪽면 또는 양쪽면에 저굴절율층을 마련할 수 있다. 구체적으로는, 에어닥터코팅, 블레이드코팅, 와이어닥터코팅, 나이프코팅, 리버스코팅, 트랜스퍼롤코팅, 그 라비아롤코팅, 마이크로그라비아코팅, 키스코팅, 캐스트코팅, 스프레이코팅, 슬롯오리피스코팅, 칼렌더코팅, 전착코팅, 딥코팅, 다이코팅 등의 도공방법이나, 플렉소인쇄 등의 철판인쇄, 다이렉트 그라비아인쇄, 오프셋그라비아인쇄 등의 요판인쇄, 오프셋인쇄 등의 평판인쇄, 스크린인쇄 등의 공판인쇄 등의 인쇄방법을 들 수 있다.

또한, 상기와 같이 하여 형성되는 저굴절율층의 두께는, 상술한 식(1) 및 식(2)의 관계를 만족하도록, 굴절율과 광의 파장과의 관계를 고려하여 층의 두께를 적당히 결정하면 되며, 특별히 한정되는 것은 아니나, 100nm정도가 바람직하다.

도막의 건조 및 중합, 경화는, 가열건조에 의해 용매를 휘발시키고, 또한 가열을 계속하여 경화시킨다. 가열온도는 40℃이상, 바람직하기로는 80∼120℃에서 행한다. 가열온도의 상한은 사용하는 베이스체에 따라 다른데, 일반적인 투명필름은 120℃이상에서는 연화하여 사용할 수 없게 된다. 졸겔법이라 불리우는 통상의 실란화합물의 경화방법에서는 통상 300℃이상으로 가열하기 때문에 플라스틱제 베이스체에 적용하는 것은 어렵다. 지금까지의 졸겔법을 플라스틱제 베이스체에 적용한 예로는 120℃정도에서 몇시간 정도 가열하는 예가 알려져 있는데, 실제로는 반경화상태에서 사용하고 있으며, 내찰상성은 불충분하다. 또한 장시간의 가열이 되기 때문에 생산성도 좋지 않다. 그러나, 본 발명의 경화촉진성분을 부가하는 방법으로는 40℃에서도 충분히 경화된다.

이 때 사용하는 열원으로는, 전열기, 버너, 유도가열 등을 들 수 있으며, 특히 전열기에 의한 송풍가열이 바람직하게 이용된다.

본 발명에서는, 투명지지베이스체에 직접 저굴절율층을 형성하여도 되나, 보다 반사율을 저하시키기 위하여, 이들 사이에 고줄절율층을 개재시켜도 좋다. 고굴절율층을 형성하는 경우, 고굴절율층은 투명지지베이스체의 표면에 직접, 또는 접착층 등을 통해 형성된다. 고굴절율층을 솔벤트 코팅으로 제작하기 위해서는, 고굴절율을 갖는 바인더수지를 사용하거나, 고굴절율을 나타내는 초미립자를 바인더수지에 첨가함으로써 행하거나, 혹은 이들을 병용함으로써 행할 수 있다. 또한 고굴절율을 갖는 물질을 스퍼터링 등의 진공성막법에 의해 제작하여도 좋다. 고굴절율층의 굴절율은 투명지지베이스체보다 높고, 1.50∼2.30의 범위에 있는 것이 바람직하다. 특히 반사율을 저하시키기 위해서는, 굴절율은 1.60∼2.30인 것이 바람직한데, 이 범위에 한정되는 것은 아니다. 굴절율이 투명지지베이스체보다 낮은 경우, 또는 상기 범위밖인 경우에는 반사방지효과가 손상된다.

이와 같은 고굴절율층을 구성하는 재료로는, 예컨대, JSR주식회사로부터 「KZ-7886B」(굴절율 n=1.65), 「KZ-7886C」(굴절율 n=1.65)가 시판되고 있어, 바람직하게 사용할 수 있다. 또한, 디펜타에리트리톨헥사아크릴레이트(DPHA, 굴절율 n=1.51)는 굴절율은 높지는 않지만, 내찰상성이 높아, 바람직하다.

또한 시판하는 고굴절율층 형성재료를 사용하지 않고, 바인더수지의 고굴절율화를 행하는 경우에는, 방향고리, 불소 이외의 할로겐그룹, 황 등의 도입에 의해 달성된다. 구체적으로 고굴절율을 갖는 수지로는, 폴리스티렌, 폴리(o-클로로스티렌), 폴리(2,6-디클로로스티렌), 폴리(브로모스티렌), 폴리(2,6-디브로모스티렌), 폴리카보네이트, 방향족폴리에스테르, 폴리설폰, 폴리에테르설폰, 폴리아릴설폰, 폴리(펜타브로모페닐메타크릴레이트), 페녹시수지 및 그 브롬화물, 에폭시수지 및 그 브롬화물 등을 들 수 있다.

고굴절율을 나타내는 초미립자로는, 예컨대, ZnO(굴절율 n=1.9), TiO₂(n=2.3), CeO₂(n=1.95)의 초미립자를 함유시킴으로써 자외선을 차폐하여 디스플레이의 열화를 보호하는 효과도 얻을 수 있다. 또한, 안티몬이 도핑된 SnO₂(n=1.95) 또는 ITO(n=1.95)의 미립자를 함유시킴으로써, 대전방지효과가 부여되어, 고굴절율일 뿐만 아니라 먼지의 부착을 방지할 수 있다. 이들 미립자는 단독 또는 혼합하여 사용할 수 있다. 그 입경으로는 1∼100nm이 바람직하며, 도막의 투명성을 해치지 않기 위해서는 5∼20nm인 것이 바람직하다.

또한, 내찰상성을 향상시키는 목적에서, 이 고굴절율층에 소위 하드코팅재료를 사용하여도 좋다. 하드코팅 재료로는, 예컨대, DPE-6A, PE-3A, PE-4A(교에샤(共榮社)화학)와 같은 다관능 아크릴레이트에 달로큐어1173, 일루가큐어184(치바스페셜티케미칼즈) 등의 광중합개시제를 첨가한 것이 바람직하다.

또한, 먼지의 부착을 막는 목적에서, 이 고굴절율층에 대전방지제를 첨가하여도 좋다. 대전방지제로는, 무기 또는 유기의 각종 도전재료를 적당히 사용한다. 예컨대, 알루미늄, 주석 등의 금속미립자나 위스커, 산화주석이나 산화티탄 등의 금속산화물에 안티몬 등을 도핑한 미립자나 위스커, 7,7,8,8-테트라시아노키노디메탄 등과 금속 이온이나 유기 양이온 등의 전자공여체로 형성된 전하이동착체를 필러화한 것, N--트리메톡시실릴프로필-N,N,N-트리메틸암모늄클로리드나 옥타데실디 메틸[3-(트리메톡시실릴)프로필]암모늄클로리드 등의 양이온 변성 규소화합물 등을 들 수 있다.

또한, 스크린의 현혹성(眩惑性)을 억제하는 목적에서 하드코팅 재료에 필러 등을 첨가하여 방현층(防眩層)을 형성하여도 좋다.

본 발명의 저반사부재를 LCD, PDP, CRT, EL등의 화상표시장치에 사용하는 경우, 예컨대, 접착제나 점착제를 통해 화상표시부의 표면에 점착하면 좋다. 예컨대, LCD의 경우, 도 1에 나타낸 바와 같이, 박막트랜지스터나 액정 등을 구비한 TFT기판(22)과 칼라필터(20)를 사이에 두도록 편광판(18)이 배치구비되는데, 한쪽(외측)의 편광판(18)을 투명지지베이스체로 간주하고, 이 위에 저굴절율층(10)을 적층함으로써 LCD에 형성할 수 있다. 또한, 도시예에서는, 편광판(18)은, 2색성소자(요소나 염료 등)를 흡착시킨 폴리비닐알콜 필름을 일축연신(一軸延伸)처리한 편광자(16)의 양면에 트리아세틸셀룰로오스필름(14)을 적층한 것이며, 이 트리아세틸셀룰로오스필름(14)과 저굴절율층(10)과의 사이에 방현층(12)을 개재시키고 있다. 이와 같은 LCD라면, 외광의 반사가 억제되며, 또한 현혹성도 없고, 백라이트(24)로부터의 빛에 의한 소정의 화상을 선명하게 볼 수 있게 된다.

또한, PDP에 사용하는 경우에는, 예컨대, 표면의 반사방지필름으로서 본 발명의 저반사부재를 적용할 수 있다.

〔실시예〕

<고굴절율층의 제작 1>

80μm두께의 트리아세틸셀룰로오스필름(후지택 UVD-80)에, 달로큐어1173(치 바스페셜티케미컬즈제 개열형(開裂型) 광개시제)을 5% 함유한 DPE-6A(신나카무라(新中村)화학제 6관능 아크릴레이트;디펜타에리트리톨헥사아크릴레이트)를 3μm두께로 도공하고, 출력 120W/cm의 집광형 고압수은등 1등을 이용하여, 조사거리 10cm, 처리속도 5m/분으로 자외선조사를 행하여 도공막을 중합, 경화시켰다.

<고굴절율층의 제작 2>

80μm두께의 트리아세틸셀룰로오스필름(후지택 UVD-80)에, KZ-7886C(JSR제 고굴절율 하드코팅)를 2μm두께로 도공하고, 출력 120W/cm의 집광형 고압수은등 1등을 사용하여, 조사거리 10cm, 처리속도 5m/분으로 자외선조사를 행하여 도공막을 중합, 경화시켰다.

<실시예 1>

도료작성 : 기계적 교반기와 환류냉각관을 장착한 100ml 3구 플라스크 내에, 15g의 테트라에톡시실란과 4g의 증류수 및 4g의 메탄올, 진한 염산 한방울(약 0.05ml)을 부가하여 70℃에서 30분간 교반하였다. 이것을 실온까지 냉각후, 1중량%(SiO₂ 환산)까지 소정의 메탄올로 희석하고, 용액에 대하여 0.1중량%가 되도록 오르토인산을 부가하였다. 테트라에톡시실란 100중량부에 대하여, 오르토인산은 5중량부가 된다.

도막작성 : '고굴절율층의 제작 1'에서 작성한 고굴절율층상에, 도료를 마이크로그라비아코팅방식으로 도공하고, 100℃에서 1시간, 송풍건조기로 가열경화하였다.

<실시예 2>

도료작성 : 98g의 이소프로필알콜에, 2g의 디메톡시실록산올리고머(미쓰비시화학제 「MKC 실리케이트 MS-51」)을 용해하였다. 여기에 100mg의 오르토인산(85%)을 부가하고, 실온에서 12시간 방치하여 도료로 하였다. MS-51이 100중량부에 대하여, 오르토인산은 5중량부가 된다.

도막작성 : '고굴절율층의 제작 1'에서 작성한 고굴절율층상에, 도료를 마이크로 그라비아 코팅방식으로 도공하고, 100℃에서 1시간, 송풍건조기로 가열경화하였다.

<실시예 3>

도료작성 : 15g의 MKC실리케이트 MS-51(미쓰비시화학제)에 4g의 메탄올과 4g의 증류수를 부가하고, 70℃에서 30분간 가열환류하였다. 이것을 오르토인산 0.2% 이소프로필알콜용액에서 32.6배로 희석한 것을 도료로 하였다. MS-51이 100중량부에 대하여, 오르토인산은 10중량부가 된다.

<실시예 4>

100ml의 3구 플라스크 내에서, 2.40g의 옥살산을 14.16g의 에탄올에 용해하고, 오일배스중에서 환류시켰다. 여기에 테트라에톡시실란 2.20g(10.7mmol)과 1H, 1H, 2H, 2H-테트라하이드로퍼플루오로노데실트리에톡시실란 1.24g(2.7mmol)의 혼합물을 30분에 걸쳐 떨어뜨렸다. 이것을 다시 5시간 환류하여, 완전히 가수분해하였 다. 이것을 오르토인산 0.2% 이소프로필알콜용액에서 8.26배로 희석하여 도료로 하였다. 가수분해성 실란 총 100중량부에 대하여, 오르토인산은 10중량부가 된다.

<실시예 5>

실시예 4중의 테트라에톡시실란 2.20g(10.7mmol)과 1H, 1H, 2H, 2H-테트라하이드로퍼플루오로데실트리에톡시실란 1.24g(2.7mmol)의 혼합물을, MKC실리케이트 MS-51(디메톡시실란올리고머;미쓰비시화학 제) 1.31g과 1,1,1,트리플루오로프로필트리에톡시실란 1.24g(6.3mmol)의 혼합물로 바꾼 것 이외에는 실시예 4와 동일하게 제작하였다. 가수분해성 실란 총 100중량부에 대하여, 오르토인산은 12중량부가 된다.

<실시예 6>

실시예 4중의 오르토인산 0.2% 이소프로필알콜용액을, 메타인산 0.2% 이소프로필알콜용액으로 바꾼 것 이외에는 실시예 4와 동일하게 제작하였다.

<실시예 7>

실시예 4중의 오르토인산 0.2% 이소프로필알콜용액을, 붕불화수소산나트륨 0.2% 이소프로필알콜용액으로 바꾼 것 이외에는 실시예 4와 동일하게 제작하였다.

<실시예 8>

실시예 4중의 오르토인산 0.2% 이소프로필알콜용액을, 규불화수소산나트륨 0.2% 이소프로필알콜용액으로 바꾼 것 이외에는 실시예 4와 동일하게 제작하였다.

<실시예 9>

실시예 4중의 도공 베이스체를 '고굴절율층의 제작 2'에서 작성한 고굴절율층으로 바꾼 것 이외에는 실시예 4와 동일하게 제작하였다.

<실시예 10>

도료작성 : 기계적 교반기와 환류냉각관을 장착한 100ml 3구 플라스크중에, 15g의 테트라에톡시실란과 4g의 증류수 및 4g의 메탄올, 진한 염산 한방울(약 0.05ml)을 부가하여 70℃에서 30분간 교반하였다. 이것을 실온까지 냉각후, 1중량%(SiO₂ 환산)까지 소정의 메탄올로 희석하고, 용액에 대하여 0.1중량%가 되도록 벤젠술폰산을 부가하였다. 테트라에톡시실란 100중량부에 대하여, 벤젠술폰산은 5중량부가 된다.

<실시예 11>

도료작성 : 98g의 이소프로필알콜에, 2g의 디메톡시실록산올리고머(「MKC 실리케이트 MS-51」미쓰비시화학 제)를 용해하였다. 여기에 100mg의 파라톨루엔술폰산을 부가하여 실온에서 12시간 방치한 것을 도료로 하였다. MS-51이 100중량부에 대하여, 파라톨루엔술폰산은 5중량부가 된다.

도막작성 : '고굴절율층의 제작 1'에서 작성한 고굴절율층상에, 도료를 마이 크로그라비아코팅방식으로 도공하고, 100℃에서 1시간, 송풍건조기로 가열경화하였다.

<실시예 12>

도료작성 : 15g의 MKC 실리케이트 MS-51(미쓰비시화학 제)에 4g의 메탄올과 4g의 증류수를 부가하고, 70℃에서 30분간 가열환류하였다. 이것을 파라톨루엔술폰산 0.2% 이소프로필알콜용액에서 32.6배로 희석한 것을 도료로 하였다. MS-51이 100중량부에 대하여, 파라톨루엔술폰산은 10중량부가 된다.

<실시예 13>

100ml의 3구 플라스크중에서, 2.40g의 옥살산을 14.16g의 에탄올에 용해하고, 오일배스중에서 환류시켰다. 여기에 테트라에톡시실란 2.20g(10.7mmol)과 1H,1H,2H,2H-테트라하이드로퍼플루오로데실트리에톡시실란 1.24g(2.7mmol)의 혼합물을 30분에 걸쳐 떨어뜨렸다. 이것을 다시 5시간 동안 환류하여, 완전히 가수분해하였다. 이것을 파라톨루엔술폰산 0.2% 이소프로필알콜용액에서 8.26배로 희석하여 도료로 하였다. 가수분해성 실란 총 100중량부에 대하여, 파라톨루엔술폰산은 10중량부가 된다.

도막작성 : '고굴절율층의 제작 1'에서 작성한 고굴절율층상에, 도료를 마이크로 그라비아 코팅방식으로 도공하고, 100℃에서 1시간, 송풍건조기로 가열경화하 였다.

<실시예 14>

실시예 13중의 테트라에톡시실란 2.20g(10.7mmol)과 1H, 1H, 2H, 2H-테트라하이드로퍼플루오로데실트리에톡시실란 1.24g(2.7mmol)의 혼합물을, MKC 실리케이트 MS-51(디메톡시실란올리고머 ; 미쓰비시화학제)1.31g과 1,1,1,트리플루오로프로필트리에톡시실란 1.24g(6.3mmol)의 혼합물로 바꾼 것 이외에는 실시예 13과 동일하게 제작하였다. 가수분해성 실란 총 100중량부에 대하여, 파라톨루엔술폰산은 12중량%가 된다.

<실시예 15>

실시예 13중의 파라톨루엔술폰산 0.2% 이소프로필알콜용액을, 도데실벤젠술폰산 0.2% 이소프로필알콜용액으로 바꾼 것 이외에는 실시예 13과 동일하게 제작하였다.

<실시예 16>

실시예 13중의 파라톨루엔술폰산 0.2% 이소프로필알콜용액을 디이소프로필나프탈렌술폰산 0.2% 이소프로필알콜용액으로 바꾼 것 이외에는 실시예 13과 동일하게 하였다.

<실시예 17>

실시예 13중의 도공베이스체를 고굴절율층 제작 2에서 작성한 고굴절율층으로 바꾼 것 이외에는 실시예 13과 동일하게 제작하였다.

<비교예 1>

실시예 4중의 오르토인산 0.2% 이소프로필알콜용액을 이소프로필알콜 단독으로 바꾼 것 이외에는 실시예 4와 동일하게 제작하였다.

<비교예 2>

실시예 3중의 오르토인산을 염산으로 바꾼 것 이외에는 실시예 3과 동일하게 제작하였다.

<비교예 3>

실시예 4중의 오르토인산 0.2% 이소프로필알콜용액을 염산 0.2% 이소프로필알콜용액으로 바꾼 것 이외에는 실시예 4와 동일하게 하였다.

<비교예 4>

실시예 4중의 오르토인산 0.2% 이소프로필알콜용액을 말레산 0.2% 이소프로필알콜용액으로 바꾼 것 이외에는 실시예 4와 동일하게 제작하였다.

<비교예 5>

실시예 4중의 오르토인산 0.2% 이소프로필알콜용액을 트리스아세틸아세토네이토알루미늄(Ⅲ) 착체 0.2% 이소프로필알콜용액으로 바꾼 것 이외에는 실시예 4와 동일하게 제작하였다.

<비교예 6>

실시예 11중의 파라톨루엔술폰산을 염산으로 바꾼 것 이외에는 실시예 11과 동일하게 하여 제작하였다.

평가방법

상기 실시예 1∼17, 비교예 1∼6에서 얻어진 저반사부재를 하기의 특성에 대 하여 평가하였다.

(1) 분광반사율 : 5° 정반사측정장치를 구비한 분광광도계(쓰시마제작소 ; UV-3100)에 의해 550nm에 있어서의 반사율을 측정하였다. 다만, 도포면을 측정면으로 하고, 뒷면은 반사를 차단하기 위해 스틸울로 거칠게 하고, 흑색 매직으로 착색하였다.

(2) 내손가락마찰성 ; 도포면의 뒷면을 스틸울로 거칠게 하고, 흑색매직으로 착색하였다. 도포면 쪽을 손가락으로 20번정도 세차게 문지르고, 표면에 부착된 지문흔적을 티슈로 제거하고, 문지른 부분과 그 주변의 색조의 차이를 육안으로 확인하였다. 색조의 차이가 확인되면 ×, 확인되지 않으면 ○로 하였다.

(3) 내스틸울성 : 연필경도 시험기에 1cm의 모난 스틸울(#0000)을 장착하고, 250g/cm²의 하중을 걸어, 도포면을 5회 왕복으로 문질렀다. 티슈로 가루를 제거한 다음, 육안으로 상처흔척을 확인하였다. 상처흔적이 4개 이상이면 ×, 1∼3개이면 △, 전혀 확인되지 않으면 ○로 하였다.

	실란화합물	경화촉진 성분	고굴절율층	가수분해 방법	분광 반사율(%)	내손가락마찰성	내스틸울성
실시예 1	TEOS	오르토인산	1	(Ⅲ)	2.30	○	○
실시예 2	MS-51	오르토인산	1	(Ⅰ)	2.25	○	○
실시예 3	MS-51	오르토인산	1	(Ⅱ)	2.23	○	○
실시예 4	TEOS:C8Si	오르토인산	1	(Ⅳ)	1.75	○	○
실시예 5	MS-51:C1Si	오르토인산	1	(Ⅳ)	1.90	○	△
실시예 6	TEOS:C8Si	메타인산	1	(Ⅳ)	1.71	○	△
실시예 7	TEOS:C8Si	붕불화수소산나트륨	1	(Ⅳ)	1.65	○	△
실시예 8	TEOS:C8Si	규불화수소산나트륨	1	(Ⅳ)	1.68	○	○
실시예 9	TEOS:C8Si	오르토인산	2	(Ⅳ)	0.90	○	○
비교예 1	TEOS:C8Si	없음	1	(Ⅳ)	1.70	×	×
비교예 2	MS-51	염산	1	(Ⅱ)	2.50	×	×
비교예 3	TEOS:C8Si	염산	1	(Ⅳ)	1.76	×	×
비교예 4	TEOS:C8Si	말레산	1	(Ⅳ)	1.72	×	×
비교예 5	TEOS:C8Si	트리스아세틸아세토네이토알루미늄(Ⅲ)	1	(Ⅳ)	1.80	×	×

	실란화합물	경화촉진 성분	고굴절율층	가수분해방법	분광 반사율(%)	내손가락마찰성	내스틸울성
실시예 10	TEOS	벤젠술폰산	1	(Ⅲ)	2.28	○	○
실시예 11	MS-51	파라톨루엔술폰산	1	(Ⅰ)	2.40	○	○
실시예 12	MS-51	파라톨루엔술폰산	1	(Ⅱ)	2.23	○	○
실시예 13	TEOS:C8Si	파라톨루엔술폰산	1	(Ⅳ)	1.72	○	○
실시예 14	MS-51:C1Si	파라톨루엔술폰산	1	(Ⅳ)	1.91	○	△
실시예 15	TEOS:C8Si	도데실벤젠술폰산	1	(Ⅳ)	1.70	○	△
실시예 16	TEOS:C8Si	디이소프로필나프탈렌술폰산	1	(Ⅳ)	1.78	○	△
실시예 17	TEOS:C8Si	파라톨루엔술폰산	2	(Ⅳ)	0.92	○	○
비교예 6	MS-51	염산	1	(Ⅰ)	2.50	×	×

표에 있어서, 실란화합물은 다음과 같다.

TEOS ; 테트라에톡시실란,

MS-51 ; 디메톡시실록산올리고머,

C8Si ; 1H, 1H, 2H, 2H-테트라하이드로퍼플루오로데실트리에톡시실란,

C1Si ; 1,1,1-트리플루오로프로필트리에톡시실란

고굴절율층 1은, DPE-6A, 고굴절율층 2는 KZ-7886C

가수분해방법은 다음과 같다.

(Ⅰ) ; 가수분해없음

(Ⅱ) ; 증류수와 함께 가열,

(Ⅲ) ; 염산과 함께 가열

(Ⅳ) ; 옥살산과 함께 가열

평가결과는, 표 1 및 표 2에 나타낸 바와 같이, 본 실시예의 저반사부재는 모두 양호한 반사방지성을 발휘하며, 뛰어난 내손가락마찰성과 내스틸울성을 갖는 것이었다. 한편, 비교예에 있어서는, 모두 내손가락마찰성과 내스틸울성이 뒤떨어지는 것이었다.

본 발명에 의해 제공되는 저반사부재는, 경화가 40℃정도의 저온에서도 가능하며, 필름에의 코팅이 가능해진다. 또한 본 발명의 저반사부재는, 지금까지의 실란경화물에서는 얻어지지 않았던 높은 막강도를 가지며, 뛰어난 높은 밀착성과 내찰상성을 갖는다.

특히, 4개의 가수분해그룹을 갖는 실란화합물과 플루오로알킬실란화합물의 혼합물을 사용함으로써, 굴절율과 막강도를 균형있게 향상시킬 수 있다.

Claims

투명지지베이스체와, 상기 투명지지베이스체보다 낮은 굴절율을 갖는 저굴절율층을 구비는 저반사부재에 있어서,

상기 저굴절율층은, 가수분해성 실란화합물 및/또는 상기 가수분해성 실란화합물의 가수분해물과,

인산류, 술폰산류 및 이산화규소융제로부터 선택되는 1가지 이상으로 이루어지는 경화촉진성분을 함유하는 혼합물이 경화된 것으로서,

상기 가수분해성 실란화합물은, 하기 화학식 1로 나타내어지는 실란화합물, 화학식 2로 나타내어지는 실란화합물, 화학식 3으로 나타내어지는 화합물 또는 중합물로부터 선택되는 적어도 한 가지인 것을 특징으로 하는 저반사부재.

[화학식 1]

R¹ _a-SiX_4-a 0≤a≤2

[화학식 2]

X₃Si-R²-SiX₃

[화학식 3]

Y-(Si(OR³)₂O)_n-Y

(X는 Cl, Br, NCO, OR⁴ 중 어느 하나를 나타낸다. Y는 H 또는 탄소수가 1∼20인 유기그룹을 나타낸다. R¹, R², R³, R⁴는 탄소수가 1∼20인 유기그룹을 나타낸다. n은 1∼30의 정수를 나타낸다.)
제 1항에 있어서, 상기 저굴절율층은, 가수분해성 실란화합물 및/또는 상기 가수분해성 실란화합물의 가수분해물을 100중량부에 대하여, 상기 경화촉진성분을 1∼30중량부 함유하는 혼합물의 경화물인 것을 특징으로 하는 저반사부재.
제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 가수분해성 실란화합물이, 4개의 가수분해기를 갖는 실란화합물과, 하기 화학식 4, 또는 화학식 5로 나타내어지는 실란화합물 중 어느 하나 또는 두 개의 혼합물인 것을 특징으로 하는 저반사부재.

[화학식 4]

R⁵ _a-SiX_4-a 1≤a≤2

[화학식 5]

X₃Si-R⁶-SiX₃

(X는 Cl, Br, NCO, OR⁴ 중 어느 하나를 나타낸다. R⁵와 R⁶는 적어도 하나의 불소원자를 포함하는 유기그룹을 나타낸다.)
제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 인산류가 오르토인산 또는 메타인산인 것을 특징으로 하는 저반사부재.
제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 술폰산류가 벤젠술폰산 또는 파라톨루엔술폰산인 것을 특징으로 하는 저반사부재.
제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 저굴절율층과 상기 투명지지베이스체와의 사이에, 상기 저굴절율층보다 높은 굴절율을 갖는 고굴절율층이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 저반사부재.
제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 투명지지베이스체가 편광판인 것을 특징으로 하는 저반사부재.