KR20120098165A - 반사방지필름 및 그의 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 베이스 기판; 상기 베이스 기판상에 위치하고 직경 1 내지 50nm인 아크릴계 고분자로 표면개질된 나노입자를 포함하는 고굴절층; 및 상기 고굴절층 상에 형성되되, 직경 50 내지 1000nm인 나노입자를 포함하는 저굴절층을 포함하는 반사방지필름에 관한 것이다.
본 발명의 반사방지필름은 친환경 졸-겔 공정으로 나노입자를 제조하고, 간단한 습식공정을 이용하여 코팅이 이루어 지는 바, 공정의 친환경성, 공정의 단순화와 같은 이점이 있다.
본 발명의 반사방지필름은 친환경 졸-겔 공정으로 나노입자를 제조하고, 간단한 습식공정을 이용하여 코팅이 이루어 지는 바, 공정의 친환경성, 공정의 단순화와 같은 이점이 있다.
Description
본 발명은 디스플레이에 적용되는 반사방지필름 및 그의 제조방법에 관한 것이다.
반사방지(anti-reflection, AR)필름은 디스플레이 패널의 편광필름을 구성하는 최외곽의 base 필름 상에 위치하여, 햇빛 또는 실내조명과 같은 외부광원이나 내부 광원 때문에 발생하는 표면반사에 의한 시인성의 저하를 방지하며, 방오성과 내구성을 디스플레이의 핵심 소재이다. 최근 디스플레이가 발전하고 그에 따른 소비자의 품질에 대한 요구 수준이 높아지면서, 디스플레이의 고화질 고시인성 등이 고부가가치화의 필수적인 요소가 되고 있으며, 그에 따라 반사방지 필름의 수요가 급증하고 있다.
기존 반사방지 필름 제품은, 주로 다층구조로 구성되어 있어서 약 1%의 반사율을 구현할 수 있으므로, 단층과 비교할 때 비교적 낮은 반사율을 나타내지만, 공정이 복잡하여 가격이 높고 다층구조에서 기인하는 반사색상이 문제점으로 지적되고 있다. 또한, 대부분의 습식공정이 메틸에틸케톤과 같은 휘발성 용제(volatile organic compound, VOC)를 사용하고 있어서, 환경오염의 가능성이 높고, 스퍼터링(sputtering) 공정의 경우 공정특성 상 광폭 필름제조가 어려워 적용제품에 한계가 있다.
따라서 본 발명은 친환경적인 공정으로 제조되며 효과가 우수한 반사방지필름 및 그의 제조방법을 제공하고자 한다.
상기 과제의 해결을 위하여, 본 발명은 베이스 기판; 상기 베이스 기판상에 위치하고 직경 1 내지 50nm인 아크릴계 고분자로 표면개질된 나노입자를 포함하는 고굴절층; 및 상기 고굴절층 상에 형성되되, 직경 50 내지 1000nm인 나노입자를 포함하는 저굴절층을 포함하는 반사방지필름을 제공한다.
본 발명에 따르면, 반사방지필름 제조시 친환경 졸-겔 공정으로 나노입자를 제조하고, 간단한 습식공정을 이용하여 코팅이 이루어 지는 바, 공정의 친환경성, 공정의 단순화와 같은 이점이 있다.
도 1은 본 발명의 반사방지 필름 구조이다.
도 2는 나노입자의 TEM 사진(a), 다공성 나노입자의 TEM 사진(b)이다.
도 3은 광산란법으로 측정된 나노입자의 입도(a), 다공성 나노입자의 입도(b)에 관한 그래프이다.
도 4는 분광광도계로 측정된 다양한 구조의 반사방지필름의 반사율에 대한 그래프이다.
도 2는 나노입자의 TEM 사진(a), 다공성 나노입자의 TEM 사진(b)이다.
도 3은 광산란법으로 측정된 나노입자의 입도(a), 다공성 나노입자의 입도(b)에 관한 그래프이다.
도 4는 분광광도계로 측정된 다양한 구조의 반사방지필름의 반사율에 대한 그래프이다.
기타 실시예의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다. 이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 구체적인 실시형태를 상세하게 설명하기로 한다.
도 1은 본 발명에 따른 반사방지필름을 나타낸 모식도이다.
본 발명의 반사방지필름은 베이스 기판(1); 상기 베이스 기판상에 위치하고 직경 1 내지 50nm인 아크릴계 고분자(4)로 표면개질된 나노입자(2)를 포함하는 고굴절층; 및 상기 고굴절층 상에 형성되되, 직경 50 내지 1000nm인 나노입자(3)를 포함하는 저굴절층을 포함하는 반사방지필름을 제공한다.
상기 베이스 기판(1)은 폴리에틸렌(PE)필름, 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET)필름, 트리아세틸셀룰로오스 (TAC)필름 및 유리 기판으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 일 수 있으며, 바람직하게는 유리 기판일 수 있다.
상기 나노입자(2, 3)는 산화인듐, 이산화규소, 산화지르코늄, 이산화티타늄, 플루오르화 나트륨, 플루오르화 마그네슘으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 일 수 있으며, 바람직하게는 이산화규소일 수 있다.
보다 구체적으로, 상기 저굴절층의 나노입자는 다공성 실리카일 수 있다.
본 발명의 한 구체예에서, 상기 고굴절층의 나노입자는 아크릴계 고분자로 표면 개질되며, 졸-겔 공법으로 제조된 나노입자에 아크릴계 고분자를 첨가하여 3 내지 5분간 처리할 경우 나노입자의 표면이 개질될 수 있다.
고굴절층을 위해 제조된 코팅 용액의 제조시, 나노입자로 실리카 나노입자를 사용하는 경우, 실리카 나노입자는 산성 용액을 촉매로 하는 졸-겔 법을 이용하여 전구체인 테트라알콕시실란(Si(OR)4, 여기서, R은 탄소수 1 ~ 2의 알킬기)분자들을 가수분해 반응과 응축반응 시킴으로써 투명한 용액 속에 수 나노미터(1-50 nm)의 크기를 갖는 입자의 분산용액 형태로 얻을 수 있다. 본 발명에서 목표한 반사방지 및 기능성을 모두 구현하기 위해서는 고굴절층을 위한 실리카 나노입자의 크기가 수 나노미터가 적당한데, 이 크기 범위의 입자들이 높은 투명성을 유지하면서 보다 치밀한 막을 형성시킬 수 있기 때문이다.
생성입자의 크기가 너무 크면(예; 100 ㎚ 이상), 투명성이 저하될 수 있다. 고굴절층용으로 제조된 나노입자 표면에 아크릴기를 갖고 있는 알콕시실란계(CH2=CHCOO(CH2)nSi(OR)3, 여기서 n은 1 - 10 중 한 값이고, R은 탄소수 1 - 2의 알킬기) 수지를 졸-겔 반응으로 화학적으로 결합시키고, 분산용액 중에 가교제와 광개시제를 함께 혼합하여 줌으로써 UV경화가 잘 되도록 할 수 있다. 광개시와 가교반응을 위해서는 전형적인 아크릴 수지용 광개시제와 가교제의 사용이 가능하다. 예로써, 2-하이드록시-2-메틸프로피오페논와 다이펜타에트리톨헥사아크릴레이트가 사용될 수 있다.
저굴절층의 나노입자로는 직경 50 내지 1000nm인 다공성 실리카 입자를 사용할 수 있고, 이는 염기성 촉매 하에서 적절한 계면활성제의 자기조립체를 템플레이트(template)로 사용하여 제조하될 수 있다. 이때 주요 전구체로서 테트라알콕시실란(Si(OR)4, 여기서, R은 탄소수 1 ~ 2의 알킬기)와 부수적인 전구체로서 아미노알킬트리알콕시실란 (NH2(CH2)nSi(OR)3), 여기서 n은 1 - 10 중 한 값이고, R은 탄소수 1 ~ 2의 알킬기)을 사용가능하다.
고굴절층을 베이스 필름(base film) 또는 지지체에 코팅하기 위하여, 베이스 필름 또는 지지체를 적절한 방법으로 표면처리하여 코팅용액의 웨팅(wetting)이 잘 일어나도록 하고 접착성을 향상시키도록 할 수 있다. 예로써, 유리지지체의 경우 과산화수소와 황산을 적당한 비율로 혼합시킨 용액에 산화과정을 통해서 유리지지체의 표면의 불순물들을 제거하고, 표면에 실라놀 작용기가 잘 형성되도록 한다.
표면처리된 베이스필름 또는 지지체에 코팅용액을 스핀코팅(spin coating)할 수 있는데, 이때 코팅용액의 증발속도가 온도 및 습도에 영향을 받고, 균일한 면의 코팅을 얻기 위해서는 스핀코터의 속도를 조절하는 것이 매우 중요하다. 스핀코터의 속도는 일반적으로 두 단계로 나뉘어 진행할 수 있는데, 첫번째 단계에서 스핀코터의 속도는 스핀코터의 원심력에 영향을 받는 단계로 코팅용액이 유리지지체 전면으로 확대되도록 하며, 두번째 단계에서의 속도는 코팅용액의 증발에 영향을 주는 단계로 균일한 면을 생성토록 한다. 보다 구체적으로, 첫번째 단계의 코팅조건은 2000 - 5000rpm에서 10-60초 동안 실시할 수 있고, 바로 이어서 두번째 단계를 4000 - 8000rpm에서 1-20초 동안 실시하할 수 있다. 스핀코팅 후에 50℃?90℃ 범위의 일정 온도로 오븐에서 건조한 뒤 UV램프를 이용해 경화를 시킨 후 150℃?400℃범위에서 열을 가하면 지지체에 코팅된 필름은 열역학적으로 안정하게 되어 외부의 영향에도 코팅필름이 잘 유지될 수 있다.
저굴절층의 코팅을 위해서는 나노입자 분산액을 딥코팅(dip coating)하는 방법이 사용될 수 있다. 딥코팅시에는 코팅 속도가 중요하게 작용할 수 있으므로 일정한 속도로 코팅을 하도록 하고, 음이온성 고분자 또는 양이온성 고분자와 다공성 실리카 입자가 충분히 코팅이 될 수 있도록 일정 시간 동안 담그는 방법으로 코팅을 수행한다. 먼저, 양이온 고분자의 용액에 저굴절층을 코팅한 기재를 5 - 20분간 담그고 0.5 ~ 2.5 cm/min 일정한 속도로 꺼내면서 코팅을 하고 세척 과정을 거친 후 다시 음이온성 고분자 용액을 이용하여 같은 요령으로 코팅하고, 이 과정을 번갈아 시행함으로써 원하는 수만큼의 양이온/음이온 고분자층을 코팅할 수 있다. 최외곽층이 양이온 고분자로 코팅된 기재를 다공성 실리카 입자 코팅용액에 담궈 상기한 방법과 같은 요령으로 코팅을 수행할 수 있다. 딥코팅 후에 300 ~ 700℃의 일정한 온도에서 2 - 5시간 동안 건조과정을 거치면서 열역학적으로 안정할 수 있도록 할 수 있다.
[실시예]
이하, 본 발명의 이해를 돕기 위하여 실시예를 들어 상세하게 설명하기로 한다. 다만 하기의 실시예는 본 발명의 내용을 예시하는 것일 뿐 본 발명의 범위가 하기 실시예에 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다.
<
실시예
1>
유리기재(반경 1 inch, 두께 0.2㎜)을 지지체로 사용하여 고굴절층/저굴절층 2층 구조의 반사방지막을 제조하였다. 유리 지지체는 과산화수소와 황산의 혼합용액에 일정시간 담가 산화과정을 통해 지지체 표면의 불순물을 제거하고 표면처리 하였다. 표면처리된 유기기재를 증류수에 일정시간 담근 후 건조시켰다.
이소프로판올 20 ~ 40 중량부의 용액에 전구체 테트라알콕시실란(Si(OR)4, 여기서, R은 탄소수 1 ~ 2의 알킬기) 30~60중량부, 아크릴기를 갖고 있는 알콕시실란계(CH2=CHCOO(CH2)nSi(OR)3, 여기서 n은 1 - 10 중 한 값이고, R은 탄소수 1 - 2의 알킬기) 2~12중량부를 혼합하여 균일한 용액이 되도록 200-800 rpm의 속도로 교반시킨 뒤에 pH가 1-3인 증류수를 산성 촉매로 사용하여 15~25중량부를 첨가하였다. 이후에 코팅용액은 200-800rpm으로 2-8시간 동안 교반하였다. 교반이 종료된 뒤에는 2000-4000rpm의 속도로 2-10분간 원심분리하여 균일한 입자가 생성된 코팅용액을 얻었다.
생성된 방사방지 코팅 용액에 상기 광개시제와 가교제를 첨가하여 나노입자에 표면개질을 실시하였다. 표면처리된 유리기재에 고굴절층 코팅용액을 1-8㎕ 떨어뜨리면서 상기한 조건에서 스핀코팅하였다. 스핀코팅된 고굴절층은 상기한 조건에서 건조한 후 UV램프를 이용하여 코팅막을 경화시켰다. 경화된 코팅막은 상기한 조건에서 가열하면서 안정성을 증가시켰다.
증류수 60~90중량부, 에틸렌글리콜 10~20중량부, 암모니아수 1~10중량부, 세틸트리메틸암모늄브로마이드 0.2~5중량부를 넣고 상기한 조건에서 10분-1시간 교반하였다. 그 후 주요 전구체를 0.1~5중량부, 부수적인 전구체 0.1~5중량부를 넣고 같은 온도 같은 속도로 2-4시간을 더 교반하였다. 교반이 끝난 후 40-80℃에서 6-24시간 동안 방치하여 미반응 반응물이 모두 반응을 할 수 있도록 하였다. 양이온성 고분자인 폴리알릴아민하이드로클로라이드 10~25중량부, pH2-4증류수 70~90중량부를 넣어 코팅용액을 제조하였다. 다공성 실리카 입자가 분산되어 있는 용액에 수산화나트륨(Sigma-aldrich 사)을 첨가하여 pH가 8-10이 되도록 하였다.
딥코터를 이용하여 딥코팅을 실시하였다. 고굴절층이 코팅되어 있는 유리 지지체를 폴리알릴아민하이드로클로라이드 고분자가 분산되어 있는 용액에 20mm/min의 속도로 담그고 15분간 가만히 둔 후 담글 때와 같은 속도로 꺼낸다. 두 번의 세척 과정을 거친 후 다공성 실리카 입자가 분산되어 있는 코팅 용액을 고분자 물질의 코팅 방법과 같은 방법으로 코팅을 하였으며, 코팅을 마친 후 상기한 조건에서 건조하였다.
<
실시예
2>
실시 예1에서의 방법과 같은 방법으로 코팅을 진행하되, 저굴절층 코팅 과정을 두 번 반복하여 실시하였다.
<
실시예
3>
실시 예 1에서의 방법과 같은 방법으로 코팅을 진행하되, 저굴절층 형성 과정을 세 번 실시하였다.
<
비교예
1>
실시예 1에서와 같이 표면처리된 유리 기재만을 사용하였다.
<
비교예
2>
실시 예 1에서 고굴절층 형성 과정까지만 완료하였다.
<
시험예
1> 표면 분석
생성된 코팅용액의 나노입자를 확인하기 위해서 투과전과전자현미경(JEM-300F, JEOL사)을 이용하여 나노입자를 확인하였고, 입도분포를 확인하기 위해서 입도측정기(BI-9000AT/200SM, Brookhaven사, 미국)을 이용하여 확인하였다. 각각의 결과는 도면 2와 3에 나타내었다.
<
시험예
2> 반사율 시험
실시 예 및 비교 예에 제시된 방법에 의해 반사방지막을 제조한 한 후 분광광도계(Lambda 35, Perkin Elmer사)를 이용하여 필름 전면의 반사율을 측정하였고 그에 대한 결과는 다음 표 1과 같다.
실시예 1 | 실시예 2 | 실시예 3 | 비교예 1 | 비교예 2 | |
최저반사율(%) | 6.44 | 6.01 | 6.04 | 8.31 | 7.37 |
각 예의 반사율 그래프는 도 4에 나타내었다.
이상으로 본 발명의 특정한 부분을 상세히 기술하였는 바, 당업계의 통상의 지식을 가진 자에게 있어서, 이러한 구체적 기술은 단지 바람직한 실시예일 뿐이며, 이에 의해 본 발명의 범위가 제한되는 것이 아닌 점은 명백할 것이다. 따라서, 본 발명의 실질적인 범위는 첨부된 청구항들과 그것들의 등가물에 의하여 정의된다고 할 것이다.
1: 베이스 기판
2: 고굴절층(표면이 개질된 나노입자)
3: 저굴절층(다공성 실리카 입자)
4: UV경화용 유기물
2: 고굴절층(표면이 개질된 나노입자)
3: 저굴절층(다공성 실리카 입자)
4: UV경화용 유기물
Claims (3)
- 베이스 기판;
상기 베이스 기판상에 위치하고 직경 1 내지 50nm인 아크릴계 고분자로 표면개질된 나노입자를 포함하는 고굴절층; 및
상기 고굴절층 상에 형성되되, 직경 50 내지 1000nm인 나노입자를 포함하는 저굴절층을 포함하는 반사방지필름.
- 제1항에 있어서,
상기 베이스 기판은 폴리에틸렌필름, 폴리에틸렌테레프탈레이트필름, 트리아세틸셀룰로오스필름 및 유리 기판으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종인 것을 특징으로 하는 반사방지필름.
- 제 1항에 있어서,
상기 나노입자는 산화인듐, 이산화규소, 산화지르코늄, 이산화티타늄, 플루오르화 나트륨, 플루오르화 마그네슘으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종인 것을 특징으로 하는 반사방지필름.
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2011
- 2011-02-28 KR KR1020110017931A patent/KR101445437B1/ko active IP Right Grant
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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CN109627814A (zh) * | 2018-12-24 | 2019-04-16 | 国家电投集团科学技术研究院有限公司 | 一种二氧化硅纳米复合材料及其制备方法和应用 |
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KR101445437B1 (ko) | 2014-09-26 |
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