KR100711707B1 - 후막부재패턴의 제조방법 - Google Patents

Abstract

입체형상이 우수한 후막부재패턴을 적은 공정수로 제조하는 것이 가능한 제조방법이 제공된다. 기판상에 제 1전구체층과 해당 제 1전구체층보다도 소성에 의한 수축률이 큰 제 2전구체층을 적층하고, 해당 적층체의 노광, 현상 및 소성을 행하여, 에지부가 순방향 테이퍼형상을 지니는 후막부재패턴을 얻는다.

Description

후막부재패턴의 제조방법{MANUFACTURING METHOD OF THICK FILM MEMBER PATTERN}

도 1A, 도 1B, 도 1C, 도 1D 및 도 1E는 본 발명의 제조방법의 제 1실시형태의 공정을 표시한 전형적인 단면도

도 2는 본 발명의 화상형성장치의 개략적 사시도

도 3A, 도 3B, 도 3C, 도 3D, 도 3E 및 도 3F는 본 발명의 화상형성장치의 제조방법을 표시한 공정도

<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>

1: 기판 2a: 제 1전구체층

2b: 제 1경화층 3a: 제 2전구체층

3b: 제 2경화층 4: 적층체

5: 마스크 6: 전구체 패턴

7: 평행광 8: 개구부

9: 후막부재패턴 11: 리어 플레이트

12, 13: 1쌍의 소자전극 14: 지지프레임

15: 행방향 배선 16: 열방향 배선

17: 도전성 막 18: 전자방출소자

19: 콘택트홀 20: 형광체

21: 애노드 전극 22: 페이스 플레이트

발명의 배경기술

발명의 기술분야

본 발명은, 표면전도형 전자방출소자와 같이 전자방출부재가 배치되는 기판상에 배치된 절연체 패턴이나 복수의 배선간에 배치된 층간절연층 패턴, 플라스마 디스플레이와 같이 기판상에 형성된 격벽패턴이나 유전체 패턴, 회로기판과 같이 기판상에 형성된 절연체 패턴이나 도전체 패턴, 또는 도전성 패턴 등의 후막부재패턴의 제조방법에 관한 것이다.

관련된 기술의 설명

각종 디스플레이의 각각을 구성하는 도전성 패턴이나 절연성 패턴에 있어서, 소정의 도전성이나 절연성을 얻기 위한 후막으로 형성되는 후막부재패턴의 제조방법으로서는, 예를 들면, 일본국 공개특허 제 2003-195513호 공보(미국 특허출원공개공보 제 2003-049572호)에 개시되어 있는 바와 같은 감광성 페이스트를 이용한 방법을 들 수 있다. 해당 방법은, 기판상에 부여된 감광성 페이스트층에 대해서 복수회 노광을 행하고, 해당 감광성 페이스트층을 현상 및 소성한다. 또는, 상기 방법은, 기판상에 감광성 페이스트를 부여해서 노광 및 현상하는 공정을 반복한다. 이와 같이 함으로써, 상기 방법은, 패턴 에지에 소성잔사가 없고, 소성에 의한 패턴의 수축이 적은 고정세한 부재패턴을 얻는다.

그러나, 상기 일본국 공개특허 제 2003-195513호 공보(미국 특허출원공개공보 제 2003-049572호)의 방법은, 노광을 복수회 행하므로, 각 노광시의 마스크와 기판의 위치맞춤이 번잡하다. 또, 더한층의 입체형상(에지부의 순방향 테이퍼형상과 표면부의 평면성)의 개선을 도모하고, 안정화한 후막부재패턴을 공정수를 증가시키는 일없이 제조하는 방법이 요망되고 있다.

발명의 개시

본 발명의 목적은, 후막부재패턴을 적은 공정수로 보다 높은 정밀도로 제조하는 방법을 제공하는 데 있고, 나아가서는, 입체형상(에지부의 순방향 테이퍼형상과 표면부의 평면성)이 우수하고, 안정화한 후막부재패턴의 제조방법을 제공하는 데 있다.

기판상에 배치된 후막부재패턴의 제조방법은,

기판상에 제 1감광성 페이스트를 부여하고, 해당 제 1감광성 페이스트를 건조함으로써, 제 1전구체층을 형성하는 공정과;

상기 제 1전구체층상에 제 2감광성 페이스트를 부여하고, 해당 제 2감광성 페이스트를 건조함으로써, 제 2전구체층을 형성하는 공정과;

상기 제 1전구체층과 제 2전구체층과의 적층체를 소정 패턴의 마스크를 통해서 노광하고, 해당 노광된 적층체를 현상함으로써, 전구체 패턴을 형성하는 공정 과;

상기 전구체 패턴을 소성함으로써 상기 후막부재패턴을 형성하는 공정을 구비하고,

상기 소성시의 제 1전구체층의 수축률과 상기 소성시의 제 2전구체층의 수축률이 서로 다른 것을 특징으로 한다.

바람직한 실시형태의 상세한 설명

이하, 본 발명의 실시형태에 대해 설명한다.

본 발명에 의해 제조되는 후막부재패턴은, 표면전도형 전자방출소자와 같이 전자방출부재가 배치되는 기판상에 배치된 절연체 패턴이나 도전체 패턴 혹은 복수의 배선간에 배치된 층간절연층 패턴, 플라스마 디스플레이와 같이 기판상에 형성된 격벽패턴이나 유전체 패턴, 회로기판과 같이 기판상에 형성된 절연체 패턴 혹은 도전체 패턴 등의 도전체나 유전체의 어느 것에도 적용된다. 특히, 전자방출부재가 배치되는 기판상에 배치되는 절연체 패턴 및 복수의 배선간에 배치되는 층간절연층 패턴은, 각각, 막두께가 대략 10 내지 30㎛정도의 범위내로 크므로, 그들의 형상의 왜곡이 생기기 쉽다. 그 때문에, 절연체 패턴과 층간절연층 패턴은, 본 발명을 적용하는 데 바람직한 부재이다. 또, 이하에서 설명하는 본 발명은, 절연체 패턴에 한하지 않고, 배선 등의 도전체 패턴에도 적용가능하다.

도 1A, 도 1B, 도 1C, 도 1D 및 도 1E는 본 발명의 제조방법의 일실시형태의 공정을 표시한 전형적인 단면도이다. 이하에, 도 1A, 도 1B, 도 1C, 도 1D 및 도 1E에 따라서 본 발명의 각 공정을 상세히 설명한다.

(공정 1)

기판(1)상에, 제 1감광성 페이스트를 부여해서 건조하여, 제 1전구체층(2a)을 형성한다. 이어서, 해당 제 1전구체층(2a)상에, 제 2감광성 페이스트를 부여해서 건조하여, 제 2전구체층(3a)을 형성한다. 이와 같이 해서, 제 1전구체층(2a)과 제 2전구체층(3a)과의 적층체(4)가 도 1A에 표시한 바와 같이 형성된다.

본 발명에 있어서는, 상기 제 1전구체층(2a)과 제 2전구체층(3a)의 소성에 의한 수축률이 서로 다르다. 본 발명의 제조방법에 이용되는 감광성 페이스트는, 유전체 패턴을 제조하는 경우에는, 예를 들면, 감광성의 유기성분, 용매 등에, 산화 납이나 산화 비스무트를 도입해서 함유하고 있는 유리프릿을 가해서 구성한다. 또한, 도전체 패턴을 제조할 경우에는, 감광성 페이스트는, 예를 들면, 감광성의 유기성분, 용매 등에, Ag 입자 및 유리프릿을 가해서 구성한다. 이 경우, 제 1전구체층과 제 2전구체층에 있어서 감광성의 유기성분과 용매의 양을 조정함으로써, 상기 수축률을 조정하는 것이 가능하다.

각 감광성 페이스트의 부여방법으로서는, 통상의 스크린인쇄법, 바코트법 등을 이용해서 감광성 페이스트를 5 내지 40㎛의 범위내의 두꺼운 막두께로 형성하는 것이 가능하다.

(공정 2)

공정 1에서 형성된 적층체(4)에, 소정의 패턴을 지닌 마스크(5)를 통해서 일괄 노광을 실시한다. 각 전구체층(2a), (3a)은, 도 1B에 표시한 바와 같이, 각각 광중합해서 경화층(2b), (3b)으로 이루어진 전구체 패턴(6)으로 된다. 노광은 통상의 프록시미티 노광장치에 의해 행해진다. 마스크(5)는 소정의 위치에 얼라인먼트되고, 평행광(7)이 소망의 후막부재패턴(9)에 대응하는 마스크(5)의 개구부(8)를 개재해서 미소갭을 통과해서 적층체(4)에 조사된다. 이 때, 각 전구체층(2a), (2b)은 모두 한번에 노광되므로, 각각의 전구체층(2a), (2b)의 잠상인 경화층(2b), (3b)간의 위치적인 어긋남이 없어, 최종적으로 균일한 단면형상이 얻어진다.

그러나, 통상 광이 아래쪽 위치로 향함에 따라, 감광성에 기여하는 365nm부근의 파장을 지닌 광은 재료중에서의 흡수나 산란에 의해 감쇄함으로써, 잠상폭이 더욱 작아지게 된다. 따라서, 도 1B에 표시한 바와 같이, 경화층(2b)으로부터 경화층(3b)을 향해서 잠상폭이 거의 연속적으로 작아지게 된다.

(공정 3)

도 1C는 일괄현상후의 상태를 표시한 것이다. 통상, 현상은 다음과 같이 수행된다. 즉, 미노광부에 대해서 가용인 약알카리성의 용액으로 현상을 행한 후, 순수의 린스에 의해 현상을 멈추고, 에어나이프에 의해 탈수건조를 실시한다. 본 발명에 있어서는, 제 1전구체층(2a)과 제 2전구체층(3a)의 양 층의 미노광부에 동시에 가용인 현상액을 사용해서 일괄 현상을 행한다.

(공정 4)

전구체 패턴(6)을 소성한다. 여기서, 전구체 패턴(6)의 경화층(2b), (3b)은 각각 연화, 결합 및 용융하면서 유동한다. 그래서, 상기 경화층(2b), (3b)은 도 1D에 표시한 바와 같이 체적수축을 개시한다. 경화층(2b), (3b)의 형상변화 는, 기판(1)에 평행한 방향과 막두께 방향으로 일어난다. 막두께방향의 체적수축에서는, 경화층(2b), (3b)의 패턴 에지가 올라가지 않고, 어느 위치도 균일하게 수축한다. 소성로로서는 일반적으로 대기분위중에서의 열풍순환로나, 대기분위기중 또한 에어의 강제도입하에서의 원적외선 히터가열방식의 로를 사용하는 것이 가능하다.

도 1E는, 도 1D에 표시한 상태로부터 더욱 승온이 진행해서, 최고도달온도에 이른 후의 상태를 표시한 도면이다. 상부의 제 2전구체층(3a)이 하부의 제 1전구체층(2a)보다도 수축률이 큰 경우에는, 도 1E에 표시한 바와 같이, 상부층과 하부층이 서로 결합해서 해당 결합구조의 상층이 더욱 수축한다.

그 후, 전구체 패턴(6)이 수분간 유지된다. 해당 전구체 패턴(6)의 거의 전역이 융용가능하게 된 경우, 강온을 개시한다. 해당 온도를 실온까지 복귀시킴으로써, 완전하게 일체화된 소망의 패턴인 후막부재패턴(9)을 얻을 수 있다. 이와 같이 해서 형성된 후막부재패턴(9)의 입체형상은, 다음과 같은 것이다. 즉, 표면의 평면성이 확보되고, 특히 에지부에서는, 바닥(기판 계면)으로부터 상부층까지 돌출형상(뿔형상의 돌기 형상)으로 되지 않고, 정돈된 순방향 테이퍼형상이 전체 면에 형성된다.

(실시예)

이하, 구체적인 실시예를 들어 본 발명을 상세히 설명한다.

(실시예 1)

화상형성장치용의 전자방출부재가 매트릭스 형상으로 배선된 전자원 기판의 제조방법인, 본 발명의 제조방법에 의해, 전자방출소자용의 박막전극패턴과 해당 박막전극패턴 위에 위치된 배선과의 사이에 배치된 절연체 패턴을 제조하였다.

기판으로서는, 소다석회유리를 사용하고, 이 기판상에, 먼저 하부전극(박막전극패턴)으로서 두께 50nm인 Pt재료를 통상의 일반적인 포토리소그라피 에칭에 의해 소망의 박막패턴으로 형성하였다.

다음에, 하부전극(박막전극패턴)상에, 제 1감광성 페이스트를 스크린인쇄법에 의해 막으로서 형성하였다. 스크린인쇄의 판은 소망의 최종 막두께에 따라 적절하게 사용한다. 이 경우, 스테인레스강으로 이루어진 선직경 55㎛인 #145(25.4mm당의 로드의 개수)의 와이어로드(wire rod)를 사용하였다. 또한, 감광성 페이스트로서는, 산화납을 주성분으로서 함유하는 유리프릿과, 감광성을 지닌 유기성분과, 용매성분으로 이루어진 페이스트를 사용하였다. 이 때, 후자의 두 성분의 첨가질량비는, 약 20 내지 30% 정도의 범위내이다. 그 후, 용매를 휘발시켜서 페이스트를 건조할 목적으로 온풍과 IR히터에 의해 약 100℃, 15분정도의 건조를 실시하였다. 건조후의 제 1전구체층의 막두께는 약 26㎛였다.

다음에, 제 2감광성 페이스트로서, 산화납을 함유하는 유리프릿과, 감광성을 지닌 유기성분과, 용매성분으로 이루어진 페이스트를 사용하였다. 이때의 후자의 두 성분의 첨가질량비는, 상기 제 1감광성 페이스트보다도 큰 수축률을 지니도록, 약 30 내지 40%정도의 범위내로 설정하였다. 제 2감광성 페이스트는 제 1감광성 페이스트와 유사한 방법으로 막으로 형성하고 건조시켰다. 건조후, 제 2전구체층의 막두께는 약 25㎛였고, 제 1전구체층과 제 2전구체층의 막두께의 합은 약 51 ㎛로 되었다.

다음에, 소망의 절연체 패턴에 대응하는 개구부를 지닌 마스크를 소망의 위치가 노광될 수 있도록 얼라인먼트하고, 마스크와 제 2전구체층간의 간극을 약 100㎛로 되도록 조정하였다. 그 후, 제 1감광성 페이스트와 제 2감광성 페이스트의 노광을 100mJ/㎠의 노광량으로 수행하였다. 보다 구체적으로는, 하부전극(박막전극패턴)의 상부에 콘택트홀(관통구멍)을 형성하기 위해, 하부전극(박막전극패턴)의 상부가 노광되지 않도록 마스크를 얼라인먼트해서, 제 1감광성 페이스트와 제 2감광성 페이스트의 노광을 수행하였다.

노광후, 제 1 및 제 2전구체층의 양쪽의 미노광부에 대해서 가용인 약알칼리성의 용액을 이용해서 해당 제 1 및 제 2전구체층을 현상하였다. 현상 후, 순수로 린스해서 현상을 정지시켰다. 다음에, 에어나이프에 의해 전구체층의 탈수건조를 실시해서, 상하부의 경화층이 일체화된 전구체 패턴을 얻었다.

그 후, 대기분위기중에서 더욱 에어를 강제도입하면서 전구체 패턴을 단계적으로 가열·냉각하는 IR히터가열방식의 로에서 상기 상부일체화된 전구체 패턴과 하부 일체화된 전구체 패턴의 일괄 소성을 개시하였다. 그 승온과정에 있어서, 먼저, 2개의 감광성 페이스트중에 잔류하고 있는 용매성분과 유기성분이 400℃ 정도까지 연소되어 소실되었다. 그 후, 전구체 패턴의 온도를 더욱 승온하여, 상하의 경화층의 유리프릿의 평균연화점(이 경우에는 480℃)보다도 수십도 낮은 온도부근으로부터 유리프릿이 연화되었다. 이어서, 상하의 경화층이 서로 결합해서, 해당 경화층의 체적수축이 개시되었다. 그 후, 경화층이 용융하면서 유동하였다.

또, 승온이 더욱 진행해서, 연화점(이 경우에는, 최고도달온도도 이 온도로 설정됨)까지 승온하였다. 이어서, 이 온도를 10분정도 유지하였다. 경화층의 거의 전체 영역을 용융시킬 수 있었된 시점에서, 강온을 개시시켜, 경화체의 온도를 거의 실온까지 복귀시켰다. 이와 같이 해서, 소망의 절연체 패턴이 얻어졌다.

얻어진 절연체 패턴은, 막두께가 약 26㎛였고, 그의 두께방향으로 약 50% 수축되었지만, 그의 입체형상의 표면의 평면성이 확보되어, 해당 입체형상은, 특히 에지부에서는 바닥(기판 계면)으로부터 상부층까지 돌출형상을 취하는 일없이 양호한 순방향 테이퍼형상으로 형성되어 있었다.

그 후, 이 절연체 패턴상에 상부전극(배선)으로서, Ag페이스트로 스크린인쇄와 소성에 의해, 상부전극이 관통구멍을 통해 하부전극(박막전극패턴)과 접속될 수 있도록 약 8㎛의 두께로 패턴을 형성하였다.

이상과 같이 해서 제조된 전자원 기판상의 절연체 패턴의 관통구멍에서 하부전극과 상부전극간의 접속불량발생율이 0.1ppm이하로, 접속불량이 없는 양호한 매트릭스배선이 얻어졌다.

(실시예 2)

화상형성장치용의 전자원 기판상의 열방향 배선과 행방향 배선간의 층간절연층 패턴을 본 발명의 제조방법에 의해 제조하였다. 도 2는 화상형성장치의 개략도를 표시한 것이다. (11)은 전자원 기판인 리어 플레이트이다. (12)는 전자방출소자의 1쌍의 소자전극(상기 박막전극패턴)이다. (14)는 지지프레임이고, (15)는 행방향 배선, (16)은 열방향 배선이다. (17)은 전자방출소자의 도전성 막이 다. (18)은 1쌍의 소자전극(12), (13)과 도전성 막(17)으로 이루어진 전자방출소자이다. (20)은 형광체, (21)은 애노드전극, (22)는 형광체(20)와 애노드전극(21)을 포함하는 페이스 플레이트이다.

전자원은 행방향 배선(15), 열방향 배선(16) 및 전자방출소자(18)로 이루어져 있다. 또한, (Dx) 및 (Dy)는 각각 행방향 배선 및 열방향 배선의 인출단자이다. (HV)는 애노드전극(21)의 인출단자이다. 또한, 도 3A, 도 3B, 도 3C, 도 3D, 도 3E 및 도 3F는 전자원의 제조과정을 설명하는 도면으로, 이들은 리어 플레이트(11)의 부분확대도이다.

리어 플레이트(이하, 단순히 기판이라 칭할 경우도 있음)로서는, 저왜곡점 유리 PD200(아사히유리사 제품)을 사용하였다. 먼저, 이 기판상에 1쌍의 소자전극(12), (13)을 형성하였다(도 3A). 다음에, 열방향 배선(16)으로서, 감광성이 부여된 은페이스트(유리프릿 함유)를, 스크린인쇄에 의한 전체 면 도포, 가열건조, 노광, 현상 및 소성과정을 통해 두께 약 5㎛, 폭 35㎛로 되도록 스트라이프형상으로 패턴으로서 형성하였다(도 3B).

상기 기판상에, 제 1감광성 페이스트와 제 2감광성 페이스트와의 적층체로 이루어진 유전체층을 형성하였다. 제 1 및 제 2감광성 페이스트로서는, 각각 산화납을 주성분으로서 함유하는 유리프릿과 감광성을 지닌 첨가된 유기성분과 첨가된 용매성분으로 이루어진 페이스트를 사용하였다. 또, 제 1감광성 페이스트중의 감광성을 지닌 유기성분과 용매성분의 첨가질량비는, 약 20 내지 30% 정도의 범위내로 설정하였다. 또, 제 2감광성 페이스트중의 감광성을 지닌 유기성분과 용매 성분의 첨가질량비는, 상기 제 1감광성 페이스트보다도 큰 수축률을 지니도록, 약 30 내지 40% 정도의 범위내로 설정하였다.

제 1감광성 페이스트는, 스테인레스강으로 이루어진 선직경 40㎛인 #200(25.4mm당의 로드의 개수)의 와이어로드의 판을 사용해서 스크린인쇄에 의해 막으로 형성하였다. 또한, 제 2감광성 페이스트는, 스테인레스강으로 이루어진 선직경 55㎛인 #145(25.4mm당의 로드의 개수)의 와이어로드의 판을 사용해서 스크린인쇄에 의해 막으로 형성하였다. 이어서, 용매를 휘발시켜서 페이스트를 건조시키기 위해, 약 100℃의 온도에서 15분정도 건조를 실시함으로써, 유전체층(전구체층)의 적층체(4)를 형성하였다(도 3C). 건조후의 제 1전구체층의 막두께는, 약 19㎛였고, 건조후의 제 2전구체층의 막두께는, 약 25㎛였으며, 적층체(4)의 전체 막두께는 약 44㎛였다.

다음에, 실시예 1과 마찬가지로, 노광 및 현상을 각각 일괄해서 수행한 후, 상하일체화한 전구체층으로 이루어진 전구체 패턴을 일괄해서 소성(승온후에 최고도달온도 520℃에서 10분간 유지)을 실시하여, 소자전극(12)과 나중에 형성될 행방향 배선(15)을 접속하기 위한 콘택트 홀(관통구멍)(18)을 부분적으로 지니는 층간절연층 패턴을 얻었다(도 3D). 그 결과, 전구체 패턴의 전체의 막두께도 수축해서 두께방향으로 약 50%의 수축인 약 22㎛로 되었으나, 전구체 패턴의 입체형상의 표면 평면성은 실시예 1과 마찬가지로 확보되었고, 또 에지부에서도 바닥(기판 계면)으로부터 상층까지 돌출형상으로 되는 일없이, 양호한 순방향 테이퍼형상이 형성되었다.

그 후, 얻어진 층간절연층 패턴위에 행방향 배선(15)으로서, Ag페이스트를 스크린인쇄와 소성에 의해 스트라이프형상의 패턴이 되도록 형성하였다(도 3E). 그 후, 도전성 박막(17)을 도포해서, 전자방출소자를 형성하였다(도 3F).

특히, 본 실시예에 있어서는, 제 2유전체층의 수축률이 제 1유전체층의 수축률보다도 크기 때문에, 유전체 패턴의 형상이 보다 양호하고, 소자전극(12)과 행방향 배선(15)과의 접속이 보다 확실하게 행해지고 있었다.

상기와 같이 제조된 층간절연층 패턴을 화상형성장치용 전자원 기판에 사용하여, 화상형성장치를 제작하였다. 대향기판(페이스 플레이트)과 전자원 기판과의 간극이 약 1.5㎜로 되도록 설정하고, 애노드전극에 인가되는 전압을 12㎸로 되도록 설정하였다. 이어서, 화상형성장치를 동작시킨 바, 전자원과 애노드전극간의 이상방전의 발생은 확인할 수 없었고, 또 양호한 화상표시를 얻을 수 있었다.

(실시예 3)

기판상에 본 발명의 제조방법에 의해 후막도전체 패턴을 형성하엿다.

제 1감광성 페이스트로서는, 도전체로서의 Ag입자와 유리프릿과의 혼합물에, 감광성을 지닌 유기성분과 용매성분을 더욱 혼합함으로써 제조된 페이스트를 사용하였다. 또, 제 1감광성 페이스트중의 감광성을 지닌 유기성분과 용매성분의 첨가질량비는, 약 20 내지 40% 정도의 범위내로 설정하였다. 또, 제 2감광성 페이스트로서는, 제 1감광성 페이스트와 동일한 성분을 지니고 또 제 1감광성 페이스트보다도 수축률이 크게 되도록 조정된 페이스트를 사용하였다. 구체적으로는, 제 2감광성 페이스트중의 감광성을 지닌 유기성분과 용매성분의 첨가질량비는, 약 30 내지 40%정도의 범위내로 설정하였다.

제 1감광성 페이스트 및 제 2감광성 페이스트의 막형성에는, 스테인레스강으로 이루어진 선직경 23㎛인 와이어로드 #400(25.4mm당의 로드의 개수)의 판을 사용한 스크린인쇄법을 이용하였다. 막형성후에, 용매를 휘발시켜서 제 1 및 제 2감광성 페이스트를 건조시키기 위해, 약 120℃의 온도에서 15분정도 건조를 실시하였다. 건조후의 막두께는, 각각 약 8㎛였고, 적층체의 막두께는 약 16㎛였다.

다음에, 실시예 1과 마찬가지로, 노광 및 현상을 각각 일괄해서 수행한 후, 상하일체화한 전구체층으로 이루어진 전구체 패턴을 일괄해서 소성(승온후에 최고도달온도 480℃에서 10분간 유지)을 실시하여, 후막유전체 패턴을 얻었다. 소성후의 전구체 패턴의 전체의 막두께는 두께방향으로 약 40%의 수축인 약 9.6㎛로 되었으나, 실시예 1과 마찬가지로, 에지부에서도 바닥(기판 계면)으로부터 상층까지 돌출형상으로 되는 일없이, 해당 전구체 패턴의 입체형상의 양호한 순방향 테이퍼형상이 형성되었다.

또, 이 후막유전체를, 상기 설명한 실시예 2의 화상형성장치의 열방향 배선에 응용한 바, 실시예 2와 마찬가지로 양호한 화상형성장치가 얻어졌다.

이상, 본 발명에 있어서는, 다른 개구형상의 마스크를 이용해서 적층체의 각 층의 노광공정을 복수회 행하는 일없이, 적층체의 일괄노광을 행함으로써 전구체 패턴을 형성하므로, 복수회의 노광에 의한 패턴정밀도 저하가 없어, 소망의 패턴형상을 정밀도 양호하게 형성하는 것이 가능해진다. 특히, 상기 적층체는 수축율이 다른 감광성 페이스트로 이루어져 있으므로, 적층체의 상층으로서 수축율이 큰 감광성 페이스트를 이용함으로써, 소성시에 상층이 보다 많이 수축하게 된다. 그 결과, 패턴의 단면이 사다리꼴형상으로 되어, 패턴 에지부에 있어서 양호한 순방향 테이퍼형상과 표면 평면성이 확보된다.

따라서, 본 발명에 의하면, 후막부재패턴을 적은 공정수로 고정밀도로 효율좋게 제공하는 것이 가능하다.

Claims (3)

1. 기판상에 배치된 후막부재패턴의 제조방법에 있어서,

   기판상에 제 1감광성 페이스트를 부여하고, 해당 제 1감광성 페이스트를 건조함으로써 제 1전구체층을 형성하는 공정과;

   상기 제 1전구체층상에 상기 제1감광성 페이스트와 같은 성분을 가지지만 성분비율이 다른 제 2감광성 페이스트를 부여하고, 해당 제 2감광성 페이스트를 건조함으로써 제 2전구체층을 형성하는 공정과;

   상기 제 1전구체층과 제 2전구체층과의 적층체를 소정 패턴의 마스크를 통해서 노광하고, 해당 노광된 적층체를 현상함으로써 전구체 패턴을 형성하는 공정과;

   상기 전구체 패턴을 소성함으로써 상기 후막부재패턴을 형성하는 공정을 구비하고,

   상기 소성시의 제 1전구체층의 수축률과 상기 소성시의 제 2전구체층의 수축률이 서로 다른 것을 특징으로 하는 후막부재패턴의 제조방법.
2. 제 1항에 있어서, 상기 제 2전구체층의 수축률은 상기 제 1전구체층의 수축률보다도 큰 것을 특징으로 하는 후막부재패턴의 제조방법.
3. 복수의 전자방출부재와, 해당 복수의 전자방출부재를 매트릭스형상으로 배선한 복수의 행방향 배선 및 열방향 배선과, 상기 행방향 배선과 열방향 배선과의 사이에 배치된 후막 유전체층을 구비한 화상형성장치의 제조방법에 있어서,

   상기 행방향 배선, 상기 열방향 배선 및 상기 후막 유전체층중의 적어도 어느 하나가, 제 1항에 의한 방법에 의해 제조되는 것을 특징으로 하는 화상형성장치의 제조방법.

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