KR100702371B1 - 토출 노즐식 도포법용 포지티브형 포토레지스트 조성물 및레지스트 패턴의 형성방법 - Google Patents
토출 노즐식 도포법용 포지티브형 포토레지스트 조성물 및레지스트 패턴의 형성방법 Download PDFInfo
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Abstract
Description
(A) (혼합비) (Mw) | (B) | (C) (혼합비) | (D) (혼합비) | |
실시예 1 | a1/a2/a3 (20/30/50) (8000) | d1 | c1 | d1 |
실시예 2 | 상동 | 상동 | 상동 | d1/d2 (7/3) |
실시예 3 | 상동 | 상동 | 상동 | d1/d3 (7/3) |
실시예 4 | 상동 | 상동 | 상동 | d1/d2 (10/1) |
실시예 5 | 상동 | 상동 | 상동 | d1/d2 (1/1) |
실시예 6 | 상동 | 상동 | c1/c2 (1/1) | d1/d2 (7/3) |
실시예 7 | 상동 | 상동 | c1 | d1/d2/d3 (7/1.5/1.5) |
비교예 1 | 상동 | 상동 | 상동 | d2 |
비교예 2 | 상동 | 상동 | 상동 | d3 |
Claims (13)
- 토출 노즐과 기판을 상대적으로 이동시킴과 함께 복수의 노즐 구멍이 열 형상으로 배열된 토출구 또는 슬릿 형상의 토출구로부터 포지티브형 포토레지스트 조성물을 기판 상에 토출함으로써 기판의 도포면 전체에 포지티브형 포토레지스트 조성물을 도포하는 공정을 갖는 토출 노즐식 도포법에 사용되는 포지티브형 포토레지스트 조성물로서,(A) 알칼리 가용성 노볼락 수지, (B) 분자량이 1000 이하인 페놀성 수산기 함유 화합물, (C) 나프토퀴논디아지드기 함유 화합물, 및 (D) 유기용제를 함유하여 이루어지고, 상기 (D) 유기용제가 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트와 당해 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트보다도 고비점인 유기용제를 함유하고, 상기 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트와 상기 고비점 유기용제와의 질량비를 나타내는 [PGMEA/고비점 유기용제]의 값이 10/1∼1/1 인 것을 특징으로 하는 토출 노즐식 도포법용 포지티브형 포토레지스트 조성물.
- 삭제
- 제 1 항에 있어서, 상기 고비점의 유기용제가 피루브산에틸, 락트산에틸 및 3-메톡시부틸아세테이트로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종인 것을 특징으로 하는 토출 노즐식 도포법용 포지티브형 포토레지스트 조성물.
- 삭제
- 제 1 항에 있어서, 상기 유기용제 중에 차지하는 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트와 상기 고비점 유기용제의 합계량이 90질량% 이상인 것을 특징으로 하는 토출 노즐식 도포법용 포지티브형 포토레지스트 조성물.
- 제 1 항에 있어서, 상기 (A) 성분의 폴리스티렌 환산 질량평균 분자량 (Mw) 이 6000 이상인 것을 특징으로 하는 토출 노즐식 도포법용 포지티브형 포토레지스트 조성물.
- 제 1 항에 있어서, 추가로 (E) 계면활성제를 함유하여 이루어지고, 포지티브형 포토레지스트 조성물 전체에서의 상기 (E) 계면활성제의 함유량이 900ppm 이하 인 것을 특징으로 하는 토출 노즐식 도포법용 포지티브형 포토레지스트 조성물.
- 제 1 항에 있어서, 추가로 2-(2-히드록시에틸)피리딘을 함유하는 것을 특징으로 하는 토출 노즐식 도포법용 포지티브형 포토레지스트 조성물.
- 제 1 항에 있어서, 상기 토출 노즐 도포법이, 상기 기판의 도포면 전체에 포지티브형 포토레지스트 조성물을 도포한 후, 상기 기판을 스핀시키는 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 토출 노즐식 도포법용 포지티브형 포토레지스트 조성물.
- 토출 노즐과 기판을 상대적으로 이동시킴으로써 기판의 도포면 전체에 포지티브형 포토레지스트 조성물을 도포하는 방법으로, 제 1 항에 기재된 포지티브형 포토레지스트 조성물을 기판 상에 도포하는 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 레지스트 패턴의 형성방법.
- 제 12 항에 있어서, 상기 기판 상에 포지티브형 포토레지스트 조성물을 도포한 후, 상기 기판을 스핀시키는 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 레지스트 패턴의 형성방법.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JPJP-P-2003-00347137 | 2003-10-06 | ||
JP2003347137A JP4209297B2 (ja) | 2003-10-06 | 2003-10-06 | 吐出ノズル式塗布法用ポジ型ホトレジスト組成物及びレジストパターンの形成方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20050033458A KR20050033458A (ko) | 2005-04-12 |
KR100702371B1 true KR100702371B1 (ko) | 2007-04-02 |
Family
ID=34539825
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020040078514A KR100702371B1 (ko) | 2003-10-06 | 2004-10-02 | 토출 노즐식 도포법용 포지티브형 포토레지스트 조성물 및레지스트 패턴의 형성방법 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4209297B2 (ko) |
KR (1) | KR100702371B1 (ko) |
CN (1) | CN1310087C (ko) |
TW (1) | TWI266956B (ko) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006145734A (ja) * | 2004-11-18 | 2006-06-08 | Nippon Zeon Co Ltd | ポジ型フォトレジスト組成物 |
CN101501570B (zh) * | 2006-08-04 | 2012-07-25 | 东友精化股份有限公司 | 光刻胶组成物及其图案化方法 |
JP5574087B2 (ja) * | 2009-01-28 | 2014-08-20 | Jsr株式会社 | 感放射線性樹脂組成物ならびに層間絶縁膜およびその製造方法 |
CN102346372A (zh) * | 2010-07-30 | 2012-02-08 | 奇美实业股份有限公司 | 正型感光性树脂组成物及使用该组成物形成图案的方法 |
KR101737567B1 (ko) * | 2010-11-19 | 2017-05-18 | 주식회사 동진쎄미켐 | 포토레지스트 조성물 |
JP5674506B2 (ja) * | 2011-02-25 | 2015-02-25 | 東京応化工業株式会社 | ポジ型レジスト組成物、レジストパターン形成方法 |
JP5778568B2 (ja) * | 2011-12-16 | 2015-09-16 | 東京応化工業株式会社 | 厚膜用化学増幅型ポジ型ホトレジスト組成物、厚膜ホトレジスト積層体、厚膜ホトレジストパターンの製造方法及び接続端子の製造方法 |
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Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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CN1166737C (zh) * | 2001-10-15 | 2004-09-15 | 奇美实业股份有限公司 | 正型感光性树脂组成物 |
CN105491945A (zh) * | 2013-08-30 | 2016-04-13 | 皇家飞利浦有限公司 | Mpi系统或装置的线圈布置 |
-
2003
- 2003-10-06 JP JP2003347137A patent/JP4209297B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2004
- 2004-09-13 TW TW093127664A patent/TWI266956B/zh active
- 2004-10-02 KR KR1020040078514A patent/KR100702371B1/ko active IP Right Grant
- 2004-10-08 CN CNB2004100833844A patent/CN1310087C/zh active Active
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4209297B2 (ja) | 2009-01-14 |
CN1605939A (zh) | 2005-04-13 |
JP2005114920A (ja) | 2005-04-28 |
KR20050033458A (ko) | 2005-04-12 |
TWI266956B (en) | 2006-11-21 |
CN1310087C (zh) | 2007-04-11 |
TW200513799A (en) | 2005-04-16 |
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A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
AMND | Amendment | ||
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J201 | Request for trial against refusal decision | ||
B701 | Decision to grant | ||
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FPAY | Annual fee payment |
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FPAY | Annual fee payment |
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FPAY | Annual fee payment |
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