KR100699955B1 - 조명광학계, 노광장치 및 디바이스의 제조방법 - Google Patents

조명광학계, 노광장치 및 디바이스의 제조방법 Download PDF

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KR100699955B1
KR100699955B1 KR1020050033539A KR20050033539A KR100699955B1 KR 100699955 B1 KR100699955 B1 KR 100699955B1 KR 1020050033539 A KR1020050033539 A KR 1020050033539A KR 20050033539 A KR20050033539 A KR 20050033539A KR 100699955 B1 KR100699955 B1 KR 100699955B1
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켄이치로 모리
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캐논 가부시끼가이샤
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Abstract

광원으로부터의 광을 이용해서 목표 면을 조명하는 조명광학계에 있어서, 상기 조명광학계는, 상기 광원으로부터 상기 목표 면까지의 광로중에 배치되어 상기 광의 편광비를 조정하는 편광소자와, 상기 편광소자로부터 상기 목표 면까지의 광로중에 배치된 광학소자를 구비하고, 상기 광학소자의 총 복굴절량이 m + 2σ < 1.0㎚/㎝(여기서, 광학소자의 유리재의 복굴절량의 평균이 m, 광학소자의 유리재의 복굴절량의 표준편차가 σ임)인 것을 특징으로 한다.

Description

조명광학계, 노광장치 및 디바이스의 제조방법{ILLUMINATION OPTICAL SYSTEM, EXPOSURE APPARATUS AND DEVICE FABRICATION METHOD}
도 1은 본 발명에 의한 제 1실시형태의 조명광학계를 포함하는 노광장치의 개략 구성도
도 2는 본 발명에 의한 제 2실시형태의 조명광학계를 포함하는 노광장치의 개략 구성도
도 3은 본 발명에 의한 제 3실시형태의 조명광학계를 포함하는 노광장치의 개략 구성도
도 4는 본 발명에 의한 제 4실시형태의 조명광학계를 포함하는 노광장치의 개략 구성도
도 5는 종래의 반사굴절 광학계의 구성예를 표시한 블록도
도 6은 y방향에 있어서의 반복패턴을 형성하기 위해 레티클을 도 5에 표시한 광학계에 적용한 경우를 표시한 블록도
도 7은 x방향에 있어서의 반복패턴을 형성하기 위해 레티클을 도 5에 표시한 광학계에 적용한 경우를 표시한 블록도로, 도 7A는 y방향을 따른 평면도, 도 7B는 x방향을 따른 측면도
도 8은 2㎚/㎝의 복굴절량을 지닌 조명광학계에 있어서의 편광광 변화의 계 산결과를 표시한 편광광 강도분포도
도 9는 조명광학계 렌즈에 이용되는 유리재의 복굴절량과 조명계의 동공위치에서 S편광광에 의해 레티클면의 동공내에서 최대로 되는 P편광광 강도와의 관계를 표시한 그래프
도 10은 본 발명에 의한 제 5실시형태의 조명광학계를 포함하는 노광장치의 개략 구성도
도 11은 본 발명에 의한 제 6실시형태의 조명광학계를 포함하는 노광장치의 개략 구성도
도 12는 디바이스의 제조방법을 설명하는 순서도
도 13은 도 12에 표시한 스텝 104에 있어서의 웨이퍼 프로세스의 상세순서도
<도면의 주요부분에 대한 부호의 간단한 설명>
1: 광원 2: 빔정형 광학계
3, 31, 32: 편광소자 4: 파리의 눈 렌즈
5: 컨덴서 렌즈 6: 마스킹 블레이드
7, 9: 렌즈 8: 절곡(折曲) 렌즈
10: 레티클 11: 투영광학계
12: 웨이퍼(기판) 13: 평행 평판
14: 위상판(λ/2판) 15: 랜덤 편광판
16: 위상판 S: 노광장치
본 발명은, 일반적으로는, 광원으로부터의 광으로 목표 면(즉, 피조명 면)을 조명하는 조명광학계, 노광장치 및 디바이스의 제조방법에 관한 것으로, 특히, 패턴을 형성한 레티클(또는 마스크)을 단파장광으로 조명하는 조명광학계에 관한 것이다. 본 발명은, 반도체 소자, 액정표시소자, 촬상소자(CCD 등), 박막자기헤드 등을 제조하기 위한 포토리소그라피공정에 사용되는 투영노광장치에 적합하다.
반도체소자 제조공정의 포토리소그라피공정에 있어서, 노광장치가 이용되고 있다. 포토리소그라피공정이란, 반도체 소자의 회로패턴을 반도체소자로 되는 기판(실리콘 기판 등) 위에 투영전사하는 공정이다.
반도체소자의 미세화에 대한 요구가 증가하고 있고, 라인 앤드 스페이스의 최소 선폭은 0.15㎛이하로, 0.10㎛에 도달하고 있다. 미세화된 반도체를 작성하기 위해, 포토리소그라피공정에 이용되는 투영노광장치의 해상력의 향상이 필요하다.
일반적으로, 포토리소그라피공정에 있어서의 해상가능한 선폭(R)은, 노광광원의 파장 λ와, 노광장치의 개구수 NA, 비례정수 k1을 이용해서, 이하의 식으로 구할 수 있다:
Figure 112005021089324-pat00001
.......[1].
따라서, 파장 λ를 짧게 하면, 파장에 비례해서 해상가능한 선폭(R)은 줄어들다. 또, 개구수 NA를 증가시키면, 해당 개구수에 반비례해서, 해상가능한 선폭(R)은 줄어든다. 그 때문에 근년에는, 노광광원의 단파장화와 투영광학계의 고NA화가 진행되고 있다. 현재 주류의 투영노광장치의 노광광원은 파장 248㎚의 KrF엑시머레이저이다. 또, ArF엑시머레이저(파장 193㎚)나, F2레이저(157㎚)를 이용하는 투영노광장치가 개발되고 있다. 또한, 현재 주류의 NA는 0.80정도이지만, 개발되고 있는 투영노광장치의 NA는 0.90이다.
그러나, 광원의 단파장화에 대해서 투과율이 높은 유리재가 한정되고, 157㎚의 파장으로 사용가능한 유리재는 현재 형석(CaF2)뿐이다. 이것에 의해, 단일 유리재로 색수차를 양호하게 보정하기 위해서는, 투영광학계로서, 굴절광학계와 반사광학계를 조합시킨 반사굴절 광학계를 사용하는 것이 검토되고 있다.
반사굴절 광학계의 예로서, 도 5에 표시한 바와 같이 45°미러를 이용하는 광학계가 제안되어 있다(예를 들면, 일본국 PCT국제출원공고 평7-111512호의 번역문 참조). 45°미러의 반사율은 S편광광(전장벡터의 방향이 반사면의 법선과 광선의 진행방향에 대해서 수직인 광선)과 P편광광(S편광광에 대해서 직교하는 광선)에서 다르다. 따라서, 반사굴절 광학계에서는, 미러에 대해서 P편광광으로 되는 광선과 S편광광으로 되는 광선간에 레티클과 웨이퍼간의 투과율이 다르다.
한편, 투영노광장치에 있어서, 레티클의 라인 앤드 스페이스가 웨이퍼상의 감광제에 형성하는 간섭줄무늬의 콘트라스트는, 라인 앤드 스페이스의 회절광에 대해서 P편광광보다도 S편광광이 높은 것이 알려져 있다.
따라서, 도 5에 표시한 45°미러를 지닌 반사굴절 광학계의 투영광학계를 이용하는 투영노광장치에 있어서는, S편광광과 P편광광의 광강도비가 동일한 광강도로 레티클을 조명하면, 패턴방향에 따라서 콘트라스트가 변화해버린다.
도 6에는, y방향으로 반복되는 패턴을 형성하는 레티클을 도 5에 표시한 광학계에 적용한 상태가 표시되어 있고, 도 7A 및 도 7B에는, x방향으로 반복되는 패턴을 형성하는 레티클을 도 5에 표시한 광학계에 적용한 상태가 표시되어 있다. 도 6에 표시된 y방향의 반복 패턴의 회절광은, x방향으로 반사되고, 그 회절광의 S편광광 성분이 미러에 대해서 S편광광 성분으로 된다. 또, 도 7에 표시한 x방향의 반복 패턴의 회절광은, y방향으로 반사되고, 그 회절광의 S편광광 성분이 미러에 대해서 P편광광 성분으로 된다.
미러의 반사율은, S편광광 성분과 P편광광 성분이 다르므로, 도 6에 표시한 반복패턴과 도 7에 표시한 반복패턴의 각각에 의해 회절된 회절광의 S편광광 성분은 미러에 대해서 각각 S편광광과 P편광광으로 되기 때문에, 투영광학계를 투과하는 투과율이 다르다. S편광광 성분과 P편광광 성분으로 이루어진 투과율은 패턴에 좌우되지 않고 일정하므로, 웨이퍼에 도달하는 회절광의 S편광광 성분과 P편광광 성분의 광강도비가 패턴의 방향에 따라서 달라져 버린다. 앞서 설명한 바와 같이, S편광광 성분과 P편광광 성분간에 콘트라스트가 다르므로, 반사굴절 광학계의 투영광학계를 이용하는 투영노광장치에 있어서, 레티클을 S편광광과 P편광광의 광강도비가 동일한 광강도로 조명하면, 패턴의 방향에 따라서 콘트라스트차가 발생되어 버린다.
따라서, S편광광과 P편광광의 광강도비가 동일한 광강도로 레티클을 조명하면, 패턴의 방향에 따라서 콘트라스트가 달라, 해상력이 패턴방향에 따라서 변화하는 에러("HV차"라 칭함)가 발생한다. 그로 인해, 투영노광장치를 사용함으써 반도체소자의 제작수율이 저하한다.
그래서, 레티클면을 부분편광광에 의해 조명해서, 웨이퍼면에서의 S편광광과 P편광광의 광강도비를 비교해서 같게 하는 방법이 제안되어 있다(예를 들면, 일본국 공개특허 제 2000-3852호 공보를 참조).
조명광학계내에서 소정의 편광비를 형성하면, 레티클면까지의 조명광학계의 유리재의 복굴절 및 렌즈를 고정할 경우에 해당 렌즈에 부여되는 응력이 감소되어 소정비로 될 때까지의 해당 응력에 의해 발생된 복굴절에 의해, 편광상태가 변화되어 버린다.
도 8에, 조명광학계의 동공위치에서 S편광광의 광이 레티클면에서의 (S편광광과 P편광광의) 광강도분포로 변화되는 계산결과를 표시한다. 이 조명광학계는, 동공위치에 편광비를 조정하는 광학계를 지니고, 파장 157㎚의 광을 광원으로 이용하고, 또, 복굴절량이 m+2σ(m: 평균, σ: 표준편차)로 2㎚/㎝인 형석을 조명광학계의 렌즈로서 이용하고 있다.
조명광학계의 동공위치로부터 레티클까지의 유리재의 두께는 약 500㎜이고, 렌즈의 매수는 15매이다. 오른쪽의 도면은 레티클면의 소정 점에서의 P편광광의 동공분포이다. S편광광은 입사한 경우에도 렌즈의 복굴절에 의해 P편광광으로 변하는 일이 있다. 예를 들면, 형석의 복굴절이 2㎚/㎝일 때, 레티클면에서 최대 25%의 P편광광이 발생한다.
도 9에, 조명광학계 렌즈에 이용되는 유리재의 복굴절량과 조명광학계의 동공위치에서 S편광광의 광에 의해 레티클면의 동공내에서 최대로 되는 P편광광 강도와의 관계를 표시한다. 동일한 복굴절량에 있어서의 복수의 점은 렌즈 경통에의 렌즈 조립각도를 변화시킨 것을 나타내고, 진상(進相)축방향의 조합에 의해서 레티클면에서의 동공내의 최대 P편광광 강도가 변화한다. 도 9의 그래프에 표시한 바와 같이, 복굴절량이 증대함에 따라서, S편광광이 P편광광으로 변하는 비율이 증가한다. 5㎚/㎝의 복굴절이 허용되는 것으로 가정하면, 조명광학계의 동공위치에서 S편광광중 90%의 광이 P편광광으로 변화해 버릴 경우가 있다.
따라서, 본 발명의 예시적 목적은, 레티클면위에서 소망의 편광조명을 실현하는 것이 가능한 조명광학계를 제공하는 데 있다.
광원으로부터의 광을 이용해서 목표 면을 조명하는 본 발명에 의한 일측면의 조명광학계는, 광원으로부터 상기 목표 면까지의 광로중에 배치되어 상기 광의 편광비를 조정하는 편광소자와, 상기 편광소자로부터 상기 목표 면까지의 광로중에 배치된 광학소자를 구비하고, 상기 광학소자의 총 복굴절량이 m + 2σ < 1.0㎚/㎝(여기서, 광학소자의 유리재의 복굴절량의 평균이 m, 광학소자의 유리재의 복굴절량의 표준편차가 σ임)인 것을 특징으로 한다.
광원으로부터의 광을 이용해서 목표 면을 조명하는 본 발명에 의한 다른 측면의 조명광학계는, 상기 광원으로부터 상기 목표 면까지의 광로중에 배치되어 상 기 광의 편광비를 조정하는 편광소자를 구비하고, 상기 편광소자로부터 상기 목표 면까지의 광로중에 파워를 지닌 광학소자가 배치되어 있지 않은 것을 특징으로 한다.
본 발명에 의한 다른 측면의 노광장치는, 광원으로부터의 광을 이용해서 목표 면을 조명하는 조명광학계와, 상기 목표 면을 통과한 광을 기판에 인도하기 위한 투영광학계를 포함하고, 상기 조명광학계는, 상기 광원으로부터 상기 목표 면까지의 광로중에 배치되어, 상기 광의 편광비를 조정하는 편광소자와, 상기 편광소자로부터 상기 목표 면까지의 광로중에 배치된 광학소자를 구비하고, 상기 광학소자의 총 복굴절량이 m + 2σ < 1.0㎚/㎝(여기서, 광학소자의 유리재의 복굴절량의 평균이 m, 광학소자의 유리재의 복굴절량의 표준편차가 σ임)인 것을 특징으로 한다.
본 발명에 의한 다른 측면의 노광장치는, 광원으로부터의 광을 이용해서 목표 면을 조명하는 조명광학계와, 상기 목표 면을 통과한 광을 기판에 인도하기 위한 투영광학계를 포함하고, 상기 조명광학계는, 상기 광원으로부터 상기 목표 면까지의 광로중에 배치되어, 상기 광의 편광비를 조정하는 편광소자를 구비하고, 상기 편광소자로부터 상기 목표 면까지의 광로중에 파워를 지닌 광학소자가 배치되어 있지 않은 것을 특징으로 한다.
본 발명에 의한 다른 측면의 디바이스의 제조방법은, 노광장치를 이용해서 물체를 노광하는 공정과, 노광된 상기 물체에 대해서 현상처리를 행하는 공정을 구비하고, 상기 노광장치는, 광원으로부터의 광을 이용해서 목표 면을 조명하는 조명광학계와, 상기 목표 면을 통과한 광을 기판에 인도하기 위한 투영광학계를 포함하 고, 상기 조명광학계는, 상기 광원으로부터 상기 목표 면까지의 광로중에 배치되어, 상기 광의 편광비를 조정하는 편광소자와, 상기 편광소자로부터 상기 목표 면까지의 광로중에 배치된 광학소자를 구비하고, 상기 광학소자의 총 복굴절량이 m + 2σ < 1.0㎚/㎝(여기서, 광학소자의 유리재의 복굴절량의 평균이 m, 광학소자의 유리재의 복굴절량의 표준편차가 σ임)인 것을 특징으로 한다.
본 발명에 의한 다른 측면의 디바이스의 제조방법은, 노광장치를 이용해서 물체를 노광하는 공정과, 노광된 상기 물체에 대해서 현상처리를 행하는 공정을 지니고, 상기 노광장치는, 광원으로부터의 광을 이용해서 목표 면을 조명하는 조명광학계와, 상기 목표 면을 통과한 광을 기판에 인도하기 위한 투영광학계를 포함하고, 상기 조명광학계는, 상기 광원으로부터 상기 목표 면까지의 광로중에 배치되어, 상기 광의 편광비를 조정하는 편광소자를 구비하고, 상기 편광소자로부터 상기 목표 면까지의 광로중에 파워를 지닌 광학소자가 배치되어 있지 않은 것을 특징으로 한다.
본 발명의 기타 목적과 또 다른 특징은, 첨부도면을 참조한 이하의 바람직한 실시형태로부터 쉽게 명백해질 것이다.
바람직한 실시형태의 상세한 설명
제 1실시형태
이하, 도 1을 참조해서, 본 발명에 의한 제 1실시형태의 조명광학계에 대해서 설명한다. 도 1은, 본 실시형태의 조명광학계를 포함하는 노광장치(S)의 개략 구성도이다. 광원(1)에는, KrF엑시머레이저, ArF엑시머레이저 또는 F2레이저 등이 이용된다. 빔정형 광학계(2)는, 광원(1)으로부터의 광을 인도해서, 파리의 눈렌즈(4) 위에 소망의 광강도분도를 형성한다. 편광소자(3)는, 레티클(10)면(목표 면)에서 소정의 편광비로 되도록 편광비를 조정한다. 파리의 눈렌즈(4)는, 광원(1)으로부터의 광을 파면분할해서, 복수의 2차 광원을 형성한다. 컨덴서 렌즈(5)는, 파리의 눈렌즈(4)에 의해 형성된 2차 광원으로부터의 광을 마스킹 블레이드(6)에 중첩시킨다. 이것에 의해, 균일한 광강도분포가 얻어진다. 광학소자로서의 렌즈(7)와 렌즈(9)는, 릴레이 광학계이며, 마스킹 블레이드(6)를 통과한 광을 광학소자로서의 절곡미러(8)에 의해 반사시킴으로써, 마스킹 블레이드(6)와 레티클(10)사이에 공액 관계를 형성하고 있다. 절곡미러(8)에 의해 반사시킬 때, 입사각도가 45°로부터 크게 차이나면, 미러에 형성되어 있는 유전체 반사막에 의해서 미러에 대해서 P편광광과 S편광광간의 위상차가 발생하여, 편광상태가 붕괴되어 버린다. 그 때문에, 절곡미러(8)에의 입사각은 45°±30°이내로 하면 된다. 또, 유전체 투과막은, 그 면을 향해 크게 경사질 경우 편광광에 의해 반사막에 대한 위상차 보다도 작은 위상차를 발생한다. 따라서, 렌즈에의 입사 광과 렌즈로부터의 사출 광은 0°±50°이내이면 된다. 조명광학계는 빔정형 광학계(2)로부터 레티클(10) 직전의 렌즈(9)까지의 구성성분으로 구성되고, 그 조명광학계와 광원(1)이 조명광학장치를 구성한다. 투영광학계(11)는, 레티클(10)의 패턴을 감광제가 도포된 웨이퍼(기판)(12) 위에 투영한다. 본 발명은 편광소자(3)에 의해 형성된 편 광비를 유지하면서 레티클(10)을 조명하기 위해, 편광소자(3)로부터 레티클(10)까지의 광로상의 광학부재의 복굴절을 m + 2σ로 1㎚/㎝이하로 조정하고 있다. 따라서, 도 9에 표시한 바와 같이, 편광비의 변화를 10%이하로 억제하는 것이 가능하여, 충분한 결상성능을 얻을 수 있다.
렌즈를 유지할 때에 렌즈에 응력이 부여되면, 해당 렌즈에 복굴절이 생긴다. 편광소자(3)로부터 레티클(10)까지의 광로상의 광학부재를 유지할 때에는, 가능한 한 응력이 가해지지 않도록 광학부재를 유지할 필요가 있다. 편광소자(3)는, 광로에 대해서 경사진 유전체 다층막을 지닌 광로에 대한 1개이상의 경사면으로 이루어진다. 면이 광로(즉, 광축)에 대해서 수직이면 S편광광과 P편광광과의 구별이 곤란해지므로, 면을 경사지게 할 필요가 있다. 해당 면의 경사각도는 막의 설계상 15° 내지 65°의 사이면 된다. 2개의 면에 의해 유전체 다층막(이하, "유전체막")을 형성할 경우에는, 광축에 대해서 상향 광선과 하향 광선의 편광특성을 같게 하기 위해서, 2개의 면을 반대방향으로 경사지게 해서, 광축과 수직방향으로부터 보아서 일본어의 하(ハ)자 모양으로 형성하면 된다(도 1 참조). 또, 편광소자(3)에 입사하는 광선의 각도가 변화하면, S편광광과 P편광광의 투과율 또는 반사율이 변화한다. 따라서, 편광소자(3)의 각 점에 입사하는 광선군의 광량 무게중심이 광축과 평행하면 된다.
또, 도 1에 있어서는, 유전체 막에 의해서 편광비를 조정하는 편광소자(3)로서 투과형의 것을 이용하고 있으나, 반사형의 소자를 이용해도 된다. 유전체막에 의해서 편광비를 조정할 경우, 소망의 편광비를 실현하기 위해서 불필요한 광을 반 사 또는 투과에 의해 광로밖으로 확산시켜서 광량을 조절한다. 그 결과, 웨이퍼면에서의 광강도가 저하하여 쓰루풋이 저하해버린다. 따라서, 전사되는 패턴이 편광광의 HV차에 의해 영향을 주지 않을 때에는, 편광소자를 삽입하지 않고도 높은 광강도로 노광하는 것이 바람직하다.
제 2실시형태
이하, 도 1 및 도2를 참조해서, 본 발명에 의한 제 2실시형태의 조명광학계에 대해서 설명한다. 본 제 2실시형태의 조명광학계를 포함하는 노광장치의 개략구성은 제 1실시형태의 것과 거의 마찬가지이다. 광원(1)에는, KrF엑시머레이저, ArF엑시머레이저 또는 F2레이저 등이 이용된다. 빔정형 광학계(2)는, 광원(1)으로부터의 광을 인도해서, 파리의 눈렌즈(4) 위에 소망의 광강도분도를 형성한다. 편광소자(3)는, 레티클(10)면에서 소정의 편광비로 되도록 편광비를 조정한다. 파리의 눈렌즈(4)는, 광원(1)으로부터의 광을 파면분할해서, 복수의 2차 광원을 형성한다. 컨덴서 렌즈(5)는, 파리의 눈렌즈(4)에 의해 형성된 2차 광원으로부터의 광을 마스킹 블레이드(6)에 중첩시킨다. 이것에 의해, 균일한 광강도분포가 얻어진다. 렌즈(7)와 렌즈(9)는, 릴레이 광학계이며, 마스킹 블레이드(6)를 통과한 광을 절곡미러(8)에서 반사시킴으로써, 마스킹 블레이드(6)와 레티클(10)사이에 공액 관계를 형성하고 있다. 조명광학계는 광원(1)으로부터 레티클(10) 직전의 렌즈(9)까지의 구성성분으로 구성된다. 투영광학계(11)는, 레티클(10)의 패턴을 감광제가 도포된 웨이퍼(12) 위에 투영한다.
편광소자(3)가 조정해야할 편광비는, 편광소자(3)와 레티클(10) 사이에 변화하는 복굴절량에 의존한다. 예를 들면, 편광소자(3)로부터 레티클(10)면까지의 광학부재의 복굴절량이 2㎚/㎝이고 S편광광의 25%가 P편광광으로 변환되고, P편광광의 25%가 S편광광으로 변환되는 것으로 가정한다. 레티클(10)면에서 S편광광:P편광광 = 2:1의 부분편광으로 조명을 행할 경우에, 편광소자(3)가 조정하는 S편광광과 P편광광의 편광비(=X : Y)를, X × 0.75 + Y × 0.25 : X × 0.25 + Y ×0.75 = 3 : 1에 의해 X : Y = 5 : 1로 되도록 가정한다.
실제로, 레티클(10)면의 동공내의 각 점에 의해서 변환되는 편광비가 다르므로, 동공내의 평균 편광비가 소망의 값으로 되도록, 편광소자(3)가 조정하는 편광비를 결정하면 된다. 또, 조명계의 NA를 변경한 때나, 조명영역을 변경한 때, 광을 연속적으로 조사함으로써 광학부재의 복굴절량이 변화한 경우에는, 편광소자(3)로부터 레티클(10)면까지 편광광량이 변화한다.
그 때문에, 본 실시형태에 있어서는, 도 2에 표시한 바와 같이, 다른 특성을 지닌 2개의 편광소자(31)와 편광소자(32)를 교환가능하게 하고, 또, 편광소자로부터 레티클(10)면까지의 사이에 편광광이 변화하는 비율이 변화한 때에, 그들 편광소자를 교환한다. 또, 교환가능한 편광소자는 2개로 한정되지 않고, 3개이상이어도 된다. 또, 편광소자는 교환하지 않고, 편광소자의 면의 경사각을 변경함으로써 연속적으로 편광광을 변화시켜도 된다. 편광소자가 조정하는 편광비를 설정할 때에는, S편광광과 P편광광의 광강도비를 측정하는 편광광 모니터(도시생략)를 웨이퍼 스테이지에 설치하고, 해당 편광광 모니터를 웨이퍼(12)면에 삽입해서 편광상태 를 검출하여, S편광광과 P편광광의 광강도비가 소망의 비로 되도록 편광비를 조정하면 된다.
제 3실시형태
이하, 도 3을 참조해서, 본 발명에 의한 제 3실시형태의 조명광학계에 대해서 설명한다. 도 3은 본 실시형태의 조명광학계를 포함하는 노광장치(S)의 개략구성도이다. 광원(1)에는, KrF엑시머레이저, ArF엑시머레이저 또는 F2레이저 등이 이용된다. 랜덤편광판(15)은, 광원(1)으로부터의 광을 2개의 직교 방향으로 편광하고, 그들 2개의 광속를 1:1의 광량비의 랜덤한 편광광으로 형성한다. 랜덤편광판(15)으로서는, 복굴절을 지닌 재료로 형성된 쐐기모양 부재와 복굴절을 지니지 않은 재료로 이루어진 쐐기모양 부재를 적층한 평행평판이 사용된다. 빔정형 광학계(2)는, 광원(1)으로부터의 광을 인도해서, 파리의 눈렌즈(4) 위에 소망의 광강도분도를 형성한다. 파리의 눈렌즈(4)는, 광원(1)으로부터의 광을 파면분할해서, 복수의 2차 광원을 형성한다. 컨덴서 렌즈(5)는, 파리의 눈렌즈(4)에 의해 형성된 2차 광원으로부터의 광을 마스킹 블레이드(6)에 중첩시킨다. 이것에 의해, 균일한 광강도분포가 얻어진다. 렌즈(7)와 렌즈(9)는, 릴레이 광학계이며, 마스킹 블레이드(6)를 통과한 광을 절곡미러(8)에서 반사시킴으로써, 마스킹 블레이드(6)와 레티클(10)사이에 공액 관계를 형성하고 있다. 편광소자(3)는, 레티클(10)면에서 소정의 편광비로 되도록 편광비를 조정한다. 조명광학계는 광원(1)으로부터 레티클(10) 직전의 편광소자(3)까지의 구성성분으로 구성된다. 투영광학계(11) 는, 레티클(10)의 패턴을 감광제가 도포된 웨이퍼(12) 위에 투영한다. 본 실시형태에서는, 조명계내의 광학부재의 복굴절에 영향을 받지 않도록 레티클(10)면의 바로 위에 편광소자(3)에 의해 편광비를 조정하고 있다.
편광소자(3)에 입사하는 광의 S편광광과 P편광광과의 광강도비는 1:1인 랜덤편광광이면 된다. S편광광과 P편광광의 광강도비가 1:1인 랜덤편광광에서는, 복굴절을 지닌 조명계의 광학부재에 의해서 편광상태를 변화시켜 버릴 경우에도, S편광광으로부터 P편광광으로 변화하는 광량과 P편광광으로부터 S편광광으로 변화하는 광량이 동일하다. 따라서, 광학부재의 복굴절량에 의존하지 않고도, 편광소자(3)에 대해서 S편광광과 P편광광과의 광강도비가 1:1로 유지된 랜덤 편광광이 입사한다.
그래서, 랜덤 편광판(15)에 의해, 광원(1)으로부터의 광을 S편광광과 P편광광과의 광강도비가 1:1의 랜덤편광광인 편광상태로 변환하고 있다. 또, 랜덤편광판을 배치함으로써, 광원으로부터 편광소자까지의 광학부재의 복굴절량을 고려할 필요가 없게 되므로, 다른 실시형태에 있어서도 랜덤 편광판을 광원과 편광소자와의 사이에 배치해도 된다. 또, 레이저로부터의 광이 직선편광인 경우에는, 랜덤편광판 대신에 λ/4판을 이용해도 된다.
주사식의 투영노광장치에 있어서는, 목표 면으로서의 레티클(10)면은 일반적으로 짧은 길이방향과 긴 길이방향을 지닌 장방형 형상, 타원형상 또는 부채꼴형상의 조명영역을 이용해서 조명된다. 그래서, 그 짧은 길이 방향을 따라서 레티클이 주사된다. 본 제 3실시형태의 구성은, 편광소자의 유전체 막이 형성되어 있는 면을 투영노광장치의 주사방향, 즉 조명영역의 짧은 길이방향으로 경사지게 하고 있다. 그것에 의해, 편광소자를 광로중에 삽입하기 위한 광축방향의 공간을 감소시키는 것이 가능하다.
제 4실시형태
이하, 도 4을 참조해서, 본 발명에 의한 제 4실시형태의 조명광학계에 대해서 설명한다. 도 4는 본 실시형태의 조명광학계를 포함하는 노광장치(S)의 개략구성도이다. 본 제 4실시형태의 구성은, 도 3에 표시한 제 3실시형태의 구성에 가해서, 렌즈(9)와 레티클(10)과의 사이의 광로에 위상판(λ/2판)(14)과 평행평판(13)이 삽입 및 제거가능하도록 구성되어 있다.
유전체막을 이용해서 광을 편광시키는 편광소자를 사용할 경우, 막면에 있어서의 S편광광의 투과율을 P편광광의 투과율보다도 높게 하는 것은 용이하지만, P편광광의 투과율을 S편광광의 투과율보다도 높게 하는 것은 곤란하다. 그래서, 예를 들면, S편광광:P편광광 = 3:1의 광강도비로 편광광에 의해 레티클을 조명할 경우, S편광광:P편광광 = 3:1로 편광소자에 의해 미리 조정한다. 그 후, λ/2판(14)을 이용해서 위상을 180°회전시킴으로써 편광광 방향을 90°회전시켜, 레티클(10)면에 있어서 S편광광:P편광광 = 1:3의 광강도비의 편광광이 실현된다.
제 5실시형태
이하, 도 10을 참조해서, 본 발명에 의한 제 5실시형태의 조명광학계에 대해서 설명한다. 도 10은 본 실시형태의 조명광학계를 포함하는 노광장치(S)의 개략구성도이다. 본 제 5실시형태의 구성에서는, 도 1에 표시한 제 1실시형태의 문제 점을 개선하기 위해 광원의 편광상태가 소정의 상태(예를 들면, 직선편광)인 경우에, 광원의 편광상태를 위상판(16)에 의해 변화시켜 소정의 편광상태로 변화시킴으로써 광량손실을 저감하고 있다. 제 1실시형태에서는, 유전체 다층막으로 이루어진 편광소자를 통해 소망의 편광광을 누설시킴으로써 광량의 손실을 발생하고 있다. 한편, 제 5실시형태에 의한 조명광학계의 경우에는, 광원의 편광상태를 편광소자로서의 위상판(16)까지 유지할 필요가 있으므로, 광원으로부터 편광소자까지의 광로상의 광학부재의 복굴절을 m + 2σ로 1㎚/㎝이하로 작성한 것이다. 따라서, 도 9에 표시한 바와 같이, 편광비의 변화를 10%이하로 억제하는 것이 가능하여, 충분한 결상성능을 얻을 수 있다. 또한, 광강도 손실이 적으므로, 고강도의 광으로 조명하는 것이 가능하다.
제 6실시형태
이하, 도 11을 참조해서, 본 발명에 의한 제 6실시형태의 조명광학계에 대해서 설명한다. 도 11은 본 실시형태의 조명광학계를 포함하는 노광장치(S)의 개략구성도이다. 본 제 6실시형태의 구성은, 도 10에 표시한 제 5실시형태의 구성에, 더욱 편광분리판(3)을 부가한 것이다. 제 5실시형태의 조명광학계의 경우에는, 광원의 편광상태를 편광소자로서의 위상판(16)까지 엄밀하게 유지할 필요가 있으므로, 광원으로부터 편광소자까지의 광로상의 광학부재의 복굴절도 m + 2σ로 1㎚/㎝이하로 할 필요가 있었다. 제 6실시형태에 있어서는 광원의 편광상태를 유지하고, 붕괴된 편광광 상태중 불필요한 편광광을 편광분리판(3)에 의해 제거하는 것이다. 따라서, 광원으로부터 편광소자까지의 광로상의 광학부재의 복굴절을 m + 2 σ로 5㎚/㎝이하까지 허용해도, 위상판(16)에 입사하는 광의 편광상태가 소망의 상태로 유지될 수 있다. 또, 제 1실시형태에 비해서, 편광분리판에 입사하는 광의 편광광 상태가 보존되고 있으므로, 반사에 의해 목표 면에 도달하지 않는 광강도가 줄어들게 되므로, 광량손실이 적어진다. 따라서, 도 9에 표시한 바와 같이, 편광비의 변화를 10%이하로 억제하는 것이 가능하여, 충분한 결상성능을 얻을 수 있다. 또한, 광강도의 손실이 적으므로, 높은 강도의 광으로 레티클을 조명하는 것이 가능하다.
또, 상기 설명은, 주로 투영광학계의 편광광에 의한 투과율차를 보정하기 위한 부분편광조명에 대해서 설명하였으나, 소정의 패턴의 콘트라스트를 향상시키기 위해, 회절광이 S편광광뿐인 편광광 조명에 대해서도 본 발명은 적용가능하다.
제 7실시형태
이하, 도 12 및 도 13을 참조해서, 상기 노광장치(S)를 이용한 디바이스의 제조방법의 실시형태를 설명한다. 도 12는, 디바이스(예를 들면, IC나 LSI 등의 반도체칩, LCD, CCD 등)의 제조방법을 설명하기 위한 순서도이다. 여기에서는, 반도체칩의 제조를 일례로서 설명한다. 스텝 101(회로설계)에서는 반도체 디바이스의 회로를 설계한다. 스텝 102(마스크제작)에서는 설계한 회로패턴을 지닌 마스크를 제작하고, 스텝 103(웨이퍼제조)에서는, 실리콘 등의 재료를 이용해서 웨이퍼(기판)를 제조한다. 스텝 104(웨이퍼 프로세스)는, 전(前)처리이라고도 불리며, 상기 마스크와 웨이퍼를 이용해서 리소그라피를 통해 웨이퍼상에 실제의 회로를 형성한다. 스텝 105(조립)는, 후처리라고도 불리며, 스텝 104에서 형성된 웨 이퍼를 반도체칩으로 형성하고, 어셈블리공정(예를 들면, 다이싱 및 본딩), 패키징(칩봉인)공정 등을 포함한다. 스텝 106(검사)에서는, 스텝 105에서 작성된 반도체 디바이스에 대해 동작확인 시험, 내구성 시험 등의 각종 시험을 수행한다. 이들 공정을 통해, 반도체 디바이스가 완성되어 출하된다(스텝 107).
도 13은 스텝 104의 웨이퍼 프로세스의 상세한 순서도이다. 스텝 111(산화)에서는 웨이퍼의 표면을 산화하고, 스텝 112(CVD)에서는 웨이퍼 표면에 절연층을 형성하고, 스텝 113(전극형성)에서는 증착법 등에 의해 웨이퍼상에 전극을 형성한다. 스텝 114(이온주입)에서는 웨이퍼에 이온을 주입하고, 스텝 115(레지스트처리)에서는 웨이퍼에 감광재를 도포한다. 스텝 116(노광)에서는 노광장치(S)를 이용해서 웨이퍼상에 마스크로부터의 회로패턴을 노광하고, 스텝 117(현상)에서는 노광한 웨이퍼를 현상하고, 스텝 118(에칭)에서는 현상한 레지스트상이외의 부분을 에칭하고, 스텝 119(레지스트박리)에서는 에칭공정후 미사용 레지스트를 제거한다. 이들 공정을 반복함으로써, 웨이퍼상에 다층 회로패턴을 형성한다. 본 실시형태의 제조방법에 의하면, 고품위의 디바이스(즉, 소망의 스트로크 폭의 디바이스)를 제조하는 것이 가능하다. 이와 같이, 상기 노광장치(S)를 사용하는 디바이스의 제조방법 및 결과물로서의 디바이스도 본 발명의 일측면을 구성한다.
본 발명에 의하면, 복굴절을 지닌 유리재를 포함하는 조명광학계를 이용해서 편광광 조명하여, 투영노광장치의 해상력을 향상시키는 것이 가능하다. 또, 조명광학계는 레티클면상에서 상기 편광광 조명을 실현하는 것이 가능하다.
이상, 본 발명은 이들 바람직한 실시형태로 한정되지 않고, 본 발명의 범위를 벗어나는 일없이 다양한 변형이나 변경이 가능하다.

Claims (20)

  1. 광원으로부터의 광을 이용해서 목표 면을 조명하는 조명광학계에 있어서,
    상기 광원으로부터 상기 목표 면까지의 광로중에 배치되어 상기 광의 편광비를 조정하는 편광소자와;
    상기 편광소자로부터 상기 목표 면까지의 광로중에 배치된 광학소자를 구비하고,
    상기 광학소자의 총 복굴절량이 m + 2σ < 1.0㎚/㎝(여기서, 광학소자의 유리재의 복굴절량의 평균이 m, 광학소자의 유리재의 복굴절량의 표준편차가 σ임)인 것을 특징으로 하는 조명광학계.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 편광소자로부터 상기 목표 면까지의 광로중에 배치된 상기 광의 편광상태를 랜덤하게 하기 위한 광학소자를 또 구비한 것을 특징으로 하는 조명광학계.
  3. 제 1항에 있어서,
    위상판 및;
    평행평판을 또 구비하고,
    상기 위상판과 상기 평행평판은, 교환가능하고, 또한 상기 편광소자로부터 상기 목표 면까지의 광로에의 삽입 및 상기 광로로부터의 제거가 가능한 것을 특징으로 하는 조명광학계.
  4. 제 1항에 있어서, 상기 편광소자를 통과한 광의 편광비와 상기 목표 면상에서의 편광비가 다른 것을 특징으로 하는 조명광학계.
  5. 제 1항에 있어서, 상기 편광소자가 상기 조명광학계의 동공위치 근방에 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 조명광학계.
  6. 제 1항에 있어서, 상기 편광소자가, 유전체 다층막을 형성한 적어도 1개의 면을 지니고, 또한, 해당 면이 상기 광의 광축에 대해서 15°내지 60°로 경사져 있는 편광분리판인 것을 특징으로 하는 조명광학계.
  7. 제 1항에 있어서, 상기 편광소자는 λ/4위상판 또는 λ/2위상판인 것을 특징으로 하는 조명광학계.
  8. 제 1항에 있어서, 상기 광원으로부터 상기 편광소자까지의 광로중에 배치된 광학소자의 총 복굴절량이, m + 2σ < 1.0㎚/㎝(여기서, 광학소자의 유리재의 복굴절량의 평균이 m, 광학소자의 유리재의 복굴절량의 표준편차가 σ임)인 것을 특징으로 하는 조명광학계.
  9. 제 1항에 있어서, 상기 편광소자의 상기 광원측에 배치되어, 유전체 다층막 을 형성한 적어도 1개의 면을 지닌 편광분리판을 또 구비하고, 해당 면이 상기 광의 광축에 대해서 15°내지 60°로 경사져 있는 것을 특징으로 하는 조명광학계.
  10. 제 9항에 있어서, 상기 광원으로부터 상기 편광소자까지의 광로중에 배치된 광학소자가, m + 2σ < 5.0㎚/㎝(여기서, 광학소자의 유리재의 복굴절량의 평균이 m, 광학소자의 유리재의 복굴절량의 표준편차가 σ임)인 것을 특징으로 하는 조명광학계.
  11. 제 1항에 있어서, 상기 편광소자에 입사하는 상기 광의 광선군의 광량 무게중심이 상기 광의 광축과 실질적으로 평행한 것을 특징으로 하는 조명광학계.
  12. 제 1항에 있어서, 상기 편광소자는 상기 광로에의 삽입 및 상기 광로로부터의 제거가 가능한 것을 특징으로 하는 조명광학계.
  13. 제 1항에 있어서, 상기 편광소자는, 이 편광소자와 다른 편광비의 조정량을 가진 편광소자로 교환가능한 것을 특징으로 하는 조명광학계.
  14. 광원으로부터의 광을 이용해서 목표 면을 조명하는 조명광학계에 있어서,
    상기 광원으로부터 상기 목표 면까지의 광로중에 배치되어 상기 광의 편광비 를 조정하는 편광소자를 구비하고,
    상기 편광소자로부터 상기 목표 면까지의 광로중에 파워를 지닌 광학소자가 배치되어 있지 않은 것을 특징으로 하는 조명광학계.
  15. 제 14항에 있어서, 상기 편광소자로부터 상기 목표 면까지의 광로중에 광학소자가 배치되어 있지 않은 것을 특징으로 하는 조명광학계.
  16. 광원으로부터의 광을 이용해서 목표 면을 조명하는 조명광학계와;
    상기 목표 면을 통과한 광을 기판에 인도하기 위한 투영광학계를 구비한 노광장치에 있어서,
    상기 조명광학계는,
    상기 광원으로부터 상기 목표 면까지의 광로중에 배치되어, 상기 광의 편광비를 조정하는 편광소자와;
    상기 편광소자로부터 상기 목표 면까지의 광로중에 배치된 광학소자를 구비하고,
    상기 광학소자의 총 복굴절량이 m + 2σ < 1.0㎚/㎝(여기서, 광학소자의 유리재의 복굴절량의 평균이 m, 광학소자의 유리재의 복굴절량의 표준편차가 σ임)인 것을 특징으로 하는 노광장치.
  17. 제 16항에 있어서, 상기 노광장치가 주사식 노광장치이고, 또, 유전체 다층 막이 형성된 상기 편광소자의 적어도 1개의 면이 주사방향을 따라서 경사져 있는 것을 특징으로 하는 노광장치.
  18. 광원으로부터의 광을 이용해서 목표 면을 조명하는 조명광학계와;
    상기 목표 면을 통과한 광을 기판에 인도하기 위한 투영광학계를 구비한 노광장치에 있어서,
    상기 조명광학계는,
    상기 광원으로부터 상기 목표 면까지의 광로중에 배치되어, 상기 광의 편광비를 조정하는 편광소자를 구비하고,
    상기 편광소자로부터 상기 목표 면까지의 광로중에 파워를 지닌 광학소자가 배치되어 있지 않은 것을 특징으로 하는 노광장치.
  19. 노광장치를 이용해서 물체를 노광하는 공정과;
    노광된 상기 물체에 대해서 현상처리를 행하는 공정을 지니는 디바이스의 제조방법에 있어서,
    상기 노광장치는,
    광원으로부터의 광을 이용해서 목표 면을 조명하는 조명광학계와;
    상기 목표 면을 통과한 광을 기판에 인도하기 위한 투영광학계를 포함하고,
    상기 조명광학계는,
    상기 광원으로부터 상기 목표 면까지의 광로중에 배치되어, 상기 광의 편광 비를 조정하는 편광소자와;
    상기 편광소자로부터 상기 목표 면까지의 광로중에 배치된 광학소자를 구비하고,
    상기 광학소자의 총 복굴절량이 m + 2σ < 1.0㎚/㎝(여기서, 광학소자의 유리재의 복굴절량의 평균이 m, 광학소자의 유리재의 복굴절량의 표준편차가 σ임)인 것을 특징으로 하는 디바이스의 제조방법.
  20. 노광장치를 이용해서 물체를 노광하는 공정과;
    노광된 상기 물체에 대해서 현상처리를 행하는 공정을 지니는 디바이스의 제조방법에 있어서,
    상기 노광장치는,
    광원으로부터의 광을 이용해서 목표 면을 조명하는 조명광학계와;
    상기 목표 면을 통과한 광을 기판에 인도하기 위한 투영광학계를 포함하고,
    상기 조명광학계는,
    상기 광원으로부터 상기 목표 면까지의 광로중에 배치되어, 상기 광의 편광비를 조정하는 편광소자를 구비하고,
    상기 편광소자로부터 상기 목표 면까지의 광로중에 파워를 지닌 광학소자가 배치되어 있지 않은 것을 특징으로 하는 디바이스의 제조방법.
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EP3226073A3 (en) 2003-04-09 2017-10-11 Nikon Corporation Exposure method and apparatus, and method for fabricating device
TW201834020A (zh) 2003-10-28 2018-09-16 日商尼康股份有限公司 照明光學裝置、曝光裝置、曝光方法以及元件製造方法
TW201809801A (zh) 2003-11-20 2018-03-16 日商尼康股份有限公司 光學照明裝置、曝光裝置、曝光方法、以及元件製造方法
CN1910522B (zh) 2004-01-16 2010-05-26 卡尔蔡司Smt股份公司 偏振调制光学元件
US20070019179A1 (en) 2004-01-16 2007-01-25 Damian Fiolka Polarization-modulating optical element
TWI395068B (zh) 2004-01-27 2013-05-01 尼康股份有限公司 光學系統、曝光裝置以及曝光方法
TWI437618B (zh) 2004-02-06 2014-05-11 尼康股份有限公司 偏光變換元件、光學照明裝置、曝光裝置以及曝光方法
JP4776891B2 (ja) 2004-04-23 2011-09-21 キヤノン株式会社 照明光学系、露光装置、及びデバイス製造方法
JP2007220767A (ja) * 2006-02-15 2007-08-30 Canon Inc 露光装置及びデバイス製造方法
JP2007258575A (ja) * 2006-03-24 2007-10-04 Canon Inc 照明装置、当該照明装置を有する露光装置及びデバイス製造方法
JP4752695B2 (ja) * 2006-09-15 2011-08-17 ソニー株式会社 マスクパターン補正方法，マスクパターン補正装置およびそのプログラム
US7817250B2 (en) * 2007-07-18 2010-10-19 Carl Zeiss Smt Ag Microlithographic projection exposure apparatus
DE102007043958B4 (de) 2007-09-14 2011-08-25 Carl Zeiss SMT GmbH, 73447 Beleuchtungseinrichtung einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage
TW200938957A (en) * 2008-03-05 2009-09-16 Nanya Technology Corp Feedback system and feedback method for controlling power ratio of light source
JP5167032B2 (ja) 2008-08-27 2013-03-21 キヤノン株式会社 計算機ホログラム、露光装置及びデバイスの製造方法
JP2009065175A (ja) * 2008-10-02 2009-03-26 Canon Inc 照明光学系
JP5688672B2 (ja) * 2009-02-17 2015-03-25 株式会社ニコン 光伝送装置、照明光学系、露光装置、およびデバイス製造方法
JP5511882B2 (ja) * 2012-04-19 2014-06-04 ギガフォトン株式会社 極端紫外光源装置
WO2018229854A1 (ja) * 2017-06-13 2018-12-20 ギガフォトン株式会社 レーザ装置及び光学素子の製造方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004103746A (ja) 2002-09-09 2004-04-02 Nikon Corp 露光装置および露光方法

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2884947B2 (ja) * 1992-10-01 1999-04-19 株式会社ニコン 投影露光装置、露光方法および半導体集積回路の製造方法
JP3322274B2 (ja) * 1992-10-29 2002-09-09 株式会社ニコン 投影露光方法及び投影露光装置
JP3189993B2 (ja) 1993-10-14 2001-07-16 日本電信電話株式会社 多地点間音声通信端末
WO1999049505A1 (fr) * 1998-03-24 1999-09-30 Nikon Corporation Illuminateur, procede et appareil d'exposition, procede de fabrication dudit dispositif
JP3985346B2 (ja) * 1998-06-12 2007-10-03 株式会社ニコン 投影露光装置、投影露光装置の調整方法、及び投影露光方法
JP4065923B2 (ja) * 1998-09-29 2008-03-26 株式会社ニコン 照明装置及び該照明装置を備えた投影露光装置、該照明装置による投影露光方法、及び該投影露光装置の調整方法
JP4207389B2 (ja) * 1999-01-06 2009-01-14 株式会社ニコン 投影光学系、その製造方法、及びそれを用いた投影露光装置
WO2000067303A1 (fr) * 1999-04-28 2000-11-09 Nikon Corporation Procede et appareil d'exposition
US6410192B1 (en) * 1999-11-15 2002-06-25 Corning Incorporated Photolithography method, photolithography mask blanks, and method of making
JP3639807B2 (ja) * 2001-06-27 2005-04-20 キヤノン株式会社 光学素子及び製造方法
US6994747B2 (en) * 2001-07-17 2006-02-07 Nikon Corporation Method for producing optical member
JP2003090978A (ja) * 2001-09-17 2003-03-28 Canon Inc 照明装置、露光装置及びデバイス製造方法
DE10329360B4 (de) * 2002-07-01 2008-08-28 Canon K.K. Doppelbrechungsmessgerät, Spannungsentfernungseinrichtung, Polarimeter und Belichtungsgerät
JP4095376B2 (ja) * 2002-08-28 2008-06-04 キヤノン株式会社 露光装置及び方法、並びに、デバイス製造方法
JP2004128602A (ja) 2002-09-30 2004-04-22 Canon Inc 画像編集方法、画像編集装置、プログラム及び記録媒体
US6975765B2 (en) * 2003-05-06 2005-12-13 New Light Industries, Ltd. Optically variable form birefringent structure and method and system and method for reading same
JP4776891B2 (ja) 2004-04-23 2011-09-21 キヤノン株式会社 照明光学系、露光装置、及びデバイス製造方法

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004103746A (ja) 2002-09-09 2004-04-02 Nikon Corp 露光装置および露光方法

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