JP2009194238A - 露光装置及びデバイス製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】第1のステージに保持されたレチクルのパターンを第2のステージに保持された基板に投影する投影光学系を備える露光装置であって、前記投影光学系を通過した光を撮像素子に入射させる結像光学系を含み、前記結像光学系と前記投影光学系との全体の複屈折を測定する測定部と、前記測定部の校正時において、前記結像光学系の複屈折を測定するために前記投影光学系の物体面側に配置され、前記測定部からの光を反射して前記投影光学系を介さずに前記測定部に戻す校正部と、前記測定部によって前記結像光学系と前記投影光学系との全体の複屈折を測定した結果から前記投影光学系の物体面側に前記校正部を配置して前記測定部によって測定した前記結像光学系の複屈折を分離して、前記投影光学系の複屈折を算出する算出部と、を有することを特徴とする露光装置を提供する。
【選択図】図1
Description
θD=Δr/f0 ・・・(式1)
但し、式1において、f0は、瞳結像レンズ708の焦点距離、詳細には、瞳結像レンズ708を構成するレンズのうちハーフミラー706側に配置されたレンズの焦点距離を表している。
J_g=J_r−1×J_m ・・・(式2)
但し、式2において、J_r−1は、測定部70の復路光学系の複屈折を表すジョーンズ行列J_rの逆行列を表している。
J_p=(J_r−1×J_a×J_g−1)1/2 ・・・(式3)
このように、本実施形態では、測定部70の往路光学系の複屈折及び復路光学径の複屈折を2回の測定で得ることが可能であり、測定部70と投影光学系40との全体の複屈折からシステムエラーを分離することができる。従って、露光装置1は、投影光学系40の複屈折を、露光装置上で短時間、且つ、高精度に測定することができる。
10 光源
20 照明光学系
22 整形光学系
24 インコヒーレント化光学系
26 照明系
30 レチクル
35 レチクルステージ
40 投影光学系
50 ウエハ
55 ウエハステージ
60 制御部
70 測定部
701 ファイバ
702 ファイバポート
703 λ/2板
704 偏光子
705 ビームエキスパンダ
706 ハーフミラー
707 対物レンズ
708 瞳結像レンズ
709 λ/4板
710 検光子
711 撮像素子
712 空間フィルタ
713 凹面ミラー
80 校正部
82 凹面ミラー
84、84a乃至84c 凹面ミラー
86、86a乃至86c プリズム
810a乃至810c 光学ユニット
811a 折り曲げミラー
812a レンズ
813a 偏光ビームスプリッタ
814a 反射ミラー
100 干渉計
720 干渉計用光源
721 波面整形用ピンホール
722 TSレンズ
Claims (10)
- 第1のステージに保持されたレチクルのパターンを第2のステージに保持された基板に投影する投影光学系を備える露光装置であって、
前記投影光学系を通過した光を撮像素子に入射させる結像光学系を含み、前記結像光学系と前記投影光学系との全体の複屈折を測定する測定部と、
前記測定部の校正時において、前記結像光学系の複屈折を測定するために前記投影光学系の物体面側に配置され、前記測定部からの光を反射して前記投影光学系を介さずに前記測定部に戻す校正部と、
前記測定部によって前記結像光学系と前記投影光学系との全体の複屈折を測定した結果から前記投影光学系の物体面側に前記校正部を配置して前記測定部によって測定した前記結像光学系の複屈折を分離して、前記投影光学系の複屈折を算出する算出部と、
を有することを特徴とする露光装置。 - 前記校正部は、前記第1のステージに載置されていることを特徴とする請求項1に記載の露光装置。
- 前記校正部は、前記投影光学系に載置されていることを特徴とする請求項1に記載の露光装置。
- 前記校正部は、前記結像光学系の光路に挿脱可能に構成されていることを特徴とする請求項1に記載の露光装置。
- 前記校正部は、
入射光を反射して前記測定部に戻すミラーと、
入射光のうち互いに異なる少なくとも3つの直線偏光をそれぞれ透過する複数のプリズムと、
前記複数のプリズムを透過した光をそれぞれ反射して前記測定部に戻す複数のミラーと、
を含むことを特徴とする請求項1乃至4のうちいずれか1項に記載の露光装置。 - 前記複数のプリズムのそれぞれは、ウォラストンプリズムを含むことを特徴とする請求項5に記載の露光装置。
- 前記校正部は、
入射光のうち所定の直線偏光のみを反射する偏光ビームスプリッタと、前記偏光ビームスプリッタで反射された光を反射して前記測定部に戻すミラーとを含む複数の光学ユニットを有し、
前記複数の光学ユニットは、それぞれの前記偏光ビームスプリッタが互いに異なる少なくとも3つの直線偏光を反射するように配置され、
前記複数の光学ユニットのうち1つの光学ユニットは、入射光を反射して前記測定部に戻すミラーを更に含むことを特徴とする請求項1乃至4のうちいずれか1項に記載の露光装置。 - 前記結像光学系は、光源からの光を前記投影光学系に入射させる往路光学系と、前記投影光学系を通過した光を前記撮像素子に入射させる復路光学系とを含み、
前記投影光学系の物体面側に配置された前記校正部が入射光を反射して前記測定部に戻すことで前記結像光学系の複屈折が前記測定部によって測定され、
前記投影光学系の物体面側に配置された前記校正部が入射光のうち互いに異なる少なくとも3つの直線偏光を反射して前記測定部に戻すことで前記復路光学系の複屈折が前記測定部によって測定されることを特徴とする請求項1に記載の露光装置。 - 前記算出部は、前記測定部によって測定された前記結像光学系の複屈折から前記測定部によって測定された前記復路光学系の複屈折を分離して、前記往路光学系の複屈折を算出することを特徴とする請求項8に記載の露光装置。
- 請求項1乃至9のうちいずれか1項に記載の露光装置を用いて基板を露光するステップと、
露光された前記基板を現像するステップと、
を有することを特徴とするデバイス製造方法。
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Cited By (2)
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Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001296206A (ja) * | 2000-04-13 | 2001-10-26 | Nikon Corp | 複屈折測定装置及び複屈折測定方法 |
JP2004061515A (ja) * | 2002-07-29 | 2004-02-26 | Cark Zeiss Smt Ag | 光学系による偏光状態への影響を決定する方法及び装置と、分析装置 |
JP2006214856A (ja) * | 2005-02-03 | 2006-08-17 | Canon Inc | 測定装置及び方法 |
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---|---|---|---|---|
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Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001296206A (ja) * | 2000-04-13 | 2001-10-26 | Nikon Corp | 複屈折測定装置及び複屈折測定方法 |
JP2004061515A (ja) * | 2002-07-29 | 2004-02-26 | Cark Zeiss Smt Ag | 光学系による偏光状態への影響を決定する方法及び装置と、分析装置 |
JP2006214856A (ja) * | 2005-02-03 | 2006-08-17 | Canon Inc | 測定装置及び方法 |
JP2007059566A (ja) * | 2005-08-24 | 2007-03-08 | Canon Inc | 露光装置及びデバイス製造方法 |
JP2008277632A (ja) * | 2007-05-01 | 2008-11-13 | Canon Inc | 測定方法、測定装置、露光装置及びデバイス製造方法 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014041134A (ja) * | 2009-03-20 | 2014-03-06 | Carl Zeiss Smt Gmbh | 複屈折を測定する測定法及び測定システム |
JP2013165961A (ja) * | 2012-01-20 | 2013-08-29 | Canon Inc | 制御装置及び制御方法 |
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