KR100694781B1 - 레지스트막 제거 장치와 레지스트막 제거 방법, 및 유기물제거 장치와 유기물 제거 방법 - Google Patents

레지스트막 제거 장치와 레지스트막 제거 방법, 및 유기물제거 장치와 유기물 제거 방법 Download PDF

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Abstract

시트 피딩 타입의 레지스트 제거 장치는, 세정 대상인 기판(111)이 설치되며 폐쇄 공간을 구성하는 처리 챔버(101)와, 세정액을 소위 액적 상태에서 기판(111)의 표면에 분무하는 분무 노즐(102)을 구비하여 구성되며, 배치된 기판(111)이 분무 노즐(102)과 대향한 상태에서, 처리 챔버(101)에 의해 기판(111)을 내포하는 상기 폐쇄 공간이 형성된다. 이 구성에 의해, 세정액을 기판(111) 표면의 레지스트막에 분무하여 그 레지스트막을 제거함에 있어서, 에너지 저감화를 고려하여 세정액을 액적 상태로 하고, 나아가서는 레지스트막에 접촉할 때의 액적의 온도를 원하는 온도로 제어하여, 레지스트막의 확실한 제거를 가능하게 한다.

Description

레지스트막 제거 장치와 레지스트막 제거 방법, 및 유기물 제거 장치와 유기물 제거 방법{RESIST FILM REMOVING APPARATUS, METHOD OF REMOVING RESIST FILM, ORGANIC MATTER REMOVING APPARATUS AND METHOD OF REMOVING ORGANIC MATTER}
본 발명은 반도체 기판이나 유리 기판에 반도체 집적 회로 등의 미세 구조를 형성하기 위한 리소그래피 공정에 있어서 불가결한 레지스트를 제거하기 위한 장치 및 방법과, 프린트 기판을 대상으로 한 유기물 제거 장치 및 방법에 관한 것이다.
현재, 레지스트막을 제거하는 수법으로서는, 산소 플라즈마에 의해 레지스트막을 탄화 제거하는 방법과, 유기 용매(페놀계ㆍ할로겐계 등의 유기 용매, 90℃∼130℃)를 이용하여 레지스트막을 가열 용해시키는 방법 또는 진한 황산ㆍ과산화수소를 이용하는 가열 용해법이 있다. 이들 중 어느 방법도, 레지스트막을 분해하여 용해하기 위한 시간, 에너지 및 화학 재료가 필요하므로, 리소그래피 공정의 부담으로 되고 있다. 이러한 탄화나 용해에 의한 제거를 대신하는 새로운 레지스트 제거 기술에 대한 요구는 크지만, 제거 기술의 개발은 아직 그 수가 적다. 현재 시점에서, 세정액을 이용하여 고주파 초음파의 제거 작용을 이용하는 기술이나, 세정액의 증기를 노즐로부터 분출하여 레지스트에 접촉시키는 기술 등이 개발 중에 있다.
그러나, 전술한 제거 기술은 모두 레지스트에 대응한 적절한 물리적ㆍ화학적 제어가 곤란하며, 특히 후자의 세정액의 증기를 이용하는 기술에서는 장치 구성의 간소화를 도모할 수 있는 한편으로, 레지스트에 증기가 접촉할 때에 있어서의 그 증기의 온도 제어가 뜻대로 되지 않아, 충분한 제거 효과를 얻을 수 없다고 하는 문제가 있다.
그래서, 본 발명의 목적은 세정액을 기판 표면의 레지스트막(또는 유기물)에 분무하여 그 레지스트막(또는 유기물)을 제거함에 있어서, 에너지 저감화를 고려하여 세정액을 액적 상태로 하고, 나아가서는 레지스트막(또는 유기물)에 접촉할 때의 상기 액적의 온도를 원하는 온도로 제어하여, 확실한 레지스트막(또는 유기물)의 제거를 가능하게 하는 데에 있으며, 자원ㆍ에너지 다소비형 기술로부터의 탈각(脫却), 즉 레지스트(또는 유기물)의 제거에 에너지나 화학 용제에 의존하지 않는 환경 친화형 기술을 실현시키는 레지스트막(유기물) 제거 장치 및 레지스트막(유기물) 제거 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 레지스트막 제거 장치는, 리소그래피 공정에서 이용되는 레지스트막 제거 장치로서, 표면에 레지스트막이 형성된 평탄한 표면의 기판을 세정 대상으로 하고 있으며, 상기 기판을 이동시키는 이동 수단과, 세정액을 고온의 액적형으로 하여 분무하는 대략 선형의 분무 수단과, 상기 기판 및 상기 분무 수단을 내포하는 폐쇄 공간을 구성하는 폐쇄 수단을 구비하고, 상기 폐쇄 수단 내에서 상기 기판의 상기 레지스트막이 상기 분무 수단과 대향된 상태에서, 상기 분무 수단에 의해 상기 액적형의 세정액을 상기 레지스트막에 접촉시킬 때, 상기 폐쇄 수단 내의 온도 및 습도를 소정으로 조절하여, 상기 액적형의 세정액이 상기 레지스트막에 접촉할 때의 온도를 제어하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 레지스트막 제거 장치의 한 형태에서는, 세정 대상인 상기 기판이 플랫ㆍ패널ㆍ디스플레이의 유리 기판이다.
본 발명의 유기물 제거 장치는, 프린트 기판의 리소그래피 공정에 이용되는 유기물 제거 장치로서, 표면에 유기물이 부착된 평탄한 상기 프린트 기판을 세정 대상으로 하고 있고, 상기 프린트 기판을 이동시키는 이동 수단과, 세정액을 고온의 액적형으로 하여 분무하는 대략 선형의 분무 수단과, 상기 프린트 기판 및 상기 분무 수단을 내포하는 폐쇄 공간을 구성하는 폐쇄 수단을 구비하고, 상기 폐쇄 수단 내에서 상기 프린트 기판의 상기 유기물이 상기 분무 수단과 대향된 상태에서, 상기 분무 수단에 의해 상기 액적형의 세정액을 상기 유기물에 접촉시킬 때, 상기 폐쇄 수단 내의 온도 및 습도를 소정으로 조절하여, 상기 액적형의 세정액이 상기 유기물에 접촉할 때의 온도를 제어하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 레지스트막 제거 장치는, 리소그래피 공정에 이용되는 레지스트막 제거 장치로서, 표면에 레지스트막이 형성된 세정 대상 기판을 유지하는 유지 수단과, 세정액을 고온의 액적형으로 하여 분무하는 분무 수단과, 상기 레지스트막에 상기 분무 수단이 대향된 상태로, 상기 기판 및 상기 분무 수단을 내포하는 폐쇄 공간을 구성하는 폐쇄 수단을 구비하고, 상기 분무 수단에 의해 상기 레지스트막에 상기 액적형의 세정액을 접촉시킬 때, 상기 폐쇄 수단 내의 온도 및 습도를 소정으로 조절하여, 상기 액적형의 세정액이 상기 레지스트막에 접촉할 때의 온도를 제어하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 레지스트막 제거 장치의 한 형태에서는, 세정 대상인 상기 기판이 반도체 기판이다.
본 발명의 레지스트막 제거 장치의 한 형태에서는, 세정 대상인 상기 기판이 대략 원 형상인 것이다.
본 발명의 레지스트막 제거 장치의 한 형태에서는, 상기 기판을 회전시키면서 세정한다.
본 발명의 레지스트막 제거 장치의 한 형태에서는, 세정 대상인 상기 기판이 포토리소그래피에 이용하는 포토마스크이다.
본 발명의 레지스트막 제거 장치의 한 형태에서는, 상기 분무 수단은 물 또는 약액을 공급하는 제1 노즐과, 수증기 또는 고온 가스를 공급하는 제2 노즐을 구비하고, 상기 제2 노즐로부터 공급되는 수증기 또는 고온 가스에 의해, 상기 제1 노즐로부터 공급되는 물 또는 약액을 액적형의 세정액으로 하여 상기 레지스트막에 접촉시킨다.
본 발명의 레지스트막 제거 장치의 한 형태에서는, 상기 분무 수단은 물 또는 약액을 공급하는 제1 노즐과, 수증기 및 고온 가스를 혼합하여 이루어지는 습도 100%의 고온 가스를 공급하는 제2 노즐을 구비하고, 상기 제2 노즐로부터 공급되는 상기 습도 100%의 고온 가스에 의해, 상기 제1 노즐로부터 공급되는 물 또는 약액을 액적형의 세정액으로 하여 상기 레지스트막에 접촉시킨다.
본 발명의 레지스트막 제거 장치의 한 형태에서는, 상기 분무 수단은 물 또는 약액을 공급하는 노즐을 구비하고, 이 노즐은 물 또는 약액을 액적형의 세정액으로 하여 상기 레지스트막에 접촉시킨다.
본 발명의 레지스트막 제거 장치의 한 형태에서는, 상기 분무 수단은 상기 액적형의 세정액이 상기 레지스트막에 접촉할 때의 온도를 70℃ 이상의 값으로 제어한다.
본 발명의 레지스트막 제거 장치의 한 형태에서는, 상기 약액은 레지스트 변질 촉진 성분을 포함하는 것이다.
본 발명의 레지스트막 제거 장치의 한 형태에서는, 상기 제1 노즐로부터 공급되는 물 또는 약액의 온도를 70℃ 이상의 값으로 한다.
본 발명의 레지스트막 제거 장치의 한 형태는, 상기 제1 노즐로부터 공급되는 물 또는 약액의 온도를 70℃ 이상의 값으로 가열하는 가열 수단을 구비한다.
본 발명의 레지스트막 제거 방법은, 리소그래피 공정에서 실행되는 레지스트막 제거 방법으로서, 기판 표면에 형성된 레지스트막을 제거함에 있어서, 상기 기판을 폐쇄 공간 내에 유지하여, 상기 폐쇄 공간 내의 온도 및 습도를 소정으로 조절한 상태에서, 세정액을 상기 온도 조절에 의해 온도 제어된 액적형으로 하여 상기 레지스트막에 접촉시킨다.
본 발명의 레지스트막 제거 방법의 한 형태에서는, 세정 대상인 상기 기판이 반도체 기판이다.
본 발명의 레지스트막 제거 방법의 한 형태에서는, 세정 대상인 상기 기판이 대략 원 형상인 것이다.
본 발명의 레지스트막 제거 방법의 한 형태에서는, 상기 기판을 회전시키면서 세정한다.
본 발명의 레지스트막 제거 방법의 한 형태에서는, 세정 대상인 상기 기판이 포토리소그래피에 이용하는 포토마스크이다.
본 발명의 레지스트막 제거 방법은, 리소그래피 공정에서 실행되는 레지스트막 제거 방법으로서, 평탄한 기판 표면에 형성된 레지스트막을 제거함에 있어서, 상기 기판을 폐쇄 공간 내로 이동시켜, 상기 폐쇄 공간 내의 온도 및 습도를 소정으로 조절한 상태에서, 세정액을 선형 노즐에 의해, 상기 온도 조절에 의해 온도 제어된 액적형으로 하여 상기 레지스트막에 접촉시키는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 레지스트막 제거 방법의 한 형태에서는, 세정 대상인 상기 기판이 플랫ㆍ패널ㆍ디스플레이의 기판이다.
본 발명의 유기물 제거 방법은, 프린트 기판의 리소그래피 공정에서 실행되는 유기물 제거 방법으로서, 평탄한 상기 프린트 기판 표면에 부착된 유기물을 제거함에 있어서, 상기 프린트 기판을 폐쇄 공간 내로 이동시켜, 상기 폐쇄 공간 내의 온도 및 습도를 소정으로 조절한 상태에서, 세정액을 선형 노즐에 의해, 상기 온도 조절에 의해 온도 제어된 액적형으로 하여 상기 유기물에 접촉시키는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 레지스트막 제거 방법의 한 형태에서는, 수증기 또는 고온 가스에 의해, 물 또는 약액을 액적형의 세정액으로 하여, 상기 레지스트막에 접촉시킨다.
본 발명의 레지스트막 제거 방법의 한 형태에서는, 상기 액적형의 세정액이 상기 레지스트막에 접촉할 때의 온도를 70℃ 이상의 범위 내의 값으로 제어한다.
본 발명의 레지스트막 제거 방법의 한 형태에서는, 상기 약액은 레지스트 변질 촉진 성분을 포함하는 것이다.
본 발명의 레지스트막 제거 방법의 한 형태에서는, 상기 물 또는 약액의 온도를 70℃ 이상의 값으로 한다.
도 1은 제1 실시예에 의한 레지스트막 제거 장치의 개략 구성을 도시하는 단면도이다.
도 2는 본 발명의 효과를 확인하기 위한 실험예 1에 사용된 세정 장치의 개략도이다.
도 3은 노즐 분출구로부터 떨어진 각각의 위치에 있어서의 액적 온도와 폐쇄 공간 내의 분위기 온도와의 관계를 나타내는 특성도이다.
도 4는 본 발명의 효과를 확인하기 위한 실험예 2에 사용된 세정 장치의 개략이다.
도 5는 제2 실시예에 의한 레지스트막 제거 장치의 개략 구성을 도시하는 단면도이다.
이하, 본 발명을 적용한 바람직한 여러 가지 실시예에 관해서, 도면을 참조하면서 상세히 설명한다.
이들 실시예에서는, 리소그래피 공정에 있어서 필수적인 레지스트 제거를 실행하는 구체적인 장치 및 방법을 개시한다. 리소그래피 공정이란, 반도체 집적 회로 등의 미세 구조를 형성하기 위해서, 기판 표면에 레지스트막을 접착시키고, 마스크에 형성되는 미세 구조 패턴 간극을 통해 전자파 에너지를 조사(照射)하여, 조사 부위와 비조사 부위의 레지스트 용해성의 차이를 이용하여 패턴을 현상하여, 패턴 에칭을 실행하는 공정이다.
(제1 실시예)
본 실시예에서는, 플랫ㆍ패널ㆍ디스플레이(FPD)에 사용되는 대략 직사각형의 유리 기판을 세정 대상으로 하는 시트 피딩 타입의 레지스트 제거 장치 및 이것을 이용한 제거 방법을 예시한다.
도 1은 제1 실시예에 의한 레지스트막 제거 장치의 개략 구성을 도시하는 단면도이다.
이 장치는, 세정 대상인 유리 기판(111)이 적재되고, 세정 표면을 노출시킨 상태로 이동시키고 유리 기판(111)을 반입ㆍ반출하는 컨베이어형의 기판 반출입 기구(103)와, 내부에 유리 기판(111)을 설치한 상태로 상기 유리 기판(111)을 내포하는 폐쇄 공간을 구성하는 처리 챔버(101)와, 세정액을 소위 액적 상태로 유리 기판(111)의 표면에 분무하는 분무 노즐(102)을 구비하여 구성되어 있다.
처리 챔버(101)는 수지 또는 SUS로 이루어지며, 처리가 종료된 세정액을 배출하는 배관을 갖는 액체 배출 기구(112)와, 상기 챔버 내의 분위기를 원하는 온도 및 습도로 제어하는 온도ㆍ습도 제어 기구(113)와, 후술하는 N2 등의 고온 가스의 공급 라인(132)을 이용할 때에, 부족한 열량을 수증기 등의 공급에 의해 보급하는 열량 보급 배관(118)을 구비하여 구성되어 있다. 이 온도ㆍ습도 제어 기구(113)는, 예컨대 히터 가열 기구 또는 램프 가열 기구를 갖추고 있다. 여기서는, 히터 가열 기구(113a)를 도시한다.
분무 노즐(102)은 세정액을 원하는 기체와 혼합시켜 공급하는 소위 2 유체의 선형 노즐(라인 노즐)로서, 설치된 유리 기판(111)의 표면과 대향하도록 설치되어 있으며, 액체인 세정액을 공급하는 세정액 공급 기구(114)와, 기체를 공급하는 기체 공급 기구(115)와, 세정액과 기체가 혼합되는 혼합 챔버(116)와, 혼합된 세정액과 기체를 액적 상태로 대향 배치된 유리 기판(111)의 표면에 라인형으로 균일 분무하기 위한 다공질 세라믹판(117)을 구비하여 구성되어 있다.
한편, 다공질 세라믹판(117)을 갖지 않는 일반적인 스프레이 노즐을 이용하더라도 좋다. 또, 온수를 액적 상태로 분무하는 소위 1 유체의 선형 노즐을 이용하는 것도 생각할 수 있다.
세정액 공급 기구(114)는 약액, 여기서는 초순수(DIW) 또는 레지스트 변질 촉진 성분을 포함하는 초순수 등을 소정량(예컨대 20 cc/분) 공급하기 위한 플런저 펌프(121)와, 플런저 펌프(121)로부터 공급된 약액을 원하는 온도까지 가열하는 온수 가열기(122)와, 온수 가열기(122)에 의해 가열된 약액을 혼합 챔버(116)에 공급하기 위한 배관(123)을 구비하여 구성되어 있다.
레지스트 변질 촉진 성분으로서는, 산화성 물질이 가교 또는 산화의 촉진 성분으로서 유효하다. 예컨대, 과산화수소는 이온 주입 처리 레지스트막도 단시간에 변질ㆍ제거시킨다. 이는 강력한 라디칼 반응에 의한 레지스트의 화학 결합의 산화 작용에 의한 것으로 생각된다. 오존수도 산화 촉진 성분으로서 유효하다.
그 밖의 산화성 물질로서, Cl2-H2O, Br2-H2O, I2-KI, NaClO, NaClO4, KMnO4, K2CrO7, Ce(SO4)2 등이 선택된다.
알칼리는 강력한 촉진 성분이다. 예컨대 pH치로 8∼14 정도, 바람직하게는 10∼12의 가성 알칼리 수용액이 이용된다. 레지스트 표면에 습윤성ㆍ침투성을 가져서, 제거 작용이 신속하게 된다. 알칼리로서, KOH, NaOH, NaCO3, Ca(OH)2, Ba(OH)2, NH4OH, TMAH 등을 이용할 수 있다.
기체 공급 기구(115)는 수증기의 공급 라인(131)과, N2 등의 고온 가스의 공급 라인(132)이 선택적으로, 또는 쌍방을 병용하여 사용이 자유로운 상태로 되고 있다. 수증기를 생성하기 위해서는 큰 기화열이 필요한데, N2 등의 고온 가스를 이용함으로써 에너지 절약이 실현되어, 대폭적인 전력 삭감이 가능하게 된다. 또한, 후술하는 바와 같이, 수증기의 공급 라인(131)과 N2 등의 고온 가스의 공급 라인(132)을 병용하여, 습도 100%의 고온 가스를 생성하여 공급하더라도 좋다.
수증기의 공급 라인(131)은 초순수를 소정량(예컨대 20 cc/분) 공급하기 위한 다이어프램 펌프(124)와, 다이어프램 펌프(124)로부터 공급된 초순수를 가열하 여 수증기를 생성하는 기화기(125)와, 기화기(125)에 의해 생성된 수증기를 혼합 챔버(116)에 공급하기 위한 배관(126)을 구비하여 구성되어 있다.
다른 한편, 고온 가스의 공급 라인(132)은 가스의 유량 조절기(127)와, 가스를 소정 온도로 가열하는 가스 가열기(128)를 구비하여 구성되어 있다.
이 시트 피딩 타입 레지스트 제거 장치를 이용하여 유리 기판(111) 표면의 레지스트를 제거하기 위해서는, 우선 기판 반출입 기구(103)에 의해 유리 기판(111)을 처리 챔버(101) 내로 반입한다. 이 때, 유리 기판(111)은 처리 챔버(101) 내에서 거의 밀폐된 상태로, 분무 노즐(102)의 다공질 세라믹판(117)과 대향한다.
그리고, 온도ㆍ습도 제어 기구(113)에 의해 처리 챔버(101) 내의 온도를 소정 온도, 여기서는 70℃∼90℃, 바람직하게는 80℃∼90℃ 범위 내의 값으로, 습도를 거의 100%의 상태로 제어한 상태에서, 온수 가열기(122)에 의해 90℃ 정도로 된 세정액과, 기화기(125)에 의해 150℃ 정도로 생성된 수증기, 또는 가스 가열기(128)에 의해 150℃ 정도로 생성된 고온 가스를 혼합 챔버(116) 내에서 혼합시키고, 유리 기판(111)을 이동시키면서, 액적 상태로 된 세정액을 다공질 세라믹판(117)으로부터 기판(111)의 레지스트막에 분무한다. 이 때, 유리 기판(111)의 이동에 따라서, 기판 표면 전체에 서서히 세정액이 균일하게 분무되어 간다.
또한, 이 시트 피딩 타입의 레지스트 제거 장치를 이용하여 유리 기판(111) 표면의 레지스트를 제거함에 있어서, 기체 공급 기구(115)를 구성하는 수증기의 공급 라인(131)과 N2 등의 고온 가스의 공급 라인(132)을 병용하는 형태도 적합하다. 이 경우, 전술한 바와 마찬가지로, 온도ㆍ습도 제어 기구(113)에 의해 처리 챔버(101) 내의 온도를 소정 온도, 여기서는 70℃∼90℃, 바람직하게는 80℃∼90℃ 범위 내의 값으로, 습도를 거의 100%의 상태로 제어한 상태에서, 온수 가열기(122)에 의해 90℃ 정도로 된 세정액과, 기화기(125)에 의해 150℃ 정도로 생성된 수증기 및 가스 가열기(128)에 의해 150℃ 정도로 생성된 고온 가스를 혼합하여 이루어지는 습도 100%의 고온 가스를 혼합 챔버(116) 내에서 혼합시키고, 유리 기판(111)을 이동시키면서, 액적 상태로 된 세정액을 다공질 세라믹판(117)에서부터 기판(111)의 레지스트막에 분무한다. 이 때, 분무 노즐(102) 근방에 있어서의 액적 상태의 세정액을 원하는 온도(70℃∼90℃, 바람직하게는 80℃∼90℃)에서 거의 온도 저하시키는 일없이 분무할 수 있다. 그리고, 유리 기판(111)의 이동에 따라서, 기판 표면 전체에 서서히 세정액이 균일하게 분무되어 간다.
여기서, 본 실시예와 같이 폐쇄 공간을 형성하는 처리 챔버(101)를 이용하지 않고서, 개방 공간에서 액적 상태의 세정액을 기판 표면에 분무한 경우, 분무 노즐의 분출구에서 멀어짐에 따라서 액적 온도가 급속히 저하되어, 레지스트 제거에 지장을 초래하는 것을 알 수 있으며, 이에 대하여 본 실시예의 처리 챔버(101)를 이용하여 폐쇄 공간을 형성함으로써, 액적 온도의 저하를 초래하지 않고서 고온으로 제어된 액적 상태의 세정액을 분무할 수 있다.
이하, 구체적인 실험예 1을 통하여, 본 실시예가 발휘하는 상기 효과에 관해서 조사한 결과를 설명한다.
- 실험예 1 -
본 예에서는, 도 2에 도시한 바와 같이, 통상의 부채형 2 유체 노즐(43)을 이용하고, 세정액으로서 초순수를 공급하는 세정액 공급 기구(41)와, 수증기 공급 라인을 갖춘 기체 공급 기구(42)를 노즐(43)에 접속하고, 노즐(43)을 소정의 파트박스 및 랩으로 둘러싸서 폐쇄 공간(44)을 형성했다.
그리고, 세정액 공급 기구(41)에 있어서 초순수를 노즐(43)에 공급할 때의 온도(온수 온도)(T1) 및 기체 공급 기구(42)에 있어서 수증기를 노즐(43)에 공급할 때의 온도(증기 온도)(T2)를 거의 소정치(T1 : 87℃ 전후, T2 : 147℃ 전후)로 유지하고, 폐쇄 공간(44) 내의 분위기 온도(T6)를 19℃∼86℃까지 변화시킨다. 그 때의, 노즐(43)의 액적 분출구로부터 10 mm 아래 위치의 액적 온도(T3), 30 mm 아래 위치의 액적 온도(T4), 100 mm 아래 위치의 액적 온도(T5)를 각각 측정했다.
온도(T1∼T6)의 측정 결과를 표 1에 기재하고, 이 표 1에 기초하여, 분위기 온도(T6)가 20℃일 때와, T6이 70℃∼90℃일 때의 온도(T3, T4, T5)의 차이를 조사한 모습을 도 3에 각각 도시한다.
도 3에서는, 노즐을 둘러싸는 폐쇄 공간을 갖지 않는 종래의 세정 장치를 이용한 경우에 해당하는 분위기 온도(T6)를 20℃로 하고, 이 때에는 노즐(43)의 액적 분출구로부터 멀어짐에 따라서 주변 외기에 온도를 빼앗겨 액적 온도가 급속히 저하되는 것을 알 수 있다. 이에 대하여, 본 실시예와 같이 노즐을 둘러싸는 폐쇄 공간을 형성하여, 분위기 온도(T6)를 70℃∼90℃, 바람직하게는 80℃∼90℃ 정도로 함으로써, 액적 온도(T3, T4, T5)는 매우 근접하고, 더구나 액적 분출구로부터 100 mm 정도 떨어지더라도 거의 액적 분출구에 있어서의 액적 온도를 유지하는 것을 알 았다.
종래의 세정 장치에서는 노즐의 액적 분출구로부터 멀어지면 액적 온도의 급속한 저하를 초래하기 때문에, 액적 분출구로부터 10 mm 정도 떨어진 위치에 세정 대상인 기판 표면을 배치하고 있었지만, 상기 실험 결과로부터도 알 수 있는 것과 같이, 10 mm 정도 떨어진 위치라도 상당한 온도 저하가 생긴다. 이에 대하여, 본 실시예와 같이 노즐을 둘러싸는 폐쇄 공간을 두어, 공간 내의 분위기 온도를 소정의 고온으로 유지함으로써, 노즐의 액적 분출구와 기판 표면까지의 거리의 허용 범위가 증가하여, 프로세스 마진을 대폭 향상시킬 수 있다.
또한, 기체 공급 기구(115)에 있어서 N2 등의 고온 가스의 공급 라인(132)만을 이용하여 건성 고온 가스를 공급하여, 액적 상태의 세정액을 기판 표면에 분무하는 경우, 대폭적인 전력 삭감이 가능해지는 반면, ① 노즐 내에서 고온 가스와 액체의 세정액이 접촉했을 때, 고온 가스가 건성이기 때문에 세정액이 기화되고, ② 노즐로부터 분출 직후의 단열 팽창에 의해, 노즐 근방에서 세정액의 온도 저하를 야기한다는 것을 알고 있다. 이에 대하여 본 실시예에서는, 처리 챔버(101)를 이용하여 폐쇄 공간을 형성하고, 게다가 수증기의 공급 라인(131)과 N2 등의 고온 가스의 공급 라인(132)을 병용하여, 습도 100%의 고온 가스와 세정액으로 이루어지는 액적 상태의 세정액을 생성하여 공급함으로써, 노즐 근방에서는 세정액의 온도를 저하시키는 일없이 원하는 온도로 유지하는 동시에, 노즐로부터 이격된 부위에서는 폐쇄 공간에 의해 액적 온도의 저하를 초래하지 않고서 고온으로 제어된 액적 상태의 세정액을 분무할 수 있다.
이하, 구체적인 실험예 2를 통하여, 본 실시예가 발휘하는 상기 효과에 관해서 조사한 결과를 설명한다.
- 실험예 2 -
본 예에서는, 도 4에 도시한 바와 같이, 통상의 부채형 2 유체 노즐(54)을 이용하고, 세정액으로서 초순수를 공급하는 세정액 공급 기구(51)와, N2 등의 고온 가스 공급 라인을 갖춘 건성 가스 공급 기구(52)와, 수증기 공급 라인을 갖춘 수증기 공급 기구(53)를 노즐(54)에 접속하고, 노즐(54)을 소정의 파트박스 및 랩으로 둘러싸서 폐쇄 공간(55)을 형성했다.
그리고, 건성 가스 공급 기구(52)에 있어서 고온 가스를 노즐(54)에 공급할 때의 온도(T1), 수증기 공급 기구(53)에 있어서 초순수의 수증기를 노즐(54)에 공급할 때의 온도(T2), 고온 가스와 초순수의 수증기가 혼합된 습도 100%의 고온 가스의 온도(T3), 노즐(54)의 액적 분출구로부터 10 mm 아래 위치에 있어서의 액적 온도(T4)를 각각 측정했다.
온도(T1∼T4)의 측정 결과를 표 2에 나타낸다.
상대 습도 100%에 상당하는 양의 수증기를 가한 고온 가스를 이용한 액적을 분출할 때의 온도(액적 온도 T4)는 82℃가 되어, 목표로 하는 80℃ 이상을 달성할 수 있었다. 한편, 동일한 폐쇄 공간 내에서 고온 가스만을 이용한 액적을 분출할 때의 온도는 42℃가 되어, 목표로 하는 온도 부근까지 오르지 않았다.
이 경우, 고온 가스에 더하여 수증기를 이용하므로, 소비 전력의 증대를 최소한으로 억제할 필요가 있다. 그래서, 상기 실험에 따라 소비 전력을 시범 계산하여 보았다. 그 결과를 표 3에 나타낸다.
이와 같이, 목표로 하는 액적의 분출시의 온도에 맞춰, 수증기와 고온 가스의 최적의 비율을 조사함으로써, 소비 전력을 억제하는 것이 가능하다는 것을 알았다. 그 시범 계산 결과에 따르면, 액적 분무를 위한 기체로서 수증기만을 이용하는 경우에 비하여 24%의 소비 전력이 저감된다.
이상 설명한 바와 같이, 본 실시예에 따르면, 세정액을 기판 표면의 레지스트막에 분무하여 그 레지스트막을 제거함에 있어서, 에너지 저감화를 고려하여 세정액을 기화시키는 일없이 액적 상태로 하고, 나아가서는 레지스트막에 접촉할 때의 상기 액적의 온도를 원하는 온도(70℃ 이상)로 제어하여, 레지스트막의 확실한 제거를 가능하게 하는 데에 있으며, 자원ㆍ에너지 다소비형 기술로부터의 탈각, 즉 레지스트의 제거에 에너지나 화학 용제에 의존하지 않은 환경 친화형 기술을 실현하는 것이 가능해진다.
한편, 본 실시예에서는, 세정 대상인 기판으로서, FPD의 유리 기판에 대해 예시했지만, 본 발명은 이들에 한정되는 것은 아니며, 예컨대 인쇄 기판 등의 세정에 이용하더라도 적합하다.
(제2 실시예)
본 실시예에서는, 대략 원 형상의 실리콘 웨이퍼 등의 반도체 기판을 세정 대상으로 하는 시트 피딩 타입의 레지스트 제거 장치 및 이것을 이용한 제거 방법 을 예시한다.
도 5는 제2 실시예에 의한 레지스트막 제거 장치의 개략 구성을 도시하는 단면도이다.
이 장치는, 세정 대상인 기판(11)이 설치되고, 내부에 기판(11)을 설치한 상태에서 그 기판(11)을 내포하는 폐쇄 공간을 구성하는 처리 챔버(1)와, 세정액을 소위 액적 상태로 기판(11)의 표면에 분무하는 분무 노즐(2)을 구비하여 구성되어 있다.
처리 챔버(1)는 수지 또는 SUS로 이루어지며, 설치된 기판(11)을 회전시키는 스핀 기구(12)와, 기판(11)의 상기 챔버 안으로의 반입ㆍ반출을 행하는 도시되지 않는 기판 반출입 기구와, 처리가 종료된 세정액을 배출하는 배관을 갖는 액체 배출 기구(13)와, 상기 챔버 내의 분위기를 원하는 온도 및 습도로 제어하는 온도ㆍ습도 제어 기구(14)와, 후술하는 N2 등의 고온 가스의 공급 라인(32)을 이용할 때에, 부족한 열량을 수증기 등의 공급에 의해 보급하는 열량 보급 배관(19)을 구비하여 구성되어 있다. 이 온도ㆍ습도 제어 기구(14)는, 예컨대 히터 가열 기구 또는 램프 가열 기구를 갖추고 있다. 여기서는, 히터 가열 기구(13a)를 도시한다. 한편, 스핀 기구(12)를 이용하지 않고서, 기판(11)을 정지시킨 상태로 세정을 하는 구성으로 하여도 좋다.
분무 노즐(2)은 세정액을 원하는 기체와 혼합시켜, 입자 지름이 10 ㎛∼200 ㎛ 정도인 액적 상태로 하여 공급하는 소위 2 유체 노즐로서, 스핀 회전 기구(12) 에 설치된 기판(11)의 표면과 대향하도록 설치되어 있고, 액체인 세정액을 공급하는 세정액 공급 기구(15)와, 기체를 공급하는 기체 공급 기구(16)와, 세정액과 기체가 혼합되는 혼합 챔버(17)와, 혼합된 세정액과 기체를 액적 상태로 대향 배치된 기판(11)의 표면에 균일하게 분무하기 위한 대략 원 형상의 다공질 세라믹판(18)을 구비하여 구성되어 있다.
한편, 다공질 세라믹판(18)을 갖지 않는 일반적인 스프레이 노즐을 이용하더라도 좋다. 또한, 온수를 액적 상태로 분무하는 소위 1 유체의 선형 노즐을 이용하는 것도 생각할 수 있다.
세정액 공급 기구(15)는 약액, 여기서는 초순수(DIW) 또는 레지스트 변질 촉진 성분을 포함하는 초순수 등을 소정량(예컨대 20 cc/분) 공급하기 위한 플런저 펌프(21)와, 플런저 펌프(21)로부터 공급된 약액을 원하는 온도까지 가열하는 온수 가열기(22)와, 온수 가열기(22)에 의해 가열된 약액을 혼합 챔버(17)에 공급하기 위한 배관(23)을 구비하여 구성되어 있다.
레지스트 변질 촉진 성분으로서는, 산화성 물질이 가교 또는 산화의 촉진 성분으로서 유효하다. 예컨대, 과산화수소는 이온 주입 처리 레지스트막도 단시간에 변질ㆍ제거시킨다. 이는 강력한 라디칼 반응에 의한 레지스트의 화학 결합의 산화 작용에 의한 것으로 생각된다. 오존수도 산화 촉진 성분으로서 유효하다.
그 밖의 산화성 물질로서, Cl2-H2O, Br2-H2O, I2-KI, NaClO, NaClO4, KMnO4, K2CrO7, Ce(SO4)2 등이 선택된다.
알칼리는 강력한 촉진 성분이다. 예컨대 pH치로 8∼14 정도, 바람직하게는 10∼12의 가성 알칼리 수용액이 이용된다. 레지스트 표면에 습윤성ㆍ침투성을 가져서, 제거 작용이 신속하게 된다. 알칼리로서, KOH, NaOH, NaCO3, Ca(OH)2, Ba(OH)2, NH4OH, TMAH 등을 이용할 수 있다.
기체 공급 기구(16)는 수증기 공급 라인(31)과, N2 등의 고온 가스 공급 라인(32)이 선택적으로, 또는 양자를 병용하여 사용이 자유로운 상태로 되고 있다. 수증기를 생성하기 위해서는 큰 기화열이 필요한데, N2 등의 고온 가스를 이용함으로써 에너지 절약이 실현되어, 대폭적인 전력 삭감화가 가능해진다.
수증기의 공급 라인(31)은 초순수를 소정량(예컨대 20 cc/분) 공급하기 위한 다이어프램 펌프(24)와, 다이어프램 펌프(24)로부터 공급된 초순수를 가열하여 수증기를 생성하는 기화기(25)와, 기화기(25)에 의해 생성된 수증기를 혼합 챔버(17)에 공급하기 위한 배관(26)을 구비하여 구성되어 있다.
다른 한편, 고온 가스 공급 라인(32)은 가스 유량 조절기(27)와, 가스를 소정 온도로 가열하는 가스 가열기(28)를 구비하여 구성되어 있다.
이 시트 피딩 타입의 레지스트 제거 장치를 이용하여 기판(11) 표면의 레지스트를 제거하기 위해서는, 우선 기판 반출입 기구에 의해 기판(11)을 처리 챔버(1) 내의 스핀 기구(12)에 배치한다. 이 때, 기판(11)은 처리 챔버(1) 내에서 밀폐된 상태로, 분무 노즐(2)의 다공질 세라믹판(18)과 대향한다.
그리고, 온도ㆍ습도 제어 기구(14)에 의해 처리 챔버(1) 내의 온도를 소정 온도, 여기서는 70℃∼90℃, 바람직하게는 80℃∼90℃ 범위 내의 값으로, 습도를 거의 100%의 상태로 제어한 상태에서, 온수 가열기(22)에 의해 90℃ 정도로 된 세정액과, 기화기(25)에 의해 150℃ 정도로 생성된 수증기, 또는 가스 가열기(28)에 의해 150℃ 정도로 생성된 고온 가스를 혼합 챔버(17) 내에서 혼합시켜, 액적 상태로 된 세정액을 다공질 세라믹판(18)에서부터 기판(11)의 레지스트막에 균일하게 분무한다.
본 실시예에서도, 제1 실시예와 마찬가지로, 노즐을 둘러싸는 폐쇄 공간을 두어, 공간 내의 분위기 온도를 소정의 고온으로 유지함으로써, 노즐의 액적 분출구와 기판 표면까지의 거리의 허용 범위가 증가하여, 프로세스 마진을 대폭 향상시킬 수 있다.
이상 설명한 바와 같이, 본 실시예에 따르면, 세정액을 기판 표면의 레지스트막에 분무하여 그 레지스트막을 제거함에 있어서, 에너지 저감화를 고려하여 세정액을 액적 상태로 하고, 나아가서는 레지스트막에 접촉할 때의 상기 액적의 온도를 원하는 온도(70℃ 이상)로 제어하여, 확실한 레지스트막의 제거를 가능하게 하는 데에 있으며, 자원ㆍ에너지 다소비형 기술로부터의 탈각, 즉 레지스트의 제거에 에너지나 화학 용제에 의존하지 않는 환경 친화형 기술을 실현하는 것이 가능해진다.
한편, 본 실시예에서는, 세정 대상인 기판으로서, 반도체 기판인 실리콘 웨이퍼에 대해 예시했지만, 본 발명은 이들에 한정되는 것은 아니며, 예컨대 포토리소그래피에 이용하는 포토마스크의 세정에 이용하더라도 적합하다.
본 발명에 따르면, 세정액을 기판 표면의 레지스트막(또는 유기물)에 분무하여 그 레지스트막(또는 유기물)을 제거함에 있어서, 에너지 저감화를 고려하여 세정액을 액적 상태로 하고, 나아가서는 레지스트막(또는 유기물)에 접촉할 때의 상기 액적의 온도를 원하는 온도로 제어하여, 레지스트막(또는 유기물)의 확실한 제거를 가능하게 하는 데에 있으며, 자원ㆍ에너지 다소비형 기술로부터의 탈각, 즉 레지스트(또는 유기물)의 제거에 에너지나 화학 용제에 의존하지 않는 환경 친화형 기술을 실현시키는 레지스트막(유기물) 제거 장치 및 레지스트막(유기물) 제거 방법을 제공하는 것이 가능해진다.
Figure 112004046230755-pct00001
Figure 112004046230755-pct00002
Figure 112004046230755-pct00003

Claims (33)

  1. 리소그래피 공정에서 이용되는 레지스트막 제거 장치로서,
    표면에 레지스트막이 형성된 평탄한 기판을 세정 대상으로 하며,
    상기 기판을 이동시키는 이동 수단과,
    세정액을 고온의 액적형으로 하여 분무하는 대략 선형의 분무 수단과,
    상기 기판 및 상기 분무 수단을 내포하는 폐쇄 공간을 구성하는 폐쇄 수단을 구비하고,
    상기 폐쇄 수단 내에서 상기 기판의 상기 레지스트막이 상기 분무 수단과 대향된 상태로, 상기 분무 수단에 의해 상기 액적형의 세정액을 상기 레지스트막에 접촉시킬 때, 상기 폐쇄 수단 내의 온도 및 습도를 소정으로 조절하여, 상기 액적형의 세정액이 상기 레지스트막에 접촉할 때의 온도를 제어하는 것을 특징으로 하는 레지스트막 제거 장치.
  2. 제1항에 있어서, 세정 대상인 상기 기판이 플랫ㆍ패널ㆍ디스플레이의 유리 기판인 것을 특징으로 하는 레지스트막 제거 장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 분무 수단은 물 또는 약액을 공급하는 제1 노즐과, 수증기 또는 고온 가스를 공급하는 제2 노즐을 구비하고,
    상기 제2 노즐로부터 공급되는 수증기 또는 고온 가스에 의해, 상기 제1 노 즐로부터 공급되는 물 또는 약액을 액적형의 세정액으로 하여 상기 레지스트막에 접촉시키는 것을 특징으로 하는 레지스트막 제거 장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 분무 수단은 물 또는 약액을 공급하는 제1 노즐과, 수증기 및 고온 가스를 혼합하여 이루어지는 습도 100%의 고온 가스를 공급하는 제2 노즐을 구비하고,
    상기 제2 노즐로부터 공급되는 상기 습도 100%의 고온 가스에 의해, 상기 제1 노즐로부터 공급되는 물 또는 약액을 액적형의 세정액으로 하여 상기 레지스트막에 접촉시키는 것을 특징으로 하는 레지스트막 제거 장치.
  5. 제1항에 있어서, 상기 분무 수단은 물 또는 약액을 공급하는 노즐을 구비하고,
    상기 노즐은 물 또는 약액을 액적형의 세정액으로 하여 상기 레지스트막에 접촉시키는 것을 특징으로 하는 레지스트막 제거 장치.
  6. 제1항에 있어서, 상기 액적형의 세정액이 상기 레지스트막에 접촉할 때의 온도를 70℃ 이상의 값으로 제어하는 것을 특징으로 하는 레지스트막 제거 장치.
  7. 제1항에 있어서, 상기 세정액은 레지스트 변질 촉진 성분을 포함하는 것을 특징으로 하는 레지스트막 제거 장치.
  8. 인쇄 기판의 리소그래피 공정에서 이용되는 유기물 제거 장치로서,
    표면에 유기물이 부착된 평탄한 상기 인쇄 기판을 세정 대상으로 하고,
    상기 인쇄 기판을 이동시키는 이동 수단과,
    세정액을 고온의 액적형으로 하여 분무하는 대략 선형의 분무 수단과,
    상기 인쇄 기판 및 상기 분무 수단을 내포하는 폐쇄 공간을 구성하는 폐쇄 수단을 구비하고,
    상기 폐쇄 수단 내에서 상기 인쇄 기판의 상기 유기물이 상기 분무 수단과 대향된 상태에서, 상기 분무 수단에 의해 상기 액적형의 세정액을 상기 유기물에 접촉시킬 때, 상기 폐쇄 수단 내의 온도 및 습도를 소정으로 조절하여, 상기 액적형의 세정액이 상기 유기물에 접촉할 때의 온도를 제어하는 것을 특징으로 하는 유기물 제거 장치.
  9. 리소그래피 공정에서 이용되는 레지스트막 제거 장치로서,
    표면에 레지스트막이 형성된 세정 대상인 기판을 유지하는 유지 수단과,
    세정액을 고온의 액적형으로 하여 분무하는 분무 수단과,
    상기 레지스트막에 상기 분무 수단이 대향된 상태에서, 상기 기판 및 상기 분무 수단을 내포하는 폐쇄 공간을 구성하는 폐쇄 수단을 구비하고,
    상기 분무 수단에 의해 상기 레지스트막에 상기 액적형의 세정액을 접촉시킬 때, 상기 폐쇄 수단 내의 온도 및 습도를 소정으로 조절하여, 상기 액적형의 세정액이 상기 레지스트막에 접촉할 때의 온도를 제어하는 것을 특징으로 하는 레지스트막 제거 장치.
  10. 제9항에 있어서, 세정 대상인 상기 기판이 반도체 기판인 것을 특징으로 하는 레지스트막 제거 장치.
  11. 제9항에 있어서, 세정 대상인 상기 기판이 대략 원 형상인 것을 특징으로 하는 레지스트막 제거 장치.
  12. 제11항에 있어서, 상기 기판을 회전시키면서 세정하는 것을 특징으로 하는 레지스트막 제거 장치.
  13. 제9항에 있어서, 세정 대상인 상기 기판이 포토리소그래피에 이용하는 포토마스크인 것을 특징으로 하는 레지스트막 제거 장치.
  14. 제9항에 있어서, 상기 분무 수단은 물 또는 약액을 공급하는 제1 노즐과, 수증기 또는 고온 가스를 공급하는 제2 노즐을 구비하고,
    상기 제2 노즐로부터 공급되는 수증기 또는 고온 가스에 의해, 상기 제1 노즐로부터 공급되는 물 또는 약액을 액적형의 세정액으로 하여 상기 레지스트막에 접촉시키는 것을 특징으로 하는 레지스트막 제거 장치.
  15. 제9항에 있어서, 상기 분무 수단은 물 또는 약액을 공급하는 제1 노즐과, 수증기 및 고온 가스를 혼합하여 이루어지는 습도 100%의 고온 가스를 공급하는 제2 노즐을 구비하고,
    상기 제2 노즐로부터 공급되는 상기 습도 100%의 고온 가스에 의해, 상기 제1 노즐로부터 공급되는 물 또는 약액을 액적형의 세정액으로 하여 상기 레지스트막에 접촉시키는 것을 특징으로 하는 레지스트막 제거 장치.
  16. 제9항에 있어서, 상기 분무 수단은 물 또는 약액을 공급하는 노즐을 구비하고,
    상기 노즐은 물 또는 약액을 액적형의 세정액으로 하여 상기 레지스트막에 접촉시키는 것을 특징으로 하는 레지스트막 제거 장치.
  17. 제9항에 있어서, 상기 액적형의 세정액이 상기 레지스트막에 접촉할 때의 온도를 70℃ 이상의 값으로 제어하는 것을 특징으로 하는 레지스트막 제거 장치.
  18. 제9항에 있어서, 상기 세정액은 레지스트 변질 촉진 성분을 포함하는 것을 특징으로 하는 레지스트막 제거 장치.
  19. 제14항에 있어서, 상기 제1 노즐로부터 공급되는 물 또는 약액의 온도를 70 ℃ 이상의 값으로 하는 것을 특징으로 하는 레지스트막 제거 장치.
  20. 제19항에 있어서, 상기 제1 노즐로부터 공급되는 물 또는 약액의 온도를 70℃ 이상의 값으로 가열하는 가열 수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 레지스트막 제거 장치.
  21. 리소그래피 공정에서 실행되는 레지스트막 제거 방법으로서,
    기판 표면에 형성된 레지스트막을 제거함에 있어서,
    상기 기판을 폐쇄 공간 내에 유지하여, 상기 폐쇄 공간 내의 온도 및 습도를 소정으로 조절한 상태에서, 세정액을 상기 온도 조절에 의해 온도 제어된 액적형으로 하여 상기 레지스트막에 접촉시키는 것을 특징으로 하는 레지스트막 제거 방법.
  22. 제21항에 있어서, 세정 대상인 상기 기판이 반도체 기판인 것을 특징으로 하는 레지스트막 제거 방법.
  23. 제22항에 있어서, 세정 대상인 상기 기판이 대략 원 형상인 것을 특징으로 하는 레지스트막 제거 방법.
  24. 제23항에 있어서, 상기 기판을 회전시키면서 세정하는 것을 특징으로 하는 레지스트막 제거 방법.
  25. 제22항에 있어서, 세정 대상인 상기 기판이 포토리소그래피에 이용하는 포토마스크인 것을 특징으로 하는 레지스트막 제거 방법.
  26. 제21항에 있어서, 수증기 또는 고온 가스에 의해, 물 또는 약액을 액적형의 세정액으로 하여 상기 레지스트막에 접촉시키는 것을 특징으로 하는 레지스트막 제거 방법.
  27. 제26항에 있어서, 상기 물 또는 약액의 온도를 70℃ 이상의 값으로 하는 것을 특징으로 하는 레지스트막 제거 방법.
  28. 제21항에 있어서, 상기 액적형의 세정액이 상기 레지스트막에 접촉할 때의 온도를 70℃ 이상 범위 내의 값으로 제어하는 것을 특징으로 하는 레지스트막 제거 방법.
  29. 제21항에 있어서, 상기 약액은 레지스트 변질 촉진 성분을 포함하는 것을 특징으로 하는 레지스트막 제거 방법.
  30. 리소그래피 공정에서 실행되는 레지스트막 제거 방법으로서,
    평탄한 기판 표면에 형성된 레지스트막을 제거할 때에,
    상기 기판을 폐쇄 공간 내로 이동시키고, 상기 폐쇄 공간 내의 온도 및 습도를 소정으로 조절한 상태에서, 선형 노즐을 이용하여 상기 세정액을 상기 온도 조절에 따라 온도 제어된 액적형으로 하여 상기 레지스트막에 접촉시키는 것을 특징으로 하는 레지스트막 제거 방법.
  31. 제30항에 있어서, 세정 대상인 상기 기판이 플랫ㆍ패널ㆍ디스플레이의 기판인 것을 특징으로 하는 레지스트막 제거 방법.
  32. 제30항에 있어서, 상기 액적형의 세정액이 상기 레지스트막에 접촉할 때의 온도를 70℃ 이상의 값으로 제어하는 것을 특징으로 하는 레지스트막 제거 방법.
  33. 인쇄 기판의 리소그래피 공정에서 실행되는 유기물 제거 방법으로서,
    평탄한 상기 인쇄 기판 표면에 부착된 유기물을 제거할 때에,
    상기 프린트 기판을 폐쇄 공간 내로 이동시키고, 상기 폐쇄 공간 내의 온도 및 습도를 소정으로 조절한 상태에서, 선형 노즐을 이용하여 세정액을 상기 온도 조절에 따라 온도 제어된 액적형으로 하여 상기 유기물에 접촉시키는 것을 특징으로 하는 유기물 제거 방법.
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