TWI813889B - 用於曝光後處理的方法及設備 - Google Patents

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Abstract

此處所述的實施例關於用於曝光後處理之方法及設備。更具體而言，此處所述的實施例關於場引導曝光後烘烤（iFGPEB）腔室及處理。在一個實施例中，將基板傳送至曝光後處理腔室中，且接著藉由複數個舉升銷抬升至預處理位置。基板支撐件接著抬升以與基板接合，且在iFGPEB處理之前真空夾持基板於其上。

Description

用於曝光後處理的方法及設備
本揭露案的實施例關於用於處理基板之方法及設備，且更具體而言，關於用於強化光微影處理之方法及設備。
積體電路進化成在單一晶片上可包括數百萬部件（例如，電晶體、電容器及電阻器）的複雜裝置。光微影為可用以在晶片上形成部件之處理。一般而言，光微影的處理牽涉數個階段。初始，在基板上形成光阻層。化學放大的光阻可包括阻抗樹脂及光酸產生劑。在後續曝光階段中暴露至電磁輻射的光酸產生劑於顯影處理中改變光阻的溶解度。電磁輻射可具有任何適合的波長，例如193nm ArF雷射、電子束、離子束或其他適合的源。過量的溶劑可接著在預曝光烘烤處理中移除。
在曝光階段中，光罩或主光罩可用以將基板的某些區域選擇性曝光至電磁輻射。其他曝光方法可為無遮罩曝光露方法。曝光至光可分解光酸產生劑，而產生酸且導致在阻抗樹脂中的潛酸圖案。在曝光之後，可在曝光後烘烤處理中加熱基板。在曝光後烘烤處理期間，藉由光酸產生劑產生的酸與光阻層中的阻抗樹脂反應，在後續顯影處理期間改變光阻層的阻抗的溶解度。
在曝光後烘烤之後，可顯影並清洗基板，且特別為光阻層。取決於使用的光阻類型，曝光至電磁輻射的基板的區域可為耐移除或更易於移除任一者。在顯影並清洗之後，將遮罩的圖案使用濕式或乾式蝕刻處理傳送至基板。
晶片設計的進化需要更快的電路系統及更大的電路密度。對更大電路密度的需求則需要減少積體電路部件的尺寸。隨著積體電路部件的尺寸減少，在半導體積體電路上於給定面積中放置更多元件。因此，利用微影處理以傳送甚至更小的特徵至基板上，以適應積體電路部件縮小的尺寸。
精確及精準微影術主要取決於佈置於待圖案化的基板上光阻層的解析度。在目前顯影中，於曝光處理之前或之後，利用電子組件以提供電場至佈置於基板上的光阻層，以便修改光阻層所欲部分的化學特性，用於強化的曝光/顯影解析度。然而，並未克服實施此等系統之挑戰。
因此，需要強化的方法及設備，用於強化的沉浸場引導曝光後烘烤處理。
本揭露案大致關於用於沉浸場引導曝光後烘烤處理之方法及設備。在一個實施例中，一種方法包括以下步驟：將基板定位在第一空間之中的複數個舉升銷上，且將舉升銷移動至第一位置。將基板支撐件移動至第一位置以接合基板，且接著移動至鄰接第二空間的第二位置，第二空間部分藉由基板及電極來界定。將處理流體引入第二空間，且在電極及基板之間產生電場。
在一個實施例中，方法包括以下步驟：將基板定位在處理腔室的第一空間之中的複數個舉升銷上。將基板移動至鄰接處理腔室的頂板的預處理位置，在其上將基板支撐件移動至預處理位置，以接觸基板。將基板真空夾持至基板支撐件，且將基板支撐件移動至處理位置，以在處理腔室中形成第二空間。將處理流體引入第二空間，且在其中產生電場。
在一個實施例中，方法包括以下步驟：將基板定位在佈置於處理腔室的第一空間之中的第一位置處的複數個舉升銷上，且將複數個舉升銷移動至第二位置。將基板支撐件移動至第二位置以接觸且真空夾持基板。將具有基板夾持於其上的基板支撐件移動至第一空間中的第三位置，將基板支撐件佈置於第三位置中會在處理腔室中形成部分藉由基板界定的第二空間。將處理流體引入第二空間，且在其中產生電場。
此處所述的實施例關於用於曝光後處理之方法及設備。更具體而言，此處所述的實施例關於場引導曝光後烘烤（iFGPEB）腔室及處理。在一個實施例中，將基板傳送至曝光後處理腔室中，且接著藉由複數個舉升銷抬升至預處理位置。基板支撐件接著抬升以與基板接合，且在iFGPEB處理之前真空夾持基板於其上。
第1圖根據此處所述的實施例，圖示用於處理基板之代表方法100的操作。第2-5圖圖示在方法100的不同階段下，處理腔室200之中基板201的概要、剖面視圖。因此，當需要時第2-5圖的元件符號將包括於第1圖及方法100的論述中。用於處理基板201的方法100具有多個操作。操作可以任何順序或同時執行（除非上下文排除的可能性），且方法100可包括在任何界定的操作之前執行、在兩個界定的操作之間執行或在所有界定的操作之後執行的一或更多其他操作（除非上下文排除的可能性）。並非所有實施例均包括所述的所有操作。
一般而言，在操作110處方法100包括將基板201定位在佈置於處理腔室200之中傳送位置270處的複數個舉升銷266，且將基板支撐件208加熱至所欲溫度。在操作120處，將定位在舉升銷266上的基板201提升至預處理位置272，同時基板支撐件208保持靜止。後續，在操作130處，抬升基板支撐件208以接合在預處理位置272中的基板201。在操作140處，將基板支撐件208進一步抬升至處理位置274，在此之後於操作150處處理基板201。
第2圖圖示在操作110處的處理腔室200。在一個實施例中，處理腔室200經配置用於實行沉浸場引導曝光後烘烤（iFGPEB）處理。如第2圖中描繪，腔室200包括腔室主體202，腔室主體202具有至少部分界定空間203的側壁204及底部206。經尺寸設計以容納基板201通過的通道之狹縫閥205佈置於側壁204中。在一個實施例中，腔室主體202具有實質上圓柱形的形狀。在另一實施例中，腔室主體202具有多邊形的形狀，例如立方體形狀或類似者。腔室主體202以適合用於在其中維持真空壓力的材料製成，例如金屬材料。舉例而言，腔室主體202以鋁、不銹鋼、及合金及其結合製成。或者，腔室主體202以聚合材料製成，例如聚四氟乙烯（PTFE）或高溫塑膠，例如聚醚醚酮（PEEK）。
頂板210耦合至腔室主體202且進一步界定空間203。在一個實施例中，頂板210以金屬材料製成，例如鋁、不銹鋼、及合金及其結合。在另一實施例中，頂板210以聚合材料製成，例如PTFE、PEEK及類似者。頂板210可以製成腔室主體202所利用的相同的材料形成。或者，頂板210可以與腔室主體202不同的材料形成。
頂板210耦合至且支撐電極212。在一個實施例中，電極212可移除地耦合至頂板210。在另一實施例中，電極212固定耦合至頂板210。電極212可以導電金屬材料形成。此外，電極212所利用的材料可為非氧化性材料。選擇用於電極212的材料橫跨電極212的表面提供所欲電流均勻性及低阻抗性。第一O形環214沿著電極212的外部直徑進一步耦合至電極212。第一O形環214亦佈置成與頂板210的側壁216接觸。第一O形環214配置成在處理期間避免處理流體於電極212的後方流動。
熱源218、溫度感測設備220、功率源222及感測設備224耦合至電極212。熱源218提供功率至佈置於電極212之中的一或更多個加熱元件（未顯示），例如阻抗加熱器。熱源218配置成在iFGPEB處理期間促進處理流體的預加熱。亦可利用熱源218在基板處理期間額外地或與預加熱處理流體有別地維持處理流體的所欲溫度。在一個實施中，熱源218配置成加熱電極212至介於約70°C及約150°C之間的溫度，例如介於約90°C及約130°C之間。舉例而言，熱源218配置成加熱電極212至介於約100°C及約120°C之間的溫度，例如約110°C。
例如熱電偶或類似者的溫度感測設備220通訊耦合至熱源218，以提供溫度監測及促進電極212的加熱。功率源222配置成供應例如介於約0W及約100W之間，例如介於約25W及約75W之間的功率至電極212。取決於利用的處理流體之類型，藉由功率源222產生的電流可為數十奈安培至數百毫安培之級別。在一個實施例中，功率源222配置成產生從約0V/mm至約2000V/mm之範圍的電場。舉例而言，功率源222配置成產生從約100V/mm至約1800V/mm之範圍的電場，例如介於約500V/mm及約1200V/mm之間，例如介於約800V/mm及約1000V/mm之間。在一些實施例中，功率源222配置成在以電壓控制或電流控制的模式任一者下操作。在兩個模式中，功率源222可輸出AC、DC及/或脈衝DC波形。若為所欲的可利用方形或正弦波。功率源222可配置成以介於約0.1Hz及約1kHz之間的頻率提供功率，例如介於約100Hz及約750Hz之間的頻率，例如於約250Hz及約500Hz之間。脈衝DC功率或AC功率的占空比可介於約5%及約95%之間，例如介於約25%及約75%之間。
脈衝DC功率或AC功率的提升及下落時間可介於約1奈秒及約1毫秒之間，例如介於約100奈秒及約1毫秒之間。例如電壓計及類似者的感測設備224通訊耦合至功率源222，以提供電回饋且促進控制施加至電極212的功率。感測設備224亦可配置成透過功率源222感測施加至電極212的電流。
第一複數個流體通口226通過側壁216形成於頂板210中。第二複數個流體通口228亦形成於側壁216中相對於第一複數個流體通口226。第一複數個流體通口226透過第一導管234與處理流體源232流體連通。第二複數個流體通口228透過第二導管238與流體出口236流體連通。處理流體源232單獨或與其他設備結合任一者，配置成在基板201的處理之前預加熱處理流體至介於約70°C及約150°C之間的溫度，例如介於約80°C及約140°C之間，且在iFGPEB處理期間傳輸流體。舉例而言，將處理流體加熱至介於約100°C及約120°C之間的溫度，例如約110°C。
在一個實施例中，清洗氣源250亦透過第一導管234與第一複數個流體通口226流體連通。藉由清洗氣源250提供的氣體可包括以下一或更多者：氮氣、氫氣、鈍氣及類似者，以在iFGPEB處理之前、期間或之後清洗處理空間290（顯示於第5圖中）。當為所欲時，清洗氣體可透過流體出口236從處理空間290排出。
基板支撐件208佈置於空間203中。在一個實施例中，基板支撐件208耦合至在腔室主體202的底部206中通過開口240佈置的桿244。基板支撐件208藉由耦合至桿244的致動器組件246在空間203之中抬升及降低。在一些實施例中，基板支撐件208圍繞其中心軸進一步可旋轉。
真空夾盤242耦合至基板支撐件208。真空夾盤242可由非金屬材料或其他絕緣材料形成，例如陶瓷材料或類似者。此外，真空夾盤242可由非氧化性材料形成，以實質上減少或避免透過處理流體與真空夾盤242反應而氧化基板的可能性。類似於電極212，真空夾盤242所利用的材料在基板201的處理期間提供用於所欲的電流均勻性。具體而言，真空夾盤242所利用的材料經選擇以在處理期間對處理腔室200中產生的電場具有可忽略的影響。
真空夾盤242配置成在處理期間於其上支撐基板201，且具有平面支撐表面242A。支撐表面242A經尺寸設計以容納在其上附接基板201，且用於定位鄰接至頂板210。真空源258與基板支撐表面242A流體連通。一般而言，真空源258透過基板支撐件208耦合至真空夾盤242。真空源258配置成在處理期間將基板201真空夾持至真空夾盤242的支撐表面242A。
類似於電極212，真空夾盤242耦合至熱源248、溫度感測設備252及功率源254。熱源248、溫度感測設備252、功率源254及感測設備256可類似於熱源218、溫度感測設備220、功率源222及感測設備224而作用。舉例而言，熱源248提供功率至佈置於真空夾盤242之中的一或更多個加熱元件，例如阻抗加熱器或陶瓷加熱器。一般而言，熱源248配置成加熱真空夾盤242，以促進在iFGPEB處理期間加熱基板201及/或處理流體。在一個實施例中，熱源248配置成加熱真空夾盤242至介於約75°C及約150°C之間的溫度，例如介於約100°C及約125°C之間，例如介於約110°C及約120°C之間。例如熱電偶或類似者的溫度感測設備252通訊耦合至熱源248，以提供溫度監測且促進加熱真空夾盤242。
在一個實施例中，第二O形環280佈置於真空夾盤242中在基板支撐表面242A上。第二O形環280可定位在真空夾盤242上，當佈置於其上時遠離基板201的外部直徑徑向向內介於約1mm及約12mm之間的距離。舉例而言，第二O形環280可定位在真空夾盤242上，遠離基板201的外部直徑徑向向內介於約2mm及約10mm之間的距離，例如介於約4mm及約8mm之間。應考量第二O形環280在處理期間可避免處理流體從處理空間290洩漏至基板201後方的區域。
真空夾盤242進一步包括壁架282，由第二O形環280徑向向外佈置，且將基板支撐表面242A耦合至真空夾盤242的上部表面242B。上部表面242B佈置於壁架282及基板支撐表面242A下方且徑向向外。在一個實施例中，第三O形環284佈置於真空夾盤242中在上部表面242B上。頂板210的第一下部表面215塑形且經尺寸設計，以當基板支撐件208在處理位置274中時，接觸基板201的邊緣區域。頂板210的第二下部表面217塑形且經尺寸設計鄰接於基板支撐表面242A的外部直徑且從基板支撐表面242A的外部直徑徑向向內延伸以接觸真空夾盤242。頂板210的第三下部表面219塑形且經尺寸設計以接觸上部表面242B。在一個實施例中，當基板支撐件208佈置於處理位置274中時，第三O形環284接觸第三下部表面219。應考量第三O形環284在處理期間可避免處理流體從處理空間290洩漏超過真空夾盤242的外部直徑。
基板支撐件208及真空夾盤242之各者分別包括複數個舉升銷孔262、264。複數個舉升銷孔262與複數個舉升銷孔264對齊。複數個舉升銷266通過複數個舉升銷孔262、264且通過腔室底部206中的複數個孔241而可移動地佈置。複數個舉升銷266通過腔室底部206、基板支撐件208及真空夾盤242耦合至舉升銷致動器268在傳送位置270、預處理位置272（顯示於第3圖中）及處理位置274（顯示於第5圖中）之間放置舉升銷266。
在操作110處，基板201藉由機器葉片或其他適合的傳送裝置（未顯示）傳送通過狹縫閥205且至空間203中，且定位在複數個舉升銷266的上部端267上。舉升銷266的上部端267佈置於傳送位置270處，抬升於基板支撐件208上方但些微低於狹縫閥205。具有耦合的真空夾盤242的基板支撐件208定位於降低位置處（例如，抵靠腔室底部206），使得在操作110期間基板201及基板支撐表面242A之間不會接觸。在一個範例中，舉升銷266的上部端267佈置於遠離基板支撐表面242A介於約10mm及約110mm之間的距離，例如介於約30mm及約90mm之間。在另一範例中，舉升銷266的上部端267佈置於遠離基板支撐表面242A介於約50mm及約90mm之間的距離，例如介於約60mm及約80mm之間。在將基板201定位於處理腔室200中之後，真空夾盤242藉由熱源248加熱至介於約75°C及約150°C之間的溫度，例如介於約100°C及約125°C之間，例如約115°C。
在操作120處且於第3圖中描繪，將佈置於舉升銷266上的基板201提升至預處理位置272。舉升銷致動器268從傳送位置270抬升複數個舉升銷266至預處理位置272。在一個實施例中，基板201在介於約2秒及約6秒之間的時段中從傳送位置270移動至預處理位置272，例如介於約2秒及約4秒，例如約3秒的時段。在一個實施例中，將基板201提升至具有遠離電極212的下部表面213介於約1mm及約25mm之間的距離的預處理位置272，例如介於約5mm及約20mm之間的距離。舉例而言，預處理位置272具有介於約10mm及約15mm之間的距離，例如約12mm。
在操作130處且於第4圖中描繪，將基板支撐件208抬升至預處理位置272，使得真空夾盤242的基板支撐表面242A些微高於或實質上與舉升銷266的上部端267共面。因此，基板支撐件208接合基板201以在其上支撐基板201。接著啟動真空源258以將基板201真空夾持至真空夾盤242的支撐表面242A。在一個實施例中，將基板支撐件208在介於約2秒及約5秒之間的時段中抬升至預處理位置272且接合基板201，例如介於約2秒及約4秒之間，例如約3秒的時段。藉由在操作130之前避免基板支撐件208及基板201之間的接觸，可將真空夾盤242加熱至所欲溫度而無任何直接熱傳送至基板201，且基板201的加熱可延遲在iFGPEB處理期間施加電場實質上相同的時間開始。
在操作140處且於第5圖中描繪，在將基板201夾持至真空夾盤242之後，基板支撐件208抬升至處理位置274，其中真空夾盤242及基板201接觸頂板210。舉例而言，基板201的邊緣區域接觸第一下部表面215，基板支撐件242A的邊緣區域接觸第二下部表面217，且上部表面242B及第三O形環284接觸第三下部表面219。將基板支撐件208放置在處理位置274中導致在基板201及電極212之間形成處理空間290，而藉由第一O形環214、第二O形環280及第三O形環284流體密封。
在一個實施例中，將基板支撐件208在介於約0.1秒及約2秒之間的時段中從預處理位置272抬升至處理位置274，例如介於約0.5秒及約1.5秒之間。舉例而言，將基板支撐件208在介於約0.75秒及約1.25秒之間的時段中從預處理位置272抬升至處理位置274，例如約1秒。因此，從傳送位置270移動基板至處理位置274所需的總時間可為介於約0.1秒及約3秒之間，例如介於約0.5秒及約2.5秒之間。舉例而言，從傳送位置270移動基板201至處理位置274所需的總時間為介於約1秒及約2秒之間，例如約1.5秒。
在一個實施例中，處理空間290具有在基板201及電極212的下部表面213之間界定的高度292。在一個範例中，處理空間290的高度292為介於約1mm及約10mm之間，例如介於約2mm及約8mm之間。舉例而言，處理空間290的高度292為介於約4mm及約6mm之間，例如約5mm。在基板201及電極212之間相對小的距離減少處理空間290的空間，而能夠在iFGPEB處理期間利用減少的處理流體的量。再者，減少的高度292橫跨基板201的表面提供實質上更均勻的電場，且因此可強化在iFGPEB處理期間的圖案化特徵。此外，在iFGPEB期間產生所欲電場及加熱處理流體所需的功率可減少。
在將基板支撐件208定位於處理位置274中且形成處理空間290之後，基板201於操作150處曝露至iFGPEB處理。在iFGPEB處理期間，處理空間290以例如氣體或液體的處理流體填充，且具有源自處理流體源232且行進通過第一導管234的流體路徑。處理流體離開第一導管234通過第一複數個流體通口226至處理空間290中。處理流體至處理空間290中的流率可調變，以減少在處理空間290之中流體的湍流，且減少或消除其中形成的泡沫。舉例而言，處理流體至處理空間290中的流率可經調變為介於1L/分鐘及約12L/分鐘之間，例如介於約5L/分鐘及約10L/分鐘之間。亦可將處理流體在引入處理空間290之前預加熱至處理溫度。舉例而言，處理流體可藉由處理流體源232預加熱至介於約70°C及約170°C之間的溫度，例如介於約90°C及約150°C之間。舉例而言，將處理流體加熱至介於約110°C及約130°C之間的溫度，例如約120°C。
一旦處理空間290以處理流體填充之後，藉由電極212施加電場至基板201。在一個實施例中，可施加電場至基板201達介於約10秒及約90秒之間的時間量，例如介於約25秒及約75秒之間，例如介於約40秒及約60秒之間，例如約50秒。在一些實施例中，佈置於處理空間290中的流體在基板201的處理期間為停滯的。在一些實施例中，處理空間290的流體空間經循環或交換。在此等實施例中，隨著處理空間290透過第一導管234及第一流體通口226以處理流體填充，處理流體亦透過第二流體通口228及第二導管238離開處理空間290，且最終在流體出口236處從處理腔室200移除。在施加電場之後，處理流體可從處理空間290排洩，且可降低具有經處理的基板201夾持於其上的基板支撐件208。
以上所述的方法及設備藉由在施加電場之前減少基板曝露至熱的時間量而增強iFGPEB處理的效能。藉由剛施加電場之前將基板與加熱的基板支撐件接合，加熱的基板支撐件及基板之間非所欲的熱傳送最小化。因此，藉由光阻之中的光酸產生劑產生的酸的隨機熱擴散可實質上降低，因此減少光阻的熱觸發的脫保護。減少光阻的預處理脫保護能夠藉由增加光酸產生劑產生的帶電物種的擴散控制來增強光阻的顯影/曝光解析度，且因此能夠在微影期間更精確傳送電路特徵。
綜上所述，提供用於強化iFGPEB處理之設備及方法。此處所述的處理腔室在iFGPEB操作期間能夠有效利用處理流體及強化電場的施加。光阻解析度亦藉由在施加電場之前減少基板曝露至提升的溫度的時間量而強化，因此在iFGPEB處理之前減少光阻化學物種的反應。因此，iFGPEB處理操作可藉由利用此處所述的設備及方法而強化。
儘管以上導向本揭露案的實施例，可衍生本揭露案的其他及進一步實施例而不會悖離其基本範疇，且其範疇藉由以下申請專利範圍來決定。
100:方法 110:操作 120:操作 130:操作 140:操作 150:操作 200:處理腔室 201:基板 202:腔室主體 203:空間 204:側壁 205:狹縫閥 206:腔室底部 208:基板支撐件 210:頂板 212:電極 213:下部表面 214:第一O形環 215:第一下部表面 216:側壁 217:第二下部表面 218:熱源 219:第三下部表面 220:溫度感測設備 222:功率源 224:感測設備 226:第一複數個流體通口 228:第二複數個流體通口 232:處理流體源 234:第一導管 236:流體出口 238:第二導管 240:開口 241:孔 242:真空夾盤 244:桿 246:致動器組件 248:熱源 250:清洗氣源 252:溫度感測設備 254:功率源 256:感測設備 258:真空源 262:舉升銷孔 264:舉升銷孔 266:銷 267:上部端 268:銷致動器 270:傳送位置 272:預處理位置 274:處理位置 280:第二O形環 282:壁架 284:第三O形環 290:處理空間 292:高度 242A:基板支撐表面 242B:上部表面
以此方式可詳細理解本揭露案以上所載之特徵，以上簡要概述的本揭露案的更特定說明可藉由參考實施例而獲得，某些實施例圖示於隨附圖式中。然而，應理解隨附圖式僅圖示範例實施例，且因此不應考量為其範疇之限制，且可認可其他均等效果的實施例。
第1圖根據此處所述的實施例，圖示用於處理基板之方法的操作。
第2圖根據此處所述的實施例，圖示第1圖之方法在第一階段下的處理腔室。
第3圖根據此處所述的實施例，圖示第1圖之方法在第二階段下第2圖的處理腔室。
第4圖根據此處所述的實施例，圖示第1圖之方法在第三階段下第2圖的處理腔室。
第5圖根據此處所述的實施例，圖示第1圖之方法在第四階段下第2圖的處理腔室。
為了促進理解，已盡可能地使用相同的元件符號代表共通圖式中相同的元件。考量一個實施例的元件及特徵可有益地併入其他實施例中而無須進一步說明。
國內寄存資訊(請依寄存機構、日期、號碼順序註記) 無 國外寄存資訊(請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記) 無
200:處理腔室
201:基板
202:腔室主體
203:空間
204:側壁
205:狹縫閥
206:腔室底部
208:基板支撐件
210:頂板
212:電極
213:下部表面
214:第一O形環
215:第一下部表面
216:側壁
217:第二下部表面
218:熱源
219:第三下部表面
220:溫度感測設備
222:功率源
224:感測設備
226:第一複數個流體通口
228:第二複數個流體通口
232:處理流體源
234:第一導管
236:流體出口
238:第二導管
240:開口
241:孔
242:真空夾盤
244:桿
246:致動器組件
248:熱源
250:清洗氣源
252:溫度感測設備
254:功率源
256:感測設備
258:真空源
262:舉升銷孔
264:舉升銷孔
266:銷
267:上部端
268:銷致動器
270:傳送位置
280:第二O形環
282:壁架
284:第三O形環
242A:基板支撐表面
242B:上部表面

Claims (20)

  1. 一種基板處理方法，包含以下步驟：將一基板定位在一第一空間之中的複數個舉升銷上，該些舉升銷佈置於一第一位置中；將具有該基板定位於其上的該些舉升銷移動至該第一空間之中的一第二位置；將佈置於該第一空間之中的一基板支撐件移動至該第二位置以接合該基板，以便藉由與該基板支撐件的接合來加熱該基板；將具有接合的該基板的該基板支撐件移動至鄰接一第二空間的一第三位置；及在該第二空間之中處理該基板。
  2. 如請求項1所述之方法，其中當在該第一位置中時，該等舉升銷的上部端佈置於遠離該基板支撐件約10mm及約100mm之間的一距離處。
  3. 如請求項1所述之方法，其中在被移動至該第二位置之前，將該基板支撐件加熱至約75℃及約150℃之間的一溫度。
  4. 如請求項3所述之方法，其中在被加熱之後，該基板支撐件在約2秒及約5秒之間的一時段中移動至該第二位置。
  5. 如請求項1所述之方法，其中該基板支撐件藉由將該基板真空夾持至該基板支撐件的一上部表面而接合該基板。
  6. 如請求項1所述之方法，其中該基板支撐件在約0.1秒及約2秒之間的一時段中從該第二位置移動至該第三位置。
  7. 如請求項1所述之方法，其中從該第一位置移動該基板至該第三位置的一總時間為約0.1秒及約3秒之間。
  8. 如請求項1所述之方法，其中處理該基板之步驟進一步包含以下步驟：將一處理流體引入該第二空間；及在該第二空間之中產生一電場。
  9. 如請求項8所述之方法，其中當該基板佈置於該第三位置中時，該第二空間的一高度界定於該基板及佈置於該處理腔室的一頂板中的一電極之間。
  10. 如請求項9所述之方法，其中該第二空間的該高度為約1mm及約10mm之間。
  11. 一種基板處理方法，包含以下步驟：將一基板定位在一處理腔室的一第一空間之中的複數個舉升銷上；將該基板移動至鄰接該處理腔室的一頂板的一預處理位置；將一基板支撐件移動至該預處理位置以接觸該基板，以便藉由與該基板支撐件的接觸來加熱該基板；將該基板真空夾持至該基板支撐件；將具有該基板真空夾持於其上的該基板支撐件移動至 一處理位置，將該基板支撐件移動至該處理位置之步驟導致在該處理腔室中形成一第二空間；將一處理流體引入該第二空間；及在該第二空間之中產生一電場。
  12. 如請求項11所述之方法，其中在移動至該預處理位置之前，該等舉升銷的上部端佈置於遠離該基板支撐件約30mm及約90mm之間的一傳送位置處。
  13. 如請求項12所述之方法，其中該基板支撐件在約0.5秒及約1.5秒之間的一時段中從該預處理位置移動至該處理位置。
  14. 如請求項13所述之方法，其中將該基板從該傳送位置移動至該處理位置的一總時間為約0.5秒及約2.5秒之間。
  15. 如請求項11所述之方法，在被移動至該預處理位置之前，將該基板支撐件加熱至約100℃及約125℃之間的一溫度。
  16. 如請求項15所述之方法，其中在加熱之後，於約2秒及約4秒之間的一時段中將該基板支撐件移動至該預處理位置。
  17. 如請求項11所述之方法，其中當該基板佈置於該處理位置中時，該第二空間部分藉由該基板及佈置於該處理腔室的一頂板中的一電極來界定。
  18. 如請求項17所述之方法，其中該第二空間藉由佈置於該基板支撐件或電極中的一或更多個O形環 而流體密封。
  19. 如請求項18所述之方法，其中將處理流體以1L/分鐘及12L/分鐘之間的一流率引入該第二空間中。
  20. 一種基板處理方法，包含以下步驟：將一基板定位在佈置於一處理腔室的一第一空間之中一第一位置處的複數個舉升銷上；將該些舉升銷移動至該處理腔室的該第一空間之中的一第二位置；將一基板支撐件移動至該第二位置以接觸且真空夾持該基板，其中該基板藉由與該基板支撐件的接觸而加熱；將具有該基板夾持於其上的該基板支撐件移動至該處理腔室的該第一空間中的一第三位置，將該基板支撐件佈置於該第三位置中會在該處理腔室中形成一第二空間，該第二空間部分藉由該基板來界定；將一處理流體引入該第二空間；及在該第二空間之中產生一電場。
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