CN100472727C - 光刻胶膜除去装置和光刻胶膜除去方法及有机物除去装置和有机物除去方法 - Google Patents

光刻胶膜除去装置和光刻胶膜除去方法及有机物除去装置和有机物除去方法 Download PDF

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Abstract

单片式光刻胶除去装置，由具备设置作为洗净对象的衬底(111)并构成封闭空间的处理室(101)和使洗净液以所谓液滴状态喷雾到衬底(111)表面上的喷嘴(102)而构成，用处理室(101)，在所配置的衬底(111)和喷嘴(102)对置的状态，形成内有衬底(111)的上述封闭空间。借助于该结构，使洗净液喷到衬底(111)表面的光刻胶膜上除去该光刻胶膜之际，考虑到降低能耗而使洗净液成为液滴状态，进而希望控制接触光刻胶膜时的液滴温度，能可靠地除去光刻胶膜。

Description

光刻胶膜除去装置和光刻胶膜除去方法及有机物除去装置和有机物除去方法
发明领域
本发明涉及在用于半导体衬底和玻璃衬底上形成半导体集成电路等微细构造的刻蚀工序中为了进行不可缺少的光刻胶除去的装置和方法，及以印制电路板为对象的有机物除去装置和方法。
背景技术
现在，作为除去光刻胶膜的办法，有用氧等离子体灰化除去光刻胶膜的方法、用有机溶剂(酚系·卤素系等有机溶剂，90℃～130℃)将光刻胶膜加热溶解的方法、或用浓硫酸·过氧化氢的加热溶解法。这些不论那种办法都需要为了分解溶解光刻胶膜的时间、能量和化学材料，成了刻蚀工序的负担。对代替用这样的灰化和溶解的除去法的新的光刻胶除去技术的要求是强烈的，然而剥离技术的开发为数还很少。目前，利用使用洗净液的高频超音波除去作用的技术、从喷嘴喷出洗净液蒸气使其和光刻胶接触的技术等都处于开发之中。
但是，上述的除去技术对光刻胶进行适当的物理的、化学的控制都是困难的，特别是用后者的洗净液蒸气的技术，在谋求装置构成的简化方面，存在对蒸气接触光刻胶时的该蒸气的温度控制依然不行，不能得到充分的除去效果的问题。
发明内容
因此本发明的目的是，在于向衬底表面的光刻胶膜(或有机物)喷雾洗净液而除去该光刻胶膜(或有机物)之际，考虑减低能量使洗净液成为液滴状态，进而希望控制接触光刻胶膜(或有机物)时的上述液滴温度，能可靠地除去光刻胶膜(或有机物)，摆脱资源、能量多消耗型技术，即提供实现对光刻胶(或有机物)的除去不依赖能量和化学溶剂的环境共栖型技术的光刻胶膜(有机物)除去装置和光刻胶膜(有机物)除去方法。
本发明的光刻胶膜除去装置，是使用在刻蚀工序中，其特征是：以在表面上形成光刻胶膜的衬底作为洗净对象，该装置包括：移动上述衬底的移动装置；使洗净液喷雾成为高温液滴状的线状喷雾装置；和构成内有上述衬底和上述喷雾装置的封闭空间的封闭装置，上述封闭装置内上述衬底的上述光刻胶膜，在和上述喷雾装置对置的状态，用上述喷雾装置使上述液滴状的洗净液接触上述光刻胶膜之际，把上述封闭装置内的温度和湿度调节到规定值，控制上述液滴状的洗净液接触上述光刻胶时的温度，上述喷雾装置具有供给水或药液的第1喷嘴和供给水蒸气或高温气体的第2喷嘴，借助于从上述第2喷嘴供给的水蒸气或高温气体，使从上述第1喷嘴供给的水或药液成为液滴状的洗净液而接触上述光刻胶膜。
本发明光刻胶膜除去装置的一方案中，作为洗净对象的上述衬底是平板显示器的玻璃衬底。
本发明的有机物除去装置，是在印制电路板的刻蚀工序中使用的有机物除去装置，以表面上附着有机物的平坦地上述印制电路板为洗净对象，具备使上述印制电路板移动的移动手段；喷雾洗净液成为高温液滴状的大体线状的喷雾手段；以及构成内有上述印制电路板和上述喷雾手段的封闭空间的封闭手段，在上述封闭手段内上述印制电路板的上述有机物和上述喷雾手段对置的状态下，用上述喷雾手段使上述液滴状的洗净液接触上述有机物之际，把上述封闭手段内的温度和湿度调节到规定值，控制上述液滴状的洗净液接触上述有机物之际的温度作为特征。
本发明的光刻胶膜除去装置，是在刻蚀工序中使用光刻胶膜除去装置，具备保持表面上形成了光刻胶膜的作为洗净对象的衬底的保持手段；喷雾洗净液作为高温的液滴状的喷雾手段；以及在与上述光刻胶膜对置上述喷雾手段的状态，构成内有上述衬底和上述喷雾手段的封闭空间的封闭手段，用上述喷雾手段使上述光刻胶膜接触上述液滴状洗净液之际，把上述封闭手段内的温度和湿度调节到规定值，控制上述液滴状洗净液接触上述光刻胶膜之际的温度作为特征。
本发明光刻胶膜除去装置的一方案中，作为洗净对象的上述衬底是半导体衬底。
本发明光刻胶膜除去装置的一方案中，作为洗净对象的上述衬底是大约圆形状的。
本发明光刻胶膜除去装置的一方案中，一边旋转一边洗净上述衬底。
本发明光刻胶膜除去装置的一方案中，作为洗净对象的上述衬底是用于光刻的光掩模。
本发明光刻胶膜除去装置的一方案中，上述喷雾手段具有供给水或药液的第1喷嘴和供给水蒸气或高温气体的第2喷嘴，借助于从上述第2喷嘴供给的水蒸气或高温气体，从上述第1喷嘴供给的水或药液为液滴状洗净液而接触上述光刻胶膜。
本发明光刻胶膜除去装置的一方案中，上述喷雾手段具有供给水或药液的第1喷嘴；供给混合水蒸气和高温气体而成湿度100％的高温气体的第2喷嘴，借助于从上述第2喷嘴供给的上述湿度100％的高温气体，把从上述第1喷嘴供给的水或药液作为液滴状洗净液而接触上述光刻胶膜。
本发明光刻胶膜除去装置的一方案中，上述喷雾手段有供给水或药液的喷嘴，上述喷嘴使水或药液成为液滴状洗净液而接触上述光刻胶膜。
本发明光刻胶膜除去装置的一方案中，上述喷雾手段把上述液滴状洗净液接触上述光刻胶膜时的温度控制在70℃以上的值。
本发明光刻胶膜除去装置的一方案中，上述药液是含有光刻胶变质促进成分。
本发明光刻胶膜除去装置的一方案中，从上述第1喷嘴供给的水或药液的温度为70℃以上的值。
本发明光刻胶膜除去装置的-方案中，具备，把从上述第1喷嘴供给的水或药液的温度加热到70℃以上的值。
本发明的光刻胶膜除去方法，其特征是：在除去衬底表面上形成的光刻胶膜之际，将上述衬底保持在封闭空间内，在上述封闭空间内的温度和湿度调节到规定的状态，使用供给水或药液的第1喷嘴和供给水蒸气或高温气体的第2喷嘴，借助于从上述第2喷嘴供给的水蒸气或高温气体，使从上述第1喷嘴供给的水或药液成为液滴状的洗净液，以该温度调节成为温度控制上述洗净液的液滴状接触上述光刻胶膜。
本发明光刻胶膜除去方法的一方案中，作为洗净对象的上述衬底是半导体衬底。
本发明光刻胶膜除去方法的一方案中，作为洗净对象的上述衬底是大体圆形状的。
本发明光刻胶膜除去方法的一方案中，是一边旋转一边洗净上述衬底的。
本发明光刻胶膜除去方法的一方案中，作为洗净对象的上述衬底是用于光刻的光掩模。
本发明的光刻胶膜除去方法，是在刻蚀工序中实行的光刻胶膜除去方法，在除去平坦的衬底表面上所形成了的光刻胶膜之际，使上述衬底向封闭空间内移动，把上述封闭空间内的温度和湿度调节规定的状态，用线状喷嘴，作为以该温度调节温度控制了洗净液的液滴状而接触上述光刻胶膜作为特征。
本发明光刻胶膜除去方法的一方案中，作为洗净对象的上述衬底是平板显示器的衬底。
本发明的有机物除去方法，是在印制电路板的刻蚀工序中实行的有机物除去方法，除去在平坦的上述印制电路板表面附着了的有机物之际，使上述印制电路板向封闭空间内移动，把上述封闭空间内的温度和湿度调节到规定的情况，用线状喷嘴，作为以该温度调节温度控制了洗净液的液滴状而接触上述有机物接触作为特征。
本发明光刻胶膜除去方法的一方案中，用水蒸气或高温气体，使水或药液成为液滴状洗净液，接触上述光刻胶膜。
本发明光刻胶膜除去方法的一方案中，上述液滴状洗净液接触上述光刻胶膜时的温度控制70℃以上范围内的值
本发明光刻胶膜除去方法的一方案中，上述药液含有光刻胶变质促进成分。
本发明光刻胶膜除去方法的一方案中，上述水或药液的温度为70℃以上的值。
附图说明
图1是表示第1实施例光刻胶膜除去装置的概况构成剖面图。
图2是提供用于确认本发明效果的实验例1的洗净装置典型图。
图3是表示对各位置距喷嘴喷出口的液滴温度与封闭空间内的气氛温度的关系特性图。
图4是提供用于确认本发明效果的实验例2的洗净装置典型图。
图5是表示第2实施例光刻胶膜除去装置的概况构成剖面图。
具体实施方式
以下，边参照附图边详细地说明应用本发明的最佳的各个实施例。
在这些实施例中，公开了在刻蚀工序中实行必要的光刻胶除去的具体的装置和方法。所谓刻蚀工序是，为了形成半导体集成电路等微细构造，在衬底表面上黏结光刻胶膜，通过向掩模上形成的微细构造图形间隙照射电磁波能，利用照射部位和非照射部位的光刻胶溶解性的差异使图形显影，进行图形蚀刻的工序。
(第1实施例)
本实施例中，举例说明提供平板显示器(FPD)的，大致矩形状的玻璃衬底作为洗净对象的单片式光刻胶除去装置和用它的除去方法。
图1是表示第1实施例光刻胶膜除去装置的概况构成剖面图。
该装置构成为，具备载置作为洗净对象的玻璃衬底111，在曝露洗净表面的状态移动的传送带状衬底搬出入机构103；用衬底搬出入机构103搬入搬出玻璃衬底111，以在内部设置了玻璃衬底111的状态构成内有该玻璃衬底111的封闭空间的处理室101；以所谓液滴状态把洗净液喷雾到该玻璃衬底111的表面的喷雾嘴102。
处理室101由树脂或不锈钢(SUS)构成，其构成具备有排出处理结束后的洗净液的配管的排液机构112；把该室内的气氛控制到所要求的温度和湿度的温度湿度控制机构113；以及用后述的N2等高温气体的供给管路132时，通过供给水蒸气等补充不足热量的热量补给配管118。该温度湿度控制机构113，例如具备加热器加热机构或灯加热机构。这里，图中示出加热器加热机构113a。
喷雾嘴102是，使洗净液和要求的气体混合供给的，所谓双流体的线状喷嘴(线喷嘴)，其构成具备要设置成使其与所设的玻璃衬底111表面对置，供给液体的洗净液的洗净液供给机构114；供给气体的气体供给机构115；混合洗净液和气体的混合室116；以及为了把被混合后的洗净液和气体以液滴状态呈线状均匀喷雾到对置配置的玻璃衬底111表面的多孔质陶瓷板117。
还有，也可以用没有多孔质陶瓷板117的一般的喷雾喷嘴。而且，有时也可以考虑使用以液滴状态喷雾温水的，所谓单流体的线状喷嘴。
洗净液供给机构114构成为，具备用于以规定量(例如20cc/分)供给药液、这里包括超纯水(DIW)和光刻胶变质促进成分的超纯水等的柱塞泵121；由柱塞泵121将所供给的药液加热到要求温度的温水加热器122；以及用温水加热器122加热后的药液供给混合室116用的配管123。
就光刻胶变质促进成分来说，氧化性物质，作为交联或氧化的促进成分是有效的。例如过氧化氢也能在短时间上变质、除去离子注入处理光刻胶膜。可以认为是由于强烈的氢氧基反应引起光刻胶化学键的氧化作用。臭氧水作为氧化的促进成分也是有效的。
作为其他的氧化性物质，可选择Cl2-H2O、Br2-H2O、I2-KI、NaClO、NaClO4、KMnO4、K2CrO7、Ce(SO4)2等。
碱是强力的促进成分。例如用pH值8～14左右，令人满意的是用10～12的苛性碱水溶液。在光刻胶表面具有润湿性·渗透性，除去作用迅速。作为碱，可使用KOH、NaOH、NaCO3、Ca(OH)2、Ba(OH)2、NH4OH、TMAH等。
气体供给机构115是水蒸气的供给管路131和，N2等高温气体的供给管路132有选择地，或并用双方成为使用自如的状态。为了生成水蒸气需要很大的气化热，然而用N2等高温气体就能实现节能，大幅度的削减电能。而且，就像后述一样，也可以并用水蒸气的供给管路131和N2等高温气体的供给管路132，生成并供给湿度100％的高温气体。
水蒸气的供给管路131构成为，具备用于供给规定量(例如20cc/分)超纯水的隔膜泵124；加热由隔膜泵124供给的超纯水生成水蒸气的蒸发器125；以及用于把用蒸发器125生成的水蒸气供给混合室116的配管126。
另一方面，高温气体的供给管路132构成为，具备气体的流量调节器127和，把气体加热到规定温度的气体加热器128。
为了用该单片式光刻胶除去装置进行玻璃衬底111表面的光刻胶除去，首先，借助于衬底搬出入机构103把玻璃衬底111搬入处理室101内。这时，玻璃衬底111在处理室101内以大致被封闭的状态，与喷雾嘴102的多孔质陶瓷板117对置。
而且，借助于温度湿度控制机构113把处理室101内的温度控制在规定温度，这里70℃～90℃，令人满意的是80℃～90℃范围内的值，湿度控制在大约100％的状态下，用温水加热器122升为约90℃的洗净液和用蒸发器125产生约150℃的水蒸气或用气体加热器128产生约150℃的高温气体在混合116室内混合，一边使玻璃衬底111移动，一边把成为液滴状的洗净液从多孔质陶瓷板117向衬底111的光刻胶膜喷雾。这时，随着玻璃衬底111的移动，向整个衬底表面徐徐地均匀喷上洗净液。
而且，用该单片式光刻胶除去装置进行玻璃衬底111表面的光刻胶除去之际，并用构成气体供给机构115的水蒸气的供给管路131和N2等高温气体的供给管路132的方式也是合适的。这时，和上述同样，用温度湿度控制机构113把处理室101内的温度控制在规定温度，这里70℃～90℃，令人满意的是80℃～90℃范围内的值，把湿度控制到大约100％的状态下，在混合116室内混合用温水加热器122造成90℃左右的洗净液，和混合用蒸发器125产生150℃左右的水蒸气与用气体加热器128产生150℃左右的高温气体而成的湿度100％的高温气体，一边使玻璃衬底111移动，一边从多孔质陶瓷板117把成为液滴状的洗净液向衬底111的光刻胶膜喷雾。这时，可使喷雾嘴102附近的液滴状态洗净液，温度几乎没有从要求温度(70℃～90℃，令人满意的是80℃～90℃)降低地喷雾。而且，随着玻璃衬底111的移动，向整个衬底表面徐徐地均匀喷洒洗净液。
在这里，如本实施例那样不用形成封闭空间的处理室101，而在开放空间把液滴状态的洗净液向衬底表面喷雾的情况下，可知随着离开喷雾嘴的喷出口，液滴温度迅速地下降，给光刻胶除去带来妨碍，对此，由于用本实施例的处理室101并形成封闭空间，能够不带来液滴温度下降而是高温地喷雾控制的液滴状态洗净液。
以下，通过具体的实验例1，说明有关本实施例呈现上述效果调查的结果。
-实验例1-
在本例中，如图2所示，用普通的扇型双流体喷嘴43，作为洗净液把供给超纯水的洗净液供给机构41和具备水蒸气供给管路的气体供给机构42和喷嘴43连接起来，以规定的部件箱和盖板包围喷嘴43形成了封闭空间44。
而且，将对洗净液供给机构41的超纯水往喷嘴43供给时的温度(温水温度)T1和对气体供给机构42的水蒸气往喷嘴43供给时的温度(蒸发温度)T2大致保持规定值(T1：87℃上下，T2：147℃上下)，使封闭空间44内的气氛温度T6从19℃～到86℃内变化。此时，分别测定从喷嘴43的液滴喷出口10mm下位置液滴温度T3、30mm下位置的液滴温度T4、100mm下位置的液滴温度T5。
把温度T1～T6的测定结果表示在表1里，根据该表1，气氛温度T6是20℃时，在图3分别示出调查T6为70℃～90℃时的温度T3、T4、T5的不同样子。
在图3中，相当于使用了没有包围喷嘴的封闭空间的现有洗净装置场合的气氛温度T6设为20℃，这时可以知道随着远离喷嘴43的液滴喷出口，向四周大气夺取温度而迅速地使液滴温度下降。相对于此，如本实施例那样形成包围喷嘴的封闭空间，设气氛温度T6为70℃～90℃，令人满意的是80℃～90℃左右，液滴温度T3、T4、T5就非常接近，而且即使离开液滴喷出口100mm左右也能保持对液滴喷出口的液滴温度。
在现有的洗净装置一离开喷嘴的液滴喷出口就招来液滴温度迅速降低，在离开液滴喷出口10mm左右的位置配置洗净对象的衬底表面，然而从上述实验结果也可以知道，即使离开10mm左右的位置也产生相当的温度降低。因此，如本实施例那样设置包围喷嘴的封闭空间，使空间内的气氛温度保持规定的高温，增加喷嘴的液滴喷出口和到衬底表面的距离容许范围，就能大幅度地提高工艺容限。
而且，在气体供给机构115方面只用N2等高温气体的供给管路132供给干燥高温气体，把液滴状态的洗净液喷洒到衬底表面的情况下，与能够大幅度地削减电能相反，都知道①喷嘴内高温气体和液体的洗净液接触的时候，由于高温气体干燥而使洗净液气化，从②因为从喷嘴喷出之后的绝热膨胀，在喷嘴附近引起洗净液的温度降低。因此在本实施例，除用处理室101形成封闭空间外，并用水蒸气的供给管路131和N2等高温气体的供给管路132，采用生成并供给包括湿度100％的高温气体和洗净液的液滴状态洗净液的办法，希望保持在喷嘴附近不会使洗净液的温度降低，同时在离开喷嘴的部位依靠封闭空间不会引起液滴温度的降低，能喷出高温被控制了的液滴状态洗净液。
以下，通过具体的实验例2，说明有关本实施例呈现上述效果调查的结果。
-实验例2-
本例中，如图4所示，用通常的扇型双流体喷嘴54，把作为洗净液供给超纯水的洗净液供给机构51、具备N2等高温气体的供给管路的干燥气体供给机构52、具备水蒸气供给管路的水蒸气供给机构53都和喷嘴54连接起来，以规定的部件箱和盖板包围喷嘴54形成了封闭空间55。
而且，分别测定往干燥气体供给机构52的高温气体喷嘴54供给时的温度T1、往水蒸气供给机构53的超纯水水蒸气喷嘴54供给时的温度T2、高温气体和超纯水的水蒸气混合后的湿度100％的高温气体的温度T3、以及距喷嘴54的液滴喷出口10mm下位置的液滴温度T4。
把温度T1～T4的测量结果表示在表2里。
使用添加了相当于相对湿度100％水蒸气量的高温气体液滴喷出时的温度(液滴温度T4)是82℃，能达成作为目标的80℃以上。另一方面，相同封闭空间内只用高温气体的液滴喷出时的温度是42℃，没有达到作为目标的温度附近。
这时，因为除高温气体外使用水蒸气，需要把电力消耗的增大降到最小限度。因此，随上述的实验试算了电力消耗。其结果表示在表3里。
这样，都知道成为目标的液滴的喷出口时的温度是加在一起的温度，通过研究水蒸气和高温气体的最佳比率，就能降低电力消耗。根据该试算结果，作为液滴喷雾用的气体与只用水蒸气的情况相比降低24％的电力消耗。
如以上说过的那样，按照本实施例，把洗净液喷到衬底表面的光刻胶膜上除去该光刻胶膜之际，不但考虑减少能耗使洗净液气化成为液滴状态，进而希望控制和光刻胶膜接触时的上述液滴的温度(70℃以上)，就能可靠地除去光刻胶膜，实现摆脱资源·能量多消耗型技术，即对光刻胶的除去可能不依赖于能量和化学溶剂的环境共栖型技术。
还有，本实施例中，作为洗净对象的衬底，虽然举例说明了FPD的玻璃衬底，但是本发明不应该限定于这些，例如用于印制电路板等的洗净也是合适的。
(第2的实施例)
本实施例中，举例说明以大体圆形状的硅晶片等半导体衬底作为洗净对象的单片式光刻胶除去装置及其使用的除去方法。
图5是表示根据第2实施例的光刻胶膜除去装置的概况构成剖面图。
该装置的构成，具备设置作为洗净对象的衬底11，在内部设有衬底11的状态下构成内有该衬底11的封闭空间的处理室1和以所谓液滴状把洗净液喷到衬底上的喷雾嘴2。
处理室1由树脂或SUS构成，其构成具备使设有衬底11旋转的旋转机构12、对衬底11进行往该室内搬入搬出的图未示出的衬底搬出入机构、有配管排出处理结束后的洗净液的排液机构13、把该室内的气氛控制到要求的温度和湿度的温度湿度控制机构14、以及使用后述的N2等高温气体的供给管路32时，通过供给水蒸气等补充热量不足的热量补给配管19。这个温度湿度控制机构14，例如具备加热器加热机构或灯加热机构。这里，图中示出加热器加热机构13a。还有，即使不用旋转机构12，也可以作成在衬底11静止的状态下进行洗净的结构。
喷雾嘴2，是使洗净液和要求的气体混合，粒径成为10μm～200μm左右液滴状态供给的，所谓双流体喷嘴，其构成具备和设于旋转机构12的衬底11表面对置方式设置，供给液体洗净液的洗净液供给机构15、供给气体的气体供给机构16、混合洗净液和气体的混合室17、以及用于将混合后的洗净液和气体以液滴状态均匀地喷到对置配置的衬底11表面的大体圆形状的多孔质陶瓷板18。
还有，也可以使用没有多孔质陶瓷板18的一般喷射嘴。而且，也可以考虑利用以液滴状态喷出温水的，所谓单流体的线状嘴。
洗净液供给机构15构成为，具备用于定量(例如20cc/分)供给药液，这里包括超纯水(DIW)或光刻胶变质促进成分的超纯水等的柱塞泵21、将由柱塞泵21供给的药液加热到要求温度的温水加热器22、以及用于把用温水加热器22加热后的药液供给混合室17的配管23。
就光刻胶变质促进成分来说，氧化性物质作为交联或氧化促进成分是有效的。例如，过氧化氢也使离子注入处理光刻胶膜在短时间上变质并除去。可以认为是由于强力的氢氧基反应引起光刻胶化学键的氧化作用。臭氧水也作为氧化促进成分是有效的。
作为其他的氧化性物质，可选择Cl2-H2O、Br2-H2O、I2-KI、NaClO、NaClO4、KMnO4、K2CrO7、Ce(SO4)2等。
碱是强力的促进成分。例如PH数值用8～14左右，令人满意的是用10～12的苛性碱水溶液。在光刻胶表面具有润湿性、渗透性，除去作用迅速。作为碱，可使用KOH、NaOH、NaCO3、Ca(OH)2、Ba(OH)2、NH4OH、TMAH等。
气体供给机构16，选择性地或并用水蒸气的供给管路31和N2等高温气体的供给管路32，成为使用自如的状态。为了生成水蒸气虽然需要大量气化热，但是由于用N2等高温气体实现节能，就能大幅度削减电能。
水蒸气的供给管路31构成为，具备用于供给规定量(例如20cc/分)超纯水的隔膜泵24、加热由隔膜泵24供给的超纯水，生成水蒸气的蒸发器25、以及用于把用蒸发器25生成的水蒸气供给混合室17的配管26。
另一方面，高温气体的供给管路32构成为，具备气体的流量调节器27和把气体加热到规定温度的气体加热器28。
为了用该单片式光刻胶除去装置进行衬底11表面的光刻胶除去，首先，借助于衬底搬出入机构把衬底11配置在处理室1内的旋转机构12。这时，衬底11在处理室1内以密封的状态，与喷雾嘴2的多孔质陶瓷板18对置。
而且，借助于温度湿度控制机构14把处理室1内的温度控制在规定温度，这里70℃～90℃，令人满意的是80℃～90℃范围内的值，湿度控制在大约100％的状态下，用温水加热器22升为约90℃的洗净液和用蒸发器25产生约150℃的水蒸气、或用气体加热器28产生约150℃的高温气体在混合室17内混合，把成为液滴状的洗净液从多孔质陶瓷板18向衬底11的光刻胶膜均匀喷雾。
即使本实施例中，也和第1实施例同样，设置包围喷嘴的封闭空间，把空间内的气氛温度保持在规定的高温，增加喷嘴的液滴喷出口到衬底表面距离的容许范围，能大幅度地提高工艺容限。
就像以上说过的一样，按照本实施例，把洗净液喷到衬底表面的光刻胶膜上除去该光刻胶膜之际，考虑减低能量使洗净液成为液滴状态，进而希望控制接触光刻胶膜时的上述液滴的温度(70℃以上)，就能可靠地除去光刻胶膜，摆脱资源·能量多消耗型技术，即对光刻胶的除去可能不依赖于能量和化学溶剂的环境共栖型技术。
还有，在本实施例，作为洗净对象的衬底，举例说明了有关半导体衬底的硅晶片，然而本发明不应该限定于这些，例如在用于光刻的光掩模洗净用也是合适的。
按照本发明，把洗净液喷雾到衬底表面的光刻胶膜(或有机物)除去该光刻胶膜(或有机物)之际，考虑减低能量使洗净液成为液滴状态，进而希望控制接触光刻胶膜(或有机物)时的上述液滴的温度，就能提供可靠地除去光刻胶膜(或有机物)，摆脱资源·能量多消耗型技术，即实现对光刻胶(或有机物)的除去不依赖于能量和化学溶剂的环境共栖型技术的光刻胶膜(有机物)除去装置和光刻胶膜(有机物)除去方法。
表1
气氛温度与喷嘴喷出温度的关系
 
气氛温度(℃) 喷出10mm下(℃) 喷出30mm下(℃) 喷出100mm下(℃) 蒸气温度(℃) 温水温度(℃)
19 67 54 43 146 83
71 81 77 74 146 86
72 82 78 75 147 87
73 83 78 76 148 87
74 83 79 77 148 88
75 84 80 78 148 87
76 84 81 79 148 88
77 85 81 79 148 88
78 85 82 80 148 88
79 86 82 81 148 88
80 86 83 82 148 88
81 87 84 83 148 88
82 88 85 84 148 88
83 88 85 84 148 88
84 89 86 85 148 88
85 89 87 86 148 88
86 90 88 87 147 88
表2
Figure C03811167D00191
＊N2气体与蒸气混合后的温度未确认
表3
试算电力消耗(和设为期待流量18L/min的场合比较)
 
温水 高温N<sub>2</sub>气体 蒸气 总计
相对湿度100％N<sub>2</sub>气体 94W(20cc/分) 19W(6L/分) 283W(12L/分) 396W
投入蒸气 94W(20cc/分) - 424.5(18L/分) 519W

Claims (13)

1.一种光刻胶膜除去装置，使用在刻蚀工序中，其特征是：
以在表面上形成光刻胶膜的衬底作为洗净对象，该装置包括：
移动上述衬底的移动装置；
使洗净液喷雾成为高温液滴状的线状喷雾装置；和
构成内有上述衬底和上述喷雾装置的封闭空间的封闭装置，
上述封闭装置内上述衬底的上述光刻胶膜，在和上述喷雾装置对置的状态，用上述喷雾装置使上述液滴状的洗净液接触上述光刻胶膜之际，
把上述封闭装置内的温度和湿度调节到规定值，控制上述液滴状的洗净液接触上述光刻胶时的温度，
上述喷雾装置具有供给水或药液的第1喷嘴和供给水蒸气或高温气体的第2喷嘴，
借助于从上述第2喷嘴供给的水蒸气或高温气体，使从上述第1喷嘴供给的水或药液成为液滴状的洗净液而接触上述光刻胶膜。
2.按照权利要求1所述的光刻胶膜除去装置，其特征是作为洗净对象的上述衬底是平板显示器的玻璃衬底。
3.按照权利要求1所述的光刻胶膜除去装置，其特征是上述液滴状的洗净液接触上述光刻胶膜之际的温度控制在70℃以上的值。
4.按照权利要求1所述的光刻胶膜除去装置，其特征是上述洗净液含有光刻胶变质促进成分。
5.按照权利要求1所述的光刻胶膜除去装置，其特征是使用印制电路板作为洗净对象。
6.一种光刻胶膜除去装置，使用在刻蚀工序中，其特征是：
以在表面上形成光刻胶膜的衬底作为洗净对象，该装置包括：
移动上述衬底的移动装置；
使洗净液喷雾成为高温液滴状的线状喷雾装置；和
构成内有上述衬底和上述喷雾装置的封闭空间的封闭装置，
上述封闭装置内上述衬底的上述光刻胶膜，在和上述喷雾装置对置的状态，用上述喷雾装置使上述液滴状的洗净液接触上述光刻胶膜之际，
把上述封闭装置内的温度和湿度调节到规定值，控制上述液滴状的洗净液接触上述光刻胶时的温度，
上述喷雾装置具有：供给水或药液的第1喷嘴，和供给混合水蒸气和高温气体而成的湿度100％的高温气体的第2喷嘴，
借助于从上述第2喷嘴供给的上述湿度100％的高温气体，使从上述第1喷嘴供给的水或药液成为液滴状的洗净液而接触上述光刻胶膜。
7.一种在刻蚀工序实行的光刻胶膜除去方法，其特征是：
在除去衬底表面上形成的光刻胶膜之际，
将上述衬底保持在封闭空间内，在上述封闭空间内的温度和湿度调节到规定的状态，使用供给水或药液的第1喷嘴和供给水蒸气或高温气体的第2喷嘴，
借助于从上述第2喷嘴供给的水蒸气或高温气体，使从上述第1喷嘴供给的水或药液成为液滴状的洗净液，以该温度调节成为温度控制上述洗净液的液滴状接触上述光刻胶膜。
8.按照权利要求7所述的光刻胶膜除去方法，其特征是作为洗净对象的上述衬底是半导体衬底。
9.按照权利要求8所述的光刻胶膜除去方法，其特征是作为洗净对象的上述衬底是圆形状的。
10.按照权利要求9所述的光刻胶膜除去方法，其特征是使上述衬底一边旋转一边洗净。
11.按照权利要求7所述的光刻胶膜除去方法，其特征是上述洗净液的温度为70℃以上的值。
12.按照权利要求7所述的光刻胶膜除去方法，其特征是将上述液滴状的洗净液接触上述光刻胶膜时的温度控制在70℃以上范围内的值。
13.按照权利要求7所述的光刻胶膜除去方法，其特征是上述洗净液含有光刻胶变质促进成分。
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