KR100647059B1 - Ｅｌ 장치 및 그 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
애노드, 유기 발광층, 및 캐소드를 포함하는 EL 소자가 글라스 기판 상에 형성된다. 건식 공정을 통해 제 1 보호막이 EL 소자의 표면 상에 형성되어 EL 소자를 피복한다. 습식 공정을 통해 폴리실라잔을 이용하여 제 1 보호막의 표면 상에 제 2 보호막을 형성하여, 제 1 보호막을 피복한다. 제 1 보호막에 그 상부의 이물질의 잔존으로 인하여 피복되지 않은 부분이 남아있더라도, 제 2 보호막이 피복되지 않은 부분을 피복하여, 외부로부터의 산소 또는 다른 가스, 수분 등의 EL 소자로의 침투를 회피한다.
EL 장치
Description
도 1 은 본 발명의 실시형태에 따른 EL 장치의 구성을 나타내는 단면도.
도 2 는 이물질이 EL 소자 상에 존재하는 경우 EL 장치의 주요 부분을 나타내는 확대 단면도.
도 3 은 비교예로서 EL 장치 상의 고온/고습 조건 하에서의 평가에 영향을 미치는 경과 시간에 대한, 성장 다크 스팟을 도시하는 그래프.
＊도면의 주요부분에 대한 부호의 설명＊
1 : 글라스 기판
2 : EL 소자
3 : 애노드
4 : 유기 발광층
5 : 캐소드
6 : 제 1 보호막
7 : 제 2 보호막
8 : 이물질
9 : 피복되지 않은 부분
본 발명은 EL 장치에 관한 것으로, 특히, 습기와 가스를 차단하는 특성 개선에 관한 것이다.
또한, 본 발명은 이러한 EL 장치를 제조하기 위한 방법에 관한 것이다.
현재까지, EL 장치, 예를 들면 무기 EL 장치 또는 유기 EL 장치는, 자기 발광을 수행하고 고광도 스크린을 제공할 수 있는 경박화된 휴대용 장치 또는 조명장치로서 널리 실용화가 진행되어 왔다. EL 장치는, 기판 상에 하나 이상이 투명 전극으로 구성되는 한 쌍의 전극층 및 이 전극층들 사이에 개재된 발광층이 형성되는 구조를 갖는다.
이러한 타입의 EL 장치는, EL 장치의 전극층 또는 발광층이 산소 또는 다른 가스, 수분 등의 침투에 의해 손상되어, 이미지 품질이 열화되거나 수명이 단축될 가능성이 있다. 이를 극복하기 위하여, 외부로부터의 산소 또는 다른 가스, 수분 등의 침입을 회피하기 위하여, EL 소자의 표면을 보호막으로 피복하는 것이 제안되었다.
예를 들면, 일본 특허 공개 2002-222691 호는 EL 소자의 표면에 폴리실라잔 (polysilazane) 을 도포하여, 실리카막 또는 실리카계막을 보호막으로 형성하는 기술을 개시한다. 또한, 일본 특허 3170542 호는 플라즈마 CVD 등의 방법에 의해, α-Si 막, α-SiC 막, α-SiN 막, 및 α-C 막으로 이루어지는 그룹으로부터 선 택되는 무기 비정질막이 보호막으로서 표면 상에 형성된 유기 EL 소자를 개시한다.
또한, 일본 특허 공개 2003-118030 호는, 건식 공정을 통하여 유기계 재료의 표면 상에 가스 배리어층을 형성하는 단계, 습식 공정을 통하여 가스 배리어층의 표면 상에 폴리실라잔-함유 조성물의 경화물로 이루어지는 경화물층을 형성하는 단계, 및 EL 소자의 표면 상에 베이스 재료를 배열하는 단계에 의해 제조되는 EL 장치를 개시한다.
그러나, 일본 특허 공개 제 2002-222691 호에서 제안된 바와 같이 실리카막 등을 형성하기 위하여 EL 소자의 표면 상에 폴리실라잔을 직접 도포하는 것을 목적으로 한다면, EL 소자의 발광층 또는 전극층이 도포된 폴리실라잔 용액의 용매에 의해 손상을 입게 되는 위험이 있다. 일본 특허 제 3170542 호에서 제안된 바와 같이, 플라즈마 CVD 등에 의해 막을 형성하는 경우, 플라즈마 CVD 를 통하여 형성되는 막은 그 쓰로잉 (throwing) 전력으로 제한된다. 예를 들면, 이물질이 EL 소자의 표면 상에 존재한다면, 이물질은 무기 비정질막으로 완전하게 피복될 수 없고, 피복되지 않은 부분에는 산소 또는 다른 가스, 수분 등이 침투할 수 있다. 이러한 산소 또는 다른 가스, 수분 등의 EL 소자 내부로의 침투는 발광층을 열화시킴으로써, 시간에 따라 다크 스팟 (dark spot) 의 성장을 유발한다.
또한, 일본 특허 공개 제 2003-118030 호에 제안되는 바와 같이, 유기계 재료 및 기재의 표면 상에 가스 배리어층 및 경화물층이 형성하고, 그 기재를 EL 소자의 표면 상에 배열한다고 가정하면, 다음과 같은 문제가 발생한다. 즉, 전술한 배열은 그 제조 공정에서와 같이 두께를 증가시킴과 동시에 EL 장치의 구조를 복잡하게 한다.
본 발명은 통상의 기술이 갖는 전술한 문제를 해결하기 위한 관점으로부터 이루어졌으며, 간단한 구성임에도 불구하고 EL 소자의 손상없이 산소 또는 다른 가스, 수분 등의 침투에 의해 유발되는 어떠한 열화도 회피할 수 있는 EL 장치를 제공하는 목적을 갖는다.
본 발명의 다른 목적은 이러한 EL 장치를 제조하는 방법을 제공하는데 있다.
본 발명에 따른 EL 장치는, 기판, 기판의 표면 상에 형성되고 제 1 전극층, 발광층 및 제 2 전극층을 적어도 포함하는 EL 소자, 건식 공정을 통해 EL 소자의 표면 상에 형성되는 제 1 보호막, 및 습식 공정을 통해, 제 1 보호막에 의해 피복되지 않은 부분을 피복하는, 제 1 보호막의 표면 상에 형성되는 제 2 보호막을 포함한다.
본 발명에 따른 EL 장치의 제조 방법은, 기판의 표면 상에 제 1 전극층, 발광층, 및 제 2 전극층을 적어도 포함하는 EL 소자를 형성하는 단계, 건식 공정을 통해, EL 소자의 표면 상에 EL 소자를 피복하기 위한 제 1 보호막을 형성하는 단계, 및 습식 공정을 통해, 제 1 보호막 상에 제 2 보호막을 형성하기 위한 폴리실라잔을 증착하는 단계를 포함한다.
보다 상세하게는, 건식 공정을 통해 EL 소자의 표면 상에 제 1 보호막이 직접 형성되고, 습식 공정을 통해 폴리실라잔을 이용하여 제 1 보호막 상에 제 2 보 호막이 더 형성된다. 이와 같이 형성된 제 1 및 제 2 보호막은 EL 소자에 손상을 주지 않고 산소 또는 다른 가스, 수분 등의 침투에 의한 열화를 방지할 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시형태를 설명한다.
도 1 은 본 발명의 실시형태에 따른 EL 장치의 일부분을 나타낸다. 글라스 기판 (1) 상에 EL 소자 (2) 가 형성된다. EL 소자 (2) 는, 제 1 전극층으로 제공되며 글라스 기판 (1) 의 표면 상에 형성되는 애노드 (3), 애노드 (3) 상에 형성되는 유기 발광층 (4), 및 제 2 전극층으로 제공되고 유기 발광층 (4) 상에 형성되는 캐소드 (5) 를 포함한다. 제 1 보호막 (6) 은 EL 소자 (2) 의 표면 상에 형성되어 EL 소자 (2) 를 피복한다. 또한, 제 2 보호막 (7) 은 제 1 보호막 (6) 의 표면 상에 형성되어 제 1 보호막 (6) 을 피복한다.
글라스 기판 (1) 은 가시광에 대하여 투과성 또는 반투과성을 갖는 임의의 재료로 형성될 수 있다. 글라스와 함께, 이러한 조건을 만족하는 플라스틱을 이용할 수 있다. EL 소자 (2) 의 애노드 (3) 는 전극으로 기능하면서 적어도 가시광에 대하여 투과성 또는 반투과성만을 가져야 한다. 예를 들면, 이 재료로서 ITO 를 이용한다. 유기 발광층 (4) 는 Alq3 또는 DCM 과 같은 공지된 유기 발광 물질을 적어도 함유하는 재료로 이루어진다. 전자 전송층 및 홀 전송층과 같은 하나 이상의 층은 적절하게 전극들 사이에 형성되며, 이 층들은 통상의 유기 EL 장치에 이용된다. 층 각각은 공지된 재료로 적절하게 형성된다. 캐소드 (5) 는 적어도 가시광에 대하여 반사성을 나타냄과 동시에 오직 전극으로서의 기능만을 갖는다. 예를 들면, 이에 대하여 Al, Cr, 또는 Mo, Al 합금, 또는 Al/Mo 적층체와 같은 금속을 이용할 수 있다. 각각의 층은 임의의 공지된 박막 형성 방법, 예를 들면 진공 증착으로 형성될 수 있다.
제 1 보호막 (6) 은 건식 공정을 통하여 제조되는 Si 화합물, 예를 들면, 바람직하게는 0.1 내지 5 ㎛ 두께를 갖는 실리콘 니트라이드, 실리콘 옥시 니트라이드로 형성된다.
또한, 제 2 보호막 (7) 으로서 0.01 내지 2 ㎛ 두께를 갖는 SiO2 막을 이용하고 습식 공정을 통해 폴리살라잔을 이용하여 제조된다. 본 명세서에서, 용어 "폴리실라잔" 은 Si 원자와 본딩되는 수소 원자가 알킬기 등과 부분적으로 치환되는 폴리실라잔의 유도체를 포함한다. 알킬기, 특히 저 분자량을 갖는 메틸기가 존재할 때, SiO2 막은 베이스가 되는 제 1 보호막과의 접착력을 향상시키고 가요성을 나타낸다. 그 결과, SiO2 막이 두껍게 형성되는 경우에도 균열이 진행되는 것이 방지될 수 있다. 알킬기로서, 1 내지 4 탄소 원자를 갖는 알킬기를 이용하는 것이 바람직하다. 또한, 폴리실라잔은 반건조 상태로 있을 수도 있으며, 그 일부분은 미반응된 상태를 유지할 수 있다.
이와 같이 구성되는 EL 장치에서, 발광 표면은 그 상부에 형성되는 EL 소자 (2) 를 갖는 다른 주면 (principle surface) 에 반대되는 글라스 기판 (1) 의 주면에 대응한다. 즉, 유기 발광층 (4) 으로부터 발광되는 광은 캐소드 (5) 에 의 해 반사된 후 애노드 (3) 에 직접 입사되거나 간접 입사되고, 그 후, 글라스 기판 (1) 을 통과하고 이로부터 출사한다.
다음으로, 전술한 EL 장치를 제조하는 방법을 설명한다. 먼저, 공지된 박막 형성 방법에 의하여 애노드 (3), 유기 발광층 (4) 및 캐소드 (5) 를 언급한 순서대로 글라스 기판 (1) 의 표면 상에 적층함으로써, EL 소자 (2) 를 형성한다.
그 후, EL 소자 (2) 를 갖는 글라스 기판 (1) 을 진공 또는 불활성 분위기의 플라즈마 CVD 장치의 챔버로 이송한다. 플라즈마 CVD 에 의해 캐소드 (5) 의 표면 상에 제 1 보호막 (6) 을 형성한다. 이 때, EL 소자를 형성하는 각각의 재료의 글라스 전이 온도 이상의 온도 범위 이내로, 예를 들면, 50 내지 110 ℃ 로 글라스 기판 (1) 의 온도를 떨어뜨리는 조건 하에서 제 1 보호막 (6) 을 형성하여, EL 소자 (2) 에 영향을 미치지 않도록 하는 것이 바람직하다. 보다 바람직하게는, 글라스 기판 (1) 의 온도는, EL 소자 (2) 를 형성하는 각각의 재료의 유리 전이 온도 중 최저 온도로부터 20 K 이하의 온도 범위까지로 떨어뜨리는 것이다.
다음으로, 대기에 노출시킨 후, 제 1 보호막 (6) 의 표면 상에 폴리실라잔을 도포한다. 스핀 코팅, 딥 코팅, 플로우 코팅, 롤 코팅, 및 스크린 프린팅과 같은 다양한 방법으로부터 코팅 방법을 선택할 수 있다. 여기서, 제 1 보호막 (6) 이 형성될 때와 동일한 분위기 또는 이 분위기에 노출되는 대신 불활성 분위기에서, 폴리실라잔을 도포할 수 있다.
그 후, 오븐, 핫 플레이트, 또는 이와 다른 히터를 사용하여 폴리실라잔을 베이크하여 (bake), 다음의 반응식,
[-SiH2NH-]n+2H2O→SiO2+NH3+2H2
으로 표현되는 반응을 시작하여, 제 2 보호막 (7) 을 형성한다.
이렇게 함으로써, EL 장치를 완성한다.
예를 들어, 도 2 에 나타낸 바와 같이, 먼지와 같은 이물질 (8) 이 EL 소자 (2) 의 표면 상에 존재한다면, 건식 공정을 통하여 제 1 보호막 (6) 이 EL 소자 (2) 의 표면 상에 형성되더라도, 제 1 보호막 (6) 은 이물질 (8) 을 완전하게 피복하지 못하게 되어, 제 1 보호막 (6) 으로 피복되지 않은 부분이 남게 되는 가능성이 있다. 그러나, 습식 공정을 통해 제 2 보호막 (7) 을 제 1 보호막 (6) 상에 형성함으로써, 제 1 보호막 (6) 으로 피복되지 않은 부분 (9) 을 피복한다. 따라서, 외부로부터 EL 소자 (2) 로의 산소 또는 다른 가스, 수분 등의 침투를 회피할 수 있다.
또한, 제 1 보호막 (6) 상에 폴리실라잔을 도포하기 전에, 건식 공정을 통해 EL 소자 (2) 의 표면 상에 제 1 보호막 (6) 을 형성하여, 제 2 보호막 (7) 을 형성한다. 따라서, EL 소자 (2) 는 어떠한 손상도 갖지 않는다.
이물질 (8) 은 먼지와 함께 글라스 파우더 또는 레지스트 증착물이 될 수 있다. 어떠한 이물질이더라도, 제 1 보호막 (6) 으로 피복되지 않은 부분 (9) 이 제 2 보호막 (7) 으로 피복되므로, 산소 또는 다른 가스, 수분 등의 침투를 회피할 수 있도록 한다.
베이킹 공정에서 도포된 폴리실라잔의 일부분이 반응되지 않는다면, 즉, 이 폴리실리잔은 반건조 상태에서 유지된다면, 미반응된 부분은 침투한 수분과 반응하게 되어, 침투 수분이 EL 소자에 도달하게 되는 것을 방지한다. 따라서, EL 소자 (2) 는 침투 수분으로 인하여 열화되는 것이 방지될 수 있다.
전술한 실시형태에서는 투명 애노드 (3), 유기 발광층 (4), 및 반사형 캐소드 (5) 가 글라스 기판 (1) 상에 언급된 순서대로 적층되고, 유기 발광층 (4) 으로부터 발광된 광이 애노드 (3) 와 글라스 기판 (1) 을 통하여 투과되어 이들로부터 출사되는 바텀 발광형 (bottom emission type) 유기 EL 장치를 설명하였다. 그러나, 본 발명은 이로 한정되지 않는다. 본 발명은, 반사 전극, 유기 발광층, 및 투명 전극이 기판 상에 언급한 순서대로 적층되고 유기 발광층으로부터 발광되는 광이 기판에 반대되는 투명 전극을 통하여 투과되어 이로부터 출사되는, 탑 발광형 (top emission type) 유기 EL 장치에 적용할 수 있다. 이 경우, 제 1 및 제 2 보호막은 투명 전극 상에 연속으로 형성되고, 가시광에 대하여 투명 또는 반투명성을 갖는 재료로 형성될 필요가 있다.
지금까지 유기 EL 장치에 대하여 설명하였다. 그러나, 본 발명은 무기 EL 장치에도 유사하게 적용할 수 있다.
제 2 보호막을 형성하기 위한 습식 공정으로서, 폴리실라잔을 도포하는 방법 대신 내습성 수지를 도포하는 방법을 이용할 수 있다.
[실시예]
반응성 스퍼터링에 의해 투명 글라스 기판 상에 애노드 ITO 를 190 nm 의 두께로 형성하였다. 그 후, 발광층의 증착 전에 알칼리 세정 공정으로 기판을 투 입하고, 다음으로 순수로 세정한 후, 건조 및 UV 오존 세정을 수행하였다.
진공 증착 장치에 기판을 이송하여, 증착 속도 약 0.1 nm/sec, 진공도 5.0×10-5 Pa 에서, 카본 도가니를 이용하여, 애노드 표면 상에 홀 주입 영역으로서 구리 프탈로시아닌을 10 nm 의 두께로 증착하였다.
다음으로, 증착 속도 0.1 nm/sec, 진공도 약 5.0×10-5 Pa 에서, 카본 도가니를 이용하여, 홀 주입 영역 상에 홀 전송 영역으로서 트리페닐라민의 테트라머를 30 nm 의 두께로 증착하였다.
또한, 증착 속도 0.1 nm/sec, 진공도 약 5.0×10-5 Pa 에서, 홀 전송 영역 상에 발광 영역으로서 4,4'-bis(2,2-디페닐비닐)비페닐 (DPVBi)(발광색 : 청색) 을 30 nm 의 두께로 증착하였다.
증착 속도 0.01 nm/sec, 진공도 약 5.0×10-5 Pa 에서, 카본 도가니를 이용하여, 발광 영역 상에 전자 전송 영역으로서 퀴놀리놀라토 금속 복합체, Alq3 를 20 nm 의 두께로 증착하였다.
그 후, 증착 속도 0.03 nm/sec, 진공도 약 5.0×10-5 Pa 에서, 카본 도가니를 이용하여, 전자 전송 영역 상에 캐소드 인터페이스 영역으로서 LiF 를 0.5 nm 의 두께로 증착하였다. 또한, 캐소드 인터페이스 영역 상에, 증착 속도 1 nm/sec, 진공도 약 5.0×10-5 Pa 에서, 캐소드로서 텅스텐 보트 상에 알루미늄을 100 nm 의 두께로 증착하였다.
이와 같이 글라스 기판 상에 EL 소자를 형성한 후, 플라즈마 CVD 장치에 의해 캐소드의 표면 상에 제 1 보호막으로서 실리콘 니트라이드막을 형성하였다. 보다 상세하게는, 글라스 기판을 플라즈마 CVD 장치의 챔버에 위치시키고, 1×10-3 Pa 압력까지 떨어뜨리고, SiH4, NH3, N2 각각을 100 ml/min, 50 ml/min, 및 1000 ml/min 의 유량으로 챔버 내부에 흘렸다. 이 때, 압력을 75 Pa 로 조절하였다. 다음으로, 13.56 MHz 및 600 W 의 RF 전력을 20 mm 의 간격으로 배치되는 한 쌍의 전극 사이에 인가하여, 가스 방전을 유도하여, 캐소드의 표면 상에 1 ㎛ 두께의 실리콘 니트라이드막을 증착하였다. 이 때, 글라스 기판 온도를 100 ℃ 이하로 설정하였으며 막 형성 속도를 약 3 nm/sec 로 하였다.
또한, 500 rpm 의 회전 속도를 갖는 스피너를 이용하여 20 wt% 의 농도의 폴리살라잔 (Clariant (Japna) KK. 에서 입수 가능한 "NL-120") 으로 실리콘 니트라이드의 표면을 코팅하였다. 다음으로, 이와 같이 형성된 소자를 핫 플레이트에서 90 ℃ 에서 30 분 동안 건조하여, 0.5 ㎛ 의 두께를 갖는 제 2 보호막을 형성하였다.
이와 같이 제조된 EL 장치를 고온/고습 상태 하에서 평가하였다. 그 결과, 이 평가에서 500 시간이 경과한 후에도 다크 스팟이 진행되지 않은 것을 확인한다.
비교예로서, 제 2 보호막을 생략하는 것을 제외하고 실시예와 동일한 방법으 로 EL 장치를 제조하였다. 즉, 글라스 기판 상에 EL 소자를 형성하고, 다음으로, 캐소드의 표면 상에 제 1 보호막을 형성하였다. 고온/고습 상태 하에서 이 EL 장치를 평가하였다. 이 평가에서 도 3 의 샘플 DS1 내지 DS5 에 나타낸 바와 같이 약간의 다크 스팟이 시간에 따라 타오르는 것을 나타낸다.
전술한 바와 같이, 본 발명에 따르면, EL 소자의 표면 상에 건식 공정에 의해 제 1 보호막을 형성하고, 제 1 보호막의 표면 상에 습식 공정에 의해 제 2 보호막을 형성함으로써, 제 1 보호막의 피복되지 않은 부분을 피복하게 되므로, 간단한 구성임에도 불구하고 EL 소자의 손상없이 산소 또는 다른 가스, 수분 등의 침투에 의해 유발되는 어떠한 열화도 회피할 수 있다.
Claims (17)
- 기판;상기 기판의 표면 상에 형성되고 제 1 전극층, 발광층, 및 제 2 전극층을 적어도 포함하는 EL 소자;건식 공정을 통해 EL 소자의 표면 상에 형성되는 제 1 보호막; 및습식 공정을 통해 상기 제 1 보호막의 표면 상에 형성되며, 폴리실라잔 (polysilazane) 을 이용하여 형성되는 SiO2 막을 포함하는 제 2 보호막을 포함하는, EL 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 제 1 보호막은 실리콘 니트라이드, 실리콘 옥시니트라이드, 및 실리콘 옥사이드로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는 하나로 형성되는, EL 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 제 2 보호막은 상기 제 1 보호막에 의해 피복되지 않은 EL 소자의 표면 부분을 피복하도록 형성되는, EL 장치.
- 제 2 항에 있어서,상기 제 1 보호막은 0.1 내지 5 ㎛ 의 막두께를 갖는, EL 장치.
- 제 3 항에 있어서,상기 제 2 보호막은 0.01 내지 2 ㎛ 의 막두께를 갖는, EL 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 EL 소자는 유기 EL 소자를 포함하는, EL 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 EL 장치는 바텀 발광형 (bottom emission type) 인, EL 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 EL 장치는 탑 발광형 (top emission type) 인, EL 장치.
- 기판의 표면 상에 제 1 전극층, 발광층, 및 제 2 전극층을 적어도 포함하는 EL 소자를 형성하는 단계;건식 공정을 통해, 상기 EL 소자의 표면 상에 상기 EL 소자를 피복하는 제 1 보호막을 형성하는 단계; 및습식 공정을 통해, 제 2 보호막을 형성하기 위하여 상기 제 1 보호막 상에 폴리실라잔을 증착하는 단계를 포함하는, EL 장치의 제조 방법.
- 제 9 항에 있어서,상기 제 1 보호막은 상기 EL 소자를 형성하는 재료 각각의 글라스 전이 온도 이하의 온도 범위에서 플라즈마 CVD 에 의해 형성되는, EL 장치의 제조 방법.
- 제 10 항에 있어서,상기 제 1 보호막은 상기 EL 소자를 형성하는 재료 각각의 글라스 전이 온도 중 최저 글라스 전이 온도로부터 20 K 이하의 온도 범위에서 형성되는, EL 장치의 제조 방법.
- 제 9 항에 있어서,상기 제 2 보호막은 상기 제 1 보호막의 표면에 폴리실라잔을 도포하고, 그 폴리실라잔을 베이킹하여 형성되는, EL 장치의 제조 방법.
- 제 12 항에 있어서,상기 폴리실리잔을 반건조 상태로 유지하는, EL 장치의 제조 방법.
- 제 12 항에 있어서,스핀 코팅법, 딥 코팅법, 플로우 코팅법, 롤 코팅법, 및 스크린 프린팅법으로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는 하나의 방법에 의해, 폴리실라잔을 도포하는, EL 장치의 제조 방법.
- 제 9 항에 있어서,상기 폴리실라잔은 Si 에 본딩되는 1 내지 4 탄소 원자를 갖는 알킬기를 갖는, EL 장치의 제조 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 폴리실라잔은 Si 원자와 본딩되는 수소 원자가 1 내지 4 탄소 원자를 갖는 알킬기와 부분적으로 치환되는 폴리실라잔의 유도체인, EL 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 제 2 보호막은 미반응 상태인 폴리실라잔을 포함하는, EL 장치.
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| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
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Payment date: 20111019 Year of fee payment: 6 |
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