KR100646899B1 - 적어도 두개 이상의 표면 탄성파 구조들을 가지고 있는표면 탄성파 장치 - Google Patents
적어도 두개 이상의 표면 탄성파 구조들을 가지고 있는표면 탄성파 장치 Download PDFInfo
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- - 압전 기판을 구비하고,- 상기 기판에 고정되며 표면 탄성파의 전파 방향을 따라 차례로 배치되는 제1 및 제2 표면 탄성파 구조(St1, St2)가 금속성 핑거들을 포함하며 각각 제1 및 제2 핑거 주기(P)를 갖고,- 상기 두 개의 표면 탄성파 구조는 위상 및 핑거 주기(P) 중 적어도 하나가 서로 다르며,- 상기 두 개의 표면 탄성파 구조의 끝 부분에 있는 핑거들은 제1 표면 탄성파 구조로부터 제2 표면 탄성파 구조로의 접합 영역을 형성하며,- 상기 접합 영역에서의 국부 핑거 주기(P)는 상기 두 표면 탄성파 구조의 핑거 주기보다 낮게 제공되는, 표면 탄성파 장치.
- 제1항에 있어서,상기 접합 영역에서의 제1 표면 탄성파 구조의 국부 핑거 주기(P)는 상기 제2 표면 탄성파 구조의 핑거 주기에 도달할 때까지 처음에는 계속해서 감소하다가 다시 계속해서 증가하는 표면 탄성파 장치.
- 제1항 또는 제2항에 있어서,상기 접합 영역은 상기 두 표면 탄성파 구조의 끝에 있는 5 내지 8개의 핑거로 형성되는 표면 탄성파 장치.
- 제1항 또는 제2항에 있어서,상기 두 표면 탄성파 구조 중 적어도 하나는 인터디지털 변환기(A, E)의 형태인 표면 탄성파 장치.
- 제4항에 있어서,상기 제2 표면 탄성파 구조는 리플렉터(R)의 형태인 표면 탄성파 장치.
- 제1항 또는 제2항에 있어서,상기 두 개의 표면 탄성파 구조는 리플렉터(R)의 형태인 표면 탄성파 장치.
- 제1항 또는 제2항에 있어서,상기 표면 탄성파 구조들의 핑거 폭은 처음에는 감소하다가 상기 접합 영역에서 다시 증가하는 표면 탄성파 장치.
- 제1항 또는 제2항에 있어서,상기 표면 탄성파 구조들은 0.7 내지 0.8의 금속화율(η)을 갖는 표면 탄성파 장치.
- 제1항 또는 제2항에 있어서,상기 표면 탄성파 장치는 입력 및 출력 변환기로 사용되는 인터디지털 변환기들이 하나의 탄성 트랙 내의 두 리플렉터 사이에 배치되는 2중 모드 표면 탄성파 필터(DMS 필터)의 형태이며, 상기 표면 탄성파 구조들은 인터디지털 변환기들 및 리플렉터들로부터 선택되는 표면 탄성파 장치.
- 제9항에 있어서,상기 리플렉터들은 접지에 연결되는 표면 탄성파 장치.
- 제1항 또는 제2항에 있어서,상기 표면 탄성파 구조들의 금속화 높이는 상기 표면 탄성파 구조들과 관련하여 표면 탄성파 파장의 9 내지 11% 범위 내에 있는 표면 탄성파 장치.
- 제1항 또는 제2항에 있어서,42°적색 YX-LiTaO3 기판 또는 36°적색 YX-LiTaO3 기판 위에 배치되는 표면 탄성파 장치.
- 제1항 또는 제2항에 있어서,두 리플렉터(R1, R2) 사이에 차례로 배치되는 3개의 인터디지털 변환기(A1,E1,E2)를 구비하며, 제1 연결부(OUT)에 연결되는 중앙 인터디지털 변환기(A)는 총 27 내지 35개의 전극 핑거를 구비하는 반면에, 제2 연결부(IN)에 연결되는 두 개의 외부 인터디지털 변환기(E1, E2)는 총 20 내지 24개의 전극 핑거를 구비하는 표면 탄성파 장치.
- 제13항에 있어서,상기 중앙 인터디지털 변환기(A)와 상기 두 외부 인터디지털 변환기(E1, E2) 사이의 거리는 크기가 서로 다른 표면 탄성파 장치.
- 제1항 또는 제2항에 있어서,상기 표면 탄성파 장치는 2-트랙 장치의 형태이며, 상기 2-트랙 내의 상기 리플렉터들(R)의 핑거 주기(P)는 크기가 서로 다른 표면 탄성파 장치.
- 제1항 또는 제2항에 있어서,상기 표면 탄성파 장치는 단일 포트 공진기들을 구비한 리액턴스 필터의 형태이며, 적어도 하나 이상의 단일 포트 공진기에서 서로 다른 핑거 주기(P)의 인터디지털 변환기와 리플렉터 사이에 결합부를 가지는 표면 탄성파 장치.
- 제1항 또는 제2항에 있어서,두 개의 리플렉터(R1, R2) 사이에 배치되는 3개의 인터디지털 변환기들(A1,E1,E2)이 표면 탄성파 구조로서 제공되고, 외부 인터디지털 변환기들(E1, E2)과 중앙 인터디지털 변환기(A)간의 거리가 상이한 표면 탄성파 장치.
- 제1항 또는 제 2항에 있어서,상기 표면 탄성파 장치는 DMS 필터로서 형성되면서, 전극 핑거의 금속화 높이는 파장의 9 내지 11% 범위 내에 있으며, 상기 두 개의 표면 탄성파 구조는 서로에 대해 △x만큼 천이된 인터디지털 변환기이며, 이때 △x=(0.25±0.01)λ가 되는 표면 탄성파 장치.
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