KR100644111B1 - 비대칭 메모리 셀 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (20)
- 제 1 영역을 가진 하부전극을 형성하는 단계;이 하부전극을 오버레이하는 EPVR (electrical pulse various resistance) 재료를 형성하는 단계; 및제 1 영역보다 작은 제 2 영역을 가지며 EPVR 층을 오버레이하는 상부전극을 형성하는 단계를 포함하며,상기 상부 및 하부 전극을 형성하는 단계는, TiN, TaN, TiAlN, TaAlN, Ag, 및 Au 를 포함하는 그룹 중에서 선택되는 재료로부터 상부 및 하부전극을 형성하는 단계를 포함하는, 비대칭 메모리 셀의 형성방법.
- 제 1 항에 있어서,상부전극과 하부전극 간에 전기장을 유도하는 단계; 및이 전기장에 응답하여, 상부전극에 인접하는 EPVR 을 통과하는 전류흐름을 유도하는 단계를 더 포함하는, 비대칭 메모리 셀의 형성방법.
- 제 2 항에 있어서,상부전극에 인접하는 EPVR 을 통과하는 전류흐름을 유도하는 것에 응답하여, 상부전극과 하부전극 간에 EPVR 의 저항을 변경하는 단계를 더 포함하는, 비대칭 메모리 셀의 형성방법.
- 제 3 항에 있어서,상부전극과 하부전극 간에 전기장을 유도하는 단계는, 상부전극과 하부전극 간에 2 내지 5V의 범위의 진폭 및 1ns 내지 10㎲의 범위의 지속기간을 가진 음의 전압펄스를 인가하는 단계를 포함하며,상부전극과 하부전극 간의 EPVR 의 저항을 변경하는 단계는 이들 전극 간에 제 1 고저항을 생성하는 단계를 포함하는, 비대칭 메모리 셀의 형성방법.
- 제 4 항에 있어서,상부전극과 하부전극 간에 전기장을 유도하는 단계는, 상부전극과 하부전극 간에 2 내지 5V의 범위의 진폭 및 1ns 내지 10㎲의 범위의 지속기간을 가진 양의 전압펄스를 인가하는 단계를 포함하며,상부전극과 하부전극 간의 EPVR 의 저항을 변경하는 단계는 제 1 고저항보다 낮은 제 2 저항을 이들 전극 간에 생성하는 단계를 포함하는, 비대칭 메모리 셀의 형성방법.
- 제 1 항에 있어서,제 1 영역보다 작은 제 2 영역을 가지며 EPVR 층을 오버레이하는 상부전극을 형성하는 단계에서, 제 2 영역은 제 1 영역보다 20% 더 작은, 비대칭 메모리 셀의 형성방법.
- 삭제
- 제 1 항에 있어서,EPVR 층을 형성하는 단계는 초거대 자기저항체 (CMR), 고온초전도체 (HTSC) 및 페로브스카이트 (perovskite) 금속산화물 재료를 포함하는 그룹 중에서 선택되는 재료로부터 EPVR 층을 형성하는 단계를 포함하는, 비대칭 메모리 셀의 형성방법.
- 제 3 항에 있어서,상부전극에 인접하는 EPVR을 통과하는 전류 흐름을 유도하는 것에 응답하여 상부전극과 하부전극 간에 EPVR의 저항을 변경하는 단계는 100Ω 내지 10MΩ범위 내의 저항을 변경하는 단계를 포함하는, 비대칭 메모리 셀의 형성방법.
- 제 1 영역을 가진 하부전극을 형성하는 단계;이 하부전극을 오버레이하는 EPVR 재료를 형성하는 단계; 및제 1 영역보다 큰 제 2 영역을 가지며 EPVR 층을 오버레이하는 상부전극을 형성하는 단계를 포함하며,상기 상부 및 하부 전극을 형성하는 단계는, TiN, TaN, TiAlN, TaAlN, Ag, 및 Au 를 포함하는 그룹 중에서 선택되는 재료로부터 상부 및 하부전극을 형성하는 단계를 포함하는, 비대칭 메모리 셀의 형성방법.
- 제 10 항에 있어서,제 1 영역보다 큰 제 2 영역을 가지며 EPVR 층을 오버레이하는 상부전극을 형성하는 단계에서, 제 1 영역은 제 2 영역보다 20% 더 작은, 비대칭 메모리 셀의 형성방법.
- 제 1 영역을 가진 하부전극;하부전극을 오버레이하는 EPVR 재료층; 및제 1 영역보다 작은 제 2 영역을 가지며 EPVR 층을 오버레이하는 상부전극을 구비하며,상기 상부 및 하부 전극은, TiN, TaN, TiAlN, TaAlN, Ag, 및 Au 를 포함하는 그룹 중에서 선택되는 재료인, 비대칭 메모리 셀.
- 제 12 항에 있어서,상부전극 제 2 영역이 하부전극 제 1 영역 보다 20% 더 작은, 비대칭 메모리 셀.
- 삭제
- 제 13 항에 있어서,EPVR 층은 상부전극과 하부전극 간에 인가된 제 1 전압 펄스에 응답하여, 상부전극과 하부전극 간에 측정했을 때, 제 1 전체저항을 가지며,EPVR 층은 제 2 전압 펄스에 응답하여, 제 1 전체저항보다 낮은 제 2 전체 저항을 갖는, 비대칭 메모리 셀.
- 제 15 항에 있어서,EPVR 층 제 1 저항은 2 내지 5V의 범위의 음의 진폭 및 1ns 내지 10㎲의 범위의 지속기간을 가진 제 1 전압펄스에 응답하여 100Ω 내지 10MΩ범위에 있는, 비대칭 메모리 셀.
- 제 16 항에 있어서,EPVR 층 제 2 저항은 2 내지 5V의 범위의 양의 진폭 및 1ns 내지 10㎲의 범위의 지속기간을 가진 제 2 전압펄스에 응답하여 100Ω 내지 1kΩ범위에 있는, 비대칭 메모리 셀.
- 제 12 항에 있어서,EPVR 층은 초거대 자기저항체 (CMR), 고온초전도체 (HTSC) 및 페로브스카이트 금속산화물 재료를 포함하는 그룹 중에서 선택되는 재료인, 비대칭 메모리 셀.
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- 제 19 항에 있어서,하부전극 제 1 영역은 상부전극 제 2 영역보다 20% 더 작은, 비대칭 메모리 셀.
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